KR102514320B1 - 표시 장치 - Google Patents

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윤갑수
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 제1베이스 기판; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 제1방향으로 연장된 게이트선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고, 상기 게이트선과 절연되어 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 데이터선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극과 직접 접촉하고 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 광차단 도전층; 및 상기 제1전극 및 상기 광차단 도전층과 절연되고, 적어도 일부가 상기 제1전극과 중첩하며 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2전극을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치 중 액정 표시 장치는 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등의 전기장 생성 전극을 가지고 있으며, 간극(間隙)을 두고 있는 두개의 기판과 양 기판 사이의 간극에 채워진 액정층을 포함한다. 이러한 액정 표시 장치에서는 화소 전극과 공통 전극 등의 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 형성함으로써 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 조절하여 영상을 표시한다.
상술한 액정 표시 장치의 경우, 빛샘을 방지하기 위하여 차광 부재를 형성한다.
화소 전극이 형성되는 기판과 마주하는 다른 기판 위에 차광 부재를 형성하는 경우, 두개의 기판의 오정렬에 의하여 빛샘이 발생할 가능성이 존재하며, 표시 영역의 투과율 및 개구율이 감소할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 투과율 및 개구율이 향상된 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 제1베이스 기판; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 제1방향으로 연장된 게이트선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고, 상기 게이트선과 절연되어 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 데이터선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극과 직접 접촉하고 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 광차단 도전층; 및 상기 제1전극 및 상기 광차단 도전층과 절연되고, 적어도 일부가 상기 제1전극과 중첩하며 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2전극을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 절연층에는 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀이 구비되고, 상기 제1전극에는 상기 컨택홀과 중첩하는 제1개구부가 구비되고, 상기 광차단 도전층에는 상기 컨택홀 및 상기 제1개구부와 중첩하는 제2개구부가 구비되고, 상기 컨택홀, 상기 제1개구부 및 상기 제2개구부와 중첩하는 차광부재를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 차광부재의 평면 형상은 섬 형상일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2개구부의 상기 제1방향으로의 최대폭은 상기 차광부재의 상기 제1방향으로의 최대폭보다 작거나 같고, 상기 제2개구부의 상기 제2방향으로의 최대폭은 상기 차광부재의 상기 제2방향으로의 최대폭보다 작거나 같을 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 데이터선과 중첩하는 보조차광부재를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 동일한 물질을 포함하고 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 직접 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 차광부재와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재의 적어도 일부는, 상기 광차단 도전층과 중첩할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1개구부의 내측면과, 상기 제2개구부의 내측면은 실질적으로 동일선 상에 위치할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1개구부의 내측면과 상기 제2개구부의 내측면간 이격거리는, 0㎛ 초과 0.3㎛ 이하일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 광차단 도전층은, 상기 제1전극과 접촉하는 광차단 금속층 및 상기 광차단 금속층 상에 위치하는 저반사층을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 저반사층은, 투명 도전 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 광차단 도전층은, 금속물질과 투명도전물질의 농도구배를 가질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 패시베이션층 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 간격재를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는, 차광물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선 및 상기 전압선과 직접 접촉하는 연결전극을 더 포함하고, 상기 제1전극은, 상기 연결전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 연결전극은, 상기 제2전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고, 상기 제1전극은, 상기 전압선과 직접 접촉할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고, 상기 광차단 도전층은, 상기 전압선과 직접 접촉할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 제1베이스 기판; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 제1방향으로 연장된 게이트선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고, 상기 게이트선과 절연되어 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 데이터선; 상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1전극; 상기 제1전극과 절연되고, 적어도 일부가 상기 제1전극과 중첩하는 제2전극; 및 상기 제1전극과 절연되고, 상기 제2전극과 직접 접촉하고, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 광차단 도전층을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 절연층에는 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀이 구비되고, 상기 제1전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 광차단 도전층은, 상기 컨택홀과 중첩할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 데이터선과 중첩하는 보조차광부재를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 동일한 물질을 포함하고 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 직접 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재는, 차광물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 보조차광부재의 적어도 일부는, 상기 광차단 도전층과 중첩할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선 및 상기 전압선과 직접 접촉하는 연결전극을 더 포함하고, 상기 제2전극은, 상기 연결전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 연결전극은, 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고, 상기 제2전극은, 상기 전압선과 직접 접촉할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고, 상기 광차단 도전층은, 상기 전압선과 직접 접촉할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 투과율 및 개구율이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 한 화소에 대한 예시적인 배치도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 P부분을 확대 도시한 예시적인 도면이다.
도 6은 도 3의 P부분을 확대 도시한 다른 예시적인 도면이다.
도 7은 도 3의 광차단 도전층의 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면이다.
도 8은 도 3의 광차단 도전층의 다른 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면이다.
도 9는 도 3의 광차단 도전층의 또 다른 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면이다.
도 10은 도 2에 도시된 표시 장치의 일부분을 확대 도시한 도면이다.
도 11은 도 3 및 도 4에 도시된 표시 장치에서, 복수의 화소 영역에 대하여 데이터선, 게이트선, 광차단 도전층, 보조차광부재 간의 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 12는 도 11의 변형 실시예를 도시한 평면도이다.
도 13은 도 11의 다른 변형 실시예를 도시한 평면도이다.
도 14 내지 도 17은 각각 도 2 내지 도 4의 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 예시적인 단면도이다.
도 18은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 19는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 20은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 21은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 22는 도 20 및 도 21에 도시된 표시 장치에서, 복수의 화소 영역에 대하여 데이터선, 게이트선, 광차단 도전층, 보조차광부재 간의 또 다른 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 23은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 24는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 25는 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 26은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 27은 도 25의 R부분을 확대 도시한 예시적인 도면이다.
도 28는 도 25의 R부분을 확대 도시한 다른 예시적인 도면이다.
도 29 내지 도 32는 각각 도 25 및 도 26의 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 다른 예시적인 단면도이다.
도 33은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 34는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 35는 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 36은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 37은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 38은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 39는 도 1에 도시된 표시 장치의 한 화소에 대한 다른 예시적인 배치도이다.
도 40은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 41은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 42 내지 도 45는 각각 도 39 내지 도 41의 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 또 다른 예시적인 단면도이다.
도 46은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 47은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 48은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 49는 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 50은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 51은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 52 내지 도 55는 각각 도 50 및 도 51의 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 또 다른 예시적인 단면도이다.
도 56은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 57은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 58은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 59는 도 39에 도시된 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 액정 표시판 조립체(liquid crystal panel assembly)(1000), 게이트 구동부 (gate driver)(3000), 데이터 구동부 (data driver)(5000), 신호 제어부 (signal controller)(6000) 및 공통전압 생성부(common voltage generator)(7000)를 포함할 수 있다.
액정 표시판 조립체(1000)는 영상을 표시하는 표시 영역(display area)(DA)과 그 주변에 위치하는 주변 영역(peripheral area)(PA)을 포함할 수 있다.
액정 표시판 조립체(1000)의 표시 영역(DA)에는 복수의 신호선(signal line)(121, 171)과 이에 연결되어 있으며 대략 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다.
신호선(121, 171)은 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(121)과 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선(171)을 포함할 수 있다.
게이트선(121)은 대략 제1방향(예시적으로 가로 방향)으로 연장될 수 있으며 서로가 거의 평행할 수 있다.
데이터선(171)은 영상 신호에 대응하는 데이터 전압을 전달하고 대략 제2방향(예시적으로 세로 방향)으로 연장될 수 있으며, 서로가 거의 평행할 수 있다.
각 화소(PX)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 연결된 적어도 하나의 스위칭 소자 및 이에 연결된 적어도 하나의 화소 전극을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 액정 표시판 조립체(1)에 집적되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있다. 상기 스위칭 소자는 게이트선(121)의 게이트 신호에 따라 턴온 또는 턴오프되어 데이터선(171)으로부터 전달받은 데이터 전압을 화소 전극에 전달할 수 있다. 상기 화소 전극에 인가된 데이터 전압에 따라 화소(PX)는 해당 영상을 표시할 수 있다.
주변 영역(PA)은 영상이 표시되지 않는 영역인 비표시 영역의 일부일 수 있다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸거나 액정 표시판 조립체(1)의 가장자리 영역에 위치할 수 있다.
주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)의 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 일부가 연장되어 위치할 수 있다. 또한 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA) 내의 공통 전극에 공통전압을 전달하기 위한 전압선(131)이 위치할 수 있다. 도면에는 전압선(131)이 대략 세로방향으로 연장되고, 게이트 구동부(3000)와 반대측에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 전압선(131)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다.
공통 전압 생성부(7000)는 액정 표시판 조립체(1)의 전압선(131)과 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전압 생성부(7000)는 공통 전압(Vcom)을 생성하여 전압선(131)에 공급할 수 있다. 표시 영역(DA)내의 공통 전극은 전압선(131)과 전기적으로 연결되어 공통 전압(Vcom)을 제공받을 수 있으며, 몇몇 실시예에서 공통 전극은 그 일부가 주변 영역(PA)까지 연장되어 주변 영역(PA)에 위치하는 외측 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 상술한 공통 전압 생성부(7000)는 데이터 구동부(5000) 또는 게이트 구동부(3000)와 일체로 이루어질 수 있다.
신호 제어부(6000)는 데이터 구동부(5000) 및 게이트 구동부(3000) 등의 구동부를 제어할 수 있다.
