JP2003021825A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置とその製造方法

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JP2003021825A
JP2003021825A JP2002131235A JP2002131235A JP2003021825A JP 2003021825 A JP2003021825 A JP 2003021825A JP 2002131235 A JP2002131235 A JP 2002131235A JP 2002131235 A JP2002131235 A JP 2002131235A JP 2003021825 A JP2003021825 A JP 2003021825A
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display device
crystal display
layer
light
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Akinori Shioda
昭教 塩田
Hirofumi Yamakita
裕文 山北
Shinji Ogawa
慎司 小川
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高輝度でかつ高コントラストの液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 表示用の光の透過率を変化させて画像を
表示する液晶パネルと、該液晶パネルの画素103を複数
のドメイン391に分割する１以上の構造体151,152とを備
えた液晶表示装置において、少なくとも一部の上記構造
体151が光透過部151Bと光非透過部151Aとで構成されて
なるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置とその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、広い視野角特性を有する液晶表示
装置として、ＩＰＳ(In- Plane- Switching)モード（横
電界方式）の液晶表示装置がある。しかし、このＩＰＳ
モードの液晶表示装置では、液晶を挟持する一対の基板
のうちの一方の基板に、液晶を変調するための画素電極
と対向電極とを比較的近接するように配置する必要があ
るため、液晶パネルに入射する表示用の光が両電極で遮
られる。そのため、液晶パネルから出射する表示用の光
が減少し、その結果、表示画面の輝度が低下するという
問題があった。
【０００３】この問題の解決を図ったものとして、例え
ば、特開平９−７３１０１号公報に記載されたＩＰＳモ
ードの液晶表示装置がある。図２５は、この液晶表示装
置の画素の構成を模式的に示す平面図である。図２５に
示すように、この液晶表示装置401の画素402において
は、平面視において、いわゆる櫛歯状の画素電極403及
び対向電極404が互いに対向するように配置され、この
画素電極403及び対向電極404の少なくともいずれかが透
明導電体で構成されている。これより、電極403,404で
遮られる表示用の光が減少し、その分、表示画面の輝度
が向上する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この液
晶表示装置401には以下のような問題が生じる。図２６
は、この液晶表示装置の動作を示す模式図であって、
(a)は画素における電界及び液晶分子の配向を示す断面
図、(b)は画素における透過率分布を示す断面図であ
る。この図ではアレイ基板の構成を簡略化して描いてあ
る。また、ここでは画素電極403及び対向電極404の双方
が透明導電体で構成されているものとする。図２６(a)
に示すように、画素電極403及び対向電極404はアレイ基
板411上に該アレイ基板411の延在面内にて対向する（並
ぶ）ように配置されている。従って、画素電極403と対
向電極404との間に電圧が印加されると、両電極403,404
の間を電気力線406が弧状に結ぶような電界が形成さ
れ、この電気力線に沿って液晶分子405が配向する。と
ころが、個々の電極403,404においては、その中央部に
互いに反対方向に向かう電気力線の分かれ目が形成さ
れ、その分かれ目では無限遠点に向かう電気力線に沿っ
て液晶分子がアレイ基板411に垂直(以下、単に垂直とい
う）に配向し、それにより、液晶のディスクリネーショ
ン領域301が形成される。つまり、画素は画素電極403お
よび対向電極404によって複数のドメインに分割され
る。その結果、図２６(b)に示すように、液晶分子405が
アレイ基板411に略平行（以下、水平という）に配向し
た、液晶の電極403,404間に位置する領域303では、液晶
分子405の変調率が大きくなるため液晶パネルの透過率
（ノーマリブラックモードで電圧が印加された状態にお
けるもの：以下、単に透過率という）302が高くなり、
液晶分子405が垂直に配向した上記ディスクリネーショ
ン領域301では、液晶分子405の変調率が小さくなるため
透過率302が低くなり、液晶分子405が斜めに配向した、
各電極403,404の中央部以外の部分の上方に位置する領
域304では、液晶分子405の変調率が中程度となるため、
透過率302が中程度となる。そして、透過率302が高い領
域303、透過率302が中程度の領域304、及びディスクリ
ネーション領域301は、それぞれ、高コントラスト領
域、中コントラスト領域、低コントラスト領域となる。
このように、表示領域に低コントラスト領域301が含ま
れる結果、上記液晶表示装置401では、表示画面の平均
的なコントラストが低下する。
【０００５】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、高輝度でかつ高コントラストの液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は２つの観点からなされている。第１の観点
は、光透過性の電極等の低コントラスト領域の下方に位
置する部分を光非透過性にすることにより、輝度向上の
効果を保持しつつコントラストの向上を図るというもの
である。第２の観点は、電極等の反射率を高めることに
より、コントラストの低下を招くことなく輝度の向上を
図るというものである。
【０００７】具体的には、本発明に係る液晶表示装置
は、表示用の光の透過率を変化させて画像を表示する液
晶パネルと、該液晶パネルの画素を複数のドメインに分
割する１以上の構造体とを備えた液晶表示装置におい
て、少なくとも一部の上記構造体が光透過部と光非透過
部とで構成されてなるものである（請求項１）。かかる
構成とすると、光非透過部が構造体上に形成されるドメ
イン境界部の下方に位置するよう構成することにより、
光透過部に入射した表示用の光はこれを透過するので、
その分、表示画面の輝度が向上する。一方、光非透過部
に入射した光はこれを透過しないので、低コントラスト
領域であるドメイン境界部が表示領域から除かれるた
め、その分、表示画面の平均的なコントラストが向上す
る。
【０００８】この場合、上記構造体が、上記液晶パネル
において液晶を挟持する一対の基板の内面上に形成され
た光透過部たる光透過層と光非透過部たる光非透過層と
を有してなるものとしてもよい（請求項２）。かかる構
成とすると、フォトリソグラフィを用いて光透過部及び
光非透過部を容易に形成することができる。
【０００９】この場合、上記構造体が、上記液晶の配向
を制御することにより上記画素を複数のドメインに分割
するものであるとしてもよい（請求項３）。かかる構成
とすると、本発明をＭＶＡモードの液晶表示装置に適用
することができる。
【００１０】この場合、上記構造体の上記光透過層及び
光非透過層が、それぞれ、光透過性誘電体及び光非透過
性部材で構成されてなるものとしてもよい（請求項
４）。かかる構成とすると、ＭＶＡモードの液晶表示装
置において、輝度及びコントラストの向上を図ることが
できる。
【００１１】上記の場合、上記構造体が、上記液晶に電
圧を印加することにより上記画素を複数のドメインに分
割するものであるとしてもよい（請求項５）。かかる構
成とすると、本発明をＰＶＡモード及び横電界方式の液
晶表示装置に適用することができる。
【００１２】この場合、上記構造体の上記光透過層及び
光非透過層が、それぞれ、光透過性導電体及び光非透過
性導電体で構成されてなるものとしてもよい（請求項
６）。かかる構成とすると、ＰＶＡモード及び横電界方
式の液晶表示装置において、輝度及びコントラストの向
上を図ることができる。
【００１３】上記の場合、上記構造体は、上記液晶パネ
ルに垂直な方向から見て、上記光非透過層を上記光透過
層が囲むように形成されてなるものとしてもよい（請求
項７）。かかる構成とすると、通常、構造体の中央部に
低コントラスト領域が形成されるので、これを好適に表
示領域から除いてコントラストを向上することができ
る。
【００１４】この場合、上記構造体は、上記一対の基板
の内面上に上記光非透過層及び光透過層がこの順に形成
されてなるものとしてもよい（請求項８）。かかる構成
とすると、光透過層で吸収される表示用の光が低減され
るので、光リサイクル量を向上することができる。ま
た、フォトリソグラフィによりこの構造を形成すると、
光透過層の表面に稜部が形成され、その稜部の上方にデ
ィスクネーション領域が形成されるので、確実にコント
ラストを向上することができる。
【００１５】上記の場合、上記構造体の上記光非透過層
が反射性を有してなるものとしてもよい（請求項９）。
かかる構成とすると、光非透過層で反射された光をリサ
イクルすることにより、輝度を向上することができる。
【００１６】また、本発明に係る液晶表示装置は、一対
の基板間に液晶が挟持された液晶パネルと、一方の上記
基板の内面上にマトリクス状に複数の画素を区画するよ
うに形成された複数の走査信号線及び複数の映像信号線
と、各画素内に並ぶように形成された画素電極及び共通
電極とを備え、上記走査信号線を通じて上記画素を順次
選択しながら上記映像信号線を通じて映像信号を上記画
素電極に書き込むことにより、上記液晶パネルに画像を
表示する横電界方式の液晶表示装置において、上記走査
信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極の少なく
とも一部が、光透過性導電層と光非透過性導電層とで構
成されてなるものである（請求項１０）。かかる構成と
すると、横電界方式の液晶表示装置において、輝度及び
コントラストの向上を図ることができる。
【００１７】この場合、上記光透過性導電層の幅が上記
光非透過性導電層の幅より狭いものとしてもよい（請求
項１１）。
【００１８】この場合、上記光非透過性導電層の幅が上
記光透過性導電層の幅より１μｍ以上狭いものとしても
よい（請求項１２）。かかる構成とすると、好適に輝度
及びコントラストの向上を図ることができる。
【００１９】上記の場合、上記基板の内面上に上記光非
透過性導電層及び光透過性導電層がこの順に形成されて
なるものとしてもよい（請求項１３）。かかる構成とす
ると、光透過性導電層で吸収される表示用の光が低減さ
れるので、光リサイクル量を向上することができる。
【００２０】また、上記光非透過性導電層の導電率が上
記光透過性導電層の導電率より高いものとしてもよい
（請求項１４）。かかる構成とすると、全体を光透過性
導電体で構成する場合に比べて信号の遅延が低減される
ため、フリッカを低減することができる。
【００２１】また、上記光非透過性導電層が反射率の異
なる複数の層からなり、最も上記液晶に近い層が最も上
記基板に近い層の反射率より低い反射率を有してなるも
のとしてもよい（請求項１５）。かかる構成とすると、
光非透過性導電層の液晶側の表面で反射される外光が減
少するので、コントラストを向上することができる。
【００２２】この場合、上記光非透過性導電層の最も上
記基板に近い層がアルミニウムの反射率より高い反射率
を有する導電体からなるものとしてもよい（請求項１
６）。かかる構成とすると、光リサイクル量が増加する
ので、輝度を向上することができる。
【００２３】また、上記光非透過性導電層の上記液晶側
の表面が黒色化処理されてなるものとしてもよい（請求
項１７）。かかる構成とすると、光非透過性導電層の液
晶側の表面で反射される外光が殆ど無くなるので、コン
トラストを好適に向上することができる。
【００２４】また、上記の場合、他方の上記基板の内面
上に、上記液晶パネルに垂直な方向から見て上記光非透
過性導電層に略重なり合うように遮光層が形成されてな
るものとしてもよい（請求項１８）。かかる構成とする
と、光非透過性導電層の表面で反射される不要光を遮光
することができるので、コントラストを向上することが
できる。
【００２５】また、上記光非透過性導電層の上記液晶側
の表面が黒色化処理されてなるものとしてもよい（請求
項１９）。かかる構成とすると、光非透過性導電層の液
晶側の表面で反射される外光が殆ど無くなるので、コン
トラストを好適に向上することができる。
【００２６】また、本発明に係る液晶表示装置は、一対
の基板間に液晶が挟持された液晶パネルと、一方の上記
基板の内面上にマトリクス状に複数の画素を区画するよ
うに形成された複数の走査信号線及び複数の映像信号線
と、各画素内に並ぶように形成された画素電極及び共通
電極とを備え、上記走査信号線を通じて上記画素を順次
選択しながら上記映像信号線を通じて映像信号を上記画
素電極に書き込むことにより、上記液晶パネルに画像を
表示する横電界方式の液晶表示装置において、上記走査
信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極の少なく
とも一部が、光透過性導電層と光非透過性導電層とで構
