JP2001091972A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001091972A JP26683399A JP26683399A JP2001091972A JP 2001091972 A JP2001091972 A JP 2001091972A JP 26683399 A JP26683399 A JP 26683399A JP 26683399 A JP26683399 A JP 26683399A JP 2001091972 A JP2001091972 A JP 2001091972A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 駆動電圧を小さくする、負荷容量を小さくす
る。 【解決手段】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、層を
異ならしめて配置される画素電極と、この画素電極との
間に透明基板と平行な成分をもつ電界を発生せしめる対
向電極とを備え、この画素電極と対向電極のうち、一方
の電極は他方の電極よりも液晶に近い側の層として形成
され、他方の電極は少なくとも該一方の電極の重畳され
る領域の周辺から外方へ延在する透明電極として形成さ
れているとともに、前記画素電極と対向電極との間で容
量結合される導電層が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各透明基板の一方の透明基
板の液晶側の各画素領域に、画素電極とこの画素電極と
の間に透明基板と平行な電界（横電界）を発生せしめる
対向電極とが形成されて構成されている。
【０００３】画素電極と対向電極の間の領域を透過する
光に対して、その量を前記電界が印加された液晶の駆動
によって、制御するようになっている。
【０００４】このような液晶表示装置は、表示面に対し
て斜めの方向から観察しても表示に変化のない、いわゆ
る広視野角特性に優れたものとして知られている。
【０００５】そして、これまで、前記画素電極と対向電
極は光を透過させることのない導電層で形成されてい
た。
【０００６】しかし、近年、画素領域の周辺を除く領域
の全域に透明電極からなる対向電極を形成し、この対向
電極上に絶縁膜を介して一方向に延在し該一方向に交差
する方向に並設させた透明電極からなる帯状の画素電極
を形成した構成のものが知られるに到った。
【０００７】このような構成の液晶表示装置は、横電界
が画素電極と対向電極との間に発生し、依然として広視
野角特性に優れるとともに、開口率が大幅に向上するよ
うになる。
【０００８】なお、この技術はたとえばＳＩＤ ９９
ＤＩＧＥＳＴ：Ｐ２０２〜Ｐ２０５に記載がなされてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置は、上述したように、画
素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向
電極とが、それぞれ絶縁膜を介して異なる層として形成
されているため、その電界は液晶側よりも該液晶から遠
のく部分で多くの電界が分布されるのを免れない構造と
なっている。
【００１０】このため、液晶中に充分な電界の分布を発
生するために、画素電極と対向電極との間に比較的大き
な電圧（駆動電圧）を印加しなければならなくなること
が指摘されるに到った。
【００１１】また、対向電極と画素電極が絶縁膜を介し
て大きな面積で重なっているために、映像信号線から画
素電極との間に介在されている薄膜トランジスタ（スイ
ッチング素子）の駆動の際の容量が増大してしまうとい
うことも指摘させるに到った。
【００１２】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、駆動電圧を小さくできる
液晶表示装置を提供することにある。
【００１３】また、本発明の他の目的は、薄膜トランジ
スタの駆動の際の容量を低減できる液晶表示装置を提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示
装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板の
うち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、層を異なら
しめて配置される画素電極と、この画素電極との間に透
明基板と平行な成分をもつ電界を発生せしめる対向電極
とを備え、この画素電極と対向電極のうち、一方の電極
は他方の電極よりも液晶に近い側の層として形成され、
他方の電極は少なくとも該一方の電極の重畳される領域
の周辺から外方へ延在する透明電極として形成されてい
るとともに、前記画素電極と対向電極との間で容量結合
される導電層が形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００１５】このように構成された液晶表示装置におい
て、前記導電層は、一方の電極と他方の電極との間で容
量結合されるため、該一方の電極と導電層との間におい
ても電界が発生するようになり、この電界は透明基板と
平行な成分を有するようになる。
【００１６】さらに、容量結合された電極の間の電位は
近づき、その容量自体は低下するようになる。
【００１７】これにより、一方の電極と他方の電極との
間に発生していた電界の一部は該一方の電極と導電層と
の間に発生する電界に振り分けられるようになり、結果
として、全体の電界の分布は液晶に近い側に移行させる
ことができるようになる。
【００１８】このことは、駆動電圧を一定とした場合に
液晶の光透過率の制御のための電界を効率化でき、ま
た、別な観点からすれば、液晶の光透過率の制御のため
に電界が充分である場合には駆動電圧を低減できるとい
う効果を奏するようになる。
【００１９】また、容量結合された導電層と他の電極と
の電位差は容量分圧値により低減され、薄膜トランジス
タの負荷容量が低減できるという効果も奏するようにな
る。
【００２０】
〔実施例１〕
《画素の構成》図１は本発明による液晶表示装置（パネ
ル）の画素領域における構成図であり、液晶を介して互
いに対向配置される各透明基板のうちの一方の透明基板
の液晶側から観た平面図である。
【００２１】なお、同図の２−２線における断面図を図
２に、３−３線における断面図を図３に、４−４線にお
ける断面図を図４に示している。
【００２２】まず、図１において、図中ｘ方向に延在さ
れｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬがたとえばクロ
ム（Ｃｒ）で形成されている。このゲート信号線ＧＬは
後述するドレイン信号線ＤＬとで画素領域を囲むように
なっている。
【００２３】そして、この画素領域には、後述する画素
電極との間で電界を発生せしめる対向電極が形成され、
この対向電極は該画素領域の周辺を除く全域に形成さ
れ、透明導電体であるたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）から構成されている。
【００２４】この対向電極ＣＴは、その周辺の全域を縁
取るようにして該対向電極ＣＴと接続された対向電圧信
号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線は図中左右の
画素領域（ゲート信号線ＧＬに沿って配置される各画素
領域）における対向電極に同様に形成された対向電圧信
号線ＣＬと電気的に接続されている。
【００２５】この対向電圧信号線ＣＬは、たとえばクロ
ム（Ｃｒ）からなる不透明の材料で形成されている。こ
