JP5156506B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、特に画面全体を所定の色度となるように画素の大きさを色毎に異ならせた場合に、容量のアンバランスによってフリッカー等が発生することを防止した液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子によって画素の光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

一般には液晶表示装置は赤、緑、青の画素から形成され、各画素は同じ大きさで形成されている。しかし、液晶表示装置の用途によっては、画面全体を特定の色合いとしたい場合がある。あるいは、赤、緑、青の画素の大きさを同じにした場合、白表示時に完全な白にならず特定の色合いに偏ってしまう場合があるので、これを補正したい場合がある。このような目的のために、赤、緑、あるいは青の画素の大きさを異ならせる手法がある。

「特許文献１」には、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置において、画面の色調を調整するために、赤、緑、あるいは青の画素の透過率を変化させる構成が記載されている。

「特許文献２」には、青画素を赤画素あるいは緑画素よりも大きくし、青画素の電極の数を増やした場合に、画素毎に容量が変化することによる問題を対策するために、ＴＦＴのゲート‐ソース容量（寄生容量）と全体容量との割合を一定とする構成が記載されている。

「特許文献３」には、場所によって液晶の層厚が異なった場合に、容量が変化することによる画像への影響を防止するために、補助容量を変化させる構成が記載されている。

特開２００７−１７６１９号公報 特開２０００−１６２６２７号公報 特開平７−３２５２８７号公報

画面を所定の色度とするために、画素電極の大きさを変化させると、画素電極の大きさに関連する容量も変化する。画像表示に関連する全容量をＣｔとすると、Ｃｔ＝Ｃｌｃ＋Ｃｓｔｇ＋Ｃｇｓのように表すことが出来る。ここで、Ｃｌｃは液晶層による容量であり、Ｃｓｔｇは対向電極（あるいは容量電極）と画素電極との容量（蓄積容量）であり、ＣｇｓはＴＦＴにおけるゲートとソース電極との容量である。

上記容量は、特に、ゲート電圧のＯＮ、ＯＦＦによって画素電極の電位が変動する電圧シフトに関連する。画素の大きさを色毎に変化させると、上記Ｃｔが変化することになり、電圧シフトが色毎に変化し、これはフリッカー等の原因となる。このような容量変化のうち、特に影響が大きいものが、Ｃｓｔｇである。

本発明の課題は、画像を所定の色度とするために、画素毎に画素のサイズを変化させた場合にもフリッカー等の問題を生じさせないような構成を実現することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、色度を調整するために、色毎に画素の大きさを変化させた場合、画質に対して特に影響の大きい、Ｃｓｔｇを画素間で同等の値に保ち、フリッカー等の問題の発生を防止するものである。具体的な手段は次のとおりである。

（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線とによって囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には、第１の面積を有する第１の画素と、前記第１の画素よりも面積の小さい第２の画素との２種類が存在する第１の基板と、前記第１の基板と対向してカラーフィルタおよび遮光膜が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記第１の画素において、櫛歯状の第１の電極と、絶縁膜と、前記第１の電極に対して前記絶縁膜を挟んで下方に形成された平面状の第２の電極とによって第１の容量が形成され、前記第２の画素において、櫛歯状の第１の電極および前記第１の電極から分岐した分岐電極と、絶縁膜と、前記第１の電極に対して前記絶縁膜を挟んで下方に形成された平面状の第２の電極とによって第２の容量が形成され、前記分岐電極は前記映像信号線を越えて、隣の画素にわたって形成され、前記第２の容量の大きさは、前記第１の容量の大きさの９０％から１１０％の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。

（２）前記分岐電極の延在する方向は、前記第１の基板における液晶初期配向方向と直角方向に対して、前記画素に電圧を加えた際の液晶回転方向に０度〜４５度の範囲であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（３）前記分岐電極は、前記第２の基板に形成された前記遮光膜によって覆われていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（４）前記第２の画素において、前記櫛歯状の第１の電極からはさらに第２の分岐電極が分岐しており、前記櫛歯状の第１の電極、前記分岐電極、および、前記第２の分岐電極と、前記絶縁膜と、前記第２の電極とによって第２の容量が形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（５）前記第２の分岐電極は、前記映像信号線を越えて隣の画素にわたって形成されていることを特徴とする（４）に記載の液晶表示装置。

