JPH112836A - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH112836A JPH112836A JP9151886A JP15188697A JPH112836A JP H112836 A JPH112836 A JP H112836A JP 9151886 A JP9151886 A JP 9151886A JP 15188697 A JP15188697 A JP 15188697A JP H112836 A JPH112836 A JP H112836A
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- electrodes
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板に対して支配的に平行な電界が印加される
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における縦
スミアの改善。 【解決手段】基板に対して支配的に平行な電界が印加さ
れる方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、信号配線の上部に絶縁膜を介して対向電極を形成
し、下部に他の電極に接続されていない浮遊電極を形成
し、基板面に対して垂直方向に重なり合う構造とする。
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置における縦
スミアの改善。 【解決手段】基板に対して支配的に平行な電界が印加さ
れる方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、信号配線の上部に絶縁膜を介して対向電極を形成
し、下部に他の電極に接続されていない浮遊電極を形成
し、基板面に対して垂直方向に重なり合う構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス液晶表示装置に係わり、特にＩＰＳ方式のアクティブ
マトリクス液晶表示装置に関する。
ス液晶表示装置に係わり、特にＩＰＳ方式のアクティブ
マトリクス液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代
表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の高画質、およびＣＲＴ
より低消費電力で省スペースといった点から、パソコン
やワークステーションなどのモニターとしても使用され
つつある。このようなモニター用途に適したＬＣＤの一
つとして、ＩＰＳ（in-Plane Switching）モードのアク
ティブマトリクス液晶表示装置がある。この液晶表示装
置の構成は同一基板上に走査配線，信号配線，共通配線
を配置し、２つの電極（画素電極と対向電極）を櫛歯状
に形成して、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほ
ぼ平行な方向としていることが特徴である。この方式に
おいては、櫛歯状電極が光を透過しないため、開口率が
低くなりがちであるという課題があるものの、従来の液
晶表示装置と比較して広視野角という特徴があり、直視
型モニター用途に最適である。
表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の高画質、およびＣＲＴ
より低消費電力で省スペースといった点から、パソコン
やワークステーションなどのモニターとしても使用され
つつある。このようなモニター用途に適したＬＣＤの一
つとして、ＩＰＳ（in-Plane Switching）モードのアク
ティブマトリクス液晶表示装置がある。この液晶表示装
置の構成は同一基板上に走査配線，信号配線，共通配線
を配置し、２つの電極（画素電極と対向電極）を櫛歯状
に形成して、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほ
ぼ平行な方向としていることが特徴である。この方式に
おいては、櫛歯状電極が光を透過しないため、開口率が
低くなりがちであるという課題があるものの、従来の液
晶表示装置と比較して広視野角という特徴があり、直視
型モニター用途に最適である。
【０００３】このＩＰＳモードの液晶表示装置の課題と
して、縦スミアという画質不良が発生しやすいことがあ
る。この画質不良は信号配線の電圧変化が画素電極と対
向電極の間の液晶に雑音として影響を及ぼしているのが
原因である。このことについてはEuro Display '９６
Ｐ４９のElectric Field Analysis in TFT-LCDs WithIn
-Plane Switching Mode of Nematic Lcsに詳しく記載さ
れている。
して、縦スミアという画質不良が発生しやすいことがあ
る。この画質不良は信号配線の電圧変化が画素電極と対
向電極の間の液晶に雑音として影響を及ぼしているのが
原因である。このことについてはEuro Display '９６
Ｐ４９のElectric Field Analysis in TFT-LCDs WithIn
-Plane Switching Mode of Nematic Lcsに詳しく記載さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマト
リクス液晶表示装置では、（１）信号配線の電位変化
と、（２）信号配線と対向電極の間隙部等の液晶印加電
圧が制御できない領域からの漏れ光の２つが縦スミアの
原因となっている。
リクス液晶表示装置では、（１）信号配線の電位変化
と、（２）信号配線と対向電極の間隙部等の液晶印加電
圧が制御できない領域からの漏れ光の２つが縦スミアの
原因となっている。
【０００５】それに対して、従来のＩＰＳモードを利用
したアクティブマトリクス液晶表示装置では、縦スミア
を抑制するための構造として、信号配線と画素電極の間
に対向電極を近接配置し、信号配線の電位変化を対向電
極でシールドしている。
したアクティブマトリクス液晶表示装置では、縦スミア
を抑制するための構造として、信号配線と画素電極の間
に対向電極を近接配置し、信号配線の電位変化を対向電
極でシールドしている。
【０００６】しかし、この配置の画素構造では、各電極
間隔や各電極幅を最適化することが非常に困難であり、
信号配線と対向電極の間隙部の液晶に印加される電界を
制御することができず、この間隙部の液晶は常に透過状
態となってしまう。この信号電極と対向電極の間隙部で
液晶からの光漏れが生じ、縦スミアが発生する。
間隔や各電極幅を最適化することが非常に困難であり、
