JP2005148745A - アレイ基板、その製造方法及びこれを有する液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板は透過領域250を有する画素領域240を備え、スイッチング素子(218a〜218C)の信号接続部230aは透過領域250の境界に配置される。スイッチング素子が配置された基板上に、透過領域及び信号接続部を開口した有機膜が被膜される。画素電極部は、透過領域上に形成されて光を透過させ信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む。透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を配置したので、光漏れ現象及び残像現象が減少し透過率及び反射率が増加する。
【選択図】図3
Description
一般的に、液晶は直接光を発生しないので、内部光源または外部から提供された光を利用して映像を表示する。内部光源のみを利用して映像を表示する場合、光を発生させるためのバッテリの大きさが増加して液晶表示装置の大きさが増加するという短所がある。また、外部光のみを利用して映像を表示する場合、暗い環境では映像の輝度が減少されるという短所がある。しかし、外部光を反射する反射領域及び光源から発生された光が透過する透過領域を含む反射−透過型液晶表示装置を利用する場合、液晶表示装置の大きさが減少され暗い環境でも映像の輝度を保持することができる。
一般的な反射−透過型液晶表示装置は、MTN(Mixed Twisted Nematic)モードの液晶を採用する。前記MTNモードの液晶は、90°以下の角度を有するツイスト構造に配向されている。しかし、液晶がツイスト構造に配向された場合、光の偏光特性によって光の損失が発生されて透過率が低下する。
反射−透過型液晶表示装置が液晶をツイストさせないホモジニアス液晶配向モードを有する場合透過率が向上する。
この時、前記液晶を駆動させるスイッチング素子は前記反射領域内に配置される。前記スイッチング素子の一部は、前記反射電極または前記透明電極の一部とバイアコンタクトホールを通じて電気的に接続される。
また、透明電極が有機膜の下部に配置される場合には、前記バイアコンタクトホールが別途に存在しないので、反射率の減少されるという問題点はない。しかし、反射電極と前記透明電極とを電気的に接続するために前記反射電極の一部が透過領域の一部に配置されるので透過率の減少するという問題点がある。
前記では反射−透過型液晶表示装置を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者ならば名称に関係なく多重セルギャップを有する他の液晶表示装置でも、前記のような問題点が発生され得ることが理解できるであろう。
前記のような問題点を解決するための本発明の第2目的は、前記アレイ基板の製造方法を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の第3目的は、前記アレイ基板を有することで画質が向上された液晶表示装置を提供することにある。
前記第2目的を達成するために、本発明の一実施形態によるアレイ基板の製造方法において、まず、光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板上の前記透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を形成する。次に、前記スイッチング素子が配置された基板上に前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜を形成する。最後に、前記透過領域上に配置されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部を形成する。
前記第2基板は、光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部とを含み前記第1基板に対向する。
前記液晶層は前記第1基板と前記第2基板との間に配置される。
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタを含む。
従って、前記透過領域の境界に配置された前記信号接続部を利用して光漏れ現象及び残像現象が減少し、透過率及び反射率が増加して液晶表示装置の画質が向上される。
また、前記透明電極が前記有機膜の下部に配置される場合、反射電極の一部が透過領域内に配置された透明電極の一部ではなく信号接続部上に配置された透明電極の一部と電気的に接続されるので、透過率が増加する。従って、液晶表示装置の画質が向上される。
図1はバイアコンタクトホールを有する液晶表示装置を示す平面図で、図2は前記図1のA−A’ラインの断面図である。
図1及び図2に示すように、バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置は、第1基板170、第2基板180及び液晶層108を含む。前記第1基板170は、上部基板100、ブラックマトリックス102、カラーフィルタ104、共通電極106、スペーサ110を含む。前記第2基板180は、下部基板120、薄膜トランジスタ119、ゲート絶縁膜126、パッシベーション膜116、有機膜114、透明電極112及び反射電極113を含む。前記第2基板180は、画素領域140及び周辺領域145を含む。前記画素領域140は、透過領域150及び反射領域160を含む。
前記薄膜トランジスタ119は、ソース電極118a、ゲート電極118b、ドレイン電極118c及び半導体層パターンを含む。前記ソース電極118aはソースライン118a’と接続され、前記ゲート電極118bはゲートライン118b’と接続される。前記ドレイン電極118cは、前記バイアコンタクトホール128を通じて前記透明電極112と電気的に接続される。前記反射電極113の一部は、前記透明電極112の一部の上に配置されて互いに電気的に接続される。
図3は本発明の第1実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図4は前記図3のB−B’ラインの断面図である。
