CN110165058A - 阵列基板及其制备方法、修复方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、修复方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的阵列基板，包括：基底，位于所述基底上的多条栅线和多条数据线，所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出多个像素单元；每个所述像素单元包括驱动晶体管和发光器件；其中，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一极连接；在每个所述像素单元中还设置有修复结构；该修复结构包括相互绝缘设置的第一部分和第二部分，且第一部分与第二部分在激光照射下能够电连接；其中，所述修复结构的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接。

Description

阵列基板及其制备方法、修复方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、修复方法、显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dots)又称半导体纳米晶体，受到光或电的刺激，能发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成和大小形状决定。量子点发光器件(QLED)是近些年显示领域的重要突破，它和有机电致发光器件(OLED)一样都是采用电致发光原理进行发光。
有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)显示基板等新型显示基板以其耐冲击，抗震能力强，重量轻、体积小，携带更加方便等特点，受到了人们的广泛关注。
AMQLED或AMOLED显示器具有广阔的市场应用。QLED或OLED器件的像素电路结构复杂，在阵列基板制备过程中，容易产生缺陷，因此，像素的修复设计非常重要。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种具有修复功能的阵列基板及其制备方法、修复方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：基底，位于所述基底上的多条栅线和多条数据线，所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出多个像素单元；每个所述像素单元包括开关晶体管、驱动晶体管，以及发光器件；其中，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一极连接；在每个所述像素单元中还设置有修复结构；所述修复结构包括相互绝缘设置的第一部分和第二部分，且所述第一部分与所述第二部分在激光照射下能够电连接；其中，
所述修复结构的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接。
优选的是，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
优选的是，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2。
优选的是，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i-1行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥2；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i-1行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
优选的是，所述修复结构的第一部分与其连接的漏极为一体成型结构。
优选的是，所述修复结构的第二部分与其连接的所述发光器件的第一极为一体成型结构。
优选的是，所述修复结构的第一部分和第二部分在所述基底上正投影至少部分重叠。
进一步优选的是，所述修复结构的第一部分与第二部分在所述基底上正投影重叠的位置为修复区；
在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间设置有层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置设置有凹槽。
进一步优选的是，所述层间绝缘层包括依次设置在基底之上的钝化层和平坦化层；其中，
所述钝化层位于所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分所在层上方；
所述凹槽贯穿所述平坦化层；
在所述钝化层和所述平坦化层与所述驱动晶体管的漏极的位置设置有贯穿这二者的第一过孔；所述发光器件的第一极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接。
优选的是，所述发光器件包括OLED器件或者QLED器件。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板的制备方法，包括：在像素单元中形成修复结构的步骤；
所述在像素单元中形成修复结构的步骤，包括：
依次在基底上形成所述修复结构的第一部分和第二部分；其中，
所述第一部分和所述第二部分绝缘设置，且所述第一部分与所述第二部分在基底上的正投影至少部分重叠；
所述修复结构的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接。
优选的是，所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分，采用一次构图工艺形成。
优选的是，所述修复结构的第二部分与其连接的所述发光器件的第一极，采用一次构图工艺形成。