信号配線と対向電極の間隙部の液晶に印加される電界を
制御することができず、この間隙部の液晶は常に透過状
態となってしまう。この信号電極と対向電極の間隙部で
液晶からの光漏れが生じ、縦スミアが発生する。
【０００７】本発明の目的は、縦スミアの無い高画質な
アクティブマトリクス液晶表示装置を提供することにあ
る。
アクティブマトリクス液晶表示装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
第１の構造として、少なくとも一方が透明な一対の基板
と、その一対の基板に挟持された液晶層とを有し、前記
一対の基板の一方には、複数の走査配線と、これらの走
査配線にマトリクス状に形成された複数の信号配線と、
これらの複数の信号配線と前記複数の走査配線とのそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数のアクティブ素子
と、それらのアクティブ素子に接続された複数の画素電
極と、前記複数の走査配線のそれぞれの間に形成された
複数の共通配線と、前記複数の共通配線に接続され、前
記複数の画素電極との間に、前記一対の基板に対して支
配的に平行な電界を生じるように形成された複数の対向
電極とを有する液晶表示装置において、前記複数の信号
配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に重畳す
るように前記複数の対向電極が配置され、前記複数の信
号配線の下方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に重畳
するように複数の浮遊電極が形成される構成が考えられ
る。
第１の構造として、少なくとも一方が透明な一対の基板
と、その一対の基板に挟持された液晶層とを有し、前記
一対の基板の一方には、複数の走査配線と、これらの走
査配線にマトリクス状に形成された複数の信号配線と、
これらの複数の信号配線と前記複数の走査配線とのそれ
ぞれの交点に対応して形成された複数のアクティブ素子
と、それらのアクティブ素子に接続された複数の画素電
極と、前記複数の走査配線のそれぞれの間に形成された
複数の共通配線と、前記複数の共通配線に接続され、前
記複数の画素電極との間に、前記一対の基板に対して支
配的に平行な電界を生じるように形成された複数の対向
電極とを有する液晶表示装置において、前記複数の信号
配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に重畳す
るように前記複数の対向電極が配置され、前記複数の信
号配線の下方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に重畳
するように複数の浮遊電極が形成される構成が考えられ
る。
【０００９】この構成にすると、信号配線を同一基板上
で、上下に挟み込むことができるので、信号配線と他の
電極で生じる電界を吸収することができ、それらによっ
て生じる縦スミアを抑制することができる。また、対向
電極，信号配線，浮遊電極をそれぞれの１つの電極で、
基板に対して垂直に形成しているので、従来よりも開口
率が向上する。
で、上下に挟み込むことができるので、信号配線と他の
電極で生じる電界を吸収することができ、それらによっ
て生じる縦スミアを抑制することができる。また、対向
電極，信号配線，浮遊電極をそれぞれの１つの電極で、
基板に対して垂直に形成しているので、従来よりも開口
率が向上する。
【００１０】さらに、前記複数の浮遊電極を他の電極に
接続しない構成にすると、他の電極と容量を形成しない
ので、信号配線に印加された信号を歪ませないようにす
ることができ、縦スミアを抑制できる。
接続しない構成にすると、他の電極と容量を形成しない
ので、信号配線に印加された信号を歪ませないようにす
ることができ、縦スミアを抑制できる。
【００１１】また、加える別の構造として、前記複数の
信号配線と前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数
の画素が構成され、走査配線方向に隣接する複数の画素
において、対応する対向電極を対応する共通電極とその
対応する共通電極と隣接する共通電極に交互に対向電極
が接続される構成を加えると、一本の共通電極の時間当
たりの全容量を減らすことができるので、走査配線の信
号遅延及び、電圧低下を防止することができ、しいて
は、縦スミアの発生を抑制することができる。
信号配線と前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数
の画素が構成され、走査配線方向に隣接する複数の画素
において、対応する対向電極を対応する共通電極とその
対応する共通電極と隣接する共通電極に交互に対向電極
が接続される構成を加えると、一本の共通電極の時間当
たりの全容量を減らすことができるので、走査配線の信
号遅延及び、電圧低下を防止することができ、しいて
は、縦スミアの発生を抑制することができる。
【００１２】また、上記の構成では、本来、遮光層を必
要としないが、マスク合わせ等のプロセスの裕度を考え
るとあった方がよいが、従来よりも小さくてよい。ま
た、その遮光層の比抵抗を１０8Ω・cm 以上１０14Ω・
cm以下とすると、下側基板の対向電極と浮遊電極で吸収
しきれなかった電界を吸収することができるようにな
る。
要としないが、マスク合わせ等のプロセスの裕度を考え
るとあった方がよいが、従来よりも小さくてよい。ま
た、その遮光層の比抵抗を１０8Ω・cm 以上１０14Ω・
cm以下とすると、下側基板の対向電極と浮遊電極で吸収
しきれなかった電界を吸収することができるようにな
る。
【００１３】また、第２の構成として、少なくとも一方
が透明な一対の基板と、その一対の基板に挟持された液
晶層とを有し、前記一対の基板の一方には、複数の走査
配線と、これらの走査配線にマトリクス状に形成された
複数の信号配線と、これらの複数の信号配線と前記複数
の走査配線とのそれぞれの交点に対応して形成された複
数のアクティブ素子と、それらのアクティブ素子に接続
された複数の画素電極と、前記複数の走査配線に接続さ
れ、前記複数の画素電極との間に、前記一対の基板に対
して支配的に平行な電界を生じるように形成された複数
の対向電極とを有する液晶表示装置において、前記複数
の信号配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に
重畳するように前記複数の対向電極が形成され、前記複
数の信号配線の下方に絶縁膜を介し、それらの信号配線
に重畳するように他の電極に接続されていない複数の浮
遊電極が形成される構成がある。
が透明な一対の基板と、その一対の基板に挟持された液
