CN100555051C - 液晶显示装置阵列基板及其缺陷修补方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置阵列基板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置并限定多个像素区域；像素电极，位于所述像素区域；所述多条栅极线与多条数据线分别设置于栅极线层和数据线层；薄膜晶体管，包括有源区、栅极、源极及漏极，其中所述栅极、源极与漏极分别电性连接栅极线、数据线与像素电极；同时公开了一种液晶显示装置阵列基板的点和/或线缺陷的修补方法。通过本发明修补后可构成一个新的薄膜晶体管，代替像素失效的薄膜晶体管，从而实现对阵列基板点缺陷的完全修复，使阵列基板达到较好的显示状态，同时可以用于修补数据线上断线、数据线与栅极线交叉部位的短路、断路问题，以及点缺陷问题的所有结构。

Description

液晶显示装置阵列基板及其缺陷修补方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，更具体地说是涉及一种能够修补点缺陷和/或线缺陷的液晶显示装置阵列基板及其修补方法。

背景技术

液晶显示器作为平板显示器的一种已被广泛的应用在各个领域中。通常，液晶显示器具有两个含有电极的基板，用于产生电场，和设置在两基板之间的液晶层，并通过两基板上的电极控制施加到该液晶层的电场强度来控制入射光的透射率，从而实现对显示面板亮与暗的控制。

图1是典型的液晶显示装置阵列基板的整体结构示意图。参照图1所示，多条栅极线12和数据线11相互交叉排列限定了多个像素区域，在各个像素区域中分别设置了由氧化铟锡(ITO)形成的像素电极13以及对施加到该像素电极的电压进行控制的薄膜晶体管14(Thin Film Transistor，TFT)，所述薄膜晶体管14的栅极、源极和漏极分别电性连接栅极线12、数据线11和像素电极13。

但是，在实际生产中，常因为制造工艺及其他因素导致产生线缺陷和/或点缺陷等问题。因此，需要修复点缺陷和/或线缺陷以提高液晶显示装置的成品率，降低生产成本。当发生线缺陷和/或点缺陷时，通常通过配置一条或多条修补线并利用激光焊接技术进行修补。

更具体的说，图2是现有技术中利用一条修补线进行点缺陷修补的液晶显示装置阵列基板的局部结构示意图。参照图2所示，多条栅极线12与多条数据线11相互交叉排列限定多个像素区域，在所述像素区域形成有多个像素电极，这里为区别不同的像素电极，将图2中所示位于上方的像素电极标示为10，将位于下方的像素电极标示为20。在每个像素区域分别设有TFT，像素电极10对应的TFT包括有栅极13、源极14和漏极15，其中栅极13电性连接栅极线12，源极14电性连接数据线11，漏极15通过通孔16电性连接像素电极。所述漏极15还包括第一延伸部15a与第二延伸部15b，第一延伸部15a跨越栅极线向上延伸到相邻像素，且与栅极线位于不同层，且两者之间隔有绝缘层，因此彼此电性隔离。在数据线11下方设置了修补线18，所述数据线11与修补线18位于不同层，且两者之间隔有绝缘层，因此彼此电性隔离。该修补线包括第一延伸部18a和第二延伸部18b。如图2所示，像素电极10所对应的修补线第一延伸部18a与像素电极10所对应的TFT漏极的第二延伸部15b在区域B处至少部分重叠，但是由于两者位于不同层，且中间隔有绝缘层，因此正常情况下彼此电性隔离；像素电极10所对应的修补线第二延伸部18b与像素电极20所对应的TFT漏极的第一延伸部25a在区域A处至少部分重叠，但是由于两者位于不同层，且中间隔有绝缘层，因此正常情况下彼此电性隔离。

当像素电极10所对应的像素的TFT发生各种缺陷导致无法正常控制该像素时，会使得该像素无法正常显示。依照上述结构，可以在重叠区域A和重叠区域B用激光熔融的方法电性连接修补线第一延伸部18a与像素电极10所对应的TFT漏极的第二延伸部15b以及修补线第二延伸部18b与像素电极20所对应的TFT漏极的第二延伸部25a。依照该修补方式，像素电极20所对应的TFT可以同步控制像素电极10，以此达到修补的目的。但是这种对像素点缺陷的修补并非是完全修复，经过修补的像素与正常像素之间还是存在着一定的差异。

