CN103034008B - 液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法，属于显示技术领域。解决了现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良的技术问题。该防静电结构，包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；若干尖端放电结构和外部导线同层设置于阵列基板中；若干尖端放电结构位于阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且通过绝缘层隔开；外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；内部导线一端在切割线与封框胶之间通过过孔与外部导线电位于切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。本发明应用于保护连接线。

Description

液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD）已在平板显示领域中占据了主导地位。在LCD的制造过程中，液晶面板对盒之后，需要对彩膜基板的边缘进行切割，切割时会产生静电释放（Electro-Static discharge，ESD）。

阵列基板边缘设置于呈扇形排列的连接线（fan-out），包括扫描连接线和数据连接线，彩膜基板切割完毕之后，阵列基板上的连接线将会裸露在外面。切割彩膜基板时产生的静电会对连接线造成损伤，导致断线等线不良（Line defect）的问题。因此，现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良。

发明内容

本发明实施例提供了一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法，解决了现有技术中，切割彩膜基板时产生的静电，容易导致阵列基板上的连接线发生线不良的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种液晶面板的防静电结构，包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；

所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中；

所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开，所述连接线为扫描线或者数据线；

所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；

所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间的部分通过过孔与所述外部导线电位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。

优选的，所述连接线为多条并排设置，所述若干尖端放电结构的位置对应于所述连接线的间隔处。

进一步，所述外部导线包括第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；其中，所述第一外部导线位于所述切割线与封框胶之间，所述第三外部导线位于所述切割线的外侧；

所述第一外部导线、所述第二外部导线、所述第三外部导线和所述第四外部导线首尾相接，形成封闭的回路。

优选的，所述内部导线的数量为两条，两条所述内部导线的一端分别通过过孔与所述第一外部导线的两端中的一端电连接，两条所述内部导线的另一端均与所述静电环电连接。

优选的，所述若干尖端放电结构和所述外部导线，与所述阵列基板的像素电极位于同一层。所述内部导线与所述阵列基板的扫描线或数据线位于同一层。

一种上述防静电结构的制造方法，包括：

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述内部导线的图形；具体可以为：通过构图工艺，在所述阵列基板上形成扫描线图形或数据线图形的同时，形成包括所述内部导线的图形。

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形；具体可以为：通过构图工艺，在所述阵列基板上形成像素电极图形的同时，形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形。

形成过孔图形，使所述外部导线和所述内部导线通过所述过孔电连接。

一种连接线的修复方法，所述连接线为多条并排设置于阵列基板上，所述连接线上方的对应区域设置有上述形成封闭回路的第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；

所述第一外部导线和所述第三外部导线的平面投影均与每条连接线交叉；

所述修复方法包括：

当某一条连接线断开时，在该连接线与所述第一外部导线的交叉处，以及该连接线与所述第三外部导线的交叉处，分别进行焊接。

进一步，还包括：在两个焊接处的同侧，切断所述第一外部导线和所述第三外部导线。

与现有技术相比，本发明所提供的上述技术方案具有如下优点：对彩膜基板的边缘进行切割时，位于连接线上方的尖端放电结构能够有效吸收切割过程产生的静电，保护其下方的连接线不受静电影响；尖端放电结构还能够将所吸收的电荷传输至外部导线，再通过过孔将电荷传输至内部导线，最终传输至阵列基板中的静电环，从而除去了切割产生的静电电荷。避免了切割彩膜基板时产生的静电，导致阵列基板上的连接线发生线不良的问题。

另外，如果出现连接线断线的情况，还可以利用激光将断线的两端分别与第一外部导线和第三外部导线焊接在一起，从而利用第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线形成的回路对断线进行修复。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例1所提供的防静电结构在液晶面板中的截面示意图；

图2为本发明的实施例1所提供的防静电结构的平面示意图；

图3为本发明的实施例2所提供的防静电结构的平面示意图；

图4为利用本发明的实施例2所提供的防静电结构修复断线的示意图；

图5为利用本发明的实施例2所提供的防静电结构修复断线的另一示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：

如图1和图2所示，本发明实施例所提供的一种液晶面板的防静电结构，包括若干尖端放电结构11、外部导线L1和内部导线L0；若干尖端放电结构11和外部导线L1同层设置于阵列基板1中；

若干尖端放电结构11位于阵列基板1边缘的连接线12上方的对应区域，且若干尖端放电结构11与连接线12之间通过绝缘层13隔开。本发明实施例中的连接线12为多条并排设置呈扇形，该连接线可以是扫描线，或者也可以是数据线，即本发明实施例提供的防静电结构可用于保护扫描线，也可用于保护数据线。作为一个优选方案，可以对每组扫描线以及每组数据线都设置该防静电结构。

