CN108287442A - 阵列基板的修复方法和阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板的修复方法和阵列基板，属于显示设备领域。该阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线，栅线和数据线限定出多个像素区域，每个像素区域内均设置有像素电极，每个像素电极分别通过薄膜晶体管与数据线连接，当问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与第一薄膜晶体管断开连接，当问题信号线为具有断点的数据线时，将第一薄膜晶体管所连接的栅线与第一薄膜晶体管断开，栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接第一部分和第一像素电极，使问题信号线通过第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，通过修复线将第一像素电极和第二部分连接，使第一部分与第二部分导通，提高了显示面板的良率。

Description

阵列基板的修复方法和阵列基板
技术领域
本发明涉及显示设备领域，特别涉及一种阵列基板的修复方法和阵列基板。
背景技术
液晶显示面板具有功耗低、无辐射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。
液晶显示面板通常包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线、公共电极以及以矩阵方式排列的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和像素电极，通过控制像素电极与公共电极之间的电压差使液晶分子偏转，液晶分子偏转的角度不同使透过的光线不同，从而产生不同的灰度，实现所需画面的显示。
在这种阵列基板中，TFT上没有设置栅极来连接TFT和栅线，而是直接将栅线与多个TFT连接，以栅线的一部分作为栅极，栅线在衬底基板上的正投影和TFT在平行于衬底基板的方向上的位于源极和漏极之间的有源层在衬底基板上的正投影重叠。当栅线中输入电压信号时，TFT的源极和漏极导通，每一根数据线都与一列TFT的源极连接，以在TFT的源极和漏极导通时向像素电极输入信号。若栅线出现断裂，则可能使沿该栅线排列的多个像素甚至整行的像素都无法正常显示，若数据线出现断裂，则可能使沿该数据线排列的多个像素甚至整列的像素都无法正常显示，从而降低显示面板的良率。
发明内容
为了解决栅线或数据线断裂引起的良率降低的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的修复方法和阵列基板。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线，所述多根栅线和所述多根数据线限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设置有像素电极，每个所述像素电极分别通过薄膜晶体管与所述数据线连接，所述多根栅线和所述多根公共电极线相互平行且交替间隔设置，所述薄膜晶体管的有源层在平行于衬底基板的方向上位于源极和漏极之间的部分在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影外，所述阵列基板包括至少一根问题信号线，所述问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线，所述问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分，所述修复方法包括：
当所述问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管断开连接，当所述问题信号线为具有断点的数据线时，将所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管断开连接，所述第一薄膜晶体管为与所述第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管；
通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，所述第一像素电极为与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极；
截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，所述修复线的部分区域与所述第一像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠；
通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接。
可选地，所述栅线上设置有镂空开口，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述镂空开口在所述衬底基板上的正投影中。
可选地，所述当所述问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管断开连接，包括：
切断所述第一薄膜晶体管的源极与数据线的连接。
可选地，所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
焊接所述第一部分和所述第一薄膜晶体管的漏极。