成され、上記走査信号線、映像信号線、画素電極、及び
共通電極のうち、光透過性導電層と光非透過性導電層と
で構成されないものの表面が光拡散性を有してなるもの
としてもよい（請求項２０）。かかる構成とすると、光
拡散性の表面で拡散された外光を表示用の光として利用
できるので、半透過型の液晶表示装置として使用するこ
とができる。さらに、電極等を銀Ag系の材料で構成する
と、輝度をより向上することができる。
【００２７】この場合、他方の上記基板の内面上に、上
記液晶パネルに垂直な方向から見て、表面が光拡散性を
有する上記走査信号線、映像信号線、画素電極、又は共
通電極に略重なり合うように遮光層が形成されてなるも
のとしてもよい（請求項２１）。かかる構成とすると、
光拡散性の表面で拡散され変調率の低い電極等の上方領
域を通過してくる外光を遮光することができるので、コ
ントラストを向上することができる。
【００２８】また、上記光非透過性導電層がアルミニウ
ムの反射率より高い反射率を有する導電体からなるもの
としてもよい（請求項２２）。かかる構成とすると、光
リサイクル量ひいては輝度を向上することができる。
【００２９】また、本発明に係る液晶表示装置は、共通
電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体ス
イッチ素子が上面に形成されたアレイ基板、該アレイ基
板の上面に対向するよう配置された対向基板、並びに上
記アレイ基板と上記対向基板との間に配置された液晶層
を有する液晶パネルと、上記液晶パネルの下方に形成さ
れた反射面とを備え、上記反射面で反射された光が上記
液晶パネルを透過するよう構成された液晶表示装置にお
いて、上記共通電極及び上記画素電極のうちの少なくと
も一方の電極が電極部と配線部とで構成され、上記電極
部の少なくとも一部が透明導電体からなり、上記電極部
が、上記走査信号線が形成された層と絶縁層で隔てられ
た層に形成され、上記配線部が、上記走査信号線が形成
された層に形成されてなるものである（請求項２３）。
かかる構成とすると、電極部の一部が透導電体で構成さ
れるため、輝度が向上するとともに、電極の電極部と走
査信号線とが絶縁層で隔てられるため、ショートを防止
することができる。
【００３０】この場合、上記共通電極及び画素電極がと
もに配線部と櫛状の電極部とで構成され、上記少なくと
も一部が透明導電体で形成された電極部の幅が、他の電
極部の幅と異なるものである（請求項２４）。かかる構
成とすると、透明導電体で形成された電極部の幅を大き
くすることにより、液晶パネルの光透過率を向上するこ
とができる。
【００３１】この場合、上記少なくとも一部が透明導電
体で形成された電極部の幅が、他の電極部の幅より大き
いものである（請求項２５）。かかる構成とすると、液
晶パネルの光透過率をほとんど低下させることなく、フ
ォトリソグラフィによる製造を容易化することができ
る。
【００３２】上記の場合、上記共通電極及び画素電極が
ともに配線部と櫛状の電極部とで構成され、上記共通電
極及び画素電極の双方の電極部の幅は、該双方の電極部
の間で発生する電界によって、透明導電体からなる電極
部上の液晶分子が変調可能なものであるとしてもよい
（請求項２６）。かかる構成とすると、駆動系を変更す
ることなく、光透過率を向上することができる。
【００３３】この場合、上記共通電極及び画素電極の各
々の電極部の幅、並びに上記共通電極及び上記画素電極
の双方の電極部間の間隔のうちの少なくとも一方が、上
記アレイ基板と上記対向基板との間隔と比較して略等し
いか若しくは小さいものとしてもよい（請求項２７）。
かかる構成とすると、電極部上に縦方向の電界が発生し
て電極部上の電界強度が大きくなるので、液晶パネル
の、透明導電体からなる電極部が位置する部分の光透過
率が向上する。そのため、より高輝度の液晶表示装置を
得ることができる。
【００３４】上記の場合、上記共通電極及び画素電極の
各々の電極部の幅が、１μｍ以上１０μｍ以下であると
してもよい（請求項２８）。かかる構成とすると、他の
条件と相俟って、電極上の液晶分子を好適に変調させる
ことができる。
【００３５】また、本発明に係る液晶表示装置は、共通
電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体ス
イッチ素子が上面に形成されたアレイ基板、該アレイ基
板の上面に対向するよう配置された対向基板、並びに上
記アレイ基板と上記対向基板との間に配置された液晶層
を有する液晶パネルと、上記液晶パネルの下方に形成さ
れた反射面とを備え、上記反射面で反射された光が上記
液晶パネルを透過するよう構成された液晶表示装置にお
いて、上記共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号
線及び半導体スイッチ素子のうちの少なくともいずれか
の少なくとも一部が、アルミニウムの反射率より高い反
射率を有する高反射率導電体からなるものである（請求
項２９）。共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号
線及び半導体スイッチ素子で反射面側に反射された光
は、反射面で反射されてリサイクルされ、その一部が液
晶パネルを透過して液晶パネルの輝度向上に寄与する
が、かかる構成とすると、上記共通電極等の部材の少な
くとも一部が、従来用いられているアルミニウムより高
い反射率を有する高反射率導電体で構成されるので、そ
の高反射率導電体で反射される光の分、リサイクル量が
増加する。その結果、液晶パネルの光透過率が向上し、
高輝度の液晶表示装置を得ることができる。また、従来
例の如く電極等の全体を透明化した場合のようにコント
ラストの低下を招くこともない。従って、高輝度で高コ
ントラストの液晶表示装置を得ることができる。
【００３６】この場合、上記高反射率導電体がアルミニ
ウムより低い抵抗率を有するものであり、上記共通電
極、画素電極、走査信号線及び映像信号線のうちの少な
くともいずれかが、上記高反射率導電体単独の層で形成
されてなるものである（請求項３０）。かかる構成とす
ると、高反射率導電体がアルミニウムより低い抵抗率を
有するので、共通電極等の部材を単層で形成することが
できる。そのため、複層で形成する場合に比べて製造コ
ストを低減することができる。
【００３７】また、本発明に係る液晶表示装置は、一対
の基板間に液晶が挟持された液晶パネルと、一方の上記
基板の内面上にマトリクス状に複数の画素を区画するよ
うに形成された複数の走査信号線及び複数の映像信号線
と、各画素内に形成された画素電極と、他方の上記基板
の内面上に形成された共通電極とを備え、上記走査信号
線を通じて上記画素を順次選択しながら上記映像信号線
を通じて映像信号を上記画素電極に書き込むことによ
り、上記液晶パネルに画像を表示する液晶表示装置にお
いて、上記走査信号線、映像信号線、及び画素電極の少
なくとも一部の下方にアルミニウムの反射率より高い反
射率を有する高反射率層が絶縁層を隔てて形成されてい
るものである（請求項３１）。かかる構成とすると、Ｔ
Ｎモードの液晶表示装置において、光リサイクル量が増
加し、表示画面の輝度を向上することができる。
【００３８】また、本発明に係る液晶表示装置は、一対
の基板間に液晶が挟持された液晶パネルと、一方の上記
基板の内面上にマトリクス状に複数の画素を区画するよ
うに形成された複数の走査信号線及び複数の映像信号線
と、各画素内に並ぶように形成された画素電極及び共通
電極とを備え、上記走査信号線を通じて上記画素を順次
選択しながら上記映像信号線を通じて映像信号を上記画
素電極に書き込むことにより、上記液晶パネルに画像を
表示する横電界方式の液晶表示装置において、上記走査
信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極の少なく
とも一部の下方にアルミニウムの反射率より高い反射率
を有する高反射率層が絶縁層を隔てて形成されているも
のである（請求項３２）。かかる構成としても、横電界
方式の液晶表示装置において、光リサイクル量が増加
し、表示画面の輝度を向上することができる。
【００３９】この場合、上記高反射率層がその上方に位
置する上記走査信号線、映像信号線、画素電極、又は共
通電極の幅と略同じ幅に形成されてなるものとしてもよ
い（請求項３３）。かかる構成とすると、高反射率層の
走査信号線等の射影からのはみ出しによる輝度低下をも
たらすことなく高反射率層の面積を最大にすることがで
きるので、効率よく輝度を向上することができる。
【００４０】また、上記高反射率層が、上記液晶パネル
に垂直な方向から見て、その上方に位置する上記走査信
号線、映像信号線、画素電極、又は共通電極と略重なり
合うように形成されてなるものとしてもよい（請求項３
４）。かかる構成としても、高反射率層の走査信号線等
の射影からのはみ出しによる輝度低下をもたらすことな
く高反射率層の面積を最大にすることができるので、効
率よく輝度を向上することができる。
【００４１】また、本発明に係る液晶表示装置は、共通
電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体ス
イッチ素子が上面に形成されたアレイ基板、該アレイ基
板の上面に対向するよう配置された対向基板、並びに上
記アレイ基板と上記対向基板との間に配置された液晶層
を有する液晶パネルと、上記液晶パネルの下方に形成さ
れた反射面とを備え、上記反射面で反射された光が上記
液晶パネルを透過するよう構成された液晶表示装置にお
いて、上記共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号
線及び半導体スイッチ素子の少なくともいずれかが、反
射率の異なる非透明の複数の層を有してなり、該複数の
層は、最も上記液晶層に近い層が最も上記アレイ基板に
近い層の反射率より低い反射率を有してなるものである
（請求項３５）。かかる構成とすると、共通電極等の部
材による光のリサイクル量に比べて、該共通電極等の部
材による外光の反射量が相対的に小さくなるので、不要
光によるコントラストの低下を防止することができる。
【００４２】この場合、最も上記アレイ基板に近い層が
アルミニウムの反射率より高い反射率を有する導電体か
らなるものとしてもよい（請求項３６）。かかる構成と
すると、従来より光のリサイクル量が増大するので、不
要光によるコントラストの低下を防止しつつ、高輝度の
液晶表示装置を得ることができる。
【００４３】上記の場合、上記共通電極の一部と上記映
像信号線とが、上記アレイ基板面に垂直な方向から見て
相互に重なり合うよう、絶縁層を介して積層されてなる
ものとしてもよい（請求項３７）。かかる構成とする
と、アレイ基板の開口率を向上することができ、それに
より、高輝度の液晶表示装置を得ることができる。
【００４４】また、上記画素電極が形成された基板に遮
光層が設けられてなるものとしてもよい（請求項３
８）。かかる構成とすると、遮光層の位置ずれの精度が
その製造時の印刷精度で決まり、アレイ基板と対向基板
との貼り合わせ時の位置合わせの際のずれによる開口率
の低下を抑えることができる。よって、高開口率で高輝
度の液晶パネルを得ることができる。
【００４５】また、上記画素電極が形成された基板にカ
ラーフィルタが設けられてなるものとしてもよい（請求
項３９）。かかる構成とすると、カラーフィルタの位置
ずれの精度がその製造時の印刷精度で決まり、アレイ基
板と対向基板との貼り合わせ時の位置合わせの際のずれ
による開口率の低下を抑えることができる。よって、高
開口率で高輝度の液晶パネルを得ることができる。
【００４６】また、上記共通電極及び上記画素電極の相
互間で実質的に横方向の電界を発生する部分が、相互に
沿うよう屈曲した屈曲部を画素内に少なくとも一つ有す
るように形成されてなるものとしてもよい（請求項４
０）。かかる構成とすると、より視野角特性を向上する
ことができる。
【００４７】この場合、遮光層を有し、上記映像信号線
及び上記遮光層が、上記アレイ基板に垂直な方向から見
て上記共通電極及び上記画素電極の屈曲部に沿うよう屈
曲した、屈曲部を有するように形成されてなるものとし
てもよい（請求項４１）。かかる構成とすると、各電極
の電極部を屈曲させることによる遮光面積の増加を防止
することができる。
【００４８】上記の場合、上記半導体スイッチ素子が、
チャネルエッチ形薄膜トランジスタからなるものとして
もよい（請求項４２）。かかる構成とすると、透明導電
体で構成される電極部と走査信号線とを隔てる絶縁層が
チャネルエッチ形ＴＦＴの保護層の役目をも果たすよう
構成することにより、製造プロセスを簡略化することが
できるので、製造プロセス上、最適な構成となる。
【００４９】また、上記半導体スイッチ素子が、ポリシ
リコンを用いた薄膜トランジスタからなるものとしても
よい（請求項４３）。かかる構成とすると、半導体スイ
ッチ素子を小型化することができるので、アレイ基板の
開口率を向上することができる。よって、高輝度の液晶
表示装置を得ることができる。
【００５０】また、上記アルミニウムより高い反射率
が、９０％を超えるものであるとしてもよい（請求項４
４）。かかる構成とすると、高反射率導電体又は高反射
率層の反射率がアルミニウムの反射率より高いものとな
るので、従来より高光透過率で高輝度の液晶表示装置を
得ることができる。
【００５１】また、上記高反射率導電体又は高反射率層
がAg系の材料で構成されてなるものとしてもよい（請求
項４５）。かかる構成とすると、共通電極等の部材の一
部が、従来のアルミニウムより高い反射率を有するＡg
系の導電体で構成されるので、そのＡg系の導電体で構
成された部分の反射率が向上するため、光のリサイクル
量が向上する。その結果、液晶パネルの光透過率が向上
し、高輝度の液晶表示装置を得ることができる。