図3及び図4に示すように、前記液晶表示装置は、第1基板270、第2基板280及び液晶層208を含む。前記第1基板270は上部基板200、ブラックマトリックス202、カラーフィルタ204、共通電極206及びスペーサ210を含む。前記第2基板280は、下部基板220、薄膜トランジスタ219、ゲート絶縁膜226、パッシベーション膜216、有機膜214、透明電極212及び反射電極213を含む。前記第2基板280は、画素領域240及び周辺領域245を含む。
前記透過領域250はバックライトアセンブリ(図示せず)から発生された光を透過させる領域であり、前記反射領域260は外部光を反射させる領域である。この時、前記透過領域250が長方形、梯形、三角形、円形などの形状を有することができる。望ましくは、前記透過領域250は長方形の形状を有する。また、透過型液晶表示装置の場合、画素領域は反射領域を含まないこともある。
前記上部基板200及び前記下部基板220は、光を通過させることができる透明な材質のガラスを使用する。前記ガラスは無アルカリ特性である。前記ガラスがアルカリ特性の場合、前記ガラスからアルカリイオンが液晶セル中に溶出されると、液晶比抵抗が低下されて表示特性が変わるようになり、前記シールとガラスとの付着力を低下させ、スイッチング素子の動作に悪影響を与える。
前記カラーフィルタ204は、前記ブラックマトリックス202が形成された前記上部基板上に形成されて、所定の波長の光のみを選択的に透過させる。この時、前記カラーフィルタ204が前記下部基板220上に配置されてもよい。
前記スペーサ210は、前記ブラックマトリックス202、前記カラーフィルタ204及び前記共通電極206が形成された前記上部基板200上に形成される。前記スペーサ210によって、前記第1基板270と前記第2基板280との間のセルギャップが一定に保持される。望ましくは、前記スペーサ210は、前記ブラックマトリックス202に対応して配置される。前記スペーサ210は、カラムスペーサ、ボールスペーサまたは前記カラムスペーサと前記ボールスペーサとが混合されたスペーサを含む。この時、前記スペーサ210は、前記薄膜トランジスタ219に対応して配置されることもできる。
前記ゲート絶縁膜226は、前記ゲート電極218bが形成された前記下部基板220の全面に配置されて、前記ゲート電極218bを前記ソース電極218a及び前記ドレイン電極218cと電気的に絶縁する。この時、前記光の透過率を高めるために、前記透過領域250内に配置された前記ゲート絶縁膜226をとり除くことができる。前記ゲート絶縁膜226は、シリコン窒化物SiNxを含む。
前記有機膜214は、前記透過領域250及び前記信号接続部230aを露出する透過窓229を含み、前記薄膜トランジスタ219及び前記パッシベーション膜226が形成された前記下部基板220上に配置されて、前記薄膜トランジスタを前記透明電極212または前記反射電極213と絶縁する。前記有機膜214によって前記液晶層208の厚さが調節されて、前記反射領域260及び前記透過領域250で互いに異なるセルギャップを有する液晶層208が形成される。前記有機膜214は、前記薄膜トランジスタ219、前記ソースライン218a’、前記ゲートライン218b’などが配置されて、互いに異なる高さを有する前記下部基板220の表面を平坦化する役割もする。この時、前記透過窓229内に薄い厚さの有機膜214が残留させた状態で、前記信号接続部230aを露出することもできる。
前記透明電極212は、前記パシベーション膜216上の前記透過領域250及び前記信号接続部230aを露出する開口部の内面上に形成されて、前記信号接続部230aと電気的に接続される。前記透明電極212は、前記共通電極206との間に印加された電圧によって前記液晶層208内の液晶を制御して、光の透過を調節する。前記透明電極212は、透明な導電性物質であるインジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、亜鉛酸化物ZOなどを含む。この時、前記透明電極212の一部が前記反射領域260内の前記有機膜214上に配置されるようにすることもできる。
また、前記信号接続部230a上に反射電極213の一部が配置され、前記信号接続部230aに対応する前記反射電極213上に前記透明電極212の一部が配置されてもよい。
前記液晶を配向するために、前記第1基板270及び前記第2基板280の表面に配向膜(図示せず)を配置し、前記配向膜(図示せず)の表面を一定の方向にラビング(Rubbing)する。前記ラビングによって前記液晶が一定の方向に配向される。望ましくは、前記ラビング方向は、前記ソースライン218a’の延長方向と同一である。この時、前記透過領域250と前記反射領域260との間の段差によって、前記透過領域250と前記反射領域260との境界にはラビングがうまくできない。前記ラビングのうまくできない境界では、光漏れ現象、残像現象などが発生し、前記光漏れ現象、残像現象などの発生する位置は前記ラビング方向に対応している。従って、光を通過させない前記信号接続部230aの長さ方向が前記ラビング方向と対応するように配置して、前記光漏れ現象、残像現象などを減少させる。
図5及び図9に示すように、まず、前記下部基板220に前記バックライトアセンブリ(図示せず)から発生された前記光を透過させる前記透過領域250及び前記外部光を反射させる前記反射領域260を含む前記画素領域240を画定する。
図6及び図10に示すように、続いて、前記下部基板220上に導電性物質を蒸着する。続いて、前記導電性物質の一部をとり除いて、前記ゲート電極218b及び前記ゲートライン218b’を形成する。以後、前記ゲート電極218b及び前記ゲートライン218b’が形成された下部基板220の全面に前記ゲート絶縁膜226を蒸着する。前記ゲート絶縁膜226は透明な絶縁物質を含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜226はシリコン窒化膜SiNxを含む。
前記信号接続部230aは、前記ドレイン電極218cに接続され前記透過領域250と前記反射領域260との境界のうち、前記ドレイン電極218cに隣接した下側の辺に形成される。前記信号接続部230aの形状は、前記ゲートライン218b’に平行する方向に延長された長方形の形状を有する。