のようにした場合、後述のドレイン信号線ＤＬとこれに
近接する対向電極ＣＴの辺部との間にノイズとして作用
する電界が発生しても、その部分は該対向電圧信号線Ｃ
Ｌによって遮光されることから、表示品質の面からの不
都合を解消できるようになる。
【００２６】このことは、ゲート信号線ＧＬとこれに近
接する対向電極ＣＴの辺部との間に発生する電界（ノイ
ズ）による不都合も解消できることを意味する。
【００２７】また、上述したように、対向電圧信号線Ｃ
Ｌの材料をゲート信号線ＧＬと同一の材料とすることに
より、それらを同一の工程で形成することにより製造工
数の増大を回避させることができる効果を奏する。
【００２８】そして、このように対向電極ＣＴ、対向電
圧信号線ＣＬ、およびゲート信号線ＧＬが形成された透
明基板ＳＵＢ１の上面には、それらをも被ってたとえば
ＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが形成されている。
【００２９】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号Ｄ
Ｌに対しては対向電圧信号線ＣＴおよびゲート信号線Ｇ
Ｌの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜として
の機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域において
はその誘電体膜としての機能を有するようになってい
る。
【００３０】そして、ゲート信号線ＧＬの一部（図中左
下）に重畳されて薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、
この部分の前記絶縁膜ＧＩ上にはたとえばａ−Ｓｉから
なる半導体層ＡＳが形成されている。
【００３１】この半導体層ＡＳの上面にソース電極ＳＤ
１およびドレイン電極ＳＤ２が形成されることによっ
て、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタ
ガ構造のＭＩＳ型トランジスタが形成されることにな
る。そして、このソース電極ＳＤ１およびドレイン電極
ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるように
なっている。
【００３２】すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に
並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイ
ン信号線ＤＬの一部が前記半導体層ＡＳの表面にまで延
在されることによって薄膜トランジスタＴＦＴのドレイ
ン電極ＳＤ２を構成するようになっている。
【００３３】また、該ドレイン信号線ＤＬの形成の際に
ソース電極ＳＤ１が形成され、このソース電極ＳＤ１は
画素領域内にまで延在されて後述の画素電極ＰＸとの接
続を図るコンタクト部をも一体的に形成されるようにな
っている。
【００３４】なお、図３に示すように、半導体層ＡＳの
前記ソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２との界
面にはたとえばｎ型不純物がドーピングされたコンタク
ト層ｄ０が形成されている。
【００３５】このコンタクト層ｄ０は、半導体層ＡＳの
表面の全域にｎ型不純物ドーピング層を形成し、さらに
ソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２の形成後に
おいて、該各電極をマスクとしてこれら各電極から露出
された半導体層ＡＳの表面のｎ型不純物ドーピング層を
エッチングすることによって形成されるようになってい
る。
【００３６】なお、この実施例では、半導体層ＡＳは薄
膜トラジスタＴＦＴの形成領域ばかりでなく、ドレイン
信号線ＤＬに対するゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線
ＣＬとの交差部にも形成されている。層間絶縁膜として
の機能を強化させるためである。
【００３７】そして、このように薄膜トランジスタＴＦ
Ｔが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該薄膜ト
ランジスタＴＦＴをも被ってたとえばＳｉＮからなる保
護膜ＰＳＶが形成されている。薄膜トラジスタＴＦＴの
液晶との直接の接触を回避するためである。
【００３８】さらに、この保護膜ＰＳＶの上面には画素
電極ＰＸとフローティングされた導電層ＦＣＴとが、た
とえばＩＴＯからなる透明な導電膜によって形成されて
いる。
【００３９】すなわち、画素電極ＰＸは、前記対向電極
ＣＴ上に重畳されて、この実施例では３本形成され、そ
れぞれ図中ｙ方向に延在しｘ方向に等間隔に並設されて
形成されている。そして、それらの両端はそれぞれｘ方
向に延在する同材料層で互いに接続されるようになって
いる。
【００４０】この場合、下端の同材料層は前記保護膜Ｐ
ＳＶに形成されたコンタクト孔を通して前記薄膜トラン
ジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１のコンタクト部と接続
されるようになっており、また、上端の同材料層は前記
対向電圧信号線ＣＬと重畳されて前記絶縁膜および保護
膜を誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるよう
になっている。
【００４１】この容量素子Ｃｓｔｇは、薄膜トランジス
タＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が
画素電極ＰＸに印加された後に、該薄膜トランジスタＴ
ＦＴがオフとなっても該映像信号が画素電極ＰＸに比較
的長く蓄積される等のために設けられたものとなってい
る。
【００４２】そして、各画素電極ＰＸの間には、ｙ方向
に延在して配置される導電層ＦＣＴが他のいずれの電極
とも接続されることなく形成されている。すなわち、こ
の導電層ＦＣＴは信号（電圧）が印加される構成とはな
っておらず、フローティングされた状態で形成されるよ
うになっている。
【００４３】この導電層ＦＣＴは、たとえばＩＴＯ膜か
ら構成され、対向電極ＣＴの一部として機能するように
なっている。
【００４４】すなわち、図２に示すように、導電層ＦＣ
Ｔは前記対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間で容量結合
されるため、画素電極ＰＸと導電層ＦＣＴとの間におい
ても電界が発生するようになり、この電界は透明基板Ｓ
ＵＢ１と平行な成分を有するようになる。
【００４５】これにより、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
との間に発生していた電界の一部は画素電極ＰＸと導電
層ＦＣＴとの間に発生する電界に振り分けられるように
なり、結果として、全体の電界の分布は液晶に近い側に
移行させることができるようになる。
【００４６】このことは、駆動電圧を一定とした場合に
液晶の光透過率の制御のための電界を効率化でき、ま
た、液晶の光透過率の制御のために電界が充分である場
合には駆動電圧を低減できるという効果を奏するように
なる。
【００４７】したがって、この導電層ＦＣＴは、対向電
極ＣＴよりも上層に、すなわち液晶に近い側に形成する
ことによって、その効果を増大させることができるよう
になる。
【００４８】また、導電層ＦＣＴの電位は、対向電極Ｃ
Ｔと隣合う画素電極ＰＸとの容量分圧値により決定さ
れ、導電層ＦＣＴの電位が対向電極ＣＴに近くなり、画