晶層とを有し、前記一対の基板の一方には、複数の走査
配線と、これらの走査配線にマトリクス状に形成された
複数の信号配線と、これらの複数の信号配線と前記複数
の走査配線とのそれぞれの交点に対応して形成された複
数のアクティブ素子と、それらのアクティブ素子に接続
された複数の画素電極と、前記複数の走査配線に接続さ
れ、前記複数の画素電極との間に、前記一対の基板に対
して支配的に平行な電界を生じるように形成された複数
の対向電極とを有する液晶表示装置において、前記複数
の信号配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信号配線に
重畳するように前記複数の対向電極が形成され、前記複
数の信号配線の下方に絶縁膜を介し、それらの信号配線
に重畳するように他の電極に接続されていない複数の浮
遊電極が形成される構成がある。
【００１４】この構成では、共通電極を走査配線で兼用
したので、第１の構成よりもさらに高い開口率を得るこ
とができる。
したので、第１の構成よりもさらに高い開口率を得るこ
とができる。
【００１５】この構成にも、前記複数の浮遊電極は前記
複数の走査配線に接続される構成若しくは、前記複数の
信号配線と前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数
の画素を構成し、それらの複数の画素において、対応す
る共通電極と隣接する共通電極に前記複数の対向電極が
接続される構成を加えても上記第１の構成と同様な効果
を得ることができる。
複数の走査配線に接続される構成若しくは、前記複数の
信号配線と前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数
の画素を構成し、それらの複数の画素において、対応す
る共通電極と隣接する共通電極に前記複数の対向電極が
接続される構成を加えても上記第１の構成と同様な効果
を得ることができる。
【００１６】これらの構成でも、本来、遮光層を必要と
しないが、マスクの位置合わせ等のプロセスの裕度を考
えるとあった方がよい。しかし、従来よりもその面積を
小さくすることができる。
しないが、マスクの位置合わせ等のプロセスの裕度を考
えるとあった方がよい。しかし、従来よりもその面積を
小さくすることができる。
【００１７】また、その遮光層の比抵抗を１０8Ω・cm
以上１０14Ω・cm以下である構成にすると、さらに不要
な電界を吸収し、縦スミアの発生を抑制できる。
以上１０14Ω・cm以下である構成にすると、さらに不要
な電界を吸収し、縦スミアの発生を抑制できる。
【００１８】
［実施例１］図１に本実施例におけるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の平面構造を示す。
クス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の平面構造を示す。
【００１９】基板上に、走査配線１０２と信号配線１０
３が格子状に配置されており、その交点に対応してアク
ティブ素子である薄膜トランジスタ１２０が形成されて
いる。
３が格子状に配置されており、その交点に対応してアク
ティブ素子である薄膜トランジスタ１２０が形成されて
いる。
【００２０】その薄膜トランジスタ１２０には画素電極
１０５が接続されており、その画素電極１０５と基板に
対して、支配的に平行に電界を形成するように、対向電
極１０６が形成されている。この対向電極１０６は走査
配線１０２と並列構造となっている共通配線１０４に接
続されている。ここで対向電極１０６は信号配線１０３
の直上に配置されている。
１０５が接続されており、その画素電極１０５と基板に
対して、支配的に平行に電界を形成するように、対向電
極１０６が形成されている。この対向電極１０６は走査
配線１０２と並列構造となっている共通配線１０４に接
続されている。ここで対向電極１０６は信号配線１０３
の直上に配置されている。
【００２１】また、信号配線１０３の下方に信号配線１
０３と重畳するように、電極が形成され、どの電極とも
接続されていない電極、つまり浮遊電極１０７となって
いる。
０３と重畳するように、電極が形成され、どの電極とも
接続されていない電極、つまり浮遊電極１０７となって
いる。
【００２２】図２に図１のＡ−Ａ′線における液晶パネ
ルの断面図を示す。
ルの断面図を示す。
【００２３】下側基板１００はガラス板１０１を基板と
して、その上に浮遊電極１０７，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３，保護膜層１０９，対向電極１０６および画
素電極１０５，配向膜層１５０の積層構造となってい
る。また、ガラス基板１０１の反対の面には偏向板１７
０が貼り付けられている。一方、上側基板２００は、同
じくガラス板２０１を基板として、その上に、カラーフ
ィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の積層
になっている。またガラス基板２０１の反対側には偏向
板２７０がある。そして、この上側基板２００と下側基
板１００の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で液晶
パネルを構成している。
して、その上に浮遊電極１０７，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３，保護膜層１０９，対向電極１０６および画
素電極１０５，配向膜層１５０の積層構造となってい
る。また、ガラス基板１０１の反対の面には偏向板１７
０が貼り付けられている。一方、上側基板２００は、同
じくガラス板２０１を基板として、その上に、カラーフ
ィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の積層
になっている。またガラス基板２０１の反対側には偏向
板２７０がある。そして、この上側基板２００と下側基
板１００の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で液晶
パネルを構成している。
【００２４】ここでは、図３に示すように信号配線の幅
４０２，対向電極の幅４０１，浮遊電極の幅４０３を６
μｍ，１０μｍ，１０μｍとした。
４０２，対向電極の幅４０１，浮遊電極の幅４０３を６
μｍ，１０μｍ，１０μｍとした。
【００２５】この信号配線１０３を浮遊電極１０７と対
向電極１０６で基板面に垂直方向に挟んだ形となってい
ることが本実施例の特徴である。
向電極１０６で基板面に垂直方向に挟んだ形となってい
ることが本実施例の特徴である。
【００２６】図３に示す電気力線７０１，７０２のよう
に、信号配線１０３からの電界（電気力線）は上側は対
