JPH11305256A

JPH11305256A - アクティブマトリクス型液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11305256A
Application number: JP11459098A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kagawa; 博之香川; Shinichi Komura; 真一小村; Kotaro Araya; 康太郎荒谷; Masato Oe; 昌人大江; Katsumi Kondo; 克己近藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-04-24
Filing date: 1998-04-24
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】表示むらのない高コントラストな液晶表示装置
を提供する。【解決手段】少なくとも一方が透明な一対の基板間に液
晶層を挟んだアクティブマトリクス型横電界液晶表示装
置において、ラビングと光照射を併用した配向処理を行
い、前記電極群及びブラックマトリクス周辺の、０.１
ミクロン以上の段差の大きい部分においても液晶配向能
を付与し、黒表示時の透過率を０.４％以下とし高コン
トラスト化する。配向制御膜には、ラビングと光照射に
よって配向能を付与することのできる有機高分子材料を
用いる。または、ラビングによって液晶配向能を付与で
きる有機高分子材料と、光照射によって配向能を付与で
きる有機材料とを混合して用いてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の表示は、基板間に挟まれ
た液晶層の液晶分子に電界を加えることにより液晶分子
の配向方向を変化させ、それにより生じる液晶層の光学
特性の変化により行われる。

【０００３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、液晶の光旋光性を利用して表示を行うツイスティ
ッドネマティック（ＴＮ）表示方式に代表されるよう
に、液晶に印加する電界の方向が基板界面にほぼ垂直な
方向に設定されていた。一方櫛歯状の電極を用いて、液
晶に印加する電界の方向を基板に対してほぼ平行な方向
とし、液晶の複屈折性を利用して表示を行う方式（横電
界方式）が、例えば特公昭63−21907号，特開平5−5052
47号により提案されている。この横電界方式は従来のＴ
Ｎ方式に比べて広視野角という利点があり、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置として有望な技術である。こ
れら公知技術においては、基板上の液晶配向の均一性の
制御については言及されていない。

【０００４】液晶表示装置においては、基板上に配向制
御膜（配向膜）と称される、液晶を配向させる膜が配置
され、通常液晶の配向処理はラビングと呼ばれる、配向
制御膜上を布等で一方向に擦るという方法で行われる。
また、光照射により液晶を配向させる方法が、例えば特
開平2−277025号，特開平4−220402号，特開平6−28745
3号，特開平7−138308号に提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】横電界方式の液晶表示
装置においては、黒表示時の表示むらや、コントラスト
の低下、特に黒表示時の輝度が高いという問題がある。
詳細に観察したところ、基板上に形成した液晶に電界を
印加する電極群とそれに接続されたアクティブ素子周辺
及びカラーフィルターのブラックマトリクス周辺では、
黒表示時に表示が完全に黒にならず、光漏れが生じてい
ることが判明した。

【０００６】さらにこの光漏れは、電極群及びアクティ
ブ素子周辺及びブラックマトリクス周辺で、液晶の配向
異常に起因するものであると判明した。この配向異常の
原因は、電極群及びアクティブ素子及びカラーフィルタ
ーとブラックマトリクスを形成しているため基板上に段
差が大きく、段差の陰の部分へのラビング用の布の接触
が弱く、電極群及びマトリクス素子周辺ではラビングが
均一にできてきていないために液晶の配向異常が発生し
ていることが判明した。この不均一なラビングのため液
晶の配向異常が発生し、その配向異常部分から光が漏
れ、黒表示時の輝度が高く、表示むらが発生し、コント
ラストが低下している。

【０００７】この基板上の段差部分のラビング不良の問
題を解決する方法として、ラビングの強度をあげる方法
が考えられるが、この場合配向膜表面が削られたり、傷
つけられたりするという問題が生じる。さらに段差の形
状とラビング方向が一致していないため、段差構造によ
ってラビング布が誘導され、所望の方向にラビングでき
ないという問題も発生する。また、配向膜表面を平坦化
する方法が提案されているが、完全に平坦化してしまう
ことは、一定の液晶層厚を制御するためのスペーサが移
動し易くなるという副作用をもたらし、実用的ではな
い。スペーサの移動は、スペーサ分布が不均一になり液
晶層厚も不均一化して、輝度ムラを引き起こす。また、
スペーサの移動時に配向膜表面を傷つけ光漏れも引き起
こす。この点からもある程度の段差は必要である。ま
た、光照射による液晶配向処理のみでも段差の部分の配
向制御は可能であるが、光照射による配向制御のみで
は、液晶を配向させる力（配向規制力）が弱いという問
題点がある。

【０００８】本発明の目的は、基板上の段差部分での液
晶の配向異常の少ない、高品位な画質を有するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブ型液
晶表示装置によれば、少なくとも一方が透明である一対
の基板と、その一対の基板が挟持した液晶層と、前記一
対の基板の一方の基板に形成され、この基板面に平行な
電界を前記液晶層に印加するための電極群及びこれらの
電極に接続されたアクティブ素子と、前記液晶層と前記
一対の基板の少なくとも一方の基板との間に配置された
配向制御膜と、前記配向制御膜とを有している。前記液
晶層の厚みが前記一対の基板間に分散され挟持されたス
ペーサによりほぼ一定の厚みに制御される。前記一対の
基板の少なくとも一方の液晶層に接する側の表面上にお
いて、少なくとも１画素領域に対応する前記配向制御膜
上に段差が形成され、その段差部分の配向制御膜上にお
いても液晶配向能が付与される。

【００１０】本発明によれば、ラビングと光配向処理を
併用することで、段差部分の配向制御膜上においても液
晶配向能を付与することが可能となる。また、ラビング
と光配向処理を併用することで、ラビングによって生じ
る、段差部分で配向異常が発生するという問題点と、光
配向処理で生じる、配向規制力が弱いという問題点が解
決でき、黒表示時の透過率が０.４％以下となり、高コ
ントラスト化が可能となる。

【００１１】さらに、光照射によって液晶の配向制御膜
上での液晶のチルト角を制御することも可能である。す
なわち光照射によって、チルト角が低下し、横電界方式
においては視野角がより増大し、本発明は有効である。

【００１２】前記配向制御膜上に形成される段差は、ス
ペーサービーズの粒径分布以上、少なくとも０.１ミク
ロン以上とすることが望ましい。この段差構造は、スペ
ーサービーズの移動防止に有効である。なお、段差構造
は電極群を有する基板側であっても、通常はカラーフィ
ルターが形成されている対向側の基板であっても構わな
い。特に、カラーフィルターの境界部に形成されるブラ
ックマトリクスが樹脂材料と黒色顔料とからなる場合は
このブラックマトリクス部を光が透過する画素部よりも
厚くせざるを得ないため、段差が発生しやすく、本発明
がより有効に作用する。逆にクロム等の金属薄膜材料で
ブラックマトリクスを形成すると、ブラックマトリクス
部が相対的に薄くなることもある。この場合にも、本発
明は有効である。

【００１３】ラビングと光照射によって配向膜に液晶配
向能を付与する場合、照射した光が基板上に形成した電
極群及びアクティブ素子表面で反射し、液晶の配向が乱
れる問題が発生する。その照射光の電極群及びアクティ
ブ素子表面での反射を防止するために、電極群及びアク
ティブ素子が照射光を吸収することによって、より良好
な液晶配向が得られる。電極上で光を吸収するために
は、例えば電極上に酸化クロム層を形成することにより
達成される。

【００１４】電極群及びアクティブ素子と絶縁層間もし
くは絶縁層と配向膜間に光を吸収する材料を配置しても
よいし、電極群及びアクティブ素子表面上に反射防止膜
を形成してもよい。

【００１５】反射防止層の材質としては、酸化ケイ素，
酸化チタン等が望ましい。また、絶縁層に照射する光を
十分に吸収する材質を、反射が抑えられる程度に十分厚
く形成することによっても、反射光による配向方向の乱
れは抑制される。

【００１６】ラビング処理と光照射どちらによっても液
晶配向性を付与できる有機高分子であれば、印刷等によ
り基板上に簡易に配向制御膜を形成でき、ラビングと光
照射の併用によって、基板上で均一な配向処理が可能で
ある。代表的な有機高分子材料としては、下記式１に例
示するようなＰＭＤＡ−ＯＤＡ等の光分解性のポリイミ
ド誘導体や、式２に例示するような側鎖にアゾベンゼ
ン，スチルベン等の光によってシスートランス異性化反
応をする部位を有するもの、桂皮酸やカルコンのような
光二量化反応をする部位を有するポリイミド誘導体、式
３に例示するような主鎖にアゾベンゼン，スチルベン等
の光によってシスートランス異性化反応をする部位を有
するポリイミド誘導体，桂皮酸やカルコンのような光二
量化反応をする部位を有するポリイミド誘導体等が挙げ
られる。

【００１７】

【化１】

【００１８】

【化２】

【００１９】

【化３】

【００２０】また、ラビング処理によって液晶配向能を
付与できる有機高分子材料と、光照射によって液晶配向
能を付与できる有機高分子材料とを混合し、配向制御膜
として使用することで、ラビングと光照射の併用によっ
て、基板上で均一な配向処理が可能となる。ラビングに
よって液晶配向能を付与できる有機高分子材料の代表例
としては、ポリイミド誘導体が挙げられる。光照射によ
って配向能が付与できる有機材料の代表例としては、例
えばスチルベン誘導体，アゾベンゼン誘導体，桂皮酸誘
導体，カルコン誘導体等が挙げられる。

【００２１】ラビングと光照射を併用し、液晶配向能を
付与する方法としては、例えば配向制御膜を基板上に塗
布，乾燥，焼成後、ラビング処理を行い、光照射を行
う。光照射後にラビングを行ってもよい。照射する光は
偏光であることが望ましい。また光照射する基板は、電
極群を有する基板でも、通常カラーフィルターが形成さ
れている対向側基板でもどちらでもよい。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、まず本発明の個別の実施例
を具体的に説明する先立ち、横電界方式の構成と動作原
理を複屈折モードを例に説明する。

【００２３】図１は、横電界方式の液晶パネル内での液
晶の動作を示す図で、（ａ)，(ｂ）は側断面図を、
（ｃ)，(ｄ）は平面図を表す。なお、表示素子全体では
ストライプ状の電極をマトリクス状に形成して複数の画
素を構成するが、図１では一画素の部分を示したもので
ある。図２に電界１３の方向に対する、偏光板透過軸方
向１２のなす角Φ_pおよび基板界面近傍での液晶分子長
軸（光学軸）の配向方向１１のなす角Φ_LCの定義を示
す。

【００２４】図１（ａ）に電圧無印加時の液晶の状態
を、図１（ｃ）にその時の平面図を示す。透明な一対の
基板１，１′の内側にストライプ状の電極２，３が形成
され、その上に配向制御膜８が形成されている。そし
て、両基板間には液晶組成物層が挟持されている。棒状
の液晶分子６は、電界無印加時にはストライプ状の電極
の長手方向に対して４５度≦｜Φ_LC｜＜９０度となるよ
うに、配向制御膜８により矢印で示す配向方向１１に配
向されている。なお、液晶の誘電異方性は正を想定して
いる。

【００２５】次に、図１（ｂ)，(ｄ）に示すように、電
極２，３に電界１３を印加すると、電界１３の方向に近
づくように液晶分子６がその向きを変える。このとき液
晶組成物層の屈折率異方性と偏光板９，９′の作用によ
り本液晶素子の光学特性が変化し、この変化により表示
を行う。

【００２６】また、図１における液晶６は、誘電異方性
が正のものを用いた場合について説明したが、負のもの
であっても構わない。その場合には初期配向状態をスト
ライプ状電極の垂直方向から０度≦｜Φ_LC｜＜４５度に
配向させると良い。

【００２７】［実施例１］図３は本発明の第１の実施例
の単位画素における各種電極の平面構造及びその断面を
示した図である。ガラス基板１の上に共通電極２及び走
査信号電極１４が形成されている。また、それらの電極
の上に絶縁膜５が形成され、更にその上に映像信号電極
１０及び画素電極３からなるＴＦＴ(Thin Film Transis
tor)が形成されている。また、更にその上層には絶縁層
４が形成されている。また、画素は映像信号電極１０と
平行な共通電極２及び画素電極３によって４分割されて
いる。この電極群を有する基板の表面上の段差を測定し
たところ、最大で０.８μｍであった。この電極群を有
する基板上に、ジアミンとして４，４′−オキシジアニ
リン，酸無水物として３，３′，４，４′−ベンゼンテ
トラカルボン酸二無水物からポリイミド前駆体であるポ
リアミック酸を合成し、塗布，乾燥，焼成することによ
り配向制御膜８を形成した。形成後、配向膜上に紫外偏
光を照射した。照射した光の波長は約２５４ｎｍであ
る。この光照射処理によって、段差部分のラビングの弱
い部分も配向処理することが可能となる。さらに光照射
後にラビング処理を行った。トランジスタ素子を有する
基板に相対向する基板上にカラーフィルター及びブラッ
クマトリクスを形成した。カラーフィルターの上には平
坦化膜７を形成し、さらにポリイミド系の配向制御膜を
形成した。配向制御膜を形成後、ラビング処理のみを行
った。スペーサービーズ２１を基板上に分散し、両基板
を貼り合わせた後、基板間に液晶を注入，封止し、図
４，図５に示す液晶表示素子を作製した。さらに図６に
示すように、駆動ＬＳＩが接続され、ＴＦＴ基板上に垂
直走査回路１７，映像信号駆動回路１８，共通電極駆動
回路１９を接続し、電源回路及びコントローラ２０から
走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号を供給
し、アクティブマトリクス駆動する。このようにして作
製した液晶表示装置は、電極群周辺の段差の大きい部分
において、液晶の配向異常が少なく、黒表示時の透過率
が０.３６％であり、高いコントラストが得られた。顕
微鏡により電極群周辺を観察したところ、電極群周辺に
は配向異常が少なく、黒表示時における光漏れが発生し
ていなかった。これはラビングと光照射を併用すること
によって、段差部分でも液晶が配向し、黒表示時に光漏
れが少ないためである。［実施例２］本実施例の特徴は、配向膜材料として、ジ
アミン成分に４，４′−ジアミノアゾベンゼンを用い、
酸無水物成分として３，３′，４，４′−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物からポリイミド前駆体である
ポリアミック酸を合成し、塗布，乾燥，焼成することに
より配向制御膜８を形成した点にある。実施例１と同様
の方法で液晶表示装置を作製したところ、実施例１とほ
ぼ同様の効果が得られ、高コントラストな液晶表示装置
が得られた。

【００２８】［実施例３］図７，図８にカラーフィルタ
ー基板の断面構造を示す。本実施例の特徴は、カラーフ
ィルター基板上に０.１μｍ以上の段差を形成し、電極
群及びアクティブ素子を形成した基板はラビング処理の
みにより配向処理を施し、カラーフィルター基板はラビ
ング処理と光照射によって配向処理を施した点にある。
このようにして作製した液晶表示装置は、カラーフィル
ターのブラックマトリクス２２周辺の段差の大きい部分
において、液晶の配向異常が少なく、黒表示時の透過率
が０.３９％であり、高いコントラストが得られた。顕
微鏡によりブラックマトリクス周辺の液晶の配向状態を
観察したところ、ブラックマトリクス周辺には配向異常
が少なく、黒表示時における光漏れが発生していなかっ
た。

【００２９】［実施例４］本実施例の特徴は、電極群及
びアクティブ素子を形成した基板とカラーフィルター基
板両方を光照射とラビング処理によって配向処理を施し
た。このようにして作製した液晶表示装置は、電極群及
びカラーフィルターのブラックマトリクス周辺の段差の
大きい部分において、液晶の配向異常が少なく、黒表示
時の透過率が０.３％であり、高いコントラストが得ら
れた。顕微鏡により電極群及びブラックマトリクス周辺
の液晶の配向状態を観察したところ、配向異常が少な
く、黒表示時における光漏れが発生していなかった。

【００３０】［実施例５］本実施例の特徴は、配向制御
膜に、ラビングにより配向能を付与することが可能なポ
リイミド誘導体と、光照射により配向能を付与すること
が可能な桂皮酸誘導体との混合物を用いた点にある。ま
ず式４に示すジアミン成分と、式５に示す酸無水物とを
反応させ、ポリアミック酸とした後、側鎖に桂皮酸構造
を有するポリ（ビニルシンナメート）（式６）と溶液中
で混合した。

【００３１】

【化４】

【００３２】

【化５】

【００３３】

【化６】

【００３４】混合した配向制御膜を塗布，焼成した後、
電極群及びアクティブ素子を形成した基板とカラーフィ
ルター基板両方を光照射とラビング処理によって配向処
理を施した。このようにして作製した液晶表示装置は、
電極群及びカラーフィルターのブラックマトリクス周辺
の段差の大きい部分において、液晶の配向異常が少な
く、光漏れも少なく、高いコントラストが得られた。顕
微鏡により電極群及びブラックマトリクス周辺の液晶の
配向状態を観察したところ、配向異常が少なく、黒表示
時における光漏れが発生していなかった。

【００３５】［実施例６］本実施例の特徴は、電極群及
びアクティブ素子を形成した基板とカラーフィルター基
板両方を、ラビング処理の後に光照射により配向処理を
施した点にある。このようにして作製した液晶表示装置
の電極群，アクティブ素子周辺とブラックマトリクス周
辺の液晶の配向状態を顕微鏡により観察したところ、液
晶の配向異常がなく、黒表示時における光漏れが発生し
ていなかった。すなわち、ラビング処理後に光照射を行
っても、光照射後にラビング処理を行っても、基板上の
段差部分での液晶の配向制御効果が同様に認められた。

【００３６】［実施例７］図９に本実施例の基板の断面
図を示す。本実施例の特徴は、画素内の電極群表面に、
酸化クロム層を形成し、照射する光を吸収する層を形成
したことにある。図９中の共通電極２をクロムによって
形成後、電極表面を酸化処理し、酸化クロム層を形成し
た。さらに画素電極３を形成後、電極上に同様に酸化ク
ロム層を形成した。その後実施例１を同様の方法で、液
晶表示素子を作製した。作製した液晶表示装置には、配
向処理時の電極表面での光の反射による配向方向の乱れ
がなく、均一な配向であった。酸化クロム層のような光
を吸収する層の代わりに、照射する光の波長において比
較的反射率の低い、例えば金等の金属を電極上に蒸着す
ることによっても、ほぼ同様の効果が得られる。さら
に、絶縁層と配向膜間もしくは絶縁層と電極間に照射す
る光を吸収する層を設けても同様の効果が得られる。光
を吸収する層としては例えば黒色顔料を分散した樹脂な
どが挙げられる。また、絶縁層に照射する光を吸収する
材質を用い、反射による配向乱れがない程度な厚さにす
ることによってもほぼ同様の効果が得られる。

【００３７】［実施例８］本実施例の特徴は、画素内の
電極群表面に、酸化ケイ素と酸化チタン層からなる反射
防止膜を形成したことにある。共通電極２を形成後、酸
化ケイ素と酸化チタン層によって反射防止層を形成し
た。さらに画素電極３を形成後、電極上に同様に反射防
止層を形成した。その後実施例１を同様の方法で、液晶
表示素子を作製した。作製した液晶表示装置には、配向
処理時の電極表面での光の反射による配向方向の乱れが
なく、均一な配向であった。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、電極群及びアクティブ
素子周辺，カラーフィルターのブラックマトリクス周辺
の段差の大きい部分での配向異常を、ラビングによる配
向処理と光照射による配向処理とを併用することにより
抑制することが可能で、表示むらのない高コントラスト
な液晶表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】横電界方式の液晶表示装置における液晶の動作
原理を示す模式図。

【図２】電界方向に対する液晶分子長軸配向方向と偏光
板偏光透過軸のそれぞれがなす角を示す図。

【図３】実施例１における単位画素部の電極群，絶縁
膜，配向制御膜の配置を示す平面および断面を示す模式
図。

【図４】実施例１の液晶表示装置のセルの模式断面図を
示す。

【図５】図４の模式断面図の一部分を拡大し、絶縁膜，
スペーサービーズ，配向制御層を示す図。

【図６】本発明の液晶表示装置における回路システム構
成の一例を示す図。

【図７】実施例２のカラーフィルター基板側に段差構造
を有する構成の一例を示す図。

【図８】実施例２のカラーフィルター基板側に段差構造
を有する構成の他の一例を示す図。

【図９】実施例７の電極側基板の断面構造の一例を示す
図。

【符号の説明】

１…基板、２…共通電極、３…画素電極、４…絶縁層、
５…カラーフィルター、６…液晶分子、７…平坦化膜、
８，８′…配向制御膜、９，９′…偏光板、１０…映像
信号電極、１１…液晶の配向方向、１２…偏光板の透過
軸方向、１３…電界方向、１４…走査信号電極、１５…
ＴＦＴ素子、１６…アモルファスシリコン、１７…垂直
走査回路、１８…映像信号駆動回路、１９…共通電極駆
動回路、２０…電源回路及びコントローラ、２１…スペ
ーサービーズ、２２…ブラックマトリクス、２３…光吸
収層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ // Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｇ 73/10 (72)発明者大江昌人千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者近藤克己茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透明である一対の基板
と、その一対の基板が挟持した液晶層と、前記一対の基
板の一方の基板に形成され、この基板面に平行な電界を
前記液晶層に印加するための電極群及びこれらの電極に
接続されたアクティブ素子と、前記液晶層と前記一対の
基板の少なくとも一方の基板との間に配置された配向制
御膜と、前記配向制御膜と前記電極群との間に配置され
た絶縁層とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装
置であって、前記液晶層の厚みが前記一対の基板間に分散され挟持さ
れたスペーサによりほぼ一定の厚みに制御され、前記一対の基板の少なくとも一方の液晶層に接する側の
表面上において、少なくとも１画素内において前記配向
制御膜上に段差が形成され、その段差部分の配向制御膜
上においても液晶配向能が付与されているアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
【請求項２】請求項１において、前記配向制御膜に液晶
配向能は、ラビングと光照射の併用により付与されてい
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】請求項１において、前記配向制御膜はラビ
ング処理及び偏光照射により液晶配向能が付与され、黒
表示時の透過率が０.４％以下であるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。
【請求項４】請求項１において、前記配向制御膜上に形
成された段差が、少なくとも０.１ミクロン以上である
アクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】請求項２において、前記電極群のうち少な
くとも画素内の電極は、前記配向膜に配向能を付与する
ために照射する光を吸収するアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
【請求項６】請求項２において、前記電極群のうち少な
くとも画素内の電極上に、酸化クロム層が形成されてい
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項７】請求項２において、前記電極群のうち少な
くとも画素内の電極と前記配向膜との間に、光反射防止
層が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項８】請求項７において、前記光反射防止層は、
酸化ケイ素，酸化チタンのいずれかであるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
【請求項９】請求項２において、前記配向制御膜は有機
高分子材料であるアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項１０】請求項９において、前記有機高分子材料
は、ポリイミド誘導体であるアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
【請求項１１】請求項２において、前記配向制御膜がラ
ビングにより配向能を付与される有機高分子材料と、光
照射により配向能を付与される有機材料との混合物であ
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項１２】請求項１１において、前記ラビングによ
り配向能を付与される有機高分子材料はポリイミド誘導
体であり、前記光照射により配向能を付与される有機材
料は、スチルベン誘導体，アゾベンゼン誘導体，桂皮酸
誘導体，カルコン誘導体のいずれかであるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
【請求項１３】請求項１において、前記一対の基板のう
ち前記段差が形成された表面を有する側の基板には、前
記電極群が形成されているアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
【請求項１４】請求項１において、前記一対の基板のう
ち前記段差が形成された表面を有する側の基板が前記電
極群を有する基板に対向配置された他方の基板であるア
クティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項１５】請求項１において、前記一対の基板のう
ち前記段差が形成された表面を有する側の基板にはカラ
ーフィルター及びブラックマトリクスが形成されている
アクティブマトリクス型液晶表示装置。