现有技术中修补数据线在与栅极线交叉位置的断线缺陷是利用另外的修补线进行的。图3为修补交叉区域数据线断线缺陷的阵列基板局部结构示意图，如图3所示，数据线11与栅极线12交叉排列，修补线17的两端分别与交叉位置上方和下方的数据线部分重叠。修补线17与栅极线与数据线分别位于不同层，且彼此都互相电性隔离，所述修补线可以用与像素电极同层的ITO来形成。当数据线在与栅极线的交叉位置发生断线缺陷的时候，可以用激光熔融的方式分别电性连接修补线两端分别与数据线重叠的区域，这样通过修补线17断线缺陷可以得到修补。此种技术不足之处在于如果同时发生点缺陷与线缺陷，则必须分别设置修补线路，工艺比较复杂。

综上所述，现有技术中对像素点缺陷的修补并非是完全修复，因此经过修补的像素与正常像素之间还是存在着差异，在显示效果上与其他正常状态的像素相比存在一定的偏差，无法达到与正常像素相同的显示品质。此外，现有技术对于点缺陷与线缺陷的修补一般是分别设置修补线路，无法用一个修补线路来同时实现线缺陷修补与点缺陷的修补。

发明内容

本发明提供一种液晶显示装置阵列基板及其修补方法，该阵列基板能够实现像素点缺陷的完全修复，更进一步的，能够修补线缺陷和/或点缺陷。

为解决上述问题，本发明提供了一种液晶显示装置阵列基板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置并限定多个像素区域；像素电极，位于所述像素区域；所述多条栅极线与多条数据线分别设置于栅极线层和数据线层；薄膜晶体管，包括有源区、栅极、源极及漏极。

所述阵列基板还包括第一修补线和第二修补线，所述第一修补线至少与数据线部分重叠；所述第二修补线至少部分位于有源区上方且与所述第一修补线至少部分重叠。

所述第二修补线与数据线位于同一层。

所述第一修补线与栅极线位于同一层。

所述第一修补线与像素电极位于同一层。

所述第一修补线沿着数据线延伸。

所述薄膜晶体管损坏后由所述第二修补线、所述漏极、栅极以及有源区构成修补后的薄膜晶体管代替。

当出现像素点缺陷时，按如下步骤进行修补：

电性连接缺陷像素所对应的第一修补线与数据线。

电性连接所述第一修补线与第二修补线。

切断缺陷像素的薄膜晶体管源极与数据线的连接。

一种液晶显示装置阵列基板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线正交设置并限定多个像素区域；像素电极，位于所述像素区域；所述多条栅极线与多条数据线分别设置于栅极线层和数据线层；所述像素区域包括至少两个有源区，第一有源区和第二有源区；薄膜晶体管，包括第一有源区、栅极、源极及漏极。

所述阵列基板还包括第一修补线、第二修补线和第三修补线，所述第一修补线至少与数据线部分重叠；所述第二修补线至少部分位于第二有源区上方且与所述第一修补线至少部分重叠；所述第三修补线至少部分位于第二有源区上方，所述薄膜晶体管损坏后由所述第二修补线与所述第二有源区、第三修补线、栅极线构成的独立的薄膜晶体管代替。

所述第三修补线一部分与栅极线重叠，另一部分与像素电极重叠，且与第二修补线位于同一层。

所述第二修补线与数据线位于同一层。

所述第一修补线与栅极线位于同一层。

所述第一修补线与像素电极位于同一层。

所述第一修补线沿着数据线延伸。

所述薄膜晶体管损坏后由所述第二修补线、所述第二有源区、第三修补线以及栅极构成的独立的薄膜晶体管代替。

当出现像素点缺陷时，按如下步骤进行修补。

电性连接缺陷像素所对应的第一修补线与数据线。

电性连接所述第一修补线与第二修补线。

切断缺陷像素的薄膜晶体管源极与数据线的连接。

电性连接第三修补线与像素电极。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明修补后构成一个新的薄膜晶体管，代替像素失效的薄膜晶体管，而不必利用下一个像素的薄膜晶体管间接控制损坏像素，从而实现对阵列基板点缺陷的完全修复，使阵列基板达到较好的显示状态。

本发明可以用于修补数据线上断线、数据线与栅极线交叉部位的短路、断路问题，以及点缺陷问题的所有结构。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。在附图中，为清楚明了，放大了层和区域的厚度。

