CN104777635A - 液晶面板的像素缺陷修复方法及液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括：提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。本发明还提供一种液晶面板。液晶面板的像素缺陷修复方法能有效缩减液晶面板的暗点化修复工序，节省生产成本，提升产品品质。

Description

液晶面板的像素缺陷修复方法及液晶面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶面板的像素缺陷修复方法及一种液晶面板。
背景技术
薄膜晶体管型液晶显示屏(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)为每个像素单元都设有一个半导体开关，每个半导体开关都可以通过点脉冲直接控制，因而每个像素单元都相对独立，并可以连续控制，从而使得TFT-LCD具有较高的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，显示色彩也更逼真。目前，随着TFT-LCD显示技术的不断成熟，TFT-LCD液晶面板的视角、色彩饱和度、亮度等问题逐渐得到解决，进一步加快了TFT-LCD液晶面板在显示领域的应用。
对于液晶面板来说，可视角度是关系到相关液晶显示产品用户体验的一项重要参数。为增加可视角度，大尺寸的TFT-LCD液晶面板的像素结构通常采用三个薄膜晶体管来控制一个像素单元内的主像素和子像素的液晶电容具备不同的电压，进而改善大视角下的色偏，提高显示品质。图1是现有技术中TFT-LCD液晶面板的一个像素单元的等效电路示意图，其中，当第一栅极线输入高电平、第二栅极线输入低电平时，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通，电荷分别被送至第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2。当第一栅极线输入低电平、第二栅极线输入高电平时，第三薄膜晶体管T3导通，使得第二存储电容Cst2中的部分电荷释放到第一分压电容Ccs1和第二分压电容Ccs2中，从而使得第一液晶电容Clc1和第二液晶电容Clc2具有不同的电荷量，形成电压差，最终达到降低色偏的目的。
在TFT-LCD液晶面板的生产过程中，难免会出现一个或多个有缺陷的像素。为提升TFT-LCD液晶面板的产品良率，目前常用的方法就是对所述一个或多个有缺陷的像素进行暗点化修复。当TFT-LCD液晶面板的一个像素单元出现缺陷时，现有技术中对缺陷像素的处理方式通常是针对三个薄膜晶体管进行整体暗点化修复。如图1所示，通过将第一至第三薄膜晶体管T1、T2、T3之间的源极s、漏极d的连接线切断(如图1中x所示)，并将第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2两端焊接短路(如图1中▃所示)，以实现将整个像素单元修复为常暗点。然而，采用整体暗点化的方法无疑会增加缺陷修复的工序，浪费产能。同时，整体暗点化修复过后TFT-LCD液晶面板形成的暗点较大，也会在一定程度上影响其显示品质。
发明内容
本发明提供一种液晶面板的像素缺陷修复方法，通过对缺陷像素单元内的主像素和子像素单独进行暗点化修复，以节省修复工序，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸。
另，本发明还提供一种液晶面板，通过对该液晶面板的缺陷像素单元内的主像素和子像素单独进行暗点化修复，以节省修复工序，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸。
一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括如下步骤：
提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；
判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。
其中，所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极分别与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端电性连接，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接。
其中，所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与所述第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与所述数据线电性连接，所述第二漏极分别与第二液晶电容的一端、第二存储电容的一端以及第三薄膜晶体管的第三源极电性连接，所述第二液晶电容的另一端用于与所述第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
其中，所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极分别与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端电性连接，所述第三源极分别与第二漏极、第二液晶电容的一端以及第二存储电容的一端电性连接，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端分别与第一漏极、第一液晶电容的一端以及第一存储电容的一端电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
其中，所述第一修复方法为：将所述第一薄膜晶体管的第一漏极的接线切断，并将所述第一存储电容的两端焊接短路。
其中，所述第二修复方法为：将所述第二薄膜晶体管的第二漏极连接线、第三薄膜晶体管的第三漏极连接线及第三薄膜晶体管的第三源极连接线切断，并将所述第二存储电容的两端焊接短路。
其中，所述主像素缺陷为所述主像素的第一薄膜晶体管或第一液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷；所述子像素缺陷为所述子像素的第二薄膜晶体管或第三薄膜晶体管或第二液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷。
一种液晶面板，包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷，所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端的连接被切断，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。
一种液晶面板，包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的子像素缺陷，所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与一第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与一数据线电性连接，所述第二漏极与所述第二液晶电容的一端、所述第二存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的第三源极的连接被切断，所述第二液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。
其中，所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端的连接被切断，所述第三源极与所述第二漏极、所述第二液晶电容的一端以及所述第二存储电容的一端的连接被切断，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端用于与所述主像素电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
本发明所述液晶面板的像素缺陷修复方法，通过将像素单元具有缺陷的主像素和子像素分别进行暗点化修复，且对其中一组的修复不影响另一组的正常显示，有效缩减了液晶面板的暗点化修复工序，节省生产成本，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸，提升产品品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中TFT-LCD液晶面板的一个像素单元的等效电路示意图。
图2是本发明较佳实施例的液晶面板缺陷像素修复方法的流程图。
图3A和图3B是本发明较佳实施例的液晶面板缺陷像素修复方法的电路示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图2、图3A和图3B，本发明提供一种液晶面板的像素缺陷修复方法，其包括如下步骤：
步骤S1：提供一液晶面板200，该液晶面板200包括多条垂直方向的数据线和多条水平方向的栅极线，多条数据线相互平行，且多条栅极线之间相互平行，且所述数据线与栅极线相互交叉间隔设置，以将该液晶面板200划分为多个像素单元100。所述多个像素单元100呈矩阵式排列。每一所述像素单元100包括相互邻接的一主像素110和一子像素130。所述多个像素单元100中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷。所述主像素110包括第一薄膜晶体管T1、第一液晶电容Clc1及第一存储电容Cst1。所述第一薄膜晶体管T1包括第一栅极g、第一源极s及第一漏极d。所述第一栅极g用于连接一第一栅极线，所述第一源极s用于连接一数据线，所述第一漏极d分别与第一液晶电容Clc1的一端以及第一存储电容Cst1的一端电性连接。所述第一液晶电容Clc1的另一端用于与一第一公共电极电性连接。所述第一存储电容Cst1的另一端用于与一第二公共电极电性连接。
所述子像素130包括第二薄膜晶体管T2、第二液晶电容Clc2、第二存储电容Cst2、第一分压电容Ccs1、第二分压电容Ccs2及第三薄膜晶体管T3。所述第二薄膜晶体管T2包括第二栅极g、第二源极s及第二漏极d。所述第三薄膜晶体管T3包括第三栅极g、第三源极s及第三漏极d。所述第二栅极g用于与所述第一栅极线电性连接，所述第二源极s用于与所述数据线电性连接，所述第二漏极d分别与第二液晶电容Clc2的一端、第二存储电容Cst2的一端以及第三薄膜晶体管T3的第三源极s电性连接。所述第二液晶电容Clc2的另一端用于与所述第一公共电极电性连接。所述第二存储电容Cst2的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。所述第三漏极d分别与第一分压电容Ccs1的一端以及第二分压电容Ccs2的一端电性连接，所述第三源极s分别与第二漏极d、第二液晶电容Clc2的一端以及第二存储电容Cst2的一端电性连接，所述第三栅极g用于与一第二栅极线电性连接。所述第一分压电容Ccs1的另一端分别与第一漏极d、第一液晶电容Clc1的一端以及第一存储电容Cst1的一端电性连接。所述第二分压电容Ccs2的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
步骤S2：判断具有缺陷的像素单元100的像素缺陷类型。所述像素缺陷类型包括主像素缺陷及子像素缺陷。其中，主像素缺陷是指所述主像素110的第一薄膜晶体管T1或第一液晶电容Clc1出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷；子像素缺陷是指所述子像素130的第二薄膜晶体管T2或第三薄膜晶体管T3或第二液晶电容Clc2出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷。若像素单元100的像素缺陷类型为主像素缺陷，则采用第一修复方法进行暗点化修复，即步骤S21；若像素单元100的像素缺陷类型为子像素缺陷，则采用第二修复方法进行暗点化修复，即步骤S22。
步骤S21：对于具有主像素缺陷的像素单元100进行修复时，将第一薄膜晶体管T1的第一漏极d的接线切断(如图3A中x所示)，并将所述第一存储电容Cst1的两端焊接短路(如图3A中▃所示)，以防止所述主像素110的第一液晶电容Clc1被施加高电压而出现亮点缺陷。
在对于具有主像素缺陷的像素单元100进行上述步骤S21的修复之后，当第一栅极线输入高电平、第二栅极线输入低电平时，第一薄膜晶体管T1无法正常工作，且第一液晶电容被Clc1短路，因而主像素110将会保持常暗状态；而第二薄膜晶体管T2、第三晶体管T3、第二液晶电容Clc2及第二存储电容Cst2依然正常工作，且在第二存储电容Cst2上存储电荷以维持一帧画面内余下画面的显示，因而对主像素110的上述修复不会对子像素130产生影响。
步骤S22：对于具有子像素缺陷的像素单元100进行修复时，将第二薄膜晶体管T2的第二漏极d的连接线、第三薄膜晶体管T3的第三漏极d的连接线及第三薄膜晶体管T3的第三源极s的连接线切断(如图3B中x所示)，并将所述第二存储电容Cst2的两端焊接短路(如图3B中▃所示)，以防止所述子像素130的第二液晶电容Clc2被施加高电压而出现亮点缺陷。
在对于具有子像素缺陷的像素单元100进行上述步骤S22的修复之后，第二薄膜晶体管T2及第三薄膜晶体管T3无法正常工作，且第二液晶电容Clc2被短路，因而子像素130将会保持常暗状态；而所述第一薄膜晶体管T1、第一存储电容Cst1及第一液晶电容Clc1依然正常工作，且在第一存储电容Cst1上存储电荷以维持一帧画面内余下画面的显示，因而对子像素130的上述修复不会对主像素110产生影响。
请参阅图3A和图3B，本发明还提供一种液晶面板200，该液晶面板200包括多条垂直方向且相互平行的数据线和多条水平方向且相互平行的栅极线，所述数据线与所述栅极线相互交叉且间隔设置，以将该液晶面板200划分为多个像素单元100。多个所述像素单元100呈矩阵式排列。每一所述像素单元100包括相互邻接的一主像素110和一子像素130。所述主像素110包括第一薄膜晶体管T1、第一液晶电容Clc1及第一存储电容Cst1。所述第一薄膜晶体管T1包括第一栅极g、第一源极s及第一漏极d。所述第一栅极g用于连接一第一栅极线，所述第一源极s用于连接一数据线，所述第一漏极d分别与第一液晶电容Clc1的一端以及第一存储电容Cst1的一端电性连接。所述第一液晶电容Clc1的另一端用于与一第一公共电极电性连接。所述第一存储电容Cst1的另一端用于与一第二公共电极电性连接。
所述子像素130包括第二薄膜晶体管T2、第二液晶电容Clc2、第二存储电容Cst2、第一分压电容Ccs1、第二分压电容Ccs2及第三薄膜晶体管T3。所述第二薄膜晶体管T2包括第二栅极g、第二源极s及第二漏极d。所述第三薄膜晶体管T3包括第三栅极g、第三源极s及第三漏极d。所述第二栅极g用于与所述第一栅极线电性连接，所述第二源极s用于与所述数据线电性连接，所述第二漏极d分别与第二液晶电容Clc2的一端、第二存储电容Cst2的一端以及第三薄膜晶体管T3的第三源极s电性连接。所述第二液晶电容Clc2的另一端用于与所述第一公共电极电性连接。所述第二存储电容Cst2的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。所述第三漏极d分别与第一分压电容Ccs1的一端以及第二分压电容Ccs2的一端电性连接，所述第三源极s分别与第二漏极d、第二液晶电容Clc2的一端以及第二存储电容Cst2的一端电性连接，所述第三栅极g用于与一第二栅极线电性连接。所述第一分压电容Ccs1的另一端分别与第一漏极d、第一液晶电容Clc1的一端以及第一存储电容Cst1的一端电性连接。所述第二分压电容Ccs2的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
所述多个像素单元100中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷。其中，主像素缺陷是指所述主像素110的第一薄膜晶体管T1或第一液晶电容Clc1出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷；子像素缺陷是指所述子像素130的第二薄膜晶体管T2或第三薄膜晶体管T3或第二液晶电容Clc2出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷。
当所述主像素110的第一薄膜晶体管T1或第一液晶电容Clc1出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷时，将第一薄膜晶体管T1的第一漏极d的接线切断(如图3A中x所示)，并将所述第一存储电容Cst1的两端焊接短路(如图3A中▃所示)，以防止所述主像素110的第一液晶电容Clc1被施加高电压而出现亮点缺陷。在对于具有主像素缺陷的像素单元100进行上述修复之后，当第一栅极线输入高电平、第二栅极线输入低电平时，第一薄膜晶体管T1无法正常工作，且第一液晶电容被Clc1短路，因而主像素110将会保持常暗状态；而第二薄膜晶体管T2、第三晶体管T3、第二液晶电容Clc2及第二存储电容Cst2依然正常工作，且在第二存储电容Cst2上存储电荷以维持一帧画面内余下画面的显示，因而对主像素110的上述修复不会对子像素130产生影响。
当所述子像素130的第二薄膜晶体管T2或第三薄膜晶体管T3或第二液晶电容Clc2出现故障而导致所述像素单元100出现的亮点缺陷时，将第二薄膜晶体管T2的第二漏极d的连接线、第三薄膜晶体管T3的第三漏极d的连接线及第三薄膜晶体管T3的第三源极s的连接线切断(如图3B中x所示)，并将所述第二存储电容Cst2的两端焊接短路(如图3B中▃所示)，以防止所述子像素130的第二液晶电容Clc2被施加高电压而出现亮点缺陷。在对于具有子像素缺陷的像素单元100进行上述修复之后，第二薄膜晶体管T2及第三薄膜晶体管T3无法正常工作，且第二液晶电容被Clc2短路，因而子像素130将会保持常暗状态；而第一薄膜晶体管T1、第一存储电容Cst1及第一液晶电容Clc1依然正常工作，且在第一存储电容Cst1上存储电荷以维持一帧画面内余下画面的显示，因而对子像素130的上述修复不会对主像素110产生影响。
本发明所述液晶面板的像素缺陷修复方法，通过将像素单元100具有缺陷的主像素110和子像素130分别进行暗点化修复，将具有缺陷的主像素110或子像素130的薄膜晶体管的接线进行切断处理，并将对应的具有缺陷的主像素110或子像素130的存储电容的两端焊接短路，使得对其中一组的修复不影响另一组的正常显示，有效缩减了液晶面板200的暗点化修复工序，节省生产成本，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸，提升产品品质。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括如下步骤：
提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；
判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。
2.如权利要求1所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极分别与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端电性连接，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接。
3.如权利要求2所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与所述第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与所述数据线电性连接，所述第二漏极分别与第二液晶电容的一端、第二存储电容的一端以及第三薄膜晶体管的第三源极电性连接，所述第二液晶电容的另一端用于与所述第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
4.如权利要求3所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极分别与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端电性连接，所述第三源极分别与第二漏极、第二液晶电容的一端以及第二存储电容的一端电性连接，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端分别与第一漏极、第一液晶电容的一端以及第一存储电容的一端电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
5.如权利要求4所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述第一修复方法为：将所述第一薄膜晶体管的第一漏极的接线切断，并将所述第一存储电容的两端焊接短路。
6.如权利要求4所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述第二修复方法为：将所述第二薄膜晶体管的第二漏极连接线、第三薄膜晶体管的第三漏极连接线及第三薄膜晶体管的第三源极连接线切断，并将所述第二存储电容的两端焊接短路。
7.如权利要求4所述的液晶面板的像素缺陷修复方法，其特征在于：所述主像素缺陷为所述主像素的第一薄膜晶体管或第一液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷；所述子像素缺陷为所述子像素的第二薄膜晶体管或第三薄膜晶体管或第二液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷。
8.一种液晶面板，包括多个像素单元，其特征在于：每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷，所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端的连接被切断，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。
9.一种液晶面板，包括多个像素单元，其特征在于：每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的子像素缺陷，所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与一第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与一数据线电性连接，所述第二漏极与所述第二液晶电容的一端、所述第二存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的第三源极的连接被切断，所述第二液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。
10.如权利要求9所述的液晶面板，其特征在于：所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端的连接被切断，所述第三源极与所述第二漏极、所述第二液晶电容的一端以及所述第二存储电容的一端的连接被切断，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端用于与所述主像素电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
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