素の容量Ｃｔが保持容量Ｃｓｔｇに比べて低減されるよ
うになる。
【００４９】このことから、本実施例では導電層ＦＣＴ
を画素電極ＰＸと同層に形成したものであるが、これら
を層を異にして形成し、画素電極を下層に導電層ＦＣＴ
を上層にしてもよいことはいうまでもない。
【００５０】そして、このように画素電極ＰＸおよび対
向電極ＦＣＴが形成された透明基板の表面には該画素電
極ＰＸおよび対向電極ＦＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ１
が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に
接触する膜で該液晶の初期配向方向を決定づけるものと
なっている。
【００５１】《フィルタ基板》このように構成された透
明基板はＴＦＴ基板と称され、このＴＦＴ基板と液晶を
介して対向配置される透明基板はフィルタ基板と称され
ている。
【００５２】フィルタ基板は、図２に示すように、その
液晶ＬＣ側の面に、まず、各画素領域を画するようにし
てブラックスマトリックスＢＭが形成され、このブラッ
クスマトリックスＢＭの実質的な画素領域を決定する開
口部にはそれを被ってフィルタが形成されるようになっ
ている。
【００５３】そして、ブラックスマトリックスＢＭおよ
びフィルタを被ってたとえば樹脂膜からなるオーバーコ
ート膜ＯＣが形成され、このオーバーコート膜ＯＣの上
面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００５４】《液晶表示パネルの全体構成》図５は、マ
トリックス状に配置された各画素領域の集合によって構
成される表示領域ＡＲを示す液晶表示パネルの全体構成
図である。
【００５５】透明基板ＳＵＢ２は、透明基板ＳＵＢ１に
対して若干小さく形成され、その図中右側辺および下側
辺は透明基板ＳＵＢ１の対応する辺とそれぞれほぼ面一
となるように配置されるようなっている。
【００５６】これにより、透明基板ＳＵＢ１の図中左側
辺および上側辺は透明基板ＳＵＢ２によって被われない
領域が形成され、この領域において、それぞれ、各ゲー
ト信号線ＧＬに走査信号を供給するためのゲート信号端
子Ｔｇ、各ドレイン信号線ＤＬに映像信号を供給するた
めのドレイン信号端子Ｔｄが形成されるようになってい
る。
【００５７】透明基板ＳＵＢ２の透明基板ＳＵＢ１に対
する固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシ
ール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬは各透明
基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に液晶ＬＣを封入するため
の封入材としての機能をも有している。
【００５８】図６は、各透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の
間に介在される液晶ＬＣはシール材ＳＬよって封入され
ていることを示している。
【００５９】なお、このシール材ＳＬの一部（図５中右
側）には液晶封入口ＩＮＪがあり、この液晶封入口ＩＮ
Ｊは、ここから液晶を封入した後は、図示しない液晶封
止剤によって封止されるようになっている。
【００６０】《ゲート信号端子》図７は、各ゲート信号
線に走査信号を供給するためのゲート信号端子ＧＴＭを
示した構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００６１】まず、透明基板ＳＵＢ１上にたとえばＩＴ
Ｏ膜ＩＴＯ１からなるゲート信号端子ＧＴＭが形成され
ている。このゲート信号端子ＧＴは対向電極ＣＴと同時
に形成されるようになっている。
【００６２】ゲート信号端子ＧＴＭの材料としてＩＴＯ
膜ＩＴＯ１を用いたのは電食の発生を困難にするためで
ある。
【００６３】そして、このゲート信号端子ＧＴＭには、
そのゲート信号線ＧＬ側の端部においてゲート信号線Ｇ
Ｌが被うようにして形成されている。
【００６４】さらに、これらゲート信号端子ＧＴＭおよ
びゲート信号線ＧＬを被って絶縁膜ＧＩおよび保護膜Ｐ
ＳＶが順次積層され、これら保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜
ＧＩに設けた開口によって、ゲート信号端子ＧＴＭの一
部が露呈されるようになっている。
【００６５】なお、前記絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶ
は、表示領域ＡＲにおけるそれらの延在部分として形成
されるものである。
【００６６】《ドイレン信号端子》図８は、ドレイン信
号線ＤＬに映像信号を供給するためのドレイン信号端子
ＤＴＭを示した構成図で、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００６７】まず、透明基板ＳＵＢ１上に形成されるド
レイン信号端子ＤＴＭは、電食に対して信頼性のあるＩ
ＴＯ膜ＩＴＯ１から構成され、このＩＴＯ膜ＩＴＯ１は
対向電極ＣＴと同時に形成されるようになっている。
【００６８】そして、このドレイン信号端子ＤＴＭは、
絶縁膜ＧＩ上に形成されるドレイン信号線ＤＬと接続さ
れることになるが、該絶縁膜ＧＩにコンタクト孔を形成
して接続させようとする場合に以下のような不都合が発
生する。
【００６９】すなわち、ＩＴＯ膜上に形成されたＳｉＮ
からなる絶縁膜ＧＩは、該ＩＴＯ膜と接触する部分にお
いて白濁が生じ、その部分にコンタクト孔を形成した場
合に該孔は逆テーパ状に形成され、ドレイン信号線ＤＬ
の接続に不良が生じる可能性を残すことになる。
【００７０】このため、同図に示すように、ドレイン信
号端子ＤＴＭの端部に重畳させてたとえばＣｒからなる
金属層ｇｌを形成し、この金属層ｇｌ上の絶縁膜ＧＩに
コンタクト孔を形成するようにしている。
【００７１】そして、このコンタクト孔の形成は、該絶
縁膜ＧＩの上に保護膜ＰＳＶを形成した後に行なうこと
によって製造工数の低減を図っていることから、該保護
膜ＰＳＶに形成したコンタクト孔を通し、画素電極ＰＸ
と同時に形成されるＩＴＯ膜ＩＴＯ２によってドレイン
信号線ＤＬと前記金属層ｇｌとの接続を行っている。
【００７２】ここで、前記金属層ｇｌはＣｒを用いた場
合を示したものであるが、ＡｌあるいはＡｌを含む材料
であってもよい。この場合、上述したようにＩＴＯ膜と
の接触面において酸化されやすいことから、たとえば該
金属層ｇｌをＴｉ／Ａｌ／Ｔｉというように、上下面の
それぞれに高融点金属層を設けた三層構造とすることに
よって良好な接続を図ることができるようになる。
【００７３】《対向電圧信号端子》図９は、対向電圧信
号線ＣＬに対向電圧信号を供給するための対向電圧信号
端子ＣＴＭを示した構成図で、同図（ａ）は平面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であ
る。
【００７４】透明基板ＳＵＢ１上に形成される対向電圧
信号端子ＣＴＭも、電食に対して信頼性のあるＩＴＯ膜
ＩＴＯ１から構成され、このＩＴＯ膜ＩＴＯ１は対向電
極ＣＴと同時に形成されるようになっている。
【００７５】そして、この対向電圧信号端子ＣＴＭに
は、その対向電圧信号線ＣＬ側の端部において該対向電
圧信号線ＣＬが被うようにして形成されている。
【００７６】さらに、これら信号線を被って、表示領域
ＡＲにおけるそれらの延在部分として形成される絶縁膜
ＧＩおよび保護膜ＰＳＶが順次積層され、これら保護膜
ＰＳＶおよび絶縁膜ＧＩに設けた開口によって、対向電
圧信号端子ＣＴＭの一部が露呈されるようになってい
る。
