JP2001118684A - 発光ディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
発光ディスプレイ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001118684A JP2001118684A JP29617299A JP29617299A JP2001118684A JP 2001118684 A JP2001118684 A JP 2001118684A JP 29617299 A JP29617299 A JP 29617299A JP 29617299 A JP29617299 A JP 29617299A JP 2001118684 A JP2001118684 A JP 2001118684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light
- light emitting
- electrodes
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- MYZAXBZLEILEBR-RVFOSREFSA-N (2S)-1-[(2S,3R)-2-[[(2R)-2-[[2-[[(2S)-2-[(2-aminoacetyl)amino]-5-(diaminomethylideneamino)pentanoyl]amino]acetyl]amino]-3-sulfopropanoyl]amino]-3-hydroxybutanoyl]pyrrolidine-2-carboxylic acid Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](NC(=O)[C@H](CS(O)(=O)=O)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CCCN=C(N)N)NC(=O)CN)C(=O)N1CCC[C@H]1C(O)=O MYZAXBZLEILEBR-RVFOSREFSA-N 0.000 abstract 1
- 108700002400 risuteganib Proteins 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ディスプレイの第１電極（透明電極１０
２）と第２電極（金属電極１０４）のショートによる欠
陥を修復し、歩留まりを向上させる。 【解決手段】 透明電極１０２及び金属電極１０４がシ
ョート等して発光しない画素や発光不良画素等の欠陥画
素が生じた場合、欠陥画素に対応する透明電極１０２及
び金属電極１０４が交差する領域に対応する金属電極１
０４のうち、当該欠陥部分に対応する部分Ｂのみ削除す
る修復を行うことにより、残余部分Ａの金属電極１０４
によって有機層１０３を介し対向する透明電極１０２間
に電流を流し、その画素ならびに以降走査される画素を
発光させる。金属電極１０４の対応部分の削除は、レー
ザ光を照射することにより行われる。
２）と第２電極（金属電極１０４）のショートによる欠
陥を修復し、歩留まりを向上させる。 【解決手段】 透明電極１０２及び金属電極１０４がシ
ョート等して発光しない画素や発光不良画素等の欠陥画
素が生じた場合、欠陥画素に対応する透明電極１０２及
び金属電極１０４が交差する領域に対応する金属電極１
０４のうち、当該欠陥部分に対応する部分Ｂのみ削除す
る修復を行うことにより、残余部分Ａの金属電極１０４
によって有機層１０３を介し対向する透明電極１０２間
に電流を流し、その画素ならびに以降走査される画素を
発光させる。金属電極１０４の対応部分の削除は、レー
ザ光を照射することにより行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス（有機ＥＬ）を発光素子として用いて好適な
発光ディスプレイ及びその製造方法に関する。
ミネセンス（有機ＥＬ）を発光素子として用いて好適な
発光ディスプレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス板、あるいは半透明な有機
フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる
ことのできる有機ＥＬ素子が知られている。図４に、有
機ＥＬを発光素子として用いた発光ディスプレイの概略
断面構造を示す。図４に示すように、従来の発光ディス
プレイは、透明基板３０１上に透明電極（層）３０２、
有機層３０３、金属電極（層）３０４が順に積層されて
成る。
フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる
ことのできる有機ＥＬ素子が知られている。図４に、有
機ＥＬを発光素子として用いた発光ディスプレイの概略
断面構造を示す。図４に示すように、従来の発光ディス
プレイは、透明基板３０１上に透明電極（層）３０２、
有機層３０３、金属電極（層）３０４が順に積層されて
成る。
【０００３】一般に有機ＥＬ素子は、回路抵抗成分と、
容量成分と、発光成分により等価的に表現される、容量
性の発光素子であると考えられている。従って、透明電
極３０２と金属電極３０４の間に電圧が印加されると、
素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として
流れ込み蓄積される。続いて一定の電圧（障壁電圧）を
超えると、電極３０１、３０４を介して有機ＥＬ素子か
ら成る有機層３０３に電流が流れ始め、この電流に比例
して発光が始まる。
容量成分と、発光成分により等価的に表現される、容量
性の発光素子であると考えられている。従って、透明電
極３０２と金属電極３０４の間に電圧が印加されると、
素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として
流れ込み蓄積される。続いて一定の電圧（障壁電圧）を
超えると、電極３０１、３０４を介して有機ＥＬ素子か
ら成る有機層３０３に電流が流れ始め、この電流に比例
して発光が始まる。
【０００４】図５に、単純マトリクス駆動型の発光ディ
スプレイにおける透明電極及び金属電極の配列の一例を
示す。上述した有機ＥＬ素子を発光素子として用いた発
光ディスプレイは、図５に示すように、透明なガラス基
板１０１上にＩＴＯ等から成り各々所定の間隔を置いて
配列される複数の平行なストライプ状の透明電極１０
２、有機層から成る発光部１０３、透明電極１０２と直
交し、かつ、所定の間隔を置いて配列される複数の平行
なストライプ状の金属電極１０４を順に積層して形成さ
れる。また、金属電極１０４及び有機層１０３が形成さ
れた基板１０１上全面に渡り、防湿のために図示せぬ保
護膜が形成される。
スプレイにおける透明電極及び金属電極の配列の一例を
示す。上述した有機ＥＬ素子を発光素子として用いた発
光ディスプレイは、図５に示すように、透明なガラス基
板１０１上にＩＴＯ等から成り各々所定の間隔を置いて
配列される複数の平行なストライプ状の透明電極１０
２、有機層から成る発光部１０３、透明電極１０２と直
交し、かつ、所定の間隔を置いて配列される複数の平行
なストライプ状の金属電極１０４を順に積層して形成さ
れる。また、金属電極１０４及び有機層１０３が形成さ
れた基板１０１上全面に渡り、防湿のために図示せぬ保
護膜が形成される。
【０００５】また、発光ディスプレイは、互いに対面し
対をなす透明電極１０２及び金属電極１０４の各々が互
いに対面して交差し挟持する有機層１０３の一つの領域
