CN110858044A - 液晶显示装置 - Google Patents

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罗釉美
李成荣
金京镐
车娜贤
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Abstract

提供一种液晶显示装置。所述液晶显示装置可以包括栅极线、数据线、存储电极组、晶体管、像素电极和修复构件。栅极线可以传输栅极信号。数据线可以传输数据信号。晶体管可以包括连接到栅极线的栅电极、连接到数据线的源电极以及连接到像素电极的漏电极。漏电极和存储电极组可以彼此叠置并形成存储电容器。修复构件可以由电导电材料形成，可以与漏电极和数据线中的每个电绝缘，并且可以与存储电极组叠置。

Description

液晶显示装置
本申请要求于2018年8月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0098543号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
技术领域涉及一种液晶显示装置和一种液晶显示装置的修复方法。
背景技术
液晶显示装置可以包括场产生电极和液晶层。液晶显示装置可以向场产生电极施加电压以使液晶层的液晶分子重新排列，从而控制液晶层的透光率以显示期望的图像。液晶显示装置可以包括薄膜晶体管、用于传输栅极信号的栅极线、用于传输数据信号的数据线以及用于将共电压信号传输到每个像素的共电压线。数据线可以与共电压线交叉。在共电压线和数据线彼此叠置的区域中，可能形成短路，使得可能使共电压信号和数据信号不期望地混合。
在该背景技术部分中公开的上述信息是为了增强对本申请的背景的理解。该背景技术部分可以包含不形成对于本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例可以涉及一种液晶显示装置和一种修复方法。在显示装置和/或修复方法中，即使切断存储电极线以避免不希望的短路，也可以期望地将共电压施加到像素。
根据示例性实施例的液晶显示器包括：显示面板，包括多个像素；多条栅极线；多对数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线；以及多条存储电极线，其中，所述多个像素中的每个包括：第一薄膜晶体管，连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线中的一条；像素电极，连接到第一薄膜晶体管；以及修复图案，与栅极线交叉。其中，存储电极线包括与一对数据线平行的纵向部分，并且修复图案与存储电极线或与其相邻的纵向部分中的一个叠置。
修复图案可以与一对数据线平行。
可以进一步包括设置在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层，并且其中，一对数据线和修复图案可以设置在栅极绝缘层上。
栅极线和存储电极线可以设置在同一层上，并且存储电极线还可以包括延伸为与栅极线平行的横向部分。
修复图案的一端可以与横向部分叠置，修复图案的另一端可以与相邻的存储电极线叠置。
修复图案的一端可以通过栅极绝缘层的接触孔连接到横向部分，修复图案的另一端可以连接到相邻的存储电极线。
修复图案可以穿过一对数据线，存储电极线可以包括与一对数据线交叉的浮置存储电极，并且修复图案可以与栅极线平行并与相邻的浮置存储电极叠置。
可以进一步包括设置在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层，并且修复图案和一对数据线可以设置在栅极绝缘层上。
存储电极线可以与栅极线设置在同一层上，并且存储电极线还可以包括平行于栅极线延伸的横向部分。
修复图案可以通过栅极绝缘层的接触孔连接到浮置存储电极。
根据另一示例性实施例的液晶显示器包括：显示面板，包括多个像素；多条栅极线；多对数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线；多条参考电压线；以及多条存储电极线，其中，所述多个像素中的每个包括：第一薄膜晶体管，连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线中的一条；像素电极，连接到第一薄膜晶体管；以及修复图案，与栅极线交叉，其中，一对数据线和参考电压线与栅极线交叉，其中，存储电极线包括与一对数据线平行的纵向部分，并且修复图案与存储电极线或与其相邻的纵向部分中的一个叠置。
修复图案可以设置为与一对数据线平行。
可以进一步包括设置在栅极线和存储电极线上的栅极绝缘层，其中，修复图案可以设置在栅极绝缘层上。
栅极线和存储电极线可以设置在同一层上，并且存储电极线还可以包括延伸为与栅极线平行的横向部分。
修复图案的一端可以与横向部分叠置，修复图案的另一端可以与相邻的存储电极线叠置。
修复图案的一端可以通过栅极绝缘层的接触孔连接到横向部分，修复图案的另一端可以连接到相邻的存储电极线。
可以进一步包括连接到第一薄膜晶体管和像素电极的第三薄膜晶体管。
一种液晶显示器的修复方法，所述液晶显示器包括：多条栅极线；多对数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线；多条存储电极线，包括与一对数据线平行的纵向部分；第一薄膜晶体管，连接到栅极线以及一对数据线中的一条；像素电极，连接到第一薄膜晶体管；以及修复图案，与栅极线交叉并且与存储电极线或与其相邻的存储电极叠置，根据示例性实施例的液晶显示器的修复方法包括以下步骤：在存储电极线与第一数据线或第二数据线叠置的区域中切断存储电极线的一个区域；并且将激光照射到修复图案和存储电极线叠置为短路的区域或修复图案和与其相邻的纵向部分中的一个叠置为短路的区域。
液晶显示器还可以包括：参考电压线，与一对数据线平行；以及第三薄膜晶体管，连接到栅极线以及一对数据线和参考电压线之中的一条。
所述多条存储电极线还可以包括与一对数据线交叉的浮置存储电极，并且修复图案与一对数据线交叉并与相邻的浮置存储电极叠置，其中，修复方法还可以包括：在存储电极线与第一数据线或第二数据线叠置的区域中切断存储电极线的一个区域；并且将激光照射到修复图案和相邻的浮置存储电极叠置为短路的区域。
实施例可以涉及一种液晶显示装置。液晶显示装置可以包括：栅极线、第一数据线、第一存储电极组、第一薄膜晶体管、第一像素电极和第一修复构件。栅极线可以传输栅极信号。第一数据线可以与栅极线交叉并且可以传输第一数据信号。第一薄膜晶体管可以包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极和第一半导体构件。第一半导体构件可以与第一栅电极、第一源电极和第一漏电极中的每个叠置。第一栅电极可以电连接到栅极线。第一源电极可以电连接到第一数据线。第一漏电极和第一存储电极组可以彼此叠置并形成存储电容器。第一像素电极可以电连接到第一漏电极。第一修复构件可以由电导电材料形成，可以与第一漏电极和第一数据线中的每个电绝缘，并且可以与第一存储电极组叠置。
第一修复构件在液晶显示装置的平面图中可以与第一数据线平行。
液晶显示装置还可以包括设置在栅极线和第一存储电极组上的栅极绝缘层。栅极绝缘层可以使栅极线和第一存储电极组中的每个与第一数据线和第一修复构件中的每个电绝缘。
栅极线的面可以与第一存储电极组的面共面。第一存储电极组可以包括在液晶显示装置的平面图中平行于栅极线延伸的第一存储电极部分。
液晶显示装置还可以包括以下元件：第二像素电极，与第一像素电极紧邻，并且在第一像素电极和第二像素电极之间没有设置中间像素电极；以及第二存储电极组，与第二像素电极叠置。第一修复构件的第一端可以与第一存储电极部分叠置。第一修复构件的第二端可以与第二存储电极组叠置。
第一修复构件的第一端可以通过栅极绝缘层的第一接触孔(直接和/或电气地)连接到第一存储电极部分。第一修复构件的第二端可以通过栅极绝缘层的第二接触孔(直接和/或电气地)连接到第二存储电极组。
第一存储电极组可以包括在液晶显示装置的平面图中与第一数据线交叉的浮置存储电极。第一修复构件在液晶显示装置的平面图中可以与栅极线平行，并且可以与浮置存储电极叠置。
液晶显示装置还可以包括设置在栅极线和第一存储电极组上的栅极绝缘层。栅极绝缘层可以使栅极线和第一存储电极组中的每个与第一修复构件和第一数据线中的每个电绝缘。
第一存储电极组的面可以与栅极线的面共面。第一存储电极组可以包括在液晶显示装置的平面图中平行于栅极线延伸的存储电极部分。
第一修复构件可以通过栅极绝缘层的接触孔连接到浮置存储电极。
液晶显示装置还可以包括与第一像素电极叠置并且被配置为传输参考电压的参考电压线。修复构件在液晶显示装置的平面图中可以与栅极线交叉并且可以与参考电压线的一部分平行。
液晶显示装置还可以包括第二数据线，该第二数据线被配置为传输第二数据信号并与第一数据线紧邻，并且在第一数据线与第二数据线之间未设置中间数据线。第一修复构件可以设置在第一数据线与第二数据线之间。
液晶显示装置还可以包括设置在栅极线和第一存储电极组上的栅极绝缘层。栅极绝缘层可以使栅极线和第一存储电极组中的每个与第一数据线、参考电压线和第一修复构件中的每个电绝缘。
栅极线的面可以与第一存储电极组的面共面。第一存储电极组可以包括在液晶显示装置的平面图中平行于栅极线延伸的第一存储电极部分。
液晶显示装置还可以包括以下元件：第二像素电极，与第一像素电极紧邻，并且在第一像素电极与第二像素电极之间未设置中间像素电极；以及第二存储电极组，与第二像素电极叠置。第一修复构件的第一端可以与第一存储电极部分叠置。第一修复构件的第二端可以与第二存储电极组叠置。
第一修复构件的第一端可以通过栅极绝缘层的第一接触孔(直接和/或电气地)连接到第一存储电极部分。第一修复构件的第二端可以通过栅极绝缘层的第二接触孔(直接和/或电气地)连接到第二存储电极组。
液晶显示装置还可以包括电连接到参考电压线、第一薄膜晶体管和第一像素电极中的每个的第二薄膜晶体管。
实施例可以涉及一种液晶显示装置的修复方法。所述液晶显示装置可以包括：栅极线；第一数据线；第一存储电极组；第一薄膜晶体管，与第一存储电极组叠置，并且电连接到栅极线和第一数据线中的每个；第一像素电极，电连接到第一薄膜晶体管；以及第一修复构件，与第一存储电极组叠置。修复方法可以包括以下步骤：切断第一存储电极组的与第一数据线叠置的第一部分；并且将第一激光照射到第一修复构件的第一部分和第一存储电极组的第二部分中的至少一个，以将第一修复构件的第一部分电连接到第一存储电极组的第二部分。
修复方法还可以包括以下步骤：将第二激光照射到第一修复构件的第二部分和第二存储电极组的一部分中的至少一个，以将第一修复构件的第二部分电连接到第二存储电极组的所述一部分。液晶显示装置还可以包括第二存储电极组和与第二存储电极组叠置的第二像素电极。
第一存储电极组可以包括在液晶显示装置的平面图中与第一数据线交叉的浮置存储电极。第一存储电极组的第二部分可以是浮置存储电极的一部分。
根据实施例，通过设置将相邻像素的存储电极线/组连接的修复图案/构件，即使为避免不希望的短路而切断存储电极线/组，也可以将共电压充分地施加到像素。
在根据实施例的液晶显示装置中，可以使存储电极线/组与数据线之间的叠置最小化。有利地，可以改善电荷比。
附图说明
图1是示出根据实施例的液晶显示器的示意性俯视平面图。
图2是示出根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
图3是根据实施例的沿图2的线III-III'截取的剖视图。
图4是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的两个像素的俯视平面图。
图5是示出根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
图6示出了根据实施例的图5中示出的结构的区域。
图7是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
图8是示出根据实施例的液晶显示器的一个或更多个像素的等效电路图。
图9是示出根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
图10是根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
具体实施方式
参照附图描述了示例实施例。在全部不脱离预期的范围的情况下，可以以各种方式修改所描述的实施例。
相同的附图标记可以表示相同或相似的元件。
在附图中，为清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。
尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件作为“第一”元件的描述可以不需要或不暗示存在第二元件或其它元件。这里也可以使用术语“第一”、“第二”等来区分元件的不同类别或组。为简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接在第二元件上，或者在第一元件与第二元件之间可以存在一个或更多个中间元件。当第一元件被称为“直接在”第二元件“上”时，在第一元件与第二元件之间不存在预期的中间元件(除了诸如空气的环境元件之外)。词语“在……上”或“在……上方”可以表示位于对象部分上或下方，并且不一定表示基于重力方向位于对象部分的上侧上。
除非明确地相反描述，否则词语“包括”和诸如“含有”或“包含”的变型可以意味着包含所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
术语“液晶显示器”可以表示“液晶显示装置”；术语“连接”可以表示“电连接”和/或“直接连接”；术语“绝缘”可以表示“电绝缘”；术语“导电”可以表示“电导电”；术语“图案”可以表示“构件”；术语“电极线”可以表示“电极组”。
图1是根据实施例的液晶显示器的示意性俯视平面图。
参照图1，液晶显示器包括显示面板100，该显示面板100包括显示区域DA和设置在显示区域DA外侧的外围区域PA。液晶显示装置还可以包括向显示面板100提供光的背光900。
作为能够根据输入图像来显示图像的区域的显示区域DA包括多个像素PX、多条栅极线120和多对数据线171a和171b。
每个像素PX是用于显示图像的基本单元，并且可以包括发射/透射光的部分和阻挡光的部分。多个像素PX可以布置为矩阵。
每个像素PX可以包括至少一个开关元件，该开关元件电连接到多条栅极线120之中的一条、多对数据线171a和171b之中的一对以及一个像素电极。诸如薄膜晶体管的开关元件可以包括栅极端子、输入端子和输出端子。
开关元件根据栅极线120的栅极信号而导通或截止，从而将数据电压从数据线171a和171b中的一条传输到像素电极。像素PX可以根据施加到像素电极的数据电压来显示对应的图像。
为了显示各种颜色，每个像素PX可以显示原色之中的一种，并且可以通过原色的空间和时间组合来识别期望颜色的图像。例如，原色可以是诸如红色、绿色和蓝色的三原色，并且还可以包括白色。
栅极线120可以传输栅极信号，诸如栅极导通电压和栅极截止电压等。多条栅极线120可以基本在第一方向DR1上延伸。
传输一个栅极信号的一条栅极线120可以包括彼此电连接的第一子栅极线121和第二子栅极线122。第一子栅极线121和第二子栅极线122中的每条可以基本沿第一方向DR1伸长，并且在显示区域DA中，第一子栅极线121和第二子栅极线122可以彼此平行。第一子栅极线121和第二子栅极线122可以沿第二方向DR2布置。包括在一条栅极线120中的第一子栅极线121和第二子栅极线122可以分别设置在不同的像素行PXR中，并且可以电连接到包括在对应的像素行PXR中的多个像素PX。包括在一条栅极线120中的第一子栅极线121和第二子栅极线122可以在显示区域DA的右/左边缘附近或在外围区域PA处彼此物理地且电气地连接，从而传输同一栅极信号。
数据线171a和171b可以至少传输与输入到液晶显示装置的图像信号对应的数据电压。多对数据线171a和171b可以沿第一方向DR1布置，并且数据线171a和171b中的每条可以主要沿第二方向DR2伸长。
可以对应于每个像素列PXC设置一对数据线171a和171b。第一数据线171a和第二数据线171b可以沿第一方向DR1交替地布置。对应于一个像素列PXC的一对数据线171a和171b可以横穿对应像素列PXC的像素PX的内部，并且可以与像素电极叠置。具体地，数据线171a和171b可以穿过光透射到对应像素列PXC中的每个像素PX的区域的内部。对应于一个像素列PXC的一对数据线171a和171b可以传输彼此不同的数据电压。
对应于一个像素列PXC的一对数据线171a和171b电连接到包括在对应像素列PXC中的多个像素PX。具体地，在一个像素列PXC中，分别电连接到第一子栅极线121和第二子栅极线122的两个像素PX电连接到一对数据线171a和171b的不同数据线171a和171b。因此，在一个像素列PXC中，连接到第一子栅极线121的不同像素PX可以通过不同数据线171a和171b同时接收与数据线171a和171b中的每条对应的数据电压。例如，如图1中所示，在每个像素列PXC中，沿第二方向DR2布置的多个像素PX可以交替地电连接到一对对应的数据线171a和171b。
在显示面板100中，数据线171a和171b的数量可以是像素列PXC的总数的近似两倍。
大部分外围区域PA可以不透射光。向栅极驱动器400和数据驱动器500传输驱动控制信号的多条信号线可以设置在外围区域PA中。
栅极驱动器400连接到栅极线120，并且可以根据时序控制器的控制将栅极信号传输到栅极线120。栅极驱动器400相对于显示区域DA设置在左侧上，然而，可以进一步在右侧处设置一个栅极驱动器400。栅极驱动器400可以通过与诸如显示区域DA的薄膜晶体管的电气元件的工艺相同的工艺直接形成在显示面板100的外围区域PA处。
数据驱动器500连接到数据线171a和171b。数据驱动器500可以根据时序控制器的控制将数据电压作为与输入图像信号对应的灰度电压施加到数据线171a和171b。数据驱动器500可以作为多种驱动芯片中的一种安装在显示面板100的外围区域PA上，或者可以安装在电连接到显示面板100的柔性印刷电路膜或印刷电路板(PCB)上。
背光900可以位于显示面板100的后表面处以向显示面板100提供光，并且可以包括以平面或线性方式布置的多个发光元件以及各种光学膜。
图2示出了根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图，图3是根据实施例的沿图2的线III-III'截取的剖视图。
液晶显示器包括第一基底110和第二基底210以及置于第一基底110与第二基底210之间的液晶层3。
包括栅极线121、栅电极124和存储电极线131的栅极导电层设置在第一基底110上。栅极导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)、合金等的金属之中的至少一种。
栅极线121可以包括多条栅极线121a和121b，并且可以电连接到栅电极124。栅极线121可以在第一方向DR1上延伸，并且可以包括两条栅极线121a和121b。两条栅极线121a和121b在第一方向DR1上平行地延伸，并且可以连接以包围栅电极124。
存储电极线131与栅极线121和栅电极124分开，并且可以传输诸如共电压的预定电压。存储电极线131可以设置在第一基底110上，可以与栅极线121形成在同一层上，并且可以与栅极线121由相同的材料制成。
存储电极线131可以包括：一个横向部分131a，在第一方向DR1上延伸；多个纵向部分131b和131d，连接到横向部分131a并在第二方向DR2上延伸；以及扩展部分131c，作为横向部分131a的一部分被扩展的部分。
多个纵向部分131b和131d可以包括设置在像素电极191的各个侧上的两个纵向部分131b，以及从扩展部分131c沿第二方向DR2向上延伸的一个纵向部分131d。
存储电极线131还可以包括浮置存储电极131e，该浮置存储电极131e在一个纵向部分131d的上侧被分开并沿第一方向DR1设置。
存储电极线131可以设置在栅极线121的上侧处，并且可以与像素电极191的边缘叠置。这在描述像素电极191之后详细描述。
栅极绝缘层140设置在栅极导电层上。栅极绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘层材料制成。在实施例中，有机绝缘体材料可以用于栅极绝缘层140。
包括沟道半导体154和多个防台阶半导体156的半导体层设置在栅极绝缘层140上。半导体层可以包括非晶硅或多晶硅或氧化物半导体材料。沟道半导体154可以与栅电极124叠置。
包括包含源电极173的数据线171、漏电极175以及修复图案170a和170b的数据导电层设置在栅极绝缘层140和半导体层上。数据导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)、合金等的金属之中的至少一种。
数据线171包括第一数据线171a和第二数据线171b。第一数据线171a和第二数据线171b基本在第二方向DR2上延伸并与栅极线121交叉。第一数据线171a包括源电极173。第二数据线171b可以包括源电极173。
源电极173与栅电极124叠置，并且可以具有基本U形的结构。源电极173可以具有一种或更多种其它形状。
多个防台阶半导体156设置在栅极导电层和数据线171交叉的位置之间，并且可以防止数据线171通过由栅极导电层产生的台阶而断开。
漏电极175与数据线171和源电极173分开。漏电极175可以包括在与栅电极124叠置的区域中面对源电极173的部分以及扩展部分177。如图3中所示，扩展部分177可以设置在栅极线121和栅电极124上方。在彼此面对的漏电极175与源电极173之间的大部分区域可以与沟道半导体154叠置。
如图3中所示，扩展部分177可以与存储电极线131的扩展部分131c叠置。扩展部分177经由栅极绝缘层140与存储电极线131的扩展部分131c叠置，从而形成存储电容器(Cst)。即使当数据电压未从数据线171a和171b施加到漏电极175和像素电极191时，存储电容器(Cst)也可以具有保持施加到漏电极175和与其连接的像素电极191的电压的功能。
栅电极124、源电极173和漏电极175与沟道半导体154一起形成作为开关元件的薄膜晶体管，薄膜晶体管的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的沟道半导体154中。
修复图案170a和170b设置在栅极绝缘层140上，并且与数据线171、源电极173或漏电极175形成在同一层上并与他们绝缘。修复图案170a和170b平行地设置以与一对数据线171a和171b分开，并且可以在第二方向DR2上延伸。修复图案170a和170b可以设置在第一数据线171a和第二数据线171b的外侧，并且可以设置在彼此相邻的第一数据线171a和第二数据线171b之间。
修复图案170a和170b可以由电导电材料制成，电导电材料例如诸如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)和合金中的一种或更多种的金属。
修复图案170a和170b可以与存储电极线131的横向部分131a、栅极线121和/或存储电极线131的一个纵向部分131b叠置。
参照图2，修复图案170a和170b中的每个的一端可以与存储电极线131的横向部分131a和纵向部分131b相交的位置叠置。修复图案170a和170b在与第二方向DR2相反的方向上从存储电极线131的横向部分131a延伸，并且可以与栅极线121交叉。修复图案170a和170b中的每个的另一端可以与紧邻像素的存储电极线131的纵向部分131b叠置。
钝化层180设置在数据导电层和暴露的半导体层上。钝化层180可以包括无机绝缘层材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
钝化层180可以包括接触孔185。接触孔185设置在漏电极175的扩展部分177上，从而连接漏电极175和像素电极191。
滤色器230可以设置在钝化层180上，并且可以唯一地显示原色之中的一种。
包括像素电极191和屏蔽电极199的像素电极层可以设置在钝化层180上。像素电极层可以包括诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等的透明导电材料，或可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、合金等中的至少一种。
参照图2，像素电极191的整体形状是近似四边形，并且可以包括像素电极191被部分地去除的图案。根据像素电极191的图案，像素电极191可以包括横向主干部分192、纵向主干部分193、多个微小分支部分194、连接部分195和扩展部分196。
横向主干部分192在第一方向DR1上延伸，纵向主干部分193以交叉形状连接到横向主干部分192，并且近似地在第二方向DR2上延伸。
像素电极191可以通过横向主干部分192和纵向主干部分193被划分为四个子区域R1、R2、R3和R4。
多个微小分支部分194设置在四个子区域R1、R2、R3和R4中，并且从第一方向DR1和第二方向DR2沿对角线方向从横向主干部分192和纵向主干部分193倾斜地延伸。经由纵向主干部分193彼此面对的两个子区域R1和R2以及R3和R4的微小分支部分194在彼此不同的方向上延伸。
相邻的微小分支部分194之间的电极被去除，这在下文中被称为微小缝隙。
在微小分支部分194与横向主干部分192或纵向主干部分193之间形成的锐角可以为约40°至45°。在实施例中，可以考虑诸如液晶显示器的可视性等的显示特性来适当地配置角度。
连接部分195可以连接到子区域R3的微小分支部分194。扩展部分196可以通过连接部分195连接到子区域R3的微小分支部分194，并且可以与漏电极175的扩展部分177叠置。
像素电极191的扩展部分196通过接触孔185电连接到漏电极175，从而接收数据电压。
如图2中所示，像素电极191的左边缘和右边缘的端部可以与存储电极线131的纵向部分131b叠置，或者可选地，可以不与纵向部分131b叠置。
屏蔽电极199与像素电极191分开，可以基本在第一方向DR1上延伸，并且可以设置在与多条栅极线121a和121b的一部分叠置的区域中。屏蔽电极199可以与栅极线121叠置，并且可以沿第二方向DR2设置以与第二数据线171b的一部分叠置。
屏蔽电极199接收与共电极270的电压相同的电压。在屏蔽电极199与共电极270之间不产生电场，并且液晶分子不重新排列。屏蔽电极199与共电极270之间的液晶显示黑色状态。如上所述，当液晶分子显示黑色时，液晶分子自身可以用作阻光构件。
第二基底210面对第一基底110。
阻光构件220可以设置在第二基底210下方。阻光构件220可以防止相邻的像素电极191之间的光泄漏。具体地，阻光构件220可以主要设置在相邻的像素电极191之间的区域处。阻光构件220可以包括透射光的开口(未示出)。
外涂层(未示出)设置在阻光构件220下方并覆盖液晶层3。外涂层(未示出)可以由有机绝缘材料制成。外涂层(未示出)防止阻光构件220被暴露并提供平坦的表面。
共电极270设置在第二基底210和阻光构件220下方。共电极270可以连续地形成在与显示区域DA对应的大部分区域中。共电极270还可以如像素电极层一样包括诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等的透明导电材料，或者包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)及其合金等的金属。共电极270可以不被图案化为包括缝隙等，或者如果需要可以包括缝隙或切口。
设置在第一基底110上的滤色器230可以可选地设置在第二基底210与共电极270之间。
液晶层3设置在第一基底110与第二基底210之间。
液晶层3可以包括具有负介电各向异性的液晶分子31。当不向液晶层3施加电场时，液晶分子31可以取向为使得其长轴以预定角度取向或者与第一基底110和第二基底210的表面垂直。液晶分子31可以沿像素电极191的图案化部分(例如，微小分支部分194)的边缘与共电极270之间的边缘场或台阶预倾斜。
覆盖像素电极191和滤色器230的取向层11可以设置在第一基底110上，并且取向层21可以设置在第二基底210上的共电极270下方。两个取向层11和21可以是垂直取向层。通过使用诸如紫外线的光处理反应性单体(RM)而形成的多个聚合物突起可以位于取向层11和21的与液晶层3相邻的表面处，并且这些聚合物突起可以用于维持液晶层3的液晶分子31的预倾斜。
当被施加数据电压的像素电极191与共电极270一起产生电场时，确定设置在两个电极191和270之间的液晶层3的液晶分子31的排列方向。根据这样确定的液晶分子31的方向，控制穿过液晶层3的光的亮度。
数据电压仅施加到像素电极191，然而如果在数据线171和存储电极线131彼此交叉并且叠置的区域中产生短路，则共电压信号和数据信号混合，使得不会施加正确的数据信号。
在这种情况下，在第一数据线171a与存储电极线131叠置的位置处，可以通过切断存储电极线131将正确的数据信号施加到像素电极191。如果在完成显示面板100之后出现该缺陷，则通过修复工艺修复该缺陷，并且在下文中描述修复工艺之后的像素PX结构。
图4是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的两个像素的俯视平面图。
两个像素包括在列方向上相邻的第一像素PX1和第二像素PX2，并且第一像素PX1和第二像素PX2的布置结构与图2中示出的一个像素的俯视平面图相同。
参照图4，在第一数据线171a和存储电极线131的横向部分131a彼此叠置并且形成不希望的短路的位置X(也可以称为“短路部分X”)处，可以切断存储电极线131的横向部分131a的设置在第一数据线171a的相对侧处的两个部分C。如果切断横向部分131a上的短路部分X的两个部分C，则第一数据线171a可以施加正确的数据信号。
然而，如果切断存储电极线131的横向部分131a的部分，则共电压不会施加到包括扩展部分131c(连接到存储电极线131的横向部分131a)和纵向部分131b和131d(连接到扩展部分131c)的区域。
如果切断存储电极线131的部分，则为了解决上述共电压未被适当施加的问题，可以使用修复图案170a和170b(设置为贯穿第一像素PX1的存储电极线131和第二像素PX2的存储电极线131)。
在修复工艺中，激光照射到修复图案170a和170b中的每个的一端S以及第一像素PX1中的存储电极线131的对应的横向部分131a，并且激光照射到修复图案170a和170b中的每个的另一端S以及第二像素PX2中的存储电极线131的对应的纵向部分131b。修复图案170a和170b中的每个的一端S以及存储电极线131的对应的横向部分131a通过形成在栅极绝缘层140中的接触孔(与端部S对应)连接，修复图案170a和170b中的每个的另一端S以及存储电极线131的对应的纵向部分131b通过形成在栅极绝缘层140中的接触孔(与端部S对应)连接。
被激光处理的修复图案170a和170b可以将第一像素PX1的存储电极线131电连接到第二像素PX2的存储电极线131。结果，施加到第一像素PX1中的存储电极线131的一侧横向部分131a的共电压通过连接到横向部分131a的修复图案170a施加到第二像素PX2的纵向部分131b(由粗实线表示)。通过第二像素PX2的纵向部分131b施加的共电压通过从横向部分131a延伸的扩展部分131c以及纵向部分131b和131d施加到第二像素PX2区域(由虚线表示)。共电压也可以通过连接到第二像素PX2的纵向部分131b的修复图案170b施加到第一像素PX1的存储电极线131的横向部分131a、纵向部分131b和131d以及扩展部分131c(由虚线表示)。
因此，即使切断像素的存储电极线131的具有不希望的短路的部分，也可以通过修复图案170a和170b将共电压充分地施加到相邻像素的存储电极线131。
有利地，在根据实施例的液晶显示装置中，数据信号可以正确地施加到每个像素，并且可以在没有断开的情况下施加共电压。
图5是示出根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图，图6示出了根据实施例的图5中示出的结构的区域。图7是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
栅极线121可以包括多条栅极线121a和121b，并且可以包括栅电极124。栅极线121可以在第一方向DR1上延伸，并且可以包括两条栅极线121a和121b。两条栅极线121a和121b在第一方向DR1上平行地延伸，并且可以连接以包围栅电极124。
存储电极线131与栅极线121和栅电极124分开，并且可以传输诸如共电压的预定电压。
存储电极线131可以与栅极线121绝缘，并且可以与像素电极191的边缘叠置。
存储电极线131可以包括：一个横向部分131a，在第一方向DR1上延伸；多个纵向部分131b和131d，连接到横向部分131a并在第二方向DR2上延伸；以及扩展部分131c，作为横向部分131a的一部分被扩展的部分。
多个纵向部分131b和131d可以包括设置在像素电极191的各个侧上的两个纵向部分131b，以及从扩展部分131c沿第二方向DR2向上延伸的一个纵向部分131d。
存储电极线131还可以包括在第二方向DR2上与一个纵向部分131d分开(并且绝缘)的纵向浮置存储电极131e。存储电极线131还可以包括在第一方向DR1上延伸并与数据线171a和171b交叉的横向浮置存储电极131f。
纵向浮置存储电极131e可以与像素电极191的纵向主干部分193叠置，横向浮置存储电极131f可以与像素电极191的横向主干部分192叠置。横向浮置存储电极131f可以与存储电极线131的纵向部分131b分开(并且绝缘)。
栅极绝缘层140(如图3中所示)可以设置在包括栅极线121、栅电极124和存储电极线131的栅极导电层上。包括沟道半导体154和多个防台阶半导体156的半导体层可以设置在栅极绝缘层140上。
包括数据线171、源电极173、漏电极175以及修复图案170c和170d的数据导电层可以设置在栅极绝缘层140和半导体层上。
数据线171包括第一数据线171a和第二数据线171b。第一数据线171a和第二数据线171b基本在第二方向DR2上延伸并与栅极线121交叉。第一数据线171a包括源电极173。第二数据线171b可以包括源电极173。
源电极173与栅电极124叠置，并且可以具有基本U形的结构。
漏电极175与数据线171和源电极173分开。漏电极175可以包括在与栅电极124叠置的区域中面对源电极173的部分以及扩展部分177。
栅电极124、源电极173和漏电极175与沟道半导体154一起形成作为开关元件的薄膜晶体管，薄膜晶体管的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的沟道半导体154中。
修复图案170c和170d设置在栅极绝缘层140上，并且与数据线171a和171b、源电极173或漏电极175形成在同一层上(并由相同的材料形成)。修复图案170c和170d均在第一方向DR1上延伸，并且与存储电极线131的对应的纵向部分131b叠置并交叉。在液晶显示装置的平面图中，修复图案170c和170d可以与横向浮置存储电极131f对齐。
参照图6，修复图案170c和170d均可以突出到存储电极线131的对应的纵向部分131b之外而不与数据线171a或171b叠置。
修复图案170c和170d中的每个的一端可以与横向浮置存储电极131f的一端叠置。在实施例中，修复图案170c和170d中的每个的另一端可以与相邻像素的横向浮置存储电极131f的一端叠置。
再次参照图5，在根据实施例的液晶显示装置中，如果在数据线171与存储电极线131叠置的区域中形成不希望的短路，则共电压信号和数据信号混合，使得不会施加正确的信号。
在实施例中，参照图7，在数据线171与存储电极线131彼此叠置的位置X处，可以切断存储电极线131的横向部分131a的部分C。如果切断横向部分131a的短路部分X的两个部分C，则第一数据线171a可以将正确的数据信号施加到像素电极191。
然而，如果切断横向部分131a的部分，则共电压不施加到包括扩展部分131c(连接到存储电极线131的横向部分131a)、纵向部分131b和131d(连接到扩展部分131c)等的区域。
如果切断存储电极线131的部分，则为了解决上述共电压供应不足的问题，可以使用与横向浮置存储电极131f叠置的修复图案170c和170d。
再次参照图7，在修复工艺中，激光照射到修复图案170c的一端S和横向浮置存储电极131f的一端S中的每个，并且激光照射到横向浮置存储电极131f的另一端S和修复图案170d的一端S中的每个。激光可以照射到相邻像素中的横向浮置存储电极131f的一端S和修复图案170c的另一端S中的每个。
被激光处理的修复图案170c和170d可以连接到横向浮置存储电极131f。结果，存储电极线131的两个纵向部分131b可以通过修复图案170c、横向浮置存储电极131f和修复图案170d连接。即使为了避免数据信号和共电压信号混合而切断存储电极线131的横向部分131a的部分，用于向每个像素施加共电压的存储电极线131的横向部分131a也可以保持连接，以将共电压施加到像素的全部区域。
图8是根据实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图，图9是示出根据实施例的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。图10是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
参照图8，液晶显示器包括诸如栅极线121、数据线171和用于传输参考电压的参考电压线178的信号线，并且包括连接到信号线的一个或更多个像素。
每个像素包括第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa包括第一薄膜晶体管Qa和第一液晶电容器Clca，第二子像素PXb包括第二薄膜晶体管Qb、第三薄膜晶体管Qc和第二液晶电容器Clcb。
第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb均连接到栅极线121和数据线171，第三薄膜晶体管Qc连接到第二薄膜晶体管Qb的输出端子和参考电压线178。
第一薄膜晶体管Qa的输出端子连接第一液晶电容器Clca，第二薄膜晶体管Qb的输出端子连接第二液晶电容器Clcb和第三薄膜晶体管Qc的输入端子。第三薄膜晶体管Qc的控制端子连接到栅极线121，第三薄膜晶体管Qc的输入端子连接到第二液晶电容器Clcb，第三薄膜晶体管Qc的输出端子连接到参考电压线178。
如果栅极导通电压(Von)施加到栅极线121，则与其连接的第一薄膜晶体管Qa、第二薄膜晶体管Qb和第三薄膜晶体管Qc导通。因此，施加到数据线171的数据电压通过导通的第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb施加到第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb，使得第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb被充入数据电压(Vd)与共电压(Vcom)之间的差值。在这种情况下，相同的数据电压(Vd)通过第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb传输到第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb，然而，第二液晶电容器Clcb的充电电压通过第三薄膜晶体管Qc被分压。因此，由于第二液晶电容器Clcb的充电电压变得小于第一液晶电容器Clca的充电电压，因此可以区分两个子像素PXa和PXb的亮度。因此，通过适当地控制在第一液晶电容器Clca中充入的电压和在第二液晶电容器Clcb中充入的电压，从侧面观看到的图像可以最接近从正面观看到的图像，从而提高侧面可视性。
参照图9，液晶显示器可以包括彼此面对的上基底和下基底，并且可以包括置于上基底与下基底之间的液晶层。
包括栅极线121以及第一存储电极线131和第二存储电极线132的栅极导电层可以设置在下基底上。
栅极线121可以包括多条栅极线。
栅极线121包括第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c以及与其它层或外部驱动电路连接的宽的端部(未示出)。
栅极线121以及第一存储电极线131和第二存储电极线132可以由诸如铝(Al)或铝合金的一种或更多种铝金属、诸如银(Ag)或银合金的一种或更多种银金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜金属、诸如钼(Mo)或钼合金的一种或更多种钼金属、铬(Cr)、铊(Ta)和/或钛(Ti)制成。
栅极线121沿第一方向DR1横穿一个像素。显示高灰度的第一子像素电极191a可以在第二方向DR2上相对于栅极线121设置在上侧处且显示低灰度的第二子像素电极191b可以在第二方向DR2上相对于栅极线121设置在下侧处，反之亦然。
第一存储电极线131设置在栅极线121上方，并且可以与第一子像素电极191a的边缘叠置。第一存储电极线131包括两个纵向部分131b，并且可以包括连接两个纵向部分131b的横向部分131a。在实施例中，第一存储电极线131的横向部分131a可以在一个像素区域上延伸以连接到其它层或外部驱动电路。
栅极线121下方的第二存储电极线132可以与第二子像素电极191b的边缘叠置。第二存储电极线132包括两个纵向部分132b，并且可以包括连接两个纵向部分132b的横向部分132a(类似于第一存储电极线131的横向部分131a)。
第一存储电极线131可以包括第一扩展部分131c，第二存储电极线132可以包括第二扩展部分132c。第一扩展部分131c和第二扩展部分132c中的每个在平面图中可以具有四边形形状，并且可以从横向部分131a和132a突出。第一扩展部分131c和第二扩展部分132c可以具有一种或更多种其它形状。
第一扩展部分131c可以与第一漏电极175a所延伸的区域和第一子像素电极191a所伸长的区域叠置。第一扩展部分131c可以与第一漏电极175a和第一子像素电极191a叠置。
第二扩展部分132c可以与第二漏电极175b所延伸的区域和第二子像素电极191b所伸长的区域叠置。第二扩展部分132c可以与第二漏电极175b和第二子像素电极191b叠置。
根据实施例，存储电极线131和132可以具有执行所需功能而需要的特定形状。
栅极绝缘层可以设置在栅极导电层上。第一半导体层154a、第二半导体层154b和第三半导体层154c设置在栅极绝缘层上。
包括数据线171a和171b、第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电极175c和参考电压线178的数据导电层可以设置在第一半导体层154a、第二半导体层154b和第三半导体层154c上。源电极173包括第一源电极173a、第二源电极173b和第三源电极173c，并且漏电极175包括第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c。
数据导电层还可以包括修复图案170a和170b。
数据线171a和171b在第二方向DR2上沿像素区域边缘延伸，并且包括第一源电极173a和第二源电极173b。
第一漏电极175a在平面图中沿第一方向DR1与第一源电极173a分开，并且可以包括基本I形的结构。第一漏电极175a包括连接到第一子像素电极191a的第一扩展部分177a。
第二漏电极175b在平面图中沿第一方向DR1与第二源电极173b分开，并且可以包括基本I形的结构。第二漏电极175b包括连接到第二子像素电极191b的第二扩展部分177b。
第三源电极173c可以与第二漏电极175b相邻。参考电压线178包括形成第三薄膜晶体管Qc的第三源电极173c和第三漏电极175c。
包括在参考电压线178中的第一纵向部分172a可以与第一子像素电极191a的纵向主干部分193a叠置。第二纵向部分172b可以与第二子像素电极191b的纵向主干部分193b叠置。包括在参考电压线178中的第三纵向部分172c可以穿过设置在第一子像素电极191a所设置区域与第二子像素电极191b所设置区域之间的区域。
参考电压线178可以包括连接第一纵向部分172a和第三纵向部分172c的第一横向部分174a，以及连接第二纵向部分172b和第三纵向部分172c的第二横向部分174b。
第一横向部分174a可以与第一子像素电极191a叠置，第二横向部分174b可以与第二子像素电极191b叠置。然而，不限于该形状，第一横向部分174a和第二横向部分174b可以不与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b叠置。
参考电压线178可以根据像素电极191的形状而具有一定的形状，并且参考电压线178的形状可以根据像素电极191的形状来构造。
第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体层154a一起形成一个第一薄膜晶体管Qa，并且第一薄膜晶体管Qa的沟道形成在第一源电极173a与第一漏电极175a之间的第一半导体层154a中。第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体层154b一起形成一个第二薄膜晶体管Qb，第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第二源电极173b与第二漏极175b之间的第二半导体层154b中。第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体层154c一起形成一个第三薄膜晶体管Qc，第三薄膜晶体管Qc的沟道形成在第三源电极173c与第三漏电极175c之间的第三半导体层154c中。
修复图案170a和170b设置在栅极绝缘层上，并且与数据线171a和171b、源电极173或漏电极175设置在同一层上(并且由相同的材料形成)。修复图案170a和170b平行地设置，与数据线171a和171b分开(并且绝缘)，并且可以在第二方向DR2上延伸。修复图案170a和170b均可以设置在与同一像素电极191叠置的一对数据线171a和171b的外侧，并且均可以设置在分别与两个相邻的像素电极191叠置的两个相邻的数据线171a和171b之间。
修复图案170a和170b可以由导电材料制成，导电材料例如诸如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)和/或合金的一种或更多种金属。
修复图案170a和170b可以与第一存储电极线131的横向部分131a、栅极线121以及第一存储电极线131的对应的纵向部分131b叠置。
修复图案170a和170b中的每个的一端可以与第一存储电极线131的横向部分131a和对应的纵向部分131b交汇处的位置叠置。修复图案170a和170b在第二方向DR2上延伸并且可以与栅极线121交叉。修复图案170a和170b中的每个的另一端可以与第二存储电极线132的对应纵向部分132b叠置。存储电极线131和132在平面图中可以设置在栅极线121的相对侧处。
第一漏电极175a、第一接触孔185a和第一子像素电极191a彼此叠置，并且第一漏电极175a可以通过第一接触孔185a连接到第一子像素电极191a
第二漏电极175b、第二接触孔185b和第二子像素电极191b叠置，并且第二漏电极175b可以通过第二接触孔185b连接到第二子像素电极191b。
像素电极191包括经由栅极线121彼此分开并且沿第二方向DR2相邻的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。
像素电极191可以由诸如ITO或IZO的透明材料制成。像素电极191可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或合金的反射金属制成。
第一子像素电极191a包括：第一横向主干部分192a，在第一方向DR1上延伸；第一纵向主干部分193a，与第一横向主干部分192a交叉并在第二方向DR2上延伸；以及多个第一微小分支部分194a，沿对角线方向从第一横向主干部分192a和第一纵向主干部分193a延伸。相邻的第一微小分支部分194a之间的电极被去除，并且它在下面被称为微小缝隙。
在第一微小分支部分194a与第一横向主干部分192a或第一纵向主干部分193a之间形成的锐角可以为约40°至45°。考虑到液晶显示器的诸如可视性等的显示特性，可以适当地配置角度的大小。
第一子像素电极191a包括第一微小分支部分194a的一部分伸长的宽的区域，并且可以通过所述宽的区域连接到第一漏电极175a的第一扩展部分177a。
第二子像素电极191b包括：第二横向主干部分192b，在第一方向DR1上延伸；第二纵向主干部分193b，与第二横向主干部分192b交叉并在第二方向DR2上延伸；以及多个第二微小分支部分194b，沿对角线方向从第二横向主干部分192b和第二纵向主干部分193b延伸。相邻的第二微小分支部分194b之间的电极被去除，从而形成微小缝隙。
在第二微小分支部分194b与第二横向主干部分192b或第二纵向主干部分193b之间形成的锐角可以为约40°至45°。考虑到液晶显示器的诸如可视性等的显示特性，可以适当地配置角度的大小。
第二子像素电极191b包括第二微小分支部分194b的一部分伸长的宽的区域，并且可以通过所述宽的区域连接到第二漏电极175b的第二扩展部分177b。
屏蔽电极199a和199b与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分开，并且设置为基本在第一方向DR1上延伸。屏蔽电极199a和199b可以与像素电极191形成在同一层上，并且可以由与像素电极191的材料相同的材料制成。
屏蔽电极199a和199b接收与共电极(未示出)的电压相同的电压。在屏蔽电极199a和199b与共电极之间不产生电场，并且液晶分子不重新排列。屏蔽电极199a和199b与共电极之间的液晶显示黑色状态。如此，当液晶分子显示黑色时，液晶分子自身可以用作阻光构件。
包括取向层、共电极、阻光构件等的上基底可以设置在像素电极191上。
液晶层可以设置在包括像素电极191的下基底与上基底之间。液晶层可以包括具有负介电各向异性的液晶分子。
当被施加数据电压的像素电极191与上基底的共电极一起产生电场时，可以确定设置两个电极之间的液晶层的液晶分子的排列方向。根据如此确定的液晶分子的方向，可以控制穿过液晶层的光的亮度。
数据电压仅施加到像素电极191，然而如果在数据线171和存储电极线131交叉的叠置区域中产生短路，则共电压信号和数据信号混合，使得不会施加正确的数据信号。
在实施例中，在数据线171a或171b与第一存储电极线131彼此叠置的位置处，可以通过切断第一存储电极线131而将正确的数据信号施加到像素电极191。可以通过修复工艺来修复切断的不期望的影响。
图10是示出根据实施例的修复工艺之后的液晶显示器的一个像素的俯视平面图。
参照图10，在由于第一数据线171a与第一存储电极线131的横向部分131a的叠置而形成不希望的短路的位置X处，可以切断第一存储电极线131的横向部分131a的与第一数据线171a的叠置的部分C。如果从横向部分131a切断短路部分X，则第一数据线171a可以施加正确的数据信号。
然而，如果切断第一存储电极线131的部分，则共电压不会施加到包括扩展部分131c(连接到第一存储电极线131的横向部分131a)、纵向部分131b和131d(连接到扩展部分131c)等的区域。
如果切断第一存储电极线131的部分，则为了解决上述共电压供应不足的问题，则可以使用修复图案170a和170b(贯穿第一子像素电极191a的第一存储电极线131和第二子像素电极191b的第二存储电极线132设置)。
在修复工艺中，激光照射到修复图案170a和170b中的每个的一端S以及第一子像素电极191a中的第一存储电极线131的横向部分131a，并且激光照射到修复图案170a和170b中的每个的另一端S以及第二子像素电极191b中的第二存储电极线132的对应的纵向部分132b。修复图案170a和170b中的每个的一端S以及第一存储电极线131的横向部分131a通过在栅极绝缘层140(如图3中所示)中产生的接触孔(与端部S对应)连接，修复图案170a和170b中的每个的另一端S以及第二存储电极线132的纵向部分132b通过在栅极绝缘层140中产生的接触孔(与端部S对应)连接。
因此，即使切断像素的第一存储电极线131和第二存储电极线132的部分以补救不希望的短路，也可以通过修复图案170a和170b将共电压充分地施加到另一像素的存储电极线。
由于不需要保持第二存储电极线132的上横向部分，因此可以减小数据线171a和171b与第一存储电极线131和第二存储电极线132叠置的区域。
通常，在像素区域中，在数据线171a和171b以及第一存储电极线131和第二存储电极线132的叠置区域中产生数据负载。数据负载会导致处理速度不期望地慢。
在根据实施例的液晶显示器中，实施修复图案170a和170b而不实施第一存储电极线131和第二存储电极线132的额外结构。结果，可以使第一存储电极线131和第二存储电极线132与数据线171a和171b的叠置的区域最小化，从而可以使数据负载最小化。有利地，可以优化显示装置的电荷比。
尽管已经描述了示例实施例，但是实际的实施例不限于所描述的实施例。实际的实施例涵盖了权利要求范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：
栅极线，被配置为传输栅极信号；
第一数据线，与所述栅极线交叉，并且被配置为传输第一数据信号；
第一存储电极组；
第一薄膜晶体管，包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极和第一半导体构件，其中，所述第一半导体构件与所述第一栅电极、所述第一源电极和所述第一漏电极中的每个叠置，其中，所述第一栅电极电连接到所述栅极线，其中，所述第一源电极电连接到所述第一数据线，并且其中，所述第一漏电极和所述第一存储电极组彼此叠置并形成存储电容器；
第一像素电极，电连接到所述第一漏电极；以及
第一修复构件，由电导电材料形成，与所述第一漏电极和所述第一数据线中的每个电绝缘，并且与所述第一存储电极组叠置。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一修复构件在所述液晶显示装置的平面图中与所述第一数据线平行。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，
其中，所述第一存储电极组包括第一存储电极部分，所述第一存储电极部分在所述液晶显示装置的所述平面图中平行于所述栅极线延伸。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：
第二像素电极，与所述第一像素电极紧邻，并且在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间未设置中间像素电极；以及
第二存储电极组，与所述第二像素电极叠置，其中，所述第一修复构件的第一端与所述第一存储电极部分叠置，并且
其中，所述第一修复构件的第二端与所述第二存储电极组叠置。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括设置在所述栅极线和所述第一存储电极组上的栅极绝缘层，
其中，所述第一修复构件的所述第一端通过所述栅极绝缘层的第一接触孔连接到所述第一存储电极部分，并且
其中，所述第一修复构件的所述第二端通过所述栅极绝缘层的第二接触孔连接到所述第二存储电极组。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，
其中，所述第一存储电极组包括浮置存储电极，所述浮置存储电极在所述液晶显示装置的平面图中与所述第一数据线交叉，并且
其中，所述第一修复构件在所述液晶显示装置的所述平面图中与所述栅极线平行，并且与所述浮置存储电极叠置。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括设置在所述栅极线和所述第一存储电极组上的栅极绝缘层，
其中，所述第一存储电极组包括存储电极部分，所述存储电极部分在所述液晶显示装置的所述平面图中平行于所述栅极线延伸，
其中，所述第一修复构件通过所述栅极绝缘层的接触孔连接到所述浮置存储电极。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括参考电压线，所述参考电压线与所述第一像素电极叠置，并且被配置为传输参考电压，
其中，所述修复构件与所述栅极线交叉，并且在所述液晶显示装置的平面图中与所述参考电压线的一部分平行。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括第二数据线，所述第二数据线被配置为传输第二数据信号并与所述第一数据线紧邻，在所述第一数据线与所述第二数据线之间未设置中间数据线，
其中，所述第一修复构件设置在所述第一数据线与所述第二数据线之间。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：
栅极绝缘层，设置在所述栅极线和所述第一存储电极组上；
第二像素电极，与所述第一像素电极紧邻，并且在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间未设置中间像素电极；以及
第二存储电极组，与所述第二像素电极叠置，
其中，所述第一修复构件的第一端与所述第一存储电极组叠置，并且
其中，所述第一修复构件的第二端与所述第二存储电极组叠置。
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