CN110687712B - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

提供了一种液晶显示器，该液晶显示器包括显示面板，该显示面板包括：多个像素；第一基板；第二基板，面向第一基板；液晶层，布置在第一基板与第二基板之间；栅极线，布置在第一基板上；晶体管，布置在第一基板上，并且包括连接到栅极线的栅电极、源电极以及面向源电极的漏电极；钝化层，布置在源电极和漏电极上，钝化层具有位于漏电极上的接触孔；以及遮光构件，与在彼此面对的、栅极线和栅电极中的至少一者的侧面与漏电极的侧面之间的空间重叠，其中，在平面视图中，遮光构件布置在多个像素中的至少一个像素的区域内，其中，遮光构件在平面视图中不与源电极和接触孔重叠。

Description

液晶显示器

本申请是申请日为2014年8月13日、申请号为201410396297.8、发明名称为“液晶显示器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示器(“LCD”)，并且更具体地涉及包括遮光构件的LCD。

背景技术

液晶显示(“LCD”)装置是目前使用的最常见的平板显示器类型之一，其包括具有场生成电极的两个面板片和插入在两个面板片之间的液晶层。LCD通过向场生成电极施加电压来重新排列液晶层的液晶分子以控制发出的光量，从而显示期望的图像。

场生成电极可设置在彼此面对的两个面板中，并且两个场生成电极可放置一个面板上。接收场生成电极的数据电压的像素电极和多个薄膜晶体管(“TFT”)以矩阵形式排布在彼此面对的两个面板的其中一个上，并且呈现诸如例如红色、绿色和蓝色的基色的滤色器和能够防止像素之间的光泄露的遮光构件可形成在另一个面板上。

然而，在这种液晶显示器中，由于像素电极和TFT与滤色器或遮光构件形成在不同的面板上，因此在像素电极与滤色器之间或者在像素电极与遮光构件之间难以执行精确的对准，因此，可能出现对准误差。

为了解决对准误差，提供了遮光构件形成在与像素电极和TFT相同的面板上的结构，并且在这种情况下，滤色器也可形成在与像素电极相同的面板上。因此，通过在面板上与像素电极和TFT一起形成遮光构件，可实现LCD的高开口率和高透光率。

发明内容

在其中遮光构件被布置在与像素电极和薄膜晶体管(“TFT”)相同的面板上的结构中，杂质从遮光构件注入液晶层，并且因此，产生残留影象并且液晶显示器(“LCD”)的可靠性可能退化。

因此，本发明致力于在遮光构件布置在与像素电极和TFT相同的面板的情况下提供一种具有通过防止杂质从遮光构件流入液晶层来去除LCD的残留影象并提高可靠性的优点的LCD。

本发明通过最小的遮光构件防止光泄露。

根据本发明的示例性实施方式的LCD包括显示面板，该显示面板包括：多个像素、彼此面对的第一基板和第二基板、布置在第一基板与第二基板之间的液晶层、布置在第一基板上并且传输第一电压的第一电极、布置在第一基板上并且传输第二电压第二电极以及与在彼此面对的第一电极的侧面和第二电极的侧面之间的空间重叠的遮光构件，其中，在平面视图，遮光构件在多个像素的像素区域内具有岛状形状。

在示例性实施方式中，第一电极可包括传输栅极信号的栅极线，并且第二电极包括接收数据电压的漏电极或连接至漏电极的像素电极。

在示例性实施方式中，可在栅极线中限定凹入部分，漏电极可包括布置在凹入部分中的扩展部分，并且像素电极可包括电连接至扩展部分的突出部分。

在示例性实施方式中，遮光构件可包括与在彼此面对的凹入部分的边缘侧与扩展部分的侧面之间的或者在彼此面对的凹入部分的边缘侧与突出部分的侧面之间的空间重叠的第一遮光构件部分。

在示例性实施方式中，可进一步包括面向漏电极并被布置在与漏电极极相同层中的源电极，漏电极可进一步包括面向源电极的条形部分以及连接条形部分和扩展部分的连接部分，遮光构件可进一步包括经由插入在其间的连接部分面向第一遮光构件部分的第二遮光构件部分，并且第二遮光构件部分可与在彼此面对的凹入部分的边缘侧与扩展部分的侧面之间的或者在彼此面对的凹入部分的边缘侧与突出部分的侧面之间的空间重叠。

在示例性实施方式中，第一遮光构件部分和第二遮光构件部分可彼此连接。

在示例性实施方式中，遮光构件可布置在像素电极与液晶层之间。

在示例性实施方式中，遮光构件可布置在像素电极与第一基板之间。

在示例性实施方式中，遮光构件可布置在第二基板上。

在示例性实施方式中，遮光构件可与彼此面对的凹入部分的边缘侧与扩展部分的侧面之间的或者在彼此面对的凹入部分的边缘侧与突出部分的侧面之间的空间重叠，并且可与扩展部分重叠。

在示例性实施方式中，可在遮光构件的中心处限定开口，所述开口与扩展部分重叠。

在示例性实施方式中，可进一步包括在多个像素之间延伸的多个信号线，并且多个信号线可包括非透明导电材料。

在示例性实施方式中，可进一步包括接收公共电压并且在液晶层中与像素电极一起产生电场的对向电极，并且对向电极可布置在第一基板上。

在示例性实施方式中，可在对向电极中限定开口，并且该开口围绕突出部分，并且遮光构件可包括与在彼此面对的开口的边缘侧与扩展部分的边缘侧之间的或者在彼此面对的开口的边缘侧与突出部分的边缘侧之间的空间重叠的部分。

