CN101025530A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101025530A
CN101025530A CNA200610170131XA CN200610170131A CN101025530A CN 101025530 A CN101025530 A CN 101025530A CN A200610170131X A CNA200610170131X A CN A200610170131XA CN 200610170131 A CN200610170131 A CN 200610170131A CN 101025530 A CN101025530 A CN 101025530A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel electrode
electrode
panel
auxiliary
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200610170131XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101025530B (zh
Inventor
李宰瑛
朴源祥
尹海荣
金尚佑
林载翊
李承珪
沈昌佑
吕庸硕
崔智娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101025530A publication Critical patent/CN101025530A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101025530B publication Critical patent/CN101025530B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47C—CHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C4/00—Foldable, collapsible or dismountable chairs
    • A47C4/04—Folding chairs with inflexible seats
    • A47C4/08—Folding chairs with inflexible seats having a frame made of wood or plastics
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47C—CHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C7/00—Parts, details, or accessories of chairs or stools
    • A47C7/54—Supports for the arms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种面板及其制造方法，所述面板包括在第一基底上的栅极线、覆盖所述栅极线的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上的半导体层、与所述栅极线交叉并且包括源极的在所述半导体层上面对所述源极的漏极数据线、与所述数据线分离的连接辅助、覆盖所述半导体层并且包括暴露所述接触辅助的接触孔的钝化层和包括多个子像素电极并且形成于所述钝化层上的像素电极。所述子像素电极通过所述连接孔连接所述连接辅助，通过所述连接辅助相互电连接并且至少一个所述子像素电极电连接漏极。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是一种应用最广泛的平板显示器。LCD包括提供了场产生电极(例如像素电极和公共电极)的两个面板以及插入其间的液晶(LC)层。LCD通过对场产生电极施加电压使得在LC层内产生电场从而显示图像，所述电场确定在LC层中LC分子的取向从而调整入射光的偏振。
在LCD中，由于其高对比度和宽参考视角，垂直排列(VA)模式LCD受到关注，垂直排列模式排列LC分子使得LC分子的长轴在没有电场时垂直于面板。
VA模式LCD的宽视角可以通过在所述长产生电极内的切口和在场产生电极上的突起而实现。由于切口和突起可以确定LC分子的倾斜方向，通过使用切口和突起，倾斜方向可以分布在几个方向上使得参考视角被展宽。
但是，因为布置在角部的LC分子或在场产生电极内的连接辅助不受边缘场的影响，所以在施加驱动电压时它们以任意方向排列。
当LC分子被任意排列时，在任意位置可以产生LC分子的碰撞，并且因而可以产生由于碰撞所产生的不希望出现的余像。
发明内容
典型实施例通过最大化受边缘场的影响的LC分子并且最小化由于碰撞引起的余像从而提供了一种具有改善的显示特性的液晶显示器。
提供了面板的典型实施例，所述面板包括第一基底、在第一基底上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的半导体层、与栅极线交叉并且包括在半导体层上形成的源极的数据线、在半导体层上形成并且面对源极的漏极、与数据线分离的连接辅助、覆盖半导体层并且具有暴露连接辅助的接触孔的钝化层、和包括多个子像素电极并且在钝化层上形成的像素电极。子像素电极通过接触孔分别连接到连接辅助，子像素电极通过连接辅助相互电连接并且至少一个子像素电极电连接漏极。