图1是典型的液晶显示装置阵列基板的整体结构示意图；

图2是现有技术修补点缺陷的液晶显示装置阵列基板的局部结构示意图；

图3是现有技术修补数据线在与栅极线交叉处的线缺陷的液晶显示装置阵列基板的局部结构示意图；

图4是实施例一所述液晶显示装置阵列基板的局部的结构示意图；

图5是图4中沿I-I方向的剖视图；

图6是图4中沿II-II方向的剖视图；

图7是实施例一修补数据线在与栅极线交叉处的线缺陷的结构示意图；

图8是实施例一修补像素点缺陷的结构示意图；

图9是实施例一修补数据线上非交叉处线缺陷的结构示意图；

图10是实施例二所述液晶显示装置阵列基板的局部的结构示意图

图11是图10中沿I-I方向的剖视图；

图12是图10中沿II-II方向的剖视图；

图13是实施例二修补数据线在与栅极线交叉处的线缺陷的结构示意图；

图14是实施例二修补像素点缺陷时的结构示意图。

图15是实施例二修补数据线上非交叉处线缺陷的结构示意图；

图16是实施例三所述液晶显示装置阵列基板的结构示意图；

图17是实施例三修补数据线在与栅极线交叉处的线缺陷的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。

实施例一

在以下本实施例所述的结构中，既可以修补线缺陷又可以修补点缺陷。参照图4～图9说明本实施例液晶显示装置阵列基板的结构和修补方法。

图4是本实施例的液晶显示装置阵列基板局部结构示意图。参照图4所示，203为数据线，201为栅极线，数据线203与栅极线201分别设置于数据线层与栅极线层，多条数据线与多条栅极线交叉设置限定多个像素区域，在每个像素区域内设有TFT与像素电极，为了更显著的表示本发明的结构特征，图4中只示意出了位于交叉位置的TFT213以及分别位于栅极线201上方与下方的两个像素区域的部分像素电极210a和210b，所述TFT213包括有源区211、漏极208，源极209，栅极，其中源极209电性连接数据线203，栅极电性连接栅极线(图中所示，栅极为栅极线201的一部分)漏极208通过接触孔215与像素电极210a电性连接。

图5为图4中沿I-I方向的剖视图，其中221为玻璃基板，201为栅极线，222为栅极绝缘层，211为有源区，208为漏极，209为源极，223为钝化层，210a为像素电极，215为通孔。如图5所示，有源区211位于栅极线201及栅极绝缘层222上方，源极209与漏极208设置在有源区上方，像素电极210a由通孔215电性连接漏极208。

在本实施例中，数据线下方设有第一修补线205，有源区211上方设有第二修补线207，第二修补线207与第一修补线205至少部分重叠，如图4所示，像素电极210a所对应的数据线下方的第一修补线205与第二修补线207在区域A处重叠，同时像素电极210b所对应的数据线下方的第一修补线205与第二修补线207在区域B处重叠。

图6为图4中沿II-II方向的剖视图，其中221为玻璃基板，201为栅极线，205为第一修补线，222为栅极绝缘层，211为有源区，207为第二修补线，203为数据线，223为钝化层。如图6所示，在玻璃基板221上形成有栅极线201与第一修补线205，栅极绝缘层222覆盖栅极线201与第一修补线205，有源区211位于栅极绝缘层222上方，第二修补线207位于有源区211的上，且第二修补线与数据线203位于同一层。

本实施例所述的结构可用于修补数据线在与栅极线交叉处的缺陷。参照图7所示，数据线203在与栅极线201交叉的位置发生断线缺陷，G为断线处。本实施例中，可以依照如下步骤进行修补：首先分别在断线处G两端的第一修补线205与数据线203重叠的区域各取一个焊接点C和D，利用激光将焊接点C和D处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿，从而使数据线203与其下方的第一修补线205电性连接；然后再用同样的方法将第一修补线与第二修补线的重叠区域A和B处的栅极绝缘层击穿，从而使第二修补线207与其下方的第一修补线205电性连接，此时，信号从数据线203上经由焊接点C传输至第一修补线205，然后再经由重叠区域A传输至第二修补线207，再经由重叠区域B传输至第一修补线205，最后经由焊接点D传输至数据线203上，即数据线203上的信号由焊接点C和D以及重叠区域A和B所形成的桥型通路CABD传输，从而完成对交叉处G发生断线时的修补。