在示例性实施方式中，遮光构件可包括与在彼此面对的栅极线的边缘侧与漏电极的侧面之间的或在彼此面对的栅极线的边缘侧与像素电极的侧面之间的空间重叠的部分。

在示例性实施方式中，栅极线可包括在平面视图中向上或向下突出的栅电极，并且遮光构件可包括与在彼此面对的栅电极的边缘侧与漏电极的侧面之间的或在彼此面对的栅电极的边缘侧与像素电极的侧面之间的空间重叠的部分。

根据本发明的示例性实施方式，在其中遮光构件被布置在与像素电极和TFT相同的显示面板上的LCD中，防止来自遮光构件的杂质流入液晶层，从而可有效地减少LCD的残留影象并且可增加可靠性。同样，最小的遮光构件可有效地防止光泄露。

附图说明

通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加显而易见，其中：

图1是根据本发明的液晶显示器(“LCD”)的示例性实施方式的平面视图，

图2是根据本发明的LCD的示例性实施方式的截面视图，

图3是根据本发明的LCD的示例性实施方式的像素的平面视图，

图4是根据本发明的LCD的示例性实施方式的像素的平面视图，

图5是沿着线V-V截取的图4中示出的LCD的截面视图，

图6至图8是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图，图9和图10是沿着线V-V截取的图4中示出的LCD的截面视图，

图11至图13是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图，

图14是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图，

图15是沿着线XV-XV截取的图14中示出的LCD的截面视图，

图16至图18是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图，图19和图20是沿着线XV-XV截取的图14中示出的LCD的截面视图，

图21是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图，

图22是沿着线XXII-XXII截取的图21中示出的LCD的截面视图，以及

图23至图28是根据本发明的LCD的像素的示例性实施方式的平面视图。

具体实施方式

在下文中，将参照示出本发明的示例性实施方式的附图更加全面地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的，在全部不背离本发明的精神和范围的情况下，可以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改。

在附图中，为了清晰起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。遍及整个说明书，相同的参考标号表示相同的元件。将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一个元件“上”时，该元件可直接在另一个元件上或者也可存在中间元件。相反地，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，则不存在中间元件。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一个元件、部件、区域、层和/或部分相区分。因此，在不背离本文的教导的前提下，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可被称作第二元件、部件、区域、层或部分。

本文使用的术语仅是用于描述特定实施方式的目的而并非旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式(包括“至少一个”)，除非上下文清楚地表示并非如此。“或者”表示“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任意和全部组合。将进一步理解，当在该说明书中使用术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或者“包括(includes)”和/或“含有(including)”时，规定存在指定的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或附加一个或多个其他的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

此外，本文中可使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”等的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，相对术语旨在除了包括在图中描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧的元件便被定位在其他元件的“上”侧。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下”包括“下”和“上”这两个方位。类似地，如果一个附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”或“之下”的元件将被定位在其他元件“之上”。因此，示例性术语“在…下面(below)”或“之下”可包括之上和在之下两个方位。

考虑到被讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)，本文中使用的“大约”或“近似”包括指定的值和落在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可指落在一个或多个标准偏差范围内，或者落在指定值的±30％、20％、10％、5％范围内。

除非另有明确定义，否则，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本公开所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。还应进一步理解，这些术语(诸如在通常使用的词典中定义的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且这些术语将不以理想化或过于正式的意思来解释，除非本文明确如此定义。

本文参照作为理想实施方式的示意性示图的截面示意图描述了示例性实施方式。因此，将预期由于例如制造技术和/或误差而产生的示图的形状的变化。因此，本文所描述的实施方式不应解释为限于本文所示的区域的特定形状，而应包括由于例如制造所导致的形状上的偏差。例如，被示出或被描述为平坦的区域可能通常具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所示的锐角可能变圆。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且其形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。

现在，将参照附图描述根据本发明的示例性实施方式的液晶显示器(“LCD”)。

首先，将参照图1至图3描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图1是根据本发明的示例性实施方式的LCD的平面视图，图2是根据本发明的示例性实施方式的LCD的截面视图，以及图3是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。

参照图1，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括其中放置多个像素PX的显示面板300。作为显示图像的单元的每个像素PX可显示预定亮度的图像。诸如栅极线和数据线的信号线(未示出)可在像素PX之间延伸，并且信号线可包括不透明的导电材料。在示例性实施方式中，信号线可包括具有低反射率的导电材料。

参照图2，根据本发明的示例性实施方式的LCD的显示面板300包括彼此面对的下面板100和上面板200以及插入在其间的液晶层3。液晶层3包括液晶分子31。在下面板100和/或上面板200中放置向液晶层3产生电场的至少一个场生成电极(未示出)。液晶分子31沿着预定的方向排列(align，对准)，并且随后可根据在液晶层3中产生的电场被重新排列。

参照图3，一个像素PX包括第一电极HV、第二电极LV和岛状(island)遮光构件220。

第一电极HV可被施加预定的第一电压并且第二电极LV可被施加第二电压。第一电压和作为单独(separate，分离)电压的第二电压可具有不同的幅度。在示例性实施方式中，例如，第二电压可小于第一电压。