向電極１０６によって押え込まれ、下側は浮遊電極１０
７に収束するため、画素電極１０５と対向電極１０６と
の間の液晶３００への影響は非常に少なくなる。また、
３層が垂直に重なっているため、構造的に光漏れの発生
する間隙部がなくなっており、光漏れによる縦スミアも
発生しない。
に、信号配線１０３からの電界（電気力線）は上側は対
向電極１０６によって押え込まれ、下側は浮遊電極１０
７に収束するため、画素電極１０５と対向電極１０６と
の間の液晶３００への影響は非常に少なくなる。また、
３層が垂直に重なっているため、構造的に光漏れの発生
する間隙部がなくなっており、光漏れによる縦スミアも
発生しない。
【００２７】さらに本実施例の場合、浮遊電極１０７お
よび対向電極１０６がそれぞれ１つの電極で構成される
ため、それらの幅を細くすることができる。
よび対向電極１０６がそれぞれ１つの電極で構成される
ため、それらの幅を細くすることができる。
【００２８】そのうえ、画素電極１０５、および対向電
極１０６が保護膜層１０９上にあることから、液晶３０
０に効率よく電界を印加することができ、保護膜層１０
９の下に電極がある場合より、液晶駆動電圧を低電圧化
することができる。
極１０６が保護膜層１０９上にあることから、液晶３０
０に効率よく電界を印加することができ、保護膜層１０
９の下に電極がある場合より、液晶駆動電圧を低電圧化
することができる。
【００２９】本実施例における図３では対向電極の幅４
０１と浮遊電極の幅４０３が信号配線の幅４０２より大
きくしてある。これは信号配線からの電界のシールドと
開口率とを考慮した最適化や、マスク合わせ等のプロセ
ス裕度により変化するので、信号配線若しくは対向電極
のどちらか一方の幅を（マスク合わせ等のプロセス裕
度）×２＋（信号配線の幅）にすることが望ましい。ま
た、その場合、他方の配線は信号配線１０３と同じ幅か
それ以下にすることができる。
０１と浮遊電極の幅４０３が信号配線の幅４０２より大
きくしてある。これは信号配線からの電界のシールドと
開口率とを考慮した最適化や、マスク合わせ等のプロセ
ス裕度により変化するので、信号配線若しくは対向電極
のどちらか一方の幅を（マスク合わせ等のプロセス裕
度）×２＋（信号配線の幅）にすることが望ましい。ま
た、その場合、他方の配線は信号配線１０３と同じ幅か
それ以下にすることができる。
【００３０】また、本実施例の構造は、対向基板側にＢ
Ｍ２０２を設けなくても、本来光漏れが生じないはずで
あるが、製造工程におけるフォトマスクのずれを考慮す
ると、図４のように、このＢＭ２０２はあった方が確実
に光漏れなどによる縦スミアを防止することができる。
しかし、信号配線に近接する対向電極，信号配線，浮遊
電極がそれぞれ１つの電極で構成されていること、及
び、基板に対して垂直に重畳しているので光漏れの量が
少量であることから、従来よりもＢＭの幅も細くできる
（または無くすことも可能）ので、開口率が向上する。
また、ＢＭを形成する場合、比抵抗を１０8Ω・cm 以上
１０14Ω・cm以下にすれば対向基板でもさらに電界を吸
収するので、効果的である。
Ｍ２０２を設けなくても、本来光漏れが生じないはずで
あるが、製造工程におけるフォトマスクのずれを考慮す
ると、図４のように、このＢＭ２０２はあった方が確実
に光漏れなどによる縦スミアを防止することができる。
しかし、信号配線に近接する対向電極，信号配線，浮遊
電極がそれぞれ１つの電極で構成されていること、及
び、基板に対して垂直に重畳しているので光漏れの量が
少量であることから、従来よりもＢＭの幅も細くできる
（または無くすことも可能）ので、開口率が向上する。
また、ＢＭを形成する場合、比抵抗を１０8Ω・cm 以上
１０14Ω・cm以下にすれば対向基板でもさらに電界を吸
収するので、効果的である。
【００３１】次に、図５に図１のＢ−Ｂ′線における下
側基板１００の断面図を示す。
側基板１００の断面図を示す。
【００３２】この部分の下側基板１００の断面において
はガラス基板１０１の上には共通配線１０４が配置され
ており、その上にＳｉＮ膜１０８，信号配線１０３及び
補助容量素子１３０，保護膜層１０９が積層されてい
る。この保護膜層１０９の上に対向電極１０６、および
画素電極１０５が配置されており、これらの電極は保護
膜層１０９やＳｉＮ膜１０８に開けられたスルーホール
を通して、それぞれ共通配線１０４、および補助容量素
子１３０に接続されている。また、下側基板の最上層に
は配向膜層１５０があり、反対側の面には偏向板１７０
が貼り付けられている。この構造により対向電極１０６
は共通配線１０４と同電位となり、画素電極１０５との
間の電圧を液晶に印加する。また補助容量素子１３０は
液晶と並列容量となるように画素電極１０５と接続さ
れ、表示品質をたもつために電荷を保持する。
はガラス基板１０１の上には共通配線１０４が配置され
ており、その上にＳｉＮ膜１０８，信号配線１０３及び
補助容量素子１３０，保護膜層１０９が積層されてい
る。この保護膜層１０９の上に対向電極１０６、および
画素電極１０５が配置されており、これらの電極は保護
膜層１０９やＳｉＮ膜１０８に開けられたスルーホール
を通して、それぞれ共通配線１０４、および補助容量素
子１３０に接続されている。また、下側基板の最上層に
は配向膜層１５０があり、反対側の面には偏向板１７０
が貼り付けられている。この構造により対向電極１０６
は共通配線１０４と同電位となり、画素電極１０５との
間の電圧を液晶に印加する。また補助容量素子１３０は
液晶と並列容量となるように画素電極１０５と接続さ
れ、表示品質をたもつために電荷を保持する。
【００３３】また、図面には記載しなかったが、走査配
線方向に隣接する画素で、各画素毎に対向電極を隣接す
る共通電極に交互に接続すると、共通電極に時間当たり
に加わる容量を減らすことができるので、消費電力を減
らすことができる。
線方向に隣接する画素で、各画素毎に対向電極を隣接す
る共通電極に交互に接続すると、共通電極に時間当たり
に加わる容量を減らすことができるので、消費電力を減
らすことができる。
【００３４】以上のように、本実施例では、対向電極１
０６と浮遊電極で信号配線１０３を基板面に対して垂直
方向に挟んだ構造となっているため、信号配線の電界の
液晶への影響は非常に少なくなる。また、構造的に光漏
れの発生する間隙部がないことから、縦スミアは非常に
小さくなる。さらに、浮遊電極１０７および対向電極１
０６が各１電極で構成されるため、幅を細くでき、開口
率を向上することもできる。そのうえ、画素電極１０
５、および対向電極１０６が保護膜層１０９上にあるこ
とから、液晶駆動電圧を低電圧化することができる。
０６と浮遊電極で信号配線１０３を基板面に対して垂直