図12に示すように、前記薄膜トランジスタ219が形成された前記下部基板220上に透明な絶縁物質を蒸着して、パッシベーション膜を形成する。望ましくは、前記透明な絶縁物質はシリコン窒化物SiNxを含む。その後に、前記パシベーション膜の前記信号接続部230aに対応する部分をとり除いて、前記信号接続部230aを露出する開口部を有するパシベーション膜216を形成する。この時、前記有機膜214を形成した後に前記開口部を形成することもできる。
図13に示すように、前記パシベーション膜216上に有機物質を塗布して有機膜を形成する。望ましくは、前記有機物質はフォトレジスト成分を含む。
前記有機膜214の厚さによって、前記透過領域250及び前記反射領域260のセルギャップを調節する。望ましくは、前記有機膜214の厚さは、前記透過領域250のセルギャップの半分から前記反射電極213の厚さを引いた厚さと同一である。
この時、前記反射電極213は多層構造を有することができる。前記反射電極が多層構造を有する場合、望ましくは、前記反射電極213はモリブデン(Mo)−タングステン(W)合金層及び前記モリブデン(Mo)−タングステン(W)合金層上に形成されたアルミニウム(Al)−ネオジム(Nd)合金層を含む。前記反射電極213は、前記透明電極212及び前記信号接続部230aを通じて、前記ドレイン電極218cに電気的に接続される。
この時、前記反射電極213を先に形成した後、前記透明電極212を形成して前記反射電極213を前記透明電極212の下部に配置することもできる。前記反射電極213が前記透明電極212の下部に配置される場合、前記反射電極213の付着力を増加させることもできる。
このようにして、前記下部基板220、前記スイッチング素子219、前記ソースライン218a’、前記ゲートライン218b’、前記有機膜214、前記透明電極212及び前記反射電極213を含む前記第2基板280が形成される。
前記ブラックマトリックス202が形成された前記上部基板200上に、カラーフィルタ204を形成する。前記カラーフィルタ204は特定の波長の光のみを選択的に透過させる。この時、前記カラーフィルタ204を前記上部基板200ではなく、前記下部基板220上に形成することもできる。前記カラーフィルタ204が前記下部基板220上に形成される場合、前記カラーフィルタは前記有機膜を形成する前に形成することが望ましい。
続いて、前記カラーフィルタ204及び前記ブラックマトリックス202が形成された上部基板200上に透明な導電性物質を蒸着して、共通電極206を形成する。前記透明な導電性物質はITO、IZO、ZOなどを含む。
このようにして、前記上部基板200、前記ブラックマトリックス202、前記カラーフィルタ204、前記共通電極206及び前記スペーサ210を含む前記第1基板270が形成される。
図18に示すように、前記第1基板270と前記第2基板280との間に液晶層208を注入した後、シール(図示せず)によって密封する。この時、前記シール(図示せず)が形成された前記第1基板270または前記第2基板280上に液晶を積荷した後、前記第1基板270及び前記第2基板280を対向し結合して前記液晶層208を形成することもできる。
従って、ラビング方向が前記ソースライン218a’と同一の場合、前記ゲートライン218b’方向に延長された前記長方形模様を有する信号接続部を利用して前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
図19は、本発明の第2実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。本実施形態で信号接続部及びラビング方向を除いた残りの構成要素は実施例1と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
薄膜トランジスタ219は、ソース電極218a、ゲート電極218b、ドレイン電極218c及び半導体層パターンを含む。
前記信号接続部230bは、前記ドレイン電極218cに接続され、前記ドレイン電極218cと透明電極212を電気的に接続させる。前記信号接続部230bは、透過領域250と反射領域260との境界のうち、前記透過領域250の右側の下のコーナー、即ち、前記ドレイン電極218cの前記ゲート電極218bに隣接する部分の対角線の向かい側で突き出された直角三角形形状を有する。
液晶を配向するために、第1基板270及び第2基板280の表面に配向膜(図示せず)を配置し、一定の方向にラビングする。前記ラビングによって液晶が一定の方向に配向される。ラビング方向は、透過窓229を基準にして右側の下から左側の上方に向かう方向、即ち、前記信号接続部230bが配置された部分を通る対角線方向である。
従って、ラビング方向が透過窓229を基準にして右側の下方から左側の上方に向かう方向の場合、前記透過窓229の右側の下方の角で突出された直角三角形形状を有する信号接続部を利用して前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
図20は、本発明の第3実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。本実施形態で信号接続部及びラビング方向を除いた残りの構成要素は実施形態1と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
薄膜トランジスタ219は、ソース電極218a、ゲート電極218b、ドレイン電極218c、半導体層パターン及び信号接続部230cを含む。
前記信号接続部230cは、前記ドレイン電極218cに接続され、前記ドレイン電極218cと透明電極212を電気的に接続させる。前記信号接続部230cは、透過領域250と反射領域260との境界のうち、前記透過領域250の右側の下のコーナー、即ち、前記ドレイン電極218cの前記ゲート電極218bに対応する部分の対角線の向かい側で、前記境界に沿って折曲された形状を有する。