第一电极HV和第二电极LV可一起放置在下面板100和上面板200的其中一个上。

在本发明的示例性实施方式中，第一电极HV的边缘侧包括面向第二电极LV的边缘侧的部分，并且在第一电极HV的侧面与第二电极LV的侧面之间的空间被岛状遮光构件220覆盖。岛状遮光构件220可以是对应于像素PX的近似岛状物，并且其形状可不同。岛遮光构件220可与彼此面对的第一电极HV的侧面或第二电极LV的侧面的至少一部分重叠。图3示出了其中岛状遮光构件220与第一电极HV的侧面和第二电极LV的侧面重叠的示例性实施方式。

岛状遮光构件220可被放置在下面板100和/或上面板200上。

可通过在第一电极HV的侧面与第二电极LV的侧面之间的第一电极HV与第二电极LV的电压差来产生水平方向的边缘场，并且这影响液晶分子31的排列，从而导致不期望的亮度的光泄漏。光泄漏可被岛状遮光构件220来阻挡，从而不会被观看者识别出。同样，在本发明的示例性实施方式中，由于遮光构件未布置在整个显示面板300上，而是岛状遮光构件220仅选择性地设置在用于防止光泄露的区域，遮光材料的使用受到限制，并且可最大成程度地防止液晶层3被遮光材料污染。

另外，可减小遮光构件220的形成区，从而可最小化无需遮挡光的区域，并且可增加具有高分辨率的LCD中的开口率。

接着，将参照图4至图8以及所描述的附图描述根据本发明的示例性实施方式的LCD的详细结构。

图4是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。图5是沿着线V-V截取的图4中示出的LCD的截面视图，以及图6至图8是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。

参照图4和图5，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括彼此面对的下面板100和上面板200以及插入在下面板与上面板之间的液晶层3。

上面板200包括基板210，基板210包括透明玻璃或塑料。

参考下面板100，包括多个栅极线121的栅极导体布置在包括透明玻璃或塑料的基板110上。

栅极线121传输包括栅极断开电压Voff和栅极导通电压Von的栅极信号，并且主要在水平方向延伸。栅极线121包括栅电极124，并且可在栅电极124中限定凹部25。

在示例性实施方式中，栅极线121可包括例如铝(Al)或诸如铝合金的基于铝的金属、银(Ag)或诸如银合金的基于银的金属、铜(Cu)或诸如铜合金的基于铜的金属、钼(Mo)或诸如钼合金的基于钼的金属、铬(Cr)、钽(Ta)、或钛(Ti)。在另一示例性实施方式中，然而，栅极线121可具有包括至少两个导电层(其具有不同的物理特性)的多层结构。在示例性实施方式中，栅极线121可包括例如具有低反射率的金属或具有低反射率的诸如钛(Ti)/氧化铟锌(“IZO”)/铜(Cu)的沉积结构。

栅极绝缘层140布置在栅极导体上。在示例性实施方式中，栅极绝缘层140可包括例如氮化硅((SiNx)或氧化硅(SiOx)。在示例性实施方式中，栅极绝缘层140可具有包括至少两个绝缘层(其具有不同的物理特性)的多层结构。

半导体154布置在栅极绝缘层140上。在示例性实施方式中，半导体154可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

欧姆触点163和165可放置在半导体154上。在示例性实施方式中，欧姆触点163和165可包括例如掺杂有n型杂质(诸如高浓度的磷或硅化物)的n+氢化的非晶硅。在示例性实施方式中，欧姆触点163和165可成对地布置在半导体154上。在示例性实施方式中，半导体154在平面视图中可以具有岛状形状。在另一示例性实施方式中，可根据半导体154的种类省略欧姆触点163和165。

包括具有源电极173和漏电极175的数据线171的数据导体被布置在欧姆触点163和165以及栅极绝缘层140上。

数据线171传输数据信号并主要在垂直方向上延伸从而与栅极线121相交。

数据线171包括源电极173。根据图4中示出的示例性实施方式，源电极173可不从数据线171伸出，并且可被放置在与数据线171相同的线上。

漏电极175面向源电极173。漏电极175可包括与源电极173近似平行延伸的条形部分、与其相对的扩展部分177以及连接条形部分和扩展部分177的连接部分176。

在示例性实施方式中，数据导体可例如包括诸如钼、铬、钽和钛或者其合金的难熔金属，并且可具有包括难熔金属层(未示出)和低电阻导电层(未示出)的多层结构。在示例性实施方式中，例如，多层结构可以是铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层，或者例如钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层。然而，本发明并不局限于此，并且数据线171和漏电极175可包括除了上述的各种金属和导体。

在示例性实施方式中，数据线171可例如包括具有低反射率的金属或具有低反射率的诸如钛(Ti)/IZO/铜(Cu)的沉积结构。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起构成一个薄膜晶体管(“TFT”)，并且TFT的沟道被设置在源极173与漏极175之间的半导体154上。

在本发明的示例性实施方式中，TFT Q包括在与数据线171相同的线中的源电极173和与数据线171平行地延伸的漏电极175，使得可以无需增加数据导体的面积就可以增加TFT的宽度，从而能够增加LCD的开口率。

第一钝化层180a被置在数据导体、栅极绝缘层140和半导体154的暴露部分上。第一钝化层180a可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。

滤色器230可被放置在第一钝化层180a上。滤色器230可唯一地显示一种基色。在示例性实施方式中，例如，基色可包括诸如红色、绿色和蓝色的三种基色以及诸如黄色、蓝绿色和品红色的三种基色。在另一示例性实施方式中，基色可包括四种基色。在本发明的另一示例性实施方式中，滤色器230可进一步包括显示除了基色之外的基色的混和颜色或白色的滤色器。每个滤色器230可被设置为沿着像素列或像素行延伸。

