JP2015135411A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ディスクリネーションの領域を少なくし、かつ、液晶分子の基板法線方向への立ち上がりを抑制して画面輝度の向上と画像にじみの発生を防止する。【解決手段】走査線１０と映像信号線２０で囲まれた領域に画素電極１１０が存在している。画素電極１１０の下層には、層間絶縁膜を介して平面状に形成されたコモン電極１０８が存在している。画素電極１１０のスリット４０は、一方の端部が開放されている櫛歯状である。液晶分子３０１はネガ型液晶を用いる。このような構成とすることによって、画素電極１１０のスリット４０の開放端まで、透過領域として使用でき、かつ、液晶分子３０１が基板法線方向に立ち上がることを抑制できるので、画像のにじみを防止することが出来る。【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、輝度向上したＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。

ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。このような液晶表示装置においては、画素内で、液晶分子が同一方向、すなわち順方向に回転するように、画素電極の形状と配向軸の関係を特定している。しかし、このような対策を講じても、同一画素内で全ての液晶分子を同一方向に回転させることは難しく、液晶分子が逆方向に回転する領域が存在する。

このように液晶分子が順方向に回転する領域と逆方向に回転する領域が存在すると、これらの領域の境界において、液晶の回転が不安定な領域が発生する。この部分をディスクリネーションとよんでいる。ディスクリネーションは電界の強さによっても変化するので、画面の輝度、および、画面の安定性に不利である。

特許文献１はディスクリネーションが発生する領域のコモン電極を除去する構成が記載されている。特許文献２では、ディスクリネーションが発生する領域の電界強度を大きくして液晶の配向を安定化させる構成が記載されている。特許文献３には、画素電極に屈曲部を設け、この部分にディスクリネーションを発生させることで液晶分子の配向を安定化する構成が記載されている。特許文献４には、１画素中に２つのドメインを形成し、その境界に画素電極のブリッジを形成することでブリッジから発生する電界により液晶の配向をより安定化する構成が記載されている。

特開２００８−９６８３９号公報 特開２０１２−１３７７９２号公報 特開２０１１−１６４６６１号公報 特開２００９−４７８１７号公報

発明の背景において説明した液晶表示装置はすべてポジ型液晶を使用している。ポジ型液晶は液晶分子の長軸が電界の方向に向くもので、ネガ型液晶は液晶分子の短軸が電界の方向に向くものである。ポジ型液晶は背景技術で説明したようなディスクリネーションの問題が発生しやすい。ディスクリネーションが発生すると、その領域では、光が透過しないので、画素の透過率が低下し、画面の輝度が低下する。

図１０はＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素の平面図である。図１０において、スリット４０を有する長方形の画素電極１１０の下に平面状にコモン電極１０８が形成されている。液晶分子３０１は、画素電極１１０の上に形成された配向膜の配向軸５０の方向に配向している。配向軸５０は、画素電極１１０のスリット４０の長軸方向、すなわち、ｙ軸方向と１０度ないし１５度程度傾いて形成されている。画素電極１１０に電圧が印加された場合に、液晶分子３０１が同じ方向に回転するようにするためである。

画素電極１１０にはＴＦＴのソース電極１０５からスルーホール１３０を介して映像信号が供給される。画素電極１１０に映像信号が供給されると、コモン電極１０８との間に電気力線が発生し、電気力線の横電界成分によって液晶分子３０１が回転し、液晶層の透過率を制御する。図１０において、液晶分子３０１はポジ型液晶が使用されている。図１０に示すような画素構成でポジ型液晶を使用すると画素電極１１０のスリット４０の端部、すなわち、図１０のＡで示す領域にディスクリネーションが発生する。ディスクリネーションが発生した部分は対向基板に形成されたブラックマトリクスによって覆う必要があるので、画素の透過率が低下する。図１０の他の構成は図１において説明する。

