CN104659055A - 有机电致发光装置及其修理方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机电致发光装置及其修理方法。该有机电致发光装置包括：基板，该基板包括多个像素区，所述多个像素的每一个像素区都具有发光区和元件区；多个薄膜晶体管TFT，所述多个TFT包括至少一个开关TFT和至少一个驱动TFT；在所述多个TFT上的平坦化层；第一电极，该第一电极在平坦化层上，并且包括彼此连接的第一至第三部分，其中，第一部分和第二部分在每一个像素区处，并且第三部分在相邻像素区处；有机发光层，该有机发光层在第一电极上；以及第二电极，该第二电极在有机发光层上，其中，第三部分的一个端部与相邻像素区的驱动TFT交叠。

Description

有机电致发光装置及其修理方法
技术领域
本公开涉及有机电致发光装置(OELD)，并且具体地说，涉及一种有机电致发光装置及其修理方法，该有机电致发光装置被构造成使得当识别到具有亮点缺陷或暗点缺陷的像素时，可以与邻近像素相同地操作该有缺陷像素。
背景技术
作为平板显示器的有机电致发光装置具有高亮度和低驱动电压的特性。而且，因为有机电致发光装置是自发光型装置，所以其具有以下优点：高对比度、薄外型、大约几微秒的快速响应时间、无视角限制、低温稳定性、以及因该装置在DC 5V至15V的低电压下操作而简单的制造和驱动电路设计。
因此，具有上述优点的有机电致发光装置近来被用于各种电子IT(信息技术)装置，诸如TV、监视器以及移动电话。
有机电致发光装置包括阵列元件和有机发光二极管(OLED)。该阵列元件：包括开关薄膜晶体管(TFT)；以及连接至该有机发光二极管的至少一个驱动TFT。有机发光二极管包括：连接至驱动TFT的第一电极、有机发光层、以及第二电极。
有机电致发光装置可以利用分别发射红光、绿光以及蓝光的有机发光材料来显示全色彩图像。另选的是，有机电致发光装置可以利用全部发射白光的有机发光材料与相应像素区中的红色、绿色以及蓝色滤色器图案来显示全色彩图像。
然而，存在的缺陷是，驱动TFT的特性劣化或者在制造信号线、开关TFT以及驱动TFT期间出现TFT的内部短路，并且由此TFT不正常操作。
当该TFT不正常操作时，电流不流向有机发光二极管，并且具有TFT的像素变为暗点。当驱动TFT的源极与漏极之间存在短路时，驱动电压被直接施加至漏极，而不管驱动TFT是否导通/截止，并且由此具有TFT的像素一直处于导通状态并变为亮点。
在暗点的情况下，因为无法修理暗点像素，所以该像素保持原样。在亮点的情况下，通过激光切割方法来进行驱动TFT与第一电极之间的断开以及驱动TFT与开关TFT之间的断开。而且，有机发光二极管的第一电极与第二电极通过焊接方法来连接，由此，该像素变为暗点。
在这点上，亮点对于用户来说相对更可见，并且由此，即使在显示装置中可能未出现更多亮点，显示装置也可能不合格从而不会成为最终产品。另一方面，暗点对于用户而言相对不可见。特别地，显示装置中大约10至20个暗点对于用户而言几乎不可见。因此，在存在亮点的情况下，进行将亮点改变成暗点的处理。
近来，诸如全HD(高清)或UHD(超高清)这样的高分辨率显示装置有售，并且用户对显示质量的兴趣日益增加。因此，要求具有5个或以下点缺陷的产品。
然而，因显示装置的性质而没有修理暗点的方法。而且，因为显示装置中有数十万个像素，所以制造具有全部没有缺陷的像素的显示装置的故障成本增加了许多，并且由此生产成本增加。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种有机电致发光装置及其修理方法，该有机电致发光装置具有用于修理具有暗点缺陷的像素以使其能够正常操作的结构。
本发明的另外特征和优点将在下面的描述中阐述，并且根据该描述将部分地明白这些另外特征和优点，或者可以通过具体实践本发明而获知。通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构将认识到并实现本发明的目的和其它优点。
为实现这些和其它优点并且根据本发明的目标，如在此具体实施和广泛描述的，一种有机电致发光装置包括：基板；多个像素区，所述多个像素区在所述基板上；元件区，该元件区在第一像素区内，该元件区包括开关薄膜晶体管(TFT)、第一驱动TFT以及存储电容器；发光区该发光区在所述第一像素区内，该发光区与所述元件区相邻并且包括发光层；平坦化层，该平坦化层覆盖所述元件区和所述发光区，并且具有基本平坦表面；第一电极，该第一电极形成在所述平坦化层上，以接触所述发光层的第一表面；以及第二电极，该第二电极接触所述发光层的第二表面，其中，所述第一电极的一部分和与所述第一像素区相邻的第二像素区的元件区中的第二驱动TFT交叠。
在另一方面，一种有机电致发光装置包括：第一基板，该第一基板包括多个像素，所述多个像素的每一个像素都包括开关薄膜晶体管(TFT)、连接至所述开关TFT的驱动TFT、以及连接至所述驱动TFT的有机发光二极管(OLED)；和第二基板，该第二基板包封所述多个像素；其中，形成在平坦化层上的第一电极接触第一像素中的第一OLED，并且其中，所述第一电极与第二像素中的第二驱动TFT交叠。
在另一方面，一种修理有机电致发光装置的方法包括以下步骤：断开第一像素的元件区中的第一驱动薄膜晶体管(TFT)与开关TFT以及电源线的电连接；和将所述第一像素的第一电极连接至与所述第一像素相邻的第二像素的第二驱动TFT。
本申请要求于2013年11月25日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2013-0143732的优先权，出于如同在此全面阐述的所有目的，其全部内容通过引用并入本文。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与本描述一起用于解释本发明的原理。在图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的有机电致发光装置的像素的电路图；
图2是例示根据本发明的示例性实施方式的有机电致发光装置的显示区的一部分的平面图；
图3是沿图2的线III-III截取的截面图；
图4是根据本发明的另选示例性实施方式的有机电致发光装置的截面图；
图5是例示根据本发明的示例性实施方式的有机电致发光装置的修理方法中的激光切割部分和焊接部分的平面图；
图6和图7分别是根据本发明的示例性实施方式的有机电致发光装置的、在激光切割工序之前和激光切割工序之后的、沿图5的线VI-VI截取的截面图；以及
图8和图9分别是根据本发明的示例性实施方式和另选示例性实施方式的有机电致发光装置在焊接工序之后的截面图。
具体实施方式
下面，对示例性实施方式进行详细说明，在附图中例示了示例性实施方式的示例。
图1是根据本发明示例性实施方式的有机电致发光装置的像素的电路图。
参照图1，该有机电致发光装置的像素P包括：开关TFT STr、驱动TFT DTr、存储电容器StgC、以及有机发光二极管E。
选通线GL沿第一方向形成，并且数据线DL沿与第一方向交叉的第二方向形成。选通线GL和数据线DL分别彼此交叉，以限定像素P。电源线PL与数据线DL隔开，并且向像素P供应电压源。
开关TFT STr位于选通线GL和数据线DL的交叉部分附近，并且驱动TFT DTr电连接至开关TFT STr。
有机发光二极管E的端子(即，第一电极)连接至驱动TFT DTr的漏极。有机发光二极管E的另一端子(即，第二电极)接地。驱动TFT DTr的源极连接至电源线PL。
存储电容器StgC连接在驱动TFT DTr的栅极与源极之间。
当通过选通线GL施加选通信号时，开关TFT STr导通，数据信号通过数据线DL和开关TFT STr施加到驱动TFT DTr的栅极，从而驱动TFT DTr导通。因此，电流通过驱动TFT DTr流向有机发光二极管(OLED)E并且驱动该OLED以发光。
该电流根据施加至驱动TFT DTr的数据信号来确定，并且由此，可以改变。利用不同电流驱动有机发光二极管(OLED)E改变所发射的光的量，并且由此，允许OLED输出灰度级。存储电容器StgC起作用以存储驱动TFT DTr的栅极电压，并且由此，流向有机发光二极管(OLED)E的电流能够被保持直到下一帧刷新为止。
如上所述，像素具有一个开关TFT和一个驱动TFT。然而，若需要的话，像素中还可以包括至少一个其它TFT，而且，可以改变像素的电路设计。
图2是例示根据本发明实施方式的有机电致发光装置的显示区的一部分的平面图，并且图3是沿图2的线III-III截取的截面图。在图2中，示出了沿数据线DL的延伸方向的相邻的两个邻近像素区。出于说明的目的，其中在每一个像素区中形成开关TFT、驱动TFT以及辅助驱动TFT的区域被称为元件区DA。其中形成了有机发光二极管E的区域被称为发光区EA。在上部的像素区P被称为第一像素区P1，并且在下部的像素区P被称为第二像素区P2。
在这个实施方式中，有机电致发光装置101的像素区P具有三个TFT，即，开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFT Tr3。然而，应当明白的是，像素区P具有至少两个TFT，即，开关TFT Tr1和驱动TFT Tr2，或者像素区P具有开关和驱动TFTTr1和Tr2，以及至少两个辅助驱动TFT。
参照图2和图3，有机电致发光装置101包括：第一基板110，该第一基板110上具有开关和驱动TFT Tr1和Tr2以及有机发光二极管E；和第二基板(未示出)，该第二基板用于包封包括有机发光二极管E的像素。第二基板可以替换为膜、无机绝缘层、或有机绝缘层。
在基板110上，选通线GL和数据线DL形成为彼此交叉。
第一辅助线AL1形成为与选通线GL平行，并且电源线PL和第二辅助线(未示出)形成为与数据线DL平行。
在这个实施方式中，被数据线DL、电源线PL以及第一辅助线AL1包围的区域是像素区P。选通线GL位于元件区DA与发光区EA之间的边界部分处。另选的是，选通线GL和第一辅助线AL1的位置可以改变，并且在这种情况下，被数据线DL、电源线PL以及选通线GL包围的区域可以是像素区P。
在元件区DA中，开关TFT Tr1连接至选通线GL和数据线DL，驱动TFT Tr2连接至开关TFT Tr1和电源线PL，而辅助驱动TFT Tr3连接至驱动TFT Tr2。而且，第一辅助线AL1和第二辅助线处于元件区DA中。
第一辅助线AL1连接至辅助驱动TFT Tr3的栅极，并且第二辅助线经由第一辅助图案APn1电连接至辅助驱动TFT Tr3的源极133c。
关于驱动TFT Tr2的电极的电连接，驱动TFT Tr2的源极133b连接至电源线PL，驱动TFT Tr2的漏极136b连接至辅助驱动TFT Tr3的漏极136c和第一电极160的第一部分160a，而驱动TFT Tr2的栅极115b连接至开关TFT Tr1的漏极136a。
第一辅助线AL1可以具有与向开关TFT Tr1的栅极115a施加扫描电压的选通线GL类似的功能，并且特别地，可以充当向辅助驱动TFT Tr3的栅极115c施加感测电压的感测线。
而且，第二辅助线充当施加公共电压作为基准电压的基准线。
第一电极160经由第二漏极接触孔153接触驱动TFT Tr2的漏极136b，并且从元件区DA延伸至发光区EA。
作为该实施方式的特征组件的第一电极160包括三个部分，即，第一部分160a、第二部分160b以及第三部分160c。
第一电极160的第一部分160a位于元件区DA，并且接触驱动TFT Tr2的漏极136b。第二部分160b位于发光区EA，并且充当有机发光二极管E的一部分。
第一电极160的与像素区对应的第三部分160c位于邻近像素区。例如，第一电极160的第三部分160c(第一电极160的第一部分160a和第二部分160b形成在第二像素区P2处)位于上侧邻近像素区(即，第一像素区P1)的元件区DA处。特别地，第一电极160的属于第二像素区P2的第三部分160c的一端部与第一像素区P1的驱动TFT Tr2的漏极136b交叠。
因为第一电极160具有上述结构，所以即使驱动TFT Tr2有缺陷，并且具有这种驱动TFT Tr2的像素区P1变为亮点或暗点，也可以进行修理处理，以使第一电极160的第三部分160c接触邻近像素区P2的驱动TFT Tr2的漏极136b。因而，能够正常地操作有缺陷像素区P1。
可以在邻近像素区P与每一个像素区P的元件区DA之间的边界部分处形成堤部163。有机发光层165可以形成在与被堤部163包围的发光区EA对应的第一电极160上。第二电极168可以形成在堤部163和有机发光层165上。第二电极168可以基本全部形成在显示区上。
第一电极160、有机发光层163以及第二电极168形成有机发光二极管E。
在图中，示出了有机发光层163形成在发光区EA中。然而，应当明白的是，有机发光层163可以基本全部形成在显示区上。
在上述说明中，描述了每一个像素区的第一电极160的第三部分160c与上侧邻近像素区处的驱动TFT Tr2交叠。然而，在每一个像素区的元件区DA和发光区EA的位置改变的情况下，每一个像素区的第一电极160的第三部分160c可以与下侧邻近像素区处的驱动TFT Tr2交叠。
在电致发光装置101中，优选的是，沿着数据线DL的延伸方向的每一条列线上的像素区P发射同一颜色，并且沿着选通线GL的延伸方向的每一条行线上的至少三个邻近像素区P发射不同颜色。
换句话说，连接至同一数据线DL的每一条列线上的像素区P发射同一颜色，并且连接至同一选通线GL的每一条行线上的红色、绿色以及蓝色像素区，或者红色、绿色、蓝色以及白色像素区相邻，并且沿着每一条行线重复。
因此，当像素区P有缺陷时，邻近像素区P的第一电极160的第三部分160c能够电连接至该有缺陷像素区P的驱动TFT Tr2的漏极以进行修理处理。由此，该有缺陷像素区P能够与邻近像素区相同地操作。因此，该有缺陷像素区P能够被操作以使具有和上侧或下侧邻近像素区P相同的颜色和亮度。因此，能够与不存在有缺陷像素区时的图像显示几乎相同地执行图像显示。
下面，对有机电致发光装置101的更详细结构进行说明。
出于说明的目的，因为开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFT Tr3具有基本相同的截面结构，所以利用驱动TFT Tr2来说明这种TFT的结构。而且，将字符“a”、“b”以及“c”分别附加至属于开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFT Tr3的栅极115、氧化物半导体层120以及源极133和漏极136的编号尾部。
参照图3，驱动TFT Tr2包括：栅极115b、栅极绝缘层118、氧化物半导体层120b、具有半导体接触孔125的蚀刻阻止部123、以及源极133b和漏极136b，源极133b和漏极136b在蚀刻阻止部123上彼此隔开，并且经由对应半导体接触孔125接触氧化物半导体层120b的对应部分。
第一辅助线AL1可以形成在驱动TFT Tr2的栅极115b的同一层处，而且由和驱动TFT Tr2的栅极115b相同的材料制成，并且沿选通线GL的延伸方向延伸并隔开。
数据线DL可以形成在驱动TFT Tr2的源极133b与漏极136b的同一层处，而且由和驱动TFT Tr2的源极133b与漏极136b相同的材料制成，并且与选通线GL交叉。第二辅助线可以与数据线DL隔开且平行。
开关TFT Tr1的栅极115a可以连接至选通线GL，并且开关TFT Tr1的源极133a可以连接至数据线DL。
第一辅助线AL1的一部分充当辅助驱动TFT Tr3的栅极115c。第二辅助线可以通过辅助图案117连接至辅助驱动TFT Tr3的源极133c。电源线PL可以连接至驱动TFT Tr2的源极133b。
在该实施方式中，开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFT Tr3以底栅型(bottom gate type)形成。另选的是，开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFTTr3可以以其它类型形成。
例如，开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFT Tr3可以利用多晶硅半导体以共面型形成。在这种情况下，TFT Tr1至Tr3每个都包括：半导体层，其具有由本征多晶硅制成的有源区以及处于有源区两侧的由掺杂多晶硅制成的源极区和漏极区；栅极绝缘层；与有源区对应的栅极；层间绝缘层，其具有分别暴露源极区和漏极区的半导体接触孔；以及源极和漏极，其分别通过半导体接触孔接触半导体层。
与底栅型TFT相比，共面型TFT还包括层间绝缘层。在共面型TFT中，选通线和第一辅助线可以形成在栅极绝缘层上，并且数据线、电源线以及第二辅助线形成在层间绝缘层上。
电源线PL可以和数据线DL或选通线形成在同一层。
栅极115b、选通线GL、数据线DL、电源线PL、源极133b和漏极136b、第一辅助线AL1以及第二辅助线每个都可以利用如下项中的至少一项低阻抗金属材料而形成有单层或多层结构：铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金(AlNd)、钼(Mo)以及钼合金(例如，MoTi)。
参照图3，钝化层140可以形成在开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2以及辅助驱动TFTTr3上，并且可以由无机绝缘材料制成，例如，二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
钝化层140可以包括暴露驱动TFT Tr2的漏极的第一漏极接触孔143。
光屏蔽图案145可以与每一个元件区DA中的驱动TFT Tr2对应地形成在钝化层140上。光屏蔽图案145可以经由第一漏极接触孔143接触驱动TFT Tr2的漏极136b。
光屏蔽图案145可以被构造成基本屏蔽源极133b与漏极136b之间的整个分离区；并且由此，能够防止穿过源极133b与漏极136b之间的分离区的光入射。
换句话说，光屏蔽图案145起作用以阻挡光穿过源极133b与漏极136b之间的分隔区入射在氧化物半导体层120b上，并且防止因吸收自入射光的能量所导致的泄漏电流而造成的驱动TFT Tr2的故障。
光屏蔽图案可以由具有低阻抗和高屏蔽特性的不透明金属材料形成。
图中示出了光屏蔽图案与驱动TFT Tr2对应地形成。然而，应当明白的是，光屏蔽图案145还可以形成在开关TFT Tr1和辅助驱动TFT Tr3上方的钝化层140上。
栅极115b和漏极136b彼此交叠，在栅极115b和漏极136b之间在未形成氧化物半导体层120b的区域处具有栅极绝缘层118和蚀刻阻止部123，以形成存储电容器StgC。
在该实施方式中，存储电容器StgC可以形成在驱动TFT Tr2处，而不形成在开关TFT Tr1和辅助驱动TFT Tr3处。
平坦化层150可以形成在光屏蔽图案145上，以覆盖显示区并且具有基本平坦的表面。平坦化层150可以包括第二漏极接触孔153，其暴露光屏蔽图案145的、接触漏极136b的一部分。第二漏极接触孔153可以与第一漏极接触孔143交叠，以便减少元件区DA的面积。
另选的是，参照图4，其示出了根据本发明另选实施方式的有机电致发光装置的截面图，平坦化层150可以在像素区P1的漏极136b的一部分处具有焊接孔wdh，其中，像素区P2的第一电极160的第三部分160c的一个端部位于焊接孔wdh中。
在这种情况下，光屏蔽图案145不形成在其中形成有焊接孔wdh的区域处，并且焊接孔wdh暴露焊接孔wdh下方的钝化层140的一部分。
参照图3和4，第一电极160可以形成在平坦化层150上，并且能够连接至光屏蔽图案145，第一电极160穿过第二漏极接触孔153连接至漏极136b。第一电极160可以由具有高功函数的透明导电材料(例如，铟锡氧化物)制成并且充当阳极。第一电极160包括第一至第三部分160a、160b以及160c。
在不采用光屏蔽图案145的情况下，钝化层140可以具有漏极接触孔，该漏极接触孔可以形成在和第一漏极接触孔143相同位置处，并且形状相同，可以不采用平坦化层150，并且第一电极160可以直接通过该漏极接触孔接触漏极136b。
第一电极160的第二部分160b可以位于每一个像素区P的发光区EA处。这里，第一电极160的第一部分160a从第二部分160b的一个端部延伸，并且位于像素区P的元件区DA处。第一电极160的第三部分160c从第二部分160b的另一端部延伸至邻近像素区P1的元件区DA，以使第三部分160c与邻近像素区P1的驱动TFT Tr2的漏极136b交叠。
在该另选实施方式的装置101中，第一电极160的第三部分160c在钝化层140上，并且在焊接孔wdh中。
堤部163可以形成在第一电极160上，并且在每一个发光区DA的边界处。
堤部163可以被构造成：包围每一个发光区EA，与第二部分160b的边缘交叠，并且暴露第一电极160的中心部分。堤部163可以基本全部形成在每一个元件区DA上。
堤部可以由有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺)或黑色材料(例如，黑色树脂)形成。
有机发光层165可以形成在被堤部163包围的每一个像素区P的发光区EA处的、第一电极160的第二部分160b上。
第二电极168可以形成在有机发光层165和堤部163上。第二电极168可以全部形成在显示区上，或者以板形状形成在具有被电极图案包围的开口的显示区中。第二电极168可以充当阴极，并且可以由具有低功函数的金属材料制成，例如，铝(Al)、铝合金(例如，AlNd或AlMg)、银(Ag)、镁(Mg)以及金(Au)中的至少一种。
在第二电极168具有开口的情况下，该开口可以形成在每一个元件区DA的驱动TFT Tr2与第一电极160的第三部分160c彼此交叠的部分。这在像素区P具有暗缺陷或亮缺陷时容易进行修理处理。
然而，检查是否发生缺陷的工序可以在形成第一电极160之后并且在形成第二电极168之前进行。因此，第二电极168可以不需要具有开口，并且在没有开口的整个显示区上形成第二电极168不存在问题。
第一电极160和第二电极168以及有机发光层165可以形成有机发光二极管E。
即使图中未示出，第一发光补偿层也可以形成在第一电极160与发光层165之间，并且第二发光补偿层可以形成在第二电极168与发光层165之间。第一和第二发光补偿层中的每一个都可以具有多层结构，以便提高发光效率。
多层的第一发光补偿层可以包括顺序地形成在第一电极160上的空穴注入层和空穴传输层，并且多层的第二发光补偿层可以包括顺序地形成在有机发光层165上的电子传输层和电子注入层。
另选的是，第一和第二发光补偿层每个都可以具有单层结构。在这种情况下，单层的第一发光补偿层可以具有空穴注入层和空穴传输层中的一个，并且单层的第二发光补偿层可以具有电子注入层和电子传输层中的一个。
而且，第一发光补偿层可以包括电子阻挡层，并且第二发光补偿层可以包括空穴阻挡层。
在有机电致发光装置101中，红色、绿色以及蓝色滤色器图案可以形成在相应像素区P的发光区EA中的钝化层140与平坦化层150之间。
在形成滤色器图案的情况下，每一个像素区P的有机发光层165是发射白光的白光有机发光层。从该有机发光层发射的白光穿过相应滤色器图案，并且改变成相应颜色，以便能够显示全色彩。
而且，没有任何滤色器图案的像素区将发射白光。在这种情况下，有机电致发光装置101使用四种颜色，红色、绿色、蓝色以及白色。由此，能够改进对比度和亮度。
另选的是，有机电致发光装置101可以不使用滤色器图案。在这种情况下，红光、绿光以及蓝光有机发光层可以形成在相应像素区中，或者红光、绿光、蓝光以及白光有机发光层可以形成在相应像素区中。
即使图中未示出，有机电致发光装置101也可以包括第二基板，第二基板面对具有上述构造的第一基板110，并且起作用以包封有机发光二极管E。在这种情况下，可以在第一基板110与第二基板的周边部分之间形成粘合部来接合第一基板与第二基板，以便制造显示板。
第一基板110与第二基板之间的空间可以是真空或者填充有惰性气体。
用于包封的第二基板可以由具有柔性特性的塑料或玻璃制成。
另选的是，有机电致发光装置101可以不使用第二基板。例如，可以将具有粘合层的膜接合至第一基板110，使得该膜接触第二电极168，并且进一步地，可以将作为覆盖(capping)层的有机绝缘层或无机绝缘层形成在第二电极168上。
另选的是，可以将作为覆盖层的有机绝缘层或无机绝缘层形成在第二电极168上，并且充当包封层以代替第二基板。
在有机电致发光装置101中，因为第一电极160具有上述构造，所以能够修理具有暗缺陷或亮缺陷的像素区P以使正常操作。因此，能够减少错误率和故障成本，并且能够进一步提供无缺陷或错误最小化的显示装置。
对修理有缺陷像素区以使正常操作的方法说明如下。
图5是例示根据本发明的实施方式的用于修理有机电致发光装置的激光切割部分和焊接部分的平面图。图6和图7分别是示出有机电致发光装置的、在激光切割工序之前和激光切割工序之后的、沿图5的线VI-VI截取的截面图。图8和图9分别是根据本发明的实施方式和另选实施方式的有机电致发光装置在焊接工序之后的截面图。图8和图9分别对应于图3和图4。
参照附图，当某个像素区P的开关TFT Tr1、驱动TFT Tr2或辅助驱动TFT Tr3以及该像素区P变为暗点或亮点时，为了断开TFT Tr1至Tr3之间的电连接，切割TFT Tr1至Tr3之间的连接部分以及电源线P与驱动TFT Tr2之间的连接部分。
该实施方式的有机电致发光装置在每一个像素区P中具有三个TFT Tr1至Tr3，并且由此，切割部分的数量为三个。然而，在每一个像素区中形成两个TFT的情况下，切割部分的数量可以为两个。切割部分的数量可以和TFT的数量相同。
例如，在每一个像素区中形成两个TFT(即，开关TFT和驱动TFT)的情况下，可以切割开关TFT与驱动TFT之间的连接部分以及驱动TFT与电源线之间的连接部分。
例如，可以利用激光切割工序来切割连接部分。因此，连接部分中的每一个都可以被完全切割并分离。
在图5-7中，示出了切割驱动TFT Tr2的漏极136b与辅助驱动TFT Tr3的漏极136c之间的连接部分(作为驱动TFT Tr2与辅助驱动TFT Tr3之间的连接部分的示例)。
在切割工序之后，利用激光器设备来执行焊接工序。针对有缺陷像素区P1(即，第一像素区P1)执行焊接工序。
更详细地，邻近像素区P2(即，第二像素区P2，其是无缺陷的)的第一电极的第三部分160c被激光照射，而被焊接至并电连接至有缺陷的第一像素区P1的驱动TFT Tr2的漏极136b。
在如图8所示的、包括位于焊接部分处的光屏蔽图案145的有机电致发光装置101中，连接至驱动TFT Tr2的漏极136b的光屏蔽图案145在焊接工序中接触第一电极160的第三部分160c，使得有缺陷的第一像素区P1的驱动TFT Tr2的漏极136b电连接至第二像素区P2的第一电极160。
在如图9所示的、包括未位于焊接部分处的光屏蔽图案145，或者不包括光屏蔽图案的有机电致发光装置101中，驱动TFT Tr2的漏极136b在焊接工序中接触第一电极160的第三部分160c。
根据所述的激光切割工序和焊接工序，有缺陷的像素区P1能够通过邻近像素区P2的驱动TFT Tr2来操作。换句话说，施加给第二像素区P2的第一电极160的信号经由第一像素区P1的漏极136b(其通过焊接工序连接至第二像素区P2的第一电极160)而被提供给第一像素区P1的第一电极160。因此，该有缺陷第一像素区P1可以与第二像素区P2相同地操作。
因此，暗点或亮点缺陷像素区P1能够变为正常操作的像素区。
如上所述，因为有缺陷像素区能够在修理方法之后正常操作，所以能够提供无缺陷或错误最小化的显示装置。
而且，能够减少错误率和故障成本，并且由此，能够减少生产成本。
本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，能够对本公开的显示装置进行各种修改和变型。由此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的、本发明的修改和变型。

Claims (15)

1.一种有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括：
基板；
多个像素区，所述多个像素区在所述基板上；
元件区，该元件区在第一像素区内，该元件区包括开关薄膜晶体管TFT、第一驱动TFT以及存储电容器；
发光区，该发光区在所述第一像素区内，该发光区与所述元件区相邻并且包括发光层；
平坦化层，该平坦化层覆盖所述元件区和所述发光区，并且具有基本平坦的表面；
第一电极，该第一电极形成在所述平坦化层上，以接触所述发光层的第一表面；以及
第二电极，该第二电极接触所述发光层的第二表面，
其中，所述第一电极的一部分和与所述第一像素区相邻的第二像素区的元件区中的第二驱动TFT交叠。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括在钝化层上的光屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中，所述第一电极与所述第一像素区中的所述光屏蔽层的一部分交叠。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中，所述光屏蔽层与所述第一驱动TFT的源极或漏极交叠。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括钝化层，该钝化层处于所述第一驱动TFT的第一漏极与所述平坦化层之间。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，所述开关TFT和所述第一驱动TFT是底栅型的。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括辅助驱动TFT，该辅助驱动TFT连接至所述第一驱动TFT。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，所述第一电极还接触所述元件区中的所述第一驱动TFT上的钝化层。
9.一种有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括：
第一基板，该第一基板包括多个像素，所述多个像素的每一个像素都包括：开关薄膜晶体管TFT、连接至所述开关TFT的驱动TFT、以及连接至所述驱动TFT的有机发光二极管OLED；以及
第二基板，该第二基板包封所述多个像素；
其中，形成在平坦化层上的第一电极接触第一像素中的第一OLED，并且
其中，所述第一电极与和所述第一像素相邻的第二像素中的第二驱动TFT交叠。
10.一种修理有机电致发光装置的方法，该方法包括以下步骤：
断开步骤，断开第一像素的元件区中的第一驱动薄膜晶体管TFT与开关TFT以及电源线的电连接；和
连接步骤，将所述第一像素的第一电极连接至与所述第一像素相邻的第二像素的第二驱动TFT。
其中，所述第一电极的一部分与所述第二驱动TFT交叠。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过激光切割来执行所述断开步骤。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，通过激光焊接来执行所述连接步骤。
13.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
断开所述元件区中的所述驱动TFT与辅助TFT的电连接。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一电极连接至所述第二驱动TFT的光屏蔽层。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一电极连接至所述第二驱动TFT的漏极。
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