CN103353679B - 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法，阵列基板包括设置有引线的外围电路，设置于所述外围电路所在层之上的绝缘层，设置于所述绝缘层之上的引线修复层；所述引线修复层包括至少两条沿所述外围电路的引线排列方向延伸的公共修复线，且相邻的两条所述公共修复线之间设置有若干条与之电连接的修复线。本发明实施例有益效果：当引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路，提高生产效率并减少资源的浪费。

Description

一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法
技术领域
本发明涉及显示器制作领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法。
背景技术
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、于机等领域。
显示面板是TFT-LCD的主要部件，一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成，其中阵列基板包括若干栅线和数据线，由栅线提供开关扫描信号，由数据线提供数据扫描信号，栅线和数据线通常通过外围电路引线连接。在阵列基板的生产过程中，由于生产工序复杂，受生产工艺或厂房环境的影响，可能使外围电路发生损坏，从而造成栅线或数据线不能有效的输入信号，甚至可能导致整个显示面板报废。目前，基于现有生产工序所完成的阵列基板，还无法作到快速有效的修复，也没有一种快速修复阵列基板中外围电路中引线损坏的方法，从而影响生产效率和造成资源浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法，解决阵列基板生成过程中外围电路的引线损坏后，无法快速有效的修复引线所造成的生产效率低和资源浪费的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明实施例提供一种阵列基板，包括设置有引线的外围电路，设置于所述外围电路所在层之上的绝缘层，设置于所述绝缘层之上的引线修复层；
所述引线修复层包括至少两条沿所述外围电路的引线排列方向延伸的公共修复线，且相邻的两条所述公共修复线之间设置有若干条与之电连接的修复线。
优选的，所述绝缘层上还设置有用于电连接所述公共修复线与公共电极的过孔。
优选的，所述公共修复线中的至少两条，分别设置于邻近所述外围电路的引线两端的设定区域内。
优选的，所述修复线的数量与所述外围电路的引线的数量和位置一一对应。
优选的，所述修复线的数量少于所述外围电路的所述引线的数量，相邻两条所述修复线之间包括至少两条外围电路的引线。
优选的，所述修复线与所述公共修复线垂直；或者，所述修复线与所述外围电路的引线的一部分线段的方向平行。
优选的，所述公共修复线和所述修复线为金属Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO。
优选的，所述绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。
本发明实施例有益效果如下：在外围电路之上设置包括公共修复线和修复线的引线修复层，当引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线组成一条连接线，以该连接线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路的引线的断裂，提高生产效率，节省资源。
本发明实施例提供一种显示装置，包括如上述的阵列基板。
本发明实施例提供一种阵列基板的修复方法，应用于上述的阵列基板， 步骤如下：
S21、当所述外围电路的引线发生断裂时，将断裂的所述外围电路的引线从断裂点处断开的两端与所述公共修复线的交叠处进行熔接，形成使所述断裂的外围电路的引线与所述公共修复线电连接的第一熔接点和第二熔接点。
S22、选择一条连接所述第一熔接点至所述第二熔接点距离最短的所述修复线，形成所述第一熔接点至所述第二熔接点的连接线，并将所述连接线与所述公共修复线断开，用所述连接线作为所述断裂的外围电路的引线。
优选的，所述步骤S21中进行熔接的所述公共修复线，为与断裂点处断开的两端距离最近的两条公共修复线。
本发明实施例有益效果如下：基于阵列基板上设置的包括公共修复线和修复线的引线修复层，当阵列基板的外围电路的引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线组成一条新的连接线，以该连接线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路的引线的断裂，提高生产效率，节省资源。
附图说明
图1为本发明实施例一所述阵列基板的局部结构示意图；
图2为本发明实施例三所述阵列基板的制作方法的流程图；