【００７７】《等価回路》図１０は、液晶表示パネルの
等価回路を該液晶表示パネルの外付け回路とともに示し
た図である。
【００７８】図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設される
各ゲート信号線ＧＬには垂直走査回路Ｖによって順次走
査信号（電圧信号）が供給されるようになっている。
【００７９】走査信号が供給されたゲート信号線ＧＬに
沿って配置される各画素領域の薄膜トランジスタＴＦＴ
は該走査信号によってオンするようになっている。
【００８０】そして、このタイミングにあわせて映像信
号駆動回路Ｈから各ドレイン信号線ＤＬに映像信号が供
給されるようになっており、この映像信号は各画素領域
の該薄膜トランジスタを介して画素電極に印加されるよ
うになっている。
【００８１】各画素領域において、画素電極とともに形
成されている対向電極ＣＴには対向電圧信号線ＣＬを介
して対向電圧が印加されており、それらの間に電界を発
生させるようになっている。
【００８２】そして、この電界のうち透明基板と平行な
成分を有する電界（横電界）によって液晶の光透過率を
制御するようになっている。
【００８３】なお、同図において各画素領域に示した
Ｒ、Ｇ、Ｂの各符号は、各画素領域にそれぞれ赤色用フ
ィルタ、緑色用フィルタ、青色用フィルタが形成されて
いることを示している。
【００８４】《画素表示のタイミングチャート》図１１
は、液晶表示パネルに供給する各信号のタイミングチャ
ートを示すもので、図中、ＶＧはゲート信号線ＧＬに供
給する走査信号を、ＶＤはドレイン信号線に供給する映
像信号を、また、ＶＣは対向電圧信号線ＣＴに供給する
対向電圧信号を示している。
【００８５】対向電圧信号ＶＣの電位を一定にした一般
的なライン反転（ドッド反転）を示す駆動波形図であ
る。
【００８６】《液晶表示パネルモジュール》図１２は、
図５に示した液晶表示パネルに外付け回路を実装したモ
ジュール構造を示した平面図である。
【００８７】同図において、液晶表示パネルＰＮＬの周
辺には、垂直走査回路Ｖ、映像信号駆動回路、および電
源回路基板ＰＣＢ２が接続されている。
【００８８】垂直走査回路Ｖは、複数のフィルムキャリ
ア方式で形成された駆動ＩＣチップから構成され、その
出力バンプは液晶表示パネルのゲート信号端子ＧＴＭに
接続され、入力バンプはフレキシブル基板上の端子に接
続されている。
【００８９】映像信号駆動回路も、同様に、複数のフィ
ルムキャリア方式で形成された駆動ＩＣチップから構成
され、その出力バンプは液晶表示パネルのドレイン信号
端子ＤＧＴＭに接続され、入力バンプはフレキシブル基
板上の端子に接続されている。
【００９０】電源回路基板ＰＣＢ２はフラットケーブル
ＦＣを介して映像信号駆動回路Ｈに接続され、この映像
信号駆動回路ＨはフラットケーブルＦＣを介して垂直走
査回路Ｖに接続されている。
【００９１】なお、本発明では、このようなものに限定
されることはなく、各回路を構成する半導体チップを透
明基板ＳＵＢ１に直接搭載し、その入出力バンプのそれ
ぞれを該透明基板ＳＵＢ１に形成された端子（あるいは
配線層）に接続させるいわゆるＣＯＧ（Chip On Glas
s）方式にも適用できることはいうまでもない。
【００９２】《製造方法》図１３および図１４は上述し
たＴＦＴ基板の製造方法の一実施例を示す工程図であ
る。
【００９３】この製造は（Ａ）ないし（Ｆ）までのフォ
ト工程を経て完成され、図中左側は画素領域を、図中右
側はドレイン信号端子形成領域を示している。以下、工
程順に説明する。
【００９４】工程（Ａ） 透明基板ＳＵＢ１を用意し、その表面の全域にたとえば
スパッタリングによってＩＴＯ膜を形成する。そして、
フォトリソグラフィ技術を用いて該ＩＴＯ膜を選択エッ
チングし、画素領域には対向電極ＣＴを、またドレイン
信号端子形成領域にはドレイン信号端子ＤＴＭを形成す
る。
【００９５】工程（Ｂ） 透明基板ＳＵＢ１の表面の全域にＣｒ膜を形成する。そ
して、フォトリソグラフィ技術を用いて該Ｃｒ膜を選択
エッチングし、画素領域にはゲート信号線ＧＬおよび対
向電圧信号線ＣＬを、またドレイン信号端子形成領域に
は中間接続体となる導電層ｇ１を形成する。
【００９６】工程（Ｃ） 透明基板ＳＵＢ１の表面の全域にたとえばＣＶＤ法によ
ってＳｉＮ膜を形成し絶縁膜ＧＩを形成する。さらに、
この絶縁膜ＧＩの表面の全域にたとえばＣＶＤ法によっ
てａ−Ｓｉ層、ｎ型不純物がドーピングされたａ−Ｓｉ
層を順次形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を
用いて該ａ−Ｓｉ層を選択エッチングし、画素領域に薄
膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＡＳを形成する。
【００９７】工程（Ｄ） 透明基板ＳＵＢ１の表面の全域に、たとえばスパッタリ
ング法によってＣｒ膜を形成し、フォトリソグラフィ技
術を用いて該Ｃｒ膜を選択エッチングし、画素領域にド
レイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電
極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２を、またドレイン信
号端子形成領域に該ドレイン信号線ＤＬの延在部を形成
する。
【００９８】工程（Ｅ） 透明基板ＳＵＢ１の表面の全域に、たとえばＣＶＤ法に
よってＳｉＮ膜を形成し保護膜ＰＳＶを形成する。そし
て、フォトリソグラフィ技術を用いて該保護膜ＰＳＶを
選択エッチングし、画素領域に薄膜トランジスタＴＦＴ
のドレイン電極ＳＤ２の一部を露呈させるコンタクト孔
を形成するともとに、ドレイン信号端子形成領域には該
保護膜ＰＳＶの下層の絶縁膜ＧＩにまで貫通させて前記
導電層ｇ１の一部を露呈させるコンタクト孔を形成す
る。
【００９９】工程（Ｆ） 透明基板ＳＵＢ１の表面の全域にたとえばスパッタリン
グ法によってＩＴＯ膜ＩＴＯ２を形成する。そして、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて該ＩＴＯ膜を選択エッチ
ングし、画素領域に前記コンタクト孔を通して薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２と接続された画素
電極ＰＸ、およびフローティングされた導電層ＦＣＴを
形成するとともに、ドレイン信号端子形成領域にはドレ
イン信号線ＤＬと前記導電層ｇ１との接続を図る接続体
層を形成する。
【０１００】〔実施例２〕 《画素の構成》図１５は、本発明による液晶表示装置の
他の実施例を示す平面図で、同図における１６−１６線
における断面図、１７−１７線における断面図、１８−
１８線における断面図を、それぞれ図１６、図１７、図
１８に示している。
【０１０１】実施例１に示した図（図１、図２、図３、
図４）と対応しており、それと同符号のものは同一の材
料を示している。
【０１０２】実施例１と異なる構成は、まず、透明電極
からなる対向電極ＣＴが絶縁膜ＧＩ上に形成され、ドレ
イン信号線ＤＬと同層になっている。
【０１０３】このことは、対向電極ＣＴはゲート信号線
ＧＬと異なった層として形成されていることを意味す
る。
【０１０４】そして、該対向電極ＣＴのドレイン信号線
ＤＬと近接する辺部に設けられる導電膜ＦＧＴは、ゲー
ト信号線ＧＬと同層に設けられており、該対向電極ＣＴ
とは電気的に接続されていない状態で形成されている。
【０１０５】このため導電膜ＦＧＴは、実施例１のよう
に、対向電圧信号線ＣＬの一部として機能することはな
く、専ら、ドレイン信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの間に