신호 제어부(6000)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호와 수평 동기 신호, 메인 클록 신호, 데이터 인에이블 신호 등이 있다. 신호 제어부(6000)는 입력 영상 신호와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호를 적절히 처리하여 디지털 영상 신호(DAT)로 변환하고 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한다. 게이트 제어 신호(CONT1)는 주사 시작을 지시하는 주사 시작 신호, 게이트 온 전압(Von)의 출력 주기를 제어하는 적어도 하나의 클록 신호, 적어도 하나의 저전압 등을 포함한다. 데이터 제어 신호(CONT2)는 한 행의 화소(PX)에 대한 디지털 영상 신호(DAT)의 전송 시작을 알리는 수평 동기 시작 신호, 로드 신호 및 데이터 클록 신호 등을 포함한다.
신호 제어부(6000)는 데이터 제어 신호(CONT2), 게이트 제어 신호(CONT1) 및 디지털 영상 신호(DAT) 등을 게이트 구동부(3000) 및 데이터 구동부(5000)에 전달할 수 있다.
데이터 구동부(5000)는 액정 표시판 조립체(1000)의 데이터선(171)과 전기적으로 연결되어 있다. 데이터 구동부(5000)는 신호 제어부(6000)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2) 및 디지털 영상 신호(DAT)를 수신하여 각 디지털 영상 신호(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써 디지털 영상 신호(DAT)를 아날로그 데이터 신호로 변환한 다음, 이를 해당 데이터선(171)에 인가한다. 상기 계조 전압은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지는 것과 음의 값을 가지는 것을 포함할 수 있다.
데이터 구동부(5000)는 복수의 집적 회로 칩의 형태로 액정 표시판 조립체(1000)의 주변 영역(PA)에 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시 장치에 부착되거나, 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 위에 장착될 수도 있다.
게이트 구동부(3000)는 게이트선(121)과 전기적으로 연결되어 있다. 게이트 구동부(3000)는 신호 제어부(6000)로부터의 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von) 및 게이트 오프 전압(Voff)으로 이루어진 게이트 신호를 생성하고, 게이트선(121)에 게이트 신호를 인가한다. 게이트 온 전압(Von)은 표시 영역(DA) 내 박막 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되어 박막 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 전압이고, 게이트 오프 전압(Voff)은 박막 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되어 박막 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 전압이다.
몇몇 실시예에서 게이트 구동부(3000)는 액정 표시판 조립체(1000)의 주변 영역(PA)에 집적될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 한 화소에 대한 예시적인 배치도. 도 3은 도 2에 도시된 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도, 도 4는 도 2에 도시된 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치(1), 보다 구체적으로 표시 장치(1)에 포함된 액정 표시판 조립체는, 어레이 기판(10), 어레이 기판(10)과 대향하는 대향 기판(20) 및 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 위치하는 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
어레이 기판(10)은 액정층(30)의 액정 분자들을 구동하기 위한 스위칭 소자, 예컨대 박막 트랜지스터들이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다.
대향 기판(20)은 어레이 기판(10)에 대향하는 기판일 수 있다.
액정층(30)은 유전율 이방성을 가지는 복수의 액정 분자들을 포함할 수 있다. 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 전계가 인가되면 상기 액정 분자들이 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 특정 방향으로 회전함으로써 광을 투과시키거나 차단할 수 있다. 여기서, 회전이라는 용어는 상기 액정 분자들이 실제로 회전하는 것뿐만 아니라, 상기 전계에 의해 액정 분자들의 배향이 바뀐다는 의미를 포함할 수 있다.
이하 어레이 기판(10)에 대하여 설명한다.
제1베이스 기판(110)은 절연 기판일 수 있으며, 상기 절연 기판은 투명할 수 있다. 예를 들면, 제1베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1베이스 기판(110)은 고내열성을 갖는 고분자 또는 플라스틱을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스 기판(110)은 가요성을 가질 수도 있다. 즉, 제1베이스 기판(110)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1베이스 기판(110) 위에는 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)이 위치할 수 있다. 게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 제1방향(x방향)으로 뻗을 수 있다. 게이트 전극(124)은 게이트선(121)으로부터 돌출되어 게이트선(121)과 연결될 수 있다. 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)은 단일층 구조를 가질 수 있으며, 또는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 감소시키기 위해 저저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 조합의 예로는, 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 형성될 수 있다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(140)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(140)은 단일층 구조로 이루어질 수 있으며, 또는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체층(154)이 위치할 수 있으며, 게이트 전극(124)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 반도체층(154)은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(154) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)가 위치할 수 있다. 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)는 후술할 소스 전극(173)의 하부에 위치하는 소스 저항성 접촉부재(163), 드레인 전극(175) 하부에 위치하는 드레인 저항성 접촉부재(165)를 포함할 수 있다. 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등으로 형성되거나 실리사이드(silicide)로 형성될 수 있다.
소스 저항성 접촉부재(163) 위에는 소스 전극(173)이 위치할 수 있으며, 드레인 저항성 접촉부재(165) 위에는 드레인 전극(175)이 위치하고, 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171)이 위치할 수 있다.
데이터선(171)은 데이터 전압을 전달하며, 주로 가로 방향(x방향)과 교차하는 제2방향(y방향)으로 뻗어 게이트선(121)과 교차할 수 있다. 몇몇 실시예에서 데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차하여 화소영역(PA)을 정의할 수 있다. 화소영역(PA)은 화소(도 1의 PX)가 위치하는 영역으로서, 화소영역(PA)은 후술할 화소전극(191)이 위치하는 제1영역(PA1) 및 제1영역(PA1)과 상이하고 후술할 박막 트랜지스터(Tr)가 위치하는 제2영역(PA2)으로 구분될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 표시 장치(1)의 투과율 향상을 위하여 데이터선(171)은 주기적으로 굴곡되어 있을 수 있다. 예시적으로 데이터선(171)은 도 2에 도시된 바와 같이 표시 장치의 최대 투과율을 얻기 위해서 V자 형상으로 굽어진 형상을 가질 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서 데이터선(171)과 게이트 절연막(140) 사이에는 반도체 패턴(151) 및 데이터 저항성 접촉부재(161)가 더 위치할 수도 있다. 데이터 저항성 접촉부재(161)는 반도체 패턴(151)과 데이터선(171) 사이에 위치할 수 있다. 반도체 패턴(151)은 반도체층(154)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 데이터 저항성 접촉부재(161)는 소스 저항성 접촉부재(163) 및 드레인 저항성 접촉부재(165) 와 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 반도체층(154) 및 반도체 패턴(151)이 산화물 반도체인 경우, 소스 저항성 접촉부재(163), 드레인 저항성 접촉부재(165) 및 데이터 저항성 접촉부재(161)는 생략될 수도 있다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)과 연결될 수 있으며, 게이트 전극(124)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 소스 전극(173)은 도 2에 도시된 바와 같이 데이터선(171)으로부터 돌출되지 않고 실질적으로 데이터선(171)과 동일선 상에 위치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 소스 전극(173)은 데이터선(171)으로부터 게이트 전극(124) 상부로 돌출된 형태로 이루어질 수도 있다.
드레인 전극(175)은 게이트 전극(124) 위에서 소스 전극(173)과 이격 될 수 있으며, 소스 전극(173)과 마주보도록 배치될 수 있다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 대체로 나란하게 뻗는 막대형 부분과 그 반대쪽의 확장부를 포함할 수 있다.
상술한 데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 내화성 금속(refractory metal) 등의 하부막(미도시)과 그 위에 형성된 저저항 상부막(미도시)으로 이루어진 다층 구조를 가질 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 스위칭 소자, 예컨대 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(Tr)를 이룰 수 있다. 박막 트랜지스터(Tr)는 화소영역(PA) 중 제2영역(PA2)에 위치할 수 있다.
게이트 절연막(140), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 제1패시베이션층(180a)이 위치할 수 있다. 제1패시베이션층(180a)은 유기 절연물질을 포함하거나, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 제1패시베이션층(180a)은 박막 트랜지스터(Tr)를 보호하고, 후술할 절연층(180b)에 포함된 물질이 반도체층(154)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
제1패시베이션층(180a) 위에는 절연층(180b)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연층(180b)은 제1패시베이션층(180a)의 상부를 평탄화하는 기능을 가질 수 있다. 절연층(180b)은 유기막일 수 있으며, , 몇몇 실시예에서 절연층(180b)은 감광성 유기절연물질로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 절연층(180b)은 색안료를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 절연층(180b)은 특정 색 파장의 광을 통과시키는 색안료를 포함할 수 있다. 즉, 절연층(180b)은 복수의 색필터 (color filter)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 복수의 색필터 중 어느 하나는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 어느 하나를 표시할 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 절연층(180b)은 색안료를 포함하지 않을 수도 있다. 다른 실시예에서 어레이 기판(10)에 별도의 색필터가 위치하거나, 또는 대향 기판(20) 측에 색필터가 위치할 수도 있다.
절연층(180b) 위에는 제1전극(270)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1전극(270)은 공통 전극(common electrode)일 수 있다. 제1전극(270)은 면형(planar shape)으로서 제1베이스 기판(110) 상에 통판으로 형성될 수 있으며, 일정한 크기의 공통 전압(Vcom)을 전달받을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1전극(270)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 상기 투명 도전성 물질은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등 일 수 있다.
제1전극(270)은 드레인 전극(175)의 일부와 대응하는 영역에 형성된 제1개구부(273)를 가질 수 있다.
제1전극(270) 위에는 광차단 도전층(280)이 위치할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 게이트선(121)이 연장된 제1방향(x방향)을 따라 형성될 수 있다. 광차단 도전층(280)은 화소영역(PA) 중 제2화소영역(PA2)에 위치할 수 있으며, 제1화소영역(PA1)에는 위치하지 않을 수 있다. 광차단 도전층(280)은 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩할 수 있으며, 게이트선(121)과 더 중첩할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 외부로부터 입사되는 광의 투과를 방지하고, 외부에서 박막 트랜지스터(Tr) 또는 게이트선(121)이 시인되는 것을 방지할 수 있다.
