JP2005275364A - 液晶配向膜、液晶配向剤、及び液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示素子用の配向膜を形成するための液晶配向剤であって、光を照射して配向処理を施すことにより、次式(1)で表される配向膜上の液晶単分子層の配向指数Δを0.4以上にすることができる配向膜を形成することができる液晶配向剤を調製し、該液晶配向剤を用いて配向膜を形成するとともに、該配向膜を有する液晶表示素子を作製する。
式中、A‖は配向処理方向に平行な偏光成分を有する赤外光を液晶単分子層に入射させたときの液晶の特性基振動による吸光度であり、A⊥は配向処理方向に垂直な偏光成分を有する赤外光を液晶単分子層に入射させたときの液晶の特性基振動による吸光度である。
【選択図】なし
Description
(1)ラビング処理により発生するマイクログループに起因する表面形状効果
(2)ラビング処理により一軸配向した配向膜と該液晶と接する液晶単分子層との分子間相互作用
近年では(1)の表面形状効果の寄与は比較的小さく、(2)の分子間相互作用の寄与が支配的であることが確認されている。
したがって、特に光配向法により配向処理を施された一軸配向性の良好な配向膜を用いることにより、配向膜に接している液晶単分子層の分子配向状態を制御して液晶表示素子としての性能を改善することが期待できる。
式中、A‖は配向処理方向に平行な偏光成分を有する赤外光を液晶単分子層に入射させたときの液晶の特性基振動による吸光度であり、A⊥は配向処理方向に垂直な偏光成分を有する赤外光を液晶単分子層に入射させたときの液晶の特性基振動による吸光度である。
本発明は、下記の構成からなる。
本発明における液晶単分子層は蒸着法により形成する。蒸着条件は使用する液晶組成物により異なるが、大気中または真空中(10−1〜10−6Pa)にて、液晶を好ましくは200℃以下、より好ましくは150℃以下の温度で加熱し、好ましくは5〜600分間、より好ましくは10〜180分間蒸着処理を実施する。なお、単分子層の液晶の蒸着量は、液晶単分子層のみから光第二次高調波が発生することを利用して、光第二次高調波発生(SHG)の信号強度をモニターしながら、SHG強度が飽和したとき蒸着を止めることにより決定する(伊藤 et at. 液晶討論会第23回、3PB06、P420〜421参照)。
式中、R2およびR3は独立して炭素数1〜3のアルキルまたはフェニルであり、R4はメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンである。xは1〜6の整数であり、yは1〜10の整数である。
ピロメリット酸二無水物 :PMDA
1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物 :CBDA
ジアミン
4,4’−ジアミノアゾベンゼン :DAZ
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル :DDE
溶剤
N−メチル−2−ピロリドン :NMP
1)液晶配向剤A1の調製
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた200mlの四つ口フラスコにDAZを2.4660g、脱水NMPを30.00g導入し、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。反応系の温度を5℃に保ちながらPMDAを2.5340g添加し、30時間反応させた後、脱水NMPを65.00g加えて高分子成分の濃度が5重量%のポリアミック酸の液晶配向剤を調製した。原料の反応中に反応熱により温度が上昇するときは、反応温度を約70℃以下に抑えて反応させた。
得られたPMDA/DAZ(原料モル比=50/50)の液晶配向剤A1をNMPで希釈して1.28重量%とした後、CaF2基板(厚さ2mm)上にスピンナーにて塗布した。塗布条件は3000rpm、60秒であった。塗膜後、ウシオ電機株式会社製の500W Deep UVランプ(UXM−501MD)を光源とし、グランテーラー偏光プリズムを通して直線偏光とした光を基板面垂直方向から照射した後、窒素雰囲気中250℃にて60分間加熱処理を行い配向膜を形成した。なお、光配向処理条件は、バンドパスフィルター(旭テクノグラス株式会社製のUV−D33SとCVI Laser株式会社製のLP365を併用)を用いて波長領域365〜400nmとし、照射光量は315J/cm2であった。得られた配向膜の膜厚を、株式会社島津製作所製の自動偏光解析装置(APE−100)を用いて、測定波長632.8nm(He−Neレーザー)、入射角70度で測定したところ15nmであった。
