CN201004141Y - 具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板 - Google Patents

具有修复结构的液晶显示用tft阵列基板 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板,包括薄膜晶体管,多条与栅电极连接的横向扫描信号线,多条与源电极连接、与扫描信号线垂直、绝缘交叉的驱动信号线,多条与像素电极形成存储电容、与扫描信号线平行并处于同一层的横向储存电容公共线,其中在交叉区域的扫描信号线、驱动信号线或存储电容公共线具有分线结构,分线间隙填充有绝缘材料;在交叉处发生短路时,只要用激光切割的方法就可以进行简单修复,有效的解决了交叉点短路引起的线缺陷问题。

Description

具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板
技术领域
本实用新型涉及一种TFT阵列基板,特别是涉及一种具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是利用夹在液晶分子上电场强度的变化,改变液晶分子的取向控制透光的强弱来显示图像。一般来讲,一块完整的液晶显示面板必须有背光模块、偏光片、TFT(薄膜晶体管)下基板和CF(彩色滤光板)上基板以及由两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极,像素电极上的电压大小及通断由与横向扫描信号线相连接的栅极、与纵向驱动信号线连接的源极信号控制。CF上基板上的ITO公共电极与下基板上的ITO像素电极之间的电场强度变化调制着液晶分子的取向。TFT基板上与扫描信号线平行并处于同一层的存储电容公共线和ITO像素电极之间形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。
在TFT基板的制造过程中,工艺上的任何稍微偏差都可能对显示面板造成缺陷,或者是导线的断路、短路、或者是像素电极上的污染,影响液晶显示的画面质量,图1所示即为存储电容公共线、扫描信号线与驱动信号线交叉区域41和42发生短路示意图,因此,液晶面板出厂前都会考虑对缺陷进行修复,以降低生产成本。
大多数TFT基板缺陷均能通过激光切割和激光焊接相结合的方法得到有效修复,但是目前已公开的关于对扫描信号线或存储电容公共线与驱动信号线交叉点处的短路能够高效修复的方法还不是很多,一般常用的方法是利用激光将短路部分切断,然后用Laser CVD法沿原线生长修复线。图2所示为交叉点处发生短路后的传统修复方案示意图,横向扫描信号线14与纵向驱动信号线26在交叉位置出现短路缺陷50,利用激光在扫描信号线14两侧位置将驱动信号线26切断,在断开点112的附近位置将保护绝缘层利用激光打孔113,再利用Laser CVD法沿原线生长修复线111,这种情况下在极其有限的空间内很难保证生长修复线111的同时不会引起别的短路,而且,这种结构在成盒后修复也无能为力。
图3是US5852482专利中提出的对扫描信号线和驱动信号线交叉点处发生短路时进行修复的平面结构示意图,其存储电容为共栅极结构,栅极扫描线14和15与存储电容公共线16相连,直接沉积在玻璃基体上,下面的栅极扫描线14呈直线,而上面的栅极扫描线15向下凹进,12为栅极,信号线26与扫描线14垂直,两层之间有绝缘层SiNx隔开;源极22和与像素电极30连接的漏极24对称重叠沉积在栅极12两侧,分别对应为图示X2和X1标记位置,非晶Si和n+非晶Si层处于栅极和源、漏极之间;像素电极ITO层沉积在最上层,与源、漏极层之间由保护层绝缘。当栅极扫描线14与驱动信号线26在D处短路时,可从驱动信号线26两侧Z1和Z2位置处用激光断开,又不影响扫描信号的传输;若在E位置交叉处出现短路,则利用激光从Y1和Y2处断开,这时栅扫描信号尽管能从栅扫描线14通过到下一个像素电极,但是该薄膜晶体管由于缺少了栅极信号无法给其对应的像素电极施加信号,从而造成了显示缺陷,另外重复的线路布局占据了较大的像素区域面积,又影响了液晶显示面板的开口率。
尽管在影响液晶显示面板的画面质量当中,交叉点位置的短路只是其缺陷的一个方面,但到目前对其修复采用的方法,或者工序繁杂,修复效率和质量都有待提高,或者线路设计复杂,影响开口率,无法满足生产要求。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种无需在扫描信号线、存储电容公共线沉积中准备修复线、在其交叉点发生短路时,仅用激光切割就能简单修复的TFT阵列基板。
本实用新型是这样实现的:具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板包括薄膜晶体管,多条与栅电极连接的横向扫描信号线,多条与源电极连接、与扫描信号线垂直、绝缘交叉的驱动信号线,多条与像素电极形成存储电容、与扫描信号线平行并处于同一层的横向储存电容公共线,其中在交叉区域的扫描信号线、驱动信号线或存储电容公共线具有分线结构,分线间隙填充有绝缘材料。
所述分线结构可以设置成条状或是圆弧状。
所述的绝缘材料可以为SiO2或SiNx。