可选地，所述修复线的部分区域还与第二像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠，所述第二像素电极与第二薄膜晶体管连接，所述第二薄膜晶体管为与所述第二部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，
所述通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接，包括：
切断所述第二薄膜晶体管的源极与数据线的连接；
焊接所述第二部分和所述第二薄膜晶体管的漏极；
将所述第一像素电极和所述第二像素电极分别与所述修复线焊接。
可选地，所述截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，包括：
从所述第一像素电极和所述第二像素电极与数据线之间的间隙处切断所述公共电极线。
可选地，所述当所述问题信号线为具有断点的数据线时，将所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管断开连接，包括：
切割所述第一薄膜晶体管所连接的栅线，以形成栅线主体和与所述栅线主体分离的补片，所述补片与所述第一薄膜晶体管连接，所述第一薄膜晶体管与所述栅线主体分离，在数据线延伸的方向上，所述补片的尺寸小于所述栅线的尺寸。
可选地，所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
将所述补片分别与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极焊接。
可选地，所述第一部分在衬底基板上的正投影位于所述镂空开口在衬底基板上的正投影中，所述补片在衬底基板上的正投影与所述第一部分在衬底基板上的正投影部分重叠，
所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
将所述补片与所述第一薄膜晶体管的漏极焊接；
将所述第一薄膜晶体管的源极和所述第一部分中的至少一个与所述补片焊接。
可选地，所述修复线的部分区域还与所述第二部分在衬底基板上的正投影的部分区域重叠，
所述通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接，包括：
将所述第一像素电极和所述第二部分分别与所述修复线焊接。
可选地，所述截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，包括：
从所述第一像素电极与数据线之间的间隙处和所述第二部分与像素电极之间的间隙处切断所述公共电极线。
可选地，所述阵列基板还包括与像素电极一一对应设置的公共电极，每个所述公共电极分别与公共电极线连接，沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述公共电极通过导电桥连接，所述修复方法还包括：
切断在所述衬底基板上的正投影与所述修复线部分重叠的像素电极对应的公共电极的导电桥。
另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线，所述多根栅线和所述多根数据线限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设置有像素电极，每个所述像素电极分别通过薄膜晶体管与所述数据线连接，所述多根栅线和所述多根公共电极线相互平行且交替间隔设置，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层在平行于衬底基板的方向上位于源极和漏极之间的部分在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影外，
所述阵列基板具有至少一根问题信号线，所述问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线，所述问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分，
所述第一部分和第一像素电极通过所述栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接，所述第一薄膜晶体管为与所述第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，所述第一像素电极为与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极，当所述问题信号线为具有断点的栅线时，所述第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管的连接断开，当所述问题信号线为具有断点的数据线时，所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管的连接断开，
所述第一像素电极和所述第二部分之间通过修复线连接，所述修复线由截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段形成，所述修复线的部分区域与所述第一像素电极在衬底基板上的正投影重叠。
可选地，所述问题信号线为具有断点的栅线，所述修复线的部分区域还与第二像素电极在衬底基板上的正投影重叠，所述第二像素电极与第二薄膜晶体管连接，所述第二薄膜晶体管为与所述第二部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，所述修复线的两端分别与第一像素电极和第二像素电极连接。
可选地，所述问题信号线为具有断点的数据线，所述第一薄膜晶体管所连接的栅线被切割为补片和栅线主体，所述补片与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极连接，所述第一薄膜晶体管与所述栅线主体相互分离。
