WO2019159552A1 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の課題は、IPS方式の液晶表示装置において、液晶の駆動速度を上げることである。この課題を実現するために、本発明は、コモン電極110と画素電極112が形成された画素を有するTFT基板と、対向基板の間に液晶301が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極112は第1の方向に延在する線状電極を有し、前記対向基板には、平面で視て、前記線状電極と重複して、前記第1の方向に延在するリブ204が形成されている構成をとることを特徴とする。
Description
本発明は表示装置に係り、特に高速応答を可能にする液晶表示装置に関する。
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
液晶表示装置は、軽量であり、画面を高精細にも出来ることから色々な分野で用途が広がっている。しかし、液晶表示装置は種々の課題もある。その一つは、いわゆる混色の問題である。すなわち、液晶表示装置は、バックライトを使用するために、バックライトから斜めに入射する光が隣接する画素を通過する問題である。この問題は、画面が高精細になると顕著になる。特許文献1には、画素境界のオーバーコート膜を厚くすることによって、隣の画素に向かう光をストップする構成が記載されている。
液晶表示装置は、視野角が問題である。VA(Vertical Alignment)方式は、従来から使用されてきたTN(Twisted Nematic)方式に比較して視野角が優れている。VA方式は、ネガティブ液晶を用い、電界が印加されない場合は、液晶分子を基板に垂直方法に配向させ、液晶層に電界が印加された場合に、液晶分子を傾けさせることによって、画素を通過する光を制御するものである。特許文献2には、液晶層に電界を印加した場合に、液晶分子の傾きの方向を制御するために、対向基板側に突起(リベット)を形成する構成が記載されている。
IPS(In Plane Switching)方式は、液晶を基板と平行に配向させ、TFT基板に形成されたコモン電極と画素電極との間に電界を印加した時に、液晶分子を回転させることによって、液晶層の光の透過を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。
液晶表示装置では、動画対応あるいは高精細化等の要請から、高速駆動が求められている。液晶分子は、高電界であると、より早く応答する。IPS方式は、画素電極とコモン電極の両方がTFT基板側に形成されているので、対向基板側での電界が弱く、対向基板側における液晶の応答が遅くなるために、高速駆動の対応に問題が生ずることを発明者は発見した。
本発明は、特に、IPS方式の液晶表示装置において、対向基板における液晶の応答速度を改善し、高速駆動が可能な液晶表示装置を実現することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
(1)コモン電極と画素電極が形成された画素を有するTFT基板と、対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極は第1の方向に延在する線状電極を有し、前記対向基板には、平面で視て、前記線状電極と重複して、前記第1の方向に延在するリブが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(2)コモン電極の上に絶縁膜を挟んで画素電極が形成された画素を有するTFT基板と、ブラックマトリクスを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、平面で視て、前記画素電極は、前記ブラックマトリクスの開口部に形成され、前記画素電極は第1の方向に延在する3個以上の線状電極を有し、前記3個以上の線状電極の間には前記第1の方向に延在するスリットが存在し、前記対向基板には、平面で視て、前記線状電極と重複して、前記第1の方向に延在するリブが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。IPS方式においても、液晶の誘電率異方性が正(ポジ型)のものを使用する場合と、液晶の誘電率異方性が負(ネガ型)のものを使用する場合とがある。ポジ型は、ネガ型に比べて応答速度が速い。一方ネガ型は、ポジ型に比べ透過率が高い。以下の実施例では、液晶の誘電率異方性がネガ型のものを例にとって説明する。ただし、本実施例はポジ型であっても良い。
図1は本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。図1は携帯電話あるいはタブレット等に使用される液晶表示装置の例である。図1において、TFTや画素電極等を含む画素がマトリクス状に配置したTFT基板10と、ブラックマトリクス等が形成された対向基板20がシール材50によって接着し、TFT基板10と対向基板20の間に液晶が挟持されている。
TFT基板10と対向基板20がオーバーラップしている部分に表示領域30が形成されている。表示領域30においてTFT基板10には走査線11が横方向(x方向)に延在し、縦方向(y方向)に配列している。また、映像信号線12が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線11と映像信号線12で囲まれた領域に画素13が形成されている。
図1において、TFT基板10は対向基板20よりも大きく形成され、TFT基板10と対向基板20がオーバーラップしていない部分に端子領域40が形成されている。端子領域40には、液晶表示パネルに信号や電力を供給するためにフレキシブル配線基板500が接続している。
図2は、本発明における液晶表示装置の表示領域の平面図である。図2において、走査線11と映像信号線12に囲まれた領域に画素電極112が形成されている。画素電極112は、2個のスリットを有し、3本の線状電極によって形成されている。各線状電極は中央付近で屈曲している。視野角特性をより均一にするためである。
液晶分子の初期配向方向を規定する配向膜の配向軸ALはネガ型の場合、配向膜の配向軸ALは横方向(x方向)となる。線状電極は、y方向に対して角度θだけ傾いている。画素電極112とコモン電極110の間に電圧が印加されたときの液晶分子の回転方向を規定するためである。また、液晶分子の初期配向方向を規定する配向膜の配向軸は、ポジ型の場合は縦方向(y方向)となる。
θの角度は、7度乃至15度である。画素電極112を屈曲させることによって、画素の上側と下側とで液晶の回転方向を異ならせ、視野角をより均一にしている。しかし、線状電極の屈曲部では、液晶分子の回転方向が定まらず、いわゆるドメイン境界が発生する。ドメイン境界の部分では、透過率が低下する。
画素電極112内のスリットの幅d1は、平面で視た場合の、画素電極112と映像信号線12との間隔d2よりも大きい。これが本発明の特徴の一つになっている。
図2において、半導体層103がスルーホール131において映像信号線と接続し、走査線11の下を2回通過して、スルーホール132においてコンタクト電極107と接続している。半導体層103が走査線11の下を通過する場所においてTFTが形成されるので、図2では、TFTが直列に2個形成されている。あるいは、ダブルゲートのTFTが形成されているということが出来る。
コンタクト電極107は、有機パッシベーション膜109に形成されたスルーホール130において、画素電極112と接続している。有機パッシベーション膜109の上には、スルーホール130部分を除いてコモン電極110が平面状に形成されている。コモン電極110を覆って形成された容量絶縁膜111の上に画素電極112が形成されている。
図3は図2に対応する表示領域の断面図である。図3におけるTFTは、いわゆるトップゲートタイプのTFTであり、使用される半導体としては、LTPS(Low Temperature Poli-Si)が使用されている。一方、a-Si半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のTFTが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のTFTを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のTFTを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
図3において、第1絶縁基板であるガラス基板100の上に酸化シリコン(以後SiOで代表させる)からなる第1下地膜101および窒化シリコン(以後SiNで代表させる)からなる第2下地膜102がCVD(Chemical Vapor Deposition)によって形成される。第1下地膜101および第2下地膜102の役割はガラス基板100からの不純物が半導体層103を汚染することを防止することである。
第2下地膜102の上には半導体層103が形成される。この半導体層103は第2下地膜102に上にCVDによってa-Si膜を形成し、これをレーザアニールすることによってpoly-Si膜に変換したものである。このpoly-Si膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
半導体膜103の上にはゲート絶縁膜104が形成される。このゲート絶縁膜104はTEOS(Tetraethyl Orthosilicate)を原料とするSiO膜である。この膜もCVDによって形成される。その上にゲート電極105が形成される。ゲート電極105は図1に示す走査線11が兼ねている。ゲート電極105は例えば、MoW膜によって形成される。ゲート電極105あるいは走査線11の抵抗を小さくする必要があるときはAl合金をTi等でサンドイッチしたものが使用される。
ゲート電極105はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をpoly-Si層にドープしてpoly-Si層にソースSあるいはドレインDを形成する。
その後、ゲート電極105を覆って層間絶縁膜106をSiOあるいはSiNで形成する。層間絶縁膜106はゲート電極105とコンタクト電極107、あるいは、走査線11と映像信号線12を絶縁するためである。層間絶縁膜106およびゲート絶縁膜104には、映像信号線12と半導体層103とを接続するためにスルーホール131が形成され、また、半導体層103とコンタクト電極107を接続するためのスルーホール132が形成される。
映像信号線12とコンタクト電極107の間には、半導体層103が走査線11の下を2回通過することによって形成される、ダブルゲートのTFTが形成されている。層間絶縁膜106とゲート絶縁膜104にスルーホール131、132を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
層間絶縁膜106の上にコンタクト電極107が形成される。コンタクト電極107は、スルーホール130を介して画素電極112と接続する。コンタクト電極107および映像信号線12は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極107および映像信号線(以後コンタクト電極107で代表させる)は、抵抗を小さくするために、例えば、AlSi合金が使用される。AlSi合金はヒロックを発生したり、Alが他の層に拡散したりするので、例えば、TiあるいはMoW等によるバリア層、およびキャップ層によってAlSiをサンドイッチする構造がとられている。
コンタクト電極107を覆って無機パッシベーション膜(絶縁膜)108を被覆し、TFT全体を保護する。無機パッシベーション膜108は第1下地膜101と同様にCVDによって形成される。無機パッシベーション膜108を覆って有機パッシベーション膜109が形成される。有機パッシベーション膜109は、透明な感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜109は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜109は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜109の膜厚は1.5~4.5μmであるが、多くの場合は2μm程度である。
画素電極112とコンタクト電極107との導通を取るために、有機パッシベーション膜109にスルーホール130が形成される。その後コモン電極110となる透光性の導電材料であるITO(Indium Tin Oxide)をスパッタリングによって形成し、スルーホール130およびその周辺からITOを除去するようにパターニングする。コモン電極110は各画素共通に平面状に形成することが出来る。
その後、容量絶縁膜111となるSiNをCVDによって全面に無機絶縁膜として形成する。その後、スルーホール130内において、コンタクト電極107と画素電極112の導通をとるためのスルーホールを容量絶縁膜111および無機パッシベーション膜108に形成する。容量絶縁膜111は、コモン電極110と画素電極112の間に保持容量を形成するものであるから、容量絶縁膜と呼ばれる。
その後、ITOをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極112を形成する。画素電極112の形状は図2に示したとおりである。画素電極112の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜113を形成する。配向膜113の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。
画素電極112とコモン電極110の間に電圧が印加されると図3に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子301を回転させ、液晶層300を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。図3に示すように、画素電極112とコモン電極110との間に形成される電界は、TFT基板10側で強く、対向基板20で弱い。したがって、対向基板20側における液晶分子301の応答速度が遅くなる。本発明は、後で説明するように、対向基板20側に平面で視てストライプ状のリブ204を形成することによって対向基板20側における液晶分子301の応答速度の低下を防止している。
図3において、液晶層300を挟んで第2絶縁基板であるガラス基板200を有する対向基板20が配置されている。対向基板20の内側には、カラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ201とカラーフィルタ201の間にはブラックマトリクス202が形成され、画像のコントラストを向上させている。
カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。本発明の特徴は、オーバーコート膜203にリブ204を形成し、このリブ204によって、対向基板20側における液晶分子301の応答速度の低下を防止していることである。
