CN114779545B - 显示面板及其暗点修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其暗点修复方法,显示面板包括多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的漏极与像素电极电性连接;像素电极包括第一像素电极部、第二像素电极部和连接部;通过在每一像素单元的遮光区设置至少一修复标记,修复标记与像素电极的连接部临接设置,当某一像素单元产生亮点缺陷时,可根据该修复标记快速定位到像素电极的连接部,从而对连接部进行激光镭射以断开像素电极与漏电极,从而能够实现暗点化,有利于缩短暗点修复时间,提高暗点修复效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其暗点修复方法。
背景技术
在显示面板中,由于人们对亮点缺陷十分敏感,因此通常会将产生亮点缺陷的像素暗点化,以减弱亮点缺陷带来的负面影响,这种将亮点缺陷暗点化的过程就叫做暗点修复,具体做法就是通过激光,将亮点像素的输入信号线路打断,使该像素无数据信号写入,从而实现暗点化。
对于一个像素单元来说,暗点修复的激光镭射点位,可以是薄膜晶体管的漏极与像素电极的连接处,由于像素电极的材料是透明的ITO(Indium t in oxide,氧化铟锡),不容易辨别,并且由于像素设计越来越复杂,导致在激光镭射时难以快速、精准地定位,从而大大延长了暗点修复的时间,降低生产效率。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板其暗点修复方法,以解决现有的显示面板其暗点修复方法采用薄膜晶体管的漏极与像素电极的连接处作为暗点修复的激光镭射点位时,在该连接处难以快速、精准地定位的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种显示面板,包括阵列基板,所述阵列基板包括第一衬底和设置于所述第一衬底上的多个像素单元,每一所述像素单元包括透光区和遮光区;每个所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极;
所述像素电极包括第一像素电极部、第二像素电极部和用于连接所述第一像素电极部和所述第二像素电极部的连接部,所述第一像素电极部位于所述透光区,所述第二像素电极部和所述连接部位于所述遮光区,所述第二像素电极部与所述薄膜晶体管的所述漏极电性连接;
其中,每一所述像素单元还包括至少一个修复标记,所述修复标记位于所述遮光区,所述修复标记与所述连接部临接设置。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记为所述漏极向靠近所述连接部一侧突出的凸起。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记与所述漏极同层设置且两者未连接。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影与所述连接部在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影与所述连接部在所述第一衬底上的正投影之间存在间隙。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记为指向性标记,所述指向性标记的一端指向所述连接部。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记的材料为非透明材料。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影的形状为矩形、正方形、梯形和弧形中的任意一种。
根据本发明提供的显示面板,所述修复标记的拐角采用倒圆角设计。
根据本发明提供的显示面板,所述显示面板还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述彩膜基板包括第二衬底和设置于所述第二衬底上的多个色阻及多个黑矩阵,所述黑矩阵设置于相邻两个所述色阻之间;其中,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影内。
本发明提供一种显示面板的暗点修复方法,包括以下步骤:
确定所述显示面板上出现亮点的像素单元;
确定出现亮点的所述像素单元内的所述修复标记的位置;以及
对所述修复标记处的像素电极进行激光镭射,以使所述像素电极与薄膜晶体管的漏极断开连接。
本发明的有益效果为:本发明提供的显示面板及其暗点修复方法,通过在每一像素单元的遮光区设置至少一修复标记,修复标记与像素电极的连接部临接设置,当某一像素单元产生亮点缺陷时,可根据该修复标记快速定位到像素电极的连接部,从而对连接部进行激光镭射以断开像素电极与漏电极,以防止像素电极和漏极导通,使得该像素单元无信号写入,从而能够实现暗点化,有利于缩短暗点修复时间,提高暗点修复效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的第一种阵列基板的平面结构示意图;
图3是图2中的阵列基板的局部放大示意图;
图4是本发明实施例提供的第二种阵列基板的平面结构示意图;
图5是本发明实施例提供的第三种阵列基板的平面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的第四种阵列基板的平面结构示意图;
图7是本发明实施例提供的第五种阵列基板的平面结构示意图;
图8是本发明实施例提供的第六种阵列基板的平面结构示意图。
附图标记说明:
100、阵列基板;200、彩膜基板;20、第二衬底;21、色阻;22、黑矩阵;300、液晶层;30、液晶分子;
10、第一衬底;11、像素单元;110、薄膜晶体管;1101、栅极;1102、源极;1103、漏极;1104、半导体层;111、像素电极;1110、第一像素电极部;1111、第二像素电极部;1112、连接部;112、扫描线;113、数据线;114、公共电极;115、修复标记;116、过孔;11a、透光区;11b、遮光区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。在本发明中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
为了解决现有的显示面板中,在采用薄膜晶体管的漏极与像素电极的连接处作为暗点修复的激光镭射点位时,由于像素电极为透明的,在该连接处难以快速、精准地定位的问题,本发明实施例提供一种显示面板及其暗点修复方法,以下将结合附图进行说明。
示例性地,请参阅图1和图2,本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板可以为液晶显示面板,具体地,所述显示面板可以包括相对设置的阵列基板100和彩膜基板200、以及设置于所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间的液晶层300,所述液晶层300包括多个液晶分子30,其中,所述液晶分子30本身并不发光,而是由背光模组为所述显示面板提供光线。所述显示面板的工作原理是在所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间灌入所述液晶分子30,并在两片基板上施加驱动电压来控制所述液晶分子30的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。
具体地,所述阵列基板100包括第一衬底10和设置于所述第一衬底10上的多个像素单元11,所述阵列基板100还包括设置于所述第一衬底10上的多条扫描线112、多条数据线113和公共电极114,每一所述像素单元11即是由所述扫描线112和所述数据线113交叉形成的。每一所述像素单元11包括透光区11a和遮光区11b,所述透光区11a即为所述像素单元11的开口区,用于透光;所述遮光区11b即为用于放置薄膜晶体管110和各种信号走线的区域,其是不透光的。
具体地,每个所述像素单元11包括薄膜晶体管110和像素电极111,所述薄膜晶体管110包括栅极1101、栅极1101绝缘层、半导体层1104、源极1102和漏极1103,所述薄膜晶体管110可以为底栅型薄膜晶体管110,具体地,所述栅极1101设置于所述第一衬底10上,所述栅极1101绝缘层覆于所述栅极1101上,所述半导体层1104设置于所述栅极1101绝缘层上,所述源极1102和所述漏极1103设置于所述半导体层1104上。当然地,所述薄膜晶体管110还可以为顶栅型薄膜晶体管110,具体膜层关系为现有技术,在此不再详述。所述扫描线112与所述栅极1101电性连接,用于向所述像素电极111提供扫描信号以打开所述薄膜晶体管110,从而使得所述薄膜晶体管110的所述源极1102和所述漏极1103导通;所述数据线113与所述源极1102电性连接,用于向所述像素电极111提供像素驱动电压;所述漏极1103与所述像素电极111电性连接,以将所述像素电极111和所述公共电极114用于形成控制所述液晶分子30在水平面内偏转的电场。
其中,所述栅极1101、所述扫描线112和所述公共电极114位于第一金属层,所述源极1102、所述漏极1103和所述数据线113位于第二金属层,所述第二金属层位于所述第一金属层,所述像素电极111位于所述第二金属层上。
具体地,所述像素电极111包括第一像素电极部1110、第二像素电极部1111和连接部1112,所述第一像素电极部1110位于所述透光区11a,所述第一像素电极部1110为条状电极,所述第一像素电极部1110可以为单畴、双畴、四畴或更多畴结构,例如,本发明实施例中以所述第一像素电极部1110为四畴结构为例进行阐述说明,但是并不限制于此,对于其它畴结构,本发明提供的技术方案同样适用。
所述第二像素电极部1111和所述连接部1112位于所述遮光区11b,所述连接部1112用于连接所述第一像素电极部1110和所述第二像素电极部1111,其中,所述第二像素电极部1111在所述第一衬底10上的正投影位于所述漏极1103在所述第一衬底10上的正投影内,所述第二像素电极部1111直接与所述漏极1103通过一过孔116电性连接,以使所述第一像素电极部1110和所述漏极1103导通,进而使得所述第一像素电极部1110和所述公共电极114之间形成电场。
可以理解的是,当某一个所述像素单元11出现亮点缺陷时,可以采用激光镭射的方式进行暗点修复,具体可通过断开所述漏极1103与所述像素电极111的电性连接的方式,使得所述像素电极111与所述公共电极114之间无法形成电场,从而使得所述像素单元11无法发光,实现暗点化。进一步地,由于所述像素电极111与所述漏极1103异层设置,所述像素电极111位于所述漏极1103上方,若激光从上而下进行镭射,为了避免激光过度镭射而对所述漏极1103及所述公共电极114造成破坏,由于在所述显示面板厚度方向上,所述连接部1112与所述漏极1103不重叠,故可选择镭射掉所述连接部1112以断开所述第一像素电极部1110和所述漏极1103的电性连接。但由于所述像素电极111的材料通常采用ITO等透明材料,其不容易辨别,导致在激光镭射时难以快速、精准地定位到所述连接部1112的具体位置,从而大大延长了暗点修复的时间,降低了生产效率。
有鉴于此,请结合图3,本发明实施例通过在所述遮光区11b设置至少一修复标记115,所述修复标记115与所述连接部1112临接设置,当某一所述像素单元11产生亮点缺陷时,可根据该修复标记115快速定位到所述连接部1112,从而对所述连接部1112进行激光镭射以断开所述连接部1112与所述漏极1103,进而断开所述第一像素电极部1110和所述漏极1103的电性连接,使得所述像素单元11无信号写入,所述像素单元11无法发光而实现暗点化,有利于缩短暗点修复时间,提高暗点修复效率。
可以理解的是,由于所述漏极1103采用的材料为非透明材料,在激光镭射时较为容易辨认,因此,在本发明实施例中,可以将所述修复标记115与所述漏极1103同层设置,即,所述修复标记115与所述漏极1103采用同种材料制备而成,也就是说,所述修复标记115与所述漏极1103采用同一道黄光制程制备形成,在实现暗点修复的同时,有利于节省制程、降低生产成本。
在一种实施例中,请继续参阅图2,所述修复标记115和所述漏极1103为一体化设计,所述修复标记115为所述漏极1103向靠近所述连接部1112一侧突出的凸起,在本实施例中,所述修复标记115与所述漏极1103电性连接。为了提高根据所述修复标记115来辨识到所述连接部1112的精确性,可将所述修复标记115设置于所述漏极1103靠近所述连接部1112的一侧。
需要说明的是,本发明实施中的所述修复标记115的规格(如面积)需设置适中,不应设置过小,也不应设置过大。详细地说,所述修复标记115的规格过小则会增加辨识难度,操作人员不易辨认,导致无法起到上述根据所述修复标记115来辨认所述连接部1112的效果。所述修复标记115的规格过大,则存在以下弊端:第一,所述修复标记115占据过多的所述像素单元11的布线空间,导致设置于此位置范围内的其它信号走线的排布空间受到挤压,从而导致所述显示面板的整体显示效果受到影响;第二,由于所述漏极1103和所述公共电极114之间形成一寄生电容,而本实施例中的所述修复标记115相当于所述漏极1103的一部分,即,所述修复标记115的设置相当于增大了所述漏极1103的整体面积,导致所述漏极1103和所述公共电极114之间形成的寄生电容增大,从而导致所述显示面板的整体显示效果受到影响。
为了解决上述提到的所述漏极1103与所述公共电极114之间的寄生电容较大的问题,可将所述漏极1103的面积减小,以保证所述漏极1103和所述修复标记115的总体面积之和保持不变,从而避免两者之间的寄生电容过度增大而引起显示效果降低。
具体地,在本实施例中,所述修复标记115的最大宽度范围为4微米~6微米,最小宽度范围为2微米~4微米,例如,本实施例中的所述修复标记115的尺寸为3微米*5微米,但是并不限制于此,所述修复标记115的具体尺寸还应结合其它因素来针对性设计,例如所述像素单元11的尺寸、所述漏极1103的尺寸等等。
进一步地,为了进一步保证根据所述修复标记115来辨认所述连接部1112的精确性,以避免所述修复标记115距离所述连接部1112太远导致误镭射其它走线,提高修复成功率,在本实施例中,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影位于所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影内。
可选地,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影的形状为矩形、正方形、梯形、和弧形中的任意一种,示例性地,本实施例中的所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影的形状为矩形,当然地,所述修复标在所述第一衬底10上的正投影的形状还可以为其他可以起到标示作用的形状,本发明对此不做限定。
进一步地,所述修复标记115的拐角采用倒圆角设计,以避免所述修复标记115的拐角过于尖锐所造成的在此位置处的电荷累积。
当然地,在一种实施例中,请参阅图4,图4与图2的不同之处在于,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影部分重叠。
在一种实施例中,请参阅图5,图5与图2的不同之处在于,所述修复标记115与所述漏极1103为一体化设计,且所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影之间存在间隙,也就是说,本发明实施例中的所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影未重叠,因此,所述漏极1103与所述连接部1112之间的区域均可以用于放置所述修复标记115,不再受限于所述连接部1112的位置,增加了所述修复标记115放置位置的可能性。
进一步地,在此种情况下,为了避免所述修复标记115距离所述连接部1112太远导致误镭射其它走线,本实施例中的所述修复标记115设计为指向性标记,所述指向性标记的一端指向所述连接部1112,根据所述指向性标记,可清晰地辨认出所述连接部1112的位置和方向,能够提升激光镭射的精确性。
具体地,所述间隙的尺寸范围为1迈~2迈。
在一种实施例中,请参阅图6,图6与图2的不同之处在于,所述修复标记115与所述漏极1103同层设置且两者未连接,即,本实施例中的所述修复标记115与所述漏极1103相互独立设置,而并非一体化设计,也就是说,所述修复标记115和所述漏极1103未电性连接。因此,本实施例中的所述修复标记115的尺寸大小并不影响所述漏极1103与所述公共电极114之间的寄生电容的大小。
在本实施例中,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影部分重叠。
进一步地,在一种实施例中,请参阅图7,图7与图6的不同之处在于,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影位于所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影内,由于所述连接部1112通常为一段狭长的走线,因此,相较于图2中的所述修复标记115,本实施例中的所述修复标记115可靠近所述连接部1112的任意位置,自由度更高。
在一种实施例中,请参阅图8,图8与图6的不同之处在于,所述修复标记115与所述漏极1103同层设置且两者未连接,且所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影之间存在间隙。也就是说,本发明实施例中的所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影与所述连接部1112在所述第一衬底10上的正投影未重叠,因此,所述漏极1103与所述连接部1112之间的区域均可以用于放置所述修复标记115,不再受限于所述连接部1112的位置,增加了所述修复标记115放置位置的可能性。
同样地,在此种情况下,为了避免所述修复标记115距离所述连接部1112太远导致误镭射其它走线,本实施例中的所述修复标记115设计为指向性标记,所述指向性标记的一端指向所述连接部1112,根据所述指向性标记,可清晰地辨认出所述连接部1112的位置和方向,能够提升激光镭射的精确性。
需要说明的是,不考虑生产成本的情况下,所述修复标记115的材料也可以与所述漏极1103的材料不同,即,所述修复标记115与所述漏极1103通过不同的黄光制程制备而成。具体地,所述修复标记115可以与所述漏极1103同层设置,也可以与所述漏极1103异层设置,例如,所述修复标记115可以与所述像素电极111同层设置。此种情况下,所述修复标记115的材料需采用非透明材料等较为容易辨别的材料,例如,荧光材料等。
进一步地,请参阅图1,所述彩膜基板200包括第二衬底20和设置于所述第二衬底20上的多个色阻21和多个黑矩阵22,所述黑矩阵22设置于相邻两个所述色阻21之间,所述修复标记115在所述第一衬底10上的正投影位于所述黑矩阵22在所述第一衬底10上的正投影内,因此,所述修复标记115的设置并不会影响所述透光区11a的开口率和穿透率。
本发明实施例还提供一种显示面板的暗点修复方法,包括以下步骤:
确定所述显示面板上出现亮点的像素单元11;
确定出现亮点的所述像素单元11内的所述修复标记115的位置;以及
对所述修复标记115处的像素电极111进行激光镭射,以使所述像素电极111与薄膜晶体管110的漏极1103断开连接。
可以理解的是,所述显示面板为上述实施例中的显示面板,当某一所述像素单元11产生亮点缺陷时,可根据该修复标记115快速定位到所述像素电极111的所述连接部1112,从而对所述连接部1112进行激光镭射以断开所述像素电极111与所述漏极1103,以防止所述像素电极111和所述漏极1103导通,使得该所述像素单元11无法无信号写入,从而实现暗点化,有利于缩短暗点修复时间,提高暗点修复效率。
有益效果为:本发明提供的显示面板及其暗点修复方法,通过每一像素单元的遮光区设置至少一修复标记,修复标记与像素电极的连接部临接设置,当某一像素单元产生亮点缺陷时,可根据该修复标记快速定位到像素电极的连接部,从而对连接部进行激光镭射以断开像素电极与漏电极,以防止像素电极和漏极导通,使得该像素单元无信号写入,从而能够实现暗点化,有利于缩短暗点修复时间,提高暗点修复效率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板,所述阵列基板包括第一衬底和设置于所述第一衬底上的多个像素单元,每一所述像素单元包括透光区和遮光区;每个所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极;
所述像素电极包括第一像素电极部、第二像素电极部和用于连接所述第一像素电极部和所述第二像素电极部的连接部,所述第一像素电极部位于所述透光区,所述第二像素电极部和所述连接部位于所述遮光区,所述第二像素电极部与所述薄膜晶体管的漏极电性连接;
其中,每一所述像素单元还包括至少一个修复标记,所述修复标记位于所述遮光区,所述修复标记与所述连接部临接设置,且所述修复标记和所述漏极为一体化设计;
所述显示面板还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述彩膜基板包括第二衬底和设置于所述第二衬底上的多个色阻及多个黑矩阵,所述黑矩阵设置于相邻两个所述色阻之间;其中,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影内;当所述像素单元产生亮点缺陷时,根据所述修复标记快速定位到所述像素电极的所述连接部,对所述连接部进行激光镭射以断开所述像素电极与所述漏极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记为所述漏极向靠近所述连接部一侧突出的凸起。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影与所述连接部在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影与所述连接部在所述第一衬底上的正投影之间存在间隙。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记为指向性标记,所述指向性标记的一端指向所述连接部。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记的材料为非透明材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记在所述第一衬底上的正投影的形状为矩形、正方形、梯形和弧形中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述修复标记的拐角采用倒圆角设计。
9.一种如权利要求1-8任意一项的显示面板的暗点修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
确定所述显示面板上出现亮点的像素单元;
确定出现亮点的所述像素单元内的所述修复标记的位置;以及
对所述修复标记处的像素电极进行激光镭射,以使所述像素电极与薄膜晶体管的漏极断开连接。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050038116A (ko) * | 2003-10-21 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법 |
JP2007052286A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法 |
CN101241280A (zh) * | 2007-02-05 | 2008-08-13 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板 |
CN106226966A (zh) * | 2016-09-05 | 2016-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法 |
KR20170130667A (ko) * | 2016-05-18 | 2017-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치 및 액정 표시장치의 리페어 방법 |
CN108153067A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
CN109154750A (zh) * | 2016-05-17 | 2019-01-04 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
CN110858044A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星显示有限公司 | 液晶显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200837430A (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Active device array substrate and repair method thereof |
KR102510003B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2023-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2022
- 2022-04-02 CN CN202210350439.1A patent/CN114779545B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050038116A (ko) * | 2003-10-21 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법 |
JP2007052286A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法 |
CN101241280A (zh) * | 2007-02-05 | 2008-08-13 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板 |
CN109154750A (zh) * | 2016-05-17 | 2019-01-04 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
KR20170130667A (ko) * | 2016-05-18 | 2017-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치 및 액정 표시장치의 리페어 방법 |
CN106226966A (zh) * | 2016-09-05 | 2016-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及其缺陷修复方法 |
CN108153067A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示面板 |
CN110858044A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星显示有限公司 | 液晶显示装置 |
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