可选地，所述阵列基板还包括与像素电极一一对应设置的公共电极，每个所述公共电极分别与公共电极线连接，沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述公共电极之间连接有导电桥，在所述衬底基板上的正投影与所述修复线部分重叠的像素电极对应的公共电极的导电桥断开。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过当问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与第一薄膜晶体管断开连接，当问题信号线为具有断点的数据线时，将第一薄膜晶体管所连接的栅线与第一薄膜晶体管断开连接，使第一薄膜晶体管只与问题信号线和第一像素电极保持连接，通过栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接第一部分和第一像素电极，使问题信号线可以通过第一薄膜晶体管与第一像素电极保持连接，通过从公共电极线上切割出一段修复线，并通过修复线将第一像素电极和第二部分连接，从而使问题信号线的第一部分可以通过第一薄膜晶体管、第一像素电极、修复线与第二部分导通。减少由于问题信号线断裂而无法正常显示的像素区域的数量，提高了显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种完好的阵列基板的局部结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种完好的阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种完好的阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的修复方法的流程图；
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的修复方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的修复方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图11是图1中的A-A截面图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种完好的阵列基板的局部结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括多根栅线11、多根数据线12和多根公共电极线13。
多根栅线11和多根数据线12限定出多个像素区域X，每个像素区域X内均设置有像素电极14，每个像素电极14分别通过薄膜晶体管15与数据线12连接，多根栅线11和多根公共电极线13相互平行且交替间隔设置。
薄膜晶体管15包括源极15a、漏极15b和有源层(图未示)，有源层在平行于衬底基板10的方向上位于源极15a和漏极15b之间的部分在衬底基板10上的正投影位于栅线11在衬底基板10上的正投影内，漏极15b在衬底基板10上的正投影与栅线11在衬底基板10上的正投影部分重叠，薄膜晶体管15与数据线12的连接处在衬底基板10上的正投影位于栅线11在衬底基板10上的正投影外。
图2是本发明实施例提供的另一种完好的阵列基板的结构示意图，图2所示的阵列基板与图1所示的阵列基板的结构基本相同，不同之处在于，图2所示的阵列基板中，栅线11上设置有镂空开口11a，薄膜晶体管15与数据线12的连接处在衬底基板上的正投影位于镂空开口11a在衬底基板10上的正投影中。
图3是本发明实施例提供的又一种完好的阵列基板的结构示意图，图3所示的阵列基板与图2所示的阵列基板的结构基本相同，不同之处在于，镂空开口11a的位置有所不同，在图3所示的阵列基板中，薄膜晶体管15与数据线12的连接处在衬底基板上的正投影位于镂空开口11a在衬底基板10上的正投影中，且数据线12上的一段区域在衬底基板10上的正投影也位于镂空开口11a在衬底基板10上的正投影中。
当图1～图3所示的阵列基板中，栅线11或数据线12产生断点时，可能会导致沿出现断点的栅线或数据线设置的像素区域无法正常发光，影响画面的正常显示。为此，本发明实施例提供了一种阵列基板的修复方法，如图4所示，该方法包括：
S11：当问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与第一薄膜晶体管断开连接；当问题信号线为具有断点的数据线时，将第一薄膜晶体管所连接的栅线与第一薄膜晶体管断开连接。
其中，阵列基板包括至少一根问题信号线，问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线，问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分，第一薄膜晶体管为与第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近断点的薄膜晶体管。
S12：通过栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接第一部分和第一像素电极。
其中，第一像素电极为与第一薄膜晶体管连接的像素电极。
S13：截取第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线。
其中，第一像素电极对应的公共电极线为，在衬底基板上的正投影与第一像素电极在衬底基板上的正投影部分重合的公共电极线。
修复线的部分区域与第一像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠。