オーバーコート膜203の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜205が形成される。配向膜205の配向処理はTFT基板10側の配向膜113と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
図4は対向基板20の平面図であり、図2の画素部分に対応している。図4において、ブラックマトリクス202に開口部が形成され、この部分にカラーフィルタが形成されている。開口部202は、TFT基板10に形成された画素電極112に対応して、屈曲した長方形の形となっている。
図4において、図2の画素電極112の櫛歯電極に対応して、平面で視てストライプ状のリブ204が形成されている。リブ204は、櫛歯電極の直線部に沿って形成され、櫛歯電極の屈曲部には形成されない。この範囲は、櫛歯電極の屈曲部を挟んでy方向にh4である。h4の範囲にはドメイン境界が発生するので、リブ204による高速駆動の効果が期待できないからである。
図5は、リブ204の形状を示す図4のA-A断面図である。図5において、リブ204の高さthは0.05μm乃至0.5μmであり、典型的には0.1μm乃至0.2μmである。リブ204の幅w2は、櫛歯電極の幅の1/2程度である。櫛歯電極の幅が例えば2μmとした場合、リブ204の幅twは例えば1μmである。リブ204の幅w2は櫛歯電極の幅w1の20%乃至80%に選定される。
図6は図4のB-B断面図である。リブ204の長さh2は櫛歯電極の直線部の長さにしたがって、変化するが、櫛歯電極の屈曲部には形成されない分、リブ204は櫛歯電極よりも短い。
リブ204は、オーバーコート膜203と同時に形成される。すなわち、オーバーコート膜203をリブ204の分、厚く形成し、その後、ハーフエッチング技術を用いてリブ204の部分をthの高さで形成する。通常は、オーバーコート膜203の表面は、レベリング効果によって平坦となっている。オーバーコート膜203の表面が、ブラックマトリクスあるいはカラーフィルタの凹凸にしたがって、凹凸となっている場合もあるが、この凹凸の周期は、本発明によるリブ204の幅に比べればはるかに大きいので、区別は可能である。
図7は、本発明の原理を示す断面図である。図7は原理図であるから、詳細断面構造は省略されている。図7において、TFT基板側には、平面状にコモン電極110が形成され、その上に容量絶縁膜111が形成されている。容量絶縁膜111の上に画素電極112が形成され、画素電極112を覆って配向膜113が形成されている。
対向基板側には、カラーフィルタ201とブラックマトリクス202が形成され、カラーフィルタ201とブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203の、TFT基板側の画素電極112と対応する部分にリブ204が形成されている。図7においては、リブ204の断面は3角形であるが、これは、リブ204の作用をわかり易くするためであり、実際のリブ204の断面形状は図5のようになることが多い。リブ204及びオーバーコート膜203を覆って配向膜205が形成されている。
図7において、液晶分子301はホモジニアス配向をしており、基板と平行に配向している。しかし、対向基板側において、リブ204が存在する部分は、リブ204の影響によって液晶分子301が傾いている。この傾きの方向は、櫛歯電極の延在方向と直角方向である。すなわち、画素電極112に電圧が印加された場合の液晶301の動きを補助する方向に傾いている。したがって、画素電極112に電界が印加された場合、液晶分子301は、電界の方向に迅速に配向する。つまり、応答速度を上げることが出来る。
しかし、リブ204の部分では、電界が印加されない場合でも液晶分子301が傾いているので、黒のレベルが上昇する。すなわち、コントラストが低下する。本発明では、リブ204の高さ及び幅を所定の範囲に設定することによって、液晶の傾きを制御し、コントラストの低下を許容範囲内に抑えている。
図8は、図2に示すTFT基板10側の構成に、図4に示す対向基板20側の構成を重ねあわせた状態を示す平面図である。図8において、画素電極112等が形成されたTFT基板10側の構成は図2で説明したとおりである。画素電極112は対向基板20に形成されたブラックマトリクス202の窓部分(開口部)に存在している。TFT基板10において、画素電極112が形成された領域以外は、対向基板20に形成されたブラックマトリクス202によって覆われ、コントラストの向上を図っている。
図8において、画素電極112の櫛歯電極に対応して対向基板20に形成されたリブ204が配置している。リブ204は各櫛歯電極に対応して形成されている。リブ204部分には、図7に示すように、液晶分子301が基板平面に対して傾いて配向し、画素電極112とコモン電極110の間に電圧が印加された場合に、対向基板20側における液晶分子301の応答が迅速になるようにしている。
図9は、画素電極112付近のTFT基板10と対向基板20の関係を示す拡大図である。図9では、わかり易くするために、画素電極112、ブラックマトリクス202、リブ204等以外の要素は省略されている。図9において、櫛歯電極の直線部分に沿ってリブ204が形成されている。リブ204の長さh2は、櫛歯電極の長さh1よりもh3だけ短い。櫛歯電極の屈曲部分にはドメイン境界が形成されるので、リブ204を形成すると、ドメイン境界でのコントラストをさらに低下させるからである。
図4において、h4は、2×h3×COSθである。θは櫛歯電極のy方向に対する傾きである。h4の値は、設計によって変化するが、例えば、櫛歯電極の幅が2μm、リブの幅が1μm、θが10度の場合は、1μm程度でよい。h4の値も、液晶の応答速度とコントラストの兼ね合いで決めることが出来る。
図9において、リブ204の幅w2は櫛歯電極の幅w1よりも小さく、w2/w1は20%から80%である。また、リブ204の高さは0.1μm乃至0.2μmである。この程度のリブ204であれば、コントラストを大幅に劣化させることは無い。一方、このリブ204によって、対向基板付近における液晶の応答速度を向上させることが出来る。
図10は、本実施例における実施例2の形態を示す平面図である。図10が図8と異なる点は、3本の櫛歯電極の内、真ん中の櫛歯電極に対応する部分には、対向基板20にリブ204が形成されていないことである。すなわち、リブ204が存在すると、コントラストの低下が若干生ずるために、図8は、中央の櫛歯電極にはリブ204を形成しないことによって、コントラストの低下を最小限に抑えた構成である。
図11は、図10の画素電極112付近の拡大図である。図11では、わかり易くするために、画素電極112、ブラックマトリクス202、リブ204等以外の要素は省略されている。図11が図9と異なる点は、中央の櫛歯電極に対応する部分には、リブ204が形成されていないことである。つまり、櫛歯電極の幅、長さと、リブ204の幅、長さ等の関係は図9と同じである。
図11において、画素電極112のスリットの幅d1は、画素電極112とブラックマトリクス202の間隔d3よりも大きい。つまり、仮に、リブ204によってコントラストが低下するような場合であっても、リブ204付近には、ブラックマトリクス202が形成されているので、コントラストの低下を抑えることが出来る。
一方、中央の櫛歯電極に対応する部分には、リブ204が形成されていないので、コントラストの低下は無い。つまり、図11のような構成によって、液晶分子301の応答速度を上げることが出来るとともに、コントラストの低下を最小限に抑えることが出来る。
なお、d3を小さくするということは、画素の透過率が小さくなるという懸念が生ずる。本発明では、図2に示すように、画素電極112のスリットの間隔d1を画素電極112と映像信号線12との間隔d2よりも大きくすることによって、図11において、d3を小さくしても、画素の透過率が大きく低下しないようにしている。
このように、本発明によれば、コントラストの低下を防止しつつ、応答速度の向上を図ることが出来る。また、必要な液晶分子の応答速度に合わせて、コントラストの低下を抑制するような種々の構成を実現することが出来る。
図12は、本発明の実施例3の動作を示す断面図である。図12が実施例2における図10と異なる点は、ブラックマトリクス202が画素の両脇に形成されたリブ204を覆うように形成されていることである。リブ204の存在によって、対向基板20付近の液晶分子301の応答速度が改善される。一方、リブ204付近は液晶分子301の配向が乱れるので、コントラストを低下させる。したがって、この領域をブラックマトリクス202によって覆うことにより、コントラストの低下を抑制することが出来る。
図12において、平面で視て、ブラックマトリクス202の端部はリブ204の端部と一致している。一方、画素電極112の櫛歯電極の幅は、リブ204の幅よりも大きいので、平面で視て、画素電極204の櫛歯電極の一方の端部がブラックマトリクス202よりも画素の内側に突出している。
図13は、本発明の実施例3を示す平面図である。図13においても、3本の櫛歯電極の内、中央部の櫛歯電極と対応する部分にはリブ204が形成されていない。一方、両側の櫛歯電極に対応してリブ204が形成されている。しかし、このリブは、対向基板20に形成されたブラックマトリクス202によって覆われている。この点が実施例2における図10と異なる。
図14は、平面で視た場合の、画素電極112付近のTFT基板10と対向基板20の関係を示す拡大図である。図14では、わかり易くするために、画素電極112、ブラックマトリクス202、リブ204等以外の要素は省略されている。図14の基本的な構成は図11と同様であるが、対向基板20に形成されたブラックマトリクス202がリブ204を覆っている。言い換えると、対向基板20において、リブ204の下にブラックマトリクス202が形成されている。
図14において、リブ204の端部とブラックマトリクス202の端部は略一致している。ブラックマトリクス202のパターニングもリブ204のパターニングもフォトリソグラフィによって行われるので、比較的正確にパターニング出来る。一方、画素の透過率は、分布があり、画素電極112の櫛歯電極の端部において最も大きい。したがって、ブラックマトリクス202は、画素電極112の櫛歯電極の内側の端部は覆わないほうが、透過率には有利である。
このためには、例えば、両側の櫛歯電極と対応して形成されるリブ204は、図14のx方向において、櫛歯電極の中心よりもリブ204の中心が外側に存在したほうが良い。このような構成によって、駆動速度は高速を保ったまま、透過率の低下を小さくすることが出来る。
図14では、リブ204による液晶の配向の乱れによるコントラストへの影響はブラックマトリクス202の存在によって半減されている。一方、液晶の応答速度は、実施例2と同様である。但し、図14では、ブラックマトリクス202がリブ204を覆うように、大きな面積で形成されているので、画素の透過率が低下する。
実施例1の構成は、液晶の応答速度の改善には、最も効果があるが、コントラストの低下に注意が必要な場合がある。図3は、コントラストへの影響は最も少ないが、画素の透過率、すなわち、明るさの低下を伴う。実施例2はその中間である。このように、実施例1乃至3のいずれを使用するかは、液晶の応答速度、コントラスト、明るさを勘案して、液晶表示装置の用途によって決めればよい。
実施例1乃至3は、画素電極112で櫛歯電極が3本の場合について説明した。本発明は、櫛歯電極が3本以外の場合についても同様に適用することが出来る。また、実施例1乃至3では、1画素内において、櫛歯電極112が屈曲することによって、視野角の均一化を図る、いわゆるデュアルドメイン方式について説明した。本発明は、デュアルドメインに限らず適用することが出来る。
図15は、画素電極112に櫛歯電極が2本存在する場合の例である。また、図15は、いわゆる疑似デュアルドメインと呼ばれる方式である。図15において、上側の画素における櫛歯電極はy軸に対して反時計回りに傾いており、下側の画素における櫛歯電極はy軸方向に対して時計回りに傾いている。これによって、視野角特性を均一にしている。
実施例1乃至3では、1画素内に2個のドメインを形成することによって視野角を均一化しているのに対して、図15では、2個の画素間で液晶の配向が異なる領域を形成するので、疑似デュアルドメイン方式とよばれている。図15の構成においては、実施例1乃至3における櫛歯電極の屈曲部に形成されるようなドメイン境界が発生しないので、画素の透過率には有利である。
図15は、図をわかり易くするために、画素電極112、走査線11、映像信号線12以外は省略している。図15において、走査線11が横方向(x方向)に延在し、映像信号線12が縦方向(y方向)に延在し、走査線11と映像信号線12とで囲まれた領域に画素電極112が形成されている。図15において、画素電極112の櫛歯電極は、液晶の配向軸方向ALに対してθだけ傾いている。θの向きが画素の上側と下側とで異なっていることによって、視野角を均一にしている。
図15において、スリットのx方向の幅d1は、画素電極112と映像信号線12との間のx方向の間隔d2よりも大きい。この関係は、実施例1の図2と同様であり、本発明の特徴の一つである。
図16は、ブラックマトリクス202及びリブ204が形成された対向基板20をTFT基板10と重ね合わせた場合の平面図である。図16において、対向基板20に形成されたブラックマトリクス202の開口部に対応してTFT基板10に形成された画素電極112が存在している。画素電極112は2本の櫛歯電極を有しており、櫛歯電極に対応して、対向基板20にリブ204が形成されている。
リブ204の断面形状は図5及び図6で説明したのと同様である。また、リブ204の幅と、画素電極112の幅の関係も実施例1で説明したのと同様である。図16において、リブの長さh2は櫛歯電極の長さh1と同じである。図16では、実施例1等とは異なり、櫛歯電極が屈曲していないので、櫛歯電極に沿ったドメイン境界は発生しない、したがって、櫛歯電極の全長にわたって本発明のリブ204を形成し、液晶の応答速度を向上させることが出来る。ただし、リブ204の長さh1は、櫛歯電極の長さh2の範囲内で任意に形成することが出来る。
図16において、画素電極112に形成されたスリットのx方向の幅d1は、ブラックマトリクス202と画素電極112とのx方向の間隔d3よりも大きい。これによって、液晶の高速応答を実現しつつ、コントラストの低下を抑えることが出来る。このような構成は、図15に示すような画素電極112のスリット幅d1と画素電極112と映像信号線12との間隔d2を、d1>d2とするように設定することによってよりより容易に実現することが出来る。
図16のような構成において、画素の透過率を若干犠牲にしても、コントラストを維持し、かつ、液晶の応答速度を早くしたい場合は、実施例3で説明したように、両側の櫛歯電極に対応するリブ204をブラックマトリクス202で覆うことが出来る。
画面が高精細になると、画素の幅が小さくなり、スリットを形成できないほど、画素電極112の幅が小さくなる場合がある。このような場合、画素電極112が1本の櫛歯電極で構成される。すなわち、画素電極112が1本のストライプ状の電極になっている場合がある。本発明は、このような画素構成に対しても適用することが出来る。
図17は画素電極112が1本の櫛歯の場合の画素構成を示す平面図である。図17は説明を簡単にするために、画素電極112、走査線11、映像信号線12以下は記載されていない。なお、画素電極112の下方には、平面状にコモン電極110が形成されている。
図17において、走査線と映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成されている。画素電極112は1本櫛歯(ストライプ状)である。図17において、画素電極112がy方向に延在している。その代り、液晶の配向方向を決める配向軸ALは、y軸に対してθだけ傾いている。図17では、画素電極112の延在方向がy方向で、配向方向ALを傾けているが、逆に、配向方向ALをy方向にして、画素電極112を傾けても良い。
図18は、ブラックマトリクス202及びリブ204が形成された対向基板20をTFT基板10と重ねあわせた状態における平面図である。平面で視て、対向基板20に形成されたブラックマトリクス202の開口部に、ストライプ状の画素電極112が存在している。リブ204の断面形状は図5及び図6で説明したのと同様である。平面で視た、画素電極112の横方向(x方向)の幅w1とリブ204の幅w2の関係は実施例1で説明したのと同様である。
図18において、リブ204の縦方向(y方向)の長さは、画素電極112の縦方向の長さよりも短い。画素電極112の縦方向の先端付近には、ドメイン境界が発生するので、この部分には、リブ204が存在しない方が良い。したがって、画素電極112の先端からh5の距離にはリブは存在しない。つまり、画素電極112の長さh1はリブの長さh2よりも短い。h5は1μm程度でもよい。
図18の構成においても、対向基板20のリブ204付近では、電界を印加する前にあらかじめ液晶分子301が電界の印加方向に傾いているので、応答速度は速い。一方、コントラストの低下を抑えるように、リブ204の形状を制御しておく必要がある。
以上で、櫛歯が2本の場合と1本の場合について説明したが、櫛歯が4本以上の場合は、櫛歯が3本の場合に準じて構成すればよい。例えば、ブラックマトリクス202に最も近い櫛歯のみにリブ204を対応させ、中央部分の櫛歯にはリブ204を対応させないようにして、液晶分子301の応答速度とコントラストのバランスを取る等を行うことが出来る。このような構成は、実施例2及び実施例3の構成に準じて行えばよい。
また、本実施例に用いる液晶分子301はネガ液晶・ポジ液晶でも何れでも良く、ネガ液晶を用いた場合は高い透過率を低下させることなく、応答速度を向上させることができる。ポジ液晶を用いた場合はより応答速度を高めることができる。
さらに、本実施例ではコモン電極110と画素電極112は容量絶縁膜111を間に挟んで配置されているが、コモン電極と画素電極とが共通の絶縁膜上に形成されるものであっても良い。この場合、ブラックマトリクス202の開口部にコモン電極と画素電極があり、この場合のリブ204はコモン電極と画素電極の直上に形成される構成となる。
11…走査線、 12…映像信号線、 30…表示領域、 40…端子領域、 50…シール材、 10…TFT基板、 100…第1絶縁基板、 101…第1下地膜、 102…第2下地膜、 103…半導体層、 104…ゲート絶縁膜、 105…ゲート電極、 106…層間絶縁膜、 107…コンタクト電極、 108…無機パッシベーション膜、 109…有機パッシベーション膜、 110…コモン電極、 111…容量絶縁膜、 112…画素電極、 113…配向膜、 130…スルーホール、 131…スルーホール、 132…スルーホール、 20…対向基板、 200…第2絶縁基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 204…リブ、 205…配向膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、 500…フレキシブル配線基板、 AL…配向方向、 D…ドレイン、 S…ソース
Claims (18)
- コモン電極と画素電極と、が形成された画素を有するTFT基板と、対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素電極は第1の方向に延在する線状電極を有し、
前記対向基板には、平面で視て、前記線状電極と重複して、前記第1の方向に延在するリブが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記リブの幅は、前記線状電極の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記リブの前記第1の方向の長さは、前記線状電極の前記第1の方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記リブの高さは、前記0.1μm乃至0.2μmであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記リブはオーバーコート膜にオーバーコート膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記線状電極は屈曲部を有しており、前記屈曲部に対応する部分には、前記リブは形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は前記線状電極を複数有し、前記複数の線状電極の間には前記第1の方向に延在するスリットが存在していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- コモン電極の上に絶縁膜を挟んで画素電極が形成された画素を有するTFT基板と、ブラックマトリクスを有する対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
平面で視て、前記画素電極は、前記ブラックマトリクスの開口部に形成され、
前記画素電極は第1の方向に延在する3個以上の線状電極を有し、
前記3個以上の線状電極の間には前記第1の方向に延在するスリットが存在し、
前記対向基板には、平面で視て、前記線状電極と重複して、前記第1の方向に延在するリブが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記線状電極は3個存在していることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記スリットの前記第1の方向と直角の方向の幅は、平面で視た場合に、前記線状電極と前記ブラックマトリクスの開口部の端部との前記第1の方向と直角方向の距離よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記3個の線状電極において、平面で視て、外側の2個の線状電極と重複して前記リブが存在し、前記外側の2個の線状電極よりも内側の線状電極とは前記リブは重複していないことを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記3個以上の線状電極において、平面で視て、外側の線状電極と重複して前記リブか存在し、平面で視て、前記外側の線状電極と重複した前記リブと重複してブラックマトリクスが存在していることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記外側の線状電極よりも内側の線状電極には、平面で視て、前記リブは重複していないことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記リブはオーバーコート膜にオーバーコート膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
- 前記リブの幅は、前記線状電極の幅よりも小さいことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記リブの前記第1の方向の長さは、前記線状電極の前記第1の方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記リブの高さは、前記0.1μm乃至0.2μmであることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記線状電極は屈曲部を有しており、前記屈曲部に対応する部分には、前記リブは形成されていないことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置。
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JP2009216793A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
WO2011001566A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及び液晶表示装置 |
JP2015163908A (ja) * | 2012-06-21 | 2015-09-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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US20070216850A1 (en) * | 2004-05-28 | 2007-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate For Liquid Crystal Display And Liquid Crystal Display Unit |
JP2009216793A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
WO2011001566A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及び液晶表示装置 |
JP2015163908A (ja) * | 2012-06-21 | 2015-09-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
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