优选的，本修补方式中，可以用激光切断源极209与数据线203的电连接。此时有源区211、第二修补线207、栅极(图中所示，栅极为栅极线201的一部分)及漏极208可以构成一个新的薄膜晶体管，代替原来的薄膜晶体管213。

同时，本实施例也可用于修补像素点缺陷。参照图8所示，当薄膜晶体管213因例如源极209与漏极208发生短路的原因而导致TFT失效时，可以依照如下步骤进行修补：首先切断源极209与数据线203的电连接，如图8所示的，将源极209在位置F处切断；而后电性连接数据线203与第一修补线205，如图8所示，在像素电极210b对应的数据线203与位于其下方的第一修补线205的重叠位置选取一个焊接点D，用激光将焊接点D处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿；最后电性连接第二修补线207与第一修补线205，如图8所示，用激光将第一修补线与第二修补线的重叠区域B处的栅极绝缘层击穿。此时，数据线上的信号由焊接点D以及重叠区域B传输到第二修补线207上，因为原来TFT的源极209已经和数据线203切断，失去了原有功能，而第二修补线207位于有源区211上方，可以取代原来源极209的功能，并与漏极208及栅极(图中所示，栅极为栅极线201的一部分)构成一个新的薄膜晶体管，代替像素失效的薄膜晶体管213，从而实现对阵列基板点缺陷的完全修复。

另外，上述修补点缺陷的步骤中，也可以不在焊接点D和重叠区域B处进行激光处理，而在像素电极210a对应的数据线203与位于其下方的第一修补线205的重叠位置选取一个焊接点C，用激光将焊接点C处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿，同时用激光将第一修补线与第二修补线的重叠区域A处的栅极绝缘层击穿，从而使得数据线上的信号可以由焊接点C以及重叠区域A传输到第二修补线207上，同样可以实现对阵列基板点缺陷的完全修复。

当然，上述修补点缺陷的步骤中，也可以同时对焊接点C和D以及重叠区域A和B处激光处理来进行修补。

以上只揭示了本实施例分别修复线缺陷和点缺陷的情况，但并不仅限于此，本领域的技术人员应该清楚，依照本实施例的修补结构也能够同时修补数据线在与栅极线交叉处发生断线缺陷和像素点缺陷。

另外，依照本实施例揭示的结构还可以对发生在数据线其他位置的断线缺陷进行修补，具体如下所述。

图9是本实施例修补数据线非交叉位置的断线缺陷时液晶显示装置阵列基板局部结构示意图。参照图9所示，数据线203在与栅极线201交叉位置以外其他位置上发生断线，例如断线处E，依照本发明，可以依如下步骤进行修补：分别在断线处E两端第一修补线205与数据线203重叠的区域各取一个焊接点C和D，然后利用激光将焊接点C和D处第一修补线与数据线之间的栅极绝缘层击穿，从而使数据线203在C和D处分别与其下方的第一修补线205电性连接，因而数据线上的信号可以通过第一修补线205进行传输，从而实现对断线处E的修补。

因此，依照本实施例的修补结构，可以同时修补数据线在各个位置发生断线缺陷和像素点缺陷。

实施例二

在以下本实施例所述的结构中，既可以修补线缺陷又可以修补点缺陷。参照图10～图15说明本实施例液晶显示装置阵列基板的结构和修补方法。

图10是本实施例的液晶显示装置阵列基板局部结构示意图。本实施例结构的特点是设置了第二有源区，其能够在原薄膜晶体管失效时形成一个新的薄膜晶体管，从而达到独立修补点缺陷的目的，同时也能够如实施例一一样修补发生在数据线上的线缺陷。

参照图10所示，303为数据线，301为栅极线，数据线303与栅极线301分别设置于数据线层与栅极线层，多条数据线与多条栅极线交叉设置限定多个像素区域，在每个像素区域内设有TFT与像素电极，为了更显著的表示本发明的结构特征，图10中只示意出了位于交叉位置的TFT313以及分别位于栅极线301上方与下方的两个像素区域的部分像素电极310a和310b，所述TFT313包括：第一有源区311a、漏极308，源极309，栅极(图中所示，栅极为栅极线301的一部分)，其中源极309电性连接数据线303，漏极308通过接触孔315与像素电极310a电性连接。