を１単位とする発光画素が形成され、必要な画素数をマ
トリクス状に配列することにより、単純マトリクス駆動
型の発光ディスプレイが形成される。このようにして形
成された発光ディスプレイは、各透明電極１０２及び金
属電極１０４を走査駆動する駆動源により、適宜画素に
対応する透明電極１０２及び金属電極１０４間に電圧が
印加されて、該当する画素の有機層１０３に電流が流れ
発光する。
対をなす透明電極１０２及び金属電極１０４の各々が互
いに対面して交差し挟持する有機層１０３の一つの領域
を１単位とする発光画素が形成され、必要な画素数をマ
トリクス状に配列することにより、単純マトリクス駆動
型の発光ディスプレイが形成される。このようにして形
成された発光ディスプレイは、各透明電極１０２及び金
属電極１０４を走査駆動する駆動源により、適宜画素に
対応する透明電極１０２及び金属電極１０４間に電圧が
印加されて、該当する画素の有機層１０３に電流が流れ
発光する。
【０００６】ところで、このような発光ディスプレイの
製造にあたり、表示画面の面積が大きくなればなるほ
ど、傷等の発生やパーティクルの付着などの確率は高く
なる。このことは、製造時における歩留まり悪化の大き
な要因となっていた。
製造にあたり、表示画面の面積が大きくなればなるほ
ど、傷等の発生やパーティクルの付着などの確率は高く
なる。このことは、製造時における歩留まり悪化の大き
な要因となっていた。
【０００７】すなわち、図４に示されるように、透明電
極３０２に傷１０が発生したり、あるいは、透明電極３
０２上のパーティクル２０が付着すると、透明電極３０
２表面のその該当部分における有機層３０３の成膜が不
充分なものとなる。その他、何らかの原因で有機層３０
３に欠陥３０が生じることもある。このことにより、有
機層３０３の成膜が不十分であった部分に金属電極層３
０４が直接透明電極層３０２に成膜され、透明電極層３
０２の陽極と金属電極層３０４の陰極がショートするこ
とがあった。
極３０２に傷１０が発生したり、あるいは、透明電極３
０２上のパーティクル２０が付着すると、透明電極３０
２表面のその該当部分における有機層３０３の成膜が不
充分なものとなる。その他、何らかの原因で有機層３０
３に欠陥３０が生じることもある。このことにより、有
機層３０３の成膜が不十分であった部分に金属電極層３
０４が直接透明電極層３０２に成膜され、透明電極層３
０２の陽極と金属電極層３０４の陰極がショートするこ
とがあった。
【０００８】また、ショートまで至らなくても、透明電
極３０２と金属電極３０４の間の有機層３０３が極度に
薄く成膜され、その部分に発光電流の集中をもたらし、
その結果周辺部分に電流が流れにくくなってその画素は
発光しなくなるといった問題があった。この問題は、製
造時における最も大きな不良原因の一つであり、歩留ま
りを大きく低下させていた。
極３０２と金属電極３０４の間の有機層３０３が極度に
薄く成膜され、その部分に発光電流の集中をもたらし、
その結果周辺部分に電流が流れにくくなってその画素は
発光しなくなるといった問題があった。この問題は、製
造時における最も大きな不良原因の一つであり、歩留ま
りを大きく低下させていた。
【０００９】そこで基板の洗浄を念入りに行う等して対
策していたが、洗浄に手間取り、また、洗浄により完全
にパーティクルや透明電極３０２の傷、あるいは透明電
極３０２表面の凹凸を除去することは不可能であった。
策していたが、洗浄に手間取り、また、洗浄により完全
にパーティクルや透明電極３０２の傷、あるいは透明電
極３０２表面の凹凸を除去することは不可能であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、有機
ＥＬ素子を発光素子として用いた発光ディスプレイで
は、透明電極３０２上に凹部状の傷があったり、ゴミが
付着していたりすると、その部分の成膜が不十分とな
り、透明電極３０２上に積層される有機層３０３が薄く
形成される。特に、蒸着による成膜の場合は、ゴミ等に
より凸部が形成されると、その凸部側面は蒸着されにく
く、十分な成膜が行われない。また、有機層３０３の薄
い部分では他の部分に比べ陰極と陽極が近接するため電
流が集中しやすく、陰極と陽極のショートを生じるとい
う問題があった。ショートに至らなくても、薄く成膜さ
れた部分に発光電流の集中をもたらし、その結果、周辺
部分に電流が流れにくくなってその画素は発光しなくな
るといった問題があった。
ＥＬ素子を発光素子として用いた発光ディスプレイで
は、透明電極３０２上に凹部状の傷があったり、ゴミが
付着していたりすると、その部分の成膜が不十分とな
り、透明電極３０２上に積層される有機層３０３が薄く
形成される。特に、蒸着による成膜の場合は、ゴミ等に
より凸部が形成されると、その凸部側面は蒸着されにく
く、十分な成膜が行われない。また、有機層３０３の薄
い部分では他の部分に比べ陰極と陽極が近接するため電
流が集中しやすく、陰極と陽極のショートを生じるとい
う問題があった。ショートに至らなくても、薄く成膜さ
れた部分に発光電流の集中をもたらし、その結果、周辺
部分に電流が流れにくくなってその画素は発光しなくな
るといった問題があった。
【００１１】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、透明電極と金属電極のショートによる欠陥を
修復し、歩留まり向上をはかった発光ディスプレイ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
のであり、透明電極と金属電極のショートによる欠陥を
修復し、歩留まり向上をはかった発光ディスプレイ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
上に、第１電極と、発光部と、第２電極とが順次積層さ
れた発光ディスプレイにおいて、前記発光部の一部に欠
陥があるときに、その欠陥部に対応する前記第２電極の
相当部分のみを取り除くとともに該第２電極の残余を残
すようにし、前記第１電極と前記残余の第２電極によっ
て前記欠陥発光画素を発光せしめるようにしたことを特
徴とする。
上に、第１電極と、発光部と、第２電極とが順次積層さ
れた発光ディスプレイにおいて、前記発光部の一部に欠
陥があるときに、その欠陥部に対応する前記第２電極の
相当部分のみを取り除くとともに該第２電極の残余を残
すようにし、前記第１電極と前記残余の第２電極によっ
て前記欠陥発光画素を発光せしめるようにしたことを特
徴とする。
【００１３】また、請求項２記載の発明は、基板上に、
各々所定間隔をおいて配列される複数本の第１電極と、
発光部と、前記第１電極と直交し、かつ、所定間隔をお
いて配列される複数本の第２電極とが順次積層されて成
り、前記第１電極と第２電極が対面して交差し挟持する
領域を単位として発光画素が形成され、所定数の発光画
素をマトリクス状に配列して成る発光ディスプレイにお
いて、前記マトリクス状に配列された任意の発光画素に
欠陥があるときに、その欠陥発光画素に対応する前記第
２電極の相当部分のみを取り除くとともに該第２電極の
残余を残すようにし、前記第１電極と前記残余の第２電
極によって前記欠陥発光画素を発光せしめるようにした
ことを特徴とする。
各々所定間隔をおいて配列される複数本の第１電極と、
発光部と、前記第１電極と直交し、かつ、所定間隔をお
いて配列される複数本の第２電極とが順次積層されて成
り、前記第１電極と第２電極が対面して交差し挟持する
領域を単位として発光画素が形成され、所定数の発光画