在典型实施例中，子像素电极可以包括透射电极。
在典型实施例中，至少一个子像素电极包括反射电极。
在典型实施例中，子像素电极可以具有带圆角的基本矩形形状。
在典型实施例中，面板还可以包括面对第一基底的第二基底、和在第二基底上形成并且具有分别在子像素电极的中心形成的多个切口的公共电极。
在典型实施例中，切口可以具有基本圆形的形状。
在典型实施例中，提供了面板，所述面板包括第一基底、在第一基底上形成的栅极线、与所述数据线交叉的栅极线、连接所述栅极线和数据线的薄膜晶体管、和连接薄膜晶体管并且具有多个子像素电极和使所述子像素电极相互连接的连接辅助的像素电极。连接辅助交替布置在像素电极的左侧和右侧并且使子像素电极相互连接。
在典型实施例中，面板还可以包括面对第一基底的第二基底、在第二基底上形成的遮光构件和在第二基底上形成的公共电极。连接辅助覆盖遮光构件。
在典型实施例中，子像素电极可以具有带圆角的基本矩形形状。连接辅助交替连接子像素电极的左边和右边。
在典型实施例中，公共电极可以具有多个切口并且切口可以具有基本圆形的形状。
提供了一种形成显示面板的方法的典型实施例，所述方法包括在第一基底上形成栅极线、数据线和漏极、在第一基底上形成薄膜晶体管并且连接栅极线和数据线；连接像素电极至薄膜晶体管，像素电极包括多个子像素电极并且形成使子像素电极相互连接的连接辅助。数据线与栅极线交叉并且漏极面对数据线。至少一个子像素电极连接漏极。
在典型实施例中，连接辅助的形成包括在与像素电极不同的阵列面板的层上形成连接辅助。
在典型实施例中，连接辅助的形成包括在与像素电极相同的阵列面板的层上形成连接辅助。连接辅助包括第一连接部和第二连接部。第一连接部和第二连接部连接子像素电极的边并且交替向像素电极的左侧和右侧布置。
附图说明
通过参考附图描述本发明的典型实施例，本发明将变得更为显见，其中：
图1是根据本发明的LCD的典型实施例的布局图；
图2是根据在图1中示出的本发明的LCD的TFT阵列面板的典型实施例的布局图；
图3是根据在图1中示出的本发明的LCD的公共电极的典型实施例的布局图；
图4是沿图1示出沿LCD的IV-IV线所取的截面图；
图5是沿图1示出沿LCD的V-V线所取的截面图；
图6是根据本发明另一LCD的典型实施例的布局图；
图7是沿图6示出沿LCD的VI-VI线所取的截面图；
图8是根据本发明另一LCD的典型实施例的布局图；
图9是沿图8示出沿LCD的IX-IX线所取的截面图；
图10是根据本发明另一LCD的典型实施例的布局图；并且
图11是沿图10示出沿LCD的XI-XI线所取的截面图；
具体实施方式
此后，将参考附图更详细地描述本发明，其中示出了本发明的优选实施例。但是，本发明可以以许多不同方式实施，不应理解为限于在此提出的实施例。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区的厚度。通篇相似的标号指示相似的元件。应当理解例如层、膜、区或基底的元件被指称为在另一元件“上”或连接到另一元件时，可以直接在所述其它元件上或者也可以存在居间的元件。反之，当元件被指称在另一元件“直接上”时，不存在居间的元件。通篇相似的标号指示相似的元件。如同在此所使用的，术语“和/或”包括一或更多相关列举项的任意和所有的组合。
应当理解，可以在此使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一元件、部件、区、层或部分区分于其它区、层或部分。因而，下述讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称作第二元件、部件、区、层或部分，而不偏离本发明的教导。
空间相关的术语，例如“下”、“上”之类，可以在此使用以方便描述在图中所示出的一元件或特征与其它元件或特征的关系。应当理解空间相对术语旨在包括除了图中所示出的取向以外的在使用或运行中所述装置的不同取向。例如，如果在图中的装置被倒置，被描述为相对于其它元件或特征“下”的元件就要被描述为在相对于其它元件或特征“上”。因而，典型术语“下”可以包括上和下的取向。所述装置还可以另外取向(旋转90度或另外的取向)并且相应地解释在此使用的空间相对描述术语。
在此使用的术语仅用于描述具体的实施例，并不旨在限制本发明。如同在此所使用的，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。还应当理解当在本文中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，不应排除一或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组的存在或添加。
在此参考示意示出本发明理想实施例(和中间结构)的截面图描述本发明的实施例。这样，可以预期例如制造技术和/或公差的作为结果的示出的形状的各种变化。因而本发明的实施例不应理解为限于在此示出的区的具体形状而是包括例如来自于制造的各种形状的偏差。
例如，作为矩形示出的注入区典型地具有圆或曲线特征和/或在其边缘上的注入浓度的梯度，而不是从注入区至非注入区的二元变化。相似地，通过注入形成的埋藏区可以在埋藏区和通过其进行注入的表面之间形成一些注入。因而，在图中所示出的区是示意性的并且其形状不旨在示出装置的区的实际形状并且不旨在限制本发明的范围。