【００５２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 実施の形態１ 図１は本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の画素
の構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は(a)のIb
−Ib矢視断面図である。
【００５３】図１において、本実施の形態に係る液晶表
示装置は、表示画面を有する液晶パネル101と、映像信
号に応じて液晶パネル101の液晶を変調して上記表示用
の光の透過率を変化させることにより該映像信号に応じ
た画像を上記表示画面に表示させる液晶パネル駆動回路
（図示せず）とを備えている。そして、液晶表示装置
は、ノーマリブラックモードに設定されている。
【００５４】図１(a),(b)に示すように、液晶パネル101
は、互いに対向する対向基板155とアレイ基板157との間
に液晶156が挟持されて構成されている。対向基板155及
びアレイ基板157は共にガラス基板で構成されている。
対向基板155の内面にはブラックマトリクス（以下、遮
光層という（図示せず））、カラーフィルタ（図示せ
ず）、及び配向膜がこの順に形成されている。以下、こ
のように構成された基板を対向側基板という。アレイ基
板157の内面には、平面視において、互いに平行な複数
の映像信号線153と互いに平行な複数の走査信号線154と
が直交するように形成され、その複数の映像信号線153
と複数の走査信号線154とでマトリクス状に区画された
領域が画素（表示領域）103を構成している。そして、
全ての画素103の集合したものが表示画面（図示せず）
を構成している。各画素103には、コの字状の画素電極1
52と短冊状の対向電極（共通電極）151とが互いに対向
するように形成されている。すなわち、画素電極152と
対向電極151とが櫛歯形状で互いに対向するように形成
されている。そして、両電極152,153は映像信号線153に
平行に延びるよう形成されている。また、画素電極152
の一端は、半導体スイッチ素子160を介して映像信号線1
53に接続されている。半導体スイッチ素子160は、ここ
ではチャネルエッチ形のＴＦＴ(Thin Film Transistor)
で構成されている。一方、対向電極151は対向電極バス
ライン（配線部）158に接続されている。そして、これ
らの構造体が形成されたアレイ基板157の表面を覆うよ
うに保護膜164が形成され、さらにその保護膜164を覆う
ように配向膜（図示せず）が形成されている。以下、こ
のように構成された基板をアレイ側基板という。
【００５５】そして、対向電極151が、高反射率の金
属、例えば可視光領域で９８％の反射率を持つＡｇ−Ｐ
ｄ−Ｃｕ合金からなる非透明導電層151Aと、透明導電
体、例えばＩＴＯからなる透明導電層151Bとの２層で構
成されている。つまり、対向電極151は、アレイ基板157
上に細長い板状の非透明導電層151Aが形成され、該非透
明導電層151Aの周囲を覆うように透明導電層151Bが形成
されて構成されている。従って、対向電極151は、平面
視において、縁部が透明導電層151Bで構成され、中央部
が非透明導電層151Aで構成されている。
【００５６】次に、以上のように構成された液晶パネル
101の製造方法を図１、図２を用いて説明する。図２は
液晶パネル101の作製方法を示す工程別断面図である。
【００５７】まず、アレイ側基板の作製方法を説明す
る。図１、図２に示すように、アレイ側基板を作製する
には、まず、アレイ基板たるガラス基板157の一方の主
面上に、真空成膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度のＡ
ｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金からなる薄膜導電体層を被着する。
【００５８】次いで、第1のフォトマスクを用いて、走
査信号線154、対向電極151の非透明導電層151A、及び対
向電極バスライン158をフォトリソグラフィにより選択
的に形成する（図１(a)、図２(a)）。
【００５９】次いで、ガラス基板157の全面に、スパッ
タリングによりＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜151'を０．
０４〜０．２μｍの厚み（本実施例では、０．１μｍ程
度）に形成する（図２(b)）。
【００６０】その後、第２のフォトマスクを用いて、フ
ォトリソグラフィにより、ＩＴＯ膜151'が非透明導電層
151Aを覆う線幅となるようにパターニングする。これに
より、透明導電層151Bが形成される（図２(c)）。本実
施の形態においては、透明導電層151Bの線幅が非透明導
電層151Aの線幅に比べて片側で１μｍ以上、両側で２μ
ｍ以上太くなるように構成した。
【００６１】次いで、プラズマＣＶＤ装置を用いて、ガ
ラス基板157の全面に、ＴＦＴのゲート絶縁層161となる
窒化シリコンＳｉＮｘ層、ＴＦＴのチャネルとなる不純
物をほとんど含まない非晶質シリコンａ−Ｓｉ層162、
及びＮ型非晶質シリコンｎ＋ａ−Ｓｉ層163の３種類の
薄膜層を、それぞれ、０．３μｍ、０．２μｍ、０．０
３μｍの厚みに順次被着し、その後、第３のフォトマス
クを用いて、ＴＦＴのチャネルとなる部分に非晶質シリ
コンａ−ｓｉ層162を選択的に残す。これにより、ＴＦ
Ｔのチャネル部が形成される（図２(d),(e)）。
【００６２】次いで、ガラス基板157の全面に、スパッ
タリングによって、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金からなる薄膜
152'を０．１μｍ程度の厚みに被着する（図２(f)）。
【００６３】その後、このＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金からな
る薄膜152'を、第４のフォトマスクを用いてフォトリソ
グラフィによりパターニングし、それにより、映像信号
線153及び画素電極152を選択的に形成する（図１
(a)）。
【００６４】次いで、Ｎ型非晶質シリコンｎ＋ａ−Ｓｉ
層163がＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる部
分に残るようにこれをエッチングする。これにより、チ
ャネルエッチ型の非晶質シリコンを用いたＴＦＴ160が
形成される。なお、上記工程において、非晶質シリコン
ａ−Ｓｉ層162及びＮ型非晶質シリコンｎ＋ａ−Ｓｉ層1
63をレーザアニールしてそれぞれポリシリコンｐ−Ｓｉ
層及びＮ型ポリシリコンｎ＋ｐ−Ｓｉ層とすることによ
り、ポリシリコンを用いたＴＦＴ160を作成することが
できる。
【００６５】次いで、プラズマＣＶＤ装置を用いて、窒
化シリコン層からなる保護膜164を堆積する。その後、
保護膜164上に配向膜が被着される（図２(g)）。
【００６６】最後に、図示しないが、走査信号線154や
映像信号線153に電気信号を供給できるようにガラス基
板157の周辺部にて、電極上のパシベーション絶縁層で
ある窒化シリコン層164を、第５のフォトマスクを用い
て選択的に除去し、端子電極を露出させる。
【００６７】次に、対向側基板の作製方法を説明する。
この場合、対向基板たるガラス基板155の一方の主面
に、遮光層、カラーフィルタ、及び配向膜を順次形成す
る。遮光層は、走査信号線154及び映像信号線153を遮光
するように形成される。
【００６８】次いで、対向側基板とアレイ側基板との間
隙に液晶156が挟持されるように定法により液晶パネル1
01を組み立てる。
【００６９】次いで、液晶パネル駆動回路及びバックラ
イトを組み付ける。これにより、液晶表示装置が完成す
る。
【００７０】次に、以上のように構成され製造された液
晶表示装置の動作を説明する。図３は図１の液晶表示装
置の動作を示す図であって、(a)は画素の断面図、(b)は
対向電極の断面を示す部分拡大断面図である。
【００７１】図３(a)に示すように、液晶表示装置で
は、画素電極152と対向電極151との間に電圧が印加され
ると、その印加電圧に応じて画素電極152と対向電極151
との間に従来の技術で述べたような電界が形成され、各
電極151,152の中央部にはディスクリネーション領域301
が形成される。画素103内の液晶156はこのディスクリネ
ーション領域301によって複数のドメイン391に分割され
ることになる。しかし、対向電極151は、平面視におい
て、縁部が透明導電層151Bで構成され、中央部が高反射
率の非透明導電層151Aで構成されている。従って、透明
導電層151Bに入射した表示用の光801bはこれを透過する
ので、その分、表示画面の輝度が向上する。一方、非透
明導電層151Aに入射した表示用の光801cは該非透明導電
層151Aで反射されてバックライトに戻されるので、該バ
ックライトの光リサイクル効率が向上するとともに、非
透明導電層151Aの上方に位置する低コントラスト領域た
るディスクリネーション領域301が表示領域から除かれ
るので、その分、表示画面の平均的なコントラストが向
上する。
【００７２】また、本実施の形態のように対向電極151
を、非透明導電層151Aを透明導電層151Bで覆う２層構造
とし、これをフォトリソグラフィ法により形成すると、
図３(b)に示すように、その外層151Bの上面に稜部501が
形成され、液晶156に接する層（図示されない配向膜）
にもこの稜部501を反映した稜部164aが形成される。そ
のため、この稜部164aに電気力線406の分かれ目が形成
され、その結果、ディスクリネーション領域301がこの
稜部164aの上方に形成される。これにより、ディスクリ
ネーション領域301が確実に非透明導電層151Aの上方に
位置することとなるので、確実にコントラストの向上を
図ることができる。
【００７３】また、対向電極151の中心部が導電率の高
い銀Ag系材料からなる非透明導電層151Aで構成されてい
るので、対向電極151が導電率の低いＩＴＯからなる透
明導電体のみで構成された従来例に比べて、信号の遅延
が低減されるため、フリッカを低減することができる。
【００７４】次に、本実施の形態の変形例を説明する。
図４は第１の変形例による液晶表示装置の画素の構造を
示す図であって、(a)は平面図、(b)は(a)のIVb−IVb矢
視断面図である。
【００７５】本変形例では、対向電極151に加えて、画
素電極152も、透明導電層152Aと非透明導電層152Bとの
２層構造となっている。これにより、表示画面の輝度及
びコントラストをさらに向上することができる。なお、
画素電極152においても、対向電極151と同様に、図３
(b)に示す稜部164aが形成され、表示画面のコントラス
トを確実に向上する効果が得られるのはいうまでもな
い。
【００７６】図５は第２の変形例による液晶表示装置の
画素の構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は(a)
のVb−Vb矢視断面図である。
【００７７】本変形例では、画素電極152が、透明導電
層152Aと非透明導電層152Bのとの２層構造となってい
る。かかる構成としても、表示画面の輝度及びコントラ
ストを向上することができる。
【００７８】最後に、本実施の形態による効果を明確に
するためにこれを総括する。図６は、本実施の形態に係
る液晶表示装置の透過率分布を示す断面図である。
【００７９】図６において、本実施の形態に係る液晶表
示装置は、上記３つの構成例に示したように、対向電極
151及び画素電極152の少なくともいずれかを非透明導電
層と透明導電層との２層構造とするものである（図６に
は対向電極151及び画素電極152の双方を２層構造とした
場合が示されている）。このような構成とすると、対向
電極151と画素電極152との間に電圧が印加されると、液
晶の電極151,152間に位置する領域303では透過率302が
高くなり、ディスクリネーション領域301では透過率302
が低くなり、各電極151,152の中央部以外の部分の上方
に位置する領域304では透過率302が中程度となる。そし
て、表示用の光801は、透過率302が高い領域303に入射
するもの801aに加えて、透過率302が中程度の領域304に
入射するもの801bが液晶パネルを透過するので、その
分、表示画面の輝度が向上する。一方、表示用の光801
のうちディスクリネーション領域301に向かうもの801c
は、各電極151,152の非透明導電層151A,152Aで反射され
るので、透過率の低いディスクリネーション領域301が
表示領域から除かれるため、その分、表示画面の平均的
なコントラストが向上する。
【００８０】なお、上記構成例では、画素103の内部、
すなわち、表示領域に位置する電極のみを２層構造とし
たが、これ以外の走査信号線154、映像信号線153等を2
層構造としてもよい。 実施の形態２ 実施の形態１では、非透明導電層と透明導電層とを別々
のフォトマスクを用いて作製したが、本実施の形態は、
非透明導電層を形成する際に用いたフォトマスクと同じ
マスクを用いて透明導電層を形成するものである。具体
的には、非透明導電層を形成する際に、エッチング工程
において、オーバエッチングして非透明導電層の線幅を
フォトマスクの線幅よりも小さくなる様に調整する。そ
の後、透明導電層を形成する際に、エッチング工程にお
いて、透明導電層の線幅を先に形成した非透明導電層よ
り広くなるようにオーバーエッチングの量を調整する。
この非透明電極のオーバーエッチング量は、例えば、フ
ォトマスクの線幅よりも2μｍ細くなるものである。
【００８１】この作製方法によれば、フォトマスクを増
やすことなく、非透明導電層と透明導電層との２層で構
成される電極を作製することができる。 実施の形態３ 図７は本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の構成
を模式的に示す断面図である。図７において、図１と同
