CN106226966A - 阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法，属于液晶面板制造领域。所述阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上形成有栅极金属图形，栅极金属图形包括栅极和信号线；形成有栅极金属图形的衬底基板上形成有源漏极金属图形，源漏极金属图形与栅极金属图形绝缘，源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，修复结构与数据线电连接；形成有源漏极金属图形的衬底基板上依次形成有绝缘层和像素电极，像素电极与源极或漏极电连接，像素电极与修复结构在衬底基板上的正投影存在重叠区域。本发明实现了暗点的修复，解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，生产成本高的问题。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法。

背景技术

液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display；简称：LCD)是一种常用的显示装置。在制作过程中，LCD的显示面板经常会出现亮暗点缺陷。亮暗点作为一种显示面板中常见的不良，处理成本极高，使得生产成本增加。因此对于亮暗点缺陷的改善成为人们广泛关注的问题。

现有技术对于亮暗点缺陷的改善主要是实现了将亮点改善为暗点。具体做法是：利用激光(laser)切断多晶硅有源层(英文：Polycrystal Silicon；简称：P-Si)，将亮点变成暗点。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

目前，只能对于亮暗点缺陷中的亮点进行处理，对于暗点没有合适的解决方法，造成产品良率低，导致生产成本高。

发明内容

为了解决现有技术中的由于亮暗点缺陷的存在，造成的产品良率低，导致生产成本高的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上形成有栅极金属图形，所述栅极金属图形包括栅极和信号线；

形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成有源漏极金属图形，所述源漏极金属图形与所述栅极金属图形绝缘，所述源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，所述修复结构与所述数据线电连接；

形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上依次形成有绝缘层和像素电极，所述像素电极与所述源极或所述漏极电连接，所述像素电极与所述修复结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，所述阵列基板上形成有多个像素区域，每个所述像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个所述像素区域中设置一个所述修复结构。

可选的，所述修复结构包括：连接线和连接块，所述连接线两端分别连接所述数据线和所述连接块；

所述像素电极与所述连接块在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，在每个所述像素区域中，所述像素电极由多个两端相连、中间间隔的条状结构所组成，所述连接块与所述像素电极中最靠近所述数据线的条状结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，在所述衬底基板上依次形成有遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、所述栅极金属图形、中间介电层、源漏极金属图形和所述绝缘层，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接；

其中，所述绝缘层包括：依次形成的平坦层、公共电极和钝化层，所述像素电极与所述源极或所述漏极通过过孔电连接。

第二方面，提供了一种显示面板，所述面板包括：第一方面中任一所述的阵列基板。

第三方面，提供了一种显示面板的缺陷修复方法，所述方法包括：

在所述显示面板上出现暗点时，确定所述暗点在所述显示面板的阵列基板上所对应的修复结构的位置；

采用激光从所述阵列基板的衬底基板所在侧照射所述修复结构与像素电极的重叠区域，使所述修复结构与所述像素电极电连接。

可选的，在所述确定所述暗点在所述显示面板的阵列基板上，所对应的修复结构的位置之前，所述方法还包括：

在所述显示面板上出现亮点时，确定所述亮点在所述显示面板的阵列基板上所对应的有源层的位置，所述有源层两侧分别连接源极和漏极；

采用激光从所述阵列基板的衬底基板所在侧照射所述有源层，使所述有源层熔断，所述亮点变为暗点。

第四方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅极金属图形，所述栅极金属图形包括栅极和信号线；

在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形，所述源漏极金属图形与所述栅极金属图形绝缘，所述源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，所述修复结构与所述数据线电连接；

在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上依次形成绝缘层和像素电极，所述像素电极与所述源极或所述漏极电连接，所述像素电极与所述修复结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，所述阵列基板上形成有多个像素区域，每个所述像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个所述像素区域中设置一个所述修复结构。

可选的，所述修复结构包括：连接线和连接块，所述连接线两端分别连接所述数据线和所述连接块；

所述像素电极与所述连接块在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，在每个所述像素区域中，所述像素电极由多个两端相连、中间间隔的条状结构所组成，所述连接块与所述像素电极中最靠近所述数据线的条状结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，在所述在衬底基板上形成栅极金属图形之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层和栅绝缘层；

所述在衬底基板上形成栅极金属图形，包括：在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述栅极金属图形；

在所述在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形之前，所述方法还包括：在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成中间介电层；

所述在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形，包括：在形成有所述中间介电层的衬底基板上形成源漏极金属图形，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接；

所述绝缘层包括：平坦层、公共电极和钝化层。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一示意性实施例提供的一种阵列基板结构示意图；

图2是本发明一示意性实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；

图3是本发明一示意性实施例提供的又一种阵列基板结构示意图；

图4是本发明一示意性实施例提供的一种显示面板的缺陷修复方法流程图；

图5是本发明一示意性实施例提供的另一种显示面板的缺陷修复方法流程图；

图6是本发明一示意性实施例提供的再一种阵列基板结构示意图；

图7是本发明一示意性实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；

图8是本发明一示意性实施例提供的另一种阵列基板的制造方法流程图。

其中，附图标记为：11、衬底基板；12、栅极金属图形；121、栅极；122、信号线；13、源漏极金属图形；131、源极；132、漏极；133、数据线；134、修复结构；134a、连接线；134b、连接块；14、绝缘层；141、平坦层；142、公共电极；143、钝化层；15、像素电极；151、条状结构；16、遮光层；17、缓冲层；18、有源层；19、栅绝缘层；20、中间介电层；21、过孔。

通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2可以为图1所示的阵列基板的平面俯视图，如图1和图2所示，该阵列基板包括：

衬底基板11。

该衬底基板11上形成有栅极金属图形12，栅极金属图形12可以包括栅极121和信号线122。

本发明实施例中栅极金属图形中的信号线也称栅线。

形成有栅极金属图形12的衬底基板11上形成有源漏极金属图形13，源漏极金属图形13与栅极金属图形12绝缘，源漏极金属图形13包括：源极131、漏极132、数据线133和修复结构134，修复结构134与数据线133电连接。

本发明实施例中源漏极金属图形中的数据线也称源/漏线，当该数据线与源极连接时，该数据线称为源极线；当该数据线与漏极连接时，该数据线称为漏极线。需要说明是，衬底基板上可以形成有源层，源极和漏极可以分别与该有源层连接，该有源层可以位于栅极金属图形上方，也可以位于栅极金属图形下方，图1以有源层位于栅极金属图形上方为例。

形成有源漏极金属图形13的衬底基板11上依次形成有绝缘层14和像素电极15，像素电极15与源极131或漏极132电连接，像素电极15与修复结构134在衬底基板11上的正投影存在重叠区域。

本发明实施例中，当数据线为与源极线时，该像素电极与漏极电连接；当数据线为漏极线时，该像素电极与源极电连接。图2以数据线为源极线，像素电极与漏极电连接为例，进行说明。其中，数据线与源极相连，像素电极与漏极可以通过过孔相连。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

可选的，该阵列基板上形成有多个像素区域，每个像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个像素区域对应一个像素，每个像素区域中设置一个修复结构。

由于暗点出现的位置是随机的，本发明实施例中，为每个像素区域都设置一个修复结构，无论暗点出现在哪个像素区域，都能实现暗点修复。在实际应用中，也可以只为一部分像素区域设置修复结构。例如，可以结合实际生产经验，为经常会出现亮暗点缺陷的区域设置修复结构。

可选的，如图2所示，修复结构134可以包括：连接线134a和连接块134b，连接线134a两端分别连接数据线133和连接块134b；像素电极15与连接块134b在衬底基板11上的正投影存在重叠区域。

本发明实施例中，修复结构中的连接块与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠区域，保证进行修复时，激光照射能够使修复结构和像素电极电连接。对于具体的重叠区域的大小以及形状，本发明实施例不做具体限定，只要保证修复结构中的连接块与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠区域即可。

可选的，如图2所示，在每个像素区域中，像素电极15由多个两端相连、中间间隔的条状结构151组成，连接块134b与像素电极15中最靠近数据线133的条状结构151在衬底基板11上的正投影存在重叠区域。

本发明实施例中，对于组成像素电极的条状结构的数量不做限定。实际应用中，像素电极可以为由多个两端相连、中间间隔的条状结构组成。

其中，连接块与像素电极中最靠近数据线的条状结构在衬底基板上的正投影存在重叠区域，可以使得连接数据线与连接块的连接线最短，这样制作起来工艺简单，可以节省成本。

图3是本发明实施例提供的阵列基板应用于低温多晶硅(英文：Low TemperaturePolycrystalline Silicon；简称：LTPS)产品时，该阵列基板的结构示意图。其中，该阵列基板的平面俯视图也可以为图2所示的阵列基板平面俯视图。

可选的，如图3所示，在衬底基板11上依次形成有遮光层16、缓冲层17、有源层18、栅绝缘层19、栅极金属图形12、中间介电层20、源漏极金属图形13和绝缘层14，源极131和漏极131分别通过过孔与有源层18连接。

其中，绝缘层包括14：依次形成的平坦层141、公共电极142和钝化层143，像素电极15与源极131或漏极132通过过孔21电连接。

本发明实施例中，遮光层与栅极金属图形位置对应，减少了光照对于有源层的影响，本发明实施例中有源层为多晶硅有源层。多晶硅有源层的离子迁移率高，容易受到光照影响。

由于LTPS产品的制造过程中，存在较多的高温工艺，因此可以在形成有遮光层的衬底基板上形成有缓冲层，该缓冲层可以起到保温的作用。

本发明实施例中的中间介电层也称中间绝缘层。源漏极金属图形通过中间介电层与栅极金属图形绝缘，源极和漏极通过过孔分别与有源层连接。本发明实施例中，平坦层所用材料可以为亚克力。亚克力，又叫有机玻璃(英文：Polymethyl Methacrylate；简称：PMMA)或亚加力。是一种可塑性高分子材料，化学名称为聚甲基丙烯酸甲酯，具有较好的透明性、化学稳定性和耐候性。公共电极与像素电极在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

目前，普遍应用中的绝缘层，一般指的是钝化层。

可选的，该公共电极142和像素电极15的材料可以均为多晶硅氧化铟锡(英文：Polycrystalline Silicon Indium Tin Oxides；简称：P-ITO)。

氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxides；简称：ITO)是像素电极的常用制作材料，具有可见光透过率高，电阻率低，加工性能好，硬度高且耐磨耐腐蚀的优点，是一种典型的透明导电材料。氧化铟锡包括：非晶硅氧化铟锡(英文：Amorphous Silicon Indium TinOxides；简称：A-ITO)和多晶硅氧化铟锡。一般情况下，像素电极最开始采用A-ITO作为制作材料，经过高温工艺之后，A-ITO自动变为P-ITO。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的缺陷修复方法的流程图，该显示面板的缺陷修复方法可以应用于修复本发明实施例提供的显示面板。该显示面板的缺陷修复方法可以包括如下几个步骤：

步骤401、在显示面板上出现暗点时，确定暗点在显示面板的阵列基板上所对应的修复结构的位置。

步骤402、采用激光从阵列基板的衬底基板所在侧照射修复结构与像素电极的重叠区域，使修复结构与像素电极电连接。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的缺陷修复方法，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的缺陷修复方法的流程图，该显示面板的缺陷修复方法可以应用于修复本发明实施例提供的显示面板。该显示面板的缺陷修复方法可以包括如下几个步骤：

步骤501、对显示面板进行亮暗点检测。

本发明实施例对于亮暗点检测方法不做具体限定，例如，可以在显示面板对盒工艺完成之后，进行点灯操作，来检测亮点缺陷。本发明实施例中，根据检测结果执行步骤502或步骤504，可以是，当检测到显示面板上存在亮点时，则执行步骤502；当检测到显示面板上存在暗点时，则执行步骤504。

步骤502、在显示面板上出现亮点时，确定亮点在显示面板的阵列基板上所对应的有源层的位置，有源层两侧分别连接源极和漏极。

本发明实施例中，对于确定亮点在显示面板的阵列基板上所对应的有源层的位置的方式不做限定，可以参考现有技术来实现。

步骤503、采用激光从阵列基板的衬底基板所在侧照射有源层，使有源层熔断，亮点变为暗点。

本发明实施例中，对于采用的激光的强度不做限定，同样的，对于照射时长也不做限定，具体的激光强度和照射时长可以根据实际操作时的情况来决定。

具体的，采用激光照射有源层，使有源层熔断，亮点变为暗点的方法，可以参考现有技术来实现。

步骤504、在显示面板上出现暗点时，确定暗点在显示面板的阵列基板上所对应的修复结构的位置。

本发明实施例中，对于确定暗点在显示面板的阵列基板上所对应的修复结构的位置的方式不做限定，可以参考现有技术来实现。

步骤505、采用激光从阵列基板的衬底基板所在侧照射修复结构与像素电极的重叠区域，使修复结构与述像素电极电连接。

本发明实施例中，对于激光的强度以及照射时长不做限定，具体的激光强度和照射时长可以根据实际操作时的情况来决定。激光从阵列基板的衬底基板所在侧照射修复结构，修复结构被激光熔融，修复结构与像素电极中间的绝缘层被激光打穿，由于膜厚较大的源漏极金属图形能够充分向膜厚较小的像素电极层充分熔融连接，使得数据线通过修复结构和像素电极连接，像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。

修复后的阵列基板可以如图6所示，激光沿Y方向照射阵列基板，打穿平坦层与钝化层之后留下过孔X，修复结构通过过孔X与像素电极熔融连接。修复之后，数据线通过熔融的修复结构和像素电极电连接，使得像素电极能够接收数据线传输的信号。虽然修复后可能存在信号延迟的现象，但是相较于之前的暗点缺陷，可以达到使用标准。图6中的其他结构可以参考上图3，本发明实施例对此不做赘述。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的缺陷修复方法，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图，该阵列基板的制造方法可以应用于制造本发明实施例提供的阵列基板。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤：

步骤701、在衬底基板上形成栅极金属图形，栅极金属图形包括栅极和信号线。

步骤702、在形成有栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形，源漏极金属图形与栅极金属图形绝缘，源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，修复结构与数据线电连接。

步骤703、在形成有源漏极金属图形的衬底基板上依次形成绝缘层和像素电极，像素电极与源极或漏极电连接，像素电极与修复结构在衬底基板上的正投影存在重叠区域。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

图8是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法可以应用于制造本发明实施例提供的阵列基板，该阵列基板可以如图1所示，也可以如图3所示。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤：

步骤801、在衬底基板上形成栅极金属图形。

可选的，衬底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英以及塑料等材料，优选为玻璃。

本发明实施例中的栅极金属图形包括：栅极和信号线。其中信号线也称为栅线。

示例的，当本发明实施例提供的阵列基板应用于普通的LCD产品时，可以在衬底基板通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅极金属层，然后对该栅极金属层通过一次构图工艺形成栅极和信号线，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

示例的，当本发明实施例提供的阵列基板应用于LTPS产品时，可以在衬底基板上形成遮光层，在形成有遮光层的衬底基板上形成缓冲层，在形成有缓冲层的衬底基板上形成有源层，在形成有有源层的衬底基板上形成栅绝缘层，在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成栅极金属图形。

具体的，可以在衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成遮光层膜层，然后对该遮光层膜层通过一次构图工艺形成遮光层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成缓冲层膜层，再对该缓冲层膜层通过一次构图工艺形成缓冲层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成有源层膜层，再对该有源层膜层通过一次构图工艺形成有源层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅绝缘层膜层，再对该栅极绝缘层膜层通过一次构图工艺形成栅绝缘层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅极金属层，再对该栅极金属层通过一次构图工艺形成栅极金属图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤802、在衬底基板上形成源漏极金属图形。

示例的，当本发明实施例提供的阵列基板应用于LCD产品时，可以在形成有栅极金属图形的衬底基板上形成栅绝缘层，在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层，在形成有有源层的衬底基板上形成源漏极金属图形。

具体的，在形成有栅极金属图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成栅绝缘层膜层，然后对该栅绝缘层膜层通过一次构图工艺形成栅绝缘层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成有源层膜层，再对该有源层膜层通过一次构图工艺形成有源层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成源漏极金属层，再对该源漏极金属层通过一次构图工艺形成源漏极金属图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

示例的，当本发明实施例提供的阵列基板应用于LTPS产品时，可以在形成有栅极金属图形的衬底基板上形成中间介电层，在位于有源层上的栅绝缘层及中间介电层上形成过孔。在形成有过孔的中间介电层及栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极金属图形。

具体的，在形成有栅极金属图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成中间介电层膜层，然后对该中间介电层膜层通过一次构图工艺形成中间介电层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，在位于有源层上的栅绝缘层及中间介电层上通过一次构图工艺形成过孔，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。在形成有过孔的中间介电层上形成源漏极金属图形，该源漏极金属图形中的源极和漏极分别与有源层通过过孔电连接。

其中，源漏极金属图形与栅极金属图形绝缘，源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，修复结构与数据线电连接。

本发明实施例中，源漏极金属图形可以通过栅绝缘层与栅极金属图形绝缘，具体的参见图1；源漏极金属图形也可以通过中间介电层与栅极金属图形绝缘，具体的参见图3。

步骤803、在衬底基板上形成绝缘层。

本发明实施例中的绝缘层包括：平坦层、公共电极、钝化层。具体的，在形成有源漏极金属图形的衬底基板上依次形成平坦层、公共电极、钝化层。

具体的，在形成有源漏极金属图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成平坦层膜层，然后对该平坦层膜层通过曝光、显影形成平坦层；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成公共电极膜层，再对该公共电极膜层通过一次构图工艺形成公共电极，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；进一步地，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成钝化层膜层，再对该钝化层膜层通过一次构图工艺形成钝化层，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤804、在位于源漏极金属图形上的绝缘层上形成过孔。

具体的，在位于源漏极金属图形上的绝缘层通过一次构图工艺形成过孔，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤805、在形成有过孔的绝缘层上形成像素电极，使像素电极与源极或漏极通过过孔电连接。

具体的，在形成绝缘层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的其中一种形成像素电极膜层，然后对像素电极膜层通过一次构图工艺形成像素电极，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

其中，在每个像素区域中，像素电极可以为由多个两端相连、中间间隔的条状结构所组成，修复结构中的连接块与像素电极中最靠近数据线的条状结构在衬底基板上的正投影存在重叠区域。

像素电极通过绝缘层上的过孔与源极或漏极电连接，像素电极与绝缘层中的公共电极在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。

可选的，该阵列基板上形成有多个像素区域，每个像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个像素区域中设置一个修复结构。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，导致生产成本高的问题。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法的具体步骤，可以参考前述阵列基板实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本发明实施例还提供了一种显示面板，其包括本发明实施例提供的任意一种阵列基板。显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示面板。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过在源漏极金属图形上增加修复结构，当出现暗点的时候，可以确定显示面板上暗点对应的修复结构的位置，利用激光照射修复结构与像素电极的重叠区域，使得修复结构和像素电极电连接，这样像素电极可以通过修复结构与数据线直接连接，接收数据线传输的信号，完成暗点的修复。解决了亮暗点缺陷造成的产品良率低，生产成本高的问题。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

所述衬底基板上形成有栅极金属图形，所述栅极金属图形包括栅极和信号线；

形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成有源漏极金属图形，所述源漏极金属图形与所述栅极金属图形绝缘，所述源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，所述修复结构与所述数据线电连接；

形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上依次形成有绝缘层和像素电极，所述像素电极与所述源极或所述漏极电连接，所述像素电极与所述修复结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板上形成有多个像素区域，每个所述像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个所述像素区域中设置一个所述修复结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述修复结构包括：连接线和连接块，所述连接线两端分别连接所述数据线和所述连接块；

所述像素电极与所述连接块在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

在每个所述像素区域中，所述像素电极由多个两端相连、中间间隔的条状结构所组成，所述连接块与所述像素电极中最靠近所述数据线的条状结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，

在所述衬底基板上依次形成有遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、所述栅极金属图形、中间介电层、源漏极金属图形和所述绝缘层，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接；

其中，所述绝缘层包括：依次形成的平坦层、公共电极和钝化层，所述像素电极与所述源极或所述漏极通过过孔电连接。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1至5任一所述的阵列基板。

7.一种显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，包括：

在所述显示面板上出现暗点时，确定所述暗点在所述显示面板的阵列基板上所对应的修复结构的位置；

采用激光从所述阵列基板的衬底基板所在侧照射所述修复结构与像素电极的重叠区域，使所述修复结构与所述像素电极电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述确定所述暗点在所述显示面板的阵列基板上，所对应的修复结构的位置之前，所述方法还包括：

在所述显示面板上出现亮点时，确定所述亮点在所述显示面板的阵列基板上所对应的有源层的位置，所述有源层两侧分别连接源极和漏极；

采用激光从所述阵列基板的衬底基板所在侧照射所述有源层，使所述有源层熔断，所述亮点变为暗点。

9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极金属图形，所述栅极金属图形包括栅极和信号线；

在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形，所述源漏极金属图形与所述栅极金属图形绝缘，所述源漏极金属图形包括：源极、漏极、数据线和修复结构，所述修复结构与所述数据线电连接；

在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上依次形成绝缘层和像素电极，所述像素电极与所述源极或所述漏极电连接，所述像素电极与所述修复结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述阵列基板上形成有多个像素区域，每个所述像素区域由相邻的两根信号线和相邻的两根数据线围成，每个所述像素区域中设置一个所述修复结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述修复结构包括：连接线和连接块，所述连接线两端分别连接所述数据线和所述连接块；

所述像素电极与所述连接块在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，

在每个所述像素区域中，所述像素电极为由多个两端相连、中间间隔的条状结构所组成，所述连接块与所述像素电极中最靠近所述数据线的条状结构在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

13.根据权利要求9至12任一所述的阵列基板，其特征在于，

在所述在衬底基板上形成栅极金属图形之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层和栅绝缘层；

所述在衬底基板上形成栅极金属图形，包括：在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述栅极金属图形；

在所述在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形之前，所述方法还包括：在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成中间介电层；

所述在形成有所述栅极金属图形的衬底基板上形成源漏极金属图形，包括：在形成有所述中间介电层的衬底基板上形成源漏极金属图形，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接；

所述绝缘层包括：平坦层、公共电极和钝化层。