素をマトリクス状に配列して成る発光ディスプレイにお
いて、前記マトリクス状に配列された任意の発光画素に
欠陥があるときに、その欠陥発光画素に対応する前記第
２電極の相当部分のみを取り除くとともに該第２電極の
残余を残すようにし、前記第１電極と前記残余の第２電
極によって前記欠陥発光画素を発光せしめるようにした
ことを特徴とする。
【００１４】また、請求項３記載の発明は、請求項２に
記載の発光ディスプレイにおいて、前記発光ディスプレ
イとして、有機エレクトロルミネセンス素子を使用する
ことを特徴とする。
記載の発光ディスプレイにおいて、前記発光ディスプレ
イとして、有機エレクトロルミネセンス素子を使用する
ことを特徴とする。
【００１５】また、請求項４記載の発明は、請求項３に
記載の発光ディスプレイにおいて、前記第１電極は透明
電極、前記発光部は有機エレクトロルミネセンス素子か
ら成る有機層、前記第２電極は金属電極であることを特
徴とする。
記載の発光ディスプレイにおいて、前記第１電極は透明
電極、前記発光部は有機エレクトロルミネセンス素子か
ら成る有機層、前記第２電極は金属電極であることを特
徴とする。
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の発光ディスプレイにおいて、透明基板上に、前
記透明電極、発光層、金属電極が順次積層されて成るこ
とを特徴とする。
に記載の発光ディスプレイにおいて、透明基板上に、前
記透明電極、発光層、金属電極が順次積層されて成るこ
とを特徴とする。
【００１７】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の発光ディスプレイにおいて、前記発光層と金属
電極が形成された透明基板上に保護膜が形成されること
を特徴とする。
に記載の発光ディスプレイにおいて、前記発光層と金属
電極が形成された透明基板上に保護膜が形成されること
を特徴とする。
【００１８】また、請求項７に記載の発明は、請求項２
乃至５のいずれかに記載の発光ディスプレイにおいて、
前記発光ディスプレイは、単純マトリクス駆動されるも
のであることを特徴とする。
乃至５のいずれかに記載の発光ディスプレイにおいて、
前記発光ディスプレイは、単純マトリクス駆動されるも
のであることを特徴とする。
【００１９】また、請求項８に記載の発明は、基板上
に、各々所定間隔をおいて配列される複数本の第１電極
と、発光部と、前記第１電極と直交し、かつ、所定間隔
をおいて配列される複数本の第２電極とが順次積層され
て成り、前記第１電極と第２電極が対面して交差し挟持
する領域を単位として発光画素が形成され、所定数の発
光画素をマトリクス状に配列して成る発光ディスプレイ
の製造方法であって、前記基板上に第１電極を層形成す
る工程と、前記発光部及び第２電極を順次積層する工程
と、前記マトリクス状に配列された任意の発光画素に欠
陥があるときに、その欠陥発光画素に対応する前記第２
電極の相当部分にのみ光を照射し、この光が照射された
部分のみを除去する工程とを有することを特徴とする。
に、各々所定間隔をおいて配列される複数本の第１電極
と、発光部と、前記第１電極と直交し、かつ、所定間隔
をおいて配列される複数本の第２電極とが順次積層され
て成り、前記第１電極と第２電極が対面して交差し挟持
する領域を単位として発光画素が形成され、所定数の発
光画素をマトリクス状に配列して成る発光ディスプレイ
の製造方法であって、前記基板上に第１電極を層形成す
る工程と、前記発光部及び第２電極を順次積層する工程
と、前記マトリクス状に配列された任意の発光画素に欠
陥があるときに、その欠陥発光画素に対応する前記第２
電極の相当部分にのみ光を照射し、この光が照射された
部分のみを除去する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】さらに、請求項９記載の発明は、請求項８
に記載の発光ディスプレイの製造方法において、前記基
板及び第１の電極は光透過性を有し、かつ、前記発光部
は有機化合物を含むことを特徴とする。
に記載の発光ディスプレイの製造方法において、前記基
板及び第１の電極は光透過性を有し、かつ、前記発光部
は有機化合物を含むことを特徴とする。
【００２１】本発明は以上のように構成したので、透明
電極及び金属電極がショート等して発光しない画素や発
光不良画素等の欠陥画素が生じた生じた場合でも、欠陥
画素に対応する透明電極及び金属電極が交差する領域に
対応する金属電極のうち、金属電極の当該欠陥部分に対
応する部分のみ削除する修復を行うことにより、残余の
金属電極によって有機層を介して対向する透明電極間に
電流を流し、その画素ならびに以降走査される画素を発
光させるものである。このことにより、多少の欠陥画素
があっても十分な実用に耐える発光ディスプレイを設計
でき、欠陥修復による歩留まり向上に寄与できる。
電極及び金属電極がショート等して発光しない画素や発
光不良画素等の欠陥画素が生じた生じた場合でも、欠陥
画素に対応する透明電極及び金属電極が交差する領域に
対応する金属電極のうち、金属電極の当該欠陥部分に対
応する部分のみ削除する修復を行うことにより、残余の
金属電極によって有機層を介して対向する透明電極間に
電流を流し、その画素ならびに以降走査される画素を発
光させるものである。このことにより、多少の欠陥画素
があっても十分な実用に耐える発光ディスプレイを設計
でき、欠陥修復による歩留まり向上に寄与できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明実施形態における
発光ディスプレイの概略層構造断面を示す図である。図
１に示すように、本発明の発光ディスプレイは、ガラス
透明基板１０１上に第１の電極となるＩＴＯ等の複数の
透明電極１０２、有機層１０３、透明電極１０２に交差
する複数の第２の電極となる金属電極１０４を順に蒸着
積層して形成される。有機層１０３を挟持して互いに対
向し対をなす透明電極１０２及び金属電極１０４により
有機ＥＬ素子を使用した光ディスプレイとしての発光部
が形成され、透明電極１０２及び金属電極１０４の各々
が互いに対向して交差する交差領域の発光部を１単位と
して１画素が形成される。
発光ディスプレイの概略層構造断面を示す図である。図
１に示すように、本発明の発光ディスプレイは、ガラス
透明基板１０１上に第１の電極となるＩＴＯ等の複数の
透明電極１０２、有機層１０３、透明電極１０２に交差
する複数の第２の電極となる金属電極１０４を順に蒸着
積層して形成される。有機層１０３を挟持して互いに対
向し対をなす透明電極１０２及び金属電極１０４により
有機ＥＬ素子を使用した光ディスプレイとしての発光部
が形成され、透明電極１０２及び金属電極１０４の各々
が互いに対向して交差する交差領域の発光部を１単位と
して１画素が形成される。
【００２３】ここでは、図４と同様な傷１０、パーティ
クル２０、その他有機層欠陥３０が含まれる欠陥画素と
なっているが、金属電極１０４の当該欠陥部分の相当部
分Ｂが削除され、その周囲に残余の部分Ａが残されてい
る。そうすることによって電流の集中を解消し、周辺に
電流を流しその画素の正常な発光を促す。欠陥部分は、
１画素より十分に小さいことに着目し、欠陥画素中、金
属電極１０４の当該欠陥部分のみ削除し、欠陥画素の欠
陥部分を除く残余の部分Ａの金属電極１０４によって有
機層１０３を介し、対向している透明電極１０２間に電
流を流し、その欠陥画素を発光させることによって修復
による歩留まりの向上をはかるものである。金属電極１
０４の削除方法によっては、欠陥部分Ａの有機層１０３
または透明電極１０２の一部または全体も同時に削除さ
れる可能性があるが、特に問題はない。
クル２０、その他有機層欠陥３０が含まれる欠陥画素と
なっているが、金属電極１０４の当該欠陥部分の相当部
分Ｂが削除され、その周囲に残余の部分Ａが残されてい
る。そうすることによって電流の集中を解消し、周辺に
電流を流しその画素の正常な発光を促す。欠陥部分は、
１画素より十分に小さいことに着目し、欠陥画素中、金
属電極１０４の当該欠陥部分のみ削除し、欠陥画素の欠
陥部分を除く残余の部分Ａの金属電極１０４によって有
機層１０３を介し、対向している透明電極１０２間に電
流を流し、その欠陥画素を発光させることによって修復
による歩留まりの向上をはかるものである。金属電極１
０４の削除方法によっては、欠陥部分Ａの有機層１０３
または透明電極１０２の一部または全体も同時に削除さ
れる可能性があるが、特に問題はない。
【００２４】なお、金属電極１０４には、アルミニュウ
ム、マグネシウム、インジウム、銅または各々の合金等
の仕事関数が小さな、例えばＡｌ−Ｌｉ合金を用いる。
また、透明電極１０２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大き
な導電性材料または金等を用いることができる。ここ
で、金を電極材料として用いた場合、電極は半透明の状
態となる。
ム、マグネシウム、インジウム、銅または各々の合金等
の仕事関数が小さな、例えばＡｌ−Ｌｉ合金を用いる。
また、透明電極１０２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大き
な導電性材料または金等を用いることができる。ここ
で、金を電極材料として用いた場合、電極は半透明の状
態となる。
【００２５】図２は、図１に示す単純マトリクス駆動型
の発光ディスプレイの製造工程を示す図である。図２
（ａ）において、まず、透明基板１０１上にＩＴＯ等の
電極材料を蒸着し、フォトリソグラフィ法に基づくパタ
ーンニングに従い複数本の透明電極層１０２を形成す
る。
の発光ディスプレイの製造工程を示す図である。図２
（ａ）において、まず、透明基板１０１上にＩＴＯ等の
電極材料を蒸着し、フォトリソグラフィ法に基づくパタ
ーンニングに従い複数本の透明電極層１０２を形成す
る。
【００２６】次に、図２（ｂ）において、透明電極１０
２が形成された透明基板１０１上に、有機物として、例
えば、ＴＰＤやＡｌｑ３等を順次積層して有機層１０３
から成る発光部を形成する。そして、図２（ｃ）におい
て、金属電極層１０４を形成すると、各透明電極１０２
と金属電極１０４が交差し挟持する有機層の領域に対応
する部分を１単位とする発光画素がマトリクス状に配列
形成される。なお、透明電極１０２の傷１０、または、
透明電極１０２上のパーティクル２０は図４に示す従来
例同様付着しているものとする。
２が形成された透明基板１０１上に、有機物として、例
えば、ＴＰＤやＡｌｑ３等を順次積層して有機層１０３
から成る発光部を形成する。そして、図２（ｃ）におい
て、金属電極層１０４を形成すると、各透明電極１０２
と金属電極１０４が交差し挟持する有機層の領域に対応
する部分を１単位とする発光画素がマトリクス状に配列
形成される。なお、透明電極１０２の傷１０、または、
透明電極１０２上のパーティクル２０は図４に示す従来
例同様付着しているものとする。
【００２７】このように形成された単純マトリクス駆動
型の発光ディスプレイは、各透明電極１０２及び金属電
極１０４を走査駆動する駆動源により、適宜、各画素に
対応する透明電極１０２及び金属電極１０４間に電圧が
印加され、各画素の発光部１０３に電荷が送り込まれ発
光する。そこで、発光ディスプレイの全発光画素を同時
に発光させるように駆動源を印加し、この状態で発光不
良画素や発光しない画素等の欠陥画素を確認する。そし
てその欠陥画素に対する修復を行う。
型の発光ディスプレイは、各透明電極１０２及び金属電
極１０４を走査駆動する駆動源により、適宜、各画素に
対応する透明電極１０２及び金属電極１０４間に電圧が
印加され、各画素の発光部１０３に電荷が送り込まれ発
光する。そこで、発光ディスプレイの全発光画素を同時
に発光させるように駆動源を印加し、この状態で発光不
良画素や発光しない画素等の欠陥画素を確認する。そし
てその欠陥画素に対する修復を行う。
【００２８】修復は、図２（ｄ）に示すように、欠陥画
素が本来有する発光領域に対応する単位画素の領域の一
部にレーザ光を照射することにより行われる。すなわ
ち、レーザ光を照射してその発光領域に対面する金属電
極１０４の一部を除去する。ここで、レーザスポットの
位置決めは、その発光領域（画素）の座標をあらかじめ
測定しておき、さらに、顕微鏡当を使用した目視によっ
て、欠陥部分を確認してレーザスポットの位置決めを行
う。
素が本来有する発光領域に対応する単位画素の領域の一
部にレーザ光を照射することにより行われる。すなわ
ち、レーザ光を照射してその発光領域に対面する金属電
極１０４の一部を除去する。ここで、レーザスポットの
位置決めは、その発光領域（画素）の座標をあらかじめ
測定しておき、さらに、顕微鏡当を使用した目視によっ
て、欠陥部分を確認してレーザスポットの位置決めを行
う。
【００２９】このことにより、欠陥部分が１画素より十
分に小さい場合、欠陥画素中、金属電極１０４の当該欠
陥部分のみ削除し、欠陥画素の欠陥部分を除く残余の金
属電極１０４によって有機層１０３を介し対向している
透明電極１０２間に電流を流し、その画素を発光させる
ことができる。なお、上記の例ではレーザ光を金属電極
１０４側から照射しているが、透明基板１０１側からレ
ーザ光を照射して金属電極１０４の欠陥部分を削除する
こともできる。ただし、透明基板１０１のレーザに対す
る透過率が低い場合は、金属電極１０４側から照射する
方が好ましい。
分に小さい場合、欠陥画素中、金属電極１０４の当該欠
陥部分のみ削除し、欠陥画素の欠陥部分を除く残余の金
属電極１０４によって有機層１０３を介し対向している
透明電極１０２間に電流を流し、その画素を発光させる
ことができる。なお、上記の例ではレーザ光を金属電極
１０４側から照射しているが、透明基板１０１側からレ
ーザ光を照射して金属電極１０４の欠陥部分を削除する
こともできる。ただし、透明基板１０１のレーザに対す
る透過率が低い場合は、金属電極１０４側から照射する
方が好ましい。
【００３０】このように、金属電極１０４の欠陥部分の
削除が済むと、図２（ｅ）に示すように、透明基板１０
１上の全面に対して保護膜１０５を積層することで単純
マトリクス駆動型の発光ディスプレイが形成される。
削除が済むと、図２（ｅ）に示すように、透明基板１０
１上の全面に対して保護膜１０５を積層することで単純
マトリクス駆動型の発光ディスプレイが形成される。
【００３１】上記の実施形態では保護膜１０５を形成し
ているが、例えば図３に示したように、透明電極１０
２、有機層１０３および金属電極層１０４を覆うよう
に、封止カバー１０６を取り付け、透明基板１０１の周
囲で封止するようにしてもよい。この場合、封止カバー
１０６を取り付けた後で、金属電極１０４の欠陥部分の
削除を行うこともできる。すなわち、封止カバー１０６
が金属製等でできていて不透明な場合、のように透明
基板１０１側からレーザを照射する。また、封止カバー
１０６がガラス製等でできていて透明な場合、の透明
基板１０１側、の封止カバー１０６側のどちらからで
もレーザを照射することができる。