一符号は同一又は相当する部分を示す。
【００８２】図７に示すように、本実施の形態では、対
向基板155に、対向電極151及び画素電極152の非透明導
電層151A,152Aに対応する遮光層322が形成されている。
この遮光層322は、液晶パネル101に垂直な方向から見
て、非透明導電層151A,152Aに重なり合うように形成さ
れている。その他の点は、実施の形態１と同様である。
【００８３】このような構成とすると、対向基板155側
から入射し非透明導電層151A,152Aで反射される外光、
すなわち不要光が低減されるので、表示画面のコントラ
ストを向上することができる。
【００８４】また、本実施の形態の変形例として、遮光
層322を設ける代わりに、対向電極151及び画素電極152
の非透明導電層151A,152Aの表面に黒色化処理層376を形
成いしてもよい。この黒色化処理層376は、低反射クロ
ム層を被着することにより、あるいは銀Ag系の材料を被
着した後プラズマ処理することにより形成される。この
ような構成とすると、対向基板155側から入射した外光
が黒色化処理層376で吸収されて不要光が低減されるの
で、表示画面のコントラストを向上することができる。 実施の形態４ 本発明の実施の形態４は、ＩＰＳモードの半透過型の液
晶表示装置の構成を例示したものである。
【００８５】図８は本実施の形態に係る液晶表示装置の
構成を模式的に示す断面図である。図８において、図１
と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【００８６】図８に示すように、本実施の形態では、対
向電極151及び画素電極152のいずれか（図８では画素電
極）が非透明導電体で構成され、この非透明導電体で構
成された電極152の上面152aが光拡散性に形成されてい
るものである。その他の点は実施の形態１と同様であ
る。
【００８７】このような構成とすると、対向基板側から
入射する外光802が電極152の光拡散性の上面152aで拡散
されるので、その拡散された光を表示用の光として利用
することができる。よって、半透過型の液晶表示装置と
して利用することができる。また、電極等の材料を銀Ag
系の金属等の高反射率の材料で構成することにより、表
示画面の輝度が向上する。 実施の形態５ 図９は本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の構成
を模式的に示す断面図である。図９において、図８と同
一符号は同一又は相当する部分を示す。
【００８８】図９に示すように、本実施の形態は、実施
の形態４の液晶表示装置において、対向基板155の、上
面152aが光拡散性に形成された電極152に対応する位置
に、遮光層323が形成されてなるものである。このよう
な構成とすると、電極152の上面152aで反射された光の
うち、変調率の低い該電極152上の液晶層を通って観察
者の眼に入射する不要光を低減することができるので、
表示画面のコントラストをより向上することができる。 実施の形態６ 図１０は本発明の実施の形態６に係る液晶表示装置の構
成を模式的に示す断面図である。
【００８９】図１０に示すように、本実施の形態は本発
明をいわゆるＭＶＡ(Multi-domainVertical Alignment)
モードの液晶表示装置に適用したものである。すなわ
ち、本実施の形態に係る液晶表示装置の液晶パネル101
では、画素において、対向基板351及びアレイ基板353の
内面にＩＴＯからなる透明電極がそれぞれ形成され、各
透明電極の表面に三角形の断面を有するリブが対向基板
351側及びアレイ基板353側から交互に突出するように形
成されている。そして、対向基板351側に形成されたリ
ブ355は、従来例と同様に誘電体で構成されている。一
方、アレイ基板353側に形成されたリブ356は、透明電極
354上に形成された非透明導電層356Aと該非透明導電層3
56Aを覆うように形成された透明誘電層356Bとの２層で
構成されている。非透明導電層356は高反射率の導電材
料で構成されている。このように構成された液晶表示装
置では、液晶分子405がリブ355,356の誘電体の作用によ
って斜めに配向する。その結果、リブ355,356の稜部に
ディスクリネーション領域301が形成され、このディス
クリネーション領域301は、ＩＰＳモードの場合と同様
に、透過率（変調率）の低い低コントラスト領域にな
る。しかし、本実施の形態では、アレイ基板353側のリ
ブ356が、その稜部の下方に非透明導電層356Aが位置す
るように構成されている。従って、透明誘電層356Bに入
射した表示用の光801bはこれを透過するので、その分、
表示画面の輝度が向上する。一方、非透明導電層356Aに
入射した表示用の光801cは該非透明導電層356Aで反射さ
れてバックライトに戻されるので、該バックライトの光
リサイクル効率が向上するとともに、非透明導電層356A
の上方に位置するディスクリネーション領域301が表示
領域から除かれるので、その分、表示画面の平均的なコ
ントラストが向上する。
【００９０】なお、対向基板351側のリブ355を非透明導
電層と透明誘電層の２層構造としてもよい。
【００９１】また、上記構成例では、２層構造の非透明
層を導電体で構成したが、この非透明層は光反射性を有
していればよく、従って、これを光反射性を有する誘電
体又は半導体で構成してもよい。 実施の形態７ 図１１は本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の構
成を模式的に示す断面図である。
【００９２】図１１に示すように、本実施の形態は本発
明をいわゆるＰＶＡ(Patterned Vertical Alignment)モ
ードの液晶表示装置に適用したものである。すなわち、
本実施の形態に係る液晶表示装置の液晶パネル101で
は、画素において、対向基板361及びアレイ基板362の内
面に電極363,364が対向基板361側及びアレイ基板362側
から交互に突出するように形成されている。そして、対
向基板361側に形成された電極363は、従来例と同様にＩ
ＴＯからなる透明導電体で構成されている。一方、アレ
イ基板353側に形成された電極364は、アレイ基板362上
に形成された非透明導電層364Aと該非透明導電層364Aを
覆うように形成されたＩＴＯからなる透明導電層364Bと
の２層で構成されている。非透明導電層364は高反射率
の導電材料で構成されている。このように構成された液
晶表示装置では、対向基板361側の電極363とアレイ基板
362側の電極364との間に斜め方向の電界が形成され、そ
の電界に従って液晶分子405が斜めに配向する。その結
果、各電極363,364の中央部にディスクリネーション領
域301が形成され、このディスクリネーション領域301
は、ＩＰＳモードの場合と同様に、透過率（変調率）の
低い低コントラスト領域になる。しかし、本実施の形態
では、アレイ基板362側の電極364が、その中央部に非透
明導電層364Aが位置するように構成されている。従っ
て、透明導電層364Bに入射した表示用の光801bはこれを
透過するので、その分、表示画面の輝度が向上する。一
方、非透明導電層364Aに入射した表示用の光801cは該非
透明導電層364Aで反射されてバックライトに戻されるの
で、該バックライトの光リサイクル効率が向上するとと
もに、非透明導電層364Aの上方に位置するディスクリネ
ーション領域301が表示領域から除かれるので、その
分、表示画面の平均的なコントラストが向上する。
【００９３】なお、対向基板361側の電極363を非透明導
電層と透明誘電層の２層構造としてもよい。 実施の形態８ 図１２は本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の概
略の構成を示す図、図１３は図１２の液晶表示装置の画
素部近傍の構成を示す図であって、図１３(a)は平面
図、図１３(b)は図１３(a)のXIIIb−XIIIb矢視断面図で
ある。なお、便宜上、液晶表示装置の方向を図１２に示
す方向に取った。
【００９４】図１２に示すように、液晶表示装置100
は、液晶パネル101、及びバックライト10を含んで構成
され、液晶パネル101の直下にバックライト10が配設さ
れている。
【００９５】図１２、図１３に示すように、液晶パネル
101は、アレイ基板１Ａの上面に対向するように対向基
板１Ｂが配置され、両基板１Ａ,１Ｂの間に液晶２が配
置されている。アレイ基板１Ａの上面には配線層102が
形成されている。そして、その配線層102が形成された
アレイ基板１Ａの上面を覆うように配向膜９Ａが形成さ
れている。また、対向基板１Ｂの下面には格子状又はス
トライプ状の遮光層13が形成され、その遮光層13が形成
された対向基板１Ｂの下面を覆うようにカラーフィルタ
８が形成されている。さらに、カラーフィルタ８の下面
を覆うように配向膜９Ｂが形成されている。そして、ア
レイ基板１Ａに形成された配向膜９Ａと対向基板１Ｂに
形成された配向膜９Ｂとの間に挟まれるように上記液晶
２が配置されている。なお、アレイ基板１Ａの下面側及
び対向基板１Ｂの上面側には、それぞれ偏光フィルム
（図示せず）が配設されている。
【００９６】バックライト10は、導光板10b、反射板
（反射面）10c、及び光源10aを含んで構成され、液晶パ
ネル101の下方に導光板10bが配設され、導光板10bの対
向する一対の側面に沿って一対の管状の光源10aが配設
され、導光板10bの他の側面及び下面を覆うように反射
板10cが配設されている。また、光源10aの、導光板10b
に臨む部分を除く周囲を覆うようにランプリフレクタ
（図示せず）が配設され、かつ導光板10bの上面には光
を拡散する拡散シート（図示せず）が配設されている。
【００９７】次に、上記配線層102について詳しく説明
する。液晶２の配向を変化させるための電気回路（以
下、液晶作動回路という）は負荷部と電源部とで構成さ
れ、該負荷部は液晶パネル101の上記配線層102内に形成
された部分で構成され、該電源部はいわゆる液晶パネル
駆動回路で構成されている。この液晶パネル駆動回路は
図示されていない。そして、上記配線層102には、上記
液晶作動回路の負荷部として、共通電極３、画素電極４
等の回路構成要素（以下、パネル内液晶作動回路構成要
素という）が形成されている。
【００９８】図１３(a)に示すように、アレイ基板１上
には、上記パネル内液晶作動回路構成要素として、共通
電極３、画素電極４、映像信号線５、走査信号線６、及
び半導体スイッチ素子７が形成されている。
【００９９】平面視において、映像信号線５及び走査信
号線６はそれぞれ直線状に形成され、かつ複数の映像信
号線５と複数の走査信号線６とが直交してアレイ基板１
Ａ上にマトリクスを形成するように配設されている。そ
して、映像信号線５と走査信号線６とで区画された領域
が画素103を構成している。各画素103において、共通電
極３及び画素電極４は、共に、線状（正確には帯状）に
形成され、横方向の電界を発生して実質的に電極として
機能する電極部３a,４aと、電極部間や他のパネル内液
晶作動回路構成要素との間を接続する配線として機能す
る配線部３b,４b’,４b”とからなっている。共通電極
３は、本実施の形態では、３本の一定長の電極部３aが
一定の間隔で映像信号線５の延在方向に２段のくの字状
に屈曲して延びるように配設され、その各電極部３aの
中央部を連結して走査信号線６の延在方向に直線状に延
びるように配線部３bが配設されている。該配線部３bは
図示されない接地端子に接続されている。画素電極４
は、本実施の形態では、２本の電極部４aが、共通電極
３の３本の電極部３aの間に、相互に等間隔となりかつ
該共通電極３の電極部３aに沿うようにして、映像信号
線５の延在方向に２段のくの字状に屈曲して延びるよう
に配設され、その各電極部４aの一端が走査信号線６上
に位置する配線部４b’によって接続され、さらに一方
の電極部４aの他端がＬ字状の配線部４b”によって半導
体スイッチ素子７に接続されている。半導体スイッチ素
子７は、画素毎に、映像信号線５と走査信号線６との交
差点近傍に配設されている。半導体スイッチ素子７は、
周知のＴＦＴで構成され、ゲート電極が走査信号線６
に、ソースが映像信号線５に、ドレインが画素電極４の
配線部４b”にそれぞれ接続されている。
【０１００】また、断面視において、上記配線層102
は、アレイ基板１上に、共通電極３及び走査信号線６、
絶縁層（図示せず）、画素電極４及び映像信号線５の順
で下から上へと積層されるように形成されている。な
お、図１３(b)では、説明を判り易くするため、共通電
極３と画素電極４とが同層であるように示している。
【０１０１】次に、材質について説明する。アレイ基板
１Ａ及び対向基板１Ｂは透明なガラスからなっている。
配向膜９Ａ,９Ｂは、液晶２の分子を整列させることが
可能な材料、例えばポリイミドからなっている。半導体
スイッチ素子７は、活性半導体層に非晶質シリコンａ−
Ｓｉを用いたもので構成されている。
【０１０２】そして、共通電極３、画素電極４、映像信
号線５、及び走査信号線６は、可視光領域でほぼ９５％
以上の高反射率を有するＡｇ系の金属材料（以下、高反
射率金属材料という）からなっている。そのような金属
材料の中でも、フォトリソグラフィにおけるパターニン
グに必要なエッチング性や信頼性を考慮すると、Ａｇ−
Ｐｄ−Ｃｕ合金が好ましい。Ａｇ系の金属材料は抵抗率
が低いので、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を使用すれば、上記
パネル内液晶作動回路構成要素を単層で構成することが
可能であり、従って、Ａｌ系、Ｃｒ系等の金属材料を複
層で使用する場合に比べて低コストで製造することがで
きる。また、抵抗率が低いことからパネル内液晶作動回
路構成要素の層厚を薄くすることができるため、配向を
確実に形成することができる。その結果、高コントラス