图3为本发明实施例四所述阵列基板的修复方法的流程图；
图4为本发明实施例五所述外围电路引线断裂的阵列基板的局部示意图；
图5为本发明实施例五所述外围电路引线修复后的阵列基板的局部示意图；
图6为本发明实施例五所述连接线的示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意 的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明实施例一，提供一种阵列基板，如图1所示，包括：设置有引线1的外围电路；设置于外围电路所在层之上的绝缘层（未在图中标出）；设置于绝缘层之上的、包括至少两条沿外围电路的引线1排列方向延伸的公共修复线2的引线修复层（未在图中标出），相邻的两条公共修复线2之间设置有若干条与之电连接的修复线3。
需要注意的是，为了便于描述，在本实施例附图1中所示出的外围电路的引线1为Z字型折线，实际应用中，引线1可以为多种形式。
优选的，绝缘层上还设置有用于电连接公共修复线2与公共电极4的过孔5。过孔5可以为多个且分布于不同位置，公共修复线2与公共电极4电连接后，也可以视为引线修复层与公共电极层电连接，这可以防止生产过程中，引线修复层由于静电积累所引起的静电击穿。
优选的，公共修复线2中的至少两条，分别设置于邻近外围电路的引线1两端的设定区域内，该设定区域可以根据实际布线或者引线1的损坏机率情况进行设置。
优选的，修复线3的数量与外围电路的引线1的数量和位置可以一一对应；但是我们应该考虑到，修复线3过于密集有可能对阵列基板在运行过程中的干扰，而且过密集的修复线3也将使用更多的生产材料。因此更为优选的方案是：修复线3的数量少于外围电路的引线1的数量，相邻两条修复线3之间包括至少两条外围电路的引线1。
优选的，修复线与公共修复线垂直；或者，修复线与外围电路的引线的一部分线段的方向平行。
优选的，公共修复线和修复线为金属Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO。
优选的，绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种， 或是上述至少两种薄膜的复合结构。
本发明实施例有益效果如下：在外围电路之上设置包括公共修复线和修复线的引线修复层，当引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线组成一条连接线，以该连接线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路的引线的断裂，提高生产效率，节省资源。
本发明实施例二，提供一种显示装置，包括如上述的阵列基板。
本发明实施例三，提供一种阵列基板的制作方法，如图2所示，步骤如下：
步骤S11、在基板上形成栅线、数据线、外围电路和公共电极，外围电路包括若干条平行且间隔设置的、用于栅线之间电连接和数据线之间电连接的引线。
步骤S12、在完成步骤S11的基板的外围电路的所在层之上绝缘层，在绝缘层上形成过孔，绝缘层可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。
步骤S13、在完成步骤S12的基板的对应外围电路的区域形成引线修复层，引线修复层可以为金属Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO，当然也可以为其他可以实现本发明的金属材料，在此不一一限定。
引线修复层包括至少两条沿外围电路的引线排列方向延伸的公共修复线，相邻的两条公共修复线分别对应外围电路的引线的两端，每条公共修复线各对应外围电路的引线的一端，且相邻的两条公共修复线之间设置有若干条与之电连接的修复线；公共修复线经过孔与公共电极电连接，当然，过孔可以为多个且分布于不同位置，其目的是使公共修复线在影响后续修复外围电路引线的情况下，将公共修复线与公共电极充分电连接。将公共修复线与公共电极电连接后，也可以视为引线修复层与公共电极层电连接，这可以防止生产过程中引线修复层的静电积累所引起的静电击穿。
优选的，修复线的数量与外围电路的引线的数量和位置可以一一对应；也 如下设置：修复线的数量小于外围电路的引线的数量，且相对应的区域，相邻两条修复线之间的包括至少两条外围电路的引线。
优选的，修复线与公共修复线垂直；或者，修复线与外围电路的引线的一部分线段的方向平行。
本发明实施例有益效果如下：在完成栅线、数据线、外围电路和公共电极的阵列基板上，设置包括公共修复线和修复线的引线修复层，当引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线组成一条新的连接线，以该连接线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路的引线的断裂，提高生产效率，节省资源。
本发明实施例四，提供一种阵列基板的修复方法，应用于上述实施例所述的阵列基板；如图3所示，步骤如下：