S14：通过修复线将第一像素电极和第二部分连接。
下面结合不同的阵列基板的结构和不同的断点位置对本发明实施例提供的修复方法以及采用该修复方法后得到的阵列基板的结构，对本发明实施例进行详细描述。
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的修复方法的流程图，该方法用于在如图1～3所示的阵列基板出现栅线断裂的问题时进行断线修复。以图1所示的阵列基板为例，根据栅线上断裂位置的不同，修复后的结构分别如图6和图7所示，该方法包括：
S21：将第一薄膜晶体管所连接的数据线与第一薄膜晶体管断开连接。
具体地，可以采用激光切割方法，从衬底基板一侧将第一薄膜晶体管的源极切断，使第一薄膜晶体管与数据线断开连接。从衬底基板一侧进行切割，可以避免激光损伤阵列基板。形成的切割道如图6或图7中的Q1。通过激光切割后，第一薄膜晶体管151的源极与数据线12分离。
采用激光切割时，激光可以透过衬底基板10，将第一薄膜晶体管151的源极熔断，从而使第一薄膜晶体管151的源极与数据线12断开连接。
S22：焊接第一部分和第一薄膜晶体管的漏极。
采用激光焊接方法，从衬底基板10一侧通过栅线611与第一薄膜晶体管151的漏极的重叠区域焊接第一部分111和第一薄膜晶体管151的漏极，其中，重叠区域指的是栅线611和第一薄膜晶体管151的漏极在衬底基板10上的正投影相重叠的部分。形成的焊点如图6或图7中的H1。通过激光焊接后，栅线611的第一部分111与第一像素电极141可以通过第一薄膜晶体管151的漏极导通。
采用激光焊接时，激光可以透过衬底基板10，利用激光光束所产生的高温使第一部分111和第一薄膜晶体管151的漏极熔接，从而使第一部分111和第一薄膜晶体管151的漏极可以导通。
通过激光进行焊接和切割时，由于激光可以透过衬底基板10，因此即使阵列基板和彩膜基板已经对盒，也仍然可以对显示装置进行修复。
S23：在第一像素电极对应的公共电极线上形成沿公共电极线延伸方向相互间隔的两处切割道，形成修复线。
参照图6或图7，修复线131的部分区域与第一像素电极141在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，且修复线131的部分区域还与第二像素电极142在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，第二像素电极142与第二薄膜晶体管152连接，第二薄膜晶体管152为与第二部分112连接的薄膜晶体管中最靠近断点611a的薄膜晶体管。
在切割公共电极线613时，同样可以采用激光切割方法从衬底基板10一侧切割，以避免阵列基板受损。
可以从第一像素电极141和第二像素电极142与数据线12之间的间隙处切断公共电极线613。以避免在切割公共电极线613的过程中对阵列基板造成损坏。形成的切割道如图6或图7中的Q3和Q4。
S24：切断第二薄膜晶体管的源极与数据线的连接。
第二薄膜晶体管152的源极的切割方法与步骤S21中第一薄膜晶体管151的源极的切割方法相同。形成的切割道如图6或图7中的Q2，通过激光切割后，第二薄膜晶体管152的源极与数据线12分离。
S25：焊接第二部分和第二薄膜晶体管的漏极。
第二部分112和第二薄膜晶体管152的漏极的焊接方法与步骤S22中第一部分111与第一薄膜晶体管151的漏极的焊接方法相同。形成的焊点如图6或图7中的H2。通过激光焊接后，栅线611的第二部分112与第二像素电极142可以通过第二薄膜晶体管152的漏极导通。
S26：将第一像素电极和第二像素电极分别与修复线焊接。
具体地，可以采用激光焊接方法从衬底基板10一侧焊接修复线131和第一像素电极141、修复线131和第二像素电极142。从而使得栅线611的第一部分111依次通过第一薄膜晶体管151、第一像素电极141、修复线131、第二像素电极142和第二薄膜晶体管152与栅线611的第二部分112导通。形成的焊点如图6或图7中的H3和H4。通过激光焊接后，修复线131与第一像素电极141和第二像素电极142导通。
当问题信号线为栅线时，栅线上的断点通常出现在与该栅线连接，且相邻的两个薄膜晶体管之间，或者，断点出现在与薄膜晶体管的连接处。
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板为存在问题信号线的图1所示的阵列基板进行修复后的结构，以一根问题信号线为例，如图6所示，该问题信号线为具有断点611a的栅线611，该断点611a位于沿该栅线611排列的相邻的两个薄膜晶体管(如图6中的第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152)之间。
栅线611包括位于断点611a两侧的第一部分111和第二部分112，与第一部分111连接的薄膜晶体管中最靠近断点的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管151，与第一薄膜晶体管151连接的像素电极为第一像素电极141，与第二部分112连接的薄膜晶体管中最靠近断点的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管152，与第二薄膜晶体管152连接的像素电极为第二像素电极142。
第一薄膜晶体管151的源极与数据线12相互分离，第一部分111和第一像素电极141分别通过栅线611与第一薄膜晶体管151的漏极的重叠区域连接。
第二薄膜晶体管152的源极与第二数据线12相互分离，第二部分111和第二像素电极142分别通过栅线611与第二薄膜晶体管152的漏极的重叠区域连接。