在另一示例性实施方式中，滤色器230可被放置在上面板200上。

第二钝化层180b放置在滤色器230上。第二钝化层180b可包括绝缘层或有机绝缘体，并且作为滤色器230的保护层可防止滤色器230被暴露并提供平坦的表面。第二钝化层180b可防止诸如滤色器230的颜料的杂质流入液晶层3。

可在第一钝化层180a和第二钝化层180b中限定暴露漏电极175的接触孔185。

在另一示例性实施方式中，可省略第二钝化层180b。

像素电极191放置在第二钝化层180b上。在另一示例性实施方式中，像素电极191可具有近似平面的形状或可包括多个分支电极。像素电极191可以包括突出部分195。突出部分195通过第一钝化层180a和第二钝化层180b的接触孔185物理地和电地连接至漏电极175，从而接收来自漏电极175的数据电压。

参照图4，漏电极175的扩展部分177、接触孔185和像素电极191的突出部分195可被放置在栅极线121的凹入部分25内。在这种情况下，凹入部分25的一侧可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分。

在示出的示例性实施方式中，通过放置栅极线121的凹入部分25以与漏极175的扩展部分177和像素电极191的突出部分195在平面视图中接触的区域重叠，从而可减小在栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的寄生电容。因此，可减小由在栅极线121与漏极175或像素电极191之间的寄生电容引起的反冲(kickback)电压，并且可减小栅极信号的延迟。

在示例性实施方式中，像素电极191可包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)或IZO的透明导电材料。

在本发明的示例性实施方式中，下面板100可进一步包括与像素电极191一起向液晶层3产生电场的对向电极(opposing electrode)(未示出)。在这种情况下，对向电极可放置在像素电极191上或下，并且可以或可以不与像素电极191重叠。

根据本发明的另一示例性实施方式，对向电极可放置在上面板200上。

在示例性实施方式中，对向电极还可包括诸如ITO或IZO的透明导电材料。

根据本发明的示例性实施方式的LCD包括遮光构件220a和220b的至少一个。遮光构件220a和220b可包括彼此分离的第一遮光构件220a和第二遮光构件220b。在示例性实施方式中，第一遮光构件220a和第二遮光构件220b在平面视图中可被设置为岛状类型，并且可放置在一个像素PX中。

第一遮光构件220a和第二遮光构件220b防止光泄露，并且例如可包括诸如炭黑或光敏有机材料的颜料。

参照图6，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，右侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第一光泄露部分BMa。

参照图7，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，下侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第二光泄露部分BMb。

参照图8，在栅极线121的凹入部分25的侧面中，左侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第三光泄露部分BMc1和BMc2。

具体地，漏电极175的连接部分176可在栅极线121的凹入部分25的左侧面附近绕过。当数据导体包括诸如金属的非透明导电材料时，漏电极175的连接部分176可防止光泄露，从而使第三光泄露部分BMc1和BMc2可被分成相对于连接部分176在平面视图中分别向上和向下放置的下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2。

返回参照图4，第一遮光构件220a可同时与第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb和下第三光泄露部分BMc1重叠并将其覆盖，并且第二遮光构件220b与第一遮光构件220a分离并且可仅与上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。

可在栅极线121与漏极175或像素电极191之间产生由栅极信号与由漏电极175或像素电极191传输的数据电压之间的电压差引起的包括水平分量的边缘场。该电场影响液晶分子31的排列，从而可能不期望地产生光泄露。具体地，栅极线121大部分时间传输一个帧的栅极断开电压Voff，并且在该时，栅极断开电压Voff比数据电压小得多，从而进一步增加在栅极线121与漏电极175或像素电极191之间产生的电场的强度，并且因此，泄露光的强度可能更强。这在显示黑灰色的图像中进一步恶化，从而LCD的对比度可能退化，并且显示质量可能降低。如上所述，该光泄露可能主要在栅极线121的凹入部分25附近的光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2中产生。

如图4所示，在本发明的示例性实施方式中，所有光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2与第一遮光构件220a和第二遮光构件220b重叠，从而可阻挡由于在栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。

第一遮光构件220a和第二遮光构件220b选择性地和最小化地仅设置在可能容易产生光泄露的光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2的区域，从而有效地限制遮光材料的数量。

另外，可通过栅极线121和数据线171的非透明导电材料来防止相邻像素PX之间的光泄露。当通过使用非透明导电材料来阻挡光泄露以防止由外部光的反射引起的质量退化时，例如，栅极线121和数据线171可包括具有低反射率的金属或具有低反射率的诸如钛(Ti)/IZO/铜(Cu)的沉积结构。

参照图4和图5，第一遮光构件220a和第二遮光构件220b可放置在下面板100上，并且详细地，在截面中，第一遮光构件220a或第二遮光构件220b的高度可高于像素电极191的高度。

如本发明的示例性实施方式，通过与TFT Q一起将滤色器230以及遮光构件220a和220b放置在下面板100上，遮光构件220a和220b以及滤色器230与像素电极191和TFT Q之间的对准变得容易，从而可减小对准误差。因此，可防止由于这些组成元件之间的未对准而引起的LCD的光泄露或开口率退化，并且可增加透光率。