図21は、本発明の第4実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。本実施形態で透明電極の一部が有機膜の下部に配置されることを除いた残りの構成要素は実施形態1と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
図21及び図22に示すように、前記液晶表示装置は第1基板370、第2基板380及び液晶層308を含む。前記第1基板370は、上部基板300、ブラックマトリックス302、カラーフィルタ304、共通電極306及びスペーサ310を含む。前記第2基板380は、下部基板320、薄膜トランジスタ319、ゲート絶縁膜326、パシベーション膜316、有機膜314、透明電極312及び反射電極313を含む。前記第2基板380は、透過領域350及び反射領域360を含む。
前記薄膜トランジスタ319は、前記下部基板320の前記反射領域360に形成されソース電極318a、ゲート電極318b、ドレイン電極318c及び半導体層パターンを含む。
前記パッシベーション膜316は、前記薄膜トランジスタ319が形成された前記下部基板320上の全面に配置され、前記信号接続部330を露出する開口部を含む。
前記透明電極312は、前記パッシベーション膜316及び前記信号接続部330を露出する開口部の内面上に形成されて、前記信号接続部330と電気的に接続される。この時、前記透明電極312の一部が前記反射領域360内に配置されてもよい。前記透明電極312は、前記共通電極306との間に印加された電圧によって前記液晶層308内の液晶を制御して、光の透過を調節する。
前記有機膜314の上部表面は、凹部及び凸部を有する。前記凹部及び凸部は、前記反射電極313の反射効率を増加させる。この時、前記有機膜314の上部表面は、凹部及び凸部がない平坦な面であってもよい。
前記反射電極313は、前記有機膜314または前記透明電極312上の前記信号接続部330に対応する部分に配置されて、外部光を反射させる。前記反射電極313は、前記有機膜314の上部表面上に形成された凹部及び凸部の形状に沿って配置されて、外部光を一定の方向に反射させる。前記反射電極313は、導電性物質を含んで前記透明電極312及び前記信号接続部330を通じて、前記ドレイン電極318cと電気的に接続される。
前記第1基板370及び前記第2基板380の表面はラビングされて、前記液晶を一定の方向に配向する。前記ラビング方向は前記ソースライン318a’の延長方向と同一である。
図23及び図26に示すように、まず、前記下部基板320にバックライトアセンブリ(図示せず)から発生された光を透過させる前記透過領域350及び外部光を反射させる前記反射領域360を画定する。
図24及び図27に示すように、前記下部基板320上に前記薄膜トランジスタ319を形成する。続いて、前記薄膜トランジスタ319が形成された前記第1基板320上に、前記信号接続部330を露出する開口部を有するパッシベーション膜316を形成する。
図29に示すように、前記パシベーション膜316及び前記透明電極312上にフォトレジスト成分を含む有機物質を塗布して、有機膜を形成する。前記有機膜を、マスクを利用して露光し現像して、前記信号接続部330a及び前記透過領域350を露出する前記透過窓329及び表面に前記凹部と前記凸部を有するように有機膜314を形成する。望ましくは、前記マスクは前記凹部と凸部に対応する部分にスリット、半透明した部分または透明な部分を有する。
このようにして、前記下部基板320、前記スイッチング素子319、前記ソースライン318a’、前記ゲートライン318b’、前記有機膜314、前記透明電極312及び前記反射電極313を含む前記第2基板380が形成される。
図32に示すように、前記第1基板370及び前記第2基板380に対向して結合し、前記第1基板270と前記第2基板280との間に液晶層208を形成する。この時、前記液晶層308を真空注入方式または滴下方式によって形成してもよい。
従って、ラピング方向が前記ソースライン318a’と同一の場合前記ゲートライン318b’方向に延長された前記長方形模様を有する信号接続部を利用して、前記透明電極312が前記有機膜314の下部に配置された前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との反射率を比べるために二つの種類の試験用液晶表示装置を多数製作して、その反射率を測定した。前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び本発明の第1実施形態による液晶表示装置をそれぞれ奇数番号及び偶数番号で表記する。
前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び前記本発明の第1実施形態による液晶表示装置においてバイアコンタクトホール及び信号接続部の存在を除く他の構造は同一であった。比較実験のために前記バイアコンタクトホールの面積及び前記信号接続部の面積は同一に調整された。
前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び前記本発明の第1実施形態による液晶表示装置の有機膜の上部表面は、反射率を増加させる凹部及び凸部を含む。フォトレジスト成分を有する有機膜を、マスクを利用して露光し現像して前記有機膜の上部表面に前記凹部及び凸部を形成した。この時、前記露光時間を調節して露光量による反射率を測定した。
前記バイアコンタクトホールの場合、コンタクトホールの接触特性、有機膜の流動、段差(stepwise)などの問題で、前記バイアコンタクトホールの面積が所定の面積以上でなければならない。しかし、前記信号接続部が液晶を駆動させるのに十分な電流が流れることができる場合には、前記信号接続部は前記バイアコンタクトホールの面積より少ない面積であってもよい。
前記本発明の実施形態では、前記信号接続部の位置及び形状が前記ラビング方向を考慮して決められたが、当該技術分野の熟練された当業者は前記信号接続部の位置及び形状を前記ラビング方向と無関係に決められるであろう。また、前記ラビング方向も前記ゲートラインに平行する方向、前記透過窓の対角線方向など多様な方向を含むことができる。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
102、202、302 ブラックマトリック