如图6所示，第一像素电极141对应的公共电极线613在衬底基板10上的正投影的部分区域与第一像素电极141和第二像素电极142在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，第一像素电极141和第二部分112之间连接有修复线131，修复线131通过截断该公共电极线613获得。该修复线131的一部分区域与第一像素电极141在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，且修复线131的另一部分区域与第二像素电极142在衬底基板10上的正投影重叠，修复线131的两端分别与第一像素电极141和第二像素电极142连接。
修复之后，第一部分111可以通过第一薄膜晶体管151的漏极与第一像素电极141导通，第二部分112可以通过第二薄膜晶体管152的漏极与第二像素电极142导通，第一像素电极141和第二像素电极142之间则通过修复线131导通，使得该具有断点611a的栅线611可以恢复导通，沿该栅线611排列的除第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152之外的薄膜晶体管都可以正常工作，从而通过牺牲两个像素区域使其他的像素区域能够恢复正常，减少由于栅线611断裂而无法正常显示的像素区域的数量，提高了显示面板的良率。
图7是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板为存在问题信号线的图1所示的阵列基板进行修复后的结构，以1根问题信号线为例，如图7所示，该问题信号线为具有断点611a的栅线611，该断点611a位于栅线611与一个薄膜晶体管的连接处。
如图7所示，该栅线611的位于断点611a两侧的第一部分111和第二部分112也对应连接有第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152，第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152之间的第三薄膜晶体管153由于断点611a的存在而与栅线611断开连接。第三像素电极143位于第一像素电极141和第二像素电极142之间，第三薄膜晶体管153连接有第三像素电极143。
第一像素电极141对应的公共电极线613在衬底基板10上的正投影的部分区域与第一像素电极141、第二像素电极142和第三像素电极143在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，第一像素电极141和第二部分112之间连接有修复线131，修复线131通过截断公共电极线613获得。该修复线131的一部分区域与第一像素电极141、第二像素电极142和第三像素电极143在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，修复线131的两端分别与第一像素电极141和第二像素电极142连接。
修复之后，第一部分111可以通过第一薄膜晶体管151的漏极与第一像素电极141导通，第二部分112可以通过第二薄膜晶体管152的漏极与第二像素电极142导通，第一像素电极141和第二像素电极142之间则通过修复线131导通，使得该具有断点611a的栅线611可以恢复导通，沿栅线611排列的薄膜晶体管中，除第一薄膜晶体管151、第二薄膜晶体管152和第三薄膜晶体管153外，其他的薄膜晶体管都可以正常工作，从而只需要牺牲三个像素区域就可以使其他的像素区域恢复正常，减少由于栅线611断裂而无法正常显示的像素区域的数量，提高了显示面板的良率。
需要说明的是，对于图2和图3所示的阵列基板，在栅线上出现断点时，也可以采用如图6或图7所示的阵列基板中的形式进行修复。
图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的修复方法的流程图，该方法用于在如图2所示的阵列基板出现数据线断裂的问题时进行断线修复。修复后的结构如图9所示，该方法包括：
S31：切割第一薄膜晶体管所连接的栅线，以形成栅线主体和与栅线主体分离的补片。
切割后，形成有栅线主体911和补片113。补片113与第一薄膜晶体管151连接，第一薄膜晶体管151与栅线主体911分离，在数据线912延伸的方向上，补片的尺寸小于栅线11的尺寸，以确保在形成补片113后栅线11没有被切断。
具体地，可以采用激光切割方法，从衬底基板10一侧进行切割，以免激光损伤阵列基板。形成的切割道如图9中的Q5和Q6。
S32：将补片分别与第一薄膜晶体管的源极和漏极焊接。
采用激光焊接方法，从衬底基板10一侧焊接补片113和第一薄膜晶体管151的漏极，焊接补片113和第一薄膜晶体管151的源极。形成的焊点如图9中的H5和H6。
S33：在第一像素电极对应的公共电极线上形成沿公共电极线延伸方向相互间隔的两处切割道，形成修复线。
步骤S33中对公共电极线的切割方法与步骤S23中的切割方法基本相同。区别仅仅在于切割的位置不同。
参照图9，修复线131的部分区域与第一像素电极141在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，且修复线131的部分区域还与数据线912的第二部分122在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠。
在切割公共电极线913时，可以从第一像素电极141与数据线之间的间隙处和数据线912的第二部分122与像素电极之间的间隙处切断公共电极线913。以避免在切割公共电极线913的过程中对阵列基板造成损坏。形成的切割道如图9中的Q7和Q8。
S34：将第一像素电极和第二部分分别与修复线焊接。