除非另外界定，所有在此使用的术语(包括技术和科学术语)具有本发明所述领域普通技术人员一般理解相同的含义。还应当理解诸如在通常使用的字典中所界定的术语，应当被解释为具有与在相关领域的上下文中一致的含义而不应以理想化或过度正式的方式解释，除非明显作出这样的界定。
此后，将参考附图详细描述本发明。现将参考附图描述根据本发明的LCD的液晶显示器和薄膜晶体管(TFT)阵列面板的典型实施例。
现将参考图1至5详细描述根据本发明的LCD的典型实施例。
图1是根据本发明的LCD的典型实施例的布局图，图2是根据本发明的在图1中示出的LCD的TFT阵列面板的典型实施例的布局图，图3是根据本发明的在图1中示出的LCD的公共电极面板的典型实施例的布局图，图4是在图1中示出的沿IV-IV线取的截面图，图5是在图1中示出的沿V-V线取的截面图。
LCD包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、和在面板100和200之间插入的LC层3。
现将参考图1、2、4和5详细描述TFT阵列面板100。
在由诸如透明玻璃之类的材料制成的绝缘基底100上形成多条栅极(信号)线121。
栅极线121基本沿横向延伸，相互分离并且传输栅极信号。各条栅极线121包括形成多个向上突起的栅极124的多个突起和具有用于与其它层或外部驱动电路接触的大面积的端部。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未图示)可以安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未图示)上。FPC可以贴附到基底110上，直接安装在基底110上，或集成入基底110。栅极线121可以延伸从而连接可以与基底110集成的驱动电路。
在典型实施例中，栅极线121可以由含Al金属例如Al或Al合金、含Ag金属例如Ag和Ag合金、含Cu金属例如Cu和Cu合金、含Mo金属例如Mo和Mo合金、Cr、Ti、或Ta制成。栅极线和存储电极线(未图示)可以具有包括具有两个不同物理特性膜的多层结构。在典型实施例中，两个膜之一可以由包括但不仅限于含Al金属、含Ag金属、和含Cu金属的低电阻金属制成，用于减小在栅极线121和存储电极线内的信号延迟或电压降。另一膜可以由例如含Mo金属、Cr、Ti、或Ta制成，它们与例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的其它材料具有良好的物理、化学和电接触特性。在一典型实施例中，所述两个膜的组合包括下Cr膜和上Al合金膜、和下Al膜和上Mo膜。但是，栅极线121和存储电极线可以由各种适用于在此描述的用途的金属或导体制成。
如同在图4和5中所示出的，栅极线121的侧部相对与基底110的表面倾斜。栅极线121相对于基底表面的倾斜角的范围为大约30至大约80度。
栅极绝缘层140在栅极线121上和存储电极线上形成。在一实施例中，栅极绝缘层140可以由氮化硅(SiNx)制成。
在栅极绝缘层140上形成多个半导体岛154。如同在典型实施例中所示出的，各个半导体岛154布置在栅极124上。在一典型实施例中，半导体岛154由氢化非晶硅(简写为“a-Si”)或多晶硅制成。
在半导体岛154上形成多个欧姆接触岛163和165。如同在典型实施例中所示出的，各个欧姆接触孔163和165成对位于半导体岛154上。在一典型实施例中，欧姆接触岛163和165由硅化物或重掺杂以例如磷的n型杂质n+氢化a-Si制成。
如在所示的实施例中，半导体岛154和欧姆接触岛163和165的侧部相对于基底110的表面倾斜。其倾斜角在大约30至大约80度的范围。
多条数据线171、多个漏极175与数据线171分离，并且在欧姆接触163和165和栅极绝缘层140上形成多个连接(辅助)构件178。
传输数据电压的数据线171基本在纵向延伸并且基本以直角交叉栅极线121。各数据线171包括具有相对大的面积的用于与其它层和/或外部装置接触的端部。用于产生数据信号的数据驱动电路(未图示)可以安装在FPC膜(未图示)上。FPC可以贴附到基底110，直接安装在基底110上、或集成入基底110。数据线171可以延伸从而被连接到可以与基底110集成的驱动电路。各数据线171包括向栅极124突出的多个源极173。
各个漏极175与数据线171分离并且相对于栅极124面对源极173。
栅极124、源极173、和漏极175和半导体到154一起形成TFT。TFT具有在半导体岛154内形成并且布置在源极173和漏极175之间的沟道。
连接辅助178基本平行于数据线171延伸并且与数据线171分离。
在一典型实施例中，数据线171、漏极175、和连接辅助178由难熔金属例如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金制成。数据线171、漏极175、和连接辅助178还可以具有包括低电阻膜(未图示)和良好接触膜(未图示)的多层结构。在一典型实施例中，多层结构包括下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜、和上Mo(合金)膜的组合以及上述下Cr膜和上Al(合金)膜与下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的组合。但是，数据线171、漏极175、和连接辅助178也可以由适用于在此描述的用途的各种金属或导体制成。
