JPH0756172A - 液晶表示体の製造方法 - Google Patents
液晶表示体の製造方法Info
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- JPH0756172A JPH0756172A JP20340893A JP20340893A JPH0756172A JP H0756172 A JPH0756172 A JP H0756172A JP 20340893 A JP20340893 A JP 20340893A JP 20340893 A JP20340893 A JP 20340893A JP H0756172 A JPH0756172 A JP H0756172A
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- crystal display
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- alignment film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶表示体の製造方法に係り、配向処理方法に
関して、塵の発生が少ない配向処理方法を提供する。 【構成】液晶表示体の製造方法について、（１）イオン
ビームやプラズマビームあるいは電子ビームをスリット
を通して線状に液晶表示体基板の配向膜表面を走査・照
射すること、および（２）（１）項の線状のイオンビー
ムやプラズマビームあるいは電子ビームをパルス状とな
すこと、および（３）（１）項および（２）項の線状ま
たは線状でパルス状のイオンビームやプラズマビームあ
るいは電子ビームを液晶表示体基板の配向膜表面に対し
て傾斜して走査・照射すること、などである。 【効果】液晶表示体パネルの歩留まりを向上できる。
関して、塵の発生が少ない配向処理方法を提供する。 【構成】液晶表示体の製造方法について、（１）イオン
ビームやプラズマビームあるいは電子ビームをスリット
を通して線状に液晶表示体基板の配向膜表面を走査・照
射すること、および（２）（１）項の線状のイオンビー
ムやプラズマビームあるいは電子ビームをパルス状とな
すこと、および（３）（１）項および（２）項の線状ま
たは線状でパルス状のイオンビームやプラズマビームあ
るいは電子ビームを液晶表示体基板の配向膜表面に対し
て傾斜して走査・照射すること、などである。 【効果】液晶表示体パネルの歩留まりを向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示体の製造方法
に係り、配向処理方法に関する。
に係り、配向処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示体の製造方法のなかの配
向処理方法としては、最も一般的には、液晶表示体基板
の配向膜表面を布で擦るという方法が用いられていた。
向処理方法としては、最も一般的には、液晶表示体基板
の配向膜表面を布で擦るという方法が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると配向処理時に塵が発生し、液晶表示体パネルの
歩留まりを低下させるという課題があった。
によると配向処理時に塵が発生し、液晶表示体パネルの
歩留まりを低下させるという課題があった。
【０００４】この発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、塵の発生が少ない配向処理方法を提供することを目
的とする。
し、塵の発生が少ない配向処理方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、この発明は、液晶表示体の製造
方法について、（１）イオンビームやプラズマビームあ
るいは電子ビームをスリットを通して線状に液晶表示体
基板の配向膜表面を走査・照射する手段を取ること、お
よび（２）（１）項の線状のイオンビームやプラズマビ
ームあるいは電子ビームをパルス状となす手段を取るこ
と、および（３）（１）項および（２）項の線状または
線状でパルス状のイオンビームやプラズマビームあるい
は電子ビームを液晶表示体基板の配向膜表面に対して傾
斜して走査・照射する手段を取ること、などである。
目的を達成するために、この発明は、液晶表示体の製造
方法について、（１）イオンビームやプラズマビームあ
るいは電子ビームをスリットを通して線状に液晶表示体
基板の配向膜表面を走査・照射する手段を取ること、お
よび（２）（１）項の線状のイオンビームやプラズマビ
ームあるいは電子ビームをパルス状となす手段を取るこ
と、および（３）（１）項および（２）項の線状または
線状でパルス状のイオンビームやプラズマビームあるい
は電子ビームを液晶表示体基板の配向膜表面に対して傾
斜して走査・照射する手段を取ること、などである。
【０００６】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を詳しく述べ
る。
る。
【０００７】図１はこの発明の一実施例を示す液晶表示
体基板のドライラビングによる配向処理方法を示す断面
図である。すなわち、支持台１００上にはポリイミド膜
などからなる配向膜１０２が塗布されたガラス基板１０
１が設置され、アルゴンや酸素などのプラズマビームソ
ースやアルゴンや酸素などのイオンビームソースあるい
は電子ビームソースなどからの１ｋｅＶ程度に加速され
たビーム１０５は、線状のスリット１０４が設けられた
ニッケルやシリコンやモリブデンあるいはタングステン
などからできたアパチャ１０３を介して線状ビーム１０
６を照射しながら支持台１００を移動方向１０７に移動
させて、配向膜１０２の全面にビーム１０６を照射する
ことのより、配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４
ｎｍ程度の溝を一定方向に形成し、配向性を得ることが
できる。なお、ビーム１０６は静電レンズや磁界レンズ
で配向膜１０２面に焦点を当てて絞ってもよく、その場
合にはアパチャ１０３はステンシルマスクと見なすこと
もできる。また、支持台１００を駆動する場合にパルス
状に駆動してもよく、あるいはアパチャ１０３を駆動あ
るいはパルス状に駆動したり、支持台１００とアパチャ
１０３の双方を駆動寸法は異にするが同期して駆動して
もよい。さらに、配向膜１０２は感光性のポリイミド膜
などの感光膜であってもよく、その場合にはプラズマビ
ームやイオンビームあるいは電子ビームは感光膜を露光
することとなり、現像処理により配向膜１０２の表面に
幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝が一定方向に形成され
て、配向性を得ることができることとなる。また、さら
に線状ビーム１０６は必ずしも配向膜１０２の表面に対
して図のごとく直角方向に照射するのみならず、配向膜
１０２の表面に対して線状ビーム１０６を４５度以下で
１から３度の小傾角で照射することにより、配向膜１０
２の表面を微小なステップ状のストライプ模様を形成す
ることができ、この微小なステップ状のストライプ模様
は配向処理と同等の液晶に対する配向効果を発揮させる
こともできる。このビーム傾斜照射による配向処理につ
いては、以下の実施例にも引用してあり、配向効果はお
おきなものがあり、また必ずしもパルス状駆動や細いビ
ームによる処理でなくともこのほうほうにより配向効果
が得られることが多々ある。
体基板のドライラビングによる配向処理方法を示す断面
図である。すなわち、支持台１００上にはポリイミド膜
などからなる配向膜１０２が塗布されたガラス基板１０
１が設置され、アルゴンや酸素などのプラズマビームソ
ースやアルゴンや酸素などのイオンビームソースあるい
は電子ビームソースなどからの１ｋｅＶ程度に加速され
たビーム１０５は、線状のスリット１０４が設けられた
ニッケルやシリコンやモリブデンあるいはタングステン
などからできたアパチャ１０３を介して線状ビーム１０
６を照射しながら支持台１００を移動方向１０７に移動
させて、配向膜１０２の全面にビーム１０６を照射する
ことのより、配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４
ｎｍ程度の溝を一定方向に形成し、配向性を得ることが
できる。なお、ビーム１０６は静電レンズや磁界レンズ
で配向膜１０２面に焦点を当てて絞ってもよく、その場
合にはアパチャ１０３はステンシルマスクと見なすこと
もできる。また、支持台１００を駆動する場合にパルス
状に駆動してもよく、あるいはアパチャ１０３を駆動あ
るいはパルス状に駆動したり、支持台１００とアパチャ
１０３の双方を駆動寸法は異にするが同期して駆動して
もよい。さらに、配向膜１０２は感光性のポリイミド膜
などの感光膜であってもよく、その場合にはプラズマビ
ームやイオンビームあるいは電子ビームは感光膜を露光
することとなり、現像処理により配向膜１０２の表面に
幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝が一定方向に形成され
て、配向性を得ることができることとなる。また、さら
に線状ビーム１０６は必ずしも配向膜１０２の表面に対
して図のごとく直角方向に照射するのみならず、配向膜
１０２の表面に対して線状ビーム１０６を４５度以下で
１から３度の小傾角で照射することにより、配向膜１０
２の表面を微小なステップ状のストライプ模様を形成す
ることができ、この微小なステップ状のストライプ模様
は配向処理と同等の液晶に対する配向効果を発揮させる
こともできる。このビーム傾斜照射による配向処理につ
いては、以下の実施例にも引用してあり、配向効果はお
おきなものがあり、また必ずしもパルス状駆動や細いビ
ームによる処理でなくともこのほうほうにより配向効果
が得られることが多々ある。
【０００８】図２はこの発明の他の実施例を示す液晶表
示体基板のドライラビングによる配向処理方法を示す断
面図である。すなわち、支持台１００上にはポリイミド
膜などからなる配向膜１０２が塗布されたガラス基板１
０１が設置され、パルス発生器１０９に連なった電極１
０８によるか、あるいはアルゴンや酸素などのプラズマ
ビームソースやアルゴンや酸素などのイオンビームソー
スあるいは電子ビームソースなどからの１ｋｅＶ程度に
加速された１ｋＨｚ程度の周波数のパルス状のビーム１
０５などは、線状のスリット１０４が設けられたニッケ
ルやシリコンやモリブデンあるいはタングステンなどか
らできた傾斜して設けられたアパチャ１０３を介してパ
ルス状の線状ビーム１０６を照射しながら支持台１００
を移動方向１０７に移動させて、配向膜１０２の全面に
ビーム１０６を照射することのより、配向膜１０２の表
面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝を一定方向に形成
し、配向性を得ることができる。なお、ビーム１０６は
静電レンズや磁界レンズで配向膜１０２面に焦点を当て
て絞ってもよく、その場合にはアパチャ１０３はステン
シルマスクと見なすこともできると共に、アパチャ１０
３を傾斜して設けることはスリット幅を狭める効果があ
る。また、アパチャ１０３を傾斜する代わりに支持台１
００および配向膜１０２を塗布したガラス基板を傾斜さ
せてもよく、さらにアパチャ１０３と支持台１００およ
び配向膜１０２を塗布したガラス基板の双方を傾斜させ
てもよく、アパチャ１０３と支持台１００および配向膜
１０２を塗布したガラス基板の双方を傾斜させた例は次
の例にも示してある。さらに、配向膜１０２は感光性の
ポリイミド膜などの感光膜であってもよく、その場合に
はプラズマビームやイオンビームあるいは電子ビームは
感光膜を露光することとなり、現像処理により配向膜１
０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝が一定方
向に形成されて、配向性を得ることができることとな
る。また、さらに線状ビーム１０６は必ずしも配向膜１
０２の表面に対して図のごとく直角方向に照射するのみ
ならず、配向膜１０２の表面に対して線状ビーム１０６
を４５度以下で１から３度の小傾角で照射することによ
り、配向膜１０２の表面を微小なステップ状のストライ
プ模様を形成することができ、この微小なステップ状の
ストライプ模様は配向処理と同等の液晶に対する配向効
果を発揮させることもできる。このビーム傾斜照射によ
る配向処理については、以下の実施例にも引用してあ
り、配向効果はおおきなものがあり、また必ずしもパル
ス状駆動や細いビームによる処理でなくともこの方法よ
り配向効果が得られることが多々ある。
示体基板のドライラビングによる配向処理方法を示す断
面図である。すなわち、支持台１００上にはポリイミド
膜などからなる配向膜１０２が塗布されたガラス基板１
０１が設置され、パルス発生器１０９に連なった電極１
０８によるか、あるいはアルゴンや酸素などのプラズマ
ビームソースやアルゴンや酸素などのイオンビームソー
スあるいは電子ビームソースなどからの１ｋｅＶ程度に
加速された１ｋＨｚ程度の周波数のパルス状のビーム１
０５などは、線状のスリット１０４が設けられたニッケ
ルやシリコンやモリブデンあるいはタングステンなどか
らできた傾斜して設けられたアパチャ１０３を介してパ
ルス状の線状ビーム１０６を照射しながら支持台１００
を移動方向１０７に移動させて、配向膜１０２の全面に
ビーム１０６を照射することのより、配向膜１０２の表
面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝を一定方向に形成
し、配向性を得ることができる。なお、ビーム１０６は
静電レンズや磁界レンズで配向膜１０２面に焦点を当て
て絞ってもよく、その場合にはアパチャ１０３はステン
シルマスクと見なすこともできると共に、アパチャ１０
３を傾斜して設けることはスリット幅を狭める効果があ
る。また、アパチャ１０３を傾斜する代わりに支持台１
００および配向膜１０２を塗布したガラス基板を傾斜さ
せてもよく、さらにアパチャ１０３と支持台１００およ
び配向膜１０２を塗布したガラス基板の双方を傾斜させ
てもよく、アパチャ１０３と支持台１００および配向膜
１０２を塗布したガラス基板の双方を傾斜させた例は次
の例にも示してある。さらに、配向膜１０２は感光性の
ポリイミド膜などの感光膜であってもよく、その場合に
はプラズマビームやイオンビームあるいは電子ビームは
感光膜を露光することとなり、現像処理により配向膜１
０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝が一定方
向に形成されて、配向性を得ることができることとな
る。また、さらに線状ビーム１０６は必ずしも配向膜１
０２の表面に対して図のごとく直角方向に照射するのみ
ならず、配向膜１０２の表面に対して線状ビーム１０６
を４５度以下で１から３度の小傾角で照射することによ
り、配向膜１０２の表面を微小なステップ状のストライ
プ模様を形成することができ、この微小なステップ状の
ストライプ模様は配向処理と同等の液晶に対する配向効
果を発揮させることもできる。このビーム傾斜照射によ
る配向処理については、以下の実施例にも引用してあ
り、配向効果はおおきなものがあり、また必ずしもパル
ス状駆動や細いビームによる処理でなくともこの方法よ
り配向効果が得られることが多々ある。
【０００９】図３はこの発明のその他の実施例を示す液
晶表示体基板のドライラビングによる配向処理方法を示
す断面図である。すなわち、傾斜して設けられた支持台
１００上にはポリイミド膜などからなる配向膜１０２が
塗布されたガラス基板１０１が設置され、パルス発生器
１０９に連なった電極１０８によるか、あるいはアルゴ
ンや酸素などのプラズマビームソースやアルゴンや酸素
などのイオンビームソースあるいは電子ビームソースな
どからの１ｋｅＶ程度に加速された１ｋＨｚ程度の周波
数のパルス状のビーム１０５などは、線状のスリット１
０４が設けられたニッケルやシリコンやモリブデンある
いはタングステンなどからできた傾斜して設けられたア
パチャ１０３を介してパルス状の線状ビーム１０６を照
射しながら支持台１００を移動方向１０７に移動させ
て、配向膜１０２の全面にビーム１０６を照射すること
のより、配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ
程度の溝を一定方向に形成し、配向性を得ることができ
る。なお、ビーム１０６は静電レンズや磁界レンズで配
向膜１０２面に焦点を当てて絞ってもよく、その場合に
はアパチャ１０３はステンシルマスクと見なすこともで
きると共に、アパチャ１０３を傾斜して設けることはス
リット幅を狭める効果がある。さらに、配向膜１０２は
感光性のポリイミド膜などの感光膜であってもよく、そ
の場合にはプラズマビームやイオンビームあるいは電子
ビームは感光膜を露光することとなり、現像処理により
配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝
が一定方向に形成されて、配向性を得ることができるこ
ととなる。。また、さらに線状ビーム１０６は必ずしも
配向膜１０２の表面に対して図のごとく４５度方向に照
射するのみならず、配向膜１０２の表面に対して線状ビ
ーム１０６を４５度以下で１から３度の小傾角で照射す
ることにより、配向膜１０２の表面を微小なステップ状
のストライプ模様を形成することができ、この微小なス
テップ状のストライプ模様は配向処理と同等の液晶に対
する配向効果を発揮させることもできる。
晶表示体基板のドライラビングによる配向処理方法を示
す断面図である。すなわち、傾斜して設けられた支持台
１００上にはポリイミド膜などからなる配向膜１０２が
塗布されたガラス基板１０１が設置され、パルス発生器
１０９に連なった電極１０８によるか、あるいはアルゴ
ンや酸素などのプラズマビームソースやアルゴンや酸素
などのイオンビームソースあるいは電子ビームソースな
どからの１ｋｅＶ程度に加速された１ｋＨｚ程度の周波
数のパルス状のビーム１０５などは、線状のスリット１
０４が設けられたニッケルやシリコンやモリブデンある
いはタングステンなどからできた傾斜して設けられたア
パチャ１０３を介してパルス状の線状ビーム１０６を照
射しながら支持台１００を移動方向１０７に移動させ
て、配向膜１０２の全面にビーム１０６を照射すること
のより、配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ
程度の溝を一定方向に形成し、配向性を得ることができ
る。なお、ビーム１０６は静電レンズや磁界レンズで配
向膜１０２面に焦点を当てて絞ってもよく、その場合に
はアパチャ１０３はステンシルマスクと見なすこともで
きると共に、アパチャ１０３を傾斜して設けることはス
リット幅を狭める効果がある。さらに、配向膜１０２は
感光性のポリイミド膜などの感光膜であってもよく、そ
の場合にはプラズマビームやイオンビームあるいは電子
ビームは感光膜を露光することとなり、現像処理により
配向膜１０２の表面に幅２０ｎｍで深さ４ｎｍ程度の溝
が一定方向に形成されて、配向性を得ることができるこ
ととなる。。また、さらに線状ビーム１０６は必ずしも
配向膜１０２の表面に対して図のごとく４５度方向に照
射するのみならず、配向膜１０２の表面に対して線状ビ
ーム１０６を４５度以下で１から３度の小傾角で照射す
ることにより、配向膜１０２の表面を微小なステップ状
のストライプ模様を形成することができ、この微小なス
テップ状のストライプ模様は配向処理と同等の液晶に対
する配向効果を発揮させることもできる。
【００１０】
【発明の効果】この発明により、塵の発生が極めて少な
い配向処理をすることができ、液晶表示体パネルの歩留
まりを向上することができる効果がある。
い配向処理をすることができ、液晶表示体パネルの歩留
まりを向上することができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示体基板のド
ライラビングによる配向処理方法を示す断面図である。
ライラビングによる配向処理方法を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す液晶表示体基板の
ドライラビングによる配向処理方法を示す断面図であ
る。
ドライラビングによる配向処理方法を示す断面図であ
る。
【図３】この発明のその他の実施例を示す液晶表示体基
板のドライラビングによる配向処理方法を示す断面図で
ある。
板のドライラビングによる配向処理方法を示す断面図で
ある。
１００・・・支持台 １０１・・・ガラス基板 １０２・・・配向膜 １０３・・・アパチャ １０４・・・スリット １０５・・・ビーム １０６・・・線状ビーム １０７・・・移動方向 １０８・・・電極 １０９・・・パルス発生器
Claims (3)
- 【請求項１】イオンビームやプラズマビームあるいは電
子ビームをスリットを通して線状に液晶表示体基板の配
向膜表面を走査・照射させることを特徴とする液晶表示
体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の線状のイオンビームやプラズマ
ビームあるいは電子ビームをパルス状となすことを特徴
とする液晶表示体の製造方法。 - 【請求項３】請求項１および請求項２の線状または線状
でパルス状のイオンビームやプラズマビームあるいは電
子ビームを液晶表示体基板の配向膜表面に対して傾斜し
て走査・照射させることを特徴とする液晶表示体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340893A JPH0756172A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 液晶表示体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340893A JPH0756172A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 液晶表示体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756172A true JPH0756172A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16473576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20340893A Pending JPH0756172A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 液晶表示体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756172A (ja) |
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-
1993
- 1993-08-17 JP JP20340893A patent/JPH0756172A/ja active Pending
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