ノイズとして発生する電界による液晶の光漏れ等を遮光
する遮光材として機能するようになる。
【０１０６】このように構成した場合、ドレイン信号線
ＤＬと対向電極ＣＴとの間隔を狭めることができて開口
率を向上させることができる効果を有する。
【０１０７】しかし、該導電膜ＦＧＴはこのように形成
することなく、対向電極ＣＴと同層に形成し、該対向電
極ＣＴのドイレン信号線ＤＬと近接する辺部に一部接続
させて形成してもよいことはもちろんである。
【０１０８】そして、各画素領域のうちドレイン信号線
ＤＬに沿って（ゲート信号線ＧＬに直交する方向に）配
置される各画素領域の対向電極ＣＴは、互いに接続され
て構成されている。
【０１０９】すなわち、各画素領域の対向電極ＣＴは、
ゲート信号線ＧＬが形成されている領域を股いで一体的
に形成されている。換言すれば、ドレイン信号線ＤＬに
沿って配置される各画素領域の対向電極ＣＴは該ドレイ
ン信号線ＤＬに沿って帯状に形成されている。
【０１１０】この対向電極ＣＴはゲート信号線ＧＬと異
なる層で形成されており、このゲート信号線ＧＬに接続
されることなく形成できるからである。
【０１１１】このように帯状に形成された対向電極Ｃは
画素領域の集合体として形成される表示領域の外側から
対向電圧信号が供給されるようにすれば、実施例１に示
した対向電圧信号線ＣＬを形成せずに済むという効果を
奏する。
【０１１２】なお、上述した実施例では、各画素領域の
うちドレイン信号線ＤＬに沿って配置される各画素領域
の対向電極ＣＴを共通に構成したものである。しかし、
ゲート信号線ＧＬに沿って配置される各画素領域の対向
電極ＣＴを共通に構成するようにしてもよいことはいう
までもない。
【０１１３】この場合、対向電極ＣＴはドレイン線ＤＬ
と異なる層で構成されていることが必要となり、たとえ
ば実施例１の構成において適用できる。
【０１１４】なお、この実施例では、画素電極ＰＸおよ
びフローティングされた導電層ＦＣＴを、それぞれゲー
ト信号線ＧＬにより近接させて、あるいは、さらに該ゲ
ート信号線ＧＬ上に重畳させた状態にまで延在させる
（図１５参照）ことによって、該ゲート信号線Ｇｌの近
傍においても画素領域としての機能を拡大させることが
できるようになる。
【０１１５】このことは、ゲート信号線ＧＬの近傍にお
いて、該ゲート信号線ＧＬそれ自体にブラックマトリッ
クスとしての機能をもたせるだけで充分となり（換言す
れば、ゲート信号線ＧＬとその近傍を被うブラックマト
リックスを必要としない）、開口率の大幅な向上が図れ
るという効果を奏する。
【０１１６】《製造方法》図１９および図２０は上述し
た実施例で示した液晶表示装置の製造方法の一実施例を
示した工程図であり、図１３および図１４と対応した図
となっている。
【０１１７】実施例１の場合と比較して、対向電極ＣＴ
が絶縁膜ＧＩの上面に形成され、この対向電極ＣＴ上に
保護膜ＰＳＶを介して画素電極ＰＸが形成されている構
成の相違に対応させて、製造工程に相違を有するように
なっている。
【０１１８】〔実施例３〕図２１は本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す平面図で図１５に対応した図
となっている。この図２１の２２−２２線における断面
図を図２２に示している。
【０１１９】同図において、図１５と同一の符号は同一
の材料を示している。図１５の構成と異なる部分は、ま
ず、ドレイン信号線ＤＬに沿って配置される各画素領域
内を該ドレイン信号線ＤＬとほぼ平行に走行する対向電
圧信号線ＣＬが形成されていることにある。
【０１２０】この対向電圧信号線ＣＬは、対向電極ＣＴ
の直下に（あるいは直上であってもよい）に形成され、
換言すれば該対向電極ＣＴに接続されて形成され、対向
電極ＣＴのそれ自体の電気的抵抗を低減させる機能をも
たせている。
【０１２１】この対向電圧信号線ＣＬはたとえばドレイ
ン信号線ＤＬと同時に形成され、該ドレイン信号線ＤＬ
と同一の材料からなっている。このことから、該対向電
圧信号線ＣＬは、対向電極ＣＴを構成するＩＴＯよりも
電気的抵抗の小さな導電層から構成されている。
【０１２２】そして、この対向電圧信号線ＣＬは、画素
領域をほぼ２等分するようにしてその中央を走行するよ
うになっている。その両脇に存在するドレイン信号線Ｄ
Ｌとの短絡を確実に回避できるように形成できるからで
ある。
【０１２３】さらに、この対向電圧信号線ＣＬは、図中
ｙ方向に延在して形成される画素電極ＰＸのうちの一つ
と重畳されて形成されている。
【０１２４】画素電極ＰＸの形成されている部分は対向
電極ＣＴとともに光透過率が低減される部分となってい
ることから、この部分に対向電圧信号線ＣＬを位置づけ
させることによって、光透過率の低減を最小限に抑えよ
うとする趣旨である。
【０１２５】そして、この実施例では、ドレイン信号線
ＤＬの上面にＩＴＯ膜ＩＴＯ１が積層されて形成され、
該ドレイン信号線ＤＬが断線されて形成された場合でも
該ＩＴＯ膜ＩＴＯ１によって該断線を修復できる構成と
なっている。
【０１２６】このＩＴＯ膜ＩＴＯ１は、対向電極ＣＴの
形成の際に同時に形成できるので、製造工数の増大を回
避できる効果を奏する。
【０１２７】〔実施例４〕図２３は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、その２４−２４
線における断面図、２５−２５線における断面図、２６
−２６線における断面図を、それぞれ図２４、図２５、
図２６に示している。図２３は図１に対応した図となっ
ており、同一の符号は同一の材料を示している。
【０１２８】図２３において、図１と異なる構成は、画
素電極ＰＸおよびフローティングされた導電層ＦＣＴが
絶縁膜ＧＩ上に形成され、対向電極ＣＴとはこの絶縁膜
ＧＩを介して配置されている。すなわち、液晶側の画素
電極ＰＸおよび導電層ＦＣＴは保護膜ＰＶＳ（および配
向膜ＯＲＩ１）を介して配置されている。
【０１２９】このようにした場合、液晶ＬＣ中への電気
力線が保護膜ＰＶＳによる分圧効果によって増大され、
該液晶ＬＣの材料として低抵抗のものを選択でき、結果
として残像の少ない表示を得る効果を奏する。
【０１３０】また、このようにした場合、図２５に示す
ように、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と
画素電極ＰＸとの接続を直接行なうことができるので、
たとえば保護膜ＰＳＶ等に形成したコンタクト孔を通し
て行なう煩雑さを解消することができる。
【０１３１】〔実施例５〕図２７は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、その２８−２８
線における断面図、２９−２９線における断面図、３０
−３０線における断面図を、それぞれ図２８、図２９、
図３０に示している。図２７は図１に対応した図となっ
ており、同一の符号は同一の材料を示している。
【０１３２】図２７において、図１と異なる構成は、ま
ず、絶縁層を介して画素電極ＰＸは下層に位置づけら
れ、対向電極ＣＴは上層に位置づけられている。
【０１３３】すなわち、図２８に示すように、絶縁膜Ｇ
Ｉの上面に第１保護膜ＰＳＶ１が形成され、この第１保
護膜ＰＳＶ１上にたとえばＩＴＯ膜によって画素電極Ｐ
Ｘが形成されている。
【０１３４】この画素電極ＰＸは画素領域の周辺を除く
大部分の領域に形成された透明からなる電極で、第１保
護膜ＰＳＶ１の下層に形成される薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのソース電極とコンタクト孔を通して接続されてい
る。