ているが、例えば図３に示したように、透明電極１０
２、有機層１０３および金属電極層１０４を覆うよう
に、封止カバー１０６を取り付け、透明基板１０１の周
囲で封止するようにしてもよい。この場合、封止カバー
１０６を取り付けた後で、金属電極１０４の欠陥部分の
削除を行うこともできる。すなわち、封止カバー１０６
が金属製等でできていて不透明な場合、のように透明
基板１０１側からレーザを照射する。また、封止カバー
１０６がガラス製等でできていて透明な場合、の透明
基板１０１側、の封止カバー１０６側のどちらからで
もレーザを照射することができる。
【００３２】また、保護膜１０５を積層したものに、さ
らに封止カバー１０６を取り付けるようにしてもよいこ
とはいうまでもない。
らに封止カバー１０６を取り付けるようにしてもよいこ
とはいうまでもない。
【００３３】なお、上述した本発明実施形態において
は、少なくとも、有機層１０３と直交する複数の透明電
極１０２と及び複数の金属電極１０４によって形成され
る有機ＥＬ素子によって構成される単純マトリクス駆動
型の発光ディスプレイのみ例示して説明したが、本発明
はこれに限らず、対となる複数の電極が互いに交差して
複数の発光画素が形成されるものであれば発光画素の配
列や発光部に用いる材料は問わない。
は、少なくとも、有機層１０３と直交する複数の透明電
極１０２と及び複数の金属電極１０４によって形成され
る有機ＥＬ素子によって構成される単純マトリクス駆動
型の発光ディスプレイのみ例示して説明したが、本発明
はこれに限らず、対となる複数の電極が互いに交差して
複数の発光画素が形成されるものであれば発光画素の配
列や発光部に用いる材料は問わない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明のように本発明は、透明電極及
び金属電極がショート等して発光しない画素や発光不良
画素等の欠陥画素が生じた生じた場合でも、欠陥画素に
対応する透明電極及び金属電極が交差する領域に対応す
る金属電極のうち、金属電極の当該欠陥部分に対応する
部分のみ削除する修復を行うことにより、残余の金属電
極によって有機層を介し対向する透明電極間に電流を流
し、その画素ならびに以降走査される画素を発光させる
ものである。このことにより、多少の欠陥画素があって
も十分な実用に耐える発光ディスプレイを設計でき、欠
陥修復による歩留まり向上に寄与することができる。
び金属電極がショート等して発光しない画素や発光不良
画素等の欠陥画素が生じた生じた場合でも、欠陥画素に
対応する透明電極及び金属電極が交差する領域に対応す
る金属電極のうち、金属電極の当該欠陥部分に対応する
部分のみ削除する修復を行うことにより、残余の金属電
極によって有機層を介し対向する透明電極間に電流を流
し、その画素ならびに以降走査される画素を発光させる
ものである。このことにより、多少の欠陥画素があって
も十分な実用に耐える発光ディスプレイを設計でき、欠
陥修復による歩留まり向上に寄与することができる。
【図１】本発明実施形態における発光ディスプレイの概
略層構造断面を示す図である。
略層構造断面を示す図である。
【図２】本発明実施形態における発光ディスプレイの製
造工程を示す図である。
造工程を示す図である。
【図３】本発明実施形態における発光ディスプレイで封
止カバーを使用した状態を示す図である。
止カバーを使用した状態を示す図である。
【図４】従来における発光ディスプレイの概略断面構造
を示す図である。
を示す図である。
【図５】従来における有機ＥＬ素子を用いた単純マトリ
クス駆動型の発光ディスプレイの透明電極及び金属電極
の配列の一例を示す図である。
クス駆動型の発光ディスプレイの透明電極及び金属電極
の配列の一例を示す図である。
１０１…基板 １０２…透明電極（第１電極） １０３…有機層（発光部） １０４…金属電極（第２電極） １０５…保護膜層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に、第１電極と、発光部と、第２
電極とが順次積層された発光ディスプレイにおいて、 前記発光部の一部に欠陥があるときに、その欠陥部に対
応する前記第２電極の相当部分のみを取り除くとともに
該第２電極の残余を残すようにし、前記第１電極と前記
残余の第２電極によって前記欠陥発光画素を発光せしめ
るようにしたことを特徴とする発光ディスプレイ。 - 【請求項２】 基板上に、各々所定間隔をおいて配列さ
れる複数本の第１電極と、発光部と、前記第１電極と直
交し、かつ、所定間隔をおいて配列される複数本の第２
電極とが順次積層されて成り、前記第１電極と第２電極
が対面して交差し挟持する領域を単位として発光画素が
形成され、所定数の発光画素をマトリクス状に配列して
成る発光ディスプレイにおいて、前記マトリクス状に配
列された任意の発光画素に欠陥があるときに、その欠陥
発光画素に対応する前記第２電極の相当部分のみを取り
除くとともに該第２電極の残余を残すようにし、前記第
１電極と前記残余の第２電極によって前記欠陥発光画素
を発光せしめるようにしたことを特徴とする発光ディス
プレイ。 - 【請求項３】 前記発光ディスプレイとして、有機エレ
クトロルミネセンス素子を使用することを特徴とする請
求項２に記載の発光ディスプレイ。 - 【請求項４】 前記第１電極は透明電極、前記発光部は
有機エレクトロルミネセンス素子から成る有機層、前記
第２電極は金属電極であることを特徴とする請求項３に
記載の発光ディスプレイ。 - 【請求項５】 透明基板上に、前記透明電極、有機層、
金属電極が順次積層されて成ることを特徴とする請求項
４に記載の発光ディスプレイ。 - 【請求項６】 前記有機層と金属電極が形成された透明
基板上に保護膜が形成されることを特徴とする請求項５
に記載の発光ディスプレイ。 - 【請求項７】 前記発光ディスプレイは、単純マトリク
ス駆動されるものであることを特徴とする請求項２乃至
５のいずれか一つに記載の発光ディスプレイ。 - 【請求項８】 基板上に、各々所定間隔をおいて配列さ
れる複数本の第１電極と、発光部と、前記第１電極と直
交し、かつ、所定間隔をおいて配列される複数本の第２
電極とが順次積層されて成り、前記第１電極と第２電極
が対面して交差し挟持する領域を単位として発光画素が
形成され、所定数の発光画素をマトリクス状に配列して
成る発光ディスプレイの製造方法であって、前記基板上
に第１電極を層形成する工程と、前記発光部及び第２電
極を順次積層する工程と、前記マトリクス状に配列され
た任意の発光画素に欠陥があるときに、その欠陥発光画
素に対応する前記第２電極の相当部分にのみ光を照射
し、この光が照射された部分のみを除去する工程とを有
することを特徴とする発光ディスプレイの製造方法。 - 【請求項９】 前記基板及び第１の電極は光透過性を有
し、かつ、前記発光部は有機化合物を含むことを特徴と
する請求項８に記載の発光ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29617299A JP3840010B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 発光ディスプレイの製造方法 |
| US09/691,067 US6590335B1 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | Luminescent display and a method producing the same |
