JP2010185928A - 表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板1のキャパシタCSに生じた層間短絡163を修正する。層間短絡163を含む短絡包含領域164に、パルス幅が10ピコ秒以下のレーザ光LBを照射する。短絡包含領域164内の下層電極122、絶縁膜131および上層電極143のうち少なくとも上層電極143を除去し、開口部を形成する。短絡包含領域164内の下層電極122、絶縁膜131および上層電極143を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。層間短絡163の大きさに応じてレーザ光LBの照射方法を異ならせる。
【選択図】図10
Description
1.第1の実施の形態(キャパシタ;短絡包含領域にレーザ照射する例)
2.第2の実施の形態(キャパシタ;層間短絡の大きさを判別し、層間短絡の周囲を囲む枠領域にレーザ照射する例)
3.第3の実施の形態(配線の交差部;短絡包含領域にレーザ照射する例)
4.第4の実施の形態(配線の交差部;層間欠陥の周囲を囲む枠領域にレーザ照射する例)
5.実施例
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラー表示装置などとして用いられるものであり、例えば、配線基板1に、表示素子として、後述する複数の有機発光素子10R,10G,10Bを有している。有機発光素子10R,10G,10Bは、配線基板1の中央の表示領域110内にマトリクス状に配置されている。
まず、上述した材料よりなる基体11を用意し、この基体11上に、モリブデン膜を約100nmの厚みで形成し、フォトリソグラフィにより所定の形状に成形する。これにより、走査配線121およびそれに接続された配線、すなわち、キャパシタCSの下層電極122、書き込みトランジスタTr1および駆動トランジスタTr2のゲートとなる配線などを含む下層導電膜120を形成する。このとき、下層電極122に導電性の異物162が付着してしまう可能性がある。
このとき、図7に示したように、キャパシタCSでは、下層電極122と上層電極143とが異物162を介して短絡した層間短絡163が発生している可能性がある。そのため、例えば電気検査により層間短絡163の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する。電気検査は、例えば、アレイテスタ(電気式ガラス基板検査装置)を用いた電荷検出法により行うことができる。電荷検出法は、実動作とほぼ同じ方法で全画素に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出し、その変化から画素の良・不良を判定する方法である。光学検査では、例えばパターン検査により、層間短絡163の位置および大きさを調べる。パターン検査は、画素駆動回路111を顕微鏡で拡大し、その画像をCCD(Charge Coupled Device ;電荷結合素子)カメラ等で取り込み、画像処理により異常を検出する方法であり、各画素の隣接画素との差分を評価し有意差がある場合に不良と判定するものである。なお、層間短絡163の原因としては、上述したような導電性の異物162に起因したフォトリソグラフィ工程の不良のほか、絶縁膜131の欠陥などもありうる。
このようにして配線基板1の短絡欠陥163を修正したのち、図12(A)に示したように、配線基板1の全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化層12を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に接続孔12Aを形成し、焼成する。
図15は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路111の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、キャパシタCSに溝165が設けられていることを除いては、上記第1の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
まず、第1の実施の形態と同様にして、図7に示した工程により、基体11上に、下層導電膜120、絶縁膜131および上層導電膜140を形成し、配線基板1を形成する。
次いで、第1の実施の形態と同様にして、例えば電気検査により層間短絡163の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する(ステップS101)。
このようにして配線基板1の短絡欠陥163を修正したのち、第1の実施の形態と同様にして、図12ないし図14に示した工程により、有機発光素子10R,10G,10Bを形成し、表示装置を形成することができる。
図20は、本発明の第3の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路111の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、開口部161が、走査配線121と信号配線141との交差部ISに設けられていることを除いては、上記第1の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
まず、第1の実施の形態と同様にして、図7に示した工程により、基体11上に、下層導電膜120、絶縁膜131および上層導電膜140を形成し、配線基板1を形成する。
このとき、図23に示したように、交差部ISでは、走査配線121と信号配線141とが異物162を介して短絡した層間短絡163が発生している可能性がある。そのため、例えば電気検査により層間短絡163の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する。
配線基板1の短絡欠陥163を修正したのち、第1の実施の形態と同様にして、図12ないし図14に示した工程により、有機発光素子10R,10G,10Bを形成し、表示装置を形成することができる。
図25は、本発明の第4の実施の形態に係る表示装置における画素駆動回路111の平面構成の一例を表したものである。この表示装置は、溝165が、走査配線121と信号配線141との交差部ISに設けられていることを除いては、上記第2の実施の形態と同一の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
まず、第1の実施の形態と同様にして、図7に示した工程により、基体11上に、下層導電膜120、絶縁膜131および上層導電膜140を形成し、配線基板1を形成する。
次いで、第2の実施の形態と同様にして、図18に示した工程により、例えば電気検査により図23に示したような交差部ISの層間短絡163の有無を確認したのち、光学検査により位置、大きさなどを抽出する(ステップS101)。
このようにして配線基板1の短絡欠陥163を修正したのち、第1の実施の形態と同様にして、図12ないし図14に示した工程により、有機発光素子10R,10G,10Bを形成し、表示装置を形成することができる。
上記第1の実施の形態と同様にして配線基板1を作製した。得られた配線基板1について、キャパシタCSに生じた層間短絡163の大きさを調べたところ、直径5μmであった。
比較例1として、パルス幅が10ピコ秒よりも大きなレーザ光を用いたことを除いては、実施例1と同様にして層間短絡を修正した。その際、レーザ光LBを、波長532nm、繰り返し10Hz、パルス幅10ナノ秒、照射ビーム形状8μm角に調整し、配線基板の表面でのエネルギー密度を2.0J/cm2 に設定し、静止の状態で5パルス出力し、照射した。
短絡包含領域164内の下層電極122、絶縁膜131および上層電極143のうち少なくとも上層電極143を除去するようにしたことを除いては、実施例1と同様にして層間短絡163を修正した。その際、レーザ光LBを、波長400nm、繰り返し500Hz、パルス幅3ピコ秒、照射ビーム形状10μm角に調整し、配線基板1の表面でのエネルギー密度を0.03J/cm2 に設定し、静止の状態で4000パルス出力し、約8秒間照射した。
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図32に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板11の一辺に、封止用基板30および接着層20から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図33は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図34は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図35は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図36は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図37は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
Claims (14)
- 基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板を形成する工程と、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡を修正する工程と、
前記配線基板に表示素子を形成する工程と
を含み、
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡を含む短絡包含領域に、パルス幅が10ピコ秒以下のレーザ光を照射し、前記短絡包含領域内の前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜を除去する
表示装置の製造方法。 - 前記層間短絡を修正する工程において、前記短絡包含領域内の前記上層の導電膜、前記絶縁膜および前記下層の導電膜を除去する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさに応じてレーザ光の照射方法を異ならせる
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさが閾値以下であるか前記閾値よりも大きいかを判別し、前記層間短絡の大きさが前記閾値以下の場合は前記短絡包含領域にレーザ光を照射し、前記層間短絡の大きさが前記閾値よりも大きい場合は前記層間短絡の周囲を囲む枠領域にレーザ光を照射する
請求項3記載の表示装置の製造方法。 - 前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記層間短絡を修正する工程において、前記キャパシタに生じている層間短絡を修正する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記走査配線と前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項6記載の表示装置の製造方法。 - 前記レーザ光の1パルスあたりのエネルギー密度が0.03J/cm2 以上0.5J/cm2 以下である
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記レーザ光を静止させて照射する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記レーザ光を走査させて照射する
請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板と、前記配線基板に形成された表示素子とを備え、
前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記キャパシタは、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
表示装置。 - 前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記走査配線と前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項11記載の表示装置。 - 前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項12記載の表示装置。 - 前記キャパシタは、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡と、
前記層間短絡の周囲を囲むと共に、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された溝と
を有する請求項11記載の表示装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178341A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光デバイスの作製方法及び発光デバイスの作製装置 |
JP2014063786A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ゲッタリング層形成方法 |
KR20160021353A (ko) * | 2014-08-14 | 2016-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101711191B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20130046847A (ko) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 표시기판의 수리 방법 |
CN206711895U (zh) * | 2017-06-02 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置 |
CN209912874U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-01-07 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板、显示装置 |
CN110854127A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
CN112530349A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-19 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 显示面板像素修复光路系统和显示面板像素修复方法 |
WO2023283768A1 (zh) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138449A (ja) * | 1997-01-31 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2007102223A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置の修理装置及び修理方法 |
JP2007281376A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sony Corp | 配線基板の製造方法、ディスプレイ装置の製造方法、及び配線基板の製造装置 |
JP2008110401A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 |
JP2008112954A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 |
JP2008122810A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sony Corp | Tft基板、表示装置、tft基板の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5648296A (en) * | 1994-07-27 | 1997-07-15 | General Electric Company | Post-fabrication repair method for thin film imager devices |
JP3631364B2 (ja) * | 1998-02-10 | 2005-03-23 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP3406222B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3840010B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2006-11-01 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイの製造方法 |
KR100628680B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
JP4001712B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2007-10-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の欠陥修復方法 |
KR100382456B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2003-05-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법 |
CN100374941C (zh) * | 2003-04-07 | 2008-03-12 | 友达光电股份有限公司 | 画素结构 |
US7221413B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-05-22 | Au Optronics Corporation | Thin film transistor array substrate and repairing method thereof |
EP2246836A1 (en) * | 2004-12-16 | 2010-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active Matrix Substrate, Method For Fabricating Active Matrix Substrate, Display Device, Liquid Cyrstal Display Device, And Television Device |
CN1822385B (zh) * | 2005-01-31 | 2013-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及含有其的电子设备 |
US7265386B2 (en) * | 2005-08-29 | 2007-09-04 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Thin film transistor array substrate and method for repairing the same |
KR101252087B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
CN201004141Y (zh) * | 2006-09-29 | 2008-01-09 | 上海广电光电子有限公司 | 具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板 |
JP5282372B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
-
2009
- 2009-02-10 JP JP2009028330A patent/JP2010185928A/ja active Pending
- 2009-12-30 TW TW098145876A patent/TW201034183A/zh unknown
-
2010
- 2010-02-02 CN CN201010104368A patent/CN101800195A/zh active Pending
- 2010-02-03 US US12/699,413 patent/US20100201658A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138449A (ja) * | 1997-01-31 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2007102223A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置の修理装置及び修理方法 |
JP2007281376A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sony Corp | 配線基板の製造方法、ディスプレイ装置の製造方法、及び配線基板の製造装置 |
JP2008110401A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 |
JP2008112954A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-05-15 | Sony Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 |
JP2008122810A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sony Corp | Tft基板、表示装置、tft基板の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178341A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光デバイスの作製方法及び発光デバイスの作製装置 |
JP2014063786A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ゲッタリング層形成方法 |
KR20160021353A (ko) * | 2014-08-14 | 2016-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 |
KR102183530B1 (ko) | 2014-08-14 | 2020-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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