在本实施例中，数据线下方设有第一修补线305，独立于第一有源区311a还设有第二有源区311b，所述第二有源区311b设置在栅极线301的上方，在第二有源区311b上方设有第二修补线307和第三修补线316。第二修补线307与第一修补线305至少部分重叠，如图10所示，像素电极310a所对应的数据线下方的第一修补线305与第二修补线307在区域A处重叠，同时像素电极310b所对应的数据线下方的第一修补线305与第二修补线307在区域B处重叠。第三修补线316与像素电极310a至少部分重叠，并通过通孔314与像素电极310a电性连接。

图11为图10中沿I-I方向的剖视图，其中321为玻璃基板，301为栅极线，305为第一修补线，322为栅极绝缘层，311b为第二有源区，307为第二修补线，303为数据线，323为钝化层。如图11所示，在玻璃基板321上形成有栅极线301与第一修补线305，栅极绝缘层322覆盖栅极线301与第一修补线305，第二有源区311b位于栅极绝缘层322上方，第二修补线307位于第二有源区311b的上，且第二修补线307与数据线303位于同一层。

图12为图10中沿II-II方向的剖视图，其中321为玻璃基板，301为栅极线，322为栅极绝缘层，311b为第二有源区，307为第二修补线，316为第三修补线，323为钝化层，310a为像素电极，314为通孔。如图12所示，在玻璃基板321上形成有栅极线301，栅极绝缘层322覆盖栅极线301，第二有源区311b位于栅极线301及栅极绝缘层322上方，第二修补线307位于第二有源区311b的上方，且与第三修补线位于同一层，第三修补线316也位于第二有源区311b上方，像素电极310a由通孔314与第三修补线连接。

本实施例所述的结构可修补数据线在与栅极线交叉处的缺陷，例如参照图13所示，当数据线303与栅极线301的交叉处G发生短路时，即数据线303与栅极线301在G处电性连接，可依照如下步骤进行修补：用激光在数据线303与栅极线交叉位置以外的E1和E2处将数据线切断；而后电性连接数据线303与第一修补线305，如图13所示，在像素电极310a对应的数据线303与位于其下方的第一修补线305的重叠位置选取一个焊接点C，以及在像素电极310b对应的数据线303与位于其下方的第一修补线305的重叠位置选取一个焊接点D，用激光将焊接点C，D处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿；最后电性连接第二修补线307与第一修补线305，如图13所示，用激光将第一修补线与第二修补线的重叠区域A和B处的栅极绝缘层击穿。此时，信号从数据线303上经由焊接点C传输至第一修补线305，然后再经由重叠区域A传输至第二修补线307，再经由重叠区域B传输至第一修补线305，最后经由焊接点D传输至数据线303上，即数据线303上的信号由焊接点C和D以及重叠区域A和B所形成的桥型通路CABD传输，从而完成对交叉处G发生短路时的修补。

优选的，本修补方式中，可以用激光切断源极309与数据线303的电连接。此时位于第二有源区311b上的第三修补线316、同样设置在第二有源区311b上方的第二修补线307以及第二栅极(图中所示，栅极为栅极线301的一部分)构成一个新的薄膜晶体管代替失效的原薄膜晶体管313。

此外，本实施例也能修补像素点缺陷，参照图14所示，当源极309与漏极308发生短路而导致薄膜晶体管313失效，从而使阵列基板发生点缺陷时，可用激光将源极309在F处切断，使其与数据线303断路，则废弃原有薄膜晶体管313；而后电性连接数据线303与第一修补线305，如图14所示，在像素电极310b对应的数据线303与位于其下方的第一修补线305的重叠位置选取一个焊接点D，用激光将焊接点D处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿；最后电性连接第二修补线307与第一修补线305，如图14所示，用激光将第一修补线与第二修补线的重叠区域B处的栅极绝缘层击穿。此时数据线上的信号由焊接点D以及重叠区域B传输到第二修补线307，通孔314使第三修补线316和像素电极310a电性连接，此时位于第二有源区311b上的第三修补线316、同样设置在第二有源区311b上方的第二修补线307以及第二栅极(图中所示，栅极为栅极线301的一部分)构成一个新的薄膜晶体管代替失效的原薄膜晶体管313，其中，第二修补线307作为新的薄膜晶体管的源极，第三修补线316作为新的薄膜晶体管的漏极，第二栅极(图中所示，栅极为栅极线301的一部分)作为新的薄膜晶体管的栅极。由于新的薄膜晶体管完全独立于原有的薄膜晶体管313，并可单独工作，代替失效的薄膜晶体管313，从而实现对薄膜晶体管的完全修复，达到良好的显示效果。