| US10/419,727 US6747728B2 (en) | 1999-10-19 | 2003-04-22 | Luminescent display and a method producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29617299A JP3840010B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006139952A Division JP2006278343A (ja) | 2006-05-19 | 2006-05-19 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118684A true JP2001118684A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3840010B2 JP3840010B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=17830103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29617299A Expired - Lifetime JP3840010B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6590335B1 (ja) |
| JP (1) | JP3840010B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260857A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| JP2006502545A (ja) * | 2002-10-09 | 2006-01-19 | サン−ゴバン グラス フランス | 電気化学素子内に含まれる点欠陥を除去する方法 |
| US7141517B2 (en) | 2003-07-04 | 2006-11-28 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method of repairing and apparatus for repairing multi-color organic light-emitting display device |
| KR100713998B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 분할 구조 전극을 가지는 유기 발광 표시장치 및 이의 보수방법 |
| US7258586B2 (en) | 2004-03-24 | 2007-08-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| CN100372147C (zh) * | 2003-01-21 | 2008-02-27 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置的激光修复方法 |
| CN100374942C (zh) * | 2003-09-11 | 2008-03-12 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示设备及其制造方法 |
| JP2009206103A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | リペア装置、リペア方法、発光装置及びその作製方法 |
| US7701133B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-04-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of repairing a defective pixel of the device |
| WO2010092749A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| WO2010106638A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル |
| JP2017069030A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| KR20180019165A (ko) * | 2015-06-16 | 2018-02-23 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 제 1 전극/활성층/제 2 전극 적층체의 제조 방법 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6724511B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-04-20 | Thin Film Electronics Asa | Matrix-addressable optoelectronic apparatus and electrode means in the same |
| NO316632B1 (no) * | 2001-11-16 | 2004-03-15 | Thin Film Electronics Asa | Matriseadresserbart optoelektronisk apparat og elektrodeanordning i samme |
| TWI223569B (en) * | 2002-03-20 | 2004-11-01 | Sanyo Electric Co | Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel |
| TW548859B (en) * | 2002-06-03 | 2003-08-21 | Ritdisplay Corp | Organic light-emitting display |
| JP4498283B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法 |
| US8062085B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing organic light emitting device |
| US20110254440A1 (en) * | 2009-01-07 | 2011-10-20 | Kiyoshi Minoura | Organic electroluminescence display device and method for producing the same |
| JP2010185928A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| KR101839292B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2018-03-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 검사 방법 및 제조 방법 |
| EP2447949B1 (en) | 2010-10-26 | 2016-11-30 | Crocus Technology | Multi level magnetic element |