광차단 도전층(280)은 드레인 전극(175)의 일부와 대응하는 영역에 형성된 제2개구부(283)를 가질 수 있다. 평면 시점에서 제2개구부(283)는 제1개구부(273)과 중첩할 수 있다.
이하 도 5 및 도 6을 더 참조하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280) 간의 관계에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 5는 도 3의 P부분을 확대 도시한 예시적인 도면, 도 6은 도 3의 P부분을 확대 도시한 다른 예시적인 도면이다.
도 3, 도 5 및 도 6을 참조하면, 몇몇 실시예에서 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선(L1) 상에 위치할 수 있다. 예시적으로, 제1전극(270)의 제1개구부(273)와 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 동일한 식각 마스크를 이용하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280)을 습식 식각함으로써 형성될 수 있다. 따라서 몇몇 실시예에서, 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선(L1) 상에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1전극(270)의 제1개구부(273)와, 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 동일한 식각면을 공유할 수 있다. 여기서 동일한 식각면을 공유한다는 의미는, 두개 이상의 구성이 일괄 식각되어 각 구성의 식각된 면이 서로 연결되어 있음을 의미한다.
또는, 도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 몇몇 실시예에서 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선 상에 위치하지 않을 수도 있다. 예시적으로, 제2개구부 내측면(283a)은 제1개구부 내측면(273a)보다 상대적으로 컨택홀(185)에서 멀리 떨어져 위치할 수 있다. 제1개구부 내측면(273a)과 제2개구부 내측면(283a)간의 최소 이격거리(D1)는 0㎛ 초과 0.3㎛ 이하일 수 있다. 제1전극(270)의 제1개구부(273)와 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 동일한 식각 마스크를 이용하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280)을 식각함으로써 형성될 수 있다. 상기 동일한 식각 마스크를 이용하여 광차단 도전층(280) 및 제1전극(270)을 습식 식각하는 경우 광차단 도전층(280)이 먼저 식각되어 제2개구부(283)가 형성되며, 이후 제1전극(270)이 식각되어 제1개구부(273)가 형성된다. 따라서 제2개구부(283)는 제1개구부(273)보다 상대적으로 많은 시간동안 식각액에 노출되는 바, 제2개구부(283)의 내측면은 제1개구부(273) 형성 과정에서 일부 더 에칭될 수 있다. 따라서 최종적으로 제1개구부 내측면(273a)이 제2개구부 내측면(283a) 보다 상대적으로 컨택홀(185)에 더 가깝게 위치할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 광차단 특성을 갖는 도전체, 예컨대 불투명 금속으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 상기 불투명 금속은 알루미늄(Al) 계열 금속, 몰리브덴(Mo) 계열의 금속, 티타늄(Ti) 계열의 금속, 은(Ag) 계열 금속, 구리(Cu) 계열 금속과 같은 저저항 금속일 수 있다. 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)의 두께는 광차단 특성을 확보하기 위해 500Å 내지 1000Å일 수 있다.
또는, 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 광차단 특성을 갖는 불투명 금속과 투명 도전성 물질의 농도구배를 갖는 농도구배층으로 이루어질 수도 있다. 예시적으로, 상기 불투명 금속은 상술한 바와 같이 알루미늄(Al) 계열 금속, 몰리브덴(Mo) 계열의 금속, 티타늄(Ti) 계열의 금속, 은(Ag) 계열 금속, 구리(Cu) 계열 금속과 같은 저저항 금속일 수 있다. 또한 상기 투명 도전성 물질은 ITO, IZO, ZnO, IO, TO, ITZO, AZO 등과 같은 물질일 수 있다. 상기 농도구배층은, 상기 불투명 금속과 상기 투명 도전성 물질의 농도가 연속적으로 변화하여 굴절율이 연속적으로 변화될 수 있다. 그리고 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 광학밀도(optical density)가 4이상으로 형성되어 외부에서 입사되는 광을 흡수하고 반사시키지 않을 수 있다. 광차단 도전층(280)은 층의 깊이 또는 두께 방향을 따라 상기 불투명 금속과 상기 투명 도전성 물질의 함량이 연속적으로 변화할 수 있다. 여기서 상기 두께 방향이란, 광차단 도전층(280)의 표면과 수직을 이루는 방향을 의미한다.
이하 도 7 및 도 8을 더 참조하여 상기 농도구배층으로 이루어진 광차단 도전층(280)의 예시적인 실시예를 설명한다.
도 7은 도 3의 광차단 도전층의 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면, 도 8은 도 3의 광차단 도전층의 다른 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면이다.
도 2, 도 3 및 도 7을 참조하면, 광차단 도전층(280)은 대향 기판(20)과 더 인접할수록 상기 투명 도전성 물질의 함량이 상대적으로 증가하고, 제1베이스 기판(110)과 더 인접할수록 상기 불투명 금속의 함량이 상대적으로 증가할 수 있다.
또는, 도 2, 도 3 및 도 8을 참조하면, 광차단 도전층(280)은 층의 중앙부분으로 갈수록 상기 불투명 금속의 함량이 상대적으로 높고, 상기 중앙부분으로부터 광차단 도전층(280)의 표면으로 갈수록 상기 투명 도전성 물질의 함량이 증가할 수도 있다.
아울러, 도면에는 미도시하였으나, 이외에도 광차단 도전층(280) 내의 상기 불투명 금속과 상기 투명 도전성 물질 간의 농도구배는 다양하게 변경될 수도 있다.
또는, 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 다층구조로 이루어질 수도 있다.
이하 도 9를 더 참조하여 상기 다층구조로 이루어진 광차단 도전층(280)의 예시적인 실시예를 설명한다.
도 9는 도 3의 광차단 도전층의 또 다른 예시적인 실시예를 설명하기 위하여 도 3의 Q부분을 확대 도시한 도면이다.
도 2, 도 3 및 도 9를 참조하면, 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 광차단 금속층(280a) 및 저반사층(280b)을 포함할 수도 있다.
광차단 금속층(280a)은 제1전극(270) 상에 위치하고, 제1전극(270)과 접촉할 수 있다. 광차단 금속층(280a)은 광차단 특성을 갖는 도전체, 예컨대 불투명 금속으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 상기 불투명 금속은 알루미늄(Al) 계열 금속, 몰리브덴(Mo) 계열의 금속, 티타늄(Ti) 계열의 금속, 은(Ag) 계열 금속, 구리(Cu) 계열 금속과 같은 저저항 금속일 수 있다. 몇몇 실시예에서 광차단 특성을 확보하기 위해 광차단 금속층(280a)의 두께는 500Å 내지 1000 Å일 수 있다.
광차단 금속층(280a) 상에는 저반사층(280b)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 저반사층(280b)은 광차단 금속층(280a) 과 직접 접촉할 수 있으며, 광차단 금속층(280a)과 제2패시베이션층(180c) 사이에 위치할 수 있다. 저반사층(280b)은 광차단 금속층(280a)에 의해 광이 반사되는 것을 방지할 수 있으며, 광차단 도전층(280) 전체의 광반사율을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 어레이 기판(10)에서 발생할 수 있는 광반사에 의한 명암비 저하를 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 저반사층(280b)은 도전물질을 포함할 수 있으며, 상기 도전물질은 투명도전물질일 수 있다. 예시적으로 상기 투명도전물질은 IZO, ZnO, GZO, ZIO 및 ZAO 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 몇몇 실시예에서 저반사 도전층(383)의 두께는 400Å 내지 1000Å일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 저반사층(280b)은 질화구리(CuNx), 몰리브덴 산화물(MoX) 또는 몰리티타늄 등의 저반사 금속그룹 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
한편, 도 9에는 광차단 도전층(280)이 이중층으로 이루어진 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 삼중층 이상의 적층구조로 이루어질 수도 있다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 광차단 도전층(280)은 제1전극(270) 바로 위에 위치하여 제1전극(270)과 직접 접촉할 수 있다. 즉, 광차단 도전층(280)은 제1전극(270)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다. 제1전극(270)이 ITO, IZO 등의 투명도전물질로 이루어지는 경우, 투명도전물질 자체의 저항으로 인해 큰 수준의 RC 딜레이가 발생할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 제1전극(270)과 직접 접촉하게 되는 바, 제1전극(270)의 저항을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 RC 딜레이를 감소시킬 수 있다.
제1전극(270) 및 광차단 도전층(280)위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있다. 제2패시베이션층(180c)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 제2패시베이션층(180c)은 절연층(180b)이 들뜨는 것을 방지하고, 절연층(180b)으로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의해 액정층(30)이 오염되는 것을 보다 억제할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(1) 구동 시 발생할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지할 수 있다.
제1패시베이션층(180a), 절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 컨택홀(185)이 형성될 수 있다. 컨택홀(185)은 도면에 도시된 바와 같이 제1전극(270)의 제1개구부(273) 및 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283) 내측에 위치할 수 있다. 즉, 제1전극(270)의 개구부(273) 및 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 컨택홀(185)을 둘러쌀 수 있다.