优选的是，所述修复结构的第一部分与第二部分在所述基底上正投影至少部分重叠，且重叠的位置为修复区；
所述制备方法还包括：
在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间形成层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置形成有凹槽。
优选的是，所述层间绝缘层包括依次设置在基底之上的钝化层和平坦化层；
所述形成在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间形成层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置形成有凹槽的步骤，包括：
在所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分所在层上方形成钝化层；
在所述钝化层上方形成平坦化层，并在所述平坦化层与修复区对应的位置刻蚀过孔，以形成所述凹槽。
优选的是，在形成所述凹槽的同时，还包括：
在所述钝化层和所述平坦化层与所述驱动晶体管的漏极的位置形成贯穿这二者的第一过孔；所述发光器件的第一极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板的修复方法，包括：
确定出现显示不良的像素单元；
对出现显示不良的像素单元中的修复结构的第一部分和第二部分进行激光照射，以使该修复结构的第一部分和第二部分电连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
本发明具有如下有益效果：
由于本发明的阵列基板的像素单元中设置有修复结构，且该修复结构与的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的发光器件的第一极电性连接，这样以来，当其中某个像素单元中的驱动晶体管出现问题，不能够将灰阶电压传输至发光器件的第一极，以驱动该发光器件进行显示时，则可以通过激光照射的方式，将该像素单元中的修复结构的第一部分和第二部分电连接，此时则可以通过与该像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极上写入的灰阶电压，通过修复结构写入该像素单元的发光器件的第一极，以使该像素单元能够正常发光。
附图说明
图1为本发明的实施例1的阵列基板的每个像素单元中的像素电路的示意图；
图2为本发明的实施例1的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明的实施例1的阵列基板的第一种具体结构的俯视图；
图4为图3的A-A＇的剖视图；
图5为本发明的实施例1的阵列基板的第二种具体结构的俯视图；
图6为图5的B-B＇的剖视图；
图7为本发明的实施例1的阵列基板的第三种具体结构的俯视图；
图8为图7的C-C＇的剖视图；图9为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法的流程图。
其中附图标记为：10、基底；1、栅极绝缘层；21、驱动晶体管的有源层；22、驱动晶体管的栅极；23、驱动晶体管的源极；
24、驱动晶体管的漏极；30、第一过孔；2、第一绝缘层；3、层间绝缘层；31、钝化层；32、平坦化层；4、修复结构；41、修复结构的第一部分；42、修复结构的第二部分；43、凹槽；T1、开关晶体管；T2、驱动晶体管；Cst、存储电容；OLED/QLED、发光器件；Vdd、第一电源电压线；Vss、第二电源电压线；gate、栅线；data、数据线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
结合图1-8所示，本实施例提供一种阵列基板，基底10，位于基底10上的多条栅线gate和多条数据线data；栅线gate和数据线data交叉设置，限定出多个像素单元(也即图2中所示的第K11至第Kij像素单元)；每个像素单元均包括像素电路，该像素电路包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2，以及发光器件；其中，驱动晶体管T2的漏极24与发光器件的第一极51连接；在本实施例中特别的是，在每个像素单元中还设置有修复结构4；该修复结构4包括相互绝缘层的第一部分41和第二部分42，且第一部分41与第二部分42能够在激光照射下电连接；其中，修复结构4的第一部分41与其所在像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24电性连接；第二部分42与其所在像素单元相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
由于本实施例的阵列基板的像素单元中设置有修复结构4，且该修复结构4的第一部分41与其所在像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24电性连接；第二部分42与其所在像素单元相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接，这样以来，当其中某个像素单元中的驱动晶体管T2出现问题，不能够将灰阶电压传输至发光器件的第一极51，以驱动该发光器件进行显示时，则可以通过激光照射的方式，将该像素单元中的修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接，此时则可以通过与该像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极51上写入的灰阶电压，通过修复结构4写入该像素单元的发光器件的第一极51，以使该像素单元能够正常发光。