S21、当外围电路的引线发生断裂时，将断裂的外围电路的引线从断裂点处断开的两端与公共修复线的交叠处进行熔接，形成使断裂的外围电路的引线与公共修复线电连接的第一熔接点和第二熔接点；
S22、选择一条连接第一熔接点至第二熔接点距离最短的修复线，形成第一熔接点至第二熔接点的连接线，并将连接线与公共修复线断开，用连接线作为断裂的外围电路的引线。
优选的，步骤S21中进行熔接的公共修复线，为与断裂点处断开的两端距离最近的两条公共修复线。
本发明实施例有益效果如下：基于阵列基板上设置的包括公共修复线和修复线的引线修复层，当阵列基板的外围电路的引线断裂时，根据断裂引线的位置，选择合适的修复线和一部分公共修复线组成一条新的连接线，以该连接线代替断裂的引线，实现快速、有效修复阵列基板的外围电路的引线的断裂，提高生产效率，节省资源。
本发明实施例五，提供一种具体的阵列基板的修复方法，其中阵列基板如图1所示，其外围电路的引线断裂后的示意图如图4所示，包括引线1的断 裂处6。
将如图4所示阵列基板的断裂的外围电路的引线1的两端与公共修复线2的交叠处进行熔接，该交叠处为实施例一中指出的，公共修复线2设置于邻近外围电路的引线1两端的设定区域内时，与引线1交叠位置。如图5所示，上述步骤之后，形成使断裂的外围电路的引线1与公共修复线2电连接的第一熔接点7和第二熔接点8。
在第一熔接点7和第二熔接点8之间选择一条修复线3、以及一部分公共修线2，从而由第一熔接点7至第二熔接点8形成如图6所示的一条连接线10；优选的，为了减小连接线10的电阻，可选择一条连接第一熔接点7至第二熔接点8距离最短的修复线3。当然基于不同的目的（例如为了使连接线10与未断裂的外围电路的引线1的电阻匹配），可以选择另外位置的修复线3。
根据如图6所示的连接线10的形状切断公共修复线2，当然，考虑到切割精度、误损伤等问题，通常不会选择完全按该连接线10的形状切割。通常情况下，根据该连接线10的形状，在组成该连接线10的第一熔接点7、第二熔接点8和一部分公共修复线2的外侧的公共修复线2上进行切割，如在图5示出的切断处9，4个切断处9均位于连接线10的外侧。使切割后的连接线10作为外围电路的引线1，实现对断裂的外围电路的引线1的快速、有效的修复。
需要注意的是，本实施仅是一优选实施例，对于连接线10的设定的切割，可以根据实际情况实施。本实施例中对公共修复线2的切割，因此切断处9在公共修复线2上，除此情况之外，切断处9还可以在修复线3上，或者一部分切断处9在公共修复线2上，一部分切断处9在修复线3上。上述情况根据本发明实施例均可以得到，在此不一一举例。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括设置有引线的外围电路，其特征在于，包括：
设置于所述外围电路所在层之上的绝缘层，设置于所述绝缘层之上的引线修复层；
所述引线修复层包括至少两条沿所述外围电路的引线排列方向延伸的公共修复线，且相邻的两条所述公共修复线之间设置有若干条与之电连接的修复线。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层上还设置有用于电连接所述公共修复线与公共电极的过孔。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共修复线中的至少两条，分别设置于邻近所述外围电路的引线两端的设定区域内。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线的数量与所述外围电路的引线的数量和位置一一对应。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线的数量少于所述外围电路的所述引线的数量，相邻两条所述修复线之间包括至少两条外围电路的引线。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线与所述公共修复线垂直；或者，所述修复线与所述外围电路的引线的一部分线段的方向平行。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共修复线和所述修复线为金属Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的修复方法，应用于权利要求1-8任一所述的阵列基板，其特征在于，步骤如下：
S21、当所述外围电路的引线发生断裂时，将断裂的所述外围电路的引线从断裂点处断开的两端与所述公共修复线的交叠处进行熔接，形成使所述断裂的外围电路的引线与所述公共修复线电连接的第一熔接点和第二熔接点；
S22、选择一条连接所述第一熔接点至所述第二熔接点距离最短的所述修复线，形成所述第一熔接点至所述第二熔接点的连接线，并将所述连接线与所述公共修复线断开，用所述连接线作为所述断裂的外围电路的引线。
11.如权利要求10所述的一种阵列基板的修复方法，其特征在于，步骤S21中进行熔接的所述公共修复线，为与断裂点处断开的两端距离最近的两条公共修复线。
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