제2패시베이션층(180c) 위에는 제2전극(191)이 위치할 수 있으며, 제2전극(191)은 화소영역(PA) 중 제1영역(PA1)에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2전극(191)은 화소전극(pixel electrode)일 수 있다. 제2전극(191)은 적어도 일부가 제1전극(270)과 중첩할 수 있다. 제2전극(191)은 제1전극(270)과 중첩하는 복수의 가지 전극(192)을 포함할 수 있으며, 이웃하는 가지 전극(192) 사이에는 슬릿(92)이 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2전극(191)의 가지 전극(192)은 데이터선(171)과 실질적으로 나란하게 뻗을 수 있다. 예시적으로, 데이터선(171)에 굴곡이 형성된 경우, 가지 전극(192)은 굴곡변(curved edge)을 포함할 수 있다.
제2전극(191)의 일부분은 제2영역(PA2)으로 연장되어 컨택홀(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 따라 제2전극(191)은 드레인 전극(175)으로부터 전압을 인가 받을 수 있다.
제2전극(191)은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등의 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
도면에는 미도시하였으나, 제2전극(191)과 제2패시베이션층(180c) 위에는 배향막(alignment layer)이 위치할 수 있다. 상기 배향막은 수평 배향막일 수 있으며, 러빙 방향은 일정할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 배향막은 광반응 물질을 포함하여, 광배향될 수도 있다.
이하 대향 기판(20)에 대해 설명한다.
대향 기판(20)은 제2베이스 기판(210), 차광부재(221)를 포함할 수 있으며, 보조차광부재(223)을 더 포함할 수도 있다.
제2베이스 기판(210)은 제1베이스 기판(110)과 유사하게 투명 절연 기판일 수 있다. 또한, 제2베이스 기판(210)은 고내열성을 갖는 고분자 또는 플라스틱을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 기판(210)은 가요성을 가질 수도 있다.
제1베이스 기판(110)을 향하는 제2베이스 기판(210)의 일면에는 차광부재(221)가 위치할 수 있다. 차광부재(221)는 컨택홀(185)과 중첩할 수 있으며, 이에 따라 컨택홀(185) 주변에서의 빛샘을 막을 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광부재(221)는 섬 모양의 패턴, 즉 아일랜드(ispand) 패턴으로 형성될 수 있다. 차광부재(221)는 컨택홀(185) 주변 중 광차단 도전층(280)에 의해 가려지지 않는 부분과도 중첩할 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 차광부재(221)는 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)를 완전히 가릴 수 있다. 보다 구체적인 내용은 후술한다.
차광부재(221)는 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료 또는 크롬(Cr) 등의 불투명 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1베이스 기판(110)을 향하는 제2베이스 기판(210)의 일면에는 보조차광부재(223)가 더 위치할 수 있다. 보조차광부재(223)는 데이터선(171)이 뻗어있는 방향을 따라 형성되어 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 평면 시점에서 보조차광부재(223)는 데이터선(171)을 완전히 가릴 수 있다. 보조차광부재(223)는 차광부재(221)와 유사하게 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료 또는 크롬(Cr) 등의 불투명 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 보조차광부재(223)는 차광부재(221)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
간격재(CS)는 서로 마주하는 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이의 간격을 유지하는 역할을 한다. 간격재(CS)는 어레이 기판(10)을 바라 보는 대향 기판(20)의 일면 상에 위치할 수 있으며, 어레이 기판(10)을 향해 돌출될 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 감광성을 가질 수도 있다.
몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 차광성 안료를 포함할 수도 있으며, 차광부재(221)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 간격재(CS)와 차광부재(221)는 하나의 광마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다. 이 경우 상기 광 마스크는 빛이 투과하는 투광 영역, 빛이 차단되는 불투광 영역, 그리고 빛이 일부만 투과되는 하프톤 영역을 포함할 수 있으며, 하프톤 영역은 차광부재(221)에 대응할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 간격재(CS)는 투명 절연물질로 이루어질 수도 있다.
개구율 향상을 위해 간격재(CS)는 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하도록 배치될 수 있다.
도면에는 미도시하였으나, 제2베이스 기판(210)의 일면, 간격재(CS) 및 차광부재(221) 위에는 배향막(alignment layer)이 위치할 수 있다. 상기 배향막은 수평 배향막일 수 있으며, 러빙 방향은 일정할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 배향막은 광반응 물질을 포함하여, 광배향될 수도 있다.
도 10은 도 2에 도시된 표시 장치의 일부분을 확대 도시한 도면으로서, 보다 구체적으로 도 2의 컨택홀 주변부에서 광차단 도전층과 차광부재 간의 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 10을 참조하면, 광차단 도전층(280)은 도 10에 도시된 바와 같이 평면 시점에서 게이트선(121)을 제1방향(x방향) 및 제2방향(y방향)을 따라 완전히 가릴 수 있다.
광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 컨택홀(185) 주변을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 컨택홀(185)은 제2개구부(283) 내에 위치할 수 있다.
평면 시점에서 바라볼 때, 차광부재(221)는 컨택홀(185) 및 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)와 중첩할 수 있으며, 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)를 완전히 가릴 수 있다. 예컨대, 평면 시점에서 제2개구부(283)의 제1방향(x방향) 최대폭(Wx1)은 차광부재(221)의 제1방향(x방향) 최대폭(Wx2)보다 작거나 같을 수 있으며, 제2개구부(283)의 제2방향(y방향) 최대폭(Wy1)은 차광부재(221)의 제2방향(y방향) 최대폭(Wy2)보다 작거나 같을 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 차광부재(221)의 가장자리는 제2개구부(283)의 내측 가장자리보다 바깥쪽에 위치할 수 있다. 이에 따라 차광부재(221)는 컨택홀(185) 주변에서의 빛샘뿐만 아니라 제2개구부(283) 주변에서의 빛샘도 막을 수 있다.
도 11은 도 3 및 도 4에 도시된 표시 장치에서, 복수의 화소 영역에 대하여 데이터선, 게이트선, 광차단 도전층, 보조차광부재 간의 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다. 설명의 편의를 위해 광차단 도전층에 형성된 제2개구부는 미도시하였다.
도 11을 참조하면, 평면 시점에서 광차단 도전층(280)은 게이트선(121)과 마찬가지로 제1방향(x방향)을 따라 연장되어 게이트선(121)과 중첩할 수 있으며, 게이트선(121)을 가릴 수 있다.
보조차광부재(223)는 평면 시점에서 데이터선(171)과 마찬가지로 제2방향(y방향)을 따라 연장되어 데이터선(171)과 중첩할 수 있으며, 데이터선(171)을 가릴 수 있다.
제2방향(y방향)을 따라 서로 인접한 보조차광부재(223)는 광차단 도전층(280)을 사이에 두고 서로 이격될 수 있다. 예컨대, 보조차광부재(223)는 게이트선(121)과는 중첩하지 않을 수 있다. 또한 보조차광부재(223)는 게이트선(121)을 가리는 광차단 도전층(280)과 중첩하지 않거나 일부분만이 중첩할 수 있다.
다만, 광차단 도전층(280)과 보조차광부재(223)간의 배치관계는 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 다양하게 변경될 수 있다.
도 12는 도 11의 변형 실시예를 도시한 평면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 광차단 도전층(280)은 도 11의 설명에서 상술한 바와 같이 제1방향(x방향)을 따라 연장되어 게이트선(121)을 가릴 수 있으며, 보조차광부재(223)는, 도 11에 도시된 바와 달리 제2방향(y방향)을 따라 연속할 수 있으며, 게이트선(121) 및 광차단 도전층(280)과 부분적으로 중첩할 수 있다.
도 13은 도 11의 다른 변형 실시예를 도시한 평면도이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 보조차광부재(223)는, 도 12에 도시된 바와 같이 제2방향(y방향)을 따라 연속할 수 있으며, 게이트선(121)과 부분적으로 중첩할 수 있다.
도 11의 설명에서 상술한 바와는 달리, 제1방향(x방향)을 따라 서로 인접한 광차단 도전층(280)은 데이터선(171) 및 보조차광부재(223)를 사이에 두고 서로 이격될 수 있다. 예컨대, 평면 시점에서 광차단 도전층(280)은 데이터선(171)과는 중첩하지 않을 수 있다. 또한 평면 시점에서 광차단 도전층(280)은 데이터선(171)을 가리는 보조차광부재(223)과 중첩하지 않거나 일부분만이 중첩할 수 있다.
이외에도 광차단 도전층(280)과 보조차광부재(223)간의 배치관계는 다양하게 변경될 수 있다.
이제 앞에서 설명한 여러 도면들과 함께 도 14 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 한 예시적 실시예에 따른 표시 장치(1)의 주변 영역(PA)의 구체적인 구조에 대해 설명하며, 특히 어레이 기판(10)을 중심으로 설명한다. 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 동일한 설명은 생략하며 차이점을 중심으로 설명한다.
도 14 내지 도 17은 각각 도 2 내지 도 4에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 예시적인 단면도이다.
먼저 도 1 및 도 14를 참조하면, 주변영역(PA) 내 제1베이스 기판(110) 위에는 전압선(131)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 전압선(131)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 게이트선(121)과 동일한 층에 위치하며 게이트선(121)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 전압선(131)은 데이터선(171)과 동일한 층에 위치하며 데이터선(171)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이하에서는 전압선(131)이 게이트선(121)과 동일한 층에 위치하는 경우를 예시로 설명한다.
전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140) 및 제1패시베이션층(180a) 및 절연층(180b)이 차례대로 위치할 수 있다. 절연층(180b) 위에는 제1전극(270)이 위치할 수 있으며, 제1전극(270) 위에는 광차단 도전층(280)이 위치할 수 있다. 그리고 광차단 도전층(280) 위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 주변영역(PA) 내에서 절연층(180b)은 생략될 수도 있다.
게이트 절연막(140), 제1패시베이션층(180a) 절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 드러내는 외부 컨택홀(187)을 포함할 수 있다.