在此需要说明的是，由于显示面板在显示画面时，其上的像素单元的亮度变化是渐进的，也即无论是行方向还是列方向上相邻的像素单元所显示灰阶信息是相近的，因此，在本实施例中将该像素单元中的修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接，此时则可以通过与出现问题的像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极51上写入的灰阶电压，通过修复结构4写入该像素单元的发光器件的第一极51，以使该像素单元能够正常发光，并不会影响显示面板的显示效果。
其中，在本实施例中，每个修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底上的正投影至少部分重叠，这样以来，当激光照射至修复结构4的第一部分41和第二部分42交叠的位置，二者搭接在一起，以实现这二者的电连接；当然，修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底上的正投影也可以不重叠，此时只需要将位于第一部分41和第二部分42在修复时，二者进行电连接的连接端之间的材料选用能够在激光照射下从绝缘到导体化的材料即可。在以下实施例中均是以每个修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底上的正投影部分重叠为例进行说明的。其中，在本实施例的阵列基板的发光器件可以是OLED器件或者QLED器件。但也不局限于这两种发光器件，也可以采用其它类型的发光器件。
为了更清楚本实施例的阵列基板结构，以下述几种具体的阵列基板结构进行说明。其中，如图1所示，以每个像素单元中的像素电路为2T1C像素电路为例，也即包括驱动晶体管T2、开关晶体管T1、存储电容Cst，以及发光器件；其中，开关晶体管T1的源极连接数据线data，漏极24连接存储电容Cst的第一端和驱动晶体管T2的栅极，栅极连接栅线gate；驱动晶体管T2的源极连接第一电源电压线Vdd和存储电容Cst的第二端，漏极24连接发光器件的第一极51，栅极连接存储电容Cst的第一端；发光器件的第二极连接第二电源电压线Vss。位于同一行的像素单元中的开关晶体管T1的栅极连接同一条栅线gate，位于同一列的像素单元中的开关晶体管T1的源极连接同一条数据线data。
作为阵列基板的第一种具体结构，每个像素单元中的修复结构4的第一部分41是与所在像素单元中的漏极24电连接的，每个修复结构4的第二部分42与其所在像素单元同列、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
具体的，如图3、4所示，由于通常阵列基板的每个像素单元中发光器件、驱动晶体管T2、存储电容Cst、开关晶体管T1是沿着列方向逐一排布的，因此，优选的，位于第i行第j列的像素单元中的修复结构4的第二部分42与位于第i+1行第j列的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1。
具体的，以i＝1，j＝1为例，位于第1行第1列的像素单元为第K11像素单元；位于第2行第1列的像素单元为第K21像素单元；以位于第K11像素单元中的修复结构4为例进行说明。
位于第K11像素单元中的修复结构4的第一部分41，优选的与该第K11像素单元中驱动晶体管T2的漏极24为一体成型结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；修复结构4的第二部分42则与第K21像素单元中的发光器件的第一极51为一体形成结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；这样以来，本实施例中所形成的修复结构4并没有增加工艺步骤，以及工艺成本。
其中，修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底10上正投影重叠的为修复区；由于第K11像素单元中修复结构4的第一部分41与第K11像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24同层，第二部分42与第K21像素单元中的第一极51同层，因此，修复结构4的第一部分41和第二部分42之间的层间绝缘层3，也即，在各个像素单元中的驱动晶体管T2的源极和漏极24和发光器件的第一极51之间依次设置钝化层31和平坦化层32。此时，可以在平坦化层32与修复区对应的位置刻蚀形成凹槽43，这样以来，可以在通过激光将修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接时，使得二者更好的接触。而且，由于驱动晶体管T2的漏极24需要通过贯穿钝化层31和平坦化层32的第一过孔30与其所在像素单元中的发光器件的第一极51连接，因此，修复区的凹槽43可以和该第一过孔30在一次刻蚀工艺形成，也并不会增加工艺步骤。
当然，可以理解的是，在本实施例阵列基板中，也可以是第i行第j列的像素单元中的修复结构4的第一部分与该像素单元中的驱动晶体管T2中的漏极24一体成型；第二部分与第i-1行第j列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
具体的，以i＝2，j＝1，位于第K21像素单元中的修复结构4为例，该修复结构4的第一部分与第K21像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24一体成型；第二部分与位于第1行第1列中的像素单元，也即第K11像素单元中的发光器件的第一极一体成型。该种设置阵列基板的方式与上述阵列基板相似，在此不再详细描述。
作为阵列基板的第二种具体结构，如图5和6所示，阵列基板上的各个像素单元结构上述的第一种具体结构大致相同，区别在于修复结构4的具体结构，在该种结构中，每个修复结构4的第二部分42与其所在像素单元同行、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
具体的，位于第i行第j列的像素单元中的修复结构4的第二部分42与位于第i行第j+1列的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1。