基于上述构思,本实用新型的具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板由于在交叉区域的扫描信号线、驱动信号线或存储电容公共线设置有条状或圆弧状的分线结构,在交叉处发生短路时,只要用激光切割的方法就可以进行简单修复,无需增加任何工艺步骤,也无需在扫描信号线、存储公共线沉积中准备修复线,而且,在成盒之后也能从LCD的背面简单地进行修复,从而使交叉点短路引起的线缺陷问题得到有效的解决,在不影响显示像素开口率的情况下,改善画面显示质量。
附图说明
图1是本实用新型交叉点发生短路示意图;
图2是本实用新型交叉点发生短路后的传统修复方案示意图;
图3是现有技术中对交叉点发生短路进行修复的线路结构示意图;
图4是本实用新型实施例一中的驱动信号线在交叉区域的结构示意图;
图5是图4的驱动信号线分线扩张后与存储电容公共线重叠示意图;
图6是本实用新型实施例二的扫描信号线在交叉区域的结构示意图;
图7是本实用新型实施例三在交叉区域的结构示意图;
图8是本实用新型成盒后交叉点发生短路时的修复剖面示意图。
图中:
12.栅极             14.扫描信号线(栅极扫描线)
15.栅极扫描线       16.存储电容公共线(Cs公共线)
20.TFT(薄膜晶体管)  22.源极                         24.漏极
25.存储电容         26.驱动信号线
30.像素电极(ITO)    31.绝缘层                       32.绝缘保护层
33.液晶分子层       34.彩色滤光板(CF)
41.交叉区域         42.交叉区域
50.短路缺陷
111.修复线    112.断开点    113.激光孔
301.玻璃基板
444.重叠区域
具体实施方式
下面结合附图及典型实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例一
图4是对驱动信号线在交叉区域的分线结构示意图。
参照图1、图3和图4,具有修复结构的液晶显示用TFT阵列基板包括薄膜晶体管20,多条与栅极12连接的横向扫描信号线14,多条与源极22连接、与扫描信号线14垂直、绝缘交叉的纵向驱动信号线26,多条与像素电极30形成存储电容25的横向Cs公共线16,其中驱动信号线26在与扫描信号线14、Cs公共线16的交叉区域41和42设计了两条分线,两条分线中间留有一定的间隙,间隙的大小以确保不会发生短路且激光切割时能够分辨,第二金属层横向驱动信号线26和第一金属层扫描信号线14的交叉以及两条分线之间的间隙都有绝缘层隔开,当杂质离子或缺陷50使驱动信号线26和扫描信号线14或Cs公共线发生短路时,则可以利用激光将该段驱动信号线26从分线两端与其余部分断开,但又不影响驱动信号的传输,也不影响显示像素的开口率,如虚线框的I区;当分线过细而使激光不能分辨时,可以将分线向外扩张。
实施例二
图5是实施例一中的驱动信号线分线扩张后与存储电容公共线的重叠示意图,图6是扫描信号线在与驱动信号线交叉点处的结构示意图。
实施例一中当分线过细而使激光不能分辨而将分线向外扩张时,引起的一个可能问题是如图1所示的交叉区域41和42的驱动信号线26横向变宽,使其与Cs公共线16或ITO像素电极30重叠,如图5的重叠区域444所示,给后面的激光切割造成困难,此时,参照图6对扫描信号线14或Cs公共线16在和驱动信号线26交叉的地方设计两条分线,上下两个金属层以及两条分线间隙之间有绝缘层隔开,如果这两个交叉区域41和42的任何一个区域发生短路,都可以利用与上述同样的方法进行修复。
图8所示为在成盒后对扫描信号线与驱动信号线交叉点发生短路时进行背面激光修复的剖面示意图。
参照图8,34为彩色滤光板,33为液晶分子层,一束激光从液晶盒背面直接透过玻璃基体301切断被缺陷50短路的扫描信号线14,而对绝缘层31、驱动信号线26、绝缘保护层32不产生任何影响,这种结构的TFT基板相比实施例一中的分线结构更方便进行背面激光修复,因为第一层金属层扫描信号线14及存储电容公共线16直接生长在绝缘玻璃基体301上,不受遮挡,修复起来简单方便,能够提高液晶显示的质量及生产效率。
实施例三
图7所示为信号扫描线与驱动信号线交叉区域的圆弧状分线结构示意图。
参照图7,在横向扫描信号线14或Cs公共线16与驱动信号线的交叉区域41或42设置有圆弧状分线结构,交叉区域和内弧填充有绝缘材料以防止短路,当驱动信号线26与信号扫描线14或Cs公共线16在交叉区域的BB′分线出现短路缺陷50时,可以利用激光从背面或正面熔断BB′分线的缺陷50两端进行修复,而不影响信号的传输。圆弧状结构减少了横向扫描分线14或存储电容公共分线16与纵向信号线交叉区域占据的面积,在不影响交叉区域短路修复效率及质量的情况下提高了显示像素的开口率,从而提高了液晶显示面板的画面显示质量。
上述对TFT基板上线交叉点短路修复的方法同样体现在对纵向圆弧状驱动信号线与横向扫描信号线或存储电容公共线交叉点短路修复的情况。
本实用新型上述实施例所给出的液晶显示TFT基板上横向扫描线或存储电容公共线与纵向信号线交叉点短路修复结构,在不需要对传统的LCD TFT制造工艺进行改变的情况下,只是将交叉点处改成双条状或圆弧状分线结构,就可以对交叉点处的短路进行修复,能够有效的提高液晶显示TFT面板的修复效率,改善画面显示质量。