（６）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線とによって囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には、第１の面積を有する第１の画素と、前記第１の画素よりも面積の小さい第２の画素との２種類が存在する第１の基板と、前記第１の基板と対向してカラーフィルタおよび遮光膜および対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記第１の画素において、画素電極と、絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記画素電極よりも下方に形成された容量電極とによって第１の容量が形成され、前記第２の画素において、画素電極と、絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記画素電極よりも下方に形成された容量電極とによって第２の容量が形成され、前記第２の画素の前記画素電極の一部は、前記映像信号線を越えて、隣の画素にわたって形成され、前記第２の容量の大きさは、前記第１の容量の大きさの９０％から１１０％の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。

本発明によれば、画像の色度を画素面積を異ならせることによって調整を行う方式において、異なる面積を有する画素間において、各画素に形成される蓄積容量を一定とする、あるいは、所定の範囲内とすることによって、画素面積が異なることによる電圧シフト等の問題を軽減することが出来る。

以下実施例にしたがって、本発明の内容を詳細に説明する。

液晶表示装置は視野角特性が問題である。ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、液晶分子を横方向の電界によって回転させることによって液晶層を透過する光を制御するもので、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳにも種々の方式が存在するが、本実施例では、一方の電極が櫛歯状の透明電極であり、他方の電極が平面ベタ（平面状）で形成された透明電極であるタイプのＩＰＳ方式に本発明を適用した場合について説明する。

図１は本発明が適用されるＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。図１において、ガラスで形成されるＴＦＴ基板１００の上に、ゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１は走査線５００と同層で形成されている。ゲート電極１０１はＡｌＮｄ合金の上にＭｏＣｒ合金が積層されている。

ゲート電極１０１を覆ってゲート絶縁膜１０２がＳｉＮによって形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上に、ゲート電極１０１と対向する位置に半導体層１０３がａ−Ｓｉ膜によって形成されている。ａ−Ｓｉ膜はプラズマＣＶＤによって形成される。ａ−Ｓｉ膜はＴＦＴのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでａ−Ｓｉ膜上にソース電極１０４とドレイン電極１０５が形成される。なお、ａ−Ｓｉ膜とソース電極１０４あるいはドレイン電極１０５との間には図示しないｎ＋Ｓｉ層が形成される。半導体層１０３とソース電極１０４あるいはドレイン電極１０５とのオーミックコンタクトを取るためである。

ソース電極１０４は映像信号線６００が兼用し、ドレイン電極１０５は画素電極１１０と接続される。ソース電極１０４もドレイン電極１０５も同層で同時に形成される。本実施例では、ソース電極１０４あるいはドレイン電極１０５はＭｏＣｒ合金で形成される。ソース電極１０４あるいはドレイン電極１０５の電気抵抗を下げたい場合は、例えば、ＡｌＮｄ合金をＭｏＣｒ合金でサンドイッチした電極構造が用いられる。

ＴＦＴを覆って無機パッシベーション膜（絶縁膜）１０６がＳｉＮによって形成される。無機パッシベーション膜１０６はＴＦＴの、特にチャネル部を不純物から保護する。無機パッシベーション膜１０６の上には有機パッシベーション膜（絶縁膜）１０７が形成される。有機パッシベーション膜１０７はＴＦＴの保護と同時に表面を平坦化する役割も有するので、厚く形成される。厚さは１μｍから４μｍである。

有機パッシベーション膜１０７には感光性のアクリル樹脂、シリコン樹脂、あるいはポリイミド樹脂等が使用される。有機パッシベーション膜１０７には、画素電極１１０とドレイン電極１０５とが接続する部分にスルーホールを形成する必要があるが、有機パッシベーション膜１０７は感光性なので、フォトレジストを用いずに、有機パッシベーション膜１０７自体を露光、現像して、スルーホールを形成することが出来る。

有機パッシベーション膜１０７の上には対向電極１０８が形成される。対向電極１０８は透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を表示領域全体にスパッタリングすることによって形成される。すなわち、対向電極１０８は面状に形成される。対向電極１０８を全面にスパッタリングによって形成した後、画素電極１１０とドレイン電極１０５とを導通するためのスルーホール部だけは対向電極１０８をエッチングによって除去する。