数据线171和漏极175还可以具有带状侧部并且其倾斜角可以在大约30至大约80度的范围内。
欧姆接触163和165仅插入在下面的半导体道154和上面的数据线171以及上面的漏极175之间并且减少了其间的接触电阻。半导体岛154包括多个被暴露的部分，这些部分不被数据线171和漏极175覆盖，例如位于源极173和漏极175之间的部分。
钝化层180形成于数据线171、漏极175、连接辅助178和半导体154被暴露的部分上。在一典型实施例中，钝化层180由包括但不仅限于氮化硅或氧化硅的无机绝缘体，具有良好平坦特性的光敏有机材料、或具有介电常数低于4的低介电绝缘材料例如通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)形成的a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F制成。钝化层180可以包括具有非有机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜的多层结构，使得可以取得有机绝缘体的杰出的绝缘特性同时避免半导体154被暴露的部分被有机绝缘体损坏。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179、漏极175的端部和连接辅助178的多个接触孔182、185、和188。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181。
多个像素电极191和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上。在一典型实施例中像素电极191和接触辅助81和82可以由例如ITO或IZO的透明导体或例如Ag或Al的反射导体制成。
像素电极191包括基本布置为直线且具有基本正方形的第一至第三子像素电极9a1、9a2、和9a3。在布局图中子像素电极9a1、9a2、和9a3可以具有圆角。第一子像素电极9a1通过接触孔185连接漏极175，并且第一至第三子像素电极9a1、9a2、9a3通过接触孔188分别连接连接辅助178。
像素电极191通过第一子像素电极9a1物理和电连接漏极175，使得像素电极191从漏极175接收数据电压并且第二和第三子像素电极9a2和9a3从连接辅助178接收数据电压。
被施加以数据电压的像素电极191与公共电极270合作产生电场，所述电场确定了在液晶层3内液晶分子的取向。
像素电极191和公共电极面板200的公共电极270形成液晶电容器，所述电容器在TFT截止后存储施加的电压。
接触辅助81和82分别通过接触孔181和182而被连接到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助81和82保护端部129和179并且完成端部129和179与外部装置的粘接。
公共电极面板200的描述参考图1、3、和5。
用于避免光泄漏的称为黑矩阵的遮光构件220形成于用例如透明玻璃的材料制成的绝缘基底210上。遮光构件220包括多个面对像素电极191的开口并且具有与像素电极191基本相同的平面形状。
在基底210上形成多个滤色器230。滤色器230基本布置在被遮光构件220所封闭或包围的区内。如在所示出的实施例中，滤色器230可以基本沿像素电极191的纵向延伸。在一典型实施例中，滤色器230可以代表例如红、绿、和蓝颜色的原色之一。
用于避免滤色器230被暴露并且提供基本平坦的表面的保护层250形成于滤色器230和遮光构件220上。在典型实施例中，可以省略保护层250。
在一典型实施例中由透明导电材料例如ITO和IZO制成的公共电极形成于保护层250上并且比像素电极191相对要厚。
公共电极270具有多个圆形切口27组。
一组圆形切口27基本面对第一至第三子像素电极9a1至9a3的中心。在典型实施例中，圆形切口27覆盖接触孔188。
配向层11和21涂覆在面板100和200的内表面上。配向层11和21可以是homeotropic的。可以提供偏振片(未图示)于面板100和200的外表面使得其偏振轴可以交叉并且透射轴之一可以平行于栅极线121。在典型实施例中，当LCD是反射型LCD时，可以省略偏振片之一。
LCD还可以包括至少一个延迟膜(未图示)用于补偿LC层3的延迟。延迟膜具有双折射并且相对于LC层3而延迟。延迟膜可以包括单轴或双轴光补偿膜、具体地，是负单轴补偿膜。
LCD还可以包括用于透过偏振片对LC层3提供光线的背光单元(未图示)、延迟膜、和面板100和200。
在典型实施例中，LC层3具有负介电各向异性并且经历垂直取向，使得在LC层3中的LC分子31的长轴以其在无电场时基本垂直于面板100和200表面取向。因而，入射光线不可以穿过包括偏振片的交叉的偏振系统。
在对公共电极270施加公共电压和对像素电极191施加数据电压时，产生基本垂直于面板100和200的电场。LC分子31趋向于响应所述电场而改变其取向使得其长轴基本垂直于电场方向。公共电极270和像素电极191基本上被用作场产生电极。
公共电极270的圆形切口27和像素电极191的边扭曲了电场从而具有基本垂直于圆形切口27的边和像素电极191的边的水平分量。因而，各个子像素电极9a1-9a3上的LC分子被所述水平分量在一方向上倾斜并且倾斜方向的方位角分布局部化为多个方向，由此增加了LCD的视角。