方向に挟んだ構造となっているため、信号配線の電界の
液晶への影響は非常に少なくなる。また、構造的に光漏
れの発生する間隙部がないことから、縦スミアは非常に
小さくなる。さらに、浮遊電極１０７および対向電極１
０６が各１電極で構成されるため、幅を細くでき、開口
率を向上することもできる。そのうえ、画素電極１０
５、および対向電極１０６が保護膜層１０９上にあるこ
とから、液晶駆動電圧を低電圧化することができる。
【００３５】［従来例］図６に従来のＩＰＳモード型の
アクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の
平面構造を示す。
アクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の
平面構造を示す。
【００３６】走査配線１０２と信号配線１０３が格子状
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。対向電極１０６は走査配線
１０２と並列構造となっている共通配線１０４に接続さ
れている。ここで対向電極１０６は信号配線１０３と平
行に配置されており、両者の間には隙間があいている。
この間隙部には画素表示用の有効な電界が印加できない
ばかりでなく、信号配線の電圧が常時変化していること
から、常に光透過状態となってしまっている。
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。対向電極１０６は走査配線
１０２と並列構造となっている共通配線１０４に接続さ
れている。ここで対向電極１０６は信号配線１０３と平
行に配置されており、両者の間には隙間があいている。
この間隙部には画素表示用の有効な電界が印加できない
ばかりでなく、信号配線の電圧が常時変化していること
から、常に光透過状態となってしまっている。
【００３７】図７に図６のＣ−Ｃ′線における液晶パネ
ルの断面図を示す。
ルの断面図を示す。
【００３８】下側基板１００はガラス板１０１を基板と
して、その上に対向基板１０６，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３および画素電極１０５，保護膜層１０９，配
向膜層１５０の積層となっている。また、ガラス基板１
０１の反対の面には偏向板１７０が貼り付けられてい
る。一方、上側基板２００は、同じくガラス板２０１を
基板として、その上にＢＭ２０２，カラーフィルタ２０
３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の積層になってい
る。またガラス基板２０１の反対側には偏向板２７０が
ある。そして、この上側基板２００と下側基板１００の
間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で液晶パネルを構
成している。
して、その上に対向基板１０６，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３および画素電極１０５，保護膜層１０９，配
向膜層１５０の積層となっている。また、ガラス基板１
０１の反対の面には偏向板１７０が貼り付けられてい
る。一方、上側基板２００は、同じくガラス板２０１を
基板として、その上にＢＭ２０２，カラーフィルタ２０
３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の積層になってい
る。またガラス基板２０１の反対側には偏向板２７０が
ある。そして、この上側基板２００と下側基板１００の
間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で液晶パネルを構
成している。
【００３９】信号配線１０３からの電界の影響は対向電
極１０６により遮られ、対向電極１０６と画素電極１０
５の間にある液晶３００への影響は少なくなり、信号配
線からの電界起因の縦スミアは小さい。一方、上記のよ
うに信号配線１０３と対向電極１０６の間は常に光透過
状態である。ここを通過してきた光はＢＭ２００で遮ら
れるはずであるが、ＢＭ２０２の材質として有機材料を
用いている等の理由でＢＭ２０２の遮光率が高くない場
合には、上記間隙透過光を遮光しきれずに漏れ光とな
り、縦スミアとして認識されてしまう。ＩＰＳモードの
液晶表示装置の場合には、対向基板側に低抵抗率の層が
あると液晶に印加される電界の効率が悪くなることか
ら、ＢＭとして有機材料を使用していることが多く、上
記原因による縦スミアが発生することがある。
極１０６により遮られ、対向電極１０６と画素電極１０
５の間にある液晶３００への影響は少なくなり、信号配
線からの電界起因の縦スミアは小さい。一方、上記のよ
うに信号配線１０３と対向電極１０６の間は常に光透過
状態である。ここを通過してきた光はＢＭ２００で遮ら
れるはずであるが、ＢＭ２０２の材質として有機材料を
用いている等の理由でＢＭ２０２の遮光率が高くない場
合には、上記間隙透過光を遮光しきれずに漏れ光とな
り、縦スミアとして認識されてしまう。ＩＰＳモードの
液晶表示装置の場合には、対向基板側に低抵抗率の層が
あると液晶に印加される電界の効率が悪くなることか
ら、ＢＭとして有機材料を使用していることが多く、上
記原因による縦スミアが発生することがある。
【００４０】参考例として、次に下側基板の信号配線を
上方で挟むように対向電極を形成し、下方には浮遊電極
を形成した例を図８を元に説明する。
上方で挟むように対向電極を形成し、下方には浮遊電極
を形成した例を図８を元に説明する。
【００４１】走査配線１０２と信号配線１０３が格子状
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。
【００４２】対向電極１０６は走査配線１０２と並列構
造となっている共通配線１０４に接続されている。
造となっている共通配線１０４に接続されている。
【００４３】ここで対向電極１０６は信号配線１０３と
平行で信号配線１０３を挟むように２本の配置となって
いる。また、浮遊電極１０７は信号配線１０３の直下に
配置されており、どの電極とも接続されていない浮遊電
極となっている。
平行で信号配線１０３を挟むように２本の配置となって
いる。また、浮遊電極１０７は信号配線１０３の直下に
配置されており、どの電極とも接続されていない浮遊電
極となっている。
【００４４】なお、対向電極１０６は共通配線１０４に
接続されているが、この共通配線１０４を無くし、代り
に隣接する画素の走査配線１０２に接続されていてもよ
い。
接続されているが、この共通配線１０４を無くし、代り
に隣接する画素の走査配線１０２に接続されていてもよ
い。
【００４５】図９に図８のＥ−Ｅ′線における液晶表示