具体的，以i＝2，j＝1为例，位于第2行第1列的像素单元为第K21像素单元；位于第2行第2列的像素单元为第K22像素单元；以位于第K21像素单元中的修复结构4为例进行说明。
位于第K21像素单元中的修复结构4的第一部分41，优选的与该第K21像素单元中驱动晶体管T2的漏极24为一体成型结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；修复结构4的第二部分42则与第K22像素单元中的发光器件的第一极51为一体形成结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；这样以来，本实施例中所形成的修复结构4并没有增加工艺步骤，以及工艺成本。其中，修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底10上正投影重叠的为修复区；由于第K21像素单元中修复结构4的第一部分41与第K21像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24同层，第二部分42与第K22像素单元中的第一极51同层，因此，修复结构4的第一部分41和第二部分42之间的层间绝缘层3，也即，在各个像素单元中的驱动晶体管T2的源极和漏极24和发光器件的第一极51之间依次设置钝化层31和平坦化层32。此时，可以在平坦化层32与修复区对应的位置刻蚀形成凹槽43，这样以来，可以在通过激光将修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接时，使得二者更好的接触。而且，由于驱动晶体管T2的漏极24需要通过贯穿钝化层31和平坦化层32的第一过孔30与其所在像素单元中的发光器件的第一极51连接，因此，修复区的凹槽43可以和该第一过孔30在一次刻蚀工艺形成，也并不会增加工艺步骤。
当然，可以理解的是，在本实施例阵列基板中，也可以是第i行第j列的像素单元中的修复结构4的第一部分与该像素单元中的驱动晶体管T2中的漏极24一体成型；第二部分与第i行第j-1列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2。
具体的，以i＝2，j＝2，位于第K22像素单元中的修复结构4为例，该修复结构4的第一部分与K22像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24一体成型；第二部分与位于第1行第1列中的像素单元，也即第K21像素单元中的发光器件的第一极一体成型。该种设置阵列基板的方式与上述阵列基板相似，在此不再详细描述。
作为本实施例中的第三种具体结构，如图7和8所示，阵列基板上的各个像素单元结构与上述的第一、二种具体结构大致相同，区别在于修复结构4的具体结构，在该种结构中，每个修复结构4的第二部分42与其所在像素单元的下一行下一列、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
也就是说，第i行第j列的像素单元中的修复结构4的第二部分与第i+1行第j+1列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1。
具体的，i＝1，j＝1为例，位于第1行第1列的像素单元为第K11像素单元；位于第2行第2列的像素单元为第K22像素单元；以位于第K11像素单元中的修复结构4为例进行说明。
位于第K11像素单元中的修复结构4的第一部分41，优选的与该像素单元中驱动晶体管T2的漏极24为一体成型结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；修复结构4的第二部分42则与第K22像素单元中的发光器件的第一极51为一体形成结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；这样以来，本实施例中所形成的修复结构4并没有增加工艺步骤，以及工艺成本。
其中，修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底10上正投影重叠的为修复区；由于第K11像素单元中修复结构4的第一部分41与该像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24同层，第二部分42与第K22像素单元中的第一极51同层，因此，修复结构4的第一部分41和第二部分42之间的层间绝缘层3，也即，在各个像素单元中的驱动晶体管T2的源极和漏极24和发光器件的第一极51之间依次设置钝化层31和平坦化层32。此时，可以在平坦化层32与修复区对应的位置刻蚀形成凹槽43，这样以来，可以在通过激光将修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接时，使得二者更好的接触。而且，由于驱动晶体管T2的漏极24需要通过贯穿钝化层31和平坦化层32的第一过孔30与其所在像素单元中的发光器件的第一极51连接，因此，修复区的凹槽43可以和该第一过孔30在一次刻蚀工艺形成，也并不会增加工艺步骤。
当然，可以理解的是，在本实施例阵列基板中，第i行第j列的像素单元中的修复结构的第二部分与第i+1行第j-1列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2。
具体的，以i＝2，j＝2为例，位于第K22像素单元中的修复结构4为例，该修复结构4的第一部分与第K22像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24一体成型；第二部分与位于第3行第1列中的像素单元，也即第K31像素单元中的发光器件的第一极一体成型。该种设置阵列基板的方式与上述阵列基板相似，在此不再详细描述。