ポジ型液晶のもう一つの問題は、液晶表示パネルの表面を押した場合、図４（ａ）に示すように、液晶分子が基板の法線方向に立ち上がりやすい。なお、このような液晶分子の立ち上がりはディスクリネーションが発生している領域において生じ易い。ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、このような液晶分子の立ち上がりが発生すると画面のにじみが発生しやすい。

本発明の課題は、ディスクリネーションの発生を抑え、かつ、画面を押した場合の液晶分子の基板法線方向への立ち上がりを抑制し、液晶表示装置の輝度を向上させることと、液晶分子の立ち上がりに起因する画面のにじみを防止することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、本発明の特徴は、液晶分子にネガ型液晶を使用し、ディスクリネーションの発生を抑え、かつ、画面を押した場合の液晶分子の基板法線方向への立ち上がりを抑制する構成とするものである。ネガ型液晶は液晶分子の短軸側に極性器を配置するために、ポジ型液晶に比べて分子構造的に、誘電率異方性Δεが小さく、ポジ型液晶の場合に比べて電圧印加による液晶分子の回転が生じにくい。

本発明は、あえてネガ型液晶を用い、ネガ型液晶に適合する画素電極の形状とすることによって、ネガ型液晶の特徴を生かし、画面輝度の向上と、画面を押したときの画面のにじみを抑制するものである。具体的な手段は次のとおりである。

（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、前記液晶層はネガ型液晶であり、前記画素電極はスリットを有し、前記スリットの一方の端部は開放されていることを特徴とする液晶表示装置。

（２）前記画素電極は外形が長方形である櫛歯状であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（３）前記画素電極は外形が平行四辺形の櫛歯状の電極であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（４）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、前記液晶層はネガ型液晶であり、前記画素電極は前記第１の方向に延在するバス電極と、バス電極の一方の側に存在し、前記第２の方向と所定の角度傾いた第１の櫛歯状電極と前記バス電極の他方の側に存在し、前記第２の方向と前記所定の角度と逆の角度傾いた第２の櫛歯状電極を有することを特徴とする液晶表示装置。

（５）前記画素電極の前記櫛歯状電極への映像信号の供給は、前記バス電極を介して行われることを特徴とする（４）に記載の液晶表示装置。

本発明によれば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ディスクリネーションの面積を抑制するので、画面輝度の高い液晶表示装置を実現することが出来る。また、液晶分子の基板法線方向への立ち上がりが生じにくいので、画面を押した場合の画像のにじみを抑制することが出来る。

本発明による液晶表示装置の画素の平面図である。 図１に示す画素の断面図である。 図１のＡ−Ａ断面である。 従来例における液晶分子の挙動を示す図である。 本発明における液晶分子の挙動を示す図である。 画素電極形状の違いによる画素の透過率の差を示す表である。 本発明と従来例の画素部のブラックマトリクスの開口部の比較である。 実施例２の画素の構成を示す平面図である。 実施例３の画素の構成を示す平面図である。 従来例の画素の構成を示す平面図である。

以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。

図１は、本発明による画素構成の平面図であり、図２は、画素部分の断面図であり、図３は、図１のＡ−Ａ断面図である。本発明では、液晶分子３０１にネガ型液晶を使用する。まず、図２の断面構造から説明する。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１の上方でゲート絶縁膜１０２の上に半導体層１０３が形成されている。

半導体層１０３はａ−Ｓｉで形成されている。半導体層１０３には、ｎ＋ａ−Ｓｉも形成されており、ドレイン電極１０４とソース電極１０５とに電気的に接続している。半導体層１０３、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０７が形成されている。有機パッシベーション膜１０７は１乃至３μｍと厚く形成される。尚、ソース電極１０５とドレイン電極１０４については、その呼称が逆転してもよい。