具体地，可以采用激光焊接方法从衬底基板10一侧焊接修复线131和第一像素电极141、修复线131和数据线912的第二部分122。从而使得数据线912的第一部分121依次通过第一薄膜晶体管151、第一像素电极141和修复线131与数据线912的第二部分122导通。形成的焊点如图9中的H7和H8。
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板为存在问题信号线的图2所示的阵列基板进行修复后的结构，以一根问题信号线为例，如图9所示，该问题信号线为具有断点912a的数据线912。数据线912包括位于断点912a两侧的第一部分121和第二部分122，与第一部分121连接的薄膜晶体管中最靠近断点的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管151，第一部分121和第一像素电极151通过栅线911与第一薄膜晶体管151的漏极15b的重叠区域连接，第一像素电极141为与第一薄膜晶体管151连接的像素电极。
如图9所示，被切割的栅线包括栅线主体911和与栅线主体911分离的补片113，第一薄膜晶体管151与栅线主体911相互分离，补片113与第一薄膜晶体管151的源极15a和漏极15b连接。在数据线912延伸的方向上，补片113的尺寸小于栅线的尺寸，补片113通过切割栅线制成，通过从栅线上切割下一块补片113连接数据线912和第一薄膜晶体管151的漏极15b，使数据线912的第一部分121可以与第一像素电极141导通。
如图9所示，第一像素电极141对应的公共电极线913在衬底基板10上的正投影的部分区域与第一像素电极141和数据线912的第二部分在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，第一像素电极141和数据线912的第二部分122之间连接有修复线131，修复线131通过截断该公共电极线913获得。该修复线131的一部分区域与第一像素电极141和数据线912的第二部分122在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠，修复线131的两端分别与第一像素电极141和数据线912的第二部分122连接。由于在数据线912延伸的方向上，补片113的尺寸小于栅线的尺寸，栅线主体911并没有被切断，栅线主体911仍然可以正常导通，从而只牺牲了第一像素电极141所在的像素区域，使其他的像素区域恢复正常，减少由于数据线912断裂而无法正常显示的像素区域的数量，提高了显示面板的良率。
本发明实施例还提供了另一种阵列基板的修复方法，该方法用于在如图3所示的阵列基板出现数据线断裂的问题时进行断线修复。修复后的结构如图10所示，该方法与图8所示的修复方法基本相同，在本方法中，在焊接补片113时，采用以下方式：
将补片与第一薄膜晶体管的漏极焊接。形成的焊点如图10中的H6。
将第一薄膜晶体管的源极和第一部分分别与补片焊接。形成的焊点如图10中的H5和H9。
如图10所示，补片113在衬底基板10上的正投影的部分区域与数据线912在衬底基板10上的正投影的部分区域重叠。补片113与数据线912相连接，本实施例中，第一薄膜晶体管151的源极和数据线912的第一部分121分别与补片113焊接，使得数据线912的第一部分121可以通过两条路径与第一像素电极141导通，有利于降低电阻。该修复方法中，补片113与栅线主体911之间的切割道如图10中的Q9和Q10，图10中的切割道Q9与图9中的切割道Q5的区别在于，在平行于衬底基板10的方向上，切割道Q9位于具有断点912a的数据线912远离第一触控电极141的一侧。
在其他实施例中，也可以只将第一薄膜晶体管151的源极和数据线912的第一部分121中的一个与补片113焊接，即只形成焊点H5和焊点H9中的一个。在只将数据线912的第一部分121与补片113焊接时，还可以切断第一薄膜晶体管151的源极和数据线912的连接。
图1～3所示的阵列基板还包括与像素电极一一对应设置的公共电极，以图1所示阵列基板为例，图11是图1中的A-A截面图，如图11所示，每个公共电极16分别与公共电极线13连接，沿数据线12的延伸方向排列的多个公共电极16通过导电桥17连接，在衬底基板10上的正投影与修复线131部分重叠的像素电极对应的公共电极16的导电桥17断开。如图11所示，导电桥17可以包括与公共电极16连接的过孔171和连接沿数据线12的延伸方向排列的相邻的两个公共电极16的过孔171的导电介质层172。这样同一行公共电极16(沿同一公共电极线排列的公共电极)之间可以通过公共电极线13导通，相邻行的公共电极16之间则可以通过导电桥17导通。
在修复栅线时，对于断点位于相邻的两个像素电极之间的阵列基板(如图6所示的阵列基板)，还需要将与第一像素电极对应设置的公共电极和与第二像素电极对应设置的公共电极上用于连接相邻行的公共电极的导电桥切断。对于断点位于栅线与薄膜晶体管的连接处的阵列基板(如图7所示的阵列基板)，则还需要将与第三像素电极对应设置的公共电极上用于连接相邻行的公共电极的导电桥切断，以避免修复线通过公共电极与其他行的公共电极导通，确保阵列基板可以正常导通。对于断点位于数据线上的阵列基板(如图9和10所示的阵列基板)，修复时需要将与第一像素电极对应设置的公共电极上用于连接相邻行的公共电极的导电桥切断。这样使得修复线可以与其他像素区域的公共电极断开连接，在切割公共电极线13形成修复线之后，沿被切割的公共电极线13排列的公共电极还是可以正常工作，确保阵列基板可以正常导通。具体可以如图11所示，在导电介质层172上形成切割道17a以将导电桥17切断，该切割道17a在衬底基板10上的正投影位于公共电极16和相邻的栅极11之间的间隙处。