対向電極１０８を覆って上部絶縁膜１０９がＳｉＮによって形成される。上部絶縁膜１０９が形成された後、エッチングによってスルーホールを形成する。この上部絶縁膜１０９をレジストにして無機パッシベーション膜１０６をエッチングしてスルーホール１１１を形成する。その後、上部絶縁膜１０９およびスルーホール１１１を覆って画素電極１１０となるＩＴＯをスパッタリングによって形成する。スパッタリングしたＩＴＯをパターニングして画素電極１１０を形成する。画素電極１１０となるＩＴＯはスルーホール１１１にも被着される。スルーホール１１１において、ＴＦＴから延在してきたドレイン電極１０５と画素電極１１０とが導通し、映像信号が画素電極１１０に供給されることになる。

画素電極１１０は櫛歯状の電極である。櫛歯状の電極と櫛歯状の電極との間はスリット１１２となっている。対向電極１０８には基準電圧が印加され、画素電極１１０には映像信号による電圧が印加される。画素電極１１０に電圧が印加されると図１に示すように、電気力線が発生して液晶分子３０１を電気力線の方向に回転させてバックライト７００からの光の透過を制御する。画素毎にバックライト７００からの透過が制御されるので、画像が形成されることになる。なお、画素電極１１０の上には液晶分子３０１を配向させるための配向膜１１３が形成されている。

図１において、平面状の対向電極１０８と櫛歯状の画素電極１１０との間に蓄積容量Ｃｓｔｇが形成される。Ｃｓｔｇはゲート電圧がＯＮ、ＯＦＦするときに画素電極１１０の電位が影響を受ける、いわゆる電圧シフトを緩和する働きを有する。画素の大きさを変えることは、画素電極１１０の大きさを変えることと同じであるので、Ｃｓｔｇも変化することになる。そうすると、画素毎に電圧シフトの値が変化する。これを防止するために、本発明では、図２に示すように、幅の狭い画素電極１１０に対して分岐電極を設け、Ｃｓｔｇを他の画素と同程度としている。

図１の例では、有機パッシベーション膜１０７の上に、面状に形成された対向電極１０８が配置され、上部絶縁膜１０９の上に櫛歯電極１１０が配置されている。しかしこれとは逆に、有機パッシベーション膜１０７の上に面状に形成された画素電極１１０を配置し、上部絶縁膜１０９の上に櫛歯状の対向電極１０８が配置される場合もある。ただし、以下の説明では、上側の櫛歯電極が画素電極１１０、下側の平面ベタ電極が対向電極１０８であるとして説明する。

図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタ２０１が形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１との間には遮光膜２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、遮光膜２０２はＴＦＴに対する遮光膜２０２としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。

カラーフィルタ２０１および遮光膜２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１および遮光膜２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜２０３の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成されている。なお、図１はＩＰＳであるから、対向電極１０８はＴＦＴ基板１００側に形成されており、対向基板２００側には形成されていない。

図１に示すように、ＩＰＳでは、対向基板２００の内側には導電膜が形成されていない。そうすると、対向基板２００の電位が不安定になる。また、外部からの電磁ノイズが液晶層３００に侵入し、画像に対して影響を与える。このような問題を除去するために、対向基板２００の外側に表面導電膜２１０が形成される。表面導電膜２１０は、透明導電膜であるＩＴＯをスパッタリングすることによって形成される。

図１のような画素電極１１０、ＴＦＴ等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板１００と、カラーフィルタ２０１等が形成された対向基板２００との間に液晶を挟持する構成を液晶表示パネルという。また、図１において、ＴＦＴ基板１００の背面にはバックライト７００が配置されている。また、図示していないが、ＴＦＴ基板１００の背面と対向基板２００の前面とに、それぞれ偏光板が配置される。必要に応じて、位相差板も配置される。

図２は実施例１の平面図である。図２において、走査線５００が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線６００が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線５００と映像信号線６００とによって囲まれた領域が画素となっている。

図２において、画素は通常の大きさの画素Ａと通常の大きさの画素Ａよりも大きさの小さい画素Ｂとから構成されている。画素Ａの幅はＡＡで、画素Ｂの幅はＢＢである。図２のような配置は、４個の画素が一組と成っていると考えてもよいし、画素の大きさの異なるペアの画素が特定ピッチで配置されていると考えてもよい。

図２において、通常の画素Ａも、小さな画素Ｂも画素電極１１０は先端が閉じた櫛歯状の電極である。但し、画素Ａは櫛歯が５本であるのに対し、画素Ｂは櫛歯が４本である。画素電極１１０の下には、上部絶縁膜１０９を介して、図示しない平面ベタで形成された対向電極１０８が形成されている。画素電極１１０と対向電極１０８との間に蓄積容量Ｃｓｔｇが形成される。

画素Ｂにおける画素電極１１０の大きさは画素Ａにおける画素電極１１０の大きさよりも小さいので、蓄積容量Ｃｓｔｇの大きさも画素Ｂのほうが画素Ａよりも小さくなる。そうすると、画素間で、電圧シフトが異なることになり、フリッカー等の原因となる。

画素間のＣｓｔｇのアンバランスを解消するために、画素Ｂに対して、２つの分岐電極、第１分岐電極１１０１、第２分岐電極１１０２を設け、Ｃｓｔｇを画素Ａと同程度としている。図２の画素Ｂにおいて、第１分岐電極１１０１は画素Ｂの左上に形成され、第２分岐電極１１０２は画素Ｂの右下に形成されている。すなわち、分岐電極の分、対向電極１０８との対向面積が大きくなるので、Ｃｓｔｇを大きくすることが出来る。

画素ＢのＣｓｔｇの大きさをＢＣｓｔｇとし、画素ＡのＣｓｔｇの大きさをＡＣｓｔｇとした場合、画素Ｂに第１分岐電極１１０１、第２分岐電極１１０２を設けることによって、０．９ＡＣｓｔｇ≦ＢＣｓｔｇ≦１．１ＡＣｓｔｇの範囲に設定することが好ましい。

本実施例においては、図２に示すように、第１分岐電極１１０１および第２分岐電極１１０２は映像信号線６００を超えて隣の画素にまではみ出している。こうすることによってＣｓｔｇを必要量確保することが出来る。なお、場合によっては、第１分岐電極１１０１あるいは第２分岐電極１１０２の一方のみを隣の画素にはみ出させてもよい。なお、このはみ出した部分は、対向基板２００の遮光膜２０２によって覆われているので、画像形成には影響を与えない。尚、分岐電極の数は本実施例のような１画素当たり２つに限定されず、１画素当たり、１つのみ、あるいは、３つ以上設けてもよい。

図２において、映像信号線６００と画素電極１１０との間にＴＦＴが形成されている。図２において、ＴＦＴのゲート電極１０１は、走査線５００が分岐して形成されている。ゲート電極１０１を覆って半導体層１０３が形成されている。ＴＦＴのソース電極１０４は映像信号線６００が兼用している。ドレイン電極１０５は画素電極１１０の下層に、画素電極１１０とオーバーラップして形成されている。ソース電極１０４とドレイン電極１０５との間にチャネル部１０３１が形成されている。ドレイン電極１０５と画素電極１１０とはスルーホール１１１によって導通している。

図２において、矢印ＡＬは液晶の初期配向方向を決めるラビング方向である。液晶分子３０１はこのラビング方向ＡＬに沿って配向する。画素電極１１０と対向電極１０８との間に電圧が印加されると、液晶分子３０１は矢印のように回転する。図２では、画素に電圧を印加した際の液晶の回転方向が時計回りの場合を図示している。

画素Ｂにおける第１分岐電極１１０１および第２分岐電極１１０２は、対向基板２００に形成された遮光膜２０２によって覆われているので、第１分岐電極１１０１および第２分岐電極１１０２による画像への影響は無い。ただし、対向基板２００に人間が接触したような場合に、ドメインが形成されて画像に影響が及ぶのを防止するために、第１分岐電極１１０１および第２分岐電極１１０２のラビング方向ＡＬに対する角度を規定する必要がある。

図３は画素Ｂにおいて、第１分岐電極１１０１を例にとって、分岐電極の角度とラビング方向ＡＬの関係を説明する図である。図３において、画素Ｂにおける画素電極１１０から第１分岐電極１１０１が左上方向に分岐している。図３の矢印ＡＬはラビング方向である。第１分岐電極１１０１の延在する方向と、ラビング方向（液晶初期配向方向）ＡＬと直角の方向とのなす角度がθである。図３におけるθの値を、画素に電圧を加えた際の液晶回転方向（本実施例の場合は時計回り）に０度から４５度の範囲内に設定することによってドメインの発生を防止することが出来る。尚、液晶回転方向は、液晶初期配向方向、画素電極１１０の櫛歯の延在方向、液晶の種類（ポジ型かネガ型）によって決まるものであるため、反時計回りの場合もありうる。

図３は第１分岐電極１１０１について説明したものであるが、画素Ｂの右下に形成される第２分岐電極１１０２についても同様である。すなわち、第１分岐電極１１０１と第２分岐電極１１０２の延在する方向は、左上、右下の差があるのみで、平行であるから、第１分岐電極１１０１の延在方向の設定の手法がそのまま第２分岐電極１１０２の延在方向の設定に適用することが出来る。

以上説明したように、本実施例によれば、画素の面積を変えて、画像の色度を設定する場合、Ｃｓｔｇの値を変化させずにこれを行うことが出来るので、フリッカー等の問題を防止することが出来る。また、本実施例によれば、Ｃｓｔｇを所定の値の保つための第１分岐電極１１０１、第２分岐電極１１０２は遮光膜２０２によって覆われているので、画素電極１１０の透過率を変化させずに行うことが出来る。また、本実施例によれば、Ｃｓｔｇの設定を幅が狭い画素Ｂの画素電極１１０の形状を調整することだけで行うことが出来る。したがって、製造コストの上昇を伴わずにＣｓｔｇの調整を行うことが出来る。

本実施例は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式あるいは、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置に対して特定の色の画素の大きさを他の画素の大きさと変えることによって画像の色度を変化させるための構成の実施例である。画素は、図２に示すように、走査線５００と映像信号線６００によって囲まれた領域に形成される。そして、映像信号線６００に挟まれた画素の幅を変化させることによって画素の面積を変化させることは実施例１と同様である。

画素の面積が小さくなると、関連する容量が変化することにより、容量のアンバランスによってフリッカーが発生する問題も実施例１と同様である。本実施例は、ＴＮ方式あるいは、ＶＡ方式の液晶表示装置に対してこの問題を解決する構成を与えるものである。

図４は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。図４はＴＮ方式、ＶＡ方式に共通の断面構造である。ＶＡ方式では、液晶を特定角度に配向させるための配向制御突起等が形成されるが、図５では省略されている。

図５において、上部絶縁膜１０９の上には画素電極１１０が形成され、画素電極１１０の下には上部絶縁膜１０９を挟んで補助容量電極１２０が形成されている。補助容量電極１２０は、透明導電膜で形成できる。対向基板２００には、対向電極１０８が形成され、映像信号によってＴＦＴ基板１００上の画素電極１１０と対向基板２００上の対向電極１０８との間に発生する縦電界によって液晶分子の傾きを変化させて液晶層を通過する光を制御する。画素電極１１０の平面形状は、櫛歯上ではなく、平面状または平面状の一部にスリットが形成された形状である。図５におけるその他の構成は、図１と同様であるので、説明を省略する。

図５において、画素電極１１０の下には、上部絶縁膜１０９を挟んで補助容量電極１２０が形成されている。画素電極１１０と補助容量電極１２０との間でＣｓｔｇが形成される。本実施例においては、画素電極１１０と補助容量電極１２０とが対向する面積を調整することによって通常の画素の容量と、面積を小さくした画素の容量とを調整する。例えば、補助容量電極１２０の開口面積を調整したり、補助容量電極１２０に別の開口を形成して調整したり、画素電極１１０の面積を変えることで調整することが可能である。他には、例えば、画素Ａよりも大きさが小さい画素Ｂにおいて、画素電極１１０の一部を映像信号線６００を越えて隣の画素にわたって形成することで調整が可能である。この場合、画素電極の一部がはみ出した分は対向基板２００の遮光膜２０２によって遮光することが望ましい。

この場合、通常の大きさの画素における蓄積容量をＡＣｓｔｇとし、面積の小さな画素における蓄積容量をＢＣｓｔｇとした場合、本実施例においては、ＢＣｓｔｇの大きさをＡＣｓｔｇの大きさの９０％から１１０％の範囲内となるように、調整をする。

図５においては、Ｃｓｔｇを形成するために補助容量電極１２０を一層追加している。但し、補助容量電極１２０を一層追加することなく、Ｃｓｔｇの調整をすることも可能である。すなわち、補助容量電極１２０を走査線５００と同じ層で形成し、有機パッシベーション膜１０７等にＣｓｔｇ形成のためのスルーホールを形成して、ゲート絶縁膜を介してＣｓｔｇを形成することが出来る。

以上説明してきた本発明の構成は、赤画素、緑画素、青画素が並列して配置されている通常の画素配置のみでなく、図２で図示したように、赤画素、緑画素、青画素の他に、画面の輝度にのみ貢献する白画素が形成されているような画素配置を有する液晶表示装置についても適用することが出来る。

実施例１の液晶表示装置の断面図である。 実施例１の画素構成の平面図である。 画素部の一部詳細平面図である。 実施例２の液晶表示装置の断面図である。

符号の説明

１００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０３…半導体層、 １０４…ソース電極、 １０５…ドレイン電極、 １０６…無機パッシベーション膜、 １０７…有機パッシベーション膜、 １０８…対向電極、 １０９…上部絶縁膜、 １１０…画素電極、 １１１…スルーホール、 １１２…スリット、 １１３…配向膜、 １２０…補助容量電極、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…遮光膜、 ２０３…オーバーコート膜、 ２１０…表面導電膜、 ２５０…表示領域、 ３００…液晶層、 ３０１…液晶分子、 ５００…走査線、 ６００…映像信号線、 ７００…バックライト、 １０３１…チャネル部、 １１０１…第１分岐電極、 １１０２…第２分岐電極、 ＡＬ…ラビング方向。

Claims (6)

1. 第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線とによって囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には、第１の面積を有する第１の画素と、前記第１の画素よりも面積の小さい第２の画素との２種類が存在する第１の基板と、前記第１の基板と対向してカラーフィルタおよび遮光膜が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１の画素において、櫛歯状の第１の電極と、絶縁膜と、前記第１の電極に対して前記絶縁膜を挟んで下方に形成された平面状の第２の電極とによって第１の容量が形成され、
   前記第２の画素において、櫛歯状の第１の電極および前記第１の電極から分岐した分岐電極と、絶縁膜と、前記第１の電極に対して前記絶縁膜を挟んで下方に形成された平面状の第２の電極とによって第２の容量が形成され、
   前記分岐電極は前記映像信号線を越えて、隣の画素にわたって形成され、
   前記第２の容量の大きさは、前記第１の容量の大きさの９０％から１１０％の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記分岐電極の延在する方向は、前記第１の基板における液晶初期配向方向と直角方向に対して、前記画素に電圧を加えた際の液晶回転方向に０度〜４５度の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記分岐電極は、前記第２の基板に形成された前記遮光膜によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２の画素において、前記櫛歯状の第１の電極からはさらに第２の分岐電極が分岐しており、前記櫛歯状の第１の電極、前記分岐電極、および、前記第２の分岐電極と、前記絶縁膜と、前記第２の電極とによって前記第２の容量が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２の分岐電極は、前記映像信号線を越えて隣の画素にわたって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線とによって囲まれた領域に画素が形成され、前記画素には、第１の面積を有する第１の画素と、前記第１の画素よりも面積の小さい第２の画素との２種類が存在する第１の基板と、前記第１の基板と対向してカラーフィルタおよび遮光膜および対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１の画素において、画素電極と、絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記画素電極よりも下方に形成された容量電極とによって第１の容量が形成され、
   前記第２の画素において、画素電極と、絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記画素電極よりも下方に形成された容量電極とによって第２の容量が形成され、
   前記第２の画素の前記画素電極の一部は、前記映像信号線を越えて、隣の画素にわたって形成され、
   前記第２の容量の大きさは、前記第１の容量の大きさの９０％から１１０％の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。

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