另外，上述修补点缺陷的步骤中，也可以不在焊接点D和重叠区域B处进行激光处理，而在像素电极310a对应的数据线303与位于其下方的第一修补线305的重叠位置选取一个焊接点C，用激光将焊接点C处数据线与第一修补线之间的栅极绝缘层击穿，同时用激光将第一修补线与第二修补线的重叠区域A处的栅极绝缘层击穿，从而使得数据线上的信号可以由焊接点C以及重叠区域A传输到第二修补线307上，同样可以实现对阵列基板点缺陷的完全修复。

当然，上述修补点缺陷的步骤中，也可以同时对焊接点C和D以及重叠区域A和B处激光处理来进行修补。

需要说明的是，本实施例也可不设置所述的通孔314，而是第三修补线在314处与像素电极310a重叠，且之间有绝缘层，修补时用激光将绝缘层击穿即可。

与实施例一相同，以上只揭示了本实施例分别修复线缺陷和点缺陷的情况，但并不仅限于此，本领域的技术人员应该清楚，依照本实施例的修补结构也能够同时修补数据线在与栅极线交叉处发生断线缺陷和像素点缺陷。

本实施例揭示的结构也可以对发生在数据线上非交叉位置的断线缺陷进行修补，具体如下所述：

图15是本实施例修补数据线非交叉位置的断线缺陷时液晶显示装置阵列基板局部结构示意图。参照图15所示，数据线303在与栅极线301交叉位置以外其他位置上发生断线，例如断线处E，依照本发明，可以依如下步骤进行修补：分别在断线处E两端第一修补线305与数据线303重叠的区域各取一个焊接点C和D，然后利用激光将焊接点C和D处第一修补线与数据线之间的栅极绝缘层击穿，从而使数据线303在C和D处分别与其下方的第一修补线305电性连接，因而数据线上的信号可以通过第一修补线305进行传输，从而实现对断线处E的修补。

依照本实施例的修补结构，可以同时修补数据线在各个位置发生断线缺陷和像素点缺陷。

实施例三

上述第一修补线并不限于以上实施例揭示的结构，只要同时与数据线与第二修补线部分重叠即可实现修补数据线在交叉位置的断线缺陷与点缺陷的功能。以下本实施例参照图16和图17说明上述的液晶显示装置阵列基板的结构和修补方法。

图16是本实施例的液晶显示装置阵列基板的局部结构示意图。如图16所示，403为数据线，401为栅极线，数据线403与栅极线401分别设置于数据线层与栅极线层，多条数据线与多条栅极线交叉设置限定多个像素区域，在每个像素区域内设有TFT与像素电极，为了更显著的表示本发明的结构特征，图16中只示意出了位于交叉位置的TFT413以及分别位于栅极线401上方与下方的两个像素区域的部分像素电极410a和410b，所述TFT413包括：有源区411、漏极408、源极409及栅极(图中所示，栅极为栅极线401的一部分)，其中源极409电性连接数据线403，漏极408通过接触孔415与像素电极410a电性连接。第一修补线405，位于栅极线层，与数据线至少部分重叠；第二修补线407，位于数据线层，设置在有源区411上方，且第二修补线407与第一修补线405至少部分重叠，像素电极410a所对应的第一修补线405与第二修补线407在区域A处重叠，同时像素电极410b所对应的第一修补线405与第二修补线407在区域B处重叠。

以上所述的结构与实施例一都类似，不同之处在于，第一修补线405并不像实施例一中沿着数据线403的方向延伸，而是仅与数据线403交叉重叠，且之间隔有栅极绝缘层；像素电极410a所对应的第一修补线405与数据线403在区域C处重叠，同时像素电极410b所对应的第一修补线405与数据线403在区域D处重叠。

