JP5469665B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、電極及び配線の形状に特徴が施された液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）は、複屈折性を有する液晶分子の配向を制御することにより光の透過／遮断（表示のオン／オフ）を制御する表示装置である。ＬＣＤの表示方式としては、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させた垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）モードや、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：In-Plane Switching）モード等が挙げられる。

このうち、ＩＰＳモードにおいては、液晶層に対して横電界を印加するために、電極及び配線に特徴が施される。一般的なＩＰＳモードの液晶表示装置は、基準電位が供給される共通電極と、表示すべき画素の電位が供給される画素電極とを有する（例えば、特許文献１〜４参照。）。また、走査用信号が供給される走査線、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等が設けられる。共通電極及び画素電極は、いずれも櫛歯形状をなし、各電極の櫛歯は相互にかみ合うように配置される。そして、画素電極と共通電極との間に形成される電界によって液晶を駆動する。

特開平１０−３０１１４１号公報 特開２０００−３５５９０号公報 特開２００３−２９５２０７号公報 特開２００６−３３０２１５号公報

このような電極及び配線が細く形成されるモードの液晶表示装置では、電極及び配線は、透過率を向上させる観点からできるだけ細く形成することが好ましい。しかしながら一方で、これら電極及び配線を細く形成しすぎると断線が生じることがあり、電極及び配線に対し必要な電位を供給することができなくなる場合がある。

図７３は、従来の液晶表示装置における断線の様子を表す平面模式図である。ここでは上記特許文献１をもとにＩＰＳモードの液晶表示装置について説明する。通常、ＩＰＳモードの液晶表示装置では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板に各種配線及び電極が設けられる。

図７３に示すように、ＴＦＴ基板は走査電極配線１２５及び第一の共通電極配線１２２を有している。走査電極配線１２５及び第一の共通電極配線１２２は同一平面上に形成されている。また、走査電極配線１２５及び第一の共通電極配線１２２上には絶縁膜が形成されており、該絶縁膜上には、信号電極配線１２４と、画素電極配線１２１と、第二の共通電極配線１２３とが形成されている。第一の共通電極配線１２２と第二の共通電極配線１２３とは電気的に接続されている。走査電極配線１２５、信号電極配線１２４及び画素電極配線１２１は、半導体素子であるＴＦＴ１２６を介してそれぞれ接続されている。ＴＦＴ１２６はスイッチング素子として機能する。画素電極配線１２１及び第二の共通電極配線１２３の線幅は、それぞれ５μｍである。

液晶層を介してＴＦＴ基板と対向する位置には、赤、緑及び青のカラーフィルタをもつ対向基板が配置されている。ＴＦＴ１２６がオンの間に、信号電極配線１２４から信号電位が画素電極配線１２１に供給される。その後、ＴＦＴ１２６が非選択（オフ）になった状態で、画素電極配線１２１の電位は保持され、第二の共通電極配線１２３との間で横方向の電界が発生する。この電界強度の大きさに応じて、基板面に対して水平方向の、ある一方向に配列した液晶分子の配列方向が平面内で異なる方向に変形し、結果として液晶層に入射した光の偏光状態が変化する。

ところが、図７３に示すように、画素電極配線１２１の×印で示す箇所に断線が生じた場合、断線によって孤立した箇所に対しては信号電位が供給されず、当該孤立した画素電極配線１２１とそれと対向する第二の共通電極配線１２３との間には電界が発生せず、図７３の斜線で示した箇所が透過に寄与しなくなり、結果としてこのように断線が発生した画素は黒点として認識される、又は、著しく輝度が低下した画素として認識されることになる。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、電極の断線が生じたとしても画素欠陥を生じさせない液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、電極又は配線の断線が生じたとしても問題が少ない液晶表示装置について種々検討したところ、電極又は配線の断線が起こったときにレーザーを用いて修正する手段に着目した。そして、電極又は配線の複数と重畳するように修正用の電極又は配線を追加で設けることで、断線が起こったときであっても、レーザー照射により該修正用の電極又は配線を溶解させ、導通を確保するような修正を行うことが可能となることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、液晶層及び上記液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、上記一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、上記液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、上記一対の基板のうち、上記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、絶縁膜を挟んで上記二以上の線状部の少なくとも二つと重畳するフローティング電極を有する液晶表示装置（以下、本発明の第一の液晶表示装置ともいう。）である。

本発明はまた、液晶層及び上記液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、上記一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、上記液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、上記一対の基板のうち、上記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、上記二以上の線状部の少なくとも二つを架橋する架橋電極を有し、上記架橋電極は、絶縁膜を挟んで上記液晶層に電圧を印加する電極と異なる層に配置されている液晶表示装置（以下、本発明の第二の液晶表示装置ともいう。）でもある。

本発明の第一及び第二の液晶表示装置は、液晶層及び上記液晶層を挟持する一対の基板を備える。上記一対の基板に配線、電極、半導体素子等を設けることで、液晶層内に電圧を印加し、液晶分子の配向性を制御することができる。液晶層は、正又は負の誘電率異方性をもつネマチック液晶分子で構成されていることが好ましい。誘電率異方性が正であるか負であるかによって、液晶表示装置の配向モードが異なる。本発明の第一及び第二の液晶表示装置の液晶制御モードとしては、例えば、ＶＡモード、ＩＰＳモード、ツイステッド・ネマチック（ＴＮ：Twisted Nematic）モード等が挙げられる。電界の方向が基板面に対して水平な方向（横電界）であるか、基板面に対して垂直な方向（縦電界）であるかは限定されない。上記一対の基板の液晶層と接する面には、配向膜を配置することで、液晶分子の初期傾斜を一定方向に規定することができる。液晶分子の初期傾斜が基板面に対して垂直方向であるか、水平方向であるかは限定されない。

上記一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、上記液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有する。液晶層に対し電圧を印加するための電極としては、信号電圧が供給される画素電極、共通電圧が供給される共通電極等が挙げられる。また、画素電極及び共通電極が一対設けられることで、画素電極と共通電極との間で形成される電界の影響により、液晶分子の傾きを制御することができ、これによって、液晶層を透過する光の複屈折の程度を制御することができる。また、上記液晶層に電圧を印加する電極は二以上の線状部を有しており、これにより液晶分子の傾きの精密な制御が可能となる。

本発明の第一の液晶表示装置において、上記一対の基板のうち、上記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、絶縁膜を挟んで上記二以上の線状部の少なくとも二つと重畳するフローティング電極を有する。上記フローティング電極は、他の導電部材と導通しておらず、電気的に孤立した電極をいう。そのため、上記フローティング電極と上記液晶層に電圧を印加する電極とは電気的に接続されておらず、かつ絶縁膜を介して互いに別の層に配置されていることになる。上記フローティング電極は、上記二以上の線状部の少なくとも二つと重畳していればよく、三つ以上と重畳していてもよい。また、上記二以上の線状部の全体と重畳している必要はなく、むしろ透過率の向上の観点から、上記フローティング電極は、上記二以上の線状部のそれぞれの一部と重畳していることが好ましい。このようにフローティング電極が二以上の線状部と重畳して配置されることで、線状部の一部に断線が起こってその断片が上記液晶層に電圧を印加する電極から分断されたとしても、他の断線が起こっていない線状部と上記フローティング電極とに対しレーザーを照射し、断線が起こっていない線状部とフローティング電極とを溶解して互いに電気的に導通させ、更に、上記断片とフローティング電極とに対しレーザーを照射し、上記断片とフローティング電極とを溶解して互いに電気的に接続させることで、上記断片に対し電気的な接続を確保するための修正を行うことができる。なお、断線により設計どおりの電圧が印加されないと、その画素は画素欠陥として、具体的には黒点として認識されることになり、液晶表示装置の表示品位が低下する。したがって、本発明の第一の液晶表示装置によれば、断線が起こったとしても容易に対処可能な液晶表示装置を得ることができる。また、これにより、透過率を向上する目的で上記二以上の線状部をより細く形成することも可能となる。

本発明の第二の液晶表示装置において、上記一対の基板のうち、上記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、上記二以上の線状部の少なくとも二つを架橋する架橋電極を有する。また、上記架橋電極は、絶縁膜を挟んで該液晶層に電圧を印加する電極と異なる層に配置されている。上記架橋電極は、他の導電部材と電気的に接続されており、ある導電部材と他の導電部材との電気的な導通を確保ことができる電極をいう。上記架橋電極は、上記二以上の線状部の少なくとも二つと重畳していればよく、三つ以上と重畳していてもよい。また、上記二以上の線状部の全体と重畳している必要はなく、むしろ透過率の向上の観点から、上記架橋電極は、上記二以上の線状部のそれぞれの一部と重畳していることが好ましい。このように上記二以上の線状部が架橋電極を介して互いに接続されていることで、線状部の一部で断線が起こり、上記液晶層に電圧を印加する電極から分断されたとしても、その断片と上記液晶層に電圧を印加する電極とが架橋電極を介して電気的な接続が確保されているため、画素欠陥とならない。したがって、本発明の第二の液晶表示装置によれば、断線が起こったとしても問題とならない信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。また、これにより、透過率を向上する目的で上記二以上の線状部を細く形成することも可能となる。

本発明の第一及び第二の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。

本発明の第一及び第二の液晶表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。

上記フローティング電極又は上記架橋電極は、線状であることが好ましい。上記二以上の線状部のそれぞれの一部と重畳させ、かつ透過率を確保する観点からは、細長い形状を有していることが好ましい。また、線状であれば、製造工程において他の構成部材を適切に形成されたか否かのアライメント調整の基準とすることができ、効率的である。

上記フローティング電極は、金属単体で構成されていることが好ましい。金属単体で構成される導電部材は、例えば、金属酸化物、金属窒化物等で構成される導電部材よりもレーザーの照射によって溶解しやすいので、より修正が容易となる。

上記フローティング電極又は上記架橋電極は、上記二以上の線状部のそれぞれの端部と重畳していることが好ましい。各線状部の端部と重畳させておくことで、断線が起こる可能性のある領域に対して修正可能な範囲をより広くカバーすることができるようになる。

上記フローティング電極の幅は、上記二以上の線状部のそれぞれの幅と略同一又はそれぞれの幅よりも広いことが好ましい。上記線状部をフローティング電極の幅以上に広く形成しておくことで、レーザー照射の対象となる範囲が広がり、レーザー照射による修正がより容易となる。また、フローティング電極自体の断線の可能性を低減させることができる。

上記フローティング電極の上記二以上の線状部と重畳する部位の幅は、上記フローティング電極の上記二以上の線状部と重畳しない部位の幅よりも広いことが好ましい。これにより、よりレーザー照射による修正が行いやすくなるとともに、上記二以上の線状部と重畳しない部位を細く形成することができるので、より透過率が向上する。

上記液晶表示装置は、複数のフローティング電極又は複数の架橋電極を有し、上記複数のフローティング電極又は上記複数の架橋電極は、少なくとも一つが上記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳し、他の少なくとも一つが上記二以上の線状部のそれぞれの他方の端部と重畳していることが好ましい。各線状部が二つの端部を有する場合には、両端部にフローティング電極を重畳させておくことが、レーザー照射の対象となる範囲が広がる点で良好である。また、両端部に架橋電極を重畳させておくことが、架橋電極によってカバーすることができる範囲が広がる点で良好である。

上記液晶表示装置は、複数のフローティング電極又は複数の架橋電極を有し、上記複数のフローティング電極又は上記複数の架橋電極は、少なくとも二つが上記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳していることが好ましい。フローティング電極の数を増やしておくことで、レーザー照射の対象となる選択肢が広がり、修正がより容易となる。また、架橋電極の数を増やしておくことで、断線による欠陥の発生の可能性を低減させることができる。

上記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、走査配線と信号配線とを有し、上記フローティング電極又は上記架橋電極は、走査配線と信号配線とで囲まれる範囲内に配置されていることが好ましい。サブ画素を走査配線と信号配線とで囲まれる範囲とし、液晶表示装置の表示画面をサブ画素を一つの単位として構成する場合、サブ画素の欠陥の修正という観点からは、上記フローティング電極又は架橋電極は、上記サブ画素内に収まっている、すなわち、サブ画素単位で形成されていることが好ましい。

上記フローティング電極は、上記液晶層に電圧を印加する電極よりも液晶層から遠い位置に配置されていることが好ましい。フローティング電極をこのように配置することで、上記フローティング電極を、上記液晶層に電圧を印加する電極に対する電界のシールド部材として用いることができ、例えば、他の配線及び電極の電位が変化することに基づく、上記液晶層に電圧を印加する電極の電位への影響を低減し、液晶層内の液晶分子の配向に乱れが生じることを抑制することができる。

上記二以上の線状部の端部は、遮光膜と重畳していることが好ましい。上記櫛型電極の櫛歯の端部と重畳する液晶層内の領域は配向乱れが起こりやすい領域であるので、そのような領域は遮光されていることが好ましい。

上記液晶層に電圧を印加する電極は、柄部と上記柄部から突出した二以上の櫛歯を有する櫛型電極であり、上記二以上の線状部は、上記二以上の櫛歯であることが好ましい。本発明によれば、上記液晶層に電圧を印加する電極を櫛型とした場合であっても、その櫛歯における断線の不具合を解消することができる。

上記液晶表示装置は、上記櫛型電極を一対有し、上記一対の櫛型電極は、互いの櫛歯が一定間隔を空けてかみ合わさっていることが好ましい。このような一対の櫛型電極間に電位差を与えたときに生じる電界は、アーチ状の横電界となる。液晶分子はこのような電界の向きに応じた配向性を示すため、基板面に対して正面方向と斜め方向とに関わらず同様の表示を示すことになり、広い視野角特性が得られる。また、このように横電界を発生させるタイプの制御方式では、一対の櫛型電極の一方の櫛歯が断線するのみでもう一方の櫛歯に対しても電界が形成されなくなり、広い範囲で電界が生じなくなるので、特に重度の画素欠陥となりやすい。これに対して本発明の特徴を加えることで、画素の欠陥が起こったとしても、容易に対処することが可能となり、信頼性の高い横電界方式の液晶表示装置が得られる。なお、上記一対の電極は、同一の層に形成されていても、異なる層に形成されていてもよい。

上記フローティング電極は、上記一対の櫛型電極の両方の櫛歯と重畳していることが好ましい。フローティング電極を一対の櫛型電極の櫛歯の両方と重畳させることができる場合には、一つのフローティング電極で両方の電極に対応させることが可能となり、効率的な構成となる。

上記フローティング電極又は上記架橋電極は、上記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯の数が多い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることが好ましい。櫛歯が多ければ多いほど断線は生じる可能性が高いので、上記一対の櫛型電極のうち、少なくとも櫛歯の数が多い方の櫛型電極とフローティング電極又は架橋電極とを重畳させておくことが好ましい。

上記フローティング電極又は上記架橋電極は、上記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯が細い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることが好ましい。櫛歯が細ければ細いほど断線は生じやすいので、上記一対の櫛型電極のうち、少なくとも櫛歯が細い方の櫛型電極とフローティング電極又は架橋電極とを重畳させておくことが好ましい。

本発明の液晶表示装置によれば、液晶層に電圧を印加する電極に断線が生じたとしても導通を確保するための修正を行う、又は、画素欠陥が起こることを抑制することが可能となる。

実施形態１−１、１−９及び１−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図１のＡ−Ｂ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態１−１の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示す。 実施形態１−１の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。 実施形態１−１の液晶表示装置において断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。 実施形態１−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態１−２の液晶表示装置において断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。 実施形態１−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態１−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態１−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図９のＣ−Ｄ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態１−５の液晶表示装置において断線が起こったときの平面模式図である。 実施形態１−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態１−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図１３のＥ−Ｆ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態１−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態１−９の液晶表示装置を表す図１のＡ−Ｂ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態１−１０の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示す。 実施形態１−１０の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。 実施形態２−１及び２−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図１８のＧ−Ｈ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図、及び、図４６のＭ−Ｎ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態２−１の液晶表示装置において画素電極に断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。 実施形態２−１の液晶表示装置において共通電極に断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。 実施形態２−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−５の液晶表示装置において断線が起こったときの平面模式図である。 実施形態２−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態２−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図３１のＩ−Ｊ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図、及び、図５５のＯ−Ｐ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態２−３において、フローティング電極の代わりに架橋電極を用いた形態を表す平面模式図である。 実施形態２−４において、フローティング電極の代わりに架橋電極を用いた形態を表す平面模式図である。 実施形態２−７において、フローティング電極の代わりに架橋電極を用いた形態を表す平面模式図である。 実施形態３−１、３−９及び３−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図３６のＫ−Ｌ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態３−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態３−９の液晶表示装置を表す図３６のＫ−Ｌ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態４−１及び４−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態４−１２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１及び５−１４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 図５７のＱ−Ｒ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。 実施形態５−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。 実施形態５−１５の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示す。 実施形態５−１５の液晶表示装置の断面模式図であり、液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。 従来の液晶表示装置における断線の様子を表す平面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

実施形態１
以下、実施形態１の液晶表示装置として、実施形態１−１〜１−１０の１０個の形態に分けて述べる。実施形態１の各液晶表示装置は、画素電極及び共通電極のいずれもが、一本の柄に対して片側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。

（実施形態１−１）
図１は、実施形態１−１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図２は、図１のＡ−Ｂ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。

図１に示すように、画素電極２１は、半導体層を備える薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２６と接続されており、ＴＦＴ２６を介して、更にソース配線（信号配線）２４と接続されている。ＴＦＴ２６はまた、ゲート配線（走査配線）２５と接続されており、ゲート配線２５を通じて半導体層内に印加されるゲート電圧のタイミングでソース配線２４と画素電極２１とが電気的に接続され、信号電圧が画素電極２１に印加される。画素電極２１及び共通電極２２のいずれもが、幹となる柄の部分と、柄から突出した櫛歯の部分とを基本構成として有している。ソース配線２４は複数本が縦方向に互いに略平行に延伸されて設けられている。また、ゲート配線２５は複数本が横方向に互いに略平行に延伸されて設けられており、かつ各ソース配線２４と交差している。ソース配線２４とゲート配線２５とは絶縁膜を介して異なる層に配置されている。画素電極２１と共通電極２２とは、同一の層に配置されているが、ソース配線２４が形成されている層及びゲート配線２５が形成されている層とは絶縁膜を介して異なる層に配置されている。

図２に示すように、ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に設けられた第一の絶縁膜３２と、第一の絶縁膜３２上に設けられた第二の絶縁膜３３とを有する。第一の絶縁膜３２と第二の絶縁膜３３との間には、ソース配線２４、及び、後述する修正用のフローティング電極６１が設けられている。第二の絶縁膜３３上に、一定の間隔を空けて互いの櫛歯が交互にかみ合わさった一対の櫛型電極を有している。これら一対の櫛型電極のうち一方は、信号配線２４を通じて信号電圧が印加される画素電極２１であり、もう一方は、共通配線を通じて共通電圧が印加される共通電極２２である。画素電極２１及び共通電極２２の材料としては、透光性を有するインジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）等の金属酸化物が好適に用いられる。画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の幅は、極力細いことが好ましく、例えば、いずれも２〜８μｍで形成する。また、画素電極２１の櫛歯と共通電極２２の櫛歯との間の距離は、２〜１０μｍであることが好ましい。画素電極２１上及び共通電極２２上には、液晶分子の初期傾斜を規定する垂直配向膜３６が配置されている。

図２中、第一の絶縁膜３２の厚みは、０．２〜０．６μｍであり、第二の絶縁膜３３の厚みは、０．３〜３．０μｍであることが好ましい。また、画素電極２１の厚みは０．０５〜０．１５μｍであり、共通電極２２の厚みは０．０５〜０．１５μｍであり、ソース配線２４の厚みは０．１〜０．３μｍであり、フローティング電極６１の厚みは０．１μｍ以上であることが好ましい。第二の絶縁膜３３の厚みは、レーザー照射による修正の容易さの観点からは０．５μｍ未満であることが好ましく、画素電極２１又は共通電極２２に対する他の配線からの電圧の変化の影響を防ぐ観点からは２μｍ以上であることが好ましい。

図１に示すように、画素電極２１の櫛歯（線状部）の端部、及び、共通電極２２の櫛歯（線状部）の端部と重畳する修正用のフローティング電極６１を有している。フローティング電極６１は画素電極２１の櫛歯の長さ方向、及び、共通電極２２の櫛歯の長さ方向と略直交する方向に延伸された線状の形状を有しており、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と重畳している。また、フローティング電極６１は、ゲート配線（走査配線）２５とソース配線（信号配線）２４とで囲まれる領域内、すなわち、一つのサブ画素内に配置されている。図２に示すように、フローティング電極６１はソース配線２４と同一の層に配置されているが、ソース配線２４及びゲート配線２５とは絶縁膜を挟んで隔離されており、それぞれが電気的に孤立している。フローティング電極６１としては、導電材料である限り、透光性を有するものであっても有しないものであっても特に限定されないが、レーザー照射による溶融性の観点からは、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属単体であることが好ましい。

このような構成をもつＴＦＴ基板１１においては、ゲート配線２５又はソース配線２４に印加される電圧は正と負とが入れ代わることがあり、その際に、変化した後の電圧に引っ張られる形で画素電極２１又は共通電極２２に供給される電圧が変化することがあるが、フローティング電極６１を第二の絶縁膜３３を介して画素電極２１又は共通電極２２下に配置することにより、ゲート配線２５又はソース配線２４に印加される電圧の変化の影響を小さくすることができ、フローティング電極６１を、いわば電界のシールド部材として用いることができる。また、フローティング電極６１は、画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の長さ方向に対して略垂直な方向に延伸されているので、画素電極２１及び共通電極２２に対し、広い範囲で電界のシールド効果を得ることができる。

透過率の観点からは、フローティング電極６１は光透過性を有することが好ましい。一方で、レーザー照射を行った部分は絶縁膜、金属とも平坦な形状でなくなるため、液晶分子に配向乱れを生じさせることがある。そのため、修正した部分と重畳する領域を遮光する観点からは、フローティング電極６１は遮光性を有することが好ましい。

フローティング電極６１の幅としては、２μｍ以上が好ましく、レーザー照射による修正の容易さ、及び、電界のシールド効果の観点からは、画素電極２１の櫛歯の幅、及び、共通電極２２の櫛歯の幅よりも広いことが好ましい。

共通電極２２は、共通配線と接続されている。ゲート配線２５及びソース配線２４は、それぞれが交差するように配置されており、ゲート配線２５及びソース配線２４で囲まれる領域が、一つのサブ画素を構成する。そして、一つのサブ画素あたり一色のカラーフィルタが対応し、複数のサブ画素により一つの画素が構成される。

なお、画素電極２１及び共通電極２２については、フローティング電極６１と異なり、ゲート配線２５又はソース配線２４と重畳する領域まで広げてもよく、そうすることで、より開口率を上げることができる。

なお、後述する実施形態１−５においては、フローティング電極の代わりに架橋電極を用いる形態を示しているが、櫛歯に対してコンタクトホールを設けることの困難性に鑑みれば、実施形態１−１は、より歩留まりのよい構成を有する形態といえる。

実施形態１の液晶表示装置の液晶分子の制御方式について説明する。図３−１及び図３−２は、実施形態１−１の液晶表示装置の断面模式図であり、特に液晶分子の挙動について詳しく示している。図３−１は液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示し、図３−２は液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。

図３−１及び図３−２に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、液晶層１３及び液晶層１３を挟持する一対の基板１１，１２を有する液晶表示パネル１を備える。より詳しくは、実施形態１の液晶表示装置は、背面側から観察面側に向かって、ＴＦＴ基板１１、液晶層１３及び対向基板１２の順にこれらの部材を備える。液晶層１３は、正の誘電率異方性（Δε＞０）を有するネマチック液晶を含有している。また、実施形態１の液晶表示装置は、液晶表示パネル１の背面側にバックライトユニットを備える。

ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板３１を有し、かつガラス基板３１の液晶層１３側に画素電極２１及び共通電極２２を有している。画素電極２１及び共通電極２２は、これらの断面方向から見たときには、それぞれが横方向に交互に並んで位置する。

対向基板１２は、ガラス基板４１とカラーフィルタ４２とを備えている。カラーフィルタ４２は、ガラス基板４１の液晶層１３側に配置されている。カラーフィルタ４２は、赤、緑又は青の色をもつフィルタで構成され、１色のカラーフィルタが一つのサブ画素に対応する。そして、赤、緑及び青のサブ画素の組み合わせにより、一つの画素が構成される。なお、カラーフィルタ４２の色は、必ずしもこれらの色でなくてもよい。また、カラーフィルタの色の数は３色に限定されず、４色以上であってもよい。異なる色をもつカラーフィルタ間には黒色のブラックマトリクス（ＢＭ）が配置されており、混色や光漏れを防止する。

ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の液晶層１３と接する面にはそれぞれ垂直配向膜３６，４３が配置されている。そして、図３−１に示すように、電圧無印加時において液晶分子５１は、ホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板１１，１２面に対して垂直配向を示している。より具体的には、棒状の液晶分子５１のそれぞれの長軸が基板１１，１２面に対して略垂直の方向を向いており、液晶分子５１のいずれもが同じ方向を向いて規則的に並んでいる。

図３−２に示すように、画素電極２１と共通電極２２との間に電圧が印加されると、これらの電極間に形成されたアーチ状の横電界に沿って液晶分子５１の配向性に変化が生じる。そして、このように電界の影響を受ける液晶分子５１群は、櫛歯（画素電極２１及び共通電極２２）間の中間領域を中心として対称性をもつ、全体として横向きのベンド配向を示す。ただし、図３−２からわかるように、アーチ状の横電界の末端に位置する液晶分子５１、すなわち、画素電極２１及び共通電極２２の直上に位置する液晶分子５１は電界の変化の影響を受けにくいため、基板１１，１２面に対して略垂直の方向に配向したままである。また、櫛歯（画素電極２１及び共通電極２２）間の領域のうち櫛歯から最も距離が遠くなる、櫛歯（画素電極２１及び共通電極２２）間の中間領域に位置する液晶分子５１もまた、一対の基板１１，１２面に対して略垂直の方向に配向したままである。

ＴＦＴ基板１１と対向基板１２のいずれも、偏光板３７，４４を有している。ＴＦＴ基板１１において偏光板３７はＴＦＴ基板１１の最も背面側に配置され、対向基板１２において偏光板４４は対向基板１２の最も観察面側に配置される。これらの