一対のITO透明電極付きガラス基板を用いる以外は、配向指数Δの算出に準じた方法で配向膜を形成した。
一方のガラス基板に6μmのギャップ材を含有させたエポキシ硬化剤をディスペンサーで塗布し、配向膜を形成した面を内側にして他方のガラス基板を対向させた後、硬化させ、ギャップ6μmのパラレルセルを作成した。前記セルに液晶組成物Aを注入し、注入口を光硬化剤で封止した。次いで、110℃で30分間加熱処理を行って、黒表示特性測定用セルとした。液晶材料として使用した液晶組成物Aの組成を下記に示す。この組成物のNI点は100.0℃であり、複屈折は0.093であった。
また、ラビング筋のような配向むらや配向欠陥は全く認められず、非常に均一な表示が得られた。
実施例1における液晶配向剤A1の代わりに、PMDA/DDE(原料モル比=50/50)の液晶配向剤B1を調製した。得られた液晶配向剤B1を、実施例1に準じた方法でCaF2基板上にスピンナーにて塗布した。塗膜後300℃にて120分間加熱処理を行い膜厚およそ12.3nmの配向膜を形成した。得られた配向膜をラビング処理装置を用いて、ラビングローラー直径70mm、ラビング布(吉川化工製YA−18R:レーヨン)の毛足押し込み量0.10mm、ステージ移動速度を10mm/sec、ローラー回転速度を400rpm、ラビング回数1回の条件でラビング処理した。
次いで、実施例1に準じた方法でラビング処理した配向膜上の液晶単分子層の配向指数Δを評価したところ0.35であった。さらに、一対のITO透明電極付きガラス基板を用いる以外は、配向指数Δの算出に準じた方法でラビング処理した配向膜を形成し、実施例1に準じた方法で黒表示特性測定用セルを作製し、黒表示特性を評価したところ0.0058%であった。
実施例1における液晶配向剤A1の代わりに、CBDA/DDE(原料モル比=50/50)の液晶配向剤B2を調製した。得られた液晶配向剤B2を、実施例1に準じた方法でCaF2基板上にスピンナーにて塗布した。塗膜後300℃にて60分間加熱処理を行い膜厚およそ26nmの配向膜を形成した。得られた配向膜を、ラビング回数が5回である以外は比較例1と同じ条件でラビング処理した。
次いで、実施例1に準じた方法でラビング処理した配向膜上の液晶単分子層の配向指数Δを評価したところ0.20であった。さらに、一対のITO透明電極付きガラス基板を用いる以外は、配向指数Δの算出に準じた方法でラビング処理した配向膜を形成し、実施例1に準じた方法で黒表示特性測定用セルを作製し、黒表示特性を評価したところ0.0081%であった。
窒素雰囲気中250℃にて60分間加熱処理を行った後に直線偏光とした光を基板面垂直方向から照射する以外は、すなわちポリアミック酸膜を熱イミド化した後に直線偏光紫外光を照射して配向処理を施す以外は、実施例1に準じた方法で一対の配向膜を形成した。
さらにCaF2基板を用いる以外は実施例1に準じた方法で黒表示特性測定用セルを作製した。該黒表示特性測定用セルをクロスニコル状態で偏光顕微鏡で観察したところ、配向欠陥が観察され均一な配向は得られなかった。
なお、本発明の実施例の試験方法において、優れた黒表示特性とは0.005%以下の値を意味する。
Claims (5)
- 配向処理がアゾ基の光異性化反応を利用したものである請求項1記載の液晶配向膜。
- 配向処理がポリアミック酸膜に直線偏光紫外光を照射した後に、熱イミド化することである請求項1記載の液晶配向膜。
- 請求項1〜3の何れか1項記載の液晶配向膜を形成することができる液晶配向剤。
- 請求項1〜3の何れか1項記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
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