제1전극(270)과 전압선(131)은 연결전극(591)을 매개로 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1전극(270)은 전압선(131)으로부터 공통 전압(Vcom)을 제공받을 수 있다. 예시적으로, 제2패시베이션층(180c)은 광차단 도전층(280)의 일부를 드러내는 보조 컨택홀(189)을 더 포함할 수 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c) 상에는 연결전극(591)이 위치할 수 있으며, 연결전극(591)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결되고, 보조 컨택홀(189)을 통해 광차단 도전층(280)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다. 즉, 광차단 도전층(280)은 연결전극(591)과 직접 접촉할 수 있으며, 연결전극(591)은 전압선(131)과 직접 접촉할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 제1전극(270)과 접촉하는 바, 결과적으로 전압선(131)에 공급되는 공통 전압(Vcom)은 연결전극(591) 및 광차단 도전층(280)을 경유하여 제1전극(270)에 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에서 연결전극(591)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 제2전극(191)과 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
다만, 제1전극(270)과 전압선(131)이 전기적으로 연결되는 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경될 수 있다.
도 1 및 도 15를 참조하면, 도 14에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 제1전극(270) 상에는 광차단 도전층(280)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c)의 보조 컨택홀(189)은 제1전극(270)의 일부를 드러낼 수 있으며, 연결전극(591)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결되고, 보조 컨택홀(189)을 통해 제1전극(270)과 전기적, 물리적으로 연결될 수도 있다. 즉, 제1전극(270)은 연결저극(591)과 직접 접촉할 수 있다.
또는, 도 1 및 도 16을 참조하면, 도 14에 도시된 바와는 달리 연결전극(591)이 구비되지 않을 수도 있다. 예컨대 제2패시베이션층(180c)은 별도의 보조 컨택홀(도 14의 189)을 포함하지 않을 수도 있으며, 제1전극(270)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다. 즉, 제1전극(270)은 전압선(131)과 직접 접촉할 수 있다.
또는, 도 1 및 도 17을 참조하면, 도 16에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 제1전극(270)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 광차단 도전층(280)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다. 즉, 광차단 도전층(280)은 전압선(131)과 직접 접촉할 수 있다. 전압선(131)에 공급되는 공통 전압(Vcom)은 광차단 도전층(280)을 경유하여 광차단 도전층(280)과 접촉하는 제1전극(270)에 제공될 수도 있다.
상술한 본 발명의 표시 장치(1)는, 제1전극(270)과 접촉하는 광차단 도전층(280)을 배치함에 따라, 제1전극(270)의 저항을 감소시킬 수 있는 이점을 갖는다. 또한 광차단 도전층(280)을 이용하여 광을 차단함에 따라 차광부재가 배치되는 영역을 감소시킬 수 있는 이점, 이에 따라 표시 장치(1)의 개구율 및 투과율이 향상되는 이점을 갖는다. 아울러, 어레이 기판(10)측에 위치하는 광차단 도전층(280)을 이용하여 광을 차단함에 따라, 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)간의 오정렬에 따른 빛샘 발생 가능성을 낮출 수 있는 이점도 추가적으로 구현된다.
이하에서는 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 또한, 중복되는 설명은 생략하며 차이점을 중심으로 설명한다.
도 18은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예, 도 19는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1a)는 어레이 기판(10a), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10a)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1a)는 차광부재(321) 및 보조차광부재(323)가 어레이 기판(10a)에 위치하며 대향 기판(20a)측에 위치하지 않는 점에서, 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 표시장치(도 2 및 도 3의 1)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 14 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
차광부재(321)는 컨택홀(185)에 대응하는 곳에 위치하여 컨택홀(185)을 덮을 수 있으며, 컨택홀(185) 주변의 빛샘을 방지할 수 있다. 아울러, 차광부재(321)는 도 10의 설명에서 상술한 차광부재(도 10의 221)의 경우와 마찬가지로 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)를 덮을 수 있으며, 제2개구부(283) 주변의 빛샘을 방지할 수 있다. 차광부재(321)는 컨택홀(185) 부근의 큰 단차를 메워 표면을 평탄하게 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광부재(321)는 섬 모양의 패턴, 즉 아일랜드(ispand) 패턴으로 형성될 수 있다. 차광부재(321)는 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료 또는 크롬(Cr) 등의 불투명 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
보조차광부재(323)는 어레이 기판(10a) 측에 위치할 수 있으며, 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 보조차광부재(323)는 차광부재(321)와 유사하게 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료 또는 크롬(Cr) 등의 불투명 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 보조차광부재(323)는 차광부재(321)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다. 이외 보조차광부재(323)와 광차단 도전층(280)간의 배치관계는 도 11 내지 도 13의 설명에서 상술한 보조차광부재(도 11 내지 도 13의 223)와 광차단 도전층(280) 간의 배치관계와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
간격재(CS1)는 제2패시베이션층(180c) 상에 위치할 수 있으며, 대향 기판(20a)을 향해 돌출될 수 있다. 간격재(CS1)는 어레이 기판(10a)과 대향 기판(20a) 사이의 간격을 유지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 간격재(CS1)는 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 감광성을 가질 수도 있다. 또한 몇몇 실시예에서 간격재(CS1)는 차광성 안료를 포함할 수도 있으며, 차광부재(321)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 간격재(CS1)와 차광부재(321)는 하나의 광마스크(하프톤 마스크 등)를 이용하여 동시에 형성될 수도 있다. 아울러, 보조차광부재(323)가 차광부재(321)와 동일한 물질로 이루어지는 경우, 간격재(CS1)와 차광부재(321) 및 보조차광부재(323)는 하나의 광마스크를 이용하여 동시에 형성될 수도 있다.
개구율 향상을 위해 간격재(CS1)는 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하도록 배치될 수 있다.
대향 기판(20a)은 제2베이스 기판(210)을 포함할 수 있다.
도 20은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 21은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다. 도 20 및 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1b)는 어레이 기판(10b), 대향 기판(20b) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10b)과 대향 기판(20b) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1b)는 보조차광부재(423)가 어레이 기판(10b)에 위치하고, 보조차광부재(221)는 대향 기판(20b)측에 위치하는 점에서, 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 표시장치(도 2 및 도 3의 1)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계는 도 14 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
보조차광부재(423)는 어레이 기판(10b) 측에 위치할 수 있으며, 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 보조차광부재(423)는 제1전극(270)과 제2패시베이션층(180c) 사이에 위치할 수 있으며, 보조차광부재(423)는 광차단 특성을 갖는 도전체, 예컨대 불투명 금속을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 보조차광부재(423)는 광차단 도전층(280)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서, 보조차광부재(423)는 광차단 도전층(280)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 광차단 도전층(280)이 단일층 구조로 이루어지는 경우, 보조차광부재(423) 또한 단일층 구조로 이루어질 수 있으며, 광차단 도전층(280)이 다층구조로 이루어지는 경우, 보조차광부재(423) 또한 다층구조로 이루어질 수 있다. 아울러, 광차단 도전층(280)이 농도구배를 갖는 경우, 보조차광부재(423) 또한 농도구배를 가질 수 있다. 즉, 보조차광부재(423)는 광차단 도전층(280)과 동일한 층에 위치하고 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
대향 기판(20b)은 제2베이스 기판(210) 및 차광부재(221)를 포함할 수 있다.
간격재(CS)는 어레이 기판(10b)을 바라 보는 대향 기판(20b)의 일면 상에 위치할 수 있으며, 어레이 기판(10b)을 향해 돌출될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 도 18에 도시된 간격재(도 18의 CS1)도 본 실시예에 적용될 수 있다.
이하 도 22를 더 참조하여 보조차광부재(423)와 광차단 도전층(280)에 대하여 설명한다. 도 22는 도 20 및 도 21에 도시된 표시 장치에서, 복수의 화소 영역에 대하여 데이터선, 게이트선, 광차단 도전층, 보조차광부재 간의 또 다른 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 20 내지 도 22를 참조하면, 도 20 및 도 21에 도시된 표시 장치(1b)에서, 보조차광부재(423)와 광차단 도전층(280)은 서로 물리적으로 연결될 수 있다.
즉, 본 실시예에서 광차단 도전층(280)과 보조차광부재(423)는 일체로 이루어질 수 있으며, 평면 시점에서 바라볼 때, 게이트선(121)을 가리는 광차단 도전층(280)과 데이터선(171)을 가리는 보조차광부재(423)는 일체로 이루어져 메쉬(mesh) 구조물을 형성할 수 있다.
도 23은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 24는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 23 및 도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1c)는 어레이 기판(10c), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10c)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1c)는 차광부재(321) 및 보조차광부재(423)가 어레이 기판(10c)에 위치하고, 대향 기판(20a)측에 위치하지 않는 점에서, 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 표시장치(도 2 내지 도 4의 1)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계는 도 14 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
또한, 차광부재(321)에 대한 설명은 도 18 및 도 19의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하며, 보조차광부재(423)에 대한 설명은 도 20 내지 도 22의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
대향 기판(20a)은 제2베이스 기판(210)을 포함할 수 있다.
간격재(CS1)는 제2패시베이션층(180c) 상에 위치할 수 있으며, 대향 기판(20a)을 향해 돌출될 수 있다.
도 25는 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 26은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1d)는 어레이 기판(10d), 대향 기판(20) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10d)과 대향 기판(20)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1d)는, 광차단 도전층(280)이 제1전극(270)의 아래에 위치하는 점에서 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 표시장치(도 2 내지 도 4의 1)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
광차단 도전층(280)은 제1전극(270)의 아래에 위치할 수 있으며, 제1전극(270)과 절연층(180b) 사이에 위치할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 제1전극(270)과 직접 접촉할 수 있다.
이하 도 27 및 도 28을 더 참조하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280) 간의 관계에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 27은 도 25의 R부분을 확대 도시한 예시적인 도면, 도 28은 도 25의 R부분을 확대 도시한 다른 예시적인 도면이다.
도 25 내지 도 27을 참조하면, 몇몇 실시예에서 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선(L2) 상에 위치할 수 있다. 예시적으로, 제1전극(270)의 제1개구부(273)와 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 동일한 식각 마스크를 이용하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280)을 습식 식각함으로써 형성될 수 있다. 따라서 몇몇 실시예에서, 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선(L2) 상에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 동일한 식각면을 공유할 수 있다.
또는, 도 25, 도 26 및 도 28을 참조하면, 몇몇 실시예에서 제1전극(270)의 제1개구부 내측면(273a)과, 광차단 도전층(280)의 제2개구부 내측면(283a)은 실질적으로 동일 직선 상에 위치하지 않을 수도 있다. 예시적으로, 제1개구부 내측면(273a)은 제2개구부 내측면(283a)보다 상대적으로 컨택홀(185)에서 멀리 떨어져 위치할 수 있다. 제1개구부 내측면(273a)과 제2개구부 내측면(283a)간의 이격거리(D2)는 0㎛ 초과 0.3㎛ 이하일 수 있다. 제1전극(270)의 제1개구부(273)와 광차단 도전층(280)의 제2개구부(283)는 동일한 식각 마스크를 이용하여 제1전극(270)과 광차단 도전층(280)을 식각함으로써 형성될 수 있다. 상기 동일한 식각 마스크를 이용하여 광차단 도전층(280) 및 제1전극(270)을 습식 식각하는 경우 제1전극(270)이 먼저 식각되어 제1개구부(273)가 형성되며, 이후 광차단 도전층(280)이 식각되어 제2개구부(283)가 형성된다. 따라서 제1개구부(273)는 제2개구부(283)보다 상대적으로 많은 시간동안 식각액에 노출되는 바, 제1개구부(273)의 내측면은 제2개구부(283) 형성 과정에서 일부 더 에칭될 수 있다. 따라서 최종적으로 제2개구부 내측면(283a)이 제1개구부 내측면(273a) 보다 상대적으로 컨택홀(185)에 더 위치할 수 있다.
이제 앞에서 설명한 도 25 내지 도 27과 함께 도 29 내지 도 32를 참조하여 본 발명의 한 예시적 실시예에 따른 표시 장치(1d)의 주변 영역(PA)의 구체적인 구조에 대해 설명하며, 특히 어레이 기판(10d)을 중심으로 설명한다.
도 29 내지 도 32는 각각 도 25 및 도 26에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 예시적인 단면도이다.
먼저 도 1 및 도 29를 참조하면, 주변영역(PA) 내 제1베이스 기판(110) 위에는 전압선(131)이 위치할 수 있다.
전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140) 및 제1패시베이션층(180a) 및 절연층(180b)이 차례대로 위치할 수 있다. 절연층(180b) 위에는 광차단 도전층(280)이 위치할 수 있으며, 광차단 도전층(280) 위에는 제1전극(270)이 위치할 수 있다. 그리고 제1전극(270) 위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 주변영역(PA) 내에서 절연층(180b)은 일부 또는 전부가 생략될 수도 있다.
게이트 절연막(140), 제1패시베이션층(180a) 절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 드러내는 외부 컨택홀(187)을 포함할 수 있다.
제1전극(270)과 전압선(131)은 연결전극(591)을 매개로 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1전극(270)은 전압선(131)으로부터 공통 전압(Vcom)을 제공받을 수 있다. 예시적으로, 제2패시베이션층(180c)은 제1전극(270)의 일부를 드러내는 보조 컨택홀(189)을 더 포함할 수 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c) 상에는 연결전극(591)이 위치할 수 있으며, 연결전극(591)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결되고, 보조 컨택홀(189)을 통해 제1전극(270)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 연결전극(591)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 제2전극(191)과 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또는 도 1 및 도 30을 참조하면, 도 29에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 광차단 도전층(280) 상에는 제1전극(270)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c)의 보조 컨택홀(189)은 광차단 도전층(280)의 일부를 드러낼 수 있으며, 연결전극(591)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결되고, 보조 컨택홀(189)을 통해 광차단 도전층(280)과 전기적, 물리적으로 연결될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 31을 참조하면, 도 29에 도시된 바와는 달리 연결전극(591)이 구비되지 않을 수도 있다. 예컨대 제2패시베이션층(180c)은 별도의 보조 컨택홀(도 29의 189)을 포함하지 않을 수도 있으며, 광차단 도전층(280)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다. 그리고 전압선(131)에 공급되는 공통 전압(Vcom)은 광차단 도전층(280)을 경유하여 광차단 도전층(280)과 접촉하는 제1전극(270)에 제공될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 32를 참조하면, 도 29에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 광차단 도전층(280)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 제1전극(270)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 33은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 34는 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 33 및 도 34를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1e)는 어레이 기판(10e), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10a)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1e)는 차광부재(321) 및 보조차광부재(323)가 어레이 기판(10e)에 위치하며 대향 기판(20a)측에 위치하지 않는 점에서, 도 25 내지 도 27의 설명에서 상술한 표시장치(도 25 및 도 26의 1d)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 29 내지 도 32의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있으며, 차광부재(321) 및 보조차광부재(323)에 대한 설명은 도 18 및 도 19의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
따라서 앞에서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 35는 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 36은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 35 및 도 36을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1f)는 어레이 기판(10f), 대향 기판(20b) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10f)과 대향 기판(20b) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1f)는 차광부재(221)는 대향 기판(20b) 측에 위치하되, 보조차광부재(423)가 어레이 기판(10f)에 위치하는 점에서, 도 25 내지 도 27의 설명에서 상술한 표시장치(도 25 및 도 26의 1d)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 29 내지 도 32의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
보조차광부재(423)는 어레이 기판(10f) 측에 위치할 수 있으며, 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 보조차광부재(423)는 절연층(180b)과 제1전극(270) 사이에 위치할 수 있으며, 보조차광부재(423)는 광차단 특성을 갖는 도전체, 예컨대 불투명 금속을 포함할 수 있다. 또한, 보조차광부재(423)는 광차단 도전층(280)과 동일한 층에 위치하고 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이외 보조차광부재(423)에 대한 설명은 도 20 내지 도 22의 설명에서 상술한 바와 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 37은 도 2의 표시 장치를 도 2의 X-X'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 38은 도 2의 표시 장치를 도 2의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 37 및 도 38을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1g)는 어레이 기판(10g), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10g)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1g)는 차광부재(321)와 보조차광부재(423)가 모두 어레이 기판(10g)측에 위치하는 점에서, 도 25 내지 도 27의 설명에서 상술한 표시장치(도 25 및 도 26의 1d)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제1전극(270)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 29 내지 도 32의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 이외 차광부재(321)에 대한 설명은 도 18 및 도 19의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사하며, 보조차광부재(423)에 대한 설명은 도 35 및 도 36의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 39는 도 1에 도시된 표시 장치의 한 화소에 대한 다른 예시적인 배치도, 도 40은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 44의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도, 도 41은 도 39에 도시된 표시 장치를 도 44의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 39 내지 도 41를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 표시 장치(1h)는, 어레이 기판(10h), 어레이 기판(10h)과 대향하는 대향 기판(20c) 및 어레이 기판(10h)과 대향 기판(20c) 사이에 위치하는 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10h)과 대향 기판(20c) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.. 이하에서는 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 중복되는 내용은 간략히 설명 하거나 생략한다.
어레이 기판(10h)은 액정층(30)의 액정 분자들을 구동하기 위한 스위칭 소자, 예컨대 박막 트랜지스터들이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다.
대향 기판(20c)은 어레이 기판(10h)에 대향하는 기판일 수 있다.
액정층(30)은 유전율 이방성을 가지는 복수의 액정 분자들을 포함할 수 있다.
이하 어레이 기판(10h)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 제1베이스 기판(110) 위에는 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)이 위치할 수 있다. 게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 제1방향(x방향)으로 뻗을 수 있다. 게이트 전극(124)은 게이트선(121)으로부터 돌출되어 게이트선(121)과 연결될 수 있다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체층(154)이 위치할 수 있으며, 게이트 전극(124)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.
반도체층(154) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)가 위치할 수 있다. 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)는 소스 전극(173)의 하부에 위치하는 소스 저항성 접촉부재(163), 드레인 전극(175) 하부에 위치하는 드레인 저항성 접촉부재(165)를 포함할 수 있다.
소스 저항성 접촉부재(163), 드레인 저항성 접촉부재(165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)이 위치할 수 있다.
데이터선(171)은 데이터 전압을 전달하며, 주로 상기 제1방향과 교차하는 제2방향(예시적으로 세로 방향)으로 뻗어 게이트선(121)과 교차할 수 있다. 몇몇 실시예에서 데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차하여 화소영역(PA)을 정의할 수 있다. 화소영역(PA)은 화소전극(191)이 위치하는 제1영역(PA1) 및 제1영역(PA1)과 상이하고 박막 트랜지스터(Tr)가 위치하는 제2영역(PA2)으로 구분될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 데이터선(171)은 표시 장치(1h)의 투과율 향상을 위하여 도 38에 도시된 바와 같이 주기적으로 굴곡되어 있을 수 있다.