装置の一部の断面図を示す。
装置の一部の断面図を示す。
【００４６】下側基板１００はガラス板１０１を基板と
して、その上に浮遊電極１０７，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３，保護膜層１０９，対応電極１０６および画
素電極１０５，配向膜層１５０の積層となっている。ま
た、ガラス基板１０１の反対の面には偏向板１７０が貼
り付けられている。一方、上側基板２００は、同じくガ
ラス板２０１を基板として、その上にＢＭ２０２，カラ
ーフィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の
積層になっている。またガラス基板２０１の反対側には
偏向板２７０がある。そして、この上側基板２００と下
側基板１００の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で
液晶パネルを構成している。
して、その上に浮遊電極１０７，ＳｉＮ層１０８，信号
配線１０３，保護膜層１０９，対応電極１０６および画
素電極１０５，配向膜層１５０の積層となっている。ま
た、ガラス基板１０１の反対の面には偏向板１７０が貼
り付けられている。一方、上側基板２００は、同じくガ
ラス板２０１を基板として、その上にＢＭ２０２，カラ
ーフィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５０の
積層になっている。またガラス基板２０１の反対側には
偏向板２７０がある。そして、この上側基板２００と下
側基板１００の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形で
液晶パネルを構成している。
【００４７】この構成では、浮遊電極を形成しているの
で、ある程度遮光することは可能だが、図１０の光漏れ
４００が示すように光が透過し、縦スミアが発生してし
まう。また、図１１の信号配線から生じる液晶層に印加
される電気力線７０３のように、信号配線からの電界が
液晶層に印加されてしまい、光漏れを生じ、縦スミアが
発生してしまう。
で、ある程度遮光することは可能だが、図１０の光漏れ
４００が示すように光が透過し、縦スミアが発生してし
まう。また、図１１の信号配線から生じる液晶層に印加
される電気力線７０３のように、信号配線からの電界が
液晶層に印加されてしまい、光漏れを生じ、縦スミアが
発生してしまう。
【００４８】次の参考例として、下側基板の信号配線を
上方で挟むように対向電極を形成した例を示す。
上方で挟むように対向電極を形成した例を示す。
【００４９】図１２に各電極構造の平面構成を示す。
【００５０】走査配線１０２と信号配線１０３が格子状
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。
【００５１】対向電極１０６は走査配線１０２と並列構
造となっている共通配線１０４に接続されている。
造となっている共通配線１０４に接続されている。
【００５２】図１３に図１２のＧ−Ｇ′線における液晶
パネルの断面図を示す。
パネルの断面図を示す。
【００５３】下側基板１００はガラス板１０１を基板と
して、その上にＳｉＮ層１０８，信号配線１０３，保護
膜層１０９，画素電極１０５および対向基板１０６，配
向膜層１５０の積層となっている。また、ガラス基板１
０１の反対の面には偏向板１７０が貼り付けられてい
る。一方、上側基板２００は、同じくガラス板２０１を
基板として、その上に遮光膜を兼ねた対向電極１１０，
カラーフィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５
０の積層になっている。またガラス基板２０１の反対側
には偏向板２７０がある。そして、この上側基板２００
と下側基板100の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形
で液晶パネルを構成している。
して、その上にＳｉＮ層１０８，信号配線１０３，保護
膜層１０９，画素電極１０５および対向基板１０６，配
向膜層１５０の積層となっている。また、ガラス基板１
０１の反対の面には偏向板１７０が貼り付けられてい
る。一方、上側基板２００は、同じくガラス板２０１を
基板として、その上に遮光膜を兼ねた対向電極１１０，
カラーフィルタ２０３，平坦化膜２０４，配向膜層２５
０の積層になっている。またガラス基板２０１の反対側
には偏向板２７０がある。そして、この上側基板２００
と下側基板100の間に液晶組成物３００を挟み込んだ形
で液晶パネルを構成している。
【００５４】しかし、この配置では、斜め方向からの光
に対して、遮蔽しておらず、また、信号配線から生じる
電気力線７０１，７０３が液晶に印加されてしまい、光
漏れが生じる。
に対して、遮蔽しておらず、また、信号配線から生じる
電気力線７０１，７０３が液晶に印加されてしまい、光
漏れが生じる。
【００５５】［実施例２］図１４に本実施例におけるア
クティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の平
面構造を示す。
クティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の平
面構造を示す。
【００５６】走査配線１０２と信号配線１０３が格子状
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。対向電極１０６は前記走査
配線１０２と隣接する走査配線１０２に接続されてい
る。ここで対向電極１０６は信号配線１０３の直上に配
置されている。また、浮遊電極１０７は信号配線１０３
の直下に配置されており、どの電極とも接続されていな
い浮遊電極となっている。
に配置されており、その交点に薄膜トランジスタ１２０
が構成されている。薄膜トランジスタ１２０には画素電
極１０５が接続されており、対向電極１０６との間の液
晶層に電圧を印加している。対向電極１０６は前記走査
配線１０２と隣接する走査配線１０２に接続されてい
る。ここで対向電極１０６は信号配線１０３の直上に配
置されている。また、浮遊電極１０７は信号配線１０３
の直下に配置されており、どの電極とも接続されていな
い浮遊電極となっている。
【００５７】本実施例における対向電極１０６／信号配
線１０３／浮遊電極１０７の断面図は図２、及び図５と
同様であるため省略する。
線１０３／浮遊電極１０７の断面図は図２、及び図５と
同様であるため省略する。
【００５８】本実施例においても、信号配線１０３を浮
遊電極１０７と対向電極１０６で基板面に垂直方向に挟
んだ形となっていることが特徴であり、信号配線１０３