| US8652859B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and manufacturing apparatus of light-emitting device |
| US9112187B2 (en) * | 2011-06-08 | 2015-08-18 | Joled Inc. | Organic el device and method of manufacturing organic EL device |
| TW201417374A (zh) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Ultimate Image Corp | Ｏｌｅｄ平面照明裝置的製作方法 |
| US20200096830A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-03-26 | Sage Electrochromics, Inc. | Electroactive device and methods |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608245A (en) * | 1995-12-21 | 1997-03-04 | Xerox Corporation | Array on substrate with repair line crossing lines in the array |
| JP3852517B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2006-11-29 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP2001176672A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置およびその製造方法 |
| JP4497641B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-07-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |
| JP2001281698A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Advanced Display Inc | 電気光学素子の製法 |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29617299A patent/JP3840010B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-19 US US09/691,067 patent/US6590335B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-22 US US10/419,727 patent/US6747728B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8367439B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2014044959A (ja) * | 2000-12-28 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP2011071143A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP2011071142A (ja) * | 2000-12-28 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US9412948B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP4694636B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リペア装置、リペア方法及び発光装置の作製方法 |
| JP2002260857A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| JP2009206103A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | リペア装置、リペア方法、発光装置及びその作製方法 |
| US8273583B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8980660B2 (en) | 2000-12-28 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US7871930B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| JP2006502545A (ja) * | 2002-10-09 | 2006-01-19 | サン−ゴバン グラス フランス | 電気化学素子内に含まれる点欠陥を除去する方法 |
| KR101122635B1 (ko) * | 2002-10-09 | 2012-03-09 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 적층물 내에 있는 결함을 제거하는 방법 및 글레이징 |
| CN100372147C (zh) * | 2003-01-21 | 2008-02-27 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置的激光修复方法 |
| US7141517B2 (en) | 2003-07-04 | 2006-11-28 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method of repairing and apparatus for repairing multi-color organic light-emitting display device |
| CN100374942C (zh) * | 2003-09-11 | 2008-03-12 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示设备及其制造方法 |
| US7258586B2 (en) | 2004-03-24 | 2007-08-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| US7701133B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-04-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of repairing a defective pixel of the device |
| US8148896B2 (en) | 2005-03-22 | 2012-04-03 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of repairing a defective pixel of the device |