作为本实施例中的第四种具体结构，该种结构与上述的第三种相似，区别仅在修复结构4的具体结构，在该种结构中，每个修复结构4的第二部分42与其所在像素单元的上一行上一列、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
也就是说，第i行第j列的像素单元中的修复结构的第二部分与第i-1行第j-1列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥2。
位于第2行第1列的像素单元为第K21像素单元；位于第1行第2列的像素单元为第K12像素单元；以位于第K21像素单元中的修复结构4为例进行说明。
位于第K21像素单元中的修复结构4的第一部分41，优选的与该第K21像素单元中驱动晶体管T2的漏极24为一体成型结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；修复结构4的第二部分42则与第K12像素单元中的发光器件的第一极51为一体形成结构，也即这二者同层设置且材料相同，并可以采用一次构图工艺形成；这样以来，本实施例中所形成的修复结构4并没有增加工艺步骤，以及工艺成本。
其中，修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底10上正投影重叠的为修复区；由于第二像素单元中修复结构4的第一部分41与第二像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24同层，第二部分42与第四像素单元中的第一极51同层，因此，修复结构4的第一部分41和第二部分42之间的层间绝缘层3，也即，在各个像素单元中的驱动晶体管T2的源极和漏极24和发光器件的第一极51之间依次设置钝化层31和平坦化层32。此时，可以在平坦化层32与修复区对应的位置刻蚀形成凹槽43，这样以来，可以在通过激光将修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接时，使得二者更好的接触。而且，由于驱动晶体管T2的漏极24需要通过贯穿钝化层31和平坦化层32的第一过孔30与其所在像素单元中的发光器件的第一极51连接，因此，修复区的凹槽43可以和该第一过孔30在一次刻蚀工艺形成，也并不会增加工艺步骤。当然，可以理解的是，在本实施例阵列基板中，第i行第j列的像素单元中的修复结构的第二部分与第i-1行第j列的像素单元中的发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
具体的，以i＝2，j＝2为例，位于第K22像素单元中的修复结构4为例，该修复结构4的第一部分与第K22像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24一体成型；第二部分与位于第1行第1列中的像素单元，也即第K11像素单元中的发光器件的第一极一体成型。该种设置阵列基板的方式与上述阵列基板相似，在此不再详细描述。
对于上述的阵列基板，本实施例中还提供了一种阵列基板的修复方法，其包括如下步骤：
步骤一、确定显示不良的像素单元。
在该步骤中，可以通过点灯测试，获取显示不良的像素单元，例如发现某像素单元中的发光器件不发光，则判定该像素单元为显示不良的像素单元。
步骤二、对出现显示不良的像素单元中的修复结构4的第一部分41和第二部分42进行激光照射，以使该修复结构的第一部41分和第二部分42电连接，此时则可以通过与该像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极51上写入的灰阶电压，通过修复结构4写入该像素单元的发光器件的第一极51，以使该像素单元能够正常发光，以完成阵列基板的修复。
其中，若修复结构4中的第一部分41和第二部分42在基底上的正投影至少部分重叠，在该步骤中则可以直接通过激光照射修复结构4的第一部分41和第二部分42交叠的位置，以使二者搭接在一起，以实现这二者的电连接；修复结构4的第一部分41和第二部分42在基底上在基底上的正投影也可以不重叠，二者进行电连接的连接端之间的材料选用能够在激光照射下从绝缘到导体化的材料，此时则可以通过激光照射第一部分41和第二部分42二者连接端之间的材料，以使这部分材料导体化，以使修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接。
由于本实施例的阵列基板的像素单元中设置有修复结构4，且该修复结构4与的第一部分41与其所在像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24电性连接；第二部分42与其所在像素单元相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接，这样以来，当其中某个像素单元中的驱动晶体管T2出现问题，不能够将灰阶电压传输至发光器件的第一极51，以驱动该发光器件进行显示时，则可以通过激光照射的方式，将该像素单元中的修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接，此时则可以通过与该像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极51上写入的灰阶电压，通过修复结构4写入该像素单元的发光器件的第一极51，以使该像素单元能够正常发光。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，其可用于制备实施例1中的阵列基板。该制备方法包括：在像素单元中形成修复结构4的步骤；在像素单元中形成修复结构4的步骤，包括：依次在基底10上形成修复结构4的第一部分41和第二部分42；其中，第一部分41和第二部分42绝缘设置，且第一部分41与第二部分42在基底10上的正投影至少部分重叠；修复结构4的第一部分41与其所在像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24电性连接；第二部分42与其所在像素单元同行或者同列、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接。