トで輝度むらの少ない高画質の液晶表示装置を得ること
が可能となる。本実施の形態では、高反射率金属材料と
して、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を用いた。その組成比は、
Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝0.981：0.009：0.010とした。
【０１０３】次に、以上のように構成された液晶表示装
置の製造方法を説明する。図１２、図１３において、ま
ず、アレイ基板１Ａ上に高反射率金属材料からなる導電
層を形成し、それをパターニングして共通電極３と走査
信号線６とを形成する。次いで、それらの表面を覆うよ
うに絶縁層（図示せず）を形成する。次いで、非晶質シ
リコンａ−Ｓｉ等を用いて半導体スイッチ素子７を形成
するとともに、高反射率金属材料からなる導電層を形成
し、それをパターニングして画素電極４と映像信号線５
とを形成する。
【０１０４】次いで、この半導体スイッチ素子７、画素
電極４及び映像信号線５が形成されたアレイ基板１の表
面にポリイミドからなる配向膜９Ａを形成する。
【０１０５】一方、対向基板１Ｂ上に、遮光層102、カ
ラーフィルタ８を順次形成する。カラーフィルタ８は、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ材料を
所定のパターンに配置する。次いで、カラーフィルタ８
が形成された対向基板１Ｂの表面にポリイミドからなる
配向膜９Ｂを形成する。
【０１０６】次いで、上記のように作製されたアレイ基
板１Ａ及び対向基板１Ｂに、それぞれ所定の方向に初期
配向方位を形成する。次いで、アレイ基板１Ａ及び対向
基板１Ｂの周辺部同士をシール剤で接着し、その後、両
基板間に形成された空間に液晶２を注入し封止する。こ
れにより、液晶パネル101が完成する。その後、この液
晶パネル101にバックライト10を取り付ける。
【０１０７】次に、以上のように構成された液晶表示装
置100の動作を説明する。図１３において、半導体スイ
ッチ素子７は、映像信号線５及び走査信号線６から入力
される駆動信号に応じてオン・オフ制御される。する
と、半導体スイッチ素子７に接続された画素電極４と共
通電極３との間に、該半導体スイッチ素子７の制御状態
に応じて電圧が印加され横方向の電界が発生する。この
発生した横方向の電界に応じて液晶２の配向が変化し、
その変化に応じてバックライト10から入射する光の透過
率が変化する。それにより、各画素103の輝度が制御さ
れ画像が表示される。
【０１０８】ところで、一般にＩＰＳモードを用いた表
示方式では、共通電極３と画素電極４とがアレイ基板１
Ａ上に並ぶように形成されるため、アレイ基板１Ａの開
口率が３０〜４０％と低くなる。一方、バックライト10
の光源10aから出射した光は、反射板10c等で反射を繰り
返しながら導光板10b中を進行してアレイ基板１Ａに到
達し、その光の一部のみがアレイ基板１Ａの開口部、す
なわち共通電極３、画素電極４等のパネル内液晶作動回
路構成要素が形成されていない部分を透過する。しかし
ながら、それ以外の光も、パネル内液晶作動回路構成要
素で反射された後、バックライト10及びアレイ基板１Ａ
内で繰り返し反射され、その間にその一部が逐次上記開
口部を透過する。つまり、アレイ基板１Ａの開口部を透
過できなかった光でも、反射板10c側に反射された光は
リサイクルされてその一部が該開口部を透過し、液晶パ
ネル101の輝度向上に寄与する。
【０１０９】図１３(b)において、一点鎖線で示した矢
印は、光源10aから出射した光が反射板10cで反射されて
アレイ基板１Ａ側に進み、共通電極３及び画素電極４で
反射された後バックライト10側に戻って反射板10cで再
度反射され、さらにアレイ基板１Ａ側に進んで開口部を
透過する様子を示した光線追跡図である。このように反
射を繰り返した後、アレイ基板１Ａの開口部を透過した
光がリサイクル光である。従って、リサイクル光の光量
は、液晶パネル101及びバックライト10を構成する各部
材の反射率、液晶パネル101の透過率、及び反射回数等
で増減する。
【０１１０】従来の液晶表示装置では、このような観点
でパネル内液晶作動回路構成要素に用いられる金属材料
が選択されることはなく、コスト、あるいはエッチング
性、信頼性等を重視して、Ｃｒ系あるいはＡｌ系の合
金、さらにはこれらとＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ等の金属とを組
み合わせた複層配線が使用されることが多かった。
【０１１１】しかしながら、これらの金属材料は反射率
があまり高くなく、特に、Ｃｒ系の合金は６０％程度と
低い。そのため、バックライト10の光源10aから出射し
た光は、パネル内液晶作動回路構成要素で繰り返し反射
されることにより大きく光量を損失し、従って、リサイ
クル光として利用される光量は小さく、リサイクル光が
それほど輝度向上に寄与することはなかった。そのた
め、従来のＩＰＳモードの液晶表示装置では、アレイ基
板の開口率の低下がほぼそのまま液晶パネルの輝度の低
下につながり、画面が暗くなっていたのである。
【０１１２】これに対し、本発明はリサイクル光の輝度
向上に対する寄与に着目したもので、本実施の形態に係
る液晶表示装置では、パネル内液晶作動回路構成要素の
材料に高反射率金属材料を使用している。そのため、バ
ックライト10の光源10aから出射した光が、バックライ
ト10側とアレイ基板１Ａ側との間で繰り返し反射する間
に、あるいは液晶パネル101の内部で繰り返し反射する
間に損失する光量を低減することができるので、リサイ
クル光として利用される光量が増大し、リサイクル光が
輝度向上に大きく寄与し得る。よって、高輝度の液晶表
示装置を得ることができる。また、従来例の如く電極等
の全体を透明化した場合のようにコントラストの低下を
招くこともない。従って、高輝度で高コントラストの液
晶表示装置を得ることができる。
【０１１３】ところで、バックライト10は、実際には、
光源10a、導光板10b、反射板10cの他、拡散シート、集
光プリズム、偏光変換フィルム等で構成され、非常に複
雑でかつ機種によってその構成が異なる。そこで、共通
電極３及び画素電極４の反射率の影響を分析するため
に、構成の異なる２種類のバックライトを選択し、その
２種類のバックライトについて、バックライト10側に戻
った光が反射して再び液晶パネル101に入射する割合
（以下、リサイクル率と呼ぶ）を実測した。その結果、
その２種類のバックライトの間でリサイクル率は異な
り、約６０％と約９０％であった。以下、この２種類の
バックライトを比較することにより、共通電極３及び画
素電極４（以下、単に電極という）の反射率が光リサイ
クル量に及ぼす影響を検討する。ここで、光リサイクル
量は、バックライト10の光源10aから出射された光量に
対するアレイ基板１Ａを透過する光量の比を百分率で表
したものである。
【０１１４】図１４は、バックライトのリサイクル率が
６０％の場合における光の反射回数に対する光リサイク
ル量の変化を示す図である。図１４では、電極の反射率
をパラメータに取り、その電極の反射率が６０％、７０
％、８０％、９０％、９８％である時の、光の反射回数
と光リサイクル量との関係を示している。図１４によれ
ば、電極の反射率を大きくすると反射回数に拘わらず光
リサイクル量が増加することが判る。例えば、電極の反
射率が６０％から９８％に変化したときの光リサイクル
量の増加は、反射回数が５回のとき５％（５ポイント）
程度である。
【０１１５】図１５は、バックライトのリサイクル率が
９０％の場合における光の反射回数に対する光リサイク
ル量の変化を示す図である。図１５でも図１４と同様、
電極の反射率が６０％、７０％、８０％、９０％、９８
％である時の、光の反射回数と光リサイクル量との関係
を示している。図１５によれば、電極の反射率が６０％
から９８％に変化したときの光リサイクル量の増加は、
反射回数が５回のとき５０％（５０ポイント）、反射回
数が10回のとき３０％（３０ポイント）である。従っ
て、図１４の場合に比べて、電極の反射率の増大に対す
る光リサイクル量の増加が非常に大きいことが判る。ま
た、電極の反射率が９０％から９８％に変化したときの
光リサイクル量の増加は、反射回数が５回のとき及び10
回のときのいずれも２０％（２０ポイント）程度であ
る。
【０１１６】以上の検討結果を実際の電極材料に当ては
めると、Ｃｒ系金属材料の反射率が約６０％であるのに
対しＡｇ系金属材料の反射率は約９８％であるから、電
極の材料をＣｒ系のものからＡｇ系のものに変更するこ
とにより、光リサイクル量が増大し、それにより輝度が
向上することが判る。特にバックライトのリサイクル率
が大きい場合は、電極の反射率が９０％から９８％に変
化しても、すなわち電極の材料をＡｌ系のものからＡｇ
系のものに変えても輝度が大きく向上する。
【０１１７】なお、本実施の形態では、共通電極３及び
画素電極４の各電極部３a,４aを屈曲させているので、
液晶２の分子の回転方向が２つの方向に分かれるため、
液晶パネル101を斜めに見た場合の色付きを互いに相殺
し、見る方向による色変化の少ない液晶パネル101を得
ることができる。よって、より広視野角の液晶表示装置
を得ることができる。
【０１１８】また、本実施の形態では、パネル内液晶作
動回路構成要素の全てについてその全体を高反射率金属
材料で構成したが、パネル内液晶作動回路構成要素の一
部を高反射率金属材料で構成してもよく、また、あるパ
ネル内液晶作動回路構成要素の一部を高反射率金属材料
で構成してもよい。 実施の形態９ 本発明の実施の形態９は、共通電極及び画素電極の少な
くともいずれかを透明導電体で構成する液晶表示装置の
うち、共通電極を透明導電体で構成するものを例示した
ものである。
【０１１９】図１６は本実施の形態に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図１６(a)は平
面図、図１６(ｂ)は図１６(a)のXVIb−XVIb矢視断面図
である。図１６において図１３と同一符号は同一又は相
当する部分を示す。
【０１２０】本実施の形態は、実施の形態８と異なり、
図１６に示すように、共通電極３は、電極部３aが透明
導電体で構成され、配線部３bが高反射率金属材料で構
成されている。そして、電極部３aと配線部３bとが絶縁
層（第２絶縁層１１及び図示されない第１絶縁層）で隔
てられ、該電極部３aと配線部３bとは絶縁層に設けられ
たコンタクトホール１１aによって接続されている。つ
まり、断面視において、配線層102は、アレイ基板１上
に、共通電極の配線部３b及び走査信号線６、第１絶縁
層（図１９(b) に符号14で示す）、画素電極４及び映像
信号線５、第２絶縁層１１、共通電極の電極部３aの順
で下から上へと積層するように形成されている。なお、
図１６(b)では、説明を判り易くするため、第１絶縁層
を省略して描いている。これ以外の点は、実施の形態８
と同様である。
【０１２１】次に、以上のように構成された液晶表示装
置の製造方法を図１６を用いて説明する。
【０１２２】図１６において、まず、アレイ基板１Ａ上
に高反射率金属材料からなる導電層を形成し、それを所
定の形状にパターニングして共通電極の配線部３bと走
査信号線６とを形成する。次いで、それらの表面を覆う
ように第１絶縁層（図示せず）を形成する。次いで、こ
の第１絶縁層の所定部分の上にａ−Ｓｉ層とｎ+形ａ−
Ｓｉ層（共に図示せず）とを含んで構成される半導体ス
イッチ素子７を形成する。さらに、第１絶縁層の半導体
スイッチ素子７が形成された部分と、半導体スイッチ素
子７の所定部分との上に高反射率金属材料からなる導電
層を形成し、それを所定の形状にパターニングして映像
信号線５と画素電極４とを形成する。
【０１２３】次いで、このように映像信号線５及び画素
電極４までが形成されたアレイ基板１Ａの表面にＳｉＮ
ｘ等からなる第２絶縁層１１を形成する。第２絶縁層１
１は半導体スイッチ素子７を保護する保護膜の役目をも
果たすものである。
【０１２４】次いで、第２絶縁層１１上にＩＴＯからな
る透明導電層を形成し、それを所定の形状にパターニン
グして共通電極の電極部３aを形成する。
【０１２５】ここで、高反射率金属材料で形成された共
通電極の配線部３bと、透明導電体で形成された共通電
極の３本の電極部３aとの電気的導通を得るために、第
１絶縁層及び第２絶縁層１１には、それぞれコンタクト
ホール１１ａが設けられる（図１９(b)参照）。
【０１２６】以降、実施の形態８と同様の工程を経て、
液晶表示装置が完成される。
【０１２７】以上のように構成された液晶表示装置によ
れば、共通電極３の電極部３aが透明導電体で構成され
ているため、アレイ基板１Ａの開口率が増大する。
【０１２８】しかしながら、共通電極３の電極部３a及
び画素電極４の電極部４aの上方に位置する領域は、共
通電極３の電極部３aと画素電極４の電極部４aとの間に
位置する領域に比べると電界強度が小さくなる。従っ
て、アレイ基板１Ａの開口率を実質的に増大させるため
には、共通電極３の電極部３aを透明導電体で構成する
だけでなく、さらに、その共通電極３の電極部３aの上
方に位置する液晶２の分子が確実に変調する（配向が変
化する）よう担保する必要がある。
【０１２９】以下、共通電極３の電極部３ａの上方に位
置する液晶２の分子が、共通電極３の電極部３aと画素
電極４の電極部４aとの間で発生する電界によって変調
可能となるための条件を説明する。この条件は、電極の
線幅、電極の間隔、セルギャップ、及び液晶の材料につ
いて要求される。
【０１３０】図１７は電極の線幅とセルギャップとの寸
法関係を説明するための図であり、図１６(b)と同じ部
分の断面図である。
【０１３１】図１７において、ｄはセルギャップ、ｗ1
は共通電極の電極部３ａの線幅、ｗ２は画素電極の電極
部４ａの線幅、Ｌは共通電極の電極部３ａと画素電極の