如上所述，由于仅第一遮光构件220a和第二遮光构件220b选择性地设置在作为最小区域的容易产生光泄露的光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2的区域上，如图4和图5所示，因此尽管遮光构件220a和220b邻近于液晶层3，也可最小化作为杂质流入或扩散至液晶层3的颜料成分(诸如遮光构件220a和220b的卤族元素)的量。因此，可防止由于流入液晶层3的杂质而引起的残留影象，并且可以增加LCD的可靠性。

接着，将参照图9和图10以及所描述的附图描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图9和图10是沿着线V-V截取的图4中示出的LCD的截面视图。

根据示出的示例性实施方式的LCD基本上与图4至图8中示出的示例性实施方式相同，但是遮光构件220a和220b的位置可不同。

参照图9，遮光构件220a和220b可放置在像素电极191下面。详细地，与滤色器230相似，遮光构件220a和220b可放置在第一钝化层180a与第二钝化层180b之间。在该情况下，进一步减小遮光构件220a和220b的杂质流入液晶层3的可能性，从而可进一步增加LCD的可靠性。

参照图10，遮光构件220a和220b可被放置在上面板200上。即，遮光构件220a和220b可放置在基板210上。保护层250可进一步放置在遮光构件220a和220b上。保护层250可防止遮光构件220a和220b被暴露。

接着，将参照图11至图13以及所描述的附图描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图11至13是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。

根据示出的示例性实施方式的LCD与图4至图10中示出的示例性实施方式基本相同，但是遮光构件的形状可不同。

参照图11，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。如上所述，遮光构件220可与栅极线121的凹入部分25附近的所有的第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220包括彼此连接的三个条形部分。遮光构件220可阻挡由栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的所有的光泄露。

参照图12，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220也可与由第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2封闭(enclose，围绕)的栅极线121的凹入部分25以及第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220在平面视图中可以是近似的凸多边形，例如，凸四边形。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的任何形状都是可以的。

参照图13，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220与图12中示出的示例性实施方式基本相同，但是可进一步限定在遮光构件220的中心处的开口225。开口225可与扩展部分177重叠。因此，遮光构件220在平面视图中可具有近似凸多边形的环状形状，例如，凸四边形的环状形状。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220可与凹入部分25的上边缘部分重叠。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的边缘部分的任何形状(诸如环形曲线)都是可以的。

在图11至图13示出的示例性实施方式中，遮光构件220的位置也可如图9和图10中示出的示例性实施方式一样被不同地改变。将参照图14至图15以及所描述的附图描述根据本发明示例性实施方式的LCD的详细结构。

图14是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图，以及图15是沿着线XV-XV截取的图14中示出的LCD的截面视图。

根据示出的示例性实施方式的LCD与图4至图13中示出的示例性实施方式大部分相同，因此将描述差异。

参照图14和图15，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括彼此面对的下面板100和上面板200以及插入在下面板和上面板之间的液晶层3。

上面板200包括基板210。

参考下面板100，包括多个栅极线121的栅极导体布置在基板110上。

栅极线121主要在水平方向上延伸并且包括栅电极124。可在栅电极124中限定凹入部分25。

栅极绝缘层140布置在栅极导体上，并且半导体154布置在栅极绝缘层140上。欧姆触点163和165可放置在半导体154上。

包括具有源电极173和漏电极175的数据线171的数据导体布置在欧姆触点163和165以及栅极绝缘层140上。

为了提高透光率，数据线171可在预定的间隔处弯曲。在示例性实施方式中，如图14所示，例如，每个数据线171可在对应于一个像素PX的水平中心线CL的部分至少弯曲一次。

漏电极175可包括与源电极173近似平行地延伸的条形部分、与其相对的扩展部分177和连接条形部分和扩展部分177的连接部分176。

第一钝化层180a放置在数据导体、栅极绝缘层140和半导体154的暴露部分上。

在示例性实施方式中，滤色器(未示出)可放置在第一钝化层180a上。在另一示例性实施方式中，滤色器230可放置在上面板200上。

在示例性实施方式中，第二钝化层180b放置在第一钝化层180a和滤色器上。可在第二钝化层180b中限定对应于漏电极175的部分的开口185b。

对向电极270可放置在第二钝化层180b上。在示例性实施方式中，对向电极270可放置在具有平面形状的基板110的整个表面上。放置在相邻的像素PX的对向电极270被连接，从而接收预定幅度的公共电压。

可在对向电极270中限定对应于漏电极175的扩展部分177的开口279。

第三钝化层180c可放置在对向电极270上。第三钝化层180c可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在示例性实施方式中，第三钝化层180c可具有平坦的表面。

可在第一钝化层180a和第三钝化层180c中限定暴露漏电极175的接触孔185。在示例性实施方式中，可在第二钝化层180b的开口185b内限定接触孔185，并且在另一示例性实施方式中，接触孔185的外部边界和开口185b的外部边界可基本上一致。

在对向电极270的开口279中限定接触孔185。即，对向电极270的开口279可围绕接触孔185。

像素电极191放置在第三钝化层180c上。像素电极191包括与对向电极270重叠的多个分支电极193，并且在相邻的分支电极193之间限定狭缝(slit)93。像素电极191的分支电极193可近似平行于数据线171延伸。像素电极191的多个分支电极193可相对于垂直方向成斜角地倾斜，并且可在像素电极191的水平中心线CL处弯曲。因此，基于每个像素PX的水平中心线CL，像素电极191分可被为具有分支电极193的不同倾斜方向的多个域。在示例性实施方式中，例如，在水平中心线CL上方的上分支电极193可基于水平中心线沿右上方向延伸，并且在水平中心线CL下方的下支路电极193可沿右下方向延伸。

像素电极191也可以包括突出部分195。突出部分195通过接触孔185物理地和电地连接至漏电极175，从而接收来自漏电极175的数据电压。

根据本发明的另一示例性实施方式，像素电极191和对向电极270的位置可交换。即，像素电极191可放置在第二钝化层180b上，第三钝化层180c可被放置在像素电极191上，并且对向电极270可放置在第三钝化层180c上。在这种情况下，可不在第三钝化层180c和对向电极270中限定接触孔185。此外，像素电极191可具有占据大部分像素PX区的平面形状，并且对向电极270可包括与像素电极191重叠的多个分支电极(未示出)。

根据本发明的另一示例性实施方式，像素电极191可放置在下面板100上，并且对向电极270可放置在上面板200上。然而，本发明并不局限于此，并且像素电极191和对向电极270的结构和排布可不同。

尽管未示出，取向层覆盖在像素电极191和第三钝化层180c上，并且取向层可以是水平取向层。在示例性实施方式中，取向层可沿预定的方向摩擦。然而，根据本发明的另一示例性实施方式，取向层包括待图像对准(photo-align)的图像反应(photo-reactive)材料。

在未向液晶层3施加电场的状态下，液晶分子31可被对准，从而其长轴平行于显示面板100和200，并且在这种情况下，液晶分子可具有正介电各向异性。在示例性实施方式中，液晶分子31可以是向列液晶分子(其长轴方向从下面板100螺旋扭曲至上面板200)。

根据本发明的另一示例性实施方式，在未向液晶层3施加电场的状态下，液晶分子可被对准，从而其长轴垂直于显示面板100和200，并且液晶分子可具有负介电各向异性。在这种情况下，像素电极191和对向电极270的结构等可被修改。

参照图14，漏电极175的扩展部分177、接触孔185和像素电极191的突出部分195可放置在栅极线121的凹入部分25内。在这种情况下，凹入部分25的侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分。

在栅极线121的凹入部分25的侧面中，右侧面可以包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第一光泄露部分BMa。在栅极线121的凹入部分25的侧面中，下侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第二光泄露部分BMb。在栅极线121的凹入部分25的侧面中，左侧面可包括面向漏电极175的扩展部分177或像素电极191的突出部分195的部分，并且两个面对的部分和其间的区域被称为第三光泄露部分BMc1和BMc2。具体地，漏电极175的连接部分176可在栅极线121的凹入部分25的左侧面附近绕过。当数据导体包括诸如金属的非透明导电材料时，漏极175的连接部分176可防止光泄露，从而在平面视图中第三光泄露部分BMc1和BMc2可被分为相对于连接部分176向上和向下放置的下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2。

具体地，在示出的示例性实施方式的情况下，可在对向电极270的开口279的侧面与漏电极175或像素电极191的侧面之间产生光泄露，并且对向电极270的开口279的侧面与漏电极175或像素电极191的侧面之间的部分可被包括在光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2中。

在示出的示例性实施方式中，第一遮光构件220a可同时与第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb和下第三光泄露部分BMc1重叠并将其覆盖，并且从第一遮光构件220a中分出的第二遮光构件220b可与上第三光泄露部分BMc2重叠。因此，由于所有的光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2与第一遮光构件220a和第二遮光构件220b重叠，因此可阻挡由栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。

同样，根据示出的示例性实施方式，遮光构件220a和220b还覆盖对向电极270的开口279与漏电极175或像素电极191彼此面对的部分和/或其侧面，从而可阻挡由对向电极270的开口279与漏电极175或像素电极191的边缘侧之间的边缘场引起的光泄露。

其余描述与示例性实施方式中描述的那些相同，因此省略详细的描述。

参照图14和图15，与所描述的示例性实施方式相似，遮光构件220a和220b可放置在下面板100上，并且详细地，可放置在像素电极191上。然而，遮光构件220a和220b的位置并不限于此，并且与图9和图10中示出的示例性实施方式相似，其位置可不同。

接着，将与上述附图一起参照图16至图20来描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图16至图18是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图，以及图19和图20是沿着线XV-XV截取的图14中示出的LCD的截面视图。

根据示出的示例性实施方式的LCD与图14至图15中示出的示例性实施方式大部分相同，但是遮光构件的形状可不同。

参照图16，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。如上所述，遮光构件220可与栅极线121的凹入部分25附近的所有的第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220包括彼此连接的三个条形部分。遮光构件220可阻挡由栅极线121与漏极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。

参照图17，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220也可与由第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2封闭的栅极线121的凹入部分25以及第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220在平面视图中可以是近似的凸多边形，例如，凸四边形。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的任何形状都是可以的。

参照图18，根据本发明的示例性实施方式的LCD包括对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220与图17中示出的示例性实施方式大部分相同，但是可进一步包括在遮光构件220的中心处限定的开口225。开口225可与扩展部分177重叠。因此，遮光构件220在平面视图中可具有近似凸多边形的环状形状，例如，凸四边形的环状形状。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220可与凹入部分25的上边缘部分重叠。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的边缘部分的任何形状(诸如环形曲线)都是可以的。

参照图19，在图14至图18的各种示例性实施方式中，遮光构件220、220a和220b可放置在上面板200的基板210上。

参照图20，在图14至图18中示出的几个示例性实施方式中，遮光构件220、220a和220b可放置在像素电极191的下面，并且详细地，在第一钝化层180a与第二钝化层180b之间。