由于本实施例的阵列基板的制备方法，在像素单元中形成有修复结构4，且该修复结构4与的第一部分41与其所在像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24电性连接；第二部分42与其所在像素单元同行或者同列、且相邻的像素单元中的发光器件的第一极51电性连接，这样以来，当其中某个像素单元中的驱动晶体管T2出现问题，不能够将灰阶电压传输至发光器件的第一极51，以驱动该发光器件进行显示时，则可以通过激光照射的方式，将该像素单元中的修复结构4的第一部分41和第二部分42电连接，此时则可以通过与该像素单元相邻的像素单元的发光器件的第一极51上写入的灰阶电压，通过修复结构4写入该像素单元的发光器件的第一极51，以使该像素单元能够正常发光。
以下为了更清楚本实施例阵列基板的制备方法，以制备在行方向相邻或列方向相邻的两个像素单元，这两个像素单元分别为第一像素单元和第二像素单元，修复结构4为位于第一像素单元中修复结构4为例进行说明。其中，如图1所示，每个像素单元中的像素电路为2T1C像素电路为例，也即包括驱动晶体管T2、开关晶体管T1、存储电容Cst，以及发光器件；其中，开关晶体管T1的源极连接数据线data，漏极连接存储电容Cst的第一端和驱动晶体管T2的栅极，栅极连接栅线gate；驱动晶体管T2的源极连接第一电源电压线Vdd和存储电容Cst的第二端，漏极连接发光器件的第一极51，栅极连接存储电容Cst的第一端；发光器件的第二极连接第二电源电压线Vss。位于同一行的像素单元中的开关晶体管T1的栅极连接同一条栅线gate，位于同一列的像素单元中的开关晶体管T1的源极连接同一条数据线data。
以下描述主要以制备驱动晶体管T2、发光器件、修复结构4进行描述；其中，以驱动晶体管T2为顶栅型薄膜晶体管；发光器件的第一极51为阳极，第二极为阴极为例。
如图9所示，本实施例中的阵列基板的制备方法具体包括如下步骤：
步骤一、在基底10上，通过构图工艺形成包括第一像素单元、第二像素单元中的驱动晶体管T2的有源层21的图形。
其中，有源层21的材料可以氧化物半导体材料、也可以是多晶硅、非晶硅等。
步骤二、在完成上述步骤的基底10上，形成栅极绝缘层1。
其中，栅极绝缘层1可以是单层结构也可以是多层结构；当采用单层结构时栅极绝缘层1可以采用氮化硅或氧化硅；当栅极绝缘层1为多层结构时，可以是氧化硅\氮化硅。
步骤三、在完成上述步骤的基底10上，通过图工艺形成包括栅线gate和第一像素单元、第二像素单元中的驱动晶体管T2的栅极22的图形。
其中，栅线gate和栅极22的材料采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜中的至少一种形成。
步骤四、在完成上述步骤的基底10上，形成第一绝缘层2，并在与有源层的源、漏接触区的位置形成贯穿第一绝缘层2和栅极绝缘层1的源极接触过孔和漏极接触过孔。
其中，第一绝缘层2可以是单层结构也可以是多层结构；当采用单层结构时可以采用氮化硅或氧化硅；当第一绝缘层2为多层结构时，可以是氧化硅\氮化硅。
步骤五、在完成上述步骤的基底10上，通过构图工艺形成包括数据线data和第一像素单元、第二像素单元中的驱动晶体管T2的源极23和漏极24，以及与第一像素单元中的驱动晶体管T2的漏极23一体成型的修复结构4的第一部分41的图形。
其中，数据线data、源极23和漏极24的材料采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜中的至少一种形成。
步骤六、在完成上述步骤的基底10上，依次形成包括钝化层31和平坦化层32，并在平坦化层32中与修复结构4的第一部分41对应的位置形成凹槽43，以及在与第一像素单元、第二像素单元中的驱动晶体管T2的漏极24对应的位置形成第一过孔30。
其中，钝化层31和平坦化层32均可以是单层结构也可以是多层结构；当采用单层结构时可以采用氮化硅或氧化硅；当常采用多层结构时，可以是氧化硅\氮化硅。在本实施例中平坦化层32的厚度在1-4μm左右。
步骤七、在完成上述步骤的基底10上，通过构图工艺形成包括第一像素单元、第二像素单元中的发光器件的阳极和第一像素单元中的修复结构4的第二部分42的图形；所形成的阳极通过相对应的第一过孔30与驱动晶体管T2的漏极24电连接，修复结构4的第二部分42与第二像素单元中的发光器件的阳极51连接。
其中，阳极和修复结构4的第二部分42的材料可以包括ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO(氧化铟锡)或者Ag(银)/ITO(氧化铟锡)结构；或者，把上述结构中的ITO换成IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)或InGaSnO(氧化铟镓锡)。当然，也可以采用具有导电性能及高功函数值的无机金属氧化物、有机导电聚合物或金属材料形成，无机金属氧化物包括氧化铟锡或氧化锌，有机导电聚合物包括PEDOT:SS、PANI，金属材料包括金、铜、银或铂。
在上述阵列基板的结构基础上，进一步制备像素限定层(Pixel Define Layer，简称PDL)，接着蒸镀或者涂覆发光层(Emitting Layer：简称EL)，最后溅射或蒸镀形成金属阴极层，经封装即可形成带有OLED器件或者QLED器件的阵列基板。其中，像素限定层的厚度在1-2μm左右。
实施例3：
本实施例提供了一种显示装置包括实施例1中阵列基板。
由于本实施例中的显示装置包括实施例1中阵列基板，故其信赖性更好。
本实施例中该显示装置可以包括：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括：基底，位于所述基底上的多条栅线和多条数据线，所述栅线和所述数据线交叉设置，限定出多个像素单元；每个所述像素单元包括驱动晶体管和发光器件；其中，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一极连接；其特征在于，在每个所述像素单元中还设置有修复结构；所述修复结构包括相互绝缘设置的第一部分和第二部分，且所述第一部分与所述第二部分在激光照射下能够电连接；其中，