電極部４ａとの間隔を示す。本実施の形態では、共通電
極の電極部３ａの線幅ｗ1＝５μｍ、画素電極の電極部
４ａの線幅ｗ2＝４μｍ、セルギャップｄ＝４μｍ、電
極間の間隔Ｌ＝10μｍとした。すなわち、共通電極３及
び画素電極４の各々の電極部３c,４bの線幅ｗ１,ｗ２
が、アレイ基板１Ａと対向基板１Ｂとの間隙（セルギャ
ップ）ｄと略同じになるよう構成した。ここで、共通電
極の電極部３ａは透明導電体で構成されているため、そ
の線幅ｗ１は、非透明導電体で形成されている画素電極
の電極部４ａの線幅ｗ2より太くてもよい。
【０１３２】また、液晶２の材料には、シアノ系化合物
を10％ないし20％程度含有したシアノ系液晶材料を使用
し、リタデーションΔｎ・ｄ（セルギャップｄと屈折率
差Δｎとの積）は350ｎｍ程度に設定した。また、上記
液晶２の材料は、スプレイ弾性定数Ｋ11＝12（ｐＮ）、
ツイスト弾性定数Ｋ22＝７（ｐＮ）、ベンド弾性定数Ｋ
33＝18（ｐＮ）、誘電率異方性Δε=＋８である。ここ
で、誘電率異方性Δεとベンドの弾性定数Ｋ33とは液晶
の駆動電圧を決定する上で重要であり、特に、誘電率異
方性Δεは＋８以上、ベンド弾性係数Ｋ33は18（ｐＮ）
以下とするのが望ましい。
【０１３３】上記のような電極の間隔Ｌ、電極の線幅ｗ
１,ｗ２及びセルギャップｄに、このように構成された
液晶２を組み合わせることにより、従来適用されている
駆動電圧（５Ｖ程度）で充分に電極の電極部上の電界強
度を大きくし、それにより電極の電極部の上方に位置す
る液晶２の分子を変調せしめて、該液晶２を駆動するこ
とができる。これにより、共通電極の電極部３aの上方
に位置する液晶２の分子が確実に変調することが担保さ
れ、共通電極の電極部３aが透明導電体で構成されるこ
とと相俟ってアレイ基板１Ａの開口率が実質的に増大
し、その結果、液晶表示装置の輝度が向上する。
【０１３４】また、電極の電極部の間隔Ｌ又は電極の電
極部の線幅ｗ１,ｗ２＞セルギャップｄの場合には横方
向の電界のみが発生するが、電極の電極部の間隔Ｌ又は
電極の電極部の線幅ｗ１,ｗ２≦セルギャップｄの場合
には横方向の電界のみならず、電極の周辺電界による縦
方向の電界も発生する。例えば、電極の電極部の間隔Ｌ
＝３μｍ、電極の電極部の線幅ｗ１＝ｗ２＝４μｍ、セ
ルギャップｄ＝５μｍの場合は、横方向に加えて縦方向
の電界が発生することによりさらに電極の電極部上の電
界強度が大きくなり、高透過率となる。従って、電極の
電極部の間隔Ｌ及び電極の電極部の線幅ｗ１,ｗ２はセ
ルギャップｄより小さくすることが望ましい。
【０１３５】また、共通電極の電極部３a及び画素電極
の電極部４aの線幅は、上記液晶２の分子を変調させる
条件に製造条件を加味すると、１μｍ以上10μｍ以下で
あることが望ましい。
【０１３６】なお、本実施の形態においても実施の形態
８と同様に共通電極の電極部３a以外のパネル内液晶作
動回路構成要素を高反射率金属材料で構成しているの
で、実施の形態８と同様にリサイクル光による輝度向上
効果が得られるのは言うまでもない。但し、本実施の形
態では、共通電極の電極部３ａが透明導電体で構成され
ていてその線幅が若干大きくなったとしても実質的には
開口率をさほど低下させることはない。そこで、バック
ライト10との組合せが悪くてリサイクル光による輝度向
上効果が余り得られないような場合には、非透明導電体
からなる画素電極４をできるだけ微細化し、共通電極の
電極部３aの線幅を太くするのが望ましい。
【０１３７】また、実施の形態８のように、走査信号線
６と共通電極３とを同じ層に形成した場合、共通電極３
の電極部３ａと走査信号線６との間の距離が３μｍから
６μｍとなり、両者がごく近接して形成されるため、シ
ョートによる不良が発生する確率が高かったが、本実施
の形態では、共通電極３の電極部３aを、走査信号線６
が形成された層と第１、第２の絶縁層を隔てた層に形成
するため、ショートによる不良をなくすことができる。
【０１３８】なお、上記の説明では、共通電極３の電極
部３aのみを透明導電体で形成するようにしたが、画素
電極４の電極部４aのみを透明導電体で形成してもかま
わない。この場合、画素電極の配線部が上記の場合にお
ける画素電極４が形成された層と同じ層に形成され、画
素電極の電極部が上記の場合における共通電極３の電極
部３aが形成された層と同じ層に形成される。また、共
通電極と画素電極の両方の電極部を透明導電体で形成し
てもかまわない。
【０１３９】また、本実施の形態９では、半導体スイッ
チ素子７を、チャネルエッチ形ＴＦＴで構成したが、第
２絶縁層11がチャネルエッチ形ＴＦＴの保護層の役目を
も果たすので、電極の電極部を透明導電体で構成する液
晶表示装置においては、チャネルエッチ形ＴＦＴを採用
すると、製造プロセス上、最適な構成となる。 実施の形態１０ 本発明の実施の形態１０は、パネル内液晶作動回路構成
要素を異なる反射率を有する複数の層で構成し、アレイ
基板側の層が高反射率、液晶側の層が低反射率を有する
よう構成した液晶表示装置を例示したものである。
【０１４０】図１８は本発明の実施の形態１０に係る液
晶表示装置の画素部の一部の構成を示す断面図である。
図１８において図１３(b)と同一符号は同一又は相当す
る部分を示す。本実施の形態の液晶表示装置の画素部近
傍の平面視における構成は、実施の形態８の液晶表示装
置100と同じ、つまり、図１３(a)に示す構成と同じであ
る。そして、図１８は、図１３(a)のXIIIb−XIIIb矢視
断面に相当する断面を示したものである。
【０１４１】図１８において、共通電極３の電極部３a
は、アレイ基板１Ａ側に形成された高反射率層３ａ’と
液晶２側に形成された低反射率層３ａ”とで構成される
２層構造を有している。また、画素電極４の電極部４a
はアレイ基板１Ａ側に形成された高反射率層４ａ’と液
晶２側に形成された低反射率層４ａ”とで構成される２
層構造を有している。両電極３，４の電極部３a，４aの
高反射率層３a’,４a’は、高反射率金属材料で構成さ
れ、低反射率層３a”,４a”は、例えば反射率が６０％
程度のＣｒ系金属材料で構成されている。そして、図示
されない他のパネル内液晶作動回路構成要素、つまり、
共通電極の配線部、画素電極の配線部、映像信号線、走
査信号線、半導体スイッチ素子の配線部分も上記と同じ
２層構造を有している。
【０１４２】以上のように構成された液晶表示装置の作
用効果を説明する。実施の形態８のようにパネル内液晶
作動回路構成要素の全体を高反射率導電体で構成する
と、室内照明などの外光による反射光、すなわち不要光
が増え、黒表示した時の光量が増大することになり、コ
ントラストが低下する原因になる。そこで、本実施の形
態のように、パネル内液晶作動回路構成要素の液晶パネ
ル101を観察する側、すなわち対向基板１Ｂ側に低反射
率層を形成すれば不要光の一部が吸収され不要光による
コントラストの低下を抑制することができる。
【０１４３】なお、高反射率層を高反射率導電体で構成
する場合、その厚みは、必ずしも電気抵抗を考慮する必
要はなく、光を反射するのに充分なものであればよい。
例えば、2000オングストローム以上であればよい。
【０１４４】また、低反射率層は、必ずしも導電体で構
成する必要はなく、反射率の低い非導電材料で構成して
もよい。
【０１４５】また、上記の説明では、パネル内液晶作動
回路構成要素を２層構造としたが、３以上の層で構成し
てよく、例えば、通常の導電体層を低反射率層と高反射
率層とで挟む構造としてもよい。 実施の形態１１ 図１９は、本発明の実施の形態１１に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図１９(a)は平
面図、図１９(ｂ)は図１９(a)のXIXb−XIXb矢視断面図
である。図１９において図１６と同一符号は同一又は相
当する部分を示す。
【０１４６】図１９に示すように、本実施の形態では、
実施の形態９と異なり、遮光層13がアレイ基板１Ａ上に
設けられている。遮光層13は、第２絶縁層11と配向膜９
Ａとの間に、映像信号線５の上方に位置しかつ該映像信
号線５の幅より広い幅を有するように形成されている。
従って、遮光層13は本実施の形態ではストライプ状に形
成されている。その他の点は実施の形態９と同様であ
る。なお、符号14は図１６では示されなかった第１絶縁
層である。また、コンタクトホール11aは、図１６では
示されなかったが、導電体で埋められている。
【０１４７】このような構成とすると、遮光層13が映像
信号線５等の配線と一緒にアレイ基板１Ａ上に形成され
るので、遮光層13の位置ずれの精度がその製造時の印刷
精度で決まり、アレイ基板１Ａと対向基板１Ｂとの貼り
合わせ時の位置合わせの際のずれによる開口率の低下を
抑えることができる。よって高開口率で高輝度の液晶パ
ネルを得ることが可能である。 実施の形態１２ 図２０は、本発明の実施の形態１２に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図２０(a)は平
面図、図２０(ｂ)は図２０(a)のXXb−XXb矢視断面図で
ある。図２０において図１３と同一符号は同一又は相当
する部分を示す。
【０１４８】図２０に示すように、本実施の形態では、
実施の形態８と異なり、共通電極３がいわゆる積層型共
通電極で構成され、映像信号線５がいわゆる積層型映像
信号線で構成されている。すなわち、共通電極３は、実
施の形態８と同様の画素103内に位置する電極部３c’に
加えて、映像信号線５上、すなわち画素103の境界上に
位置する電極部３c”を有し、これらの電極部３c’,３
c”が配線部３bによって接続されている。詳しく説明す
ると、アレイ基板１Ａの上面に画素電極４の電極部４a
及び配線部４b’,４b”、並びに映像信号線５が形成さ
れ、その上に絶縁層11が形成され、該絶縁層11上に共通
電極３の電極部３c’,３c”が形成されている。共通電
極３の電極部３c’,３c”及び画素電極４の電極部４a
は、いずれも映像信号線５の延在方向に直線状に延びる
ように形成されている。また、共通電極３の映像信号線
５上に位置する電極部３c”は、映像信号線５の幅より
若干広い幅を有するように形成されている。これ以外の
点は、実施の形態８と同様である。
【０１４９】このような構成とすると、画素103の境界
近くまで横方向の電界が形成されるため、アレイ基板１
Ａの実質的な開口率を増大することができる。よって、
より高輝度の液晶表示装置を得ることができる。 実施の形態１３ 図２１は、本発明の実施の形態１３に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す平面図である。図２１におい
て図１９と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【０１５０】図２１に示すように、本実施の形態では、
実施の形態１１と異なり、映像信号線５と遮光層13と
が、くの字形状の共通電極３及び画素電極４の各電極部
３a,４aに沿って、走査信号線６の延在方向に垂直な方
向にジグザグ状に屈曲して延びるように形成されてい
る。その他の点は、実施の形態１１と同様である。この
ような構成とすると、各電極３,４の電極部３a,４aを屈
曲させることによる遮光面積の増加を防止することがで
きる。よって、より高輝度の液晶表示装置を得ることが
できる。 実施の形態１４ 図２２は、本発明の実施の形態１４に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図２２(a)は平
面図、図２２(ｂ)は図２２(a)のXXIIb−XXIIb矢視断面
図である。図２２において図１６と同一符号は同一又は
相当する部分を示す。
【０１５１】図２２に示すように、本実施の形態では、
実施の形態９とは異なり、遮光層13及びカラーフィルタ
８がアレイ基板１Ａ上に形成されている。その他の点は
実施の形態９と同様である。このような構成とすると、
遮光層13及びカラーフィルタ８が映像信号線５、走査信
号線６等の配線と一緒にアレイ基板１Ａ上に形成される
ので、遮光層13及びカラーフィルタ８の位置ずれの精度
がその製造時の印刷精度で決まり、アレイ基板１Ａと対
向基板１Ｂとの貼り合わせ時の位置合わせの際のずれに
よる開口率の低下を抑えることができる。よって高開口
率で高輝度の液晶パネルを得ることが可能である。 実施の形態１５ 本発明の実施の形態１５は、実施の形態１と実施の形態
１０とを組み合わせたものである。
【０１５２】図２３は本実施の形態に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す断面図である。図２３において図
１２と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【０１５３】図２３に示すように、本実施の形態による
液晶表示装置では、アレイ基板１Ａの内面に形成された
パネル内液晶作動回路構成要素381が、アレイ基板１Ａ
上に形成された透明層381Aとその上に形成されたそれよ
り幅の狭い非透明層381B,381Cとで構成されている。そ
して、その非透明層381B,381Cが複数の層（ここでは２
層）を有し、アレイ基板１Ａに最も近い層381Bが最も反
射率の高い材料で構成され、液晶層に最も近い層381Cが
最も反射率の低い材料で構成されるとともにその表面が
黒色化処理されている（381D）。透明層381Aは、例えば
ＩＴＯで構成されている。また、層381Bは、例えば銀Ag
系の合金で構成され、層381Ｃは、例えばクロムCr系の
合金で構成されている。また、層381Cの黒色化は、例え
ば、低反射クロム層381Dを被着することにより、あるい
は銀Ag系の材料を被着した後プラズマ処理することによ
り行われている。
【０１５４】このような構成とすると、透明層381Aと非
透明層381B,381Cとの２層構造により、実施の形態１と
同様にコントラスト及び輝度が向上する。さららに、対
向基板１Ｂ側から外光802がパネル内液晶作動回路構成
要素381に入射しても、その表面が黒色化されているの
で、そこで反射するのが防止される。そのため、表示画
面のコントラストが向上する。
【０１５５】なお、簡略化する場合は、黒色化処理（38
1D）を省略してもよい。その場合でも不要光の低減によ
るコントラスト向上の効果が得られる。 実施の形態１６ 図２４は本発明の実施の形態１６に係る液晶表示装置の
構成を模式的に示す断面図である。図２４において図１
２と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【０１５６】図２４に示すように、本実施の形態では、
アレイ基板１Ａに形成されたパネル内液晶作動回路構成
要素371の下方に絶縁層372を介して高反射率層371'が形
成されている。高反射率層371'は、例えば銀Ag系の材料
で構成され、液晶パネル101に垂直な方向から見てパネ
ル内液晶作動回路構成要素371に重なり合うように形成
されている。
【０１５７】このような構成としても光リサイクル量が
増加し、表示画面の輝度が向上する。 なお、この構成
は、ＴＮモードの液晶表示装置のアレイ基板に形成され
た走査信号線、映像信号線等の非透明な配線にも同様に
適用することができる。
【０１５８】なお、実施の形態１〜７において、画素内
に形成される構造体における透明体（透明導電体又は透
明誘電体）からなる層と非透明体（非透明導電体又は非
透明誘電体）からなる層との２層構造は、透明体からな
る層の上にその透明体からなる層より幅の狭い非透明体
からなる層を形成することにより形成してもよい。また
この透明部と非透明部とからなる構造体は、液晶パネル
に垂直な方向から見て、その縁部が透明体で構成されそ
の中央部が非透明体で構成されていればよく、従って、
２層構造とせずに、島状の非透明部を環状の透明部が囲
むような構造としてもよい。
【０１５９】また、実施の形態８〜１１、１４におい
て、電極部を屈曲形状以外の形状、すなわち、直線形
状、囲い込み形状等としてもよく、いずれの場合にも開
口率が実質的に増大するという効果を得ることができ
る。
【０１６０】また、実施の形態１〜５、８〜１４におい
て、半導体スイッチ素子を、チャネルエッチ形ＴＦＴで
構成する場合を説明したが、チャネル保護形ＴＦＴ、あ
るいはその他のタイプの半導体スイッチ素子で構成して
もかまわない。
【０１６１】また、実施の形態８〜１４において、半導
体スイッチ素子を、活性半導体層にｐ−Ｓｉ（ポリシリ
コン）を用いたもので構成すると、半導体スイッチ素子
を小型化することができる。具体的には、例えば、図１
(b)に示すＴＦＴ160において、チャネル部を非晶質シリ
コンａ−ｓｉ層162に代えてポリシリコンｐ−ｓｉ層で
構成し、ソース領域及びドレイン領域をＮ型非晶質シリ
コンｎ＋ａ−Ｓｉ層163に代えてＮ型ポリシリコンｎ＋
ｐ−Ｓｉ層で構成したものを用いることができる。上記
実施の形態における図１３、１６、１９、２０、２１で
は半導体スイッチ素子７が走査信号線６の上方領域内に
収まっているように描いているが、実際には画素103の
領域にはみ出している。従って、半導体スイッチ素子７
を小型化することにより、アレイ基板１Ａの開口率を増
大することができる。よって、より高輝度の液晶表示装
置を得ることができる。
【０１６２】また、実施の形態１〜１４では、光源とし
て、バックライトを用いたが、これに代えて反射板のみ
を配設し、対向基板側から入射する外光をその反射板で
反射させたものを光源として用いるようにしてもよい。
【０１６３】
【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、高輝度でかつ高コントラストの液晶表示装置
を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の画
素の構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は(a)のI
b−Ib矢視断面図
【図２】液晶パネル101の作製方法を示す工程別断面図
【図３】図１の液晶表示装置の動作を示す図であって、
(a)は画素の断面図、(b)は対向電極の断面を示す部分拡
大断面図
【図４】本発明の実施の形態１の第１の変形例による液
晶表示装置の画素の構造を示す図であって、(a)は平面
図、(b)は(a)のIVb−IVb矢視断面図
【図５】本発明の実施の形態１の第２の変形例による液
晶表示装置の画素の構造を示す図であって、(a)は平面
図、(b)は(a)のVb−Vb矢視断面図
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の透
過率分布を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の構
成を模式的に示す断面図
【図８】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の構
成を模式的に示す断面図
【図９】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の構
成を模式的に示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態６に係る液晶表示装置の
構成を模式的に示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の
構成を模式的に示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の
概略の構成を示す図
【図１３】図１の液晶表示装置の画素部近傍の構成を示
す図であって、図１３(a)は平面図、図１３(b)は図１３
(a)のXIIIb−XIIIb矢視断面図
【図１４】バックライトのリサイクル率が６０％の場合
における光の反射回数に対する光リサイクル量の変化を
示す図
【図１５】バックライトのリサイクル率が９０％の場合
における光の反射回数に対する光リサイクル量の変化を
示す図
【図１６】本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の
画素部近傍の構成を示す図であって、図１６(a)は平面
図、図１６(ｂ)は図１６(a)のXVIb−XVIb矢視断面図
【図１７】電極の線幅とセルギャップとの寸法関係を説
明するための図
【図１８】本発明の実施の形態１０に係る液晶表示装置
の画素部の一部の構成を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１１に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図１９(a)は平
面図、図１９(ｂ)は図１９(a)のXIXb−XIXb矢視断面図
【図２０】本発明の実施の形態１２に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図２０(a)は平
面図、図２０(ｂ)は図２０(a)のXXb−XXb矢視断面図
【図２１】本発明の実施の形態１３に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す平面図
【図２２】本発明の実施の形態１４に係る液晶表示装置
の画素部近傍の構成を示す図であって、図２２(a)は平
面図、図２２(ｂ)は図２２(a)のXXIIb−XXIIb矢視断面
図
【図２３】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す断面図
【図２４】本発明の実施の形態１６に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す断面図
【図２５】従来の液晶表示装置の画素の構成を模式的に
示す平面図
【図２６】従来の液晶表示装置の動作を示す模式図であ
って、(a)は電界及び液晶分子の配向を示す断面図、(b)
は透過率分布を示す断面図
【符号の説明】
１Ａ アレイ基板 １Ｂ 対向基板 ２ 液晶 ３ 共通電極 ３a,３a’,３a”,３c’,３c” 電極部 ３b 配線部 ４ 画素電極 ４a 電極部 ４b,４b’,４b” 配線部 ５ 映像信号線 ６ 走査信号線 ７ 半導体スイッチ素子 ８ カラーフィルタ材料 ９Ａ 配向膜 ９Ｂ 配向膜 10 バックライト 10a 光源 10b 導光板 10c 反射板 11 絶縁層（第２絶縁層） 11a コンタクトホール 13 遮光層 14 第１絶縁層 100 液晶表示装置 101 液晶パネル 102 配線層 103 画素 151 対向電極 151' 薄膜導電体層 151A 非透明導電層 151B 透明導電層 152 対向電極 152 上面 152' Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ薄膜 152A 非透明導電層 152B 透明導電層 153 映像信号線 154 走査信号線 158 対向電極バスライン 160 ＴＦＴ 161 ゲート絶縁層 162 非晶質シリコンａ−Ｓｉ層 163 Ｎ形非晶質シリコンｎ＋ａ−Ｓｉ層 164 窒化シリコン層 164a 稜部 301 ディスクリネーション領域 302 透過率 303 光コントラスト領域 304 中コントラスト領域 322 遮光層 351 対向基板 352 透明電極 353 アレイ基板 355,356 リブ 356A 非透明導電層 356B 透明誘電層 361 対向基板 362 アレイ基板 363,364 電極 364A 非透明導電層 364B 透明導電層 371,381 パネル内液晶作動回路構成要素 372 絶縁層 372' 光反射率層 376 黒色化処理層 391 ドメイン 405 液晶分子 406 電気力線 501 稜部 801,801a,801b,801c 表示用の光 802 外光 ｄ セルギャップ ｗ１ 画素電極の電極部の線幅 ｗ２ 共通電極の電極部の線幅 Ｌ 画素電極の及び共通電極の電極部同士の間隔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年５月１３日（２００２．５．１
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 慎司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA07 HA15 QA16 RA08 TA01 TA02 TA04 TA09 TA12 TA17 TA18 2H090 JA03 JA05 KA07 LA01 LA04 LA15 LA16 LA20 MA01 2H091 FA02Y FA14Y FA34Y FB08 FD04 FD23 GA01 GA03 GA13 HA09 LA17 LA18 2H092 GA14 GA15 GA17 HA04 HA05 JA24 JB05 JB06 JB07 NA01 PA01 PA08 PA09 PA12 PA13 QA09

Claims (45)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表示用の光の透過率を変化させて画像を
    表示する液晶パネルと、 該液晶パネルの画素を複数のドメインに分割する１以上
    の構造体とを備えた液晶表示装置において、 少なくとも一部の上記構造体が光透過部と光非透過部と
    で構成されてなることを特徴とする液晶表示装置
  2. 【請求項２】 上記構造体が、上記液晶パネルにおいて
    液晶を挟持する一対の基板の内面上に形成された光透過
    部たる光透過層と光非透過部たる光非透過層とを有して
    なる請求項１記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 上記構造体が、上記液晶の配向を制御す
    ることにより上記画素を複数のドメインに分割するもの
    である請求項２記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 上記構造体の上記光透過層及び光非透過
    層が、それぞれ、光透過性誘電体及び光非透過性部材で
    構成されてなる請求項３記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 上記構造体が、上記液晶に電圧を印加す
    ることにより上記画素を複数のドメインに分割するもの
    である請求項２記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 上記構造体の上記光透過層及び光非透過
    層が、それぞれ、光透過性導電体及び光非透過性導電体
    で構成されてなる請求項５記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 上記構造体は、上記液晶パネルに垂直な
    方向から見て、上記光非透過層を上記光透過層が囲むよ
    うに形成されてなる請求項２記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 上記構造体は、上記一対の基板の内面上
    に上記光非透過層及び光透過層がこの順に形成されてな
    る請求項７記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 上記構造体の上記光非透過層が反射性を
    有してなる請求項２記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 一対の基板間に液晶が挟持された液晶
    パネルと、一方の上記基板の内面上にマトリクス状に複
    数の画素を区画するように形成された複数の走査信号線
    及び複数の映像信号線と、各画素内に並ぶように形成さ
    れた画素電極及び共通電極とを備え、上記走査信号線を
    通じて上記画素を順次選択しながら上記映像信号線を通
