CN103116234B - 彩膜基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种彩膜基板，其上包括公共电极，所述彩膜基板上对应阵列基板外围电路区域的所述公共电极包括：多条沿该区域中阵列基板上数据线长度方向，且与所述数据线交叠的条状电极，与每条数据线交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极通过与该条数据线不交叠的旁路电极连接。还公开了一种包括上述彩膜基板的显示装置。由于本发明的彩膜基板的公共电极的图形设计，当数据线断路或与公共电极短路时可利用独立的条状电极对数据线进行修复，以使电路正常运行。

Description

彩膜基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种彩膜基板及显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplays，TFT-LCD）制程的彩膜（Color Filter，CF）基板工艺段中，传统CF基板的公共电极掩膜（Indium Tin Oxide Mask，ITO Mask）设计是整体CF面板均匀镀有ITO（ITO作为公共电极），如图1所示，ITO2覆盖整个CF基板。这种设计由于不能将部分ITO切割成独立体（该独立体可不传导阵列基板公共电极（Common）信号通过封框胶区域的金属导电球Au Ball传导的信号），因此在修复过程中不能利用CF基板的ITO作为传导体传导信号，导致该种设计不可对阵列基板上的外围电路区域发生的数据线1（Data Line）断开以及DataLine与CF基板ITO短路导致的不良进行修复。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：如何对阵列基板上的外围电路区域的数据线（Data Line）断开以及Data Line与CF基板ITO短路导致的不良进行修复。
（二）技术方案
为解决上述技术问题，本发明提供了一种彩膜基板，其上包括公共电极，其特征在于，所述彩膜基板上对应阵列基板外围电路区域的所述公共电极包括：多条沿该区域中阵列基板上数据线长度方向，且与所述数据线交叠的条状电极，与每条数据线交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极通过与该条数据线不交叠的旁路电极连接。
其中，对于每条数据线，与其交叠的多条条状电极中每条条状电极的图形与该数据线交叠段的数据线图形相同。
其中，所述每条条状电极的图形的宽度大于与该数据线交叠段的数据线图形的宽度，且所述每条条状电极的图形与该数据线交叠段的数据线图形各自的在沿数据线长度方向的中心线在所述彩膜基板上的投影完全重合。
其中，所述每条条状电极的图形的宽度为所述数据线宽度的5/4~7/5倍，所述条状电极的长度为所述数据线宽度的18~25倍。
其中，所述每条条状电极的图形的宽度为所述数据线宽度的4/3倍。
其中，对于每条数据线，与其交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极之间的间距为所述数据线宽度的2~3倍。
其中，所述旁路电极的宽度为所述数据线宽度的1/8~1/5，所述旁路电极与数据线之间的最大距离为所述数据线宽度的1/5~1/3。
其中，所述旁路电极的宽度为所述数据线宽度的1/6，所述旁路电极与数据线之间的最大距离为所述数据线宽度的1/4。
其中，对于相邻数据线，与各数据线相应交叠段对应的多条条状电极在沿所述数据线宽度方向上两端对齐。
其中，彩膜基板上还包括多个连接电极，连接相邻两条数据线对应的且沿所述数据线宽度方向上两端对齐的两个条状电极。
其中，所述连接电极为条状，其宽度为所述数据线的1~2倍。
本发明还提供了一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，还包括与所述阵列基板对盒的上述任一项所述的彩膜基板。
其中，所述阵列基板外围电路区域的数据线上间隔所述条状电极长度的距离设置有第一标记柱。
其中，相邻两个第一标记柱的之间还设有第二标记柱。
其中，所述第一标记柱和第二标记柱的宽度为数据线宽度的1/6~1/4，长度为数据线宽度的1/8~1/5。
（三）有益效果
本发明通过将彩膜基板上对应阵列基板外围电路区域的公共电极设计成独立的与数据线交叠的条状电极，同一条数据线对应的各条状电极通过与数据线不交叠的旁路电极连接，当数据线断路或与公共电极短路时可利用独立的条状电极对数据线进行修复，以使电路正常运行。
附图说明
图1是现有技术的彩膜基板和阵列基板对盒后在阵列基板的外围电路区域的数据线和彩膜基板上公共电极的图形；
图2是本发明实施例的一种彩膜基板和阵列基板对盒后在阵列基板的外围电路区域的数据线和彩膜基板上公共电极的图形；
图3是利用本发明实施例的彩膜基板的条形公共电极修复阵列基板的外围电路区域的数据线断路或数据线与条形公共电极短路的修复原理图；
图4是图2中A处的局部放大图；
图5是本发明实施例的另一种彩膜基板和阵列基板对盒后在阵列基板的外围电路区域的数据线和彩膜基板上公共电极的图形。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
