JPH09244027A

JPH09244027A - 液晶パネルの製造方法

Info

Publication number: JPH09244027A
Application number: JP7831196A
Authority: JP
Inventors: Norio Asagi; 典生浅儀; So Kuwabara; 創桑原
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1996-03-05
Filing date: 1996-03-05
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】一画素を二分割配向処理した液晶パネルの製
造方法であって、配向膜の材質および膜厚に対する制限
が少なく、かつ視野角拡大範囲の偏りが少ない製造方法
を提供する。【解決手段】一方の配向膜付基板の配向膜に、イオン
ビーム照射によってプレチルト角がほぼ０度の配向処理
を施す。他方の配向膜付基板８の配向膜１２に対する配
向処理は、そのほぼ全面をラビング布３０でラビングす
る第１工程（図７Ａ）と、マスク３２を通して第１領域
１８にイオンビーム２６を照射する第２工程（図７Ｂ）
と、マスク３４を通して第２領域２０に第２工程とはほ
ぼ１８０度反対側からイオンビーム２６を照射する第３
工程（図７Ｃ）とを用いて行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、視野角拡大を図
った液晶パネルの製造方法に関し、より具体的には、当
該パネルを構成する配向膜の配向処理方法の改良に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】配向膜に、一画素に対応する領域を二分
割して互いに異なった配向処理を施すことによって、視
野角拡大を図った液晶パネルが特開平７−２０９６４７
号公報に提案されている。

【０００３】それを図１３を参照して説明すると、この
液晶パネル４０は、基本的には、２枚の配向膜付基板２
および８間に液晶１４を挟んだ構造をしている。１６
は、液晶１４の液晶分子を模式的に示すものである。両
配向膜付基板２、８は、ガラス基板４、１０の表面に、
ポリイミド等の有機高分子材料から成る配向膜６、１２
をそれぞれ形成したものである。なお、ガラス基板４、
１０と配向膜６、１２との間には、ＩＴＯ（スズをドー
プした酸化インジウム）等から成る透明電極が形成され
ているが、ここではその図示を省略している。

【０００４】一方の配向膜付基板２の配向膜６は、それ
に接する液晶分子１６のプレチルト角がほぼ０度になる
ようにされている。その手段として、配向膜６の材質
に、プレチルト角がほぼ０度のものを厳選している。ま
たは、配向膜６の厚さを２００Å以下に限定している。
これは、配向膜６にラビング処理を施したのでは、通常
はプレチルト角をほぼ０度にすることはできないからで
ある。

【０００５】他方の配向膜付基板８の配向膜１２は、一
画素に相当する領域を二分割して、その第１領域１８お
よび第２領域２０に互いに異なる配向処理を施してい
る。具体的には、両領域１８、２０に、マスクを用い
て、１８０度反対方向にラビング処理を施している。従
って、この配向膜１２に接する液晶分子１６は、図１３
に示すように、両領域１８、２０で１８０度反対方向に
配向する。但しプレチルト角ωの絶対値は互いにほぼ同
じである。

【０００６】なお、この液晶パネル４０は、９０度ツイ
ストネマチック（ＴＮ）型であり、液晶１４内の液晶分
子１６が、配向膜６に接する部分と配向膜１２に接する
部分とで９０度ねじれるように、上記配向膜６および１
２に配向処理が施されている。

【０００７】この液晶パネル４０によれば、一画素を構
成する二領域１８、２０で液晶分子１６の配向方向が１
８０度異なるので、一画素内で一方向配向の場合に比べ
て、視野角が拡大するとされている。また、一方の配向
膜６のプレチルト角がほぼ０度であり、どちらの領域１
８、２０のプレチルト角ωに対しても中立的な立場にあ
るので、高電界印加時にも、液晶分子１６が元のねじれ
方向と逆方向にねじれて異常になる異常ドメインが生じ
ないとされている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記公報記載の従来技
術では、一方の配向膜付基板２の配向膜６のプレチルト
角をほぼ０度にする方法として、前述したように、配向
膜６の材質を厳選する方法、または配向膜６の厚さを２
００Å以下に限定する方法が採用されているけれども、
前者の場合は配向膜６の材質が、後者の場合は配向膜６
の膜厚が、それぞれ非常に限定され、これが液晶パネル
を構成する上で大きな制約になるという問題がある。

【０００９】また、他方の配向膜付基板８の二領域１
８、２０に互いに異なる配向処理を施す方法として、前
述したように、両領域１８、２０に１８０度反対方向に
ラビングする方法が採用されているけれども、ラビング
処理の場合は、液晶分子１６の配向方向およびプレチル
ト角ωが均一に揃い過ぎるので、ラビング方向に直交す
る方向の視野角が狭く、従って視野角拡大方向に大きな
偏りがあるという問題がある。