接着，将与上述附图一起参照图21至25来描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图21是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图，图22是沿着线XXII-XXII截取的图21中示出的LCD的截面视图，以及图23至图25是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。

根据示出的示例性实施方式的LCD与上述示例性实施方式基本上相同，但是像素电极191和对向电极270的沉积位置可不同。

参照图21和图22，在下面板100中，包括栅极线121的栅极导体布置在基板110上，栅极绝缘层140布置在栅极导体上，半导体154放置在栅极绝缘层140上。欧姆触点163和165可放置在半导体154上。包括数据线171(其包括源电极173和漏电极175)的数据导体布置在欧姆触点163和165以及栅极绝缘层140上。

像素电极191可直接放置在漏电极175上。即，像素电极191可直接与漏电极175接触。在替代性示例性实施方式中，可在漏电极175与像素电极191之间放置绝缘层。在这种情况下，像素电极191可通过绝缘层的接触孔连接至漏电极175。像素电极191可布置在一个像素PX中并且在平面视图中具有平面形状(即，单个板的形状)。

钝化层180放置在数据导体、栅极绝缘层140、半导体154的暴露部分以及像素电极191上。

对向电极270放置在钝化层180上。分别放置在多个像素PX中的对向电极270通过连接电桥276等彼此连接以传输相同的公共电压。根据示例性实施方式的对向电极270包括与平面形状的像素电极191重叠的多个分支电极273。在对向电极270的相邻的分支电极273之间限定去除电极的狭缝73。

参照图21，在示出的示例性实施方式中，第一遮光构件220a同时与第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb和下第三光泄露部分BMc1重叠并将其覆盖，并且与第一遮光构件220a分离的第二遮光构件220b可与上第三光泄露部分BMc2重叠。因此，由于所有的光泄露部分BMa、BMb、BMc1和BMc2与第一遮光构件220a和第二遮光构件220b重叠，因此可阻挡由栅极线121与漏极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。其余描述与示例性实施方式中描述的那些相同，因此省略详细的描述。

参照图21和图22，遮光构件220a和220b可放置在下面板100上。详细地，在截面中，遮光构件220a和220b的高度可高于对向电极270的高度。然而，遮光构件220a和220b的位置并不限于此，与图9和图10示出的示例性实施方式相似，其位置可被不同地改变。

参照图23，对应一个像素PX放置的岛状遮光构件220可与栅极线121的凹入部分25附近的第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220包括彼此连接的三个条形部分。遮光构件220可阻挡由栅极线121与漏电极175或像素电极191之间的边缘场引起的光泄露。

参照图24，对应一个像素放置的岛状遮光构件220也可与由第一光泄露部分BMa、第二光泄露部分BMb、下第三光泄露部分BMc1和上第三光泄露部分BMc2封闭的栅极线121的凹入部分25重叠并将其覆盖。因此，遮光构件220在平面视图中可以是近似的凸多边形，例如，凸四边形。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的任何形状都是可以的。

参照图25，对应一个像素放置的岛状遮光构件220与图24中示出的示例性实施例的大部分相同，但是可进一步包括在遮光构件220的中心处限定的开口225。因此，遮光构件220可具有在平面视图中近似凸多边形的环状形状，例如，凸四边形的环状形状。根据示出的示例性实施方式的遮光构件220可与凹入部分25的上边缘部分重叠。然而，遮光构件220的形状并不局限于此，并且覆盖栅极线121的凹入部分25的边缘部分的任何形状(诸如环形曲线)都是可以的。

接着，将与上述附图一起参照图26至图28来描述根据本发明的示例性实施方式的LCD。

图26至图28是根据本发明的示例性实施方式的LCD的像素的平面视图。

参照图26，根据示出的示例性实施方式的LCD与图21至图25中示出的示例性实施方式基本相同，因此，将省略相同的描述。

根据示出的示例性实施方式的LCD可进一步包括放置在栅极线121上或放置在与栅极线121相同的层中的公共电压线125。栅极线121包括在平面视图中向上或向下突出的栅电极124。

像素电极191可通过放置在漏电极175上的钝化层(未示出)的接触孔185连接至漏电极175。

数据线171可在水平中心线CL处弯曲。

像素电极191可具有侧面分别近似平行于栅极线121和数据线171的平面形状。

在像素电极191上可放置至少一个绝缘层(未示出)，并且对向电极270可放置在绝缘层上。可在至少一个绝缘层(诸如放置在公共电压线125与对向电极270之间的钝化层)上限定暴露公共电压线125的一部分的接触孔182。

放置在每个像素PX上的对向电极270可包括覆盖数据线171的纵向部分277、放置在两个纵向部分277之间并且彼此分离的多个分支电极273以及连接多个分支电极273的端部的连接部分275。对向电极270可通过接触孔182被施加有来自公共电压线125的公共电压。

根据示出的示例性实施方式的LCD可包括与在彼此面对的栅极线121的侧面与漏电极175的扩展部分177的侧面之间的空间重叠的岛状遮光构件220。遮光构件220可覆盖栅极线121的侧面和漏电极175的扩展部分177的侧面的至少一个。