【０１３５】そして、このように形成された画素電極Ｐ
Ｘをも被って第２保護膜ＰＳＶ２が形成され、この第２
保護膜ＰＳＶ２の上面に対向電極ＣＴおよびフローティ
ングされた導電層ＦＴＣが形成されている。
【０１３６】このうち対向電極ＣＴは、前記画素電極Ｐ
Ｘに重畳される領域に図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設
される複数の帯状の電極として形成されるが、それらの
両端部は各対向電極ＣＴの間の領域を除く他の全ての領
域に該各対向電極ＣＴと一体的に形成された導電膜と接
続されて形成されている。
【０１３７】換言すれば、対向電極ＣＴは、少なくとも
表示領域の全域を被うようにして形成された導電膜（Ｉ
ＴＯ）のうち、前記画素電極ＰＸに重畳される領域内の
導電膜に、前記導電層ＦＴＣの形成領域の周囲をくり抜
く開口を形成することによって、形成されるようになっ
ている。
【０１３８】このように、少なくとも表示領域を被うよ
うにして形成された導電膜（ＩＴＯ）に開口を設けるこ
とによって対向電極ＣＴおよび導電層ＦＴＣを形成する
ことによって、これら対向電極ＣＴおよび導電層ＦＴＣ
として機能する導電膜以外の他の導電膜は対向電圧信号
線ＣＬとして利用でき、このようにした場合、導電膜全
体の電気抵抗を大幅に低減できるという効果を奏するよ
うになる。
【０１３９】また、対向電極ＣＴおよび導電層ＦＴＣと
して機能する導電膜以外の他の導電膜は、ゲート信号線
ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬを被った状態で形成でき
ることになる。
【０１４０】このことは、対向電極ＣＴおよび導電層Ｆ
ＴＣとして機能する導電膜以外の他の導電膜は従来のブ
ラックマトリクス層としての機能をもたせることができ
ることを意味する。
【０１４１】液晶の光透過率を制御する透明基板ＳＵＢ
１と平行な成分をもつ電界（横電界）は、対向電極ＣＴ
として機能する導電層（導電層ＦＴＣも含む）と画素電
極ＰＸの間において発生し、それ以外の部分では該横電
界が発生し得ないからである。
【０１４２】このため、図２８に示すように、透明基板
ＳＵＢ２側にはブラックマトリクス層を形成する必要が
なくなり、製造の工数の低減が図れるという効果を奏す
るようになる。
【０１４３】なお、この場合、液晶として、電界が印加
されない状態で黒表示ができるいわゆるノーマリブラッ
クのものを用いることによって、前記導電層のブラック
マトリックスとしての機能を強化することができるよう
になる。
【０１４４】また、ゲート信号線ＧＬあるいはドレイン
信号線ＤＬは、前記導電膜との間で容量を発生せしめる
ことは否めなくなる。このことから、それらの間に介在
される第１保護膜ＰＳＶ１および第２保護膜ＰＳＶ２の
うちたとえば第２保護膜ＰＳＶ２を塗布で形成できる樹
脂膜で構成し、この樹脂膜の膜厚を比較的大きく形成す
ることによって該容量を小さくすることができる。
【０１４５】〔実施例６〕図３１は本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す平面図であり、その３２−３
２線における断面図を図３２に示している。同図は実施
例５と比較してさらに改良された構成を示すもので、図
２７ないし図３０と同符号のものは同一材料を示してい
る。
【０１４６】実施例５の場合と異なる構成は、まず、画
素電極ＰＸは絶縁膜ＧＩ上に形成され、対向電極ＣＴは
該画素電極ＰＸ上に形成された第１保護膜ＰＳＶ１上に
形成されている。
【０１４７】すなわち、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは
第１保護膜ＰＳＶを介して層を異ならしめている。
【０１４８】そして、画素領域を除く他の領域には第２
保護膜ＰＳＶ２が形成されている。この第２保護膜ＰＳ
Ｖ２は、たとえば少なくとも表示領域の全域に該第２保
護膜ＰＳＶ２を形成した後に、画素領域に相当する部分
を選択エッチングすることによって形成される。
【０１４９】さらに、残存された第２保護膜ＰＳＶ２の
表面には導電膜が形成されている。この導電層は対向電
極ＣＴと一体に形成され、実施例５の場合と同様に、少
なくとも表示領域の全域に導電膜を形成した後に、画素
電極ＰＸに重畳される領域内の導電膜に、導電層ＦＴＣ
の形成領域の周囲をくり抜く開口を形成することによっ
て対向電極ＣＴが形成されるようになっている。
【０１５０】このように構成された液晶表示装置は、ゲ
ート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬと前記導電
層との間に第１保護膜ＰＳＶ１および第２保護膜ＰＳＶ
２を介在させることによってそれらの間に発生させる容
量を小さくできるとともに、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔとの間に第１保護膜ＰＳＶ１を介在させることによっ
てそれらの間の電界を液晶ＬＣ側へ強く発生させること
ができる効果を奏する。
【０１５１】〔上記各実施例の特性比較〕図３５は、上
記実施例１、実施例２、実施例４、実施例５、および実
施例６の各構成における印加電圧に対する透過率の特性
を示したグラフを示している。
【０１５２】ここで、各実施例の液晶表示装置は、いわ
ゆる１５形ＸＧＡ規定のもので、ゲート信号線ＧＬの幅
を１０μｍ、ドイレン信号線ＤＬの幅を８μｍとしたも
のを対象としている。
【０１５３】同図では、比較のため、上記各実施例の他
に、ＴＮ型のＴＦＴ−ＬＣＤおよびＩＰＳ型のＴＦＴ−
ＬＣＤの特性をも示している。
【０１５４】同図から、実施例１においてはその開口率
が６０％、実施例２においてはその開口率が７０％、実
施例４においてはその開口率が５０％、実施例５および
６においてはその開口率が８０％になることが確認され
る。
【０１５５】ここで、実施例５および６の場合に開口率
が特に高いのは従来用いられていたブラックマトリック
スを不要とした構成としたことによる。
【０１５６】また、実施例６の場合、実施例５と比較し
て駆動電圧を低くできるのは、画素領域において第２保
護膜ＰＳＶ２が形成されていない構成となっていること
による。
【０１５７】〔実施例７〕図３６は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示した平面図で、上述した各実
施例をいわゆるマルチドメンイン方式の液晶表示装置に
適用した場合を示したものである。
【０１５８】ここで、マルチドメイン方式とは、液晶の
広がり方向に発生する電界（横電界）において、各画素
領域内に該横電界の方向が異なる領域を形成するように
し、各領域の液晶の分子の捩じれ方向を逆にすることに
より、たとえば表示領域を左右からそれぞれ観た場合に
生じる着色差を相殺させる効果を奏するようになる。
【０１５９】図３６は、たとえば図１に対応した図とな
っており、一方向に延在しそれと交差する方向に並設さ
せた帯状の各画素電極ＰＸを、前記一方向に対して角度
θ（Ｐ型液晶で、配向膜のラビング方向をドレイン信号
線の方向と一致づけた場合、５〜４０°が適当）に傾け
て延在された後に角度（−２θ）に屈曲させて延在させ
ることを繰り返してジグザグ状に形成したものとなって
いる。
【０１６０】そして、フローティングされた導電層ＦＴ
Ｃも画素電極ＰＸと同様の形状とすることによって、こ
れらはジグザグ状に形成されていても平行に配置された
関係となっている。
【０１６１】この場合、対向電極ＣＴは画素領域の周辺
を除く領域に形成され、この対向電極ＣＴに上述した構
成の各画素電極ＰＸおよび導電層ＦＴＣが重畳するよう
に配置させるだけで、マルチドメイン方式の効果を奏す