外部导线L1具有位于彩膜基板2的切割线与封框胶之间的部分，本实施例中外部导线L1的整体都位于切割线与封框胶之间。在其他实施方式中，也可以使外部导线的一部分位于切割线与封框胶之间，另一部分位于切割线外侧。

内部导线L0一端在切割线与封框胶之间通过过孔14与外部导线L1位于切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与阵列基板1中的与公共电极线相连的静电环（图中未示出）电连接。静电环也称为内部短路环（inner short ring），用于消除阵列基板的内部静电，属于阵列基板中的常规设计。

本发明实施例中，对彩膜基板2的边缘进行切割时，位于连接线12上方的尖端放电结构11能够有效吸收切割过程产生的静电，保护其下方的连接线12不受静电影响；尖端放电结构11还能够将所吸收的电荷传输至外部导线L1，再通过过孔14将电荷传输至内部导线L0，最终传输至阵列基板1中的静电环，从而除去了切割产生的静电电荷。避免了切割彩膜基板2时产生的静电，导致阵列基板1上的连接线12发生线不良的技术问题。

优选的，外部导线L1设置于切割线与封框胶3之间，即外部导线L1位于封框胶3的外侧，能够避免外部导线L1通过封框胶3中的导电粒子与彩膜基板2上的电极层21导通，而影响显示效果。

优选的，如图2所示，连接线12为多条并排设置，尖端放电结构11的位置对应于连接线12的间隔处，以避免尖端放电结构11和连接线12重叠形成电容，而影响连接线的阻抗，造成信号延迟的问题。

本实施例中，内部导线L0的数量为两条，两条内部导线L0的一端分别通过过孔14与外部导线L1的两端中的一端电连接，两条内部导线L0的另一端均与静电环电连接。也就是利用两条内部导线L0分别将外部导线L1的两端连接至静电环，均摊外部导线L1上的电荷，以提高静电释放的效果。

优选的，尖端放电结构和外部导线，与阵列基板的像素电极位于同一层。在扫描线处设置的防静电结构的内部导线，可以与阵列基板的扫描线位于同一层；在数据线处设置的防静电结构的内部导线，可以与数据线位于同一层。

这样就可以在形成像素电极图形的同时形成尖端放电结构和外部导线；在形成扫描线图形（数据线图形）的同时形成内部导线。

实施例2：

本发明实施例还提供了一种防静电结构的制造方法，包括以下步骤：

S1：通过构图工艺，在阵列基板上形成包括内部导线的图形。

作为一个优选方案，可以通过构图工艺，在阵列基板上形成扫描线图形的同时，还形成相应的内部导线。

具体的，对构图工艺中掩膜版的图案作出变化，在掩膜版原有的扫描线的图案的基础上，增加相应的内部导线的图案，再经过常规的曝光、刻蚀等步骤，就可以同时形成扫描线图形和相应的内部导线。

S2：通过构图工艺，在阵列基板上形成包括内部导线的图形。

本步骤与步骤S1类似，在掩膜版原有的数据线的图案的基础上，增加相应的内部导线的图案，再经过常规的曝光、刻蚀等步骤，就可以同时形成数据线图形和相应的内部导线。

S3：通过构图工艺，在阵列基板上形成包括外部导线和若干尖端放电结构的图形。

作为一个优选方案，可以通过构图工艺，在阵列基板上形成像素电极图形的同时，还形成外部导线和若干尖端放电结构。

本步骤与步骤S1类似，在掩膜版原有的像素电极的图案的基础上，增加外部导线及尖端放电结构的图案，再经过常规的曝光、刻蚀等步骤，就可以同时在阵列基板的表层形成像素电极图形、外部导线和尖端放电结构。

S4：在外部导线的两端形成过孔图形，并在过孔中填充导电材料，使外部导线和内部导线通过过孔电连接。

本发明实施例提供的制造方法中，仅需要在原有工艺基础上，对掩膜版的图案进行改进，再形成过孔填充导电材料即可，能够简单、方便的实现连接线的防静电结构。

应当说明的是，本实施例中对扫描连接线和数据连接线都设置了防静电结构，因此该防静电结构的制造方法包括S1、S2、S3、S4四个步骤。在其他实施方式中，如果只对扫描连接线设置防静电结构，则其制造过程中只包括上述的S1、S3和S4三个步骤；如果只对数据连接线设置防静电结构，则其制造过程中只包括上述的S2、S3和S4三个步骤。

实施例3：

如图3所示，本实施例提供的防静电结构在实施例1的基础上，其外部导线具体包括第一外部导线L1、第二外部导线L2、第三外部导线L3和第四外部导线L4，其中，第一外部导线L1位于切割线与封框胶之间，第三外部导线L3位于切割线的外侧。第一外部导线L1、第二外部导线L2、第三外部导线L3和第四外部导线L4首尾相接，形成封闭的回路。