参照图27，根据示例性实施方式的LCD与图26中示出的示例性实施方式基本相同，但是遮光构件220可被放大以进一步包括覆盖分支电极273之间的至少一个狭缝73的端部的横向部分221。与遮光构件220的横向部分221重叠的狭缝73的纵向方向上的宽度Do可大约为1微米(μm)至大约5μm。同样，由于遮光构件220与狭缝73的端部重叠，可防止观察到摩擦(其可能是由于即使在去除外部压力之后也不能返回至初始状态的液晶分子引起的)，尤其是在狭缝73的端部周围的摩擦。

遮光构件220也可覆盖接触孔185。

参照图28，根据示出的示例性实施方式的LCD与图26中示出的示例性实施方式基本相同，但是可交换像素电极191和对向电极270的沉积位置。在这种情况下，对向电极(未示出)可具有占据像素PX的大部分区域的平面形状，并且像素电极191可包括与对向电极重叠的多个分支电极193，并且可在对向电极之间限定狭缝93。此外，公共电压线125可包括扩展部分126。对向电极可通过暴露公共电压线125的扩展部分126的接触孔182连接至公共电压线125。

根据示出的示例性实施方式的LCD可包括与在栅电极124的侧面与漏电极175的扩展部分177的侧面之间的空间重叠的岛状遮光构件220c以及与在栅极线121的侧面与漏极175的扩展部分177的侧面之间的空间重叠的岛状遮光构件220d。在平面视图中具有岛状形状的两个遮光构件220c和220d可彼此分离或可彼此连接。遮光构件220c还可覆盖彼此面对的栅电极124的侧面与漏电极175的扩展部分177的侧面中的至少一个，并且遮光构件220d还可覆盖彼此面对的栅极线121的侧面与漏极175的扩展部分177的侧面中的至少一个。

尽管已经结合目前被视为实用示例性实施方式的实施方式描述了本发明，但应理解，本发明并不局限于所公开的实施方式，而是相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变形和等价布置。

Claims (19)

1.一种液晶显示器，包括：

显示面板，包括：

多个像素；

第一基板；

第二基板，面向所述第一基板；

液晶层，布置在所述第一基板与所述第二基板之间；

栅极线，布置在所述第一基板上；

晶体管，布置在所述第一基板上，并且包括连接到所述栅极线的栅电极、源电极以及面向所述源电极的漏电极；

钝化层，布置在所述源电极和所述漏电极上，所述钝化层具有位于所述漏电极上的接触孔；以及

遮光构件，与在彼此面对的、所述栅极线和所述栅电极中的至少一者的侧面与所述漏电极的侧面之间的空间重叠，

其中，在平面视图中，所述遮光构件在所述多个像素中的至少一个像素的区域内具有岛状形状，

其中，所述遮光构件在平面视图中不与所述源电极和所述接触孔重叠。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件还与在所述栅极线和所述栅电极中的所述至少一者的所述侧面和连接至所述漏电极的像素电极的侧面之间的空间重叠。

3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，

在所述栅极线中限定凹入部分，

所述漏电极包括布置在所述凹入部分中的扩展部分，并且

所述像素电极包括电连接至所述扩展部分的突出部分。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件包括与在彼此面对的所述凹入部分的边缘侧与所述扩展部分的侧面之间的或者在彼此面对的所述凹入部分的所述边缘侧和所述突出部分的侧面之间的空间重叠的第一遮光构件部分。

5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，

所述源电极被布置在与所述漏电极相同的层中，

所述漏电极进一步包括面向所述源电极的条形部分以及连接所述条形部分和所述扩展部分的连接部分，

所述遮光构件进一步包括第二遮光构件部分，并且所述第二遮光构件部分经由被夹在所述第一遮光构件部分和所述第二遮光构件部分之间的所述连接部分面向所述第一遮光构件部分，并且

所述第二遮光构件部分与在彼此面对的所述凹入部分的所述边缘侧与所述扩展部分的所述侧面之间的或者在彼此面对的所述凹入部分的所述边缘侧与所述突出部分的所述侧面之间的空间重叠。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，

所述第一遮光构件部分和所述第二遮光构件部分彼此连接。

7.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述像素电极与所述液晶层之间。

8.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述像素电极与所述第一基板之间。

9.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述第二基板上。

10.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件与在彼此面对的所述凹入部分的边缘侧与所述扩展部分的侧面之间的或者在彼此面对的所述凹入部分的所述边缘侧与所述突出部分的侧面之间的空间重叠，并且与所述扩展部分重叠。

11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，

在所述遮光构件的中心处限定开口，并且所述开口与所述扩展部分重叠。

12.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述像素电极与所述液晶层之间。

13.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述像素电极与所述第一基板之间。

14.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述第二基板上。

15.根据权利要求3所述的液晶显示器，进一步包括：

多个信号线，在所述多个像素之间延伸，

其中，所述多个信号线包括非透明导电材料。

16.根据权利要求3所述的液晶显示器，进一步包括：

对向电极，接收公共电压，并且与所述像素电极一起在所述液晶层中产生电场，

其中，所述对向电极布置在所述第一基板上。

17.根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，

在所述对向电极中限定开口，并且所述开口围绕所述突出部分，并且

所述遮光构件包括与在彼此面对的所述开口的边缘侧与所述扩展部分的边缘侧之间的或者在彼此面对的所述开口的所述边缘侧与所述突出部分的边缘侧之间的空间重叠的部分。

18.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，

所述栅电极在所述平面视图中从所述栅极线向上或向下突出。

19.根据权利要求18所述的液晶显示器，其中，

所述遮光构件布置在所述像素电极与所述液晶层之间。

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