ることができる。
【０１６２】そして、特に、画素電極ＰＸの屈曲部にお
いて対向電極ＣＴとの間に発生する電界は、画素電極Ｐ
Ｘの他の部分において対向電極ＣＴとの間に発生する電
界と全く異なることなく発生することが確かめられて
る。従来はいわゆるディスクリネーション領域と称さ
れ、液晶の分子の捩じれの方向がランダムになって不透
過部が発生していた。
【０１６３】このため、画素電極ＰＸの屈曲部の近傍に
おいて光透過率の低下というような不都合が生じないと
いう効果を奏する。
【０１６４】なお、この実施例では、画素電極ＰＸは図
中ｙ方向に延在させて形成したものであるが、図中ｘ方
向に延在させるようにし、それに屈曲部を設けてマルチ
ドメイン方式の効果を得るようにしてもよい。
【０１６５】また、この実施例では、画素電極ＰＸに屈
曲部を設けてマルチドメイン方式の効果を得るようにし
たものである。
【０１６６】しかし、画素電極ＰＸを少なくとも画素領
域の周辺を除く全域に形成し、たとえば図２８に示した
ように、対向電極ＣＴを一方向に延在させその方向に交
差する方向に並設させた構成のものにあっては、該対向
電極に屈曲部を設けてマルチドメイン方式の効果を得る
ようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１６７】〔実施例８〕図３７は本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す平面図であり、その３８−３
８線における断面図を図３８に示している。同図は実施
例１と比較してさらに改良された構成を示すもので、図
１ないし図２と同符号のものは同一材料を示している。
【０１６８】実施例１の場合と異なる構成は、まず、対
向電極として機能する導電層ＦＣＴが対向電圧信号線Ｃ
Ｌと画素電極ＰＸとの間のフローティングされた導電層
として構成されるようになっている。
【０１６９】すなわち、図３８に示すように、この導電
層ＦＣＴは、対向電圧信号線ＣＬやゲート信号線ＧＬと
同一レイヤの下部に形成された下地絶縁膜ＵＩのさらに
下部に形成されている。
【０１７０】ＩＴＯのような透明導電層で構成された導
電層ＦＣＴは、図３７に示すように、その周辺部を下地
絶縁膜ＵＩを介して対向電圧信号線ＣＬで重ねられてい
る。
【０１７１】これにより、フローティング状態ながら、
下地絶縁膜ＵＩの厚さを調整することにより、導電層Ｆ
ＣＴの電位は対向電圧信号線ＣＬの電位に近くなり、対
向電極の役割を果たし、液晶表示の透過率制御ができる
ようになる。
【０１７２】このような構成にすることにより、実施例
１では対向電極ＣＴと画素電極の重なり面積が大きいこ
とで、これらの間に一定の確率で発生する短絡不良を低
減させることができるようになる。
【０１７３】また、図３８に示すように、薄膜トランジ
スタＴＦＴの駆動すべき容量が対向電圧信号線ＣＬとフ
ローティングされた対向電極ＦＣＴの容量Ｃｔと該対向
電極ＦＣＴと各々の画素電極ＰＸの間の容量Ｃｓｔｇの
直並列構成となり低減させることができるようになる。
【０１７４】なお、上述した実施例では、画素電極ＰＸ
と対向電極ＣＴとにおいて、その一方がドレイン信号線
ＤＬおよびゲート信号線ＧＬによって囲まれた領域の少
なくともその周囲を除く中央部の領域の全域に透明電極
で形成し、この透明電極と重ねられるようにして他方の
電極を形成したものである。
【０１７５】しかし、前記一方の電極は他方の電極と重
ねられる領域に開口が設けられていてもよいし、また、
その開口の周辺部において該他方の電極と一部重ねられ
て形成してもよいことはいうまでもない。
【０１７６】このようにした場合でも、画素電極ＰＸと
対向電極ＣＴとの間に発生する電界（横電界）の分布に
変化がないからである。
【０１７７】また、上述した実施例では、画素電極ＰＸ
および対向電極において、そのいずれも透明な電極で構
成したものである。しかし、その一方において、不透明
な電極を用いてもよいことはもちろんである。
【０１７８】すなわち、ドレイン信号線ＤＬおよびゲー
ト信号線ＧＬによって囲まれた領域の少なくともその周
囲を除く中央部の領域の全域に透明電極で対向電極を形
成した場合、この対向電極と重ねられるようにして不透
明な電極からなる画素電極を形成することが実施例とし
て揚げられる。
【０１７９】このようにしても、各実施例に示した技術
的効果に相違を有するようになるものではないからであ
る。
【０１８０】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、駆動電圧を小さく
でき、薄膜トランジスタの負荷容量を小さくできるよう
になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素領域の一実施
例を示す平面図である。
【図２】図１の２−２線における断面図である。
【図３】図１の３−３線における断面図である。
【図４】図１の４−４線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置に組み込まれる液晶
表示パネルの外観を示す平面図である。
【図６】液晶表示パネルの各透明基板を固定しかつ液晶
を封入されるシール材の構成を示す断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置のゲート信号端子の
一実施例を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置のドレイン信号端子
の一実施例を示す構成図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の対向電圧信号端子
の一実施例を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の駆動の一実施例
を示すタイミングチャートである。
【図１２】本発明による液晶表示装置において、その液
晶表示パネルに外部回路を接続させた場合の平面図であ
る。
【図１３】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す工程図で、図１４と組になる図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す工程図で、図１３と組になる図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図１６】図１５の１６−１６線における断面図であ
る。
【図１７】図１５の１７−１７線における断面図であ
る。
【図１８】図１５の１８−１８線における断面図であ
る。
【図１９】本発明による液晶表示装置の製造方法の他の
実施例を示す工程図で、図２０と組になる図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の製造方法の他の
実施例を示す工程図で、図１９と組になる図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図２２】図２１の２２−２２線における断面図であ
る。
【図２３】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図２４】図２３の２４−２４線における断面図であ
る。
【図２５】図２３の２５−２５線における断面図であ
る。
【図２６】図２３の２６−２６線における断面図であ
る。
【図２７】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図２８】図２７の２８−２８線における断面図であ
る。
【図２９】図２７の２９−２９線における断面図であ
る。