한편, 몇몇 실시예에서 데이터선(171)과 게이트 절연막(140) 사이에는 반도체 패턴(151) 및 데이터 저항성 접촉부재(161)가 더 위치할 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 반도체층(154) 및 반도체 패턴(151)이 산화물 반도체인 경우, 소스 저항성 접촉부재(163), 드레인 저항성 접촉부재(165) 및 데이터 저항성 접촉부재(161)는 생략될 수도 있다.
소스 전극(173)은 데이터선(171)과 연결될 수 있으며, 게이트 전극(124)과 중첩할 수 있다.
드레인 전극(175)은 게이트 전극(124) 위에서 소스 전극(173)과 이격 될 수 있으며, 소스 전극(173)과 마주보도록 배치될 수 있다. 드레인 전극(175)은 소스 전극(173)과 대체로 나란하게 뻗는 막대형 부분과 그 반대쪽의 확장부를 포함할 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 하나의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(Tr)를 이룰 수 있다. 박막 트랜지스터(Tr)는 화소영역(PA) 중 제2영역(PA2)에 위치할 수 있다.
게이트 절연막(140), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 제1패시베이션층(180a)이 위치할 수 있다.
제1패시베이션층(180a) 위에는 절연막(180b)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(180b)은 제1패시베이션층(180a)의 상부를 평탄화하는 기능을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서 절연층(180b)은 색안료를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 절연층(180b)은 특정 색 파장의 광을 통과시키는 색안료를 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 어레이 기판(10h)에 별도의 색필터가 위치하거나, 또는 대향 기판(20) 측에 색필터가 위치할 수도 있다.
제1패시베이션층(180a) 및 절연층(180b)에는 드레인 전극(175)의 일부를 드러내는 컨택홀(185)이 형성될 수 있다.
절연층(180b) 위에는 제1전극(391)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1전극(391)은 화소 전극(pixel electrode)일 수 있다. 제1전극(391)은 면형, 즉 판 형태를 가질 수 있다. 제1전극(391)은 제1화소영역(PA1)에 배치될 수 있으며, 제1전극(391)의 일부는 제2화소영역(PA2)으로 연장되어 컨택홀(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 제1전극(391)은 드레인 전극(175)으로부터 전압을 인가 받을 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1전극(391)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 상기 투명 도전성 물질은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등 일 수 있다.
제1전극(391) 및 절연층(180b)위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있다. 제2패시베이션층(180c)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 제2패시베이션층(180c)은 절연층(180b)이 들뜨는 것을 방지하고, 절연층(180b)으로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의해 액정층(30)이 오염되는 것을 보다 억제할 수 있다.
제2패시베이션층(180c) 위에는 제2전극(370)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2전극(370)은 공통 전극(common electrode)일 수 있다. 제2전극(370)은 면형으로서 제1베이스 기판(110) 상부에 통판으로 형성될 수 있으며, 일정한 크기의 공통 전압(Vcom)을 전달받을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2전극(370)의 적어도 일부는 컨택홀(185) 내에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1전극(370)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 상기 투명 도전성 물질은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등 일 수 있다.
제2전극(370)은 적어도 일부가 제1전극(191)과 중첩할 수 있다.
제2전극(370)에는 복수의 슬릿(372)이 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 데이터선(171)에 굴곡이 형성된 경우, 제2전극(370)은 데이터선(171)과 실질적으로 나란한 굴곡변(curved edge)을 포함할 수 있다.
제2전극(370) 위에는 광차단 도전층(280)이 위치할 수 있다. 광차단 도전층(280)은 게이트선(121)이 연장된 제1방향(예시적으로 가로 방향)을 따라 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 화소영역(PA) 중 제2화소영역(PA2)에 위치할 수 있으며, 제1화소영역(PA1)에는 위치하지 않을 수 있다. 광차단 도전층(280)은 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩할 수 있으며, 몇몇 실시예에서 게이트선(121)과 더 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 광차단 도전층(280)은 적어도 일부가 컨택홀(185) 내에 위치할 수 있으며, 컨택홀(185)을 가릴 수 있다.
이외 광차단 도전층(280)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
이하 대향 기판(20c)에 대해 설명한다.
대향 기판(20c)은 어레이 기판(10h)과 마주보는 제2베이스 기판(210) 및 보조차광부재(223)을 포함할 수 있다.
제2베이스 기판(210)은 제1베이스 기판(110)과 유사하게 투명 절연 기판일 수 있다. 또한, 제2베이스 기판(210)은 고내열성을 갖는 고분자 또는 플라스틱을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 기판(210)은 가요성을 가질 수도 있다.
보조차광부재(223)는 데이터선(171)이 뻗어있는 방향을 따라 형성되어 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 평면 시점에서 보조차광부재(223)는 데이터선(171)을 완전히 가릴 수 있다. 보조차광부재(223)는 차광부재(221)와 유사하게 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료 또는 크롬(Cr) 등의 불투명 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.이외 보조차광부재(223)에 대한 설명 및 보조차광부재(223)와 광차단 도전층(280)간의 관계에 대한 설명은 도 2 내지 도 17의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
대향 기판(20c)과 어레이 기판(10h) 사이에는 어레이 기판(10h)과 대향 기판(20c) 사이의 간격을 유지하는 간격재(CS)가 위치할 수 있다. 간격재(CS)는 어레이 기판(10h)과 대향 기판(20c) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 간격재(CS)는 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 감광성을 가질 수도 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 보조차광부재(223)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 광차단 도전층(280) 상에 위치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 간격재(CS)는 대향 기판(20c) 측에 위치할 수도 있다. 이외 보조차광부재(223)에 대한 설명은 도 2 및 도 17의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1h)는, 컨택홀(185)을 가리기 위한 별도의 차광부재를 생략할 수 있음에 따라, 표시 장치 제조공정 및 구조를 더욱 단순화할 수 있는 이점을 갖는다.
이제 앞에서 설명한 도 39 내지 도 41과 함께 도 42 내지 도 45를 참조하여 본 발명의 한 예시적 실시예에 따른 표시 장치(1h)의 주변 영역(PA)의 구체적인 구조에 대해 설명하며, 특히 어레이 기판(10h)을 중심으로 설명한다.
도 42 내지 도 45는 각각 도 39 내지 도 41에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 예시적인 단면도이다.
먼저 도 1 및 도 42를 참조하면, 주변영역(PA) 내 제1베이스 기판(110) 위에는 전압선(131)이 위치할 수 있다.
전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140) 및 제1패시베이션층(180a), 절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c)이 차례대로 위치할 수 있다.
게이트 절연막(140), 제1패시베이션층(180a) 및 절연층(180b)은 전압선(131)을 드러내는 외부 컨택홀(187)을 포함할 수 있다.
절연층(180b) 위에는 연결전극(791)이 위치할 수 있다. 연결전극(791)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 연결전극(791)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 제1전극(391)과 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
절연층(180b) 위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있으며, 제2패시베이션층(180c)은 연결전극(791)을 노출하도록 적어도 일부가 제거될 수 있다.
절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c) 위에는 제2전극(370) 및 광차단 도전층(280)이 순차적으로 위치할 수 있다.
제2전극(370)은 연결전극(791)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있으며, 이에 따라 전압선(131)에 공통 전압(Vcom)이 인가되는 경우, 공통 전압(Vcom)은 연결전극(791)을 경유하여 제2전극(370)에 제공될 수 있다.
또는 도 1 및 도 43을 참조하면, 도 42에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 제2패시베이션층(180c) 상에는 제2전극(370)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 광차단 도전층(280)이 연결전극(791)과 전기적, 물리적으로 연결될 수도 있다. 이에 따라 전압선(131)에 공통 전압(Vcom)이 인가되는 경우, 공통 전압(Vcom)은 연결전극(791) 및 광차단 도전층(280)을 경유하여 제2전극(370)에 제공될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 44를 참조하면, 도 42에 도시된 바와는 달리 연결전극(791)이 구비되지 않을 수도 있다. 예컨대 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 노출하도록 외부 컨택홀(187) 주변에서 적어도 일부가 제거될 수 있으며, 제2전극(370)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 45를 참조하면, 도 44에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 제2전극(370)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 노출하도록 외부 컨택홀(187) 주변에서 적어도 일부가 제거될 수 있으며, 광차단 도전층(280)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다.
상술한 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치(1h)는, 제2전극(370)과 접촉하는 광차단 도전층(280)을 배치함에 따라, 제3전극(370)의 저항을 감소시킬 수 있는 이점, 광차단 도전층(280)을 이용하여 광을 차단함에 따라 차광부재가 배치되는 영역을 감소시킬 수 있는 이점, 이에 따라 표시 장치(1h)의 개구율 및 투과율이 향상되는 이점을 갖는다. 아울러, 어레이 기판(10h)측에 위치하는 광차단 도전층(280)을 이용하여 광을 차단하며, 컨택홀을 가리기 위한 차광부재를 생략할 수 있는 바, 어레이 기판(10h)과 대향 기판(20c)간의 오정렬에 따른 빛샘 발생 가능성을 낮출 수 있는 이점도 추가적으로 구현된다.