104、204、304 カラーフィルタ
106、206、306 共通電極
108、208、308 液晶層
110、210、310 スペーサ
112、212、312 透明電極
113、213、313 反射電極
114、214、314 有機膜
116、216、316 パッシベーション膜
118a’、218a’、318a’ ソースライン
118b’、218b’、318b’ ゲートライン
118a、218a、318a ソース電極
118b、218b、318b ゲート電極
118c、218c、318c ドレイン電極
119、219、319 薄膜トレンジスト
120、220、320 下部基板
126、226、326 ゲート絶縁膜
128 バイアコンタクトホール
140、240、340 画素領域
145、245、345 周辺領域
150、250、350 透過領域
160、260、360 反射領域
230a、230b、230c、330 信号接続部
170、270、370 第1基板
180、280、380 第2基板
Claims (31)
- 光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、
前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、
前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、
前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部と、
を含むアレイ基板。 - 前記透過領域は長方形形状を有し、前記信号接続部は前記長方形形状を有する透過領域の辺に隣接して配置されることを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は前記辺に沿って延長された長方形形状を有することを特徴とする請求項2記載のアレイ基板。
- 前記透過領域は長方形形状を有し、前記信号接続部は前記長方形形状を有する透過領域の頂点に隣接して配置されることを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は直角三角形形状を有することを特徴とする請求項4記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は前記透過領域の頂点に隣接する境界に沿って折曲された形状を有することを特徴とする請求項4記載のアレイ基板。
- 第1方向にラビングされた配向膜をさらに含み、前記第1方向と前記信号接続部の長さの方向とが交差することを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は前記透過領域の前記スイッチング素子に隣接する辺に配置され、前記第1方向は前記辺に垂直する方向であることを特徴とする請求項7記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は前記透過領域のコーナーに配置され、前記第1方向は前記透過領域を基準にして前記信号接続部を通る対角線方向であることを特徴とする請求項7記載のアレイ基板。
- 前記信号接続部は不透明な材質を含み、前記境界に隣接した部分を通過する光を遮断することを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記透過領域は多角形または円形形状を有することを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記画素領域は外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に形成されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記透明電極は前記透過領域及び前記透過領域に隣接した前記反射領域の一部に配置されることを特徴とする請求項12記載のアレイ基板。
- 前記反射領域に配置される前記透明電極の一部が前記有機膜上に配置されることを特徴とする請求項13記載のアレイ基板。
- 前記反射領域に配置される前記透明電極の一部が前記有機膜の下部に配置されることを特徴とする請求項13記載のアレイ基板。
- 前記透明電極の一部が前記信号接続部上に配置され、前記信号接続部に対応する前記反射電極の一部が前記透明電極上に配置されることを特徴とする請求項13記載のアレイ基板。
- 前記反射電極の一部が前記信号接続部上に配置され、前記信号接続部に対応する前記透明電極の一部が前記反射電極上に配置されたことを特徴とする請求項13記載のアレイ基板。
- 前記有機膜の上部表面は前記反射電極の反射率を増加させる凹部及び凸部を含むことを特徴とする請求項12記載のアレイ基板。
- 前記基板上に配置されたカラーフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 前記画素電極部との間に電界を形成する第2電極をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。
- 光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板上の前記透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を形成するステップと、
前記スイッチング素子が配置された基板上に前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜を形成するステップと、
前記透過領域上に配置されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部を形成するステップと、