【図３０】図２７の３０−３０線における断面図であ
る。
【図３１】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図３２】図３１の３２−３２線における断面図であ
る。
【図３３】図３１の３３−３３線における断面図であ
る。
【図３４】図３１の３４−３４線における断面図であ
る。
【図３５】上述した各実施例の液晶表示装置の印加電圧
−透過率の特性を示すグラフである。
【図３６】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図３７】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の
実施例を示す平面図である。
【図３８】図３７の３８−３８線における断面図であ
る。
【符号の説明】
ＧＬ…ゲート信号線、ＧＩ…絶縁膜、ＤＬ…ドレイン信
号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…
対向電極、ＡＳ…半導体層、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＳＶ…保護膜、ＧＴＭ…ゲート信号端子、ＤＴＭ
…ドレイン信号端子、ＣＴＭ…対向電圧信号端子、ＩＴ
Ｏ…透明導電層、ＦＴＣ…フローティングされた導電
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 恒典 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 平方 純一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 仲吉 良彰 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA33 JA35 JA38 JA39 JA42 JA43 JA46 JB11 JB13 JB23 JB27 JB32 JB33 JB36 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB14 KB24 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA23 NA25 PA02 PA06 QA06 QA18 5C094 AA13 AA24 BA03 BA43 CA19 DA13 DA14 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 FB12

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
    基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、 層を異ならしめて配置される画素電極とこの画素電極と
    の間に透明基板と平行な成分をもつ電界を発生せしめる
    対向電極とを備え、 この画素電極と対向電極のうち、一方の電極は他方の電
    極よりも液晶に近い側の層として形成され、他方の電極
    は少なくとも該一方の電極の重畳される領域の周辺から
    外方へ延在する透明電極として形成されているととも
    に、 前記画素電極と対向電極との間で容量結合される導電層
    が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 容量結合される前記導電層は、他方の電
    極よりも液晶に近い側の層として形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 他方の電極は少なくとも画素領域の周辺
    を除く中央部の全域にわたって形成されていることを特
    徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 液晶を介して互いに対向配置される透明
    基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、 平面配置上少なくとも周辺を除く中央部の全域にわたっ
    て少なくとも一方の電極が透明からなる一対の電極がそ
    れぞれ層を異にして形成され、 他方の電極が前記一方の電極よりも液晶に近い側の電極
    として形成されているとともに、 フローティング電極が形成されていることを特徴とする
    液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 フローティング電極は前記他方の電極に
    隣接して前記一方の電極よりも液晶に近い側に形成され
    ていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装
    置。
  6. 【請求項６】 フローティング電極は他方の電極と層を
    同じにして形成されていることを特徴とする請求項４に
    記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 液晶を介して互いに対向配置される透明
    基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、 第１の電極と、 この第１の電極に対して絶縁膜を介して下層に形成され
    該第１の電極との間で透明基板に平行な成分を有する電
    界を発生せしめる第２の電極と、 前記第１の電極と隣接して配置され前記第２の電極に対
    して上層に形成された第３の電極とを備え、 前記第２の電極は第１の電極の周辺部であって少なくと
    も第１の電極と重畳しない領域に形成された透明電極か
    ら構成されているとともに、 前記第３の電極は電圧が印加されない電極として構成さ
    れていることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 第１の電極および第３の電極はそれぞれ
    透明電極からなることを特徴とする請求項７に記載の液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 液晶を介して互いに対向配置される透明
    基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、 絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成さ
    れ、これら各電極との間には透明基板に平行な成分を有
    する電界を発生せしめるとともに、 前記画素電極と対向電極のうち、一方の電極は他方の電
    極よりも液晶に近い層で形成されているとともに、他方
    の電極は一方の電極の周辺部であって少なくとも該一方
    の電極と重畳しない領域に形成された透明電極で構成さ
    れ、 かつ、前記一方の電極に隣接して前記他方の電極よりも
    液晶に近い層で形成されたフローティング電極が備えら
    れていることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 他方の電極は少なくとも画素領域の周
    辺を除く中央部の全域に形成され、一方の電極とフロー
    ティング電極はそれぞれ一方向に延在し該一方向と交差
    する方向に並設されて交互に配置されて形成されている
    ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
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