| KR100713998B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 분할 구조 전극을 가지는 유기 발광 표시장치 및 이의 보수방법 |
| WO2010092749A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| US8772052B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-07-08 | Panasonic Corporation | Repaired organic EL display and method for manufacturing same including repairing process |
| WO2010106638A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル |
| KR20180019165A (ko) * | 2015-06-16 | 2018-02-23 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 제 1 전극/활성층/제 2 전극 적층체의 제조 방법 |
| KR102629662B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2024-01-25 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 제 1 전극/활성층/제 2 전극 적층체의 제조 방법 |
| JP2017069030A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US10586951B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-03-10 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method of manufacturing organic EL element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040070336A1 (en) | 2004-04-15 |
| JP3840010B2 (ja) | 2006-11-01 |
| US6590335B1 (en) | 2003-07-08 |
| US6747728B2 (en) | 2004-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3840010B2 (ja) | 発光ディスプレイの製造方法 | |
| US8796918B2 (en) | Organic light emitting display device and a method of manufacturing thereof | |
| US8569946B2 (en) | Organic light emitting display having a single-layered anti-reflection layer of aluminum fluoride and method of fabricating the same | |
| EP1814176A2 (en) | Organic light-emitting display device and method for fabricating the same | |
| US7994534B2 (en) | Organic light emitting display device and a method of manufacturing thereof | |
| US7960914B2 (en) | Image display element including electrode terminal free from contact inhibiting factor | |
| CN101060131A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN101578916A (zh) | 电致发光元件 | |
| CN1525799A (zh) | 电场发光显示装置的激光修复方法 | |
| KR20050094882A (ko) | 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법 | |
| EP2665343A1 (en) | Organic el light emitting element and method for manufacturing same | |
| KR20070110684A (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN1607665A (zh) | 半导体装置及显示装置 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2010147257A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP5907766B2 (ja) | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 | |
| JP2006278343A (ja) | 発光ディスプレイの製造方法 | |
| JP3698857B2 (ja) | 発光ディスプレイの製造方法 | |
| US20070057631A1 (en) | Organic el panel | |
| KR20100011034A (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 | |
| KR101578703B1 (ko) | 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR100768708B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조방법 | |
| JP4826079B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP5263605B2 (ja) | マザーパネル及び有機ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2000122566A (ja) | 発光ディスプレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060203 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060404 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060519 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060616 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060804 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3840010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |