CN104851404A - 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104851404A
CN104851404A CN201510309305.5A CN201510309305A CN104851404A CN 104851404 A CN104851404 A CN 104851404A CN 201510309305 A CN201510309305 A CN 201510309305A CN 104851404 A CN104851404 A CN 104851404A
Authority
CN
China
Prior art keywords
siding
data line
array base
base palte
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510309305.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104851404B (zh
Inventor
冯伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510309305.5A priority Critical patent/CN104851404B/zh
Publication of CN104851404A publication Critical patent/CN104851404A/zh
Priority to US15/096,706 priority patent/US10025153B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104851404B publication Critical patent/CN104851404B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136272—Auxiliary lines
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/12—Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置，该阵列基板包括：基底、形成在所述基底上的栅线图形和数据线图形，以及形成在所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形，还包括：与所述栅线图形同层形成的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于所述栅线图形中的栅线的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。本发明提供的阵列基板及其修复方法，可以在阵列基板出现数据线断路缺陷时快速的完成对该缺陷的修复。且修复工艺简单，易于实现。

Description

阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、于机等领域。
显示面板是TFT-LCD的主要部件，一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成，其中阵列基板包括若干栅线和数据线，由栅线提供开关扫描信号，由数据线提供数据扫描信号，栅线和数据线通常通过外围电路引线连接。在阵列基板的生产过程中，由于生产工序复杂，受生产工艺或厂房环境的影响，可能导致数据线断路的情况，这样会在显示画面中产生黑线，严重影响画面显示质量。现有技术中的阵列基板结构和修复工艺无法实现数据线断路这样的缺陷的快速简单修复。
发明内容
本发明的一个目的在于克服上述问题。
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：基底、形成在所述基底上的栅线图形和数据线图形，以及形成在所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形，其特征在于，还包括：与所述栅线图形同层形成的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于所述栅线图形中的栅线的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。
进一步的，所述栅线图形和数据线图形限定的多行像素中的每一行像素位置处均设置有一条备用线。
进一步的，所述栅绝缘层图形形成在所述栅线图形和所述备用线图形上方，所述数据线图形形成在所述栅绝缘层图形之上；所述阵列基板还包括：形成在所述栅绝缘层图形上的像素电极图形，所述像素电极图形包括对应于各个像素的像素电极块，形成在所述像素图形上方的钝化层图形以及形成在所述钝化层图形上方的公共电极图形；
其中，所述备用线图形中的各条备用线与位于该备用线上方的各个像素电极块存在垂直交叠区域，所述钝化层图形在所述垂直交叠区域内形成有定位孔；
所述备用线图形中的各条备用线延伸至所述阵列基板的边框区域，并在边框区域暴露。
进一步的，还包括形成在所述钝化层图形上方的孤岛电极图形，所述孤岛电极图形中的各个孤岛电极与所述公共电极图形中的公共电极隔离，并通过所述钝化层图形中的定位孔与所述像素电极图形中的像素电极相连。
进一步的，所述备用线图形中的备用线包括备用线主体和与所述备用线主体相连的导电片，所述导电片位于所述边框区域且暴露。
第二方面，本其特征在于，包括：
当所述阵列基板中的一条数据线断路时，将断路数据线未连接到数据驱动电路的一段数据线和与该段数据线存在垂直交叠区域且距离所述数据驱动电路最近的备用线的垂直交叠区域的栅绝缘层熔融掉，并将该备用线和与该断路数据线相邻的一条数据线的垂直交叠区域的栅绝缘层熔融掉，使该段数据线通过该备用线连接至该相邻的数据线。
进一步的，还包括：
当一条数据线与一条栅线短路时，将该数据线自短路处熔断，使该数据线分成不与该栅线相连的两段，并按照数据线断路时的处理步骤进行处理。
第三方面，本发明提供了一种上述任一项所述的阵列基板进行测试的方法，其特征在于，包括：
在需要对一个像素进行测试时，将该像素的定位孔位置处的栅绝缘层材料熔融掉，使该像素定位孔处的像素电极和像素电极下方的备用线相连。
第四方面，本发明提供了一种制作上述任一项所述的阵列基板的方法，包括：在基底上形成栅线图形和数据线图形以及所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形，其特征在于，包括：形成与所述栅线图形同层的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于栅线设置的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。
进一步的，形成与所述栅线图形同层的备用线图形包括：在形成所述栅线图形的同一工艺形成所述备用线图形。
进一步的，所述阵列基板具有孤岛电极图形时，所述方法还包括：
在形成所述公共电极图形的同一工艺中形成孤岛电极图形。
第五方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明提供的阵列基板及其修复方法，可以在阵列基板出现数据线断路缺陷时快速的完成对该缺陷的修复。且修复工艺简单，易于实现。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7-图9为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例一提供阵列基板的结构可以参考图1和4，包括：基底1(图1中未示出)、形成在基底1上的栅线图形和数据线图形，栅线图形中的各行栅线21、22、23与数据线图形中的各列数据线31、32、33垂直相交，将阵列基板划分为多个像素，还包括与栅线图形同层形成的备用线图形，该备用线图形包括多个与栅线图形中的栅线向平行的备用线41、42、43，其中每一行像素的位置处形成有一条备用线，该备用线与该行的各个像素所连接的数据线存在垂直交叠区域。另外，栅线图形和备用线图形与数据线图形之间还形成有用于使栅线图形和备用线图形与数据线图形隔离的栅绝缘层5(图1中未示出)。
不难理解的是，这里所指的备用线和数据线存在垂直交叠区域是指备用线和数据线在基底1上的投影存在重叠，而备用线和数据线之间由于存在栅绝缘层而不直接接触。
图1中的阵列基板发生数据线断路缺陷(Do)或者数据线与栅线短路(DGs)缺陷时可以很容易被修复，下面结合图2和图3分别进行说明。
如图2所示，当数据线32在备用线42和备用线43(其中备用线41比备用线42更靠近数据驱动电路，备用线42比备用线43更靠近数据驱动电路)之间的位置断路时，可以将未连接到数据驱动电路的一段数据线322与备用线43垂直交叠的区域的栅绝缘层熔融掉，并将与该数据线32相邻的数据线31与该备用线43垂直交叠的区域的栅绝缘层熔融掉，使该段数据线322在与该备用线43的垂直交叠区域连接到该备用线43(图中用黑色实心圆点表示两条线的连接)，数据线31在也连接到该备用线43。这样就将数据线32断路后不与数据驱动电路相连的一段连接到了相邻的数据线31上，而由于相邻行的像素的灰阶一般相差不大，因此不会对显示画面的质量造成太大的干扰。
参见图3，当数据线32与栅线22短路时，可以将数据线32熔断为不与栅线22相连的两段321和322，然后按照数据线32断路的修复方法将其中不与数据驱动电路相连的一段数据线322通过备用线43连接到相邻的数据线31上，具体过程不再详细说明。
参考图4，在具体实施时，可以使用激光轰击的方式将数据线段322以及数据线31与备用线43的交叠区域的栅绝缘层图形5熔融掉，使数据线段322以及数据线31连接到该备用线43。
不难理解的是，在图1中示出的是备用线和栅线紧邻设置的情况，然而在实际应用中，备用线也可以设置在像素中的其他位置，比如位于像素的中央位置，相应的技术方案也能够达到本发明的基本目的，相应的，也应该落入本发明的保护范围。
不难理解的是，虽然在图1和4中示出的是数据线位于备用线和栅线上方(出光方向)上的情况，但是在实际应用中，备用线和栅线也可能形成在数据线的上方，在能够解决本发明所要解决的技术问题的情况下，备用线和栅线与数据线的位置关系本发明并不做限定。
另外，如图1-3所示，各个像素内还形成有薄膜晶体管TFT结构和像素电极图形，TFT结构的连接像素电极图形中的各个像素电极块(611-613、621-623、631-633)、栅线和数据线，其具体结构可以参考现有技术，本发明不再详细说明。
本发明实施例一提供的阵列基板以及对其的修复方法，可以很简单的实现对其中发生的Do缺陷和DGs缺陷的修复。不难理解的是，虽然本发明实施例中是以在每一行像素的位置处设置一条备用线进行的说明，但是在实际应用中，也可以仅周期性的在其中的一些行像素的位置处均设置备用线。这种情况下，仍然可以采用上述的修复方式进行修复，相应的技术方案也应落入本发明的保护范围。
实施例二
现有技术中的H-ADS阵列基板中，由于像素电极制作在公共电极层的下方，无法将测试端连接到像素电极上，无法实现相应的电学性能测试。为了克服这样的问题，本发明实施例二提供了一种新型的H-ADS阵列基板。
参考图5和6所示，实施例二提供的阵列基板为H-ADS(高开口率边缘电场切换)基板，与实施例一提供的阵列基板相比，该还包括：形成在像素电极图形之上的钝化层图形7以及形成在钝化层图形7之上的公共电极图形8；各条备用线图形与其上方像素电极块存在垂直交叠区域，钝化层图形7在对应于该垂直交叠区域的位置形成有定位孔A，该包括形成在钝化层图形7上的孤岛电极图形10，该孤岛电极图形10通过该定位孔A与其下方的像素电极块相连。
这里的垂直交叠区域与实施例一中的垂直交叠区域的理解一致，在此不再详细说明。
另外，如图5所示，备用线图形中的各条备用线延伸至阵列基板的边框区域，在边框区域，备用线暴露，可接入测试电极。更进一步的，每一条备用线包括备用线主体M和导电片P，该导电片P上形成有接线孔H。
本发明实施例中，由于备用线图形中的各条备用线延伸至边框区域并在边框区域暴露，可以通过在边框区域的备用线上接入测试针脚实现对与该备用线相连的任一像素的电学性能测试。
下面结合图6进行说明，对包含本发明实施例二提供的阵列基板的显示装置的电学性能测试过程进行说明，假设需要对像素电极图形中的像素电极块622对应的像素进行测试时，可以将在像素电极块622对应的定位孔A处的栅绝缘层材料熔融掉，使该像素电极块622经定位孔A连接到备用线43上，之后在备用线43的导电片P上的接线孔H上插入测试针脚，这样就将测试阵脚连接到了相应的像素电极，之后通过在栅线和数据线施加相应的测试信号，就能够实现对该像素电极块622的测试。
不难理解的是，本发明实施例中设置的导电片和定位孔，均是为了方便测试人员方便的将测试针脚连接到测试线。就为了实现对像素电极块的测试而言，上述的导电片和定位孔均不是必须设置的结构。
同时，本发明实施例中，由于孤岛电极图形的存在，能够使得在进行熔融时，有足够多的导电材料填充到栅绝缘层材料被熔融后产生的过孔中，能够确保像素电极与备用线连接在一起。在像素电极块和栅绝缘层的厚度本身足以使栅绝缘层材料被熔融后像素电极块和栅线连接在一起的情况下，上述的孤岛电极图形并不是必然设置的结构，也就是说，可以将定位孔处的公共电极材料挖空。
另一方面，还提供了一种阵列基板的制作方法，可用于制作图实施例一或二提供的阵列基板，该方法包括：
在基底上形成栅线图形和数据线图形以及所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形；
形成与所述栅线图形同层的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于栅线设置的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。
本发明提供的阵列基板制作方法所制作的阵列基板，可以在阵列基板出现数据线断路缺陷时快速的完成对该缺陷的修复。
在具体实施时，可以在形成所述栅线图形的同一工艺形成所述备用线图形，当上述的制作方法用以制作实施例二的阵列基板时；
另外，上述的方法还可以包括：在形成所述公共电极图形的同一工艺中形成孤岛电极图形。
这样做的好处是能够降低制作工艺的复杂程度。
下面结合附图对制作实施例二所示的阵列基板的流程进行简要说明：
步骤S1，如图7所示，在基底1上形成栅线图形和备用线图形，该栅极图形包括多条栅线21、22、23、备用线图形包括多条备用线41、42、43；
步骤S2，参见图8，在栅线图形和备用线图形上方形成栅绝缘层5，并在栅绝缘层5的上方形成有源层图形，为形成有源层图形之后的情况(栅绝缘层5以及有源层图形未示出)；并形成源漏电极图形和数据线图形，该数据线图形包括多条数据线31、32、33，源漏电极图形包括多组源漏电极；至此形成了薄膜晶体管结构9；
步骤S3，参见图9，形成像素电极图形，源漏电极图形中的源漏电极与像素电极图形中的各个像素电极块对应相连；
步骤S4，在像素电极图形之上形成钝化层图形7，其中该钝化层图形在备用线的上方的位置形成有定位孔A(图中未示出)，并在钝化层图形之上形成公共电极图形8和孤岛电极图形10，其中孤岛电极图形填充到定位孔A中，通过定位孔A与对应的像素电极块相连。步骤S5之后得到的阵列基板的结构可以如图6所示。
另一方面，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一项所述的阵列基板。具体的，该显示装置可以为手机、电脑、电视机、平板电脑等任何具有显示功能的装置。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但是，本发明的保护范围不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替代，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种阵列基板，包括：基底、形成在所述基底上的栅线图形和数据线图形，以及形成在所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形，其特征在于，还包括：与所述栅线图形同层形成的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于所述栅线图形中的栅线的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线图形和数据线图形限定的多行像素中的每一行像素位置处均设置有一条备用线。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层图形形成在所述栅线图形和所述备用线图形上方，所述数据线图形形成在所述栅绝缘层图形之上；所述阵列基板还包括：形成在所述栅绝缘层图形上的像素电极图形，所述像素电极图形包括对应于各个像素的像素电极块，形成在所述像素图形上方的钝化层图形以及形成在所述钝化层图形上方的公共电极图形；
其中，所述备用线图形中的各条备用线与位于该备用线上方的各个像素电极块存在垂直交叠区域，所述钝化层图形在所述垂直交叠区域内形成有定位孔；
所述备用线图形中的各条备用线延伸至所述阵列基板的边框区域，并在边框区域暴露。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成在所述钝化层图形上方的孤岛电极图形，所述孤岛电极图形中的各个孤岛电极与所述公共电极图形中的公共电极隔离，并通过所述钝化层图形中的定位孔与所述像素电极图形中的像素电极相连。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述备用线图形中的备用线包括备用线主体和与所述备用线主体相连的导电片，所述导电片位于所述边框区域且暴露。
6.一种修复如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：
当所述阵列基板中的一条数据线断路时，将断路数据线未连接到数据驱动电路的一段数据线和与该段数据线存在垂直交叠区域且距离所述数据驱动电路最近的备用线的垂直交叠区域的栅绝缘层熔融掉，并将该备用线和与该断路数据线相邻的一条数据线的垂直交叠区域的栅绝缘层熔融掉，使该段数据线通过该备用线连接至该相邻的数据线。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
当一条数据线与一条栅线短路时，将该数据线自短路处熔断，使该数据线分成不与该栅线相连的两段，并按照数据线断路时的处理步骤进行处理。
8.一种对如权利要求3-5任一项所述的阵列基板进行测试的方法，其特征在于，包括：
在需要对一个像素进行测试时，将该像素的定位孔位置处的栅绝缘层材料熔融掉，使该像素定位孔处的像素电极和像素电极下方的备用线相连。
9.一种制作如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的方法，包括：在基底上形成栅线图形和数据线图形以及所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形，其特征在于，包括：形成与所述栅线图形同层的备用线图形；所述备用线图形包括多条平行于栅线设置的备用线，各条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处，并与所述数据线图形中的各条数据线存在垂直交叠区域。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成与所述栅线图形同层的备用线图形包括：在形成所述栅线图形的同一工艺形成所述备用线图形。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阵列基板为如权利要求4所述的阵列基板，所述方法还包括：
在形成所述公共电极图形的同一工艺中形成孤岛电极图形。
12.一种显示装置，其特征在于，包括上述任一项所述的阵列基板。
CN201510309305.5A 2015-06-04 2015-06-04 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置 Expired - Fee Related CN104851404B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510309305.5A CN104851404B (zh) 2015-06-04 2015-06-04 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置
US15/096,706 US10025153B2 (en) 2015-06-04 2016-04-12 Array substrate and repairing method thereof, testing method thereof, manufacturing method thereof, display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510309305.5A CN104851404B (zh) 2015-06-04 2015-06-04 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104851404A true CN104851404A (zh) 2015-08-19
CN104851404B CN104851404B (zh) 2018-09-04

Family

ID=53851012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510309305.5A Expired - Fee Related CN104851404B (zh) 2015-06-04 2015-06-04 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10025153B2 (zh)
CN (1) CN104851404B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105188009A (zh) * 2015-08-31 2015-12-23 武汉科技大学 一种耳机线材短路自动检测与修复方法及装置
CN105425490A (zh) * 2016-01-04 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN106935170A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性显示装置
CN108873552A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 一种电子纸显示基板、显示面板及显示装置
CN108932922A (zh) * 2018-07-03 2018-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种修复能力测试装置及方法
CN110797350A (zh) * 2019-11-01 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及oled显示面板
CN111785231A (zh) * 2020-07-09 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光感驱动电路及其驱动方法，显示面板及显示装置
CN112928123A (zh) * 2019-11-21 2021-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示面板、显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847142A (zh) * 2017-02-23 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 栅极驱动电路的检测装置及检测方法
JP2019185462A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 シャープ株式会社 タッチパネル付き表示装置、及びその修正方法
CN108873529B (zh) * 2018-07-27 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007156338A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Sharp Corp ディスプレイパネルの修理方法
US20070284578A1 (en) * 2006-05-22 2007-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method of testing
CN101446724A (zh) * 2008-12-16 2009-06-03 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置、阵列基板及其缺陷修补方法
CN101614916A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法
CN101770122A (zh) * 2008-12-31 2010-07-07 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法和测试方法
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103633101A (zh) * 2013-11-15 2014-03-12 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN103745970A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、修复方法、显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5303074A (en) * 1991-04-29 1994-04-12 General Electric Company Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices
US5608245A (en) * 1995-12-21 1997-03-04 Xerox Corporation Array on substrate with repair line crossing lines in the array
US6822701B1 (en) * 1998-09-04 2004-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
JP4584387B2 (ja) * 1999-11-19 2010-11-17 シャープ株式会社 表示装置及びその欠陥修復方法
TWI282457B (en) * 2000-04-06 2007-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect
JP2004054069A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Advanced Display Inc 表示装置及び表示装置の断線修復方法
US7265386B2 (en) * 2005-08-29 2007-09-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
CN101399272B (zh) * 2007-09-27 2011-10-12 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN100533239C (zh) * 2007-10-23 2009-08-26 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示面板
WO2009066498A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、液晶パネル、テレビジョン受像機、液晶パネルの製造方法
CN101216643B (zh) * 2007-12-26 2010-12-08 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置阵列基板、其修补方法及液晶显示装置
JP5579842B2 (ja) * 2010-06-02 2014-08-27 シャープ株式会社 液晶表示装置および表示欠陥修正方法
JP5677580B2 (ja) * 2011-08-10 2015-02-25 シャープ株式会社 液晶表示パネル
CN104685556B (zh) * 2012-10-01 2017-05-03 夏普株式会社 电路基板和显示装置
CN102937764B (zh) * 2012-10-17 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法
KR102005498B1 (ko) * 2013-01-02 2019-07-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그것을 포함하는 액정 표시 장치
KR102074424B1 (ko) * 2013-03-04 2020-02-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3086170B1 (en) * 2015-04-21 2020-12-02 LG Display Co., Ltd. Liquid crystal display

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007156338A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Sharp Corp ディスプレイパネルの修理方法
US20070284578A1 (en) * 2006-05-22 2007-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method of testing
CN101614916A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法
CN101446724A (zh) * 2008-12-16 2009-06-03 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置、阵列基板及其缺陷修补方法
CN101770122A (zh) * 2008-12-31 2010-07-07 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法和测试方法
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103633101A (zh) * 2013-11-15 2014-03-12 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN103745970A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、修复方法、显示装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105188009A (zh) * 2015-08-31 2015-12-23 武汉科技大学 一种耳机线材短路自动检测与修复方法及装置
CN105188009B (zh) * 2015-08-31 2018-10-30 武汉科技大学 一种耳机线材短路自动检测与修复方法及装置
CN106935170A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性显示装置
CN105425490A (zh) * 2016-01-04 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN108873552A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 一种电子纸显示基板、显示面板及显示装置
CN108932922A (zh) * 2018-07-03 2018-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种修复能力测试装置及方法
CN110797350A (zh) * 2019-11-01 2020-02-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及oled显示面板
CN110797350B (zh) * 2019-11-01 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及oled显示面板
CN112928123A (zh) * 2019-11-21 2021-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111785231A (zh) * 2020-07-09 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光感驱动电路及其驱动方法，显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160358524A1 (en) 2016-12-08
CN104851404B (zh) 2018-09-04
US10025153B2 (en) 2018-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104851404A (zh) 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置
CN103278987B (zh) 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
TWI471846B (zh) 主動矩陣型的矩陣型液晶顯示器
CN102722058B (zh) 一种液晶阵列基板及其制造方法、修复方法
CN201886234U (zh) 液晶显示基板和液晶显示器
JP2007298791A (ja) 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
CN103984174A (zh) 一种像素结构及其制造方法与修复方法
CN102437113B (zh) 有源矩阵有机发光显示器阵列基板信号断线的修复方法
WO2020083360A1 (zh) 栅线断路及栅线与数据线短路的修复方法、修复结构
CN104656324A (zh) 阵列基板及其制作方法以及显示装置
CN108646476A (zh) 一种液晶面板的断线修复方法
CN103197478A (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
CN101424840A (zh) 液晶显示装置的修复方法
CN104298035A (zh) 阵列基板、阵列基板的数据线断线的修复方法、显示装置
CN101644838A (zh) 液晶面板修复线结构
CN100480785C (zh) 一种可修补数据线的缺陷的液晶显示面板及修补方法
CN108873529B (zh) 一种阵列基板及其修复方法、显示面板
CN102798999A (zh) 一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器
US20080174713A1 (en) Liquid crystal display panel with line defect repairing mechanism and repairing method thereof
JP2009276765A (ja) 薄膜トランジスターにおけるマザーボードのテストラインおよびその製造方法
CN108957804A (zh) 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
CN104460067A (zh) 像素、包括该像素的显示面板及其断线修复方法
CN106647081B (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN105572989A (zh) Tft阵列基板、液晶显示面板及其修复方法
CN110764328B (zh) 显示基板及其维修方法、和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180904

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee