CN111665666B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；栅极线，设置在基底上并传输栅极信号；第一参考电压线，与栅极线分开并传输参考电压；数据线，与栅极线和第一参考电压线绝缘并交叉；第一漏电极，与数据线分开；绝缘层，设置在数据线和第一漏电极上；以及像素电极层，设置在绝缘层上，其中，像素电极层包括像素电极和与数据线叠置的挡光电极，像素电极包括第一子像素电极，第一子像素电极包括朝向第一漏电极突出的第一延伸部和连接到第一延伸部的一端的接触部分，第一子像素电极的第一延伸部具有与挡光电极的第一边平行的第一边，并且第一延伸部的第一边与挡光电极的第一边之间的间隔小于大约4μm。

Description

显示装置

本申请要求于2019年3月7日提交的第10-2019-0026391号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分地阐述一样。

技术领域

发明的示例性实施例总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种液晶显示器。

背景技术

诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器的显示装置包括显示面板，该显示面板包括多个像素作为用于显示图像的单元。

液晶显示器的显示面板包括含有液晶分子的液晶层、控制液晶层的液晶分子的取向的场产生电极、将电压施加到场产生电极的至少一部分的多条信号线以及连接到多条信号线的多个开关元件。如果将电压施加到场产生电极，则对液晶层产生电场以使液晶分子排列，使得可以通过控制透射光的量来显示期望的图像。为了控制透射光的量，显示面板可以包括至少一个偏振器。

包括在液晶显示器中的场产生电极包括被施加数据电压的像素电极和被施加共电压的对电极。像素电极可以通过开关元件被施加数据电压，开关元件可以是薄膜晶体管。

在该背景技术部分公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景，因此，其可能包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据发明的示例性实施例构造的显示装置能够减小光泄露现象，并且其可以以减少的光泄露而被修复。

根据示例性实施例的显示装置也提供了高开口率和透射率。

发明构思的附加特征将在以下的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践而了解。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；栅极线，设置在基底上并传输栅极信号；第一参考电压线，与栅极线分开并传输参考电压；数据线，与栅极线和第一参考电压线绝缘并交叉；第一漏电极，与数据线分开；绝缘层，设置在数据线和第一漏电极上；以及像素电极层，设置在绝缘层上，其中，像素电极层包括像素电极和与数据线叠置的挡光电极，像素电极包括第一子像素电极，第一子像素电极包括朝向第一漏电极突出的第一延伸部和连接到第一延伸部的一端的接触部分，第一子像素电极的第一延伸部具有与挡光电极的第一边平行的第一边，并且第一延伸部的第一边与挡光电极的第一边之间的间隔小于大约4μm。

第一延伸部可以包括第一部分和第二部分，第一部分可以包括沿与挡光电极的第一边平行的第一方向延伸的第一边，并且第二部分可以沿与第一方向交叉的第二方向从第一部分的一端延伸并且在第一方向上弯折以连接到接触部分。

第一部分可以包括沿相对于第一方向倾斜的第三方向从第一子像素电极的一个边缘延伸的第一部，第一部与挡光电极的一条边的一部分平行并连接到第一延伸部的第一边。

第一部分和第二部分可以彼此连接，并且第一方向可以与第二方向交叉。

第一子像素电极还可以包括第二延伸部，并且第二延伸部可以具有与第一延伸部的第一边相对的第二边，第二延伸部的第二边可以与相邻于该挡光电极的另一挡光电极的第二边平行。

第二延伸部的第二边与相邻的另一挡光电极的第二边之间的间隔可以小于大约4μm。

第一延伸部可以连接到第一子像素电极的第一边缘，第二延伸部可以连接到第一子像素电极的第二边缘。

第二延伸部可以具有：第一部，从第一子像素电极的第二边缘突出，该第一部平行于第一方向；第二部，连接到第一部并且沿第二方向延伸；以及第三部，连接到第二部并包括第二延伸部的第二边。

栅极线可以包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，第一晶体管可以包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，第二晶体管可以包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，第三晶体管可以包括第三栅电极、第三源电极和第三漏电极，像素电极还可以包括第二子像素电极，绝缘层可以包括设置在第一漏电极上的第一接触孔、设置在第二漏电极上的第二接触孔以及设置在第三漏电极上的第三接触孔，第一子像素电极可以通过第一接触孔电连接到第一漏电极，第二子像素电极可以通过第二接触孔电连接到第二漏电极，第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔可以相对于栅极线设置在同一侧上。

显示装置还可以包括连接构件，所述连接构件通过第三接触孔将第一参考电压线和第三漏电极电连接。

连接构件还可以包括朝向第二延伸部突出的突起。

连接构件的突起的一条边可以平行于第二延伸部的一条边。

突起和第二延伸部的彼此面对的边之间的间隔可以小于大约4μm。

突起可以包括具有第一宽度的第一部和具有比第一宽度小的第二宽度的第二部。

显示装置还可以包括设置在栅极线和第一参考电压线上的第二参考电压线，其中，第二参考电压线可以电连接到第一参考电压线，包括第三漏电极，并且与第三漏电极设置在同一导电层上。

一条第二参考电压线可以设置在三个相邻的像素中。

第一漏电极、第二漏电极、数据线的突起和第一延伸部与第一子像素电极之间的连接部中的每个可以被切断。

第一子像素电极还可以包括切割位置引导部，所述切割位置引导部用于示出位于第一延伸部与第一子像素电极之间的连接部处的切割位置。

第一子像素电极的第一延伸部可以被构造为在数据线的突起被切断时而被切断。

显示装置还可以包括设置在基底上的滤色器、面向基底并包括挡光构件和共电极的对面基底以及设置在基底与对面基底之间的液晶层。

将理解的是，上述一般描述和以下具体描述都是示例性的和说明性的并且意图提供所要求保护的发明的进一步解释。

附图说明

附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，其中，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。

图2是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的布局图。

图3是沿着图2的显示装置的IIIa-IIIb线截取的剖视图。

图4是沿着图2的显示装置的IVa-IVb线截取的剖视图。

图5是示例性地示出图2的显示装置中的像素电极层的视图。

图6是根据另一示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的布局图。

图7是示例性地示出图6的显示装置中的像素电极层的视图。

图8是示出在图6的显示装置中光被泄漏的部分的照片。

图9是用于根据示例性实施例的显示装置的显示区域的布局图。

图10是根据示例性实施例的显示装置的三个像素的布局图。

图11是根据示例性实施例的显示装置的三个像素的滤色器和纵向参考电压线的布局图。

图12是示出在图6的显示装置中用于修复像素的断开位置的视图。

具体实施方式

在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在这里使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，这些词语是采用一个或更多个在这里公开的发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，公知的结构和装置以框图的形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，虽然各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，一个示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施而不脱离发明构思。

除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地称为“元件”)等可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。

通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一个元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三条轴，而是可以在更广泛的意义上解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。

出于描述的目的，可在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。空间相对术语除了包括在附图中描绘的方位之外，还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，在这里使用的空间相对描述符被相应地解释。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述/该”意图也包括复数形式。此外，术语“包含”、“包括”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。

这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。这样，将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的示例性实施例不应必须被解释为局限于区域的具体图示形状，而是要包括例如由制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必意图成为限制。

除非另外限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。

在下文中，将参照图1描述根据示例性实施例的显示装置。

图1是根据示例性实施例的显示装置的一个像素PX的等效电路图。

根据示例性实施例的显示装置包括多个像素PX作为能够显示图像的单元。参照图1，一个像素PX可以包括第一子像素PXaa和第二子像素PXbb。第一子像素PXaa包括连接到一条数据线171和一条栅极线121的第一晶体管Qa以及连接到第一晶体管Qa的第一液晶电容器Clca。第二子像素PXbb包括与第一晶体管Qa连接到同一数据线171和同一栅极线121的第二晶体管Qb、与第二晶体管Qb连接到同一栅极线121的第三晶体管Qc以及连接到第二晶体管Qb和第三晶体管Qc的第二液晶电容器Clcb。

第一晶体管Qa包括连接到栅极线121的栅电极、连接到数据线171的源电极和连接到第一液晶电容器Clca的漏电极。根据由栅极线121传输的栅极信号来控制第一晶体管Qa，使得由数据线171传输的数据电压被传输到第一液晶电容器Clca的电极。

第二晶体管Qb包括与第一晶体管Qa连接到同一栅极线121的栅电极、与第一晶体管Qa连接到同一数据线171的源电极以及连接到第二液晶电容器Clcb和第三晶体管Qc的源电极的漏电极。

第三晶体管Qc包括与第一晶体管Qa和第二晶体管Qb连接到同一栅极线121的栅电极、连接到第二晶体管Qb的漏电极的源电极以及被施加参考电压Vref的漏电极。

根据由栅极线121传输的栅极信号来控制第二晶体管Qb和第三晶体管Qc，如果第三晶体管Qc和第二晶体管Qb导通，则具有通过数据线171传输的数据电压与参考电压Vref之间的分压值的电压被传输到第二液晶电容器Clcb的电极。例如，参考电压Vref可以是预定的恒定电压。

对于一个输入图像信号，第一子像素PXaa和第二子像素PXbb可以根据不同的伽马曲线显示图像。伽马曲线是指示出对于输入图像信号的灰度的亮度或透射率的变化的曲线。由显示装置提供的伽马曲线与由一个像素提供的伽马曲线对应，而由一个像素PX提供的伽马曲线与由两个子像素PXaa和PXbb提供的伽马曲线之和对应。

可以通过控制第三晶体管Qc与第二晶体管Qb的电阻比、参考电压Vref等来控制第二子像素PXbb所依赖的伽马曲线。当通过第三晶体管Qc和参考电压Vref等的控制来控制第二液晶电容器Clcb的充入电压时，两个子像素PXaa和PXbb的亮度可以是不同的，如果适当地控制充入到第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压，则可以改善显示装置的侧面可视性。

将与图1一起参照图2至图4进一步描述根据示例性实施例的显示装置的像素PX的详细结构。

图2是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的布局图，图3是沿着图2的显示装置的IIIa-IIIb线截取的剖视图，图4是沿着图2的显示装置的IVa-IVb线截取的剖视图。

根据示例性实施例的显示装置可以是液晶显示器，所述液晶显示器可以包括第一显示面板100、第二显示面板200以及位于两个显示面板100和200之间的液晶层3。

在第一显示面板100中，包括多条栅极线121的栅极导电层与参考电压线131(在下文中称为“第一参考电压线”)设置在绝缘基底110上。

栅极线121传输栅极信号，主要在第一方向DR1上延伸，并且包括延伸部分124。栅极线121的延伸部分124包括彼此连接的第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c。第二栅电极124b可以设置在第一栅电极124a与第三栅电极124c之间。

延伸部分124可以具有在第二方向DR2上从栅极线121的与第一方向DR1平行地延伸的部分延伸或突出的形状。

参考电压线131传输参考电压Vref，与栅极线121分开，并且与栅极线121基本平行地延伸。参考电压线131包括延伸部分132，延伸部分132具有在与第二方向DR2相反的方向上从参考电压线131的与第一方向DR1平行地延伸的部分延伸或突出的形状。更具体地，延伸部分124从栅极线121突出所沿的方向与延伸部分132从参考电压线131突出所沿的方向可以彼此相反。换言之，栅极线121的延伸部分124和参考电压线131的延伸部分132可以彼此面对，并且设置在栅极线121的沿第一方向DR1延伸的部分与参考电压线131的沿第一方向DR1延伸的部分之间。

栅极绝缘层140可以设置在栅极导电层和暴露的基底110上。栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氧氮化硅的无机绝缘材料。

包括第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c的半导体层151设置在栅极绝缘层140上。第一半导体154a设置在第一栅电极124a上以与第一栅电极124a叠置，第二半导体154b设置在第二栅电极124b上以与第二栅电极124b叠置，第三半导体154c设置在第三栅电极124c上以与第三栅电极124c叠置。第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c可以彼此连接，第二半导体154b可以设置在第一半导体154a与第三半导体154c之间。

半导体层151可以包括非晶硅、多晶硅或含有金属氧化物的氧化物半导体。

包括多个欧姆接触层163a和165a的欧姆接触层161可以设置在半导体层151上，欧姆接触层161可以不形成在半导体层151的至少一部分区域上。

数据导电层设置在欧姆接触层161上。数据导电层包括多条数据线171a和171b、第一源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c。

根据示例性实施例，第一源电极173a和第二源电极173b彼此连接并且连接到一条数据线171a。然而，发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施例中，第一源电极173a和第二源电极173b可以连接到向上和向下相邻的像素PX中的不同的数据线171b。更具体地，第一源电极173a和第二源电极173b可以从两条数据线171a和171b中的一条突出。

第一漏电极175a面对第一源电极173a，并且包括被第一源电极173a包围的一个端部和设置在另一侧处的延伸部分177a。

第二漏电极175b面对第二源电极173b，并且包括平行于第二源电极173b延伸的一个端部和设置在另一侧处的延伸部分177b。

第三源电极173c可以设置在第二漏电极175b的至少一部分上。更具体地，第三源电极173c可以是第二漏电极175b的与第二漏电极175b的面对第二源电极173b的部分相对的部分。

第三漏电极175c可以包括面对第三源电极173c的一个端部与另一端部176。第三漏电极175c可以从面对第三源电极173c的一个端部延伸，第三漏电极175c随后在第二方向DR2上弯折以在第一方向DR1上延伸，然后再次在第二方向DR2上弯折以延伸至另一端部176。第三漏电极175c的端部176电连接到参考电压线131的延伸部分132，从而接收参考电压Vref。

数据导电层还可以包括设置在第三源电极173c与第三漏电极175c之间的辅助电极174c。辅助电极174c可以形成为与第三半导体154c和第三栅电极124c叠置的岛型。第三晶体管Qc的沟道的宽度或长度可以通过辅助电极174c来控制。

第一漏电极175a的延伸部分177a、第二漏电极175b的延伸部分177b和第三漏电极175c的端部176基于栅极线121设置在第二方向DR2的一侧上。例如，如图2中所示，第一漏电极175a的延伸部分177a、第二漏电极175b的延伸部分177b和第三漏电极175c的端部176可以基于栅极线121设置在上侧上，并且从左侧沿第一方向DR1顺序地布置。

延伸部分177a、延伸部分177b和第三漏电极175c中的每个的至少一部可以与参考电压线131的延伸部分132叠置。

数据线171a和171b可以主要在第二方向DR2上延伸，并且分别传输数据电压。数据线171a和171b可以分别包括沿第一方向DR1突出的第一突起172a和沿第一方向DR1的反方向突出的第二突起172b。更具体地，数据线171a和171b可以包括沿彼此相反的方向突出的第一突起172a和第二突起172b。参照一个像素PX，左数据线171a包括朝向右数据线171b突出的第一突起172a，右数据线171b包括朝向左数据线171a突出的第二突起172b。在图2中，第一源电极173a通过第一突起172a连接到数据线171a。然而，在竖直相邻的像素中，第一源电极173a可以通过第二突起172b连接到数据线171b。在这种情况下，第一晶体管Qa可以设置在最右侧上，第二晶体管Qb和第三晶体管Qc可以顺序地布置在第一晶体管Qa的左侧上，以沿着与第一方向DR1相反的方向布置。

如图2中所示，第一突起172a和第二突起172b在第一方向DR1上未对齐，而是可以略微地偏移。可选地，第一突起172a和第二突起172b可以被设置为在第一方向DR1彼此对应并彼此对齐。

栅极导电层和数据导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)和它们的合金的至少一种金属。栅极导电层和数据导电层可以形成为单层或者形成为由多种材料形成的两个或更多个层的多层。

数据导电层和欧姆接触层161的平面形状可以基本上相同。在位于第一源电极173a与第一漏电极175a之间、第二源电极173b与第二漏电极175b之间、第三源电极173c与辅助电极174c之间、辅助电极174c与第三漏电极175c之间的部分中，数据导电层和半导体层151的平面形状可以基本上相同。如图2中所示，半导体层151的平面面积可以略微地小于数据导电层的平面面积。

第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一晶体管Qa。第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二晶体管Qb。第三栅电极124c、第三源电极173c、辅助电极174c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三晶体管Qc。

第一晶体管Qa、第二晶体管Qb和第三晶体管Qc的沟道可以分别形成在位于第一源电极173a、第二源电极173b和第三源电极173c与第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c之间的第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c中。辅助电极174c可以形成为使第三晶体管Qc的沟道长度延长。在一些示例性实施例中，可以省略辅助电极174c。

第一晶体管Qa、第二晶体管Qb和第三晶体管Qc与栅极线121的延伸部分124叠置，并且可以沿第一方向DR1布置。例如，如图2中所示，第一晶体管Qa、第二晶体管Qb和第三晶体管Qc可以沿第一方向DR1顺序地布置。

第一绝缘层180a设置在数据导电层、暴露的半导体154a、154b和154c以及栅极绝缘层140上。第一绝缘层180a可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。

包括多个滤色器230、230d和230e的滤色器层可以设置在第一绝缘层180a上。滤色器230、230d和230e可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色或者四原色等的原色中的一种。一组表现不同原色的滤色器可以沿第一方向DR1重复地设置。

至少相邻的两个滤色器230、230d和230e可以叠置在数据线171a和171b上。彼此叠置的滤色器230、230d和230e可以防止在设置在相邻像素中的数据线171a和171b附近的光泄露。

根据另一示例性实施例，滤色器230、230d和230e可以不被包括在第一显示面板100中，而可以被包括在第二显示面板200中。

第二绝缘层180b可以设置在滤色器230、230d和230e上。第二绝缘层180b可以包括无机绝缘材料或者含有通用有机绝缘材料的有机绝缘材料，以提供基本上平坦的表面。第二绝缘层180b可以用作对滤色器230、230d和230e的覆盖件，从而防止滤色器230、230d和230e被暴露并且防止诸如颜料的杂质渗透到液晶层3中。

第一绝缘层180a和第二绝缘层180b可以包括接触孔185a、接触孔185b和接触孔188，接触孔185a形成在第一漏电极175a的延伸部分177a上，接触孔185b形成在第二漏电极175b的延伸部分177b上，接触孔188形成在第三漏电极175c的端部176和参考电压线131的延伸部分132的与端部176相邻的部分上。

如图2中所示，接触孔185a、185b和188可以基于栅极线121形成在同一侧(例如，上侧(第二方向DR2侧))上。接触孔185a、接触孔185b和接触孔188可以从左侧沿第一方向DR1顺序地布置。

在每个像素PX中，由于在第一方向DR1上布置在一行中的三个接触孔185a、185b和188之间的间隔以及同数据线171a和171b相邻的接触孔185a或接触孔188与数据线171a和171b之间的间隔不充足，所以当在滤色器230、230d和230e中形成分别与接触孔185a、185b和188对应的开口时，在接触孔185a、185b和188之间剩余的滤色器230、230d和230e的厚度，或者在数据线171a和171b与接触孔185a或接触孔188之间的剩余的滤色器230、230d和230e的厚度会形成得薄。在这种情况下，以不充足的厚度留下的滤色器230、230d和230e会分开(或剥离)并引起显示缺陷。

根据示例性实施例，开口235可以通过去除与至少三个接触孔185a、185b和188对应的滤色器230、230d和230e而形成，以防止或至少抑制滤色器230、230d和230e剥离。

在平面图中，开口235可以与将在稍后描述的挡光构件220叠置。更具体地，如图2中所示，开口235可以不与晶体管Qa、Qb和Qc以及第二栅电极124b叠置，或者在一些示例性实施例中，开口235可以与晶体管Qa、Qb和Qc以及第二栅电极124b中的一些叠置。

参照图2，与一个像素列对应的每个滤色器230、230d和230e可以具有多个开口235。每个开口235位于与三个接触孔185a、185b和188叠置的区域中，并且可以针对每个像素PX形成一个开口235。然而，根据另一示例性实施方式，开口235可以在第一方向DR1上延伸，并且不限于针对一个像素而是跨过多个像素PX在第一方向DR1上延长而与多条数据线171a和171b相交。

开口235的在第二方向DR2上的宽度可以比挡光构件220的在第二方向DR2上的宽度的大约一半小。例如，当挡光构件220的在第二方向DR2上的宽度为大约40μm至大约70μm时，开口235的在第二方向DR2上的宽度可以为大约20μm至大约35μm。

包括具有多个第一子像素电极191a和多个第二子像素电极191b的像素电极、挡光电极190以及连接构件90的像素电极层可以设置在第二绝缘层180b上。

对于每个像素PX，基于设置有栅极线121、参考电压线131以及晶体管Qa、Qb和Qc的区域，第一子像素电极191a设置在一侧上，而第二子像素电极191b设置在另一侧上。在图2中，根据示例性实施例，第一子像素电极191a可以设置在栅极线121下方，第二子像素电极191b可以设置在栅极线121上方。将在下面参照图10描述第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的详细形状。

第一子像素电极191a包括朝向第一漏电极175a的延伸部分177a突出的延伸部196a和连接到延伸部196a的端部的接触部分197a，第二子像素电极191b包括朝向第二漏电极175b的延伸部分177b突出的延伸部196b和连接到延伸部196b的所述端部的接触部分197b。接触部分197a通过接触孔185a电连接到第一漏电极175a的延伸部分177a，接触部分197b通过接触孔185b电连接到第二漏电极175b的延伸部分177b。

连接构件90通过接触孔188接触第三漏电极175c的端部176和参考电压线131的延伸部分132的与端部176相邻的部分从而进行电连接。因此，第三漏电极175c的端部176经由连接构件90电连接到参考电压线131的延伸部分132，从而接收参考电压Vref。以此方式，第三晶体管Qc的第三漏电极175c可以连接到参考电压Vref。

挡光电极190总体上沿第二方向DR2延伸，并且可以设置在两个相邻的像素PX之间。挡光电极190与数据线171a和171b叠置以屏蔽数据线171a和171b免受电场的影响，并且减小数据线171a和171b与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的电容耦合。

第一子像素电极191a进一步形成有用于引导切割位置的切割位置引导部199。切割位置引导部199可以从第一子像素电极191a突出，并且在需要修复时引导将要被激光切割的位置。

像素电极层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、金属薄膜等的透明导电材料。

取向层11可以设置在像素电极层和第二绝缘层180b上。取向层11可以是竖直取向层。取向层11可以在至少一个方向上摩擦，或者可以是包括光反应材料的光学取向层。

在第二显示面板200中，挡光构件220可以设置在绝缘基底210(在下文中称为“对面基底”)上。参照图3和图4，根据示例性实施例，挡光构件220可以设置在基底210下方。如图2中所示，挡光构件220包括在平面上沿第一方向DR1延伸的部分，并且可以与栅极线121的延伸部分124、参考电压线131的延伸部分132、晶体管Qa、Qb和Qc、第一漏电极175a的延伸部分177a、第二漏电极175b的延伸部分177b以及第三漏电极175c的端部176叠置。也就是说，挡光构件220可以在第一子像素电极191a与第二子像素电极191b之间横穿并延伸，并且可以与栅极线121和参考电压线131叠置。

根据另一示例性实施例，挡光构件220可以设置在第一显示面板100上，而不是设置在第二显示面板200中。

共电极270可以设置在挡光构件220上。参照图3和图4，根据示例性实施例，共电极270可以设置在挡光构件220下方。共电极270可以在基底210的基本整个表面上形成为一个板。更具体地，共电极270可以不包括诸如狭缝的被去除的部分。共电极270接收具有恒定电压值的共电压Vcom。

通过参考电压线131传输的参考电压Vref可以与共电压Vcom相同或者可以与共电压Vcom不同。当存在差异时，参考电压Vref可以具有与共电压Vcom相差大约-2V或大约2V的电势。

共电极270可以包括诸如ITO、IZO或金属薄膜的透明导电材料。

取向层21可以设置在共电极270上。参照图3和图4，取向层21可以设置在共电极270下方。取向层21可以是竖直取向层。取向层21可以在至少一个方向上摩擦，或者可以是包括光反应材料的光学取向层。

液晶层3包括多个液晶分子31。液晶分子31可以具有负介电各向异性，并且可以在液晶层3中未产生电场时取向为基本上垂直于基底110和210排列。在一些示例性实施例中，当在液晶层3中未产生电场时，液晶分子31可以沿预定的方向预倾斜。

第一子像素电极191a与共电极270和置于它们之间的液晶层3一起形成第一液晶电容器Clca。第二子像素电极191b与共电极270和置于它们之间的液晶层3形成第二液晶电容器Clcb。

多个间隔件可以设置在第一显示面板100与第二显示面板200之间。间隔件可以设置为在平面图中与晶体管Qa、Qb和Qc叠置。当像素电极层与间隔件叠置时，像素电极层可能破裂。如此，像素电极层不可以与间隔件叠置。因此，第一子像素电极191a的延伸部196a(在下文中称为“第一延伸部”)和延伸部196aa(在下文中称为“第二延伸部”)可以在第一子像素电极191a的左边缘和右边缘处在与数据线171a和171b相邻的位置处突出并设置在与数据线171a和171b相邻的位置处。

根据示例性实施例，一个像素PX的接触孔185a、接触孔185b和接触孔188相对于栅极线121设置在同一侧上，并且沿第一方向DR1并排布置。因此，与当接触孔185a、185b和188基于栅极线121向上和向下分散并设置时的情况相比，可以减小被这些接触孔占据的空间，使得挡光构件220的在第二方向DR2上的宽度可以进一步减小，从而提高了像素PX的开口率和透射率。

此外，在根据示例性实施例的像素PX中，由于接触孔185a、185b和188基于栅极线121设置在同一侧上，所以第一子像素电极191a的延伸部196a和第二子像素电极191b的延伸部196b中的一个与数据线171a和171b的第一突起172a相交。如图2中所示，由于接触孔185a、185b和188基于栅极线121设置向上设置，所以向下设置的第一子像素电极191a的延伸部196a与数据线171a的第一突起172a交叉。在这种情况下，由于第一子像素电极191a与数据线171a之间的寄生电容而导致来自竖直串扰的污点会是可视的。然而，根示例性实施例，由于设置在第一子像素电极191a的延伸部196a的相对侧上的第二延伸部196aa与同数据线171a相邻的数据线171b交叉从而形成附加寄生电容，所以可以补偿第一子像素电极191a与数据线171a之间的竖直串扰。

根据示例性实施例，第一子像素电极191a的延伸部196a与挡光电极190之间的间隔可以形成为比预定间隔(诸如大约4μm)小，从而减少光的泄露。如此，第一子像素电极191a的延伸部196a从挡光电极190以预定间隔(图3的D_b)形成，并且以预定间隔D_b彼此平行的结构形成在至少一个或更多个部分中，将参照图5对此进行详细地描述。

图5是示例性地示出图2的显示装置的像素电极层的视图。

第一子像素电极191a的延伸部196a具有其中在第一子像素电极191a的左上边缘部分中沿第二方向DR2突出从而与挡光电极190的一边平行的结构。延伸部196a随后弯折并沿倾斜方向延伸。延伸部196a随后沿第二方向DR2再次弯折从而与挡光电极190的一边平行。延伸部196a随后弯折并沿第一方向DR1延伸，然后沿第二方向DR2再次弯折从而连接到接触部分197a。在下文中，延伸部196a的在从第一子像素电极191a突出并沿第二方向DR2延伸的同时距挡光电极190具有预定间隔的部分被称为第一部分196a1，延伸部196a的在沿第一方向DR1弯折从而远离挡光电极190的部分设置的同时连接到接触部分197a的部分被称为第二部分196a2。

延伸部196a的第一部分196a1平行于挡光电极190的一边，并且在延伸部196a的第一部分196a1与挡光电极190之间具有预定间隔D_b。根据示例性实施例，预定间隔D_b小于大约4μm从而防止挡光电极190与延伸部196a的第一部分196a1之间的光泄露。如果挡光电极190与延伸部196a的第一部分196a1之间的距离超过大约4μm，则会发生光泄露，将在下面参照图8对此进行更详细地描述。

延伸部196a的第一部分196a1具有延伸结构同时与数据线171a的第一突起172a相交。

延伸部196a的第一部分196a1和第二部分196a2的基本特征在于在竖直方向上弯折。液晶层3的液晶分子31可以沿着由延伸部196a产生的台阶排列。如此，由于延伸部196a的第一部分196a1和第二部分196a2的结构，使得液晶分子31的排列方向可以取向为对应于液晶分子31在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b上排列所沿的方向。将在下面对此进行更详细地描述。

可以相对厚地形成以具有平坦化特性的第二绝缘层180b设置在包括延伸部196a的像素电极层下面。如此，数据导电层或栅极导电层的厚度不会影响液晶层3。然而，由于仅取向层11设置在位于第二绝缘层180b上方的像素电极层上，所以因像素电极层的厚度引起的台阶会影响液晶层3的液晶分子31的排列。在这种情况下，如果延伸部196a不具有如示出的示例性实施例中的沿竖直方向弯折的结构，而是沿对角方向延伸，则液晶分子31在延伸部196a的周围排列所沿的方向会不同于液晶分子31在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b上预倾斜所沿的方向和液晶分子31排列所沿的方向，从而造成液晶分子31误取向的部分。液晶分子31的这种部分不会具有期望的排列并导致光泄露现象。

然而，当延伸部196a被形成为具有如示出的示例性实施例中沿竖直方向弯折的结构时，液晶分子31的排列方向被取向为与在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b上方的液晶分子31的方向对应，从而防止了光泄露现象的发生。

由于延伸部196a在显示装置被正确地制造时是被挡光构件220遮蔽的部分，所以即使在对应的部分中发生光泄露，这样也将不影响显示质量。然而，会难以将挡光构件220相对于全部像素精准地对齐，尤其是在显示装置具有高分辨率且具有较小尺寸的像素和较大数量的像素时。如此，即使有挡光构件220的轻微的偏离，也会引起光泄露。

根据示出的示例性实施例，由于延伸部196a的包括以预定间隔(大约4μm或更小)与挡光电极190平行的第一部分196a1和竖直地弯折的第二部分196a2的结构，使得不会在延伸部196a周围产生光泄露。以此方式，即使挡光构件220轻微地偏离，也不会发生光泄露。

根据另一示例性实施例，延伸部196a可以仅包括第一部分和第二部分中的一者，因为即使仅有延伸部196a的第一部分和第二部分中的一者，仍可以减少光泄露现象。

图5的第一子像素电极191a包括与延伸部196a(在下文中称为“第一延伸部”)对应并设置在另一侧的另一延伸部196aa(在下文中称为“第二延伸部”)。第二延伸部196aa具有与第一延伸部196a的结构相似的结构，将在下面对此进行更详细地描述。

第二延伸部196aa包括以恒定间隔(D_b：大约4μm或更小)与挡光电极190的一边平行的第三部分196aa1。

第一子像素电极191a的第二延伸部196aa具有从第一子像素电极191a的右上边缘部沿第二方向DR2突出从而与挡光电极190的一边平行的一端，所述一端随后弯折并沿第一方向DR1延伸，并且所述一端随后沿第二方向DR2再次弯折。在第二延伸部196aa处沿第二方向DR2形成的所述一端被形成为与挡光电极190的一边具有大约4μm或更小的间隔D_b同时与挡光电极190的这一边平行。如果挡光电极190与第二延伸部196aa的第三部分196aa1之间的距离超过大约4μm，则会发生光泄露，将在下面参照图8对此进行更详细地描述。

图5示出第二延伸部196aa直到到达其所述一端才平行于挡光电极190或者具有大约4μm或更小的间隔，然而，发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施例中，第二延伸部196aa可以被形成为如在第一延伸部196a中一样具有与挡光电极190平行的一端的结构。

由于根据示出的示例性实施例的第二延伸部196aa的结构，光泄露可以在第二延伸部196aa的外围处或者至少在第二延伸部196aa的端部处减少。

另外，第二延伸部196aa可以包括沿竖直方向弯折的第四部分196aa2。

第二延伸部196aa仅包括沿第一方向DR1延伸的部分和沿第二方向DR2延伸的部分。如此，在第二延伸部196aa的外围中，由于液晶分子31被排列为与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b上的液晶分子31的方向对应，所以如在第一延伸部196a中一样不会产生光泄露。

此外，参照图5，第一子像素电极191a的左端边和右端边与挡光电极190间隔开大约4μm或更小，从而减少了对应部分中的光泄露。类似地，在第二子像素电极191b中，左端边和右端边与挡光电极190间隔开大约4μm或更小，从而减少了光泄露。

第二延伸部196aa的结构在与数据线171b的第二突起172b相交的同时延伸。

根据另一示例性实施例，第二延伸部196aa可以仅具有第三部分和第四部分中的一者。根据又一示例性实施例，第一延伸部196a可以仅具有第一部分和第二部分中的一者，并且第二延伸部196aa可以不包括第三部分和第四部分。然而，在一些示例性实施例中，第一延伸部196a可以包括第一部分和第二部分两者，并且第二延伸部196aa可以包括第三部分和第四部分两者，从而有效地防止光泄露的发生。

在上面参照图2至图5描述的示例性实施例中，连接构件90具有与接触孔188的结构对应的结构。

在下文中，将根据示例性实施例描述包括附加突起91的连接构件90。

图6是根据另一示例性实施例的显示装置的一个像素的一部分的布局图，图7是示例性地示出图6的显示装置的像素电极层的视图。

图6与图2对应，图7与图5对应。如此，将省略基本上相同的元件的详细描述以避免冗余。

在根据示例性实施例的在图6和图7中示出的像素中，连接构件90包括与接触孔188对应的第一部分和从连接构件90的第一部分向下突出的第二部分91(在下文中称为“突起”)。第二部分91延伸至第二延伸部196aa的一侧，并且第二部分91和第二延伸部196aa的彼此面对的边彼此平行。根据示例性实施例，第二部分91和第二延伸部196aa的彼此面对的边之间的间隔可以是恒定的并且可以小于大约4μm。另外，第二部分91在靠近第二延伸部196aa弯折处具有宽度减小了的部分，从而具有与第二延伸部196aa的彼此面对的边平行的边。

由于连接构件90的第二部分91，使得可以防止否则将在第二延伸部196aa的左侧处地产生的光泄露。

图8示出了对于根据示例性实施例的图6的像素PX中光泄露的程度的实验的结果。

图8是示出在图6的像素中光被泄漏(即，漏光)的部分的照片。

图8是在去除了挡光构件220的状态下拍摄的，以捕捉光的泄露。另外，在图8中，为了确认漏光的位置，用线条另外地指示图6的像素。在图8中，A部分设置在第一延伸部196a与挡光电极190之间，B部分设置在第二延伸部196aa与挡光电极190之间。

如在图8的A部分和B部分中示出的，可以确认的是，在第一延伸部196a与挡光电极190(A部分)之间和在第二延伸部196aa与挡光电极190(B部分)之间不发生光泄露。由于这些部分也应用于图2至图5中示出的像素，所以在图2至图5的像素中也减少了光泄露。

因为图6中示出的连接构件90还包括第二部分91，所以消除了否则可能在第二延伸部196aa的左侧处产生的光泄露，并且这可以在图8中得以确认。也就是说，参照图8，靠近第一子像素电极191a的接触部分197a的下侧和第二子像素电极191b的接触部分197b的下侧的部分呈白色，这表明了光的泄露。然而，由于根据示例性实施例的连接构件90在其下侧上包括第二部分91，所以可以确认阻挡了光泄露。更具体地，当第二部分91和第二延伸部196aa的彼此面对的边具有以恒定间隔(大约4μm或更小)平行的结构时，即使在第二部分91与第二延伸部196aa之间也消除了光泄露。

如此，即使挡光构件220在某种程度上被上下错位(未对齐)，也减少了由光泄露引起的显示质量的劣化，并且在图8中示出了用于补偿挡光构件220的错位的余量。

也就是说，如果挡光构件220的在第二方向DR2上的错位的程度小于大约24.3μm，则光泄露可以被掩盖并且显示质量不会劣化。此外，如果挡光构件220的在第二方向DR2的反方向上的错位的程度在大约24.8μm之内，则光泄露可以被掩盖并且显示质量不会劣化。

通常，在高分辨率显示装置中的挡光构件220的错位的程度在大约15μm之内，并且标准要求余量小于大约15μm。如此，根据示例性实施例的图6的像素对于挡光构件220的错位具有足够的余量，因此可以防止由于光的泄露引起的显示质量(典型地，对比度(CR))的劣化。

在图2至图5的像素中，与图6的像素相比，用于挡光构件220的错位的余量可以减小，然而，在图8的A部分和B部分中的光泄露被消除，使得余量可以为大约15μm或更大。

在上面，描述了一个像素的结构和与之对应的光泄露。在下文中，将描述根据示例性实施例的显示装置的结构。

图9是根据示例性实施例的显示装置的布局图。

根据示例性实施例的显示装置1000可以包括能够显示图像的显示区域DA。显示区域DA可以包括以矩阵形式布置的多个像素PX。

可以表现不同原色的多个滤色器230a、230b和230c交替地布置在第一方向DR1上。在图2中描述的滤色器230、230d和230e可以分别与多个滤色器230a、230b和230c对应。

形成在多个滤色器230a、230b和230c中的开口235可以在显示区域DA中沿第一方向DR1连续地延伸。返回参照图2和图6，根据示例性实施例，开口235可以仅形成在一个滤色器中，使得开口235不与相邻滤色器中的开口连接。根据示出的示例性实施例，多个这样的开口235可以布置在第二方向DR2上。如此，贯穿显示区域DA，滤色器230a、230b和230c布置在第二方向DR2上。与每个像素列对应的滤色器230a、230b和230c可以基于开口235位于在上侧处和下侧处。多个开口235之间沿第二方向DR2的间距可以与多条栅极线121沿第二方向DR2的间距相同或相似。

在上面，已经参照图9描述了像素PX的基于滤色器的布置结构。在下文中，将参照图10和图11描述显示装置1000的详细结构。

图10是根据示例性实施例的显示装置的三个像素的布局图，图11是根据示例性实施例的显示装置的三个像素的滤色器和纵向参考电压线的布局图。

在图10的每个像素PX的结构之中，像素电极(第一子像素电极191a和第二子像素电极191b)的未在图2和图6中描述的结构在下面进行描述。

设置在每个像素PX1、PX2和PX3处的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b整体形状可以是四边形。

第一子像素电极191a可以包括包含横向主干部192a和纵向主干部193a的十字形主干部、从十字形主干部延伸到外部的多个分支部194a、限定外侧的边缘部195a以及上面描述的延伸部196a和接触部分197a。根据示例性实施例，第一子像素电极191a还可以包括用于在修复时引导切割位置的切割位置引导部199。

第二子像素电极191b可以包括包含横向主干部192b和纵向主干部193b的十字形主干部、从十字形主干部延伸到外部的多个分支部194b、限定外侧的边缘部195b以及上面描述的延伸部196b和接触部分197b。

第一子像素电极191a的平面面积可以比第二子像素电极191b的平面面积小。

与其中设置有像素PX1的像素列对应的滤色器230的原色、与其中设置有像素PX2的像素列对应的滤色器230的原色和与其中设置有像素PX3的像素列对应的滤色器230的原色可以彼此不同。例如，像素PX1可以与红色滤色器对应，像素PX2可以与绿色滤色器对应，像素PX3可以与蓝色滤色器对应。

在图2和图6中，未描述连接到参考电压线131的布线结构，将在下面参照图10和图11对此进行更详细地描述。

参照图10，参考电压线131除了包括在延伸部分132设置所沿的第一方向DR1上延伸的部分之外，还可以包括：纵向部133，沿第二方向DR2延伸；横向部134，连接到纵向部133；以及纵向部135a和135b，连接到横向部134、设置在第一子像素电极191a的左侧和右侧处并且沿第二方向DR2延伸。横向部134可以被设置为对应于两个沿第二方向DR2相邻的像素的边界。

纵向部133不是设置在所有的像素PX1、PX2和PX3中，而是可以设置在某一像素PX3处。例如，纵向部133可以延伸为与像素PX3的第二子像素电极191b的纵向主干部193b叠置。纵向部135a和135b可以设置在全部三个像素PX1、PX2和PX3中。

参照图11，在根据示例性实施例的显示装置中，相邻的像素PX1、PX2和PX3之中的至少一个像素PX3的结构可以不同于剩余的像素PX1和PX2。具体地，数据导电层还可以包括与像素PX3叠置的纵向参考电压线178(也称为“第二参考电压线”)。

纵向参考电压线178用于沿竖直方向传输参考电压Vref。纵向参考电压线178可以包括与多个像素PX1、PX2和PX3之中的至少一个像素PX3的第一子像素电极191a叠置并交叉的纵向部178a以及与第二子像素电极191b叠置并交叉的纵向部178b。纵向参考电压线178的纵向部178a和178b可以基本上是细长的并沿第二方向DR2延伸。

纵向参考电压线178可以包括第三漏电极175c。具体地，第三漏电极175c的端部176可以进一步向上延伸以连接到纵向参考电压线178的纵向部178b，第三漏电极175c下端部可以进一步向下延伸以连接到纵向参考电压线178的纵向部178a。包括第三漏电极175c的纵向参考电压线178通过接触孔188电连接到参考电压线131。因此，当参考电压Vref通过参考电压线131沿第一方向DR1传输并通过纵向参考电压线178沿第二方向DR2传输时，可以减小传输参考电压Vref的布线的电阻。如此，可以减小参考电压Vref的电压降并且可以防止发生平面的水平串扰。

纵向参考电压线178的纵向部178a可以与像素PX3的第一子像素电极191a的纵向主干部193a叠置并延伸，纵向部178b可以与像素PX3的第二子像素电极191b的纵向主干部193b叠置并延伸。

纵向参考电压线178与相邻的数据线171间隔开，并且可以不与数据线171相交。

由于纵向参考电压线178仅与某一像素PX3对应，所以纵向参考电压线178的在第一方向DR1上的间距可以比像素PX1、PX2和PX3的间距大。更具体地，纵向参考电压线178的在第一方向DR1上的间距可以是像素PX1、PX2和PX3的在第一方向DR1上的间距(或第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的在第一方向DR1上的间距)的大约三倍或更大。

设置在多个像素PX1、PX2和PX3之中的一些像素PX3处的像素电极(第一子像素电极191a或第二子像素电极191b)的在第一方向DR1上的宽度PW3可以比在剩余的像素PX1和PX2处的像素电极(第一子像素电极191a或第二子像素电极191b)的在第一方向DR1上的宽度PW1和PW2大。例如，设置在像素PX3处的像素电极的在第一方向DR1上的宽度PW3与设置在像素PX1和PX2处的像素电极的在第一方向DR1上的宽度PW1和PW2之间的差基本上等于或近似于纵向参考电压线178的在第一方向DR1上的宽度WW。如此，有效开口区域(其是光可以穿过与纵向参考电压线178叠置的像素PX3所通过的区域)的面积可以近似于不与纵向参考电压线178叠置的像素PX1和PX2的有效开口区域的面积。

例如，当纵向参考电压线178的在第一方向DR1上的宽度WW为大约3μm并且设置在像素PX1和PX2处的像素电极的在第一方向DR1上的宽度PW1和PW2为大约104μm时，设置在像素PX3处的像素电极的在第一方向DR1上的宽度PW3可以为大约107μm。

如此，通过考虑因横跨像素PX3的纵向参考电压线178而减小的开口率来增大像素PX3的像素电极的在第一方向DR1上的宽度，像素PX3的总体开口率和透射率可以与剩余的像素PX1和PX2的总体开口率和透射率基本上相同。以此方式，即使添加与多个像素PX1、PX2和PX3之中的像素PX3叠置的纵向参考电压线178，也可以防止一些像素PX3的由相对低的开口率和透射率引起的关于颜色表现的缺陷。

在示出的示例性实施例中，设置在像素PX3的任一侧上的两条相邻的数据线171之间的距离可以比设置在剩余的像素PX1和PX2的两侧上的两条相邻的数据线171之间的距离大。另外，包括在像素PX3中的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积可以比包括在其他像素PX1和PX2中的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积大。

参照图11连同图10，多个滤色器230a、230b和230c之中的至少两个相邻的滤色器230a、230b和230c彼此叠置，以在数据线171a和171b叠置处形成叠置部230p。

如果每个像素PX1、PX2和PX3的有效开口区域被定义为两个相邻的叠置部230p之间的区域，则多个像素PX1、PX2和PX3之中的像素PX3的有效开口区域的宽度可以与左部分的宽度OW3a和右部分的宽度OW3b之和相同或近似，左部分的宽度OW3a和右部分的宽度OW3b之和是由两个沿第一方向DR1相邻的叠置部230p之间的宽度OW3减去纵向参考电压线178的在第一方向DR1上的宽度WW获得的。像素PX3的在第一方向DR1上的有效开口区域的宽度可以分别与像素PX1和PX2的在第一方向DR1上的有效开口区域的宽度OW1和OW2近似。

穿过纵向参考电压线178的像素PX3可以是表现蓝色的像素，但不限于此，纵向参考电压线178可以与表现红色的像素或表现绿色的像素相交。另外，一个重复组的多个像素PX1、PX2和PX3之中的穿过纵向参考电压线178的像素PX3的数量可以是一个或两个，但不限于此。

接下来，将根据示例性实施例参照图12描述在修复期间的断开位置。

图12是示出在图6的像素中的断开位置的视图。

图12与图6对应，并且示出了四个切割部C1、C2、C3和C4的切割位置。

根据示例性实施例，对图2或图6的像素执行用于修复的切割四个位置的工艺。激光切割通过照射激光穿过基底110的后表面来切断(切割)对应位置的布线。

参照图12，第一切割部C1示出了第一漏电极175a被切断的位置。在这种情况下，即使在第一晶体管Qa中出现输出，由于第一漏电极175a的切断使得没有电压施加到第一子像素电极191a。

第二切割部C2示出了第二漏电极175b被切断的位置。在这种情况下，即使在第二晶体管Qb中产生输出，由于第二漏电极175b的切断使得没有电压施加到第二子像素电极191b。

第三切割部C3示出了数据线171a的第一突起172a被切断的位置。这种情况下，由于第一突起172a的切断，数据线171a与第一晶体管Qa和第二晶体管Qb电断开(即，断路)。也就是说，数据电压不被传递到第一晶体管Qa和第二晶体管Qb。然而，当切割第三切割部C3时，第一延伸部196a也被切割，这会导致被激光熔化的金属之间的短路。在这种情况下，数据电压可以被直接传输到第一子像素电极191a。

第四切割部C4被切割，以防止此种问题。第四切割部C4示出了第一子像素电极191a被切断的位置。在第一子像素电极191a处的切割位置靠近切割位置引导部199，在第一子像素电极191a处连接到第一延伸部196a的部分被切断。如此，即使在切割第三切割部C3时第一延伸部196a与数据线171a的第一突起172a短路，数据电压也不会被施加到第一子像素电极191a。

如此，数据电压不被传递到像素的被执行修复工艺的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。如此，修复后的像素PX显示正常状态，并且在制造为正常黑色的显示装置1000中显示为黑色。

在诸如4K、8K等的高分辨率显示装置1000中，由于像素的数量非常大，所以即使一些像素是有缺陷的，该显示装置也可以被出售而不是作为有缺陷的来处理。此外，如果有缺陷的像素PX被修复为黑色，则可以以没有颜色的像素来显示图像，然而，这样不会妨碍装置的使用，因为它不能被用户容易地识别。

图12示出了当第一晶体管Qa和第二晶体管Qb连接到左侧设置的数据线171a时的切割部位置。当右数据线171b与第一晶体管Qa和第二晶体管Qb彼此连接时，切割部可以位于图12中示出的切割部的对称位置处。通常，对于修理者来说会难以确定各种显示装置的切割位置。如此，可以提供根据示例性实施例的切割位置引导部199以指示切割位置。

根据示例性实施例，根据发明的原理构造的显示装置可以减小光泄露现象。此外，如果在显示装置中产生缺陷，则可以通过修复工艺修复显示装置。另外，根据示例性实施例的显示装置具有增大的开口率和透射率。

尽管在这里已经描述了一些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员而言将是明显的各种显而易见的修改和等同布置的更宽范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

栅极线，设置在所述基底上并传输栅极信号；

第一参考电压线，与所述栅极线分开并传输参考电压；

数据线，与所述栅极线和所述第一参考电压线绝缘并交叉；

第一漏电极，与所述数据线分开；

绝缘层，设置在所述数据线和所述第一漏电极上；以及

像素电极层，设置在所述绝缘层上，

其中：

所述像素电极层包括像素电极和与所述数据线叠置的挡光电极；

所述像素电极包括第一子像素电极，所述第一子像素电极包括朝向所述第一漏电极突出的第一延伸部和连接到所述第一延伸部的一端的接触部分；并且

所述第一子像素电极的所述第一延伸部具有与所述挡光电极的第一边平行的第一边，并且所述第一延伸部的所述第一边与所述挡光电极的所述第一边之间的间隔小于4μm。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述第一延伸部包括第一部分和第二部分；

所述第一部分包括沿与所述挡光电极的所述第一边平行的第一方向延伸的第一边；并且

所述第二部分沿与所述第一方向交叉的第二方向从所述第一部分的一端延伸并且在所述第一方向上弯折以连接到所述接触部分。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一部分还包括沿相对于所述第一方向倾斜的第三方向从所述第一子像素电极的一个边缘延伸的第一部，所述第一部与所述挡光电极的一条边的一部分平行并连接到所述第一延伸部的所述第一边，并且

其中，所述第一部分和所述第二部分彼此连接。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述第一子像素电极还包括第二延伸部；并且

所述第二延伸部具有与所述第一延伸部的所述第一边相对的第二边，所述第二延伸部的所述第二边平行于另一挡光电极的第二边，所述另一挡光电极与所述挡光电极相邻。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二延伸部的所述第二边与相邻的所述另一挡光电极的所述第二边之间的间隔小于4μm，

其中，所述第一延伸部连接到所述第一子像素电极的第一边缘；所述第二延伸部连接到所述第一子像素电极的第二边缘，并且

其中，所述第二延伸部具有：第一部，从所述第一子像素电极的所述第二边缘突出，所述第一部平行于所述第一方向；第二部，连接到所述第一部并且沿所述第二方向延伸；以及第三部，连接到所述第二部并且包括所述第二延伸部的所述第二边。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中：

所述栅极线包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极；

第一晶体管包括所述第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；

第二晶体管包括所述第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；

第三晶体管包括所述第三栅电极、第三源电极和第三漏电极；

所述像素电极还包括第二子像素电极；

所述绝缘层包括设置在所述第一漏电极上的第一接触孔、设置在所述第二漏电极上的第二接触孔以及设置在所述第三漏电极上的第三接触孔；

所述第一子像素电极通过所述第一接触孔电连接到所述第一漏电极；

所述第二子像素电极通过所述第二接触孔电连接到所述第二漏电极；

所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔相对于所述栅极线设置在同一侧上，并且

连接构件通过所述第三接触孔电连接所述第一参考电压线和所述第三漏电极。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述连接构件还包括朝向所述第二延伸部突出的突起，并且

其中，所述连接构件的所述突起的一条边平行于所述第二延伸部的一条边。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述突起和所述第二延伸部的彼此面对的边之间的间隔小于4μm，并且

其中，所述突起包括具有第一宽度的第一部和具有比所述第一宽度小的第二宽度的第二部。

9.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述栅极线和所述第一参考电压线上的第二参考电压线，

其中，所述第二参考电压线电连接到所述第一参考电压线，包括所述第三漏电极，并且与所述第三漏电极设置在同一导电层上，并且

其中，一条第二参考电压线设置在三个相邻的像素中。

10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一漏电极、所述第二漏电极、所述数据线的所述突起和所述第一延伸部与所述第一子像素电极之间的连接部中的每个被切断，

其中，所述第一子像素电极还包括切割位置引导部，所述切割位置引导部用于示出所述第一延伸部与所述第一子像素电极之间的所述连接部处的切割位置，并且

其中，所述第一子像素电极的所述第一延伸部被构造为在所述数据线的所述突起被切断时而被切断。