通过切断第一薄膜晶体管与问题信号线之外的栅线或数据线的连接，使第一薄膜晶体管只与问题信号线和第一像素电极保持连接，通过栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接第一部分和第一像素电极，使问题信号线可以通过第一薄膜晶体管与第一像素电极保持连接，通过从公共电极线上切割出一段修复线，并通过修复线将第一像素电极和第二部分连接，从而使第一部分可以通过第一薄膜晶体管、第一像素电极、修复线与第二部分导通。减少由于问题信号线断裂而无法正常显示的像素区域的数量，提高了显示面板的良率。
需要说明的是，图1～3、6、7、9～11均为阵列基板的局部结构示意图，且并不用以限制实际的尺寸。
需要说明的是，在图4、5、8所示的多种修复方法中，各焊点和切割道的形成并无先后顺序，即各个步骤并无先后顺序。在实际修复时，可以先进行所有的切割操作，再进行所有的焊接操作，或者也可以先进行所有的焊接操作，再进行所有的切割操作，可以方便操作。此外，本发明实施例所提供的修复方法可以适用于阵列基板和彩膜基板已经对盒后的修复。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线，所述多根栅线和所述多根数据线限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设置有像素电极，每个所述像素电极分别通过薄膜晶体管与所述数据线连接，所述多根栅线和所述多根公共电极线相互平行且交替间隔设置，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层在平行于衬底基板的方向上位于源极和漏极之间的部分在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影外，所述阵列基板包括至少一根问题信号线，所述问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线，所述问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分，所述修复方法包括：
当所述问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管断开连接，当所述问题信号线为具有断点的数据线时，将所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管断开连接，所述第一薄膜晶体管为与所述第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管；
通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，所述第一像素电极为与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极；
截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，所述修复线的部分区域与所述第一像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠；
通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接。
2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述栅线上设置有镂空开口，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述镂空开口在所述衬底基板上的正投影中。
3.根据权利要求1或2所述的修复方法，其特征在于，所述当所述问题信号线为具有断点的栅线时，将第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管断开连接，包括：
切断所述第一薄膜晶体管的源极与数据线的连接。
4.根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
焊接所述第一部分和所述第一薄膜晶体管的漏极。
5.根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，所述修复线的部分区域还与第二像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠，所述第二像素电极与第二薄膜晶体管连接，所述第二薄膜晶体管为与所述第二部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，
所述通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接，包括：
切断所述第二薄膜晶体管的源极与数据线的连接；
焊接所述第二部分和所述第二薄膜晶体管的漏极；
将所述第一像素电极和所述第二像素电极分别与所述修复线焊接。
6.根据权利要求5所述的修复方法，其特征在于，所述截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，包括：
从所述第一像素电极和所述第二像素电极与数据线之间的间隙处切断所述公共电极线。
7.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，所述当所述问题信号线为具有断点的数据线时，将所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管断开连接，包括：
切割所述第一薄膜晶体管所连接的栅线，以形成栅线主体和与所述栅线主体分离的补片，所述补片与所述第一薄膜晶体管连接，所述第一薄膜晶体管与所述栅线主体分离，在数据线延伸的方向上，所述补片的尺寸小于所述栅线的尺寸。