此外，当像素电极包括连接子像素电极9a1-9a3并且与像素电极191形成于相同层上的连接时，所述连接扭曲了LC分子31的取向并且在所述连接上的LC分子31以任意方向取向。因而，产生了LC分子的碰撞。但是，在图示的典型实施例中，子像素电极9a1-9a3通过连接与数据线171形成在相同层上的附件178而相互连接。这里，连接辅助178不影响液晶分子的取向，并且因而不产生液晶分子的碰撞。其优点是不产生由于碰撞而引起的余像。
现将参考图6和7详细描述根据本发明的LCD的另一典型实施例。
图6是根据本发明的用于LCD的TFT阵列面板的典型实施例的布局图，而图7是图6中所示出的LCD沿VII-VII线的截面图。
参考图6和7，LCD包括TFT阵列面板、公共电极200、插入在面板100和200之间的LC层3、覆在面板100和200外表面上的偏振片(未图示)。
根据该实施例的面板100和200的分层结构与在图1至5中所示出的基本相同。
对于TFT阵列面板100，包括栅极124和端部129的栅极线121形成于基底110上，并且在其上顺序形成栅极绝缘层140、多个半导体154、和多个欧姆接触163和165。多条包括源极173和端部179的数据线171、多个漏极175、和多个连接辅助178形成于欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140上提供了多个接触孔181、182、185、和188。多个像素电极191和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上，并且配向层涂覆于其上。
对于公共电极面板200、遮光构件220、多个滤色器230、包括多个圆形切口的公共电极270、和配向层21形成于绝缘基底210上。
与在图1至4中所示出的LCD不同，在图6和7中示出的LCD是包括反射电极的透反型。
包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、和LC层3的LCD具有透射区TA和反射区RA。透射区TA包括透射电极192而反射区RA包括反射电极194。透射区TA是未布置反射电极194的区而反射区RA是布置反射电极194的区。
在透射区TA中的光线从TFT阵列面板100透过液晶层3到公共电极面板200从而显示图像，而在反射区RA的光线通过被反射电极194反射透过液晶层3两次而显示图像。
在典型实施例中，钝化层180可以具有不平坦的表面，以便最大化漫反射并且反射电极194也可以具有取决于或对应于钝化层180的不平坦表面的不平坦的表面。
在一典型实施例中，透射电极192由例如ITO或IZO的透明导电材料制成而反射电极194由反射导电体例如Ag、Al、Cr及其合金制成。在典型实施例中，反射电极194可以具有包括由具有低电阻的反射性导体例如Ag、Al、及其合金制成的上层，和与其它材料例如ITO和IZO具有良接触特性的下层材料，例如Mo、Mo合金、Cr、Ta、Ti。
反射电极194仅布置在第一子像素电极9a1上。在典型实施例中，反射电极194可以布置在其它的子像素电极9a2和9a3上的透射电极192上。
在典型实施例中，优选对应于透射区TA的滤色器230比对应于反射区RA的滤色器230薄，从而透射区TA内的单元间隙两倍于形成于反射区RA内的单元间隙。对应于反射区RA的滤色器230可以具有光孔“H”以补偿由于光路差别所引起的颜色表示的差别。
图8是根据本发明的LCD的另一典型实施例的布局图，图9是在图8中示出的LCD沿IX-IX线取的截面图，图10是根据本发明的另一典型实施例的布局图，而图11是在图10中示出LCD的沿XI-XI线取的截面图。
根据该实施例的面板100和200的分层结构与在图2和4中所示出的基本相同。
如同在图8和9中所示出的，多条包括栅极124和端部129的栅极线121形成于基底110上，并且在其上顺序形成栅极绝缘层140、多个半导体154、和多个欧姆接触163和165。多条包括源极173和端部179的数据线171、多个漏极175、和多个连接辅助178形成于欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。提供多个接触孔181、182、和185于钝化层180和栅极绝缘层140上。多个像素电极191和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上。
与在图2和4中所示出的LCD不同，在图8和9示出的实施例中，像素电极191的第一至第三子像素电极9a1至9a3通过连接辅助177相互连接，连接辅助177在LCD中与像素电极191形成在相同的层内。
连接辅助177包括分别布置在像素电极191的第一至第三子像素电极9a1至9a3的左侧和右侧的左和右连接辅助177a和177b。一个连接辅助177a在子像素电极对9a1和9a2之间在左侧被示出，而另一连接辅助177b在右侧布置在子像素电极对9a2和9a3之间。连接辅助177a和177b形成于由像素电极191所界定的柱形区域内，在于像素电极9a1、9a2和9a3的左和右边之内并且交替在子像素电极9a1、9a2、9a3的左和右侧之间。优选左和右连接辅助177a和177b形成对。在示出的典型实施例中，尽管产生了LC分子的碰撞，但是碰撞分布在像素电极191的一侧，使得难于识别出碰撞。