도 46은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예, 도 47은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 46 및 도 47을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1i)는 어레이 기판(10i), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10i)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1i)는 보조차광부재(323)가 어레이 기판(10i)측에 위치하는 점에서, 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제2전극(370)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 42 내지 도 45의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 이외 보조차광부재(323) 및 간격재(CS1)에 대한 설명은 도 18 및 도 19의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
도 48은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 49는 도 39의 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 48 및 도 49를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1j)는 어레이 기판(10j), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10j)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1j)는 보조차광부재(423)가 어레이 기판(10i)측에 위치하는 점에서, 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제2전극(370)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 42 내지 도 45의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
보조차광부재(423)는 제1전극(370) 상에 위치할 수 있으며, 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 이외 보조차광부재(423) 및 간격재(CS)에 대한 설명은 도 20 내지 도 22의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
도 50은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 51은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 50 및 도 51을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1k)는 어레이 기판(10k), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10k)과 대향 기판(20)의 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1k)는, 광차단 도전층(280)이 제2전극(370)의 아래에 위치하는 점에서 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 가장 큰 차이점이 한다. 보다 구체적으로 광차단 도전층(280)은 제2전극(370)의 아래에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로 광차단 도전층(280)은 제2전극(370)과 제2패시베이션층(180c) 사이에 위치할 수 있으며, 제2전극(370)과 직접 접촉할 수 있다. 이외 표시장치(1k)의 구성들은 실질적으로 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제2전극(370)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 42 내지 도 45의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
이제 앞에서 설명한 도 50 및 도 51과 함께 도 52 내지 도 55를 참조하여 본 발명의 한 예시적 실시예에 따른 표시 장치(1k)의 주변 영역(PA)의 구체적인 구조에 대해 설명하며, 특히 어레이 기판(10k)을 중심으로 설명한다.
도 52 내지 도 55는 각각 도 50 및 도 51에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 예시적인 단면도이다.
먼저 도 1 및 도 52를 참조하면, 주변영역(PA) 내 제1베이스 기판(110) 위에는 전압선(131)이 위치할 수 있다.
게이트 절연막(140), 제1패시베이션층(180a) 및 절연층(180b)은 전압선(131)을 드러내는 외부 컨택홀(187)을 포함할 수 있다.
절연층(180b) 위에는 연결전극(791)이 위치할 수 있다. 연결전극(591)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있다. 연결전극(791)은 앞에서 설명한 실시예에 따른 제1전극(391)과 동일한 층에 위치하며 동일한 물질을 포함할 수 있다.
절연층(180b) 위에는 제2패시베이션층(180c)이 위치할 수 있으며, 제2패시베이션층(180c)은 연결전극(791)을 노출하도록 적어도 일부가 제거될 수 있다.
절연층(180b) 및 제2패시베이션층(180c) 위에는 광차단 도전층(280) 및 제2전극(370)이 순차적으로 위치할 수 있다.
광차단 도전층(280)은 연결전극(791)과 전기적, 물리적으로 연결될 수 있으며, 이에 따라 전압선(131)에 공통 전압(Vcom)이 인가되는 경우, 공통 전압(Vcom)은 연결전극(791) 및 광차단 도전층(280)을 경유하여 제2전극(370)에 제공될 수 있다.
또는 도 1 및 도 53을 참조하면, 도 52에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 제2패시베이션층(180c) 상에는 광차단 도전층(280)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 광차단 도전층(280) 위에 위치하는 제2전극(370)은 연결전극(791)과 전기적, 물리적으로 연결될 수도 있다. 이에 따라 전압선(131)에 공통 전압(Vcom)이 인가되는 경우, 공통 전압(Vcom)은 연결전극(791)을 경유하여 제2전극(370)에 제공될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 54를 참조하면, 도 52에 도시된 바와는 달리 연결전극(791)이 구비되지 않을 수도 있다. 예컨대 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 노출하도록 외부 컨택홀(187) 주변에서 적어도 일부가 제거될 수 있으며, 광차단 도전층(280)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다.
또는, 도 1 및 도 55를 참조하면, 도 54에 도시된 바와는 달리 주변영역(PA)에서 광차단 도전층(280)이 적어도 부분적으로 위치하지 않을 수도 있다. 그리고 제2패시베이션층(180c)은 전압선(131)을 노출하도록 외부 컨택홀(187) 주변에서 적어도 일부가 제거될 수 있으며, 제2전극(370)은 외부 컨택홀(187)을 통해 전압선(131)과 물리적, 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 56은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예, 도 57은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 56 및 도 57을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1l)는 어레이 기판(10l), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10l)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS1)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1l)는 보조차광부재(323)가 어레이 기판(10l)측에 위치하는 점에서, 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제2전극(370)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 52 내지 도 55의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 이외 보조차광부재(323) 및 간격재(CS1)에 대한 설명은 도 18 및 도 19의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
도 58은 도 39의 표시 장치를 도 39의 Xa-Xa'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예, 도 59는 도 39의 표시 장치를 도 39의 Ya-Ya'선을 따라 절단한 단면도의 또 다른 예이다.
도 58 및 도 59를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(1m)는 어레이 기판(10m), 대향 기판(20a) 및 액정층(30)을 포함할 수 있다. 그리고 이외 어레이 기판(10m)과 대향 기판(20a) 사이에 위치하는 간격재(CS)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시장치(1m)는 보조차광부재(423)가 어레이 기판(10i)측에 위치하는 점에서, 도 39 내지 도 45의 설명에서 상술한 표시장치(도 39 내지 도 41의 1h)와 가장 큰 차이점이 존재하며 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또한 주변영역(도 1의 PA)에서 제2전극(370)과 전압선(131)간의 전기적 연결관계에 대한 설명은 도 52 내지 도 55의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
보조차광부재(423)는 제1전극(370) 상에 위치할 수 있으며, 데이터선(171)과 중첩할 수 있다. 이외 보조차광부재(423) 및 간격재(CS)에 대한 설명은 도 20 내지 도 22의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (33)

  1. 제1베이스 기판;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 제1방향으로 연장된 게이트선;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고, 상기 게이트선과 절연되어 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 데이터선;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하는 제1전극;
    상기 제1전극 바로 위에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 광차단 도전층;
    상기 제2방향을 따라 연장되고 상기 제1전극 바로 위에 위치하며 상기 데이터선과 중첩하는 보조차광부재; 및
    상기 제1전극 및 상기 광차단 도전층과 절연되고, 적어도 일부가 상기 제1전극과 중첩하며 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2전극을 포함하고,
    상기 보조차광부재는 상기 광차단 도전층과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층에는 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀이 구비되고,
    상기 제1전극에는 상기 컨택홀과 중첩하는 제1개구부가 구비되고, 상기 광차단 도전층에는 상기 컨택홀 및 상기 제1개구부와 중첩하는 제2개구부가 구비되고,
    상기 컨택홀, 상기 제1개구부 및 상기 제2개구부와 중첩하는 차광부재를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 차광부재의 평면 형상은 섬 형상이고,
    상기 차광부재는 상기 데이터선과 비중첩하는 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2개구부의 상기 제1방향으로의 최대폭은 상기 차광부재의 상기 제1방향으로의 최대폭보다 작거나 같고,
    상기 제2개구부의 상기 제2방향으로의 최대폭은 상기 차광부재의 상기 제2방향으로의 최대폭보다 작거나 같은 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 직접 연결된 표시 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제1개구부의 내측면과, 상기 제2개구부의 내측면은 실질적으로 동일선 상에 위치하는 표시 장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 제1개구부의 내측면과 상기 제2개구부의 내측면간 이격거리는,
    0㎛ 초과 0.3㎛ 이하인 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 도전층은,
    상기 제1전극과 접촉하는 광차단 금속층 및 상기 광차단 금속층 상에 위치하는 투명 도전층을 포함하는 표시 장치.
  14. 삭제
  15. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 도전층은, 금속물질과 투명도전물질의 농도구배를 갖는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 광차단 도전층 상에 위치하는 패시베이션층; 및
    상기 패시베이션층 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 간격재를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 간격재는, 차광물질을 포함하는 표시 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선 및 상기 전압선과 직접 접촉하는 연결전극을 더 포함하고,
    상기 제1전극은, 상기 연결전극과 전기적으로 연결된 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 연결전극은, 상기 제2전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고,
    상기 제1전극은, 상기 전압선과 직접 접촉하는 표시 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고,
    상기 광차단 도전층은, 상기 전압선과 직접 접촉하는 표시 장치.
  22. 제1베이스 기판;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 제1방향으로 연장된 게이트선;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고, 상기 게이트선과 절연되어 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 데이터선;
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하고 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1전극;
    상기 제1전극과 절연되고, 적어도 일부가 상기 제1전극과 중첩하는 제2전극;
    상기 제1전극과 절연되고, 상기 제2전극과 직접 접촉하고, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 광차단 도전층; 및
    상기 제2방향을 따라 연장되고 상기 제2전극 바로 위에 위치하며 상기 데이터선과 중첩하는 보조차광부재를 포함하는 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 절연층에는 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀이 구비되고,
    상기 제1전극은 상기 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고,
    상기 광차단 도전층은, 상기 컨택홀과 중첩하는 표시 장치.
  24. 삭제
  25. 제22항에 있어서,
    상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 동일한 물질을 포함하고 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 직접 연결된 표시 장치.
  27. 제22항에 있어서,
    상기 보조차광부재는, 상기 광차단 도전층과 다른 물질을 포함하는 표시 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 보조차광부재는, 차광물질을 포함하는 표시 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 보조차광부재의 적어도 일부는, 상기 광차단 도전층과 중첩하는 표시 장치.
  30. 제22항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선 및 상기 전압선과 직접 접촉하는 연결전극을 더 포함하고,
    상기 제2전극은, 상기 연결전극과 전기적으로 연결된 표시 장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 연결전극은, 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  32. 제22항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고,
    상기 제2전극은, 상기 전압선과 직접 접촉하는 표시 장치.
  33. 제22항에 있어서,
    상기 제1베이스 기판 상에 위치하는 전압선을 더 포함하고,
    상기 광차단 도전층은, 상기 전압선과 직접 접촉하는 표시 장치.
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