8.根据权利要求7所述的修复方法，其特征在于，所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
将所述补片分别与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极焊接。
9.根据权利要求7所述的修复方法，其特征在于，所述第一部分在衬底基板上的正投影位于所述镂空开口在衬底基板上的正投影中，所述补片在衬底基板上的正投影与所述第一部分在衬底基板上的正投影部分重叠，
所述通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极，包括：
将所述补片与所述第一薄膜晶体管的漏极焊接；
将所述第一薄膜晶体管的源极和所述第一部分中的至少一个与所述补片焊接。
10.根据权利要求7所述的修复方法，其特征在于，所述修复线的部分区域还与所述第二部分在衬底基板上的正投影的部分区域重叠，
所述通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接，包括：
将所述第一像素电极和所述第二部分分别与所述修复线焊接。
11.根据权利要求10所述的修复方法，其特征在于，所述截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线，包括：
从所述第一像素电极与数据线之间的间隙处和所述第二部分与像素电极之间的间隙处切断所述公共电极线。
12.根据权利要求1或2所述的修复方法，其特征在于，所述阵列基板还包括与像素电极一一对应设置的公共电极，每个所述公共电极分别与公共电极线连接，沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述公共电极通过导电桥连接，所述修复方法还包括：
切断在所述衬底基板上的正投影与所述修复线部分重叠的像素电极对应的公共电极的导电桥。
13.一种阵列基板，所述阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线，所述多根栅线和所述多根数据线限定出多个像素区域，每个所述像素区域内均设置有像素电极，每个所述像素电极分别通过薄膜晶体管与所述数据线连接，所述多根栅线和所述多根公共电极线相互平行且交替间隔设置，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层在平行于衬底基板的方向上位于源极和漏极之间的部分在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内，所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影外，
所述阵列基板具有至少一根问题信号线，所述问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线，所述问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分，
所述第一部分和第一像素电极通过所述栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接，所述第一薄膜晶体管为与所述第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，所述第一像素电极为与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极，当所述问题信号线为具有断点的栅线时，所述第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管的连接断开，当所述问题信号线为具有断点的数据线时，所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管的连接断开，
所述第一像素电极和所述第二部分之间通过修复线连接，所述修复线由截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段形成，所述修复线的部分区域与所述第一像素电极在衬底基板上的正投影重叠。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述问题信号线为具有断点的栅线，所述修复线的部分区域还与第二像素电极在衬底基板上的正投影重叠，所述第二像素电极与第二薄膜晶体管连接，所述第二薄膜晶体管为与所述第二部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管，所述修复线的两端分别与第一像素电极和第二像素电极连接。
15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述问题信号线为具有断点的数据线，所述第一薄膜晶体管所连接的栅线被切割为补片和栅线主体，所述补片与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极连接，所述第一薄膜晶体管与所述栅线主体相互分离。
16.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与像素电极一一对应设置的公共电极，每个所述公共电极分别与公共电极线连接，沿所述数据线的延伸方向排列的多个所述公共电极之间连接有导电桥，在所述衬底基板上的正投影与所述修复线部分重叠的像素电极对应的公共电极的导电桥断开。
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