如同在图10和11的实施例中所示出的，左连接辅助177a连接第二和第二子像素电极9a1和9a2的左侧(边)而右连接辅助177b连接第二和第三子像素电极9a2和9a3的右侧(边)。在该实施例中，左和右连接辅助177a和177b布置得相邻于数据线171。尽管产生了液晶分子的碰撞，但是由于连接辅助177a和177b布置得重叠遮光构件，所以所述碰撞被隐藏在上面板的遮光构件(未图示)下面。
如在典型实施例中所示出的，像素电极的子像素电极通过使用连接辅助而相互连接，连接辅助与另一层形成或布置在子像素的边缘。因而，LC分子的布置未散布并且可以隐藏LC分子的碰撞。
尽管参考优选实施例详细描述了本发明，但是本领域的技术人员应当理解在不偏离权利要求中所界定的本发明的精神和范围的前提下，可以进行各种改良和替代。

Claims (20)

1.一种面板，包括：
第一基底；
在所述第一基底上形成的栅极线；
覆盖所述栅极线的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成的半导体层；
与所述栅极线交叉并且包括形成于所述半导体层上的源极的数据线；
在所述半导体层上形成并且面对所述源极的漏极；
与所述数据线分离的连接辅助；
覆盖所述半导体层并且包括暴露所述连接辅助的接触孔的钝化层；和
包括多个子像素电极并且形成于所述钝化层上的像素电极，其中所述子像素电极通过所述接触孔而分别连接所述接触辅助，并且
其中所述子像素电极通过所述连接辅助相互电连接并且至少所述子像素电极之一电连接漏极。
2.根据权利要求1的面板，其中所述子像素电极包括透射电极。
3.根据权利要求1的面板，其中至少所述子像素电极之一包括反射电极。
4.根据权利要求1的面板，其中所述子像素电极具有带圆角的基本矩形形状。
5.根据权利要求1的面板，还包括：
面对所述第一基底的第二基底；和
在所述第二基底上形成并且包括分别基本形成于子像素电极中心上的多个切口的公共电极。
6.根据权利要求1的面板，其中所述切口具有圆形形状。
7.根据权利要求1的面板，其中所述连接辅助形成于与数据线相同的面板的层上。
8.一种面板，包括：
第一基底；
在所述第一基底上形成的栅极线；
与所述栅极线交叉的数据线；
连接所述栅极线和数据线的薄膜晶体管；和
连接所述薄膜晶体管并且包括多个子像素电极和使所述子像素电极相互连接的连接辅助的像素电极，
其中所述连接辅助布置在所述像素电极的左侧或右侧并且使所述子像素电极相互连接。
9.根据权利要求8的面板，还包括：
面对所述第一基底的第二基底；
在所述第二基底上形成的遮光构件；和
在所述第二基底上形成的公共电极，
其中所述连接辅助重叠所述遮光构件。
10.根据权利要求9的面板，其中所述子像素电极具有带圆角的基本矩形形状并且所述连接辅助连接所述子像素电极的左边或右边。
11.根据权利要求10的面板，其中所述连接辅助交替连接所述子像素电极的左边或右边。
12.根据权利要求11的面板，其中所述公用电极包括多个切口。
13.根据权利要求12的面板，其中所述切口具有圆形形状。
14.根据权利要求8的面板，其中所述连接辅助连接到相邻子像素电极的对边。
15.根据权利要求8的面板，其中所述子像素电极包括透射电极。
16.根据权利要求8的面板，其中至少一个子像素电极包括反射电极。
17.根据权利要求8的面板，其中所述连接辅助形成在与像素电极相同的层内。
18.一种形成显示面板的方法，所述方法包括：
在第一基底上形成栅极线、数据线和漏极，所述数据线与栅极线交叉并且所述漏极面对数据线；
在所述第一基底上形成薄膜晶体管并且连接所述栅极线和数据线；
连接所述像素电极到所述薄膜晶体管，所述像素电极包括多个子像素电极；和
形成使所述子像素电极相互连接的连接辅助；
其中至少一个子像素电极连接漏极。
19.根据权利要求18的方法，其中所述连接辅助的形成包括在与像素电极不同的阵列面板的层上形成所述连接辅助。
20.根据权利要求18的方法，其中所述连接辅助的形成包括在像素电极的阵列面板相同的层上形成所述连接辅助，所述连接辅助包括第一连接部和第二连接部，
其中所述第一连接部和第二连接部连接所述子像素电极的边并且交替向所述像素电极的左和右侧布置。
CN200610170131XA 2006-02-23 2006-12-22 显示面板及其制造方法 Active CN101025530B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR17765/06 2006-02-23
KR1020060017765A KR20070087395A (ko) 2006-02-23 2006-02-23 표시판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101025530A true CN101025530A (zh) 2007-08-29
CN101025530B CN101025530B (zh) 2011-04-20

Family

ID=38427808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200610170131XA Active CN101025530B (zh) 2006-02-23 2006-12-22 显示面板及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7760279B2 (zh)
JP (1) JP5009608B2 (zh)
KR (1) KR20070087395A (zh)
CN (1) CN101025530B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110687712A (zh) * 2013-11-27 2020-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI439758B (zh) * 2007-02-16 2014-06-01 Au Optronics Corp 半穿透半反射式顯示器及其製造方法
KR101462163B1 (ko) * 2008-07-03 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20100065876A (ko) * 2008-12-09 2010-06-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101579487B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101908460B1 (ko) * 2011-09-29 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5893449B2 (ja) 2012-03-09 2016-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および、電子機器
KR101924079B1 (ko) * 2012-07-06 2018-12-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150030907A (ko) * 2013-09-13 2015-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2018091947A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 株式会社 オルタステクノロジー 液晶表示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3514219B2 (ja) 1999-06-25 2004-03-31 日本電気株式会社 マルチドメイン液晶表示装置
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
KR100350643B1 (ko) 1999-10-29 2002-08-28 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치
KR100587364B1 (ko) 2000-01-12 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100656911B1 (ko) 2000-09-19 2006-12-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판
KR100720093B1 (ko) 2000-10-04 2007-05-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100848095B1 (ko) * 2002-05-09 2008-07-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2004037854A (ja) 2002-07-03 2004-02-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100872493B1 (ko) 2002-10-17 2008-12-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2004177788A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP4436120B2 (ja) * 2002-12-18 2010-03-24 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100921450B1 (ko) 2003-03-19 2009-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
TWI315010B (en) * 2003-03-31 2009-09-21 Sharp Corporatio Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP3858882B2 (ja) 2003-10-21 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP2005173037A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4069879B2 (ja) 2004-02-12 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、及び電子機器
KR20050092851A (ko) 2004-03-17 2005-09-23 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN100501542C (zh) 2004-04-30 2009-06-17 精工爱普生株式会社 液晶装置和电子设备
JP4155227B2 (ja) 2004-05-07 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
US7956971B2 (en) * 2004-05-18 2011-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and electronic device having same
KR101112539B1 (ko) * 2004-07-27 2012-02-15 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
JP4440150B2 (ja) * 2005-03-16 2010-03-24 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110687712A (zh) * 2013-11-27 2020-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器
CN110687712B (zh) * 2013-11-27 2022-05-31 三星显示有限公司 液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
US20070195239A1 (en) 2007-08-23
JP2007226202A (ja) 2007-09-06
JP5009608B2 (ja) 2012-08-22
US7760279B2 (en) 2010-07-20
US20100244035A1 (en) 2010-09-30
KR20070087395A (ko) 2007-08-28
CN101025530B (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101025530B (zh) 显示面板及其制造方法
EP1621924B1 (en) Liquid crystal display and panel therefor
EP1672414B1 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
CN1908789B (zh) 液晶显示装置
CN100507687C (zh) 液晶显示器以及用于该液晶显示器的面板
CN100465745C (zh) 具有宽视角的液晶显示器
US8305507B2 (en) Thin film transistor array panel having improved storage capacitance and manufacturing method thereof
US20070058123A1 (en) Liquid crystal display
US7777823B2 (en) Thin film transistor array panel
CN100517034C (zh) 显示装置和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP2001091972A (ja) 液晶表示装置
US10288966B2 (en) Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof
JP2001343669A (ja) 液晶表示装置
US20080036933A1 (en) Liquid crystal display
CN101017294B (zh) 液晶显示装置
US20050185107A1 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
CN101201516B (zh) 增大开口率的lcd
CN101750823A (zh) 显示装置
CN100437300C (zh) 液晶显示器和用于其的显示板
US7145620B2 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display having pixel electrode
CN101118360A (zh) 液晶显示器
KR20060116580A (ko) 액정 표시 장치
KR100318534B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20060215098A1 (en) Liquid crystal display
KR101398641B1 (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121101

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121101

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.