所述修复结构的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i-1行第j列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥1；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i+1行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥1，j≥2；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i-1行第j-1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥2；
或者，
第i行第j列的所述像素单元中的所述修复结构的第二部分与第i-1行第j+1列的所述像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接；其中，i、j均为整数，且i≥2，j≥1。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构的第一部分与其连接的漏极为一体成型结构。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构的第二部分与其连接的所述发光器件的第一极为一体成型结构。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构的第一部分和第二部分在所述基底上正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述修复结构的第一部分与第二部分在所述基底上正投影重叠的位置为修复区；
在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间设置有层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置设置有凹槽。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括依次设置在基底之上的钝化层和平坦化层；其中，
所述钝化层位于所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分所在层上方；
所述凹槽贯穿所述平坦化层；
在所述钝化层和所述平坦化层与所述驱动晶体管的漏极的位置设置有贯穿这二者的第一过孔；所述发光器件的第一极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件包括OLED器件或者QLED器件。
11.一种如权利要求1-10中任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在像素单元中形成修复结构的步骤；
所述在像素单元中形成修复结构的步骤，包括：
依次在基底上形成所述修复结构的第一部分和第二部分；其中，
所述第一部分和所述第二部分绝缘设置，且所述第一部分与所述第二部分在激光照射下能够电连接；
所述修复结构的第一部分与其所在像素单元中的驱动晶体管的漏极电性连接；第二部分与其所在像素单元相邻的像素单元中的所述发光器件的第一极电性连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分，采用一次构图工艺形成。
13.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述修复结构的第二部分与其连接的所述发光器件的第一极，采用一次构图工艺形成。
14.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述修复结构的第一部分与第二部分在所述基底上正投影至少部分重叠，且重叠的位置为修复区；
所述制备方法还包括：
在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间形成层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置形成有凹槽。
15.根据权利要求14所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层包括依次设置在基底之上的钝化层和平坦化层；
所述形成在所述修复结构的第一部分所在层与其第二部分所在层之间形成层间绝缘层，且在所述层间绝缘层与所述修复区对应的位置形成有凹槽的步骤，包括：
在所述驱动晶体管的漏极与所述修复结构的第一部分所在层上方形成钝化层；
在所述钝化层上方形成平坦化层，并在所述平坦化层与修复区对应的位置刻蚀过孔，以形成所述凹槽。
16.根据权利要求15所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述凹槽的同时，还包括：
在所述钝化层和所述平坦化层与所述驱动晶体管的漏极的位置形成贯穿这二者的第一过孔；所述发光器件的第一极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏极连接。
17.一种如权利要求1-10中任一项所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，包括：
确定出现显示不良的像素单元；
对出现显示不良的像素单元中的修复结构的第一部分和第二部分进行激光照射，以使该修复结构的第一部分和第二部分电连接。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
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