Claims (4)

1.一种具有修复结构的液晶显示用TFT基板,包括:
薄膜晶体管;
多条与栅电极连接的横向扫描信号线;
多条与源电极连接、与扫描信号线垂直、绝缘交叉的驱动信号线;
多条与像素电极形成存储电容、与扫描信号线平行并处于同一层的横向储存电容公共线;
其特征在于在交叉区域的扫描信号线、驱动信号线或存储电容公共线具有分线结构,分线间隙填充有绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的液晶显示用TFT基板,其特征在于所述的分线结构为条状。
3.根据权利要求1所述的液晶显示用TFT基板,其特征在于所述的分线结构为圆弧状。
4.根据权利要求1所述的液晶显示用TFT基板,其特征在于所述的绝缘材料为SiO2或SiNx。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800195A (zh) * 2009-02-10 2010-08-11 索尼公司 显示器件的制造方法和显示器件
CN104503175A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
CN105140151A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法
CN108287442A (zh) * 2018-02-06 2018-07-17 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板的修复方法和阵列基板
WO2019037293A1 (zh) * 2017-08-25 2019-02-28 惠科股份有限公司 一种有源矩阵衬底的修正方法及显示装置的制造方法
US11378856B2 (en) 2020-11-27 2022-07-05 Fuzhou Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for maintaining display panel, display substrate, and display device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800195A (zh) * 2009-02-10 2010-08-11 索尼公司 显示器件的制造方法和显示器件
CN104503175A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
WO2016101307A1 (zh) * 2014-12-24 2016-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
CN104503175B (zh) * 2014-12-24 2017-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种具有数据线自修复功能的阵列基板及液晶显示装置
CN105140151A (zh) * 2015-09-24 2015-12-09 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种修复tft面板阵列t形缺陷的测试结构及方法
WO2019037293A1 (zh) * 2017-08-25 2019-02-28 惠科股份有限公司 一种有源矩阵衬底的修正方法及显示装置的制造方法
CN108287442A (zh) * 2018-02-06 2018-07-17 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板的修复方法和阵列基板
WO2019153736A1 (zh) * 2018-02-06 2019-08-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的修复方法和阵列基板
CN108287442B (zh) * 2018-02-06 2021-11-16 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板的修复方法和阵列基板
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