本实施例所述的结构可修补数据线在与栅极线交叉处的缺陷，例如参照图17所示，当数据线403与栅极线401的交叉处G发生短路时，即数据线403与栅极线401在G处电性连接，可依照如下步骤进行修补：用激光在数据线403与栅极线交叉位置以外的E1和E2处将数据线切断；利用激光将短路处G两端的第一修补线405与数据线403重叠区域C和D的栅极绝缘层击穿，从而使数据线403与其下方的第一修补线405电性连接；然后再用同样的方法将第一修补线与第二修补线的重叠区域A和B处的栅极绝缘层击穿，从而使第二修补线407与其下方的第一修补线405电性连接，此时，信号从数据线403上经由焊接点C传输至第一修补线405，然后再经由重叠区域A传输至第二修补线407，再经由重叠区域B传输至第一修补线405，最后经由焊接点D传输至数据线403上，即数据线403上的信号由焊接点C和D以及重叠区域A和B所形成的桥型通路CABD传输，从而完成对交叉处G发生短路时的修补。

优选的，本修补方式中，可以用激光切断源极409与数据线403的电连接。此时有源区411、第二修补线407、栅极(图中所示，栅极为栅极线401的一部分)与漏极408可以构成一个新的薄膜晶体管，代替原来的薄膜晶体管413。

同样的，本实施例也够能修补像素点缺陷，本领域的技术人员应该清楚，依照本实施例的修补结构也能够同时修补数据线在与栅极线交叉处发生断线缺陷和像素点缺陷，在此不再赘述。

因此，利用本发明的修补结构能够实现对像素点缺陷的完全修复修补，而且能够修补像素点缺陷和/或数据线上的各种线缺陷。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。

实施例中仅揭示了一个或两个有源区的结构，所述有源区也可以是多个，该结构修补方法与以上实施例也相同，在此不再重复。需要说明的是，所述第一修补线并不局限于实施例所述的位置，也可以由透明导电材料组成且位于所述数据线上方(与像素电极形成于同一层)。

任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (15)

1、一种液晶显示装置阵列基板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置并限定多个像素区域；像素电极，位于所述像素区域；所述多条栅极线与多条数据线分别设置于栅极线层和数据线层；薄膜晶体管，包括有源区、栅极、源极及漏极；

其特征在于：所述阵列基板还包括第一修补线和第二修补线，所述第一修补线至少与数据线部分重叠；所述第二修补线至少部分位于有源区上方且与所述第一修补线至少部分重叠。

2、根据权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第二修补线与数据线位于同一层。

3、根据权利要求2所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线与栅极线位于同一层。

4、根据权利要求2所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线与像素电极位于同一层。

5、根据权利要求1至4任一项所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线沿着数据线延伸。

6、根据权利要求5所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管损坏后由所述第二修补线、所述漏极、栅极以及有源区构成修补后的薄膜晶体管代替。

7、一种权利要求1所述液晶显示装置阵列基板的修补方法，其特征在于：当出现像素点缺陷时，按如下步骤进行修补：

电性连接缺陷像素所对应的第一修补线与数据线；

电性连接所述第一修补线与第二修补线；

切断缺陷像素的薄膜晶体管源极与数据线的连接。

8、一种液晶显示装置阵列基板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与所述多条栅极线正交设置并限定多个像素区域；像素电极，位于所述像素区域；所述多条栅极线与多条数据线分别设置于栅极线层和数据线层；所述像素区域包括至少两个有源区，第一有源区和第二有源区；薄膜晶体管，包括第一有源区，栅极、源极与漏极；

其特征在于：所述阵列基板还包括第一修补线、第二修补线和第三修补线，所述第一修补线至少与数据线部分重叠；所述第二修补线至少部分位于第二有源区上方且与所述第一修补线至少部分重叠；所述第三修补线至少部分位于第二有源区上方，所述薄膜晶体管损坏后由所述第二修补线与所述第二有源区、第三修补线、栅极构成的独立的薄膜晶体管代替。

9、根据权利要求8所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第三修补线一部分与栅极线重叠，另一部分与像素电极重叠，且与第二修补线位于同一层。

10、根据权利要求9所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第二修补线与数据线位于同一层。

11、根据权利要求10所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线与栅极线位于同一层。

12、根据权利要求10所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线与像素电极位于同一层。

13、根据权利要求8至12任一项所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于：所述第一修补线沿着数据线延伸。

14、一种权利要求8所述液晶显示装置阵列基板的修补方法，其特征在于：当出现像素点缺陷时，按如下步骤进行修补：

电性连接缺陷像素所对应的第一修补线与数据线；

电性连接所述第一修补线与第二修补线；

切断缺陷像素的薄膜晶体管源极与数据线的连接。

15、根据权利要求14所述的液晶显示装置阵列基板的缺陷修补方法，其特征在于：电性连接第三修补线与像素电极。

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