を含むアレイ基板の製造方法。 - 前記有機膜を形成するステップは、前記透明電極が形成された前記基板上に有機膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項21記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記透明電極を形成するステップは、前記透過領域及び前記有機膜の一部上に透明電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項21記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記信号接続部を形成するステップは、前記信号接続部を前記スイッチング素子のドレイン電極と一体に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項21記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記信号接続部を形成するステップは、前記信号接続部を前記スイッチング素子のドレイン電極と別途の部材に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項21記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記画素領域は外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に配置されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項21記載のアレイ基板の製造方法。
- 第1基板と、
光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部とを含み、前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と、
を含む液晶表示装置。 - 前記第2基板は第1方向にラピングされた配向膜をさらに含み、前記第1方向と前記信号接続部の長さの方向とが交差することを特徴とする請求項27記載の液晶表示装置。
- 前記信号接続部は、前記透過領域の前記スイッチング素子に隣接する辺に配置され、前記第1方向は前記辺に垂直する方向であることを特徴とする請求項28記載の液晶表示装置。
- 前記信号接続部は、前記透過領域のコーナーに配置され、前記第1方向は前記透過領域を基準にして前記信号接続部を通る対角線方向であることを特徴とする請求項28記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域は、外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に形成されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項27記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030080523A KR101066410B1 (ko) | 2003-11-14 | 2003-11-14 | 어레이 기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 액정 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005148745A true JP2005148745A (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=34567734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004328547A Pending JP2005148745A (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-12 | アレイ基板、その製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050105023A1 (ja) |
JP (1) | JP2005148745A (ja) |
KR (1) | KR101066410B1 (ja) |
CN (1) | CN100465740C (ja) |
TW (1) | TW200516298A (ja) |
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2003
- 2003-11-14 KR KR1020030080523A patent/KR101066410B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-03-08 US US10/796,375 patent/US20050105023A1/en not_active Abandoned
- 2004-03-12 TW TW093106697A patent/TW200516298A/zh unknown
- 2004-04-12 CN CNB2004100343493A patent/CN100465740C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-12 JP JP2004328547A patent/JP2005148745A/ja active Pending
-
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- 2006-08-18 US US11/506,951 patent/US7450203B2/en not_active Expired - Fee Related
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KR101066410B1 (ko) | 2011-09-21 |
US7450203B2 (en) | 2008-11-11 |
TW200516298A (en) | 2005-05-16 |
US20060279678A1 (en) | 2006-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051202 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051207 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110830 |