【００１０】これを図１４を参照して説明すると、配向
膜の領域２２を矢印Ａ方向にラビングし、領域２４を１
８０度反対の矢印Ａ′方向にラビングした場合、液晶分
子１６は概ね図示のように配向する。この図は上から見
た図であり、あるプレチルト角で起き上がっている液晶
分子１６の上端面が楕円形に見えている。ラビングの場
合の配向秩序度（どの程度の液晶分子が同一方向に配向
するかを示す度合い）は、例えば０．８程度と非常に大
きいので、各領域２２、２４において、液晶分子１６は
図示のようにほぼ同一方向に配向する。プレチルト角の
大きさもほぼ揃っている。従って、ラビング方向Ａ、
Ａ′に沿う方向における視野角はこの二方向配向によっ
て拡大するけれども、それに直交する方向（図１４中の
左右方向）の視野角は何ら拡大しない。

【００１１】そこでこの発明は、上記のような一画素を
二分割配向処理した液晶パネルの製造方法であって、配
向膜の材質および膜厚に対する制限が少なく、かつ視野
角拡大方向の偏りが少ない製造方法を提供することを主
たる目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明に係る製造方法
の一つは、前記一方の配向膜付基板の配向膜に、イオン
ビーム照射によってプレチルト角がほぼ０度の配向処理
を施し、かつ前記他方の配向膜付基板の配向膜に対する
配向処理を、そのほぼ全面をラビングする第１工程と、
マスクを通して前記第１領域にイオンビームを照射する
第２工程と、マスクを通して前記第２領域に第２工程と
は異なる方向からイオンビームを照射する第３工程とを
用いて行うことを特徴とする。

【００１３】配向膜にイオンビームを照射することで、
配向膜に配向処理を施すことができる。これは、イオ
ンビーム照射によって配向膜の表面が改質され、配向膜
を構成する高分子が所定方向に並び、それに沿って液晶
分子が配向するようになる、あるいはイオンビーム照
射によるスパッタリングによって配向膜の表面に多数の
微小な溝状のものが形成され、それに沿って液晶分子が
配向するようになる、ためであると考えられる。

【００１４】その場合、配向膜表面に対するイオンビー
ムの照射角度を小さくするほど、配向秩序度は大きくな
るが、ラビングによるものよりかは小さい。また、イオ
ンビーム照射単独によって得られるプレチルト角は、照
射角度が９０度の場合は０度であり、この照射角度を小
さくしても殆ど大きくならずほぼ０度のままである。

【００１５】従って、このようなイオンビーム照射によ
って、前記一方の配向膜付基板の配向膜に、プレチルト
角がほぼ０度の配向処理を施すことができるので、従来
技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要
がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対する制限が
少ない。

【００１６】また、イオンビーム照射を互いに異なる方
向から２回で行うことによって、上記と同様の作用によ
って、他方の配向膜付基板の配向膜の第１領域と第２領
域とに、配向方向が異なった配向処理を施すことができ
る。但し、上述のようにイオンビーム照射単独ではプレ
チルト角がほぼ０度であり、それはこの他方の配向膜付
基板側では好ましくないので、プレチルト角の得られる
ラビングを併用している。

【００１７】従って、このようなラビングと２回のイオ
ンビーム照射との併用によって、前記他方の配向膜付基
板の配向膜の第１領域と第２領域とに互いに異なる配向
処理を施すことができると共に、従来技術のようにラビ
ングを２回行う場合よりも配向秩序度が小さくて配向方
向が適度にばらついており、しかもある程度のプレチル
ト角が得られる配向処理を施すことができるので、視野
角拡大方向の偏りが少なくなる。

【００１８】なお、前記一方の配向膜付基板の配向膜に
は、当該配向膜が未焼成の状態でその表面にほぼ平行に
磁界を印加した後に当該配向膜を焼成することによって
も、プレチルト角がほぼ０度の配向処理を施すことがで
きる。

【００１９】また、前記他方の配向膜付基板の配向膜に
は、紫外線照射と２回のイオンビーム照射との併用によ
っても、あるいは磁界印加とイオンビーム照射との併用
によっても、その第１領域と第２領域とに互いに異なる
配向処理を施すことができると共に、従来技術のように
ラビングを２回行う場合よりも配向秩序度が小さくて配
向方向が適度にばらついており、しかもある程度のプレ
チルト角が得られる配向処理を施すことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】

（１）一方の配向膜付基板の配向膜にプレチルト角がほ
ぼ０度の配向処理を施す方法

【００２１】これには、例えば図１に示すようにイオ
ンビーム２６を照射する方法と、例えば図４に示すよ
うに磁界を印加する方法とがある。

【００２２】まずのイオンビーム照射による方法につ
いて説明すると、図１を参照して、前記一方の配向膜付
基板２の配向膜６に真空雰囲気中でイオンビーム２６を
照射する。なお、この配向膜６および後述する配向膜１
２は、磁界印加処理を施す場合以外は、焼成済のもので
ある。

【００２３】イオンビーム２６には、そのイオンが配向
膜６と反応して配向膜６の性質を変えないようにするた
めに、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガ
スイオンビームを用いるのが好ましい。イオンビーム２
６の加速エネルギーは、特に限定はなく、例えば１００
ｅＶ〜５００ｅＶ程度で良い。配向膜６に対するイオン
ビーム照射の際には、それと同時に、フィラメント等か
ら引き出した電子を配向膜６に供給して、イオンビーム
２６による正電荷を中和させるのが好ましい。これらの
ことは、後述する他のイオンビーム照射の場合も同様で
ある。

【００２４】上記のようにして配向膜６にイオンビーム
２６を照射することで、配向膜６に配向処理を施すこと
ができる。これは、イオンビーム照射によって配向膜
６の表面が改質され、配向膜６を構成する高分子が所定
方向に並び、それに沿って液晶分子が配向するようにな
る、あるいはイオンビーム照射によるスパッタリング
によって配向膜６の表面に多数の微小な溝状のものが形
成され、それに沿って液晶分子が配向するようになる、
ためであると考えられる。

【００２５】その場合、配向膜表面に対するイオンビー
ムの照射角度θを小さくするほど、図２に示すように配
向秩序度は大きくなるが、ラビングによるものよりかは
小さい。例えば、照射角度θが約３０〜９０度の範囲
で、約０．６〜０．７５の配向秩序度が得られる。ま
た、イオンビーム照射単独によって得られるプレチルト
角は、照射角度θが９０度の場合は０度であり、この照
射角度θを小さくしても殆ど大きくならずほぼ０度のま
まである。

【００２６】従って、このようなイオンビーム照射によ
って、一方の配向膜付基板２の配向膜６に、プレチルト
角がほぼ０度の配向処理を施すことができるので、従来
技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要
がなく、従って配向膜６の材質および膜厚に対する制限
が少ない。

【００２７】しかも、イオンビーム照射の場合は、ラビ
ングの場合と違って、非接触で配向膜６に配向処理を施
すことができるので、パーティクルの発生を減少させる
ことができる。その結果、液晶パネルの特性を悪化させ
る要因が少なくなるので、液晶パネル製造における歩留
まりの向上および液晶パネルの表示品質の向上を図るこ
とができる。

【００２８】なお、この一方の配向膜付基板２に対する
配向処理は、ほぼ０度のプレチルト角を実現することが
できれば良いので、上記説明からも分かるように、イオ
ンビーム２６の照射角度θは９０度以下で任意である。

【００２９】次に上記の磁界印加による方法について
説明すると、図４を参照して、まず、配向膜付基板２上
の配向膜６が未焼成の状態でその表面にほぼ平行に、即
ち配向膜６と磁力線２８との成す角度αがほぼ０度の状
態で、磁界を印加する。２８はその磁力線の一例を示
す。

【００３０】未焼成の配向膜６は、それを構成する高分
子が未だイミド化されていない。従ってこの状態では、
当該高分子の主鎖および側鎖は動き得る状態にあり、こ
の状態で当該配向膜６に磁界を印加すると、その高分子
の主鎖および／または側鎖が磁界に沿って並び、それに
沿って液晶分子が配向するようになるので、当該配向膜
６に配向処理を施すことができる。

【００３１】そしてこのようにして磁界を印加して配向
膜６を構成する高分子を配向させた後に当該配向膜６を
焼成することによって、その高分子を配向させた状態で
硬化させることができる。即ち配向膜６の配向状態を固
定することができる。

【００３２】その場合、配向膜６に印加する磁界の強さ
を大きくすると、図５に示すように、配向秩序度は大き
くなるが、ラビングによるほどは大きくならない。例え
ば、磁束密度が約０．０１〜０．１テスラの範囲で、約
０．６〜０．７５の配向秩序度が得られる。

【００３３】一方、配向膜６と磁力線２８との成す角度
αを大きくするほど、図６に示すように、大きなプレチ
ルト角が得られる。ラビングよりも遙かに大きなプレチ
ルト角を得ることも可能である。但し、この一方の配向
膜付基板２の場合は、ほぼ０度のプレチルト角を得る必
要があるので、ここでは前述したように上記角度αをほ
ぼ０度にする。

【００３４】従ってこのような磁界印加によっても、一
方の配向膜付基板２の配向膜６に、プレチルト角がほぼ
０度の配向処理を施すことができるので、従来技術のよ
うに配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要がなく、
従って配向膜６の材質および膜厚に対する制限が少な
い。

【００３５】しかも、磁界印加の場合は、ラビングの場
合と違って、非接触で配向膜６に配向処理を施すことが
できるので、パーティクルの発生を減少させることがで
きる。その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が
少なくなるので、液晶パネル製造における歩留まりの向
上および液晶パネルの表示品質の向上を図ることができ
る。

【００３６】（２）他方の配向膜付基板の配向膜に二分
割配向処理を施す方法

【００３７】これには、ａ）例えば図７に示すようにラ
ビングと２回のイオンビーム照射とを併用する方法と、
ｂ）例えば図９に示すように紫外線照射と２回のイオン
ビーム照射とを併用する方法と、ｃ）例えば図１１に示
すように磁界印加とイオンビーム照射とを併用する方法
とがある。

【００３８】まず上記ａ）のラビングと２回のイオンビ
ーム照射とを併用する方法について説明すると、図７を
参照して、まず第１工程として、前記他方の配向膜付基
板８を例えば矢印Ｃ方向に移動させ、その上方に設けら
れた例えばナイロン、レーヨン等から成るラビング布３
０で配向膜１２のほぼ全面をラビングする（図７Ａ）。
このとき、ラビング布３０は通常は矢印Ｄのように、配
向膜付基板８の移動とは逆方向に回転させる。但し、配
向膜付基板８の移動方向Ｃがラビング方向と呼ばれる。
このラビングによって、配向秩序度の高い（例えば前述
したように０．８程度の）、かつある程度の（例えば前
述したように５度程度の）プレチルト角ωが得られる配
向処理を施すことができる。図８Ａはその場合の液晶分
子１６の配向状態を模式的に示すものである。

【００３９】次いで第２工程として、配向膜１２の、前
述した一画素を二分割した一方の第１領域１８にイオン
ビーム２６を照射する。このイオンビーム照射は真空雰
囲気中で行う（以下のイオンビーム照射も同様）。この
イオンビーム照射によって、第１領域１８の配向特性
は、図８Ｂに示すように、液晶分子１６がイオンビーム
照射方向にほぼ向くものとなる。つまり、先のラビング
による配向方向よりも後のイオンビーム照射による配向
方向が優先する。しかもイオンビーム照射を行ったの
で、前述した理由から（図２参照）、この第１領域１８
の配向秩序度はラビングの場合よりも小さくなる。その
プレチルト角ωも、ラビングの場合よりも小さくなるけ
れども、ラビングを併用しているのでその作用が生きて
おり、ある程度の値（例えば数度程度）は得ることがで
きる。配向秩序度は、前述したようにイオンビーム２６
の照射角度θによって制御することができる。

【００４０】次いで第３工程として、マスク３４を通し
て、配向膜１２の前述した他方の第２領域２０に、第２
工程とは異なる方向から、この例ではほぼ１８０度反対
側から、イオンビーム２６を照射する。このイオンビー
ム照射によって、第２領域２０の配向特性は、図８Ｃに
示すように、液晶分子１６がイオンビーム照射方向にほ
ぼ向くものとなる。即ち、第１領域１８とは配向方向が
ほぼ１８０度反対になる。この第２領域２０の配向秩序
度およびプレチルト角ωについては、第１領域１８の場
合と同様である。このようにして、一画素を構成する二
つの領域１８、２０に、互いに異なる配向処理を施すこ
とができる。この場合、第２工程と第３工程とで、照射
角度θを互いに同じにしても良いし、異ならせればより
異なる配向処理を両領域１８、２０に施すことができ
る。

【００４１】即ちこの実施例の場合は、イオンビーム照
射だけではプレチルト角を得ることができないので、プ
レチルト角を得る方法として、ラビングを併用している
のである。プレチルト角は、電界印加時の液晶分子１６
の起き上がり方向を予め規定する作用をし、プレチルト
角がある程度以上（例えば数度程度以上）あると、表示
むらの発生を防止する等して、液晶パネルの特性が良好
になる。

【００４２】この実施例では、上記のようなラビングと
２回のイオンビーム照射との併用によって、他方の配向
膜付基板８の配向膜１２の第１領域１８と第２領域２０
とに互いに異なる配向処理を施すことができると共に、
従来技術のようにラビングを２回行う場合よりも配向秩
序度が小さくて配向方向が適度にばらついており（これ
をランダムドメイン配向と呼ぶ場合もある）、しかもあ
る程度のプレチルト角が得られる配向処理を施すことが
できるので、視野角拡大方向の偏りが少なくなる。

【００４３】この視野角について更に説明すると、イオ
ンビーム照射による配向処理では、ラビングほど大きな
配向秩序度が得られないので、例えば図３に示すよう
に、配向膜の二領域２２、２４に１８０度反対方向Ｂ、
Ｂ′からイオンビーム照射を行って配向処理を施した場
合、各領域２２、２４において、液晶分子１６は図示の
ように、マクロ的に見れば一定方向に配列するけれど
も、ミクロ的に見れば配列方向がある程度ばらついてい
る。また、プレチルト角もラビング単独の場合よりもば
らつく。従って、イオンビーム照射方向Ｂ、Ｂ′に沿う
方向における視野角が拡大するだけでなく、それに直交
する方向（即ち図３中の左右方向）の視野角もかなり拡
大するので、視野角拡大方向の偏りが少なくなる。即
ち、広範囲でしかも偏りの少ない視野角範囲を得ること
ができるので、液晶パネルの視認性が向上する。

【００４４】しかも、イオンビーム照射の場合は、ラビ
ングの場合と違って、非接触で配向膜１２に配向処理を
施すことができるので、ラビングを２回用いる従来技術
に比べて、パーティクルの発生を減少させることができ
る。その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少
なくなるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上
および液晶パネルの表示品質の向上を図ることができ
る。

【００４５】なお、上記マスク３２および３４は、メタ
ルマスクでも良いし、レジストをホトリソグラフィーに
よって選択的に除去する方式のマスクでも良い。

【００４６】次に上記ｂ）の紫外線照射と２回のイオン
ビーム照射とを併用する方法を説明すると、図９を参照
して、まず第１工程として、配向膜付基板８の配向膜１
２のほぼ全面に紫外線３６を照射する（図９Ａ）。この
ときの紫外線３６の照射角度は、特に限定はなく、例え
ばほぼ９０度（即ちほぼ垂直）とする。紫外線３６の波
長は、例えば２００〜２５０ｎｍ、エネルギー密度は例
えば３０Ｊ／ｃｍ²以下にする。

【００４７】配向膜１２に紫外線３６を照射すると、配
向膜１２の液晶に対する濡れ性が著しく低下する（即ち
配向膜１２上で液晶は玉状になりやすくなる）。その結
果、図１０Ａに模式的に示すように、この配向膜１２上
で液晶分子１６はほぼ垂直に立つようになる。即ちプレ
チルト角がほぼ９０度になる。

【００４８】このような配向膜１２に、図７ＢおよびＣ
の場合と同様にしてイオンビーム２６を二方向から照射
することによって（図９ＢおよびＣ）、図７の場合と同
様の作用によって、二つの領域１８、２０に、互いに異
なる配向処理を施すことができる（図１０ＢおよびＣ参
照）。

【００４９】即ちこの実施例の場合は、プレチルト角を
得る方法として、先の実施例のラビングの代わりに、紫
外線照射を用いているのであり、イオンビーム照射につ
いては先の実施例の場合と同様である。但しこの実施例
の場合、イオンビーム照射後に紫外線照射を行っても、
配向膜１２に対する処理は上記と同じであるので、紫外
線照射と２回のイオンビーム照射の順序は問わない。

【００５０】この実施例の方法によっても、先の実施例
の場合と同様に、ランダムドメイン配向を実現すること
ができるので、視野角拡大方向の偏りが少なくなる。し
かも、全ての工程において非接触で配向膜１２に配向処
理を施すことができるので、ラビングを２回用いる従来
技術よりも、かつ上記実施例よりも更に、パーティクル
の発生を減少させることができる。その結果、液晶パネ
ルの特性を悪化させる要因がより少なくなるので、液晶
パネル製造における歩留まりの向上および液晶パネルの
表示品質の向上を一層図ることができる。

【００５１】次に上記ｃ）の磁界印加とイオンビーム照
射とを併用する方法を説明すると、図１１を参照して、
まず第１工程として、配向膜付基板８上の配向膜１２が
未焼成の状態で当該配向膜１２のほぼ全面に斜め方向か
ら、即ち配向膜１２と磁力線２８との成す角度αが０度
よりも大きい状態で磁界を印加する。２８はその磁力線
の一例を示す。これによって、配向膜１２に、前述した
ような作用で、配向処理を施すことができる。その後、
当該配向膜１２を焼成してその配向状態を固定する。

【００５２】上記角度αを０度よりも大きくするのは、
前述した図６からも分かるようにプレチルト角を得るた
めであり、この角度αは５度程度以上にするのが好まし
い。また、ラビングよりも配向秩序度を小さくしてラン
ダムドメイン配向を実現するために（なぜならこの実施
例の場合は図１１Ｂに示すように、第２領域２０にイオ
ンビーム２６を照射する処理は行わないので、第２領域
２０の配向秩序度は磁界印加によって得られるものその
ものである）、前述した図５からも分かるように、印加
する磁界の磁束密度は、０．１テスラ以下、より好まし
くは０．０５テスラ以下にするのが好ましい。

【００５３】次に第２の工程として、この実施例ではマ
スク３２を通して、配向膜１２の前述した第１領域１８
にイオンビーム２６を照射する（図１１Ｂ）。このイオ
ンビーム２６の照射による作用は前述のとおりである。
このようにして、一画素を構成する二つの領域１８、２
０に、互いに異なる配向処理を施すことができる（図１
２Ｂ）。

【００５４】この実施例の場合、磁界印加による配向処
理によってある程度のランダムドメイン配向と適度なプ
レチルト角を実現することができるので、他方の領域２
０にマスクを通してイオンビームを照射する処理を行う
必要はない。但し上記とは逆に、第２領域２０側だけに
イオンビーム２６を照射しても良い。要は第１領域１８
と第２領域２０のいずれか一方にイオンビーム２６を照
射すれば良い。

【００５５】この実施例の方法によっても、先の実施例
の場合と同様に、ランダムドメイン配向を実現すること
ができるので、視野角拡大方向の偏りが少なくなる。し
かも全ての工程において非接触で配向膜１２に配向処理
を施すことができるので、ラビングを２回用いる従来技
術よりも、かつ上記第１の実施例よりも更に、パーティ
クルの発生を減少させることができる。その結果、液晶
パネルの特性を悪化させる要因がより少なくなるので、
液晶パネル製造における歩留まりの向上および液晶パネ
ルの表示品質の向上を一層図ることができる。

【００５６】なお、一方の配向膜付基板２に配向処理を
施す上記およびの方法と、他方の配向膜付基板８に
配向処理を施す上記ａ）〜ｃ）の方法との組み合わせ方
に限定はなく、従って互いにそれぞれ組み合わせて用い
ることができる。

【００５７】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００５８】請求項１記載の製造方法によれば、イオン
ビーム照射によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施すことができるの
で、従来技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定
する必要がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対す
る制限が少ない。しかも、イオンビーム照射の場合は、
ラビングの場合と違って、非接触で配向膜に配向処理を
施すことができるので、パーティクルの発生を減少させ
ることができる。その結果、液晶パネルの特性を悪化さ
せる要因が少なくなるので、液晶パネル製造における歩
留まりの向上および液晶パネルの表示品質の向上を図る
ことができる。また、イオンビームの照射角度によっ
て、配向秩序度の制御が可能である。

【００５９】また、ラビングと２回のイオンビーム照射
との併用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第１
領域と第２領域とに互いに異なる配向処理を施すことが
できると共に、従来技術のようにラビングを２回行う場
合よりも配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばらつ
いており、しかもある程度のプレチルト角が得られる配
向処理を施すことができるので、視野角拡大方向の偏り
が少なくなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視野
角範囲を得ることができるので、液晶パネルの視認性が
向上する。しかも、イオンビーム照射の場合は、ラビン
グの場合と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、ラビングを２回用いる従来技術に比べ
て、パーティクルの発生を減少させることができる。そ
の結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少なくな
るので、液晶パネル製造における歩留まりの向上および
液晶パネルの表示品質の向上を図ることができる。

【００６０】請求項２記載の製造方法によれば、イオン
ビーム照射によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施すことができるの
で、従来技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定
する必要がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対す
る制限が少ない。しかも、イオンビーム照射の場合は、
ラビングの場合と違って、非接触で配向膜に配向処理を
施すことができるので、パーティクルの発生を減少させ
ることができる。その結果、液晶パネルの特性を悪化さ
せる要因が少なくなるので、液晶パネル製造における歩
留まりの向上および液晶パネルの表示品質の向上を図る
ことができる。また、イオンビームの照射角度によっ
て、配向秩序度の制御が可能である。

【００６１】また、紫外線照射と２回のイオンビーム照
射との併用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第
１領域と第２領域とに互いに異なる配向処理を施すこと
ができると共に、従来技術のようにラビングを２回行う
場合よりも配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばら
ついており、しかもある程度のプレチルト角が得られる
配向処理を施すことができるので、視野角拡大方向の偏
りが少なくなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視
野角範囲を得ることができるので、液晶パネルの視認性
が向上する。しかも、全ての工程において非接触で配向
膜に配向処理を施すことができるので、ラビングを２回
用いる従来技術よりも、かつ請求項１記載の方法よりも
更に、パーティクルの発生を減少させることができる。
その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因がより少
なくなるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上
および液晶パネルの表示品質の向上を一層図ることがで
きる。

【００６２】請求項３記載の製造方法によれば、イオン
ビーム照射によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施すことができるの
で、従来技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定
する必要がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対す
る制限が少ない。しかも、イオンビーム照射の場合は、
ラビングの場合と違って、非接触で配向膜に配向処理を
施すことができるので、パーティクルの発生を減少させ
ることができる。その結果、液晶パネルの特性を悪化さ
せる要因が少なくなるので、液晶パネル製造における歩
留まりの向上および液晶パネルの表示品質の向上を図る
ことができる。また、イオンビームの照射角度によっ
て、配向秩序度の制御が可能である。

【００６３】また、磁界印加とイオンビーム照射との併
用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第１領域と
第２領域とに互いに異なる配向処理を施すことができる
と共に、従来技術のようにラビングを２回行う場合より
も配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばらついてお
り、しかもある程度のプレチルト角が得られる配向処理
を施すことができるので、視野角拡大方向の偏りが少な
くなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視野角範囲
を得ることができるので、液晶パネルの視認性が向上す
る。しかも、全ての工程において非接触で配向膜に配向
処理を施すことができるので、ラビングを２回用いる従
来技術よりも、かつ請求項１記載の方法よりも更に、パ
ーティクルの発生を減少させることができる。その結
果、液晶パネルの特性を悪化させる要因がより少なくな
るので、液晶パネル製造における歩留まりの向上および
液晶パネルの表示品質の向上を一層図ることができる。
また、印加磁界の強さおよび角度によって、配向秩序度
およびプレチルト角の制御が可能である。

【００６４】請求項４記載の製造方法によれば、磁界印
加によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプレチルト
角がほぼ０度の配向処理を施すことができるので、従来
技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要
がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対する制限が
少ない。しかも、磁界印加の場合は、ラビングの場合と
違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことができる
ので、パーティクルの発生を減少させることができる。
その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少なく
なるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上およ
び液晶パネルの表示品質の向上を図ることができる。ま
た、磁界印加の強さによって、配向秩序度の制御が可能
である。

【００６５】また、ラビングと２回のイオンビーム照射
との併用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第１
領域と第２領域とに互いに異なる配向処理を施すことが
できると共に、従来技術のようにラビングを２回行う場
合よりも配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばらつ
いており、しかもある程度のプレチルト角が得られる配
向処理を施すことができるので、視野角拡大方向の偏り
が少なくなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視野
角範囲を得ることができるので、液晶パネルの視認性が
向上する。しかも、イオンビーム照射の場合は、ラビン
グの場合と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、ラビングを２回用いる従来技術に比べ
て、パーティクルの発生を減少させることができる。そ
の結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少なくな
るので、液晶パネル製造における歩留まりの向上および
液晶パネルの表示品質の向上を図ることができる。

【００６６】請求項５記載の製造方法によれば、磁界印
加によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプレチルト
角がほぼ０度の配向処理を施すことができるので、従来
技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要
がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対する制限が
少ない。しかも、磁界印加の場合は、ラビングの場合と
違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことができる
ので、パーティクルの発生を減少させることができる。
その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少なく
なるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上およ
び液晶パネルの表示品質の向上を図ることができる。ま
た、磁界印加の強さによって、配向秩序度の制御が可能
である。

【００６７】また、紫外線照射と２回のイオンビーム照
射との併用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第
１領域と第２領域とに互いに異なる配向処理を施すこと
ができると共に、従来技術のようにラビングを２回行う
場合よりも配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばら
ついており、しかもある程度のプレチルト角が得られる
配向処理を施すことができるので、視野角拡大方向の偏
りが少なくなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視
野角範囲を得ることができるので、液晶パネルの視認性
が向上する。しかも、全ての工程において非接触で配向
膜に配向処理を施すことができるので、ラビングを２回
用いる従来技術よりも、かつ請求項４記載の方法よりも
更に、パーティクルの発生を減少させることができる。
その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因がより少
なくなるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上
および液晶パネルの表示品質の向上を一層図ることがで
きる。

【００６８】請求項６記載の製造方法によれば、磁界印
加によって、一方の配向膜付基板の配向膜にプレチルト
角がほぼ０度の配向処理を施すことができるので、従来
技術のように配向膜の材質や膜厚を殊更に限定する必要
がなく、従って配向膜の材質および膜厚に対する制限が
少ない。しかも、磁界印加の場合は、ラビングの場合と
違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことができる
ので、パーティクルの発生を減少させることができる。
その結果、液晶パネルの特性を悪化させる要因が少なく
なるので、液晶パネル製造における歩留まりの向上およ
び液晶パネルの表示品質の向上を図ることができる。ま
た、磁界印加の強さによって、配向秩序度の制御が可能
である。

【００６９】また、磁界印加とイオンビーム照射との併
用によって、他方の配向膜付基板の配向膜の第１領域と
第２領域とに互いに異なる配向処理を施すことができる
と共に、従来技術のようにラビングを２回行う場合より
も配向秩序度が小さくて配向方向が適度にばらついてお
り、しかもある程度のプレチルト角が得られる配向処理
を施すことができるので、視野角拡大方向の偏りが少な
くなる。即ち、広範囲でしかも偏りの少ない視野角範囲
を得ることができるので、液晶パネルの視認性が向上す
る。しかも、全ての工程において非接触で配向膜に配向
処理を施すことができるので、ラビングを２回用いる従
来技術よりも、かつ請求項４記載の方法よりも更に、パ
ーティクルの発生を減少させることができる。その結
果、液晶パネルの特性を悪化させる要因がより少なくな
るので、液晶パネル製造における歩留まりの向上および
液晶パネルの表示品質の向上を一層図ることができる。
また、印加磁界の強さおよび角度によって、配向秩序度
およびプレチルト角の制御が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】一方の配向膜付基板にイオンビームを照射して
配向処理を施す状態の一例を示す断面図である。

【図２】イオンビームの照射角度と配向秩序度との関係
を測定した結果の一例を示す図である。

【図３】イオンビーム照射による配向処理時の液晶分子
の配向状態を模式的に示す平面図である。

【図４】一方の配向膜付基板に磁界を印加して配向処理
を施す状態の一例を示す断面図である。

【図５】磁束密度と配向秩序度との関係を測定した結果
の一例を示す図である。

【図６】磁力線の成す角度とプレチルト角との関係を測
定した結果の一例を示す図である。

【図７】他方の配向膜付基板に配向処理を施す工程の一
例を示す図である。

【図８】図７の各工程を施した時の液晶分子の配向状態
を模式的に示す図である。

【図９】他方の配向膜付基板に配向処理を施す工程の他
の例を示す図である。

【図１０】図９の各工程を施した時の液晶分子の配向状
態を模式的に示す図である。

【図１１】他方の配向膜付基板に配向処理を施す工程の
更に他の例を示す図である。

【図１２】図１１の各工程を施した時の液晶分子の配向
状態を模式的に示す図である。

【図１３】視野角拡大を図った液晶パネルの概略部分断
面図である。

【図１４】ラビングによる配向処理時の液晶分子の配向
状態を模式的に示す平面図である。

【符号の説明】

２一方の配向膜付基板４ガラス基板６配向膜８他方の配向膜付基板１０ガラス基板１２配向膜１４液晶１６液晶分子１８第１領域２０第２領域２６イオンビーム２８磁力線３０ラビング布３２、３４マスク３６紫外線４０液晶パネル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に、イオンビーム照射によってプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施し、かつ前記他方
の配向膜付基板の配向膜に対する配向処理を、そのほぼ
全面をラビングする第１工程と、マスクを通して前記第
１領域にイオンビームを照射する第２工程と、マスクを
通して前記第２領域に第２工程とは異なる方向からイオ
ンビームを照射する第３工程とを用いて行うことを特徴
とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に、イオンビーム照射によってプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施し、かつ前記他方
の配向膜付基板の配向膜に対する配向処理を、そのほぼ
全面に紫外線を照射する第１工程と、マスクを通して前
記第１領域にイオンビームを照射する第２工程と、マス
クを通して前記第２領域に第２工程とは異なる方向から
イオンビームを照射する第３工程とを用いて行うことを
特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項３】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に、イオンビーム照射によってプ
レチルト角がほぼ０度の配向処理を施し、かつ前記他方
の配向膜付基板の配向膜に対する配向処理を、未焼成状
態の配向膜のほぼ全面に斜め方向から磁界を印加した後
に当該配向膜を焼成する第１工程と、マスクを通して前
記第１領域または第２領域にイオンビームを照射する第
２工程とを用いて行うことを特徴とする液晶パネルの製
造方法。
【請求項４】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に対して、当該配向膜が未焼成の
状態でその表面にほぼ平行に磁界を印加した後に当該配
向膜を焼成することによってプレチルト角がほぼ０度の
配向処理を施し、かつ前記他方の配向膜付基板の配向膜
に対する配向処理を、そのほぼ全面をラビングする第１
工程と、マスクを通して前記第１領域にイオンビームを
照射する第２工程と、マスクを通して前記第２領域に第
２工程とは異なる方向からイオンビームを照射する第３
工程とを用いて行うことを特徴とする液晶パネルの製造
方法。
【請求項５】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に対して、当該配向膜が未焼成の
状態でその表面にほぼ平行に磁界を印加した後に当該配
向膜を焼成することによってプレチルト角がほぼ０度の
配向処理を施し、かつ前記他方の配向膜付基板の配向膜
に対する配向処理を、そのほぼ全面に紫外線を照射する
第１工程と、マスクを通して前記第１領域にイオンビー
ムを照射する第２工程と、マスクを通して前記第２領域
に第２工程とは異なる方向からイオンビームを照射する
第３工程とを用いて行うことを特徴とする液晶パネルの
製造方法。
【請求項６】２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで成
る液晶パネルであって、一方の配向膜付基板の配向膜に
おけるプレチルト角をほぼ０度にし、他方の配向膜付基
板の配向膜における一画素に相当する領域を二分割して
その第１領域および第２領域に互いに異なる配向処理を
施した液晶パネルを製造する方法において、前記一方の
配向膜付基板の配向膜に対して、当該配向膜が未焼成の
状態でその表面にほぼ平行に磁界を印加した後に当該配
向膜を焼成することによってプレチルト角がほぼ０度の
配向処理を施し、かつ前記他方の配向膜付基板の配向膜
に対する配向処理を、未焼成状態の配向膜のほぼ全面に
斜め方向から磁界を印加した後に当該配向膜を焼成する
第１工程と、マスクを通して前記第１領域または第２領
域にイオンビームを照射する第２工程とを用いて行うこ
とを特徴とする液晶パネルの製造方法。