有機パッシベーション膜１０７の上には、平面状にＩＴＯによってコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９が形成され、その上にスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０はスルーホール１３０を介してソース電極１０５と接続している。画素電極１１０を覆って液晶を初期配向させる配向膜１１１が形成されている。画素電極１１０に映像信号が印加されると、コモン電極１０８との間に電気力線が発生し、電気力線の横成分によって液晶分子３０１が回転し、バックライトからの光を制御する。

ＴＦＴ基板１００と液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置している。対向基板２００の内側で、画素電極１１０に対応する部分にはカラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にブラックマトリクス２０２が形成されている。カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成され、オーバーコート膜２０３の上に配向膜１１３が形成されている。対向基板２００側にはコモン電極が形成されていないので、外部からのノイズをシールドするために対向基板２００の外側に外部導電膜２１０がＩＴＯによって形成されている。

図２はいわゆるボトムゲートタイプのＴＦＴの場合であるが、半導体層１０３の上にゲート電極１０２が形成されたトップゲート型の場合もある。また、半導体層１０３はａ−Ｓｉに限らず、ｐｏｌｙ−Ｓｉによって形成される場合もある。

図１は、本発明の画素構造を示す平面図である。図１において、走査線１０が横方向に延在し、所定のピッチで縦方向に配列している。映像信号線２０が縦方向に延在し、所定のピッチで横方向に配列している。画素内にはＴＦＴと画素電極１１０、コモン電極１０８が存在している。

図１において、走査線１０から分岐したゲート電極１０１の上に図示しないゲート絶縁膜を介して半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３の上には映像信号線から分岐したドレイン電極１０４と、ドレイン電極１０４と対向してソース電極１０５が形成されている。ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間がＴＦＴチャンネル部となっている。ソース電極１０４はスルーホール１３０を介して画素電極１１０と導通し、画素電極１１０に映像信号を供給する。

画素電極１１０の下には、図２で説明したように、平面状にコモン電極１０８が形成されている。画素電極１１０に信号電圧が印加されると、図２に示したように、電気力線が液晶層３００を通り、画素電極１１０のスリット４０および画素電極１１０の外側を介してコモン電極１０８に到達する。電気力線の横成分によって液晶が回転し、液晶層の透過率を制御する。

図１において、液晶分子を初期配向させるための配向膜の配向軸５０は、走査線１０の延在方向、すなわち、ｘ軸方向と１０度乃至１５度傾いて形成されている。ネガ型液晶分子を画素内で同じ方向に回転させるためである。図１の配向軸５０の方向は図１０の配向軸５０の方向とは９０回転した関係になっている。

図１の画素電極１１０が図１０の画素電極１１０と大きく異なる点は、画素電極１１０のスリット４０は画素電極１１０のｙ軸方向の上端において開放されていることである。言い換えると、本実施例の画素電極１１０は外形が長方形の櫛歯状電極となっている。ポジ型液晶において、このような櫛歯状の画素電極１１０を用いると、スリット４０の開放端、すなわち、画素電極１１０のｙ方向上部においてディスクリネーションが広く発生し、液晶分子の配向が不安定になる。したがって、ポジ型液晶を用いる場合は、スリット４０の端部を閉止した画素電極構成となっている。

しかし、ポジ型液晶を用いた場合は、スリット４０の閉止部で面積は小さくなるが依然としてディスクリネーションが発生し、画素の透過率を下げる原因になっている。発明者はネガ型液晶を用いることによって、スリット４０の閉止部において、このようなディスクリネーションの発生を抑えることが出来ることを発見した。

さらに、ネガ型液晶を用いることによって、スリット４０の端部が閉止されていない、すなわち、櫛歯状の画素電極１１０を用いても、櫛歯の先端において、ディスクリネーションの発生が抑えられることを発見した。すなわち、ネガ型液晶を用いることによって、ディスクリネーションを抑えつつ、櫛歯状の画素電極１１０を用いることが出来るので、画素の透過率を向上させることが出来、画面輝度を向上させることが出来る。

図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、ＴＦＴ基板１００の上にゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に映像信号線２０が紙面垂直方向に延在している。映像信号線２０を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上に有機パッシベーション膜１０７が形成されている。有機パッシベーション膜１０７の上にはコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９が形成され、その上にスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０の上には液晶分子を初期配向させるための配向膜１１１が形成されている。

図４はポジ型液晶を使用した場合のＩＰＳ方式の液晶表示装置の動作を示す模式図である。図４（ａ）は、液晶分子の動作を示す断面模式図である。図４（ａ）において、コモン電極１０８の上に層間絶縁膜１０９が形成され、その上にスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０の上には配向膜１１１が形成されている。

図４（ａ）において、画素電極１１０に電圧が印加されると、電気力線が液晶層および画素電極１１０のスリット４０を介してコモン電極１０８に達する。図４（ａ）はポジ型液晶の場合であるが、ポジ型液晶の場合は、スリット４０の中央付近で液晶分子が立ち上がりやすい。また、画素に複数のドメインが発生すると、ドメインの境界において液晶分子３０１が基板の法線方向に立ち上がりやすくなる。液晶表示装置の画面を押すと、この液晶分子が立ち上がる現象がさらに強くなり、画面のにじみの原因になる。

図４（ｂ）はポジ型液晶を使用した場合の液晶分子の動きを示す模式平面図である。図４（ｂ）における画素電極１１０はスリット４０を有しており、スリット４０は閉止されている。ポジ型液晶の場合は、スリット４０を閉止することによってディスクリネーションが発生する領域を小さくしている。図４（ｂ）において、一点鎖線は配向膜の配向軸５０の方向であり、画素電極１１０およびスリット４０の長軸に対して所定の角度傾いている。図４（ｂ）において、矢印Ｅは電界の向きを示すものであるが、液晶分子の初期配向の方向と電界の方向を直角方向から１０度乃至１５程度傾けることで、液晶分子の回転の向きをそろえている。なお、図４（ｂ）の矢印は液晶分子３０１の回転方向を示している。

図５は液晶分子にネガ型液晶を使用した場合のＩＰＳ方式における液晶分子の動作を示す図である。図５（ａ）はその断面図である。層構造は図４（ａ）で説明したのと同様である。図５（ａ）に示すように、ネガ型液晶の場合は、ポジ型液晶の場合に比較して、液晶分子が基板法線方向に立ち上がりにくい。この性質のために、ネガ型液晶では、ディスクリネーションが発生しにくい。

図５（ｂ）はネガ型液晶を使用した場合の液晶分子３０１の動作を示す平面図である。図５（ｂ）の画素電極１１０はいわゆる櫛歯状の電極であって、画素電極１１０に形成されたスリット４０は端部において開放されている。ネガ型液晶はディスクリネーションが発生しにくいので、図５（ｂ）のような画素電極１１０の形状を取ることが出来、図６で説明するように、透過率を向上させることが出来る。図５（ｂ）の矢印は液晶分子３０１の回転方向を示している。

図５（ｂ）において、配向膜の配向軸は５０水平方向であり、電界の向きを示す矢印Ｅの方向とは、１０度乃至１５傾いている。これによって液晶分子３０１の回転の向きを同じ方向にそろえている。また、ネガ型液晶は、図５（ａ）に示すように、液晶分子３０１が基板法線方向に立ち上がりにくいので、液晶表示装置の画面を押した場合の液晶分子３０１の立ち上がりが小さく、液晶分子３０１が立ち上がることによる画面のにじみを抑制することが出来る。

このように、ネガ型液晶を使用した場合、ディスクリネーションの発生を軽減し、かつ、液晶の立ち上がりに起因する画面のにじみを抑えることが出来る。さらに、ネガ型液晶を使用した場合、画素電極１１０におけるスリット４０を開放できることによる透過率の向上も図ることが出来る。図６はネガ型液晶を使用した場合、画素電極１１０の形状と画素の透過率の関係を比較したものである。

図６において、比較例は、画素電極１１０において、スリット４０が閉止されている場合である。これに対して本発明で使用される画素電極１１０はスリット４０片側が開放された櫛歯電極状となっている。いずれも液晶はネガ型液晶を使用しているので、ディスクリネーションおよび画面のにじみは発生しにくい。一方、画素の透過率は、スリット４０が閉止されている場合を１００％とすると、櫛歯状の電極の場合は１０３．７％となり、３．７％の向上となる。

図７は、従来のポジ型液晶を使用し、画素電極が閉止されたスリットを有する場合（図７（ａ））と、本発明のように、ネガ型液晶を使用し、画素電極１１０のスリット４０の片側が開放された、櫛歯状の電極を使用する場合（図７（ｂ））に対応するブラックマトリクス２０２の開口面積を比較した平面図である。

図７（ａ）に示す従来例においては、画素電極１１０のスリット４０の端部にディスクリネーションが発生するので、スリット４０の端部はブラックマトリクス２０２によって覆われている。一方、本発明では、ネガ型液晶を使用するので、ディスクリネーションの影響が小さいため、ブラックマトリクス２０２の開口部をスリット４０の端部まで広げることが出来る。すなわち、画素電極１１０の端部からブラックマトリクス２０２の開口部の端部までの距離ｗを小さくすることが出来る。

さらに、図７（ｂ）の下側に示すように、画素電極１１０におけるスリット４０の端部を開放させることによって、図６において説明したように、透過率を上げることが出来る。また、本発明においては、ディスクリネーションの影響が小さいので、画素電極１１０の櫛歯の端部まで、ブラックマトリクス２０２の開口を広げることが出来る。

このように、本発明によれば、ディスクリネーションの発生領域を抑えることが出来るのと、ブラックマトリクス２０２の開口面積を大きくすることが出来ることとの相乗効果によって画素の透過率を向上させることが出来、画面の輝度を向上させることが出来る。さらに、ネガ型液晶を使用することによって、画面を押したときに液晶分子が基板法線方向に立ち上がる現象を抑えることが出来るので、画面のにじみを軽減することが出来る。

ＩＰＳ方式の液晶表示装置は優れた視野角特性を有している。しかし、視野角特性が画面を視る方向、すなわち、方位角によって異なる現象が生ずる場合がある。これを対策するために、液晶分子が回転する方向が異なる２種類の画素を形成し、この２種類の画素の組み合わせによって、方位角特性を均一にする方法がある。この方法を擬似デュアルドメイン方式と呼んでいる。

図８は、擬似デュアルドメイン方式の画素の一つを示す平面図である。図８において、配向軸はｘ方向である。画素電極１１０のスリット４０の長軸は配向軸と直角方向に対して＋θだけ傾いている。この場合、画素電極１１０に電圧が印加されると液晶分子は左方向に回転する。

図８に示す画素の上側と下側は、図８の画素電極１１０とは反対側に傾いている。すなわち、画素電極１１０のスリット４０の長軸方向は配向軸と直角方向に対して−θだけ傾いている。この場合、画素電極１１０に電圧が印加されると、液晶分子は右方向に回転する。したがって、このような画素を例えば、ｙ方向に交互に並べることによって、方位角による視野角特性の変化を軽減することが出来る。

本発明はこのような構成を有する液晶表示装置に対しても適用することが出来る。図８において、画素電極１１０のスリット４０の端部は開放されており、画素電極１１０は斜めの櫛歯状の電極となっている。言い換えると、本実施例の画素電極１１０は外形が平行四辺形の櫛歯状となっている。また、液晶はネガ型液晶を使用する。このような構成をとることによって実施例１で説明したのと同様に、画素の透過率を向上でき、かつ、画面を押したときの画面のにじみを軽減することが出来る。

視野角特性の方位角依存性を軽減する方法として、一つの画素中に液晶分子の回転方向が異なるドメインを２個形成する手段が存在する。図９は、このような液晶表示装置の画素に本発明を適用した例である。図９において、画素を区画する映像信号線２０は画素の中央付近で屈曲している。画素電極１１０は中央のバス電極の上下に上側スリットと下側スリットを有している。配向膜の配向軸はｘ方向である。画素電極１１０は櫛歯状であるが、櫛歯の長軸の角度は、画素の上半分と下半分とでは配向軸と直角方向、すなわち、ｙ軸方向に対して逆方向に傾いている。言い換えると、画素の上半分と下半分とで画素電極１１０のスリット４０の長軸の角度はｙ軸方向に対して逆方向に傾いている。

つまり、画素電極１１０に電圧が印加された場合、画素の上半分と下半分とでは、液晶分子の回転の方向が逆方向である。したがって、視野角の方位角依存性を軽減することが出来る。これをデュアルドメイン方式と呼んでいる。デュアルドメイン方式の場合、例えば図９において、画素の上側と下側とで液晶が回転する方向が逆なので、画素の上側と下側との境界部にディスクリネーションが発生し、画素の透過率を低下させることが問題である。

本発明ではネガ型液晶を使用するので、画素電極１１０の上側スリットの上側端部と下側スリットの下側端部は開放されている。実施例１で説明したように、この分、画素の透過率を向上させることが出来る。一方、画素の上側と下側とで液晶分子の回転方向が異なることによるディスクリネーションは必ず発生する。このディスクリネーションが発生する部分は画素電極１１０の屈曲部に対応する。

本発明では、画素電極１１０の屈曲部に対応する部分を画素電極１１０の各櫛歯に電圧を供給するバス電極として使用する。この部分には、ディスクリネーションが発生するので、例えば、画素電極１１０より下層の電極によって、あるいは、対向基板に形成されるブラックマトリクス２０２によって遮光する。

しかし、本発明においては、画素電極１１０の上側スリットの上側端部と下側スリットの下側端部は開放されているので、この部分において、画素の透過率を向上させることが出来る。一方、従来のデュアルドメイン方式の画素電極は、ディスクリネーションを抑えるために、スリットの上側端部も下側端部も閉止されているので、画素の透過率を十分とることができなかった。

このように、本発明はデュアルドメイン方式の画素構造において、ネガ型液晶を用いることによって画素電極の上側スリットの上端および下側スリットの下端部において、透過率を向上させることが出来、画面の輝度を向上させることが出来る。また、ネガ型液晶では、実施例１で説明したように、液晶分子が基板の法線方向に立ち上がりにくいので、画面を押した場合のにじみを軽減することが出来る。

１０…走査線、 ２０…映像信号線、 ４０…画素電極のスリット、 ５０…配向軸、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ドレイン電極、 １０５…ソース電極、 １０６…無機パッシベーション膜、 １０７…有機パッシベーション膜、 １０８…コモン電極、 １０９…層間絶縁膜、 １１０…画素電極、 １１１…配向膜、 １３０…スルーホール、 １１３…配向膜、 １３０…スルーホール、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜

Claims (5)

1. 第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
   前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、
   前記液晶層はネガ型液晶であり、
   前記画素電極はスリットを有し、前記スリットの一方の端部は開放されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記画素電極は外形が長方形である櫛歯状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極は外形が平行四辺形の櫛歯状の電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
   前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、
   前記液晶層はネガ型液晶であり、
   前記画素電極は前記第１の方向に延在するバス電極と、バス電極の一方の側に存在し、前記第２の方向と所定の角度傾いた第１の櫛歯状電極と
   前記バス電極の他方の側に存在し、前記第２の方向と前記所定の角度と逆の角度傾いた第２の櫛歯状電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記画素電極の前記櫛歯状電極への映像信号の供給は、前記バス電極を介して行われることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。

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