为了在数据线断路或数据线与公共电极短路时能够将部分公共电极切割成独立体，来修复断路或短路的问题，本实施例中，将彩膜基板上对应阵列基板（彩膜基板和阵列基板对盒形成液晶盒，即该阵列基板为将与彩膜基板对盒的阵列基板）外围电路区域的公共电极设计为与阵列基板上数据线图形相似，且独立的若干段条状电极图形（即公共电极对应阵列基板像素电极区域的部分仍为原来的块状，对应阵列基板外围电路区域的部分为与数据线图形相似，且独立的若干段条状电极图形）。具体结构如图2所示，彩膜基板上对应阵列基板外围电路区域的公共电极包括：多条沿该区域中数据线1长度方向，且与数据线1上下交叠（数据线1和公共电极3在彩膜基板上的投影部分重叠，由于阵列基板和彩膜基板本身间隔有一定距离和一些保护层，使数据线1与条状电极3之间也存在一定距离和一些保护层，而不会接触）的条状电极3。对于每条数据线1（图2中示出了三条数据线），与其交叠的多条条状电极3中相邻两条条状电极3通过与该条数据线1不完全交叠的旁路电极4连接。彩膜基板上其它区域的公共电极的图形同现有设计，若干条条状电极3中靠近像素电极区域对应的公共电极的条状电极3与像素电极区域对应的公共电极一体形成，其它条状电极3通过旁路电极4连接，以和像素电极区域对应的公共电极形成整个彩膜基板上的公共电极。
为了方便在修复线路时切割旁路电极4的过程中不会切割到数据线1，旁路电极4优选和数据线1完全不交叠。
如图3所示，采用本实施例的彩膜基板上的条状电极3修复数据线线路的原理如下：
对于数据线断路的情况，如图3中数据线1的D处断裂，则以断裂处D两端的E和F为焊点（激光焊接）将与该数据线1断裂处对应的条状电极3和数据线1焊接起来，使数据线1通过条状电极3形成连通状态。同时为了避免数据线1和公共电极接触，将该段条状电极3与其相邻的两条条状电极3连接的旁路电极4，即图中B和C处的旁路电极4切断（激光切割），从而完成数据线断路的修复。
对于数据线与公共电极短路的情况，即由于污点使得数据线与公共电极连通的情况。如图3所示，若数据线1的D处短路，此时，只需将B和C处的旁路电极4切断，避免数据线1与公共电极接触。
每条条状电极3的图形与该数据线1交叠段的数据线图形在彩膜基板上的投影可以完全重叠。由于数据线1和条状电极3之间可能存在异物，从而导致两者同时断裂，同时断裂则无法用条状电极3修复数据线1。因此，进一步地，每条条状电极3的图形的宽度大于与该数据线1交叠段的数据线图形的宽度，即条状电极3覆盖数据线1，以至于两者不同时断裂。如图4所示，每条条状电极3的图形的宽度W1为数据线1宽度W的5/4~7/5倍。为了方便焊接，且在制作条状电极3时避免相邻两条数据线1对应的条状电极3相互重叠或接触优选地，条状电极3的图形的宽度W1为数据线1宽度W的4/3倍。更近一步地，为了方便焊接，条状电极3的宽度W1大于数据线1的宽度W，且每条条状电极的图形与该数据线交叠段的数据线图形在沿数据线1长度方向的中心线在彩膜基板上的投影完全重合。
条状电极3的长度L1为数据线1宽度W的18~25倍，例如20倍，其长度L1可以根据不同型号产品的Array工艺中数据线设计而定。对于每条数据线1，与其交叠的多条条状电极3中相邻两条条状电极3之间的间距L2为数据线1宽度W的2~3倍。但若相邻两条条状电极3之间的间距太宽，则在相邻两条条状电极3间隔处的数据线1断裂时很难修复数据线1（间距太大不方便焊接），优选地，相邻两条条状电极3之间的间距L2为数据线1宽度W的2倍。
进一步地，旁路电极4的宽度W2为数据线1宽度W的1/8~1/5。旁路电极4与数据线1之间的最大距离W3为数据线1宽度W的1/5~1/3。为了在制作旁路电极4时避免旁路电极4与其对应的数据线1完全交叠，不便于后续切割，又避免旁路电极4与相邻的数据线1交叠，及与相邻的数据线1连接的旁路电极4重叠或接触，优选地，旁路电极4的宽度W2为数据线1宽度W的1/6，旁路电极4与数据线1之间的最大距离W3为数据线1宽度W的1/4。
进一步地，为了使两条条状电极3连接更加稳定，对于每条数据线，与其交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极通过两个分别位于条状电极3宽度方向上两侧的旁路电极4连接。
进一步地，对于阵列基板上相邻数据线1，与各数据线1相应交叠段对应的多条条状电极3在沿数据线1宽度方向上对齐。如图2中虚线条对齐线所示，即与各数据线1相应交叠段对应的多条条状电极3不但形状形同、长度相等，且在沿数据线1宽度方向上对齐，优选地，所有条状电极3的形状相同、长度相等。这样可以在制作条状电极3的mask工艺中方便掩膜板的图形设计。
进一步地，为了避免修复完成后由于切割导致某条数据线1上的条状电极3和其相邻的条状电极3断开，使得与该条数据线1交叠且靠近面板边缘的条状电极3无法连接到公共电极，如图5所示，彩膜基板上还包括多个连接电极6。连接电极6连接相邻两条数据线1对应的且沿数据线1宽度方向上对齐的两个条状电极3（不在旁路电极4上即可）。为了在制作条状电极3的mask工艺中方便掩膜板的图形设计，优选地，连接电极6连接两个条状电极3的连接点分别位于各条状电极3的中间位置。连接电极6可以为条状，其宽度可以为数据线的1~2倍。
对于图5中的公共电极的图形，在修复线路时只需再切断与用作修复线路用的条状电极3相应的连接电极6即可。
本发明还提供了一种显示装置，包括阵列基板，还包括与所述阵列基板对盒的上述彩膜基板。
由于制作公共电极的材料通常是透明材料，即条状电极3、旁路电极4和连接电极6都是透明的。如图2所示，为了在修复线路的过程中方便定位上述透明的电极的位置。在阵列基板外围电路区域的数据线1上间隔条状电极3长度的距离设置有第一标记柱5。第一标记柱5和数据线1在同一次mask工艺中形成，且和数据线1为同种材料（不透明金属）。在修复过程中通过查找第一标记柱5的位置来定位一段条状电极3及与该条状电极3连接的旁路电极4。
为了便于识别上述连接电极6的位置，如图5所示，相邻两个第一标记柱的之间还设有第二标记柱7，以便于定位连接电极6的位置。如图4所示，第一标记柱5的宽度W4为数据线1宽度W的1/6~1/4，如1/5，长度L4为数据线1宽度W的1/8~1/5，如1/6。第二标记柱7和第一标记柱5的大小形状均可相同。
在制作阵列基板和彩膜基板各自的电极图形的过程中，对第一标记柱5、第二标记柱7的位置、条状电极3、旁路电极4和连接电极6的位置通过mask工艺事先确定，且保证对盒后能够形成如图2或4的电极图形。
所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (15)

1.一种彩膜基板，其上包括公共电极，其特征在于，所述彩膜基板上对应阵列基板外围电路区域的所述公共电极包括：多条沿该区域中阵列基板上数据线长度方向，且与所述数据线在彩膜基板上的投影部分交叠的条状电极，与每条数据线在彩膜基板上的投影部分交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极通过与该条数据线在彩膜基板上的投影部分不交叠的旁路电极连接。
2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，对于每条数据线，与其在彩膜基板上的投影部分交叠的多条条状电极中每条条状电极的图形与该数据线在彩膜基板上的投影部分的交叠段的数据线图形相同。
3.如权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述每条条状电极的图形的宽度大于与该数据线在彩膜基板上的投影部分的交叠段的数据线图形的宽度，且所述每条条状电极的图形与该数据线在彩膜基板上的投影部分的交叠段的数据线图形各自的在沿数据线长度方向的中心线在所述彩膜基板上的投影完全重合。
4.如权利要求1～3中任一项所述的彩膜基板，其特征在于，所述每条条状电极的图形的宽度为所述数据线宽度的5/4～7/5倍，所述条状电极的长度为所述数据线宽度的18～25倍。
5.如权利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述每条条状电极的图形的宽度为所述数据线宽度的4/3倍。
6.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，对于每条数据线，与其在彩膜基板上的投影部分交叠的多条条状电极中相邻两条条状电极之间的间距为所述数据线宽度的2～3倍。
7.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述旁路电极的宽度为所述数据线宽度的1/8～1/5，所述旁路电极与数据线之间的最大距离为所述数据线宽度的1/5～1/3。
8.如权利要求7所述的彩膜基板，其特征在于，所述旁路电极的宽度为所述数据线宽度的1/6，所述旁路电极与数据线之间的最大距离为所述数据线宽度的1/4。
9.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，对于相邻数据线，与各数据线在彩膜基板上的投影部分的相应交叠段对应的多条条状电极在沿所述数据线宽度方向上两端对齐。
10.如权利要求9所述的彩膜基板，其特征在于，彩膜基板上还包括多个连接电极，连接相邻两条数据线对应的且沿所述数据线宽度方向上两端对齐的两个条状电极。
11.如权利要求10所述的彩膜基板，其特征在于，所述连接电极为条状，其宽度为所述数据线的1～2倍。
12.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，还包括与所述阵列基板对盒的如权利要求1～11中任一项所述的彩膜基板。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板外围电路区域的数据线上间隔所述条状电极长度的距离设置有第一标记柱。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，相邻两个第一标记柱的之间还设有第二标记柱。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述第一标记柱和第二标记柱的宽度为数据线宽度的1/6～1/4，长度为数据线宽度的1/8～1/5。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103116234B (zh) * 2013-02-21 2015-04-08 合肥京东方光电科技有限公司 彩膜基板及显示装置
TWI657362B (zh) * 2015-03-23 2019-04-21 群創光電股份有限公司 觸控裝置
CN105068340B (zh) * 2015-09-21 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制作方法
CN105182702B (zh) * 2015-10-30 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置
CN107346080B (zh) * 2016-05-04 2020-06-23 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
US10473992B2 (en) 2016-08-09 2019-11-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, methods of fabricating and repairing the same
US20190377232A1 (en) * 2018-06-12 2019-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and method for manufacturing the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253850B2 (en) * 2002-12-31 2007-08-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having redundancy repair pattern and method of forming and using the same
CN101424840A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置的修复方法
CN101930128A (zh) * 2009-06-24 2010-12-29 上海天马微电子有限公司 线路修复结构及其修复方法
CN201886251U (zh) * 2010-12-24 2011-06-29 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板
CN102937768A (zh) * 2012-11-13 2013-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100930919B1 (ko) * 2003-06-30 2009-12-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100661725B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101327847B1 (ko) * 2007-03-13 2013-11-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
CN101290408B (zh) * 2007-04-17 2010-04-14 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管显示器
US20100165280A1 (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN103116234B (zh) * 2013-02-21 2015-04-08 合肥京东方光电科技有限公司 彩膜基板及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253850B2 (en) * 2002-12-31 2007-08-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having redundancy repair pattern and method of forming and using the same
CN101424840A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置的修复方法
CN101930128A (zh) * 2009-06-24 2010-12-29 上海天马微电子有限公司 线路修复结构及其修复方法
CN201886251U (zh) * 2010-12-24 2011-06-29 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板
CN102937768A (zh) * 2012-11-13 2013-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置

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