からの電界（電気力線）は上側は対向電極１０６によっ
て押え込まれ、下側は浮遊電極１０７に収束するため、
画素電極１０５と対向電極１０６との間の液晶３００へ
の影響は非常に少なくなる。また、３層が垂直に重なっ
ているため、構造的に光漏れの発生する間隙部がなくな
っており、光漏れによる縦スミアも発生しない。さらに
本実施例の場合、浮遊電極１０７および対向電極１０６
が各１電極で構成されるため、それらの幅を細くするこ
とができる。これにより、対向基板上のＢＭの幅も細く
できる（または無くすことも可能）ことから、開口率を
向上することもできる。そのうえ、画素電極１０５、お
よび対向電極１０６が保護膜層１０９上にあることか
ら、液晶３００に効率よく電界を印加することができ、
保護膜層１０９の下に電極がある場合より、液晶駆動電
圧を低電圧化することができる。
遊電極１０７と対向電極１０６で基板面に垂直方向に挟
んだ形となっていることが特徴であり、信号配線１０３
からの電界（電気力線）は上側は対向電極１０６によっ
て押え込まれ、下側は浮遊電極１０７に収束するため、
画素電極１０５と対向電極１０６との間の液晶３００へ
の影響は非常に少なくなる。また、３層が垂直に重なっ
ているため、構造的に光漏れの発生する間隙部がなくな
っており、光漏れによる縦スミアも発生しない。さらに
本実施例の場合、浮遊電極１０７および対向電極１０６
が各１電極で構成されるため、それらの幅を細くするこ
とができる。これにより、対向基板上のＢＭの幅も細く
できる（または無くすことも可能）ことから、開口率を
向上することもできる。そのうえ、画素電極１０５、お
よび対向電極１０６が保護膜層１０９上にあることか
ら、液晶３００に効率よく電界を印加することができ、
保護膜層１０９の下に電極がある場合より、液晶駆動電
圧を低電圧化することができる。
【００５９】以上のように、本実施例では、対向電極１
０６と浮遊電極１０７で信号配線１０３を基板面に対し
て垂直方向に挟んだ構造となっているため、信号配線の
電界の液晶への影響は非常に少なくなる。また、構造的
に光漏れの発生する間隙部がないことから、縦スミアは
非常に小さくなる。さらに、浮遊電極１０７および対向
電極１０６が各１電極で構成されるため、幅を細くで
き、開口率を向上することもできる。そのうえ、画素電
極１０５、および対向電極１０６が保護膜層１０９上に
あることから、液晶駆動電圧を低電圧化することができ
る。
０６と浮遊電極１０７で信号配線１０３を基板面に対し
て垂直方向に挟んだ構造となっているため、信号配線の
電界の液晶への影響は非常に少なくなる。また、構造的
に光漏れの発生する間隙部がないことから、縦スミアは
非常に小さくなる。さらに、浮遊電極１０７および対向
電極１０６が各１電極で構成されるため、幅を細くで
き、開口率を向上することもできる。そのうえ、画素電
極１０５、および対向電極１０６が保護膜層１０９上に
あることから、液晶駆動電圧を低電圧化することができ
る。
【００６０】また、この実施例においても、対向電極を
隣接する走査電極に交互に接続することによって、走査
電極に印加される容量を減らすことができるので、消費
電力を抑えることができるとともに、走査信号の遅延を
防止することができる。
隣接する走査電極に交互に接続することによって、走査
電極に印加される容量を減らすことができるので、消費
電力を抑えることができるとともに、走査信号の遅延を
防止することができる。
【００６１】実施例１及び２、比較例の液晶表示装置の
全体概要図を図１５に示す。
全体概要図を図１５に示す。
【００６２】画像出力５０５からパネル内のコントロー
ラ５０１に入り、そのコントローラから、表示データ信
号とタイミング信号がそれぞれ表示出力回路４０４，垂
直走査回路５０３に入り、それらから、信号配線、及び
走査配線を通じて、液晶セル５００に信号電圧が印加さ
れることによって、液晶分子を制御し、表示を行ってい
る。図面には、示していないが、透過型であれば液晶セ
ルの下方に光源を設け、反射型であれば反射板を液晶セ
ル内若しくは、液晶セルの下方に設ける。
ラ５０１に入り、そのコントローラから、表示データ信
号とタイミング信号がそれぞれ表示出力回路４０４，垂
直走査回路５０３に入り、それらから、信号配線、及び
走査配線を通じて、液晶セル５００に信号電圧が印加さ
れることによって、液晶分子を制御し、表示を行ってい
る。図面には、示していないが、透過型であれば液晶セ
ルの下方に光源を設け、反射型であれば反射板を液晶セ
ル内若しくは、液晶セルの下方に設ける。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、異層化された対向電極
や遮光膜を兼ねた対向電極、または電気的に接続されて
いない遮光層などを、光漏れの無いように基板に対して
垂直方向に重ねた配置としていることから、信号配線か
らの電界（電気力線）は表示部の液晶層に達する前に遮
られるため、信号配線の電位変化は縦スミアなどの表示
不良を引き起こさない。また、構造的な光り漏れもない
ため有機材料の遮光膜を用いた場合でも遮光率不足によ
る表示不良はほとんど発生しない。以上のことから、上
記２つの要因により発生する縦スミアの無い高画質なア
クティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
や遮光膜を兼ねた対向電極、または電気的に接続されて
いない遮光層などを、光漏れの無いように基板に対して
垂直方向に重ねた配置としていることから、信号配線か
らの電界（電気力線）は表示部の液晶層に達する前に遮
られるため、信号配線の電位変化は縦スミアなどの表示
不良を引き起こさない。また、構造的な光り漏れもない
ため有機材料の遮光膜を用いた場合でも遮光率不足によ
る表示不良はほとんど発生しない。以上のことから、上
記２つの要因により発生する縦スミアの無い高画質なア
クティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
【図１】本発明の実施例１の画素部の平面構造を示す
図。
図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線における画素部の断面構造を
示す図。
示す図。
【図３】図２における電気力線の印加状況を示す図。
【図４】遮光膜を形成した場合の図１のＡ−Ａ′線にお
ける画素部の断面構造を示す図。
ける画素部の断面構造を示す図。
【図５】図１のＢ−Ｂ′線における画素部の断面構造を
示す図。
示す図。
【図６】本発明を用いない従来例の画素部の平面構造を
示す図。
示す図。
【図７】図６のＣ−Ｃ′線における画素部の断面構造を
示す図。
示す図。
【図８】画素部の平面構造を示す図。
【図９】図８のＥ−Ｅ′線における画素部の断面構造を
示す図。
示す図。
【図１０】図９における光漏れの状態を示す図。
【図１１】図９における電気力線の印加状況を示す図。
【図１２】本発明の比較例の画素部の平面構造を示す
図。
図。
【図１３】図１２のＧ−Ｇ′線における画素部の断面構
造を示す図。
造を示す図。
【図１４】本発明の実施例２の画素部の平面構造を示す
図。
図。
【図１５】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置
の全体構成を示す図。
の全体構成を示す図。
１００…下側基板、１０１，２０１…ガラス板、１０２
…走査配線、１０３…信号配線、１０４…共通配線、１
０５…画素電極、１０６…対向電極、１０７…浮遊電
極、１０８…ＳｉＮ膜、１０９…保護膜層、１１０…遮
光膜を兼ねた対向電極、１２０…薄膜トランジスタ、１
３０…補助容量素子、１５０，２５０…配向膜層、１７
０，２７０…偏光板、２００…上側基板、２０２…Ｂ
Ｍ、２０３…カラーフィルタ、２０４…平坦化膜、３０
０…液晶組成物、４０１…対向電極の幅、４０２…信号
電極の幅、４０３…浮遊電極の幅、４０４…表示信号出
力回路、５００…液晶セル、５０１…コントローラ、５
０２…電源回路、５０３…垂直走査回路、５０５…画像
出力源、６００…光漏れ、７００，７０１，７０２，７
０３…電気力線。
…走査配線、１０３…信号配線、１０４…共通配線、１
０５…画素電極、１０６…対向電極、１０７…浮遊電
極、１０８…ＳｉＮ膜、１０９…保護膜層、１１０…遮
光膜を兼ねた対向電極、１２０…薄膜トランジスタ、１
３０…補助容量素子、１５０，２５０…配向膜層、１７
０，２７０…偏光板、２００…上側基板、２０２…Ｂ
Ｍ、２０３…カラーフィルタ、２０４…平坦化膜、３０
０…液晶組成物、４０１…対向電極の幅、４０２…信号
電極の幅、４０３…浮遊電極の幅、４０４…表示信号出
力回路、５００…液晶セル、５０１…コントローラ、５
０２…電源回路、５０３…垂直走査回路、５０５…画像
出力源、６００…光漏れ、７００，７０１，７０２，７
０３…電気力線。
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と、そ
の一対の基板に挟持された液晶層とを有し、前記一対の
基板の一方には、複数の走査配線と、これらの走査配線
にマトリクス状に形成された複数の信号配線と、これら
の複数の信号配線と前記複数の走査配線とのそれぞれの
交点に対応して形成された複数のアクティブ素子と、そ
れらのアクティブ素子に接続された複数の画素電極と、
前記複数の走査配線のそれぞれの間に形成された複数の
共通配線と、前記複数の共通配線に接続され、前記複数
の画素電極との間に、前記一対の基板に対して支配的に
平行な電界を生じるように形成された複数の対向電極と
を有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、 前記複数の信号配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信
号配線に重畳するように前記複数の対向電極が配置さ
れ、前記複数の信号配線の下方に絶縁膜を介し、それら
の信号配線に重畳するように他の電極に接続されていな
い複数の浮遊電極が形成されることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記複数の信号配線と
前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数の画素が構
成され、 それらの複数の画素において、対応する共通電極と隣接
する共通電極に前記複数の対向電極が接続されることを
特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１或いは２において、前記他方の基
板には前記複数の信号配線の上方に遮光層を有し、その
遮光層の比抵抗が１０8Ω・cm 以上１０14Ω・cm以下で
あることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
置。 - 【請求項４】少なくとも一方が透明な一対の基板と、そ
の一対の基板に挟持された液晶層とを有し、前記一対の
基板の一方には、複数の走査配線と、これらの走査配線
にマトリクス状に形成された複数の信号配線と、これら
の複数の信号配線と前記複数の走査配線とのそれぞれの
交点に対応して形成された複数のアクティブ素子と、そ
れらのアクティブ素子に接続された複数の画素電極と、
前記複数の走査配線に接続され、前記複数の画素電極と
の間に、前記一対の基板に対して支配的に平行な電界を
生じるように形成された複数の対向電極とを有するアク
ティブマトリクス液晶表示装置において、 前記複数の信号配線の上方に絶縁膜を介し、それらの信
号配線に重畳するように前記複数の対向電極が配置さ
れ、前記複数の信号配線の下方に絶縁膜を介し、それら
の信号配線に重畳するように他の電極に接続されていな
い複数の浮遊電極が形成されることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項４において、前記複数の信号配線と
前記複数の走査電極とで囲まれた領域に複数の画素を構
成され、 それらの複数の画素において、対応する共通電極と隣接
する共通電極に前記複数の対向電極が接続されることを
特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項４或いは５において、前記他方の基
板には前記複数の信号配線の上方に遮光層を有し、その
遮光層の比抵抗が１０8Ω・cm 以上１０14Ω・cm以下で
あることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151886A JPH112836A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151886A JPH112836A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH112836A true JPH112836A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15528364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9151886A Pending JPH112836A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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