本实施例中，尖端放电结构11上的电荷还可以传输至第三外部导线L3上，在经过第二外部导线L2或第四外部导线L4传输至过孔14，最后经内部导线L0传输至阵列基板内的静电环。相比于实施例1，本实施例的封闭回路上的电荷分布更加均匀，能够消除更大量的静电电荷，更加有效的保护了连接线。

本实施例中防静电结构的具体制造方法与实施例1基本相同，其不同点在于步骤S3：通过构图工艺，在阵列基板上形成像素电极图形的同时，还形成第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线和若干尖端放电结构。

具体的，在掩膜版原有的像素电极的图案的基础上，增加第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线、第四外部导线及尖端放电结构的图案，再经过常规的曝光、刻蚀等步骤，就可以同时在阵列基板的表层形成像素电极图形、第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线和尖端放电结构。

本实施例中，基于上述防静电结构，还提供一种连接线的修复方法，可用于修复断裂的连接线。如图4所示，连接线12为多条并排设置于阵列基板上，连接线12上方的对应区域设置有第一外部导线L1、第二外部导线L2、第三外部导线L3和第四外部导线L4形成的封闭回路，且连接线12与该封闭回路之间通过绝缘层隔开。其中，第一外部导线L1和第三外部导线L3的平面投影均与每条连接线12交叉。连接线的修复方法包括：

S21：当某一条连接线断开时，在该连接线12与第一外部导线L1的交叉处A，以及该连接线12与第三外部导线L3的交叉处B，分别利用激光进行焊接，使该连接线12断开的两部分在A、B两点，分别与第一外部导线L1、第三外部导线L3电连接。该连接线12上的电信号就可以从B点依次经过第三外部导线L3、第二外部导线L2（或第四外部导线L4）、第一外部导线L1传输至A点，从而实现了断线的修复。

进一步，该修复方法还包括：

S22：切断封闭回路与过孔14之间的电连接，从而避免连接线12上的电信号传输至静电环，影响电信号的正常传输。

进一步，在其他实施方式中，该修复方法还可以包括：

S23：在两个焊接处A、B的同侧，切断第一外部导线L1和第三外部导线L3。

如图5所示，在焊接处A、B的右侧切断第一外部导线L1和第三外部导线L3，则连接线12上的电信号只从第二外部导线L2经过，以实现断线的修复，并且只需切断第一外部导线L1与其左侧的过孔14之间的电连接；第一外部导线L1和第三外部导线L3的右半部分、第四外部导线L4以及尖端放电结构11还可以用于静电防护。

应当说明的是，上述步骤S21、S22、S23的先后顺序是不固定的，可以如本实施例的描述先进行S21的焊接步骤，再进行S22、S23的切断步骤；也可以先进行S22、S23的切断步骤，再进行S21的焊接步骤。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种液晶面板的防静电结构，其特征在于：包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线；

所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中，所述外部导线具有延伸向所述尖端放电结构的尖状突起；

所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域，且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开，所述连接线为扫描线或者数据线；

所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分；

所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间通过过孔与所述外部导线位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接，另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。

2.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于：所述连接线为多条并排设置，所述若干尖端放电结构的位置对应于所述连接线的间隔处。

3.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于：所述外部导线包括第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线；其中，所述第一外部导线位于所述切割线与封框胶之间，所述第三外部导线位于所述切割线的外侧；

所述第一外部导线、所述第二外部导线、所述第三外部导线和所述第四外部导线首尾相接，形成封闭的回路。

4.根据权利要求3所述的防静电结构，其特征在于：所述内部导线的数量为两条，两条所述内部导线的一端分别通过过孔与所述第一外部导线的两端中的一端电连接，两条所述内部导线的另一端均与所述静电环电连接。

5.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于：所述若干尖端放电结构和所述外部导线，与所述阵列基板的像素电极位于同一层。

6.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于：所述内部导线与所述阵列基板的扫描线或数据线位于同一层。

7.一种权利要求1所述的防静电结构的制造方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述内部导线的图形；

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形；

形成过孔图形，使所述外部导线和所述内部导线通过所述过孔电连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述内部导线的图形，具体为：

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成扫描线图形或数据线图形的同时，形成包括所述内部导线的图形。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述通过构图工艺，在所述阵列基板上形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形，具体为：

通过构图工艺，在所述阵列基板上形成像素电极图形的同时，形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形。

10.一种连接线的修复方法，其特征在于：所述连接线为多条并排设置于阵列基板上，所述连接线上方的对应区域设置有如权利要求3所述的外部导线，所述第一外部导线和所述第三外部导线的平面投影均与每条连接线交叉；

所述修复方法包括：

当某一条连接线断开时，在该连接线与所述第一外部导线的交叉处，以及该连接线与所述第三外部导线的交叉处，分别进行焊接。

11.根据权利要求10所述的修复方法，其特征在于，还包括：在两个焊接处的同侧，切断所述第一外部导线和所述第三外部导线。