    じて映像信号を上記画素電極に書き込むことにより、上
    記液晶パネルに画像を表示する横電界方式の液晶表示装
    置において、 上記走査信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極
    の少なくとも一部が、光透過性導電層と光非透過性導電
    層とで構成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 上記光透過性導電層の幅が上記光非透
    過性導電層の幅より狭い請求項１０記載の液晶表示装
    置。
  12. 【請求項１２】 上記光非透過性導電層の幅が上記光透
    過性導電層の幅より１μｍ以上狭い請求項１１記載の液
    晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 上記基板の内面上に上記光非透過性導
    電層及び光透過性導電層がこの順に形成されてなる請求
    項１０記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 上記光非透過性導電層の導電率が上記
    光透過性導電層の導電率より高い請求項１０記載の液晶
    表示装置。
  15. 【請求項１５】 上記光非透過性導電層が反射率の異な
    る複数の層からなり、最も上記液晶に近い層が最も上記
    基板に近い層の反射率より低い反射率を有してなる請求
    項１１記載の液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 上記光非透過性導電層の最も上記基板
    に近い層がアルミニウムの反射率より高い反射率を有す
    る導電体からなる請求項１５記載の液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 上記光非透過性導電層の上記液晶側の
    表面が黒色化処理されてなる請求項１５記載の液晶表示
    装置。
  18. 【請求項１８】 他方の上記基板の内面上に、上記液晶
    パネルに垂直な方向から見て上記光非透過性導電層に略
    重なり合うように遮光層が形成されてなる請求項１０記
    載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 上記光非透過性導電層の上記液晶側の
    表面が黒色化処理されてなる請求項１０記載の液晶表示
    装置。
  20. 【請求項２０】 一対の基板間に液晶が挟持された液晶
    パネルと、一方の上記基板の内面上にマトリクス状に複
    数の画素を区画するように形成された複数の走査信号線
    及び複数の映像信号線と、各画素内に並ぶように形成さ
    れた画素電極及び共通電極とを備え、上記走査信号線を
    通じて上記画素を順次選択しながら上記映像信号線を通
    じて映像信号を上記画素電極に書き込むことにより、上
    記液晶パネルに画像を表示する横電界方式の液晶表示装
    置において、 上記走査信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極
    の少なくとも一部が、光透過性導電層と光非透過性導電
    層とで構成され、 上記走査信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極
    のうち、光透過性導電層と光非透過性導電層とで構成さ
    れないものの表面が光拡散性を有してなることを特徴と
    する横電界方式の半透過型の液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 他方の上記基板の内面上に、上記液晶
    パネルに垂直な方向から見て、表面が光拡散性を有する
    上記走査信号線、映像信号線、画素電極、又は共通電極
    に略重なり合うように遮光層が形成されてなる請求項２
    ０記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 上記光非透過性導電層がアルミニウム
    の反射率より高い反射率を有する導電体からなる請求項
    ２０記載の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 共通電極、画素電極、走査信号線、映
    像信号線及び半導体スイッチ素子が上面に形成されたア
    レイ基板、該アレイ基板の上面に対向するよう配置され
    た対向基板、並びに上記アレイ基板と上記対向基板との
    間に配置された液晶層を有する液晶パネルと、上記液晶
    パネルの下方に形成された反射面とを備え、上記反射面
    で反射された光が上記液晶パネルを透過するよう構成さ
    れた液晶表示装置において、 上記共通電極及び上記画素電極のうちの少なくとも一方
    の電極が電極部と配線部とで構成され、 上記電極部の少なくとも一部が透明導電体からなり、上
    記電極部が、上記走査信号線が形成された層と絶縁層で
    隔てられた層に形成され、上記配線部が、上記走査信号
    線が形成された層に形成されてなることを特徴とする液
    晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 上記共通電極及び画素電極がともに配
    線部と櫛状の電極部とで構成され、 上記少なくとも一部が透明導電体で形成された電極部の
    幅が、他の電極部の幅と異なる請求項２３記載の液晶表
    示装置。
  25. 【請求項２５】 上記少なくとも一部が透明導電体で形
    成された電極部の幅が、他の電極部の幅より大きい請求
    項２４記載の液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】 上記共通電極及び画素電極がともに配
    線部と櫛状の電極部とで構成され、 上記共通電極及び画素電極の双方の電極部の幅は、該双
    方の電極部の間で発生する電界によって、透明導電体か
    らなる電極部上の液晶分子が変調可能なものである請求
    項２３記載の液晶表示装置。
  27. 【請求項２７】 上記共通電極及び画素電極の各々の電
    極部の幅、並びに上記共通電極及び上記画素電極の双方
    の電極部間の間隔のうちの少なくとも一方が、上記アレ
    イ基板と上記対向基板との間隔と比較して略等しいか若
    しくは小さい請求項２６記載の液晶表示装置。
  28. 【請求項２８】 上記共通電極及び画素電極の各々の電
    極部の幅が、１μｍ以上１０μｍ以下である請求項２４
    記載の液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】 共通電極、画素電極、走査信号線、映
    像信号線及び半導体スイッチ素子が上面に形成されたア
    レイ基板、該アレイ基板の上面に対向するよう配置され
    た対向基板、並びに上記アレイ基板と上記対向基板との
    間に配置された液晶層を有する液晶パネルと、上記液晶
    パネルの下方に形成された反射面とを備え、上記反射面
    で反射された光が上記液晶パネルを透過するよう構成さ
    れた液晶表示装置において、 上記共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び
    半導体スイッチ素子のうちの少なくともいずれかの少な
    くとも一部が、アルミニウムの反射率より高い反射率を
    有する高反射率導電体からなることを特徴とする液晶表
    示装置。
  30. 【請求項３０】 上記高反射率導電体がアルミニウムよ
    り低い抵抗率を有するものであり、上記共通電極、画素
    電極、走査信号線及び映像信号線のうちの少なくともい
    ずれかが、上記高反射率導電体単独の層で形成されてな
    る請求項２９記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 一対の基板間に液晶が挟持された液晶
    パネルと、一方の上記基板の内面上にマトリクス状に複
    数の画素を区画するように形成された複数の走査信号線
    及び複数の映像信号線と、各画素内に形成された画素電
    極と、他方の上記基板の内面上に形成された共通電極と
    を備え、上記走査信号線を通じて上記画素を順次選択し
    ながら上記映像信号線を通じて映像信号を上記画素電極
    に書き込むことにより、上記液晶パネルに画像を表示す
    る液晶表示装置において、 上記走査信号線、映像信号線、及び画素電極の少なくと
    も一部の下方にアルミニウムの反射率より高い反射率を
    有する高反射率層が絶縁層を隔てて形成されていること
    を特徴とする液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】 一対の基板間に液晶が挟持された液晶
    パネルと、一方の上記基板の内面上にマトリクス状に複
    数の画素を区画するように形成された複数の走査信号線
    及び複数の映像信号線と、各画素内に並ぶように形成さ
    れた画素電極及び共通電極とを備え、上記走査信号線を
    通じて上記画素を順次選択しながら上記映像信号線を通
    じて映像信号を上記画素電極に書き込むことにより、上
    記液晶パネルに画像を表示する横電界方式の液晶表示装
    置において、 上記走査信号線、映像信号線、画素電極、及び共通電極
    の少なくとも一部の下方にアルミニウムの反射率より高
    い反射率を有する高反射率層が絶縁層を隔てて形成され
    ていることを特徴とする液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】 上記高反射率層がその上方に位置する
    上記走査信号線、映像信号線、画素電極、又は共通電極
    の幅と略同じ幅に形成されてなる請求項３１又は３２記
    載の液晶表示装置。
  34. 【請求項３４】 上記高反射率層が、上記液晶パネルに
    垂直な方向から見て、その上方に位置する上記走査信号
    線、映像信号線、画素電極、又は共通電極と略重なり合
    うように形成されてなる請求項３１又は３２記載の液晶
    表示装置。
  35. 【請求項３５】 共通電極、画素電極、走査信号線、映
    像信号線及び半導体スイッチ素子が上面に形成されたア
    レイ基板、該アレイ基板の上面に対向するよう配置され
    た対向基板、並びに上記アレイ基板と上記対向基板との
    間に配置された液晶層を有する液晶パネルと、上記液晶
    パネルの下方に形成された反射面とを備え、上記反射面
    で反射された光が上記液晶パネルを透過するよう構成さ
    れた液晶表示装置において、 上記共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び
    半導体スイッチ素子の少なくともいずれかが、反射率の
    異なる非透明の複数の層を有してなり、該複数の層は、
    最も上記液晶層に近い層が最も上記アレイ基板に近い層
    の反射率より低い反射率を有してなることを特徴とする
    液晶表示装置。
  36. 【請求項３６】 最も上記アレイ基板に近い層がアルミ
    ニウムの反射率より高い反射率を有する導電体からなる
    請求項３５記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】 上記共通電極の一部と上記映像信号線
    とが、上記アレイ基板面に垂直な方向から見て相互に重
    なり合うよう、絶縁層を介して積層されてなる請求項２
    ９又は３５記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】 上記画素電極が形成された基板に遮光
    層が設けられてなる請求項２９、３１、３２、３５のい
    ずれかに記載の液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】 上記画素電極が形成された基板にカラ
    ーフィルタが設けられてなる請求項２９、３１、３２、
    ３５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  40. 【請求項４０】 上記共通電極及び上記画素電極の相互
    間で実質的に横方向の電界を発生する部分が、相互に沿
    うよう屈曲した屈曲部を画素内に少なくとも一つ有する
    ように形成されてなる請求項２９記載の液晶表示装置。
  41. 【請求項４１】 遮光層を有し、 上記映像信号線及び上記遮光層が、上記アレイ基板に垂
    直な方向から見て上記共通電極及び上記画素電極の屈曲
    部に沿うよう屈曲した、屈曲部を有するように形成され
    てなる請求項４０記載の液晶表示装置。
  42. 【請求項４２】 上記半導体スイッチ素子が、チャネル
    エッチ形薄膜トランジスタからなる請求項２３記載の液
    晶表示装置。
  43. 【請求項４３】 上記半導体スイッチ素子が、ポリシリ
    コンを用いた薄膜トランジスタからなる請求項２９記載
    の液晶表示装置。
  44. 【請求項４４】 上記アルミニウムより高い反射率が、
    ９０％を超えるものである請求項２９、３１、３２、３
    ５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  45. 【請求項４５】 上記高反射率導電体又は高反射率層が
    Ag系の材料で構成されてなる請求項２９、３１、３２、
    ３５のいずれかに記載の液晶表示装置。
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