JP2006072324A - 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基板及び第2基板と、前記第1基板上に互いに縦横に交差されて画素領域を画定するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成されている薄膜トランジスタと、前記画素領域で所定間隔離隔して交互に形成されている画素電極及び共通電極と、前記ゲート配線、データ配線、画素電極及び共通電極のうちの少なくとも何れかの段差は0.1μm以上であり、前記基板の全面に塗布されて1次配向処理され、少なくとも前記段差の上には2次配向処理された配向膜と、前記第1、2基板の間に形成されている液晶層とを含んで構成される。
【選択図】図5
Description
図1は、従来の横電界方式の液晶表示装置の断面図である。
従来の横電界方式の液晶表示装置は、第1基板118と第2基板119を対向合着して前記2つの基板の間に液晶層130を注入して形成するが、まず、前記第1基板118上に金属を蒸着した後、パターニングして複数のゲート配線と、前記ゲート配線から分岐されて薄膜トランジスタの位置にゲート電極109を形成する。
この時、前記データ配線110の形成時に、薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極116/117を同時に形成する。
また、前記のように形成された第1基板118上の全面に保護膜128を形成させる。
その後、前記ドレイン電極117と電気的に接続され、前記データ配線110に平行にデータ電極114を形成する。
そして、前記のように形成された第1基板118上の全面に第1配向膜129を形成する。
そして、前記カラーフィルタ層122の上部には、表面を平坦化し、カラーフィルタ層122を保護するオーバコート層123を形成する。
次に、前記オーバコート層123の上部に第2配向膜126を形成する。
図2Aは、オフ状態で水平電界が印加されないため、液晶層211の動きがない状態である。
図2Bは、電圧が印加されたオン状態での液晶の配列状態を示す図で、前記共通電極217及び画素電極230と対応する位置の液晶211aの相変移は発生しない。ただし、共通電極217と画素電極230との間の区間に位置する液晶211bは、前記共通電極217と画素電極230との間に電圧が印加されることによって形成される水平電界Kにより前記水平電界Kと同じ方向に配列するようになる。
すなわち、前記横電界方式の液晶表示装置は、液晶が水平電界により移動するため、視野角が広くなるという特性がある。
まず、図1で説明したような構造を有する横電界方式の液晶表示装置の上、下基板を製作する(S100)。
特に、液晶分子が一定方向に均一に配向されるようにするラビング工程は、液晶表示装置の正常な駆動と画面の均一なディスプレイ特性を決定する重要な要素であって、これに対する多く研究が行われてきた。
まず、配向膜の形成は高分子薄膜を塗布し、配向膜を一定方向に配列させる工程により行われる。
前記配向膜には、一般にポリイミド系の有機物質が主に用いられ、前記配向膜を配列させる方法としては、主にラビング方法が用いられている。
このようなラビングによる方法は、配向処理が容易であることから、大量生産に好適で、安定した配向ができるという長所がある。
すなわち、前記のようなラビング布を用いたラビング方法は、配向膜とラビン布の直接的な接触により行われるため、異物の発生による液晶セルの汚染や、静電気の発生による予め基板に設置されたTFT素子の破壊、ラビング後のさらなる洗浄工程の必要性、大面積に適用時の配向の不均一性といった様々な問題が発生し、液晶表示装置の製造時の収率を低下させるという問題点がある。
図4A及び図4Bに示すように、横電界方式の液晶表示装置において下板上にパターニングされている画素電極330上に配向膜351を形成しており、前記画素電極330のエッジ部分には段差が形成されている。
そして、前記下板と対向する上板には、カラーフィルタ層360と配向膜352が形成され、状板と下板との間に液晶層390が形成されている。
まず、前記液晶がノーマリブラックモードである場合、電圧を印加しない状態ではブラックに表示される。
すなわち、電圧が印加されない場合、液晶は配向膜351、352のラビング方向と平行な状態で整列しなければならない。
しかし、A領域では電極パターンのエッジ部分での段差によって液晶不均一層391で液晶がラビング方向と一致しない歪み現象が生じ、次いで、液晶均一層392でも歪み現象が発生する。
図5は、本発明に係る横電界方式の液晶表示装置用のアレイ基板を概略的に示す平面図である。
本発明に係る横電界方式の液晶表示装置用のアレイ基板410は、図5に示されるように、所定間隔離隔されて平行に一方向に構成された複数のゲート配線412と、前記ゲート配線412に近接して平行に一方向に構成された共通配線416と、前記2つの配線と交差し、特にゲート配線412とは画素領域Pを画定するデータ配線424とを含んで構成される。
図6A乃至図6Eは、本発明に係る一実施の形態であって、横電界方式の液晶表示装置の製造工程を順に示す工程フローチャートである。
この時、図示しないが、前記非晶質シリコンに不純物イオンを注入したオームコンタクト層をさらに形成してパターニングすることができる。
より具体的に説明すれば、前記1次配向処理はポリイミドからなる前記第1配向膜481上にベルネット、レーヨン、ナイロンなどを巻回したラビング布433を用いて前記第1配向膜481を一定方向に擦ることによって配向方向を形成させるラビング方法である。
前記光は、線偏光、部分偏光、または非偏光された光を用いることができる。
前記光の波長は、200nm〜400nm範囲の光を用い、光照射エネルギーは0.01〜10J以下程度にする。
また、前記イオンビームに用いられるイオンは、アルゴンイオンにする。
そして、前記イオンビームを照射する装置または光を照射する装置は、基板の全面にイオンまたは光を照射する全面照射装置や、基板をスキャンして照射するスキャンタイプの装置がある。
また、前記1次配向処理と2次配向処理を同時に行うこともできる。
この時、好ましくは、前記ラビング方向と光の配向方向とは、一致することが配向の改善効果を極大化することができる。
このように、1次配向処理を行った第1配向膜481に光照射またはイオンビーム照射といった2次配向処理をすれば、電極部周辺の段差部で配向が均一になる。
図7A及び図7Bに示すように、本発明に係る横電界方式の液晶表示装置において基板500上に段差が形成される電極上に配向処理された配向膜が形成されている。
この時、前記電極の段差は、0.1μm以上である場合にする。
これは前記電極の段差が0.1μm以上の場合、配向膜をラビング処理すれば、前記電極の段差部で配向が均一にならないためである。
この時、図7Aに示すように、前記基板500上に形成されている配向膜は1次配向処理されて形成される。
したがって、図7Bに示すように、基板500上に1次配向処理された配向膜に光照射またはイオンビーム照射を用いて2次配向処理を行う。
このように、1次配向処理を行った配向膜に光照射またはイオンビーム照射といった2次配向処理をすれば、電極530部の周辺Bの段差部で配向が均一になる。
また、前記1次配向処理と2次配向処理を同時に行うこともできる。
この時、好ましくは、前記ラビング方向と光の配向方向とは、一致することが配向の改善効果を極大化することができる。
しかし、基板段差が1μm未満であっても、1、2次配向処理をすることで電極部周辺の段差における配向不良を改善できる。
図8Aは、基板上の配向膜に1次配向処理としてラビングのみを行った場合を示す図であり、図8Bは1次配向処理された配向膜に2次配向処理として光照射またはイオンビーム照射を行った場合を示す図である。
ここで、配向膜が形成された電極部で段差が約0.2μmである場合、段差部周辺の配向が改善されることを示す図である。
横電界方式の液晶表示装置において、配線のプロファイルを向上させるために、電極部または配線部の側壁がテーパ角(θ)を有するように形成させる。
この時、前記電極または配線のテーパ角(θ)は50度以上である場合にする。
これは、前記電極または配線のテーパ角が50度以上の場合に配向膜をラビング処理すれば、前記電極または配線の周辺で液晶790の配向が均一にならないためである。
この時、図9Aに示すように、前記基板700上に形成されている配向膜751は1次配向処理されて形成される。
この時、基板700上にテーパされた電極730または配線部周辺をラビングすれば、前記段差部によりラビング布が配向膜751に接触しないため、配向されなかったり、ラビング布が段差を通過することに伴うラビング布の乱れにより配向整列度が不均一になったりすることもある。
このように、1次配向処理を行った配向膜751に光照射またはイオンビーム照射といった2次配向処理をすれば、前記電極730または配線部のテーパ角(θ)が50度以上である領域でも液晶790の配向が均一になる。
また、前記1次配向処理と2次配向処理を同時に行うこともできる。
この時、好ましくは、前記ラビング方向と光の配向方向とは、一致することが配向の改善効果を極大化することができる。
Claims (26)
- 第1基板及び第2基板と、
前記第1基板上に互いに縦横に交差されて画素領域を画定するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成されている薄膜トランジスタと、
前記画素領域に所定間隔離隔して交互に形成されている画素電極及び共通電極と、
前記ゲート配線、データ配線、画素電極及び共通電極のうちの少なくとも何れかの段差は0.1μm以上であり、前記基板の全面に塗布されて1次配向処理され、少なくとも前記段差の上には2次配向処理された配向膜と、
前記第1、2基板の間に形成されている液晶層と
を備えた横電界方式の液晶表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から突出したゲート電極と、前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を挟んで形成されている半導体層と、前記半導体層上に形成されているソース及びドレイン電極と
を有することを特徴とする請求項1に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリフェニレンフタルアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリメチルメタクリルレートの中から選択された物質で形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 前記1、2次配向処理において、少なくとも1つは、ラビング配向方法により処理される
ことを特徴とする請求項1に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 前記1、2次配向処理のうちの1つは、光配向、イオンビーム配向、プラズマビーム配向、電子ビーム配向の中から選択されて処理される
ことを特徴とする請求項1に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 前記光配向は、線偏光、部分偏光、非偏光された光のうちの何れかを用いて処理される
ことを特徴とする請求項5に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 第1基板上に水平方向に互いに所定間隔離隔してゲート配線と共通配線を形成するステップと、
前記ゲート配線と垂直な方向にデータ配線を形成するステップと、
前記データ配線に平行な複数の共通電極を形成し、前記共通電極と互いに交差する画素電極を形成するステップと、
前記画素電極を含む第1基板上に第1配向膜を形成するステップと、
前記第1配向膜をラビング工程を用いて1次配向処理するステップと、
前記ラビングされた第1配向膜に所定量のエネルギーを有するビームが照射して前記ゲート配線、データ配線、共通電極及び画素電極のうちの少なくとも1つの段差が0.1μm以上である段差部に2次配向処理するステップと、
前記第1基板に対向する第2基板上にカラーフィルタ層及びブラックマトリックスを形成するステップと、
前記第1基板と第2基板との間に液晶層を形成するステップと
を含んでなることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板と第2基板との間に液晶層を形成する前に、
前記第2基板上に第2配向膜を形成するステップと、
前記第2配向膜をラビング工程を用いて1次配向処理するステップと、
前記ラビングされた第1配向膜の全面に所定量のエネルギーを有するビームを照射して2次配向処理するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記2次配向処理されるステップにおいて、
前記所定量のエネルギーを有するビームは、線偏光、部分偏光、非偏光された光のうちの何れかであることを特徴とする請求項7に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記光は、200nm〜400nm波長帯域の光であることを特徴とする請求項9に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。
- 前記2次配向処理するステップにおいて、
前記所定量のエネルギーを有するビームは、イオンビーム、プラズマビーム、電子ビームのうちの何れかであることを特徴とする請求項7に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記所定量のエネルギーは、0.01〜10Jから選択されることを特徴とする請求項7に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。
- 前記2次配向処理するステップにおいて、
前記ラビングされた第1配向膜の全面に所定量のエネルギーを有するビームが照射されることを特徴とする請求項7に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 第1基板及び第2基板と、
前記第1基板上に互いに縦横に交差されて画素領域を画定するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成されている薄膜トランジスタと、
前記画素領域で所定間隔離隔して交互に形成されている画素電極及び共通電極と、
前記ラビングされた第1配向膜に所定量のエネルギーを有するビームが照射されて少なくとも何れかが、テーパ角が50度以上の前記ゲート配線、データ配線、共通電極及び画素電極の周辺に2次配向処理される配向膜と、
前記第1基板と第2基板との間に形成されている液晶層と
を含んで構成されることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から突出したゲート電極と、前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を挟んで形成されている半導体層と、前記半導体層上に形成されているソース及びドレイン電極と
を含んでなることを特徴とする請求項14に記載の横電界方式の液晶表示装置。 - 前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリフェニレンフタルアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリメチルメタクリルレートの中から選択された物質で形成されることを特徴とする請求項14に記載の横電界方式の液晶表示装置。
- 前記1、2次配向処理において少なくとも1つは、ラビング配向方法により処理されることを特徴とする請求項14に記載の横電界方式の液晶表示装置。
- 前記1、2次配向処理のうちの1つは、光配向、イオンビーム配向、プラズマビーム配向、電子ビーム配向の中から選択された何れか1つにより処理されることを特徴とする請求項14に記載の横電界方式の液晶表示装置。
- 前記光配向は、線偏光、部分偏光、非偏光された光のうちの何れかを用いることを特徴とする請求項18に記載の横電界方式の液晶表示装置。
- 第1基板上に水平方向に互いに所定間隔離隔してゲート配線と共通配線を形成するステップと、
前記ゲート配線と垂直な方向にデータ配線を形成するステップと、
前記データ配線に平行な複数の共通電極を形成し、前記共通電極と交互に交差する画素電極を形成するステップと、
前記画素電極を含む第1基板上に第1配向膜を形成するステップと、
前記第1配向膜はラビング工程を用いて全面に1次配向処理されるステップと、
前記ラビングされた第1配向膜に所定量のエネルギーを有するビームが照射されて少なくとも何れかはテーパ角が50度以上の前記ゲート配線、データ配線、共通電極及び画素電極の周辺に2次配向処理されるステップと、
前記第1基板に対向する第2基板上にカラーフィルタ層及びブラックマトリックスを形成するステップと、
前記第1基板と第2基板との間に液晶層を形成するステップと
を含んでなることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板と第2基板との間に液晶層を形成するステップの前に、
前記第2基板上に第2配向膜を形成するステップと、
前記第2配向膜はラビング工程を用いて1次配向処理されるステップと、
前記ラビングされた第1配向膜の全面に所定量のエネルギーを有するビームが照射されて2次配向処理されるステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記2次配向処理されるステップにおいて、
前記所定量のエネルギーを有するビームは、線偏光、部分偏光、非偏光された光のうちの何れかであることを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記光は、200nm〜400nm波長帯域の光であることを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。
- 前記2次配向処理されるステップにおいて、
前記所定量のエネルギーを有するビームは、イオンビーム、プラズマビーム、電子ビームのうちの何れかであることを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。 - 前記所定量のエネルギーは、0.01〜10Jから選択されることを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。
- 前記2次配向処理されるステップにおいて、
前記ラビングされた第1配向膜の全面に所定量のエネルギーを有するビームが照射されることを特徴とする請求項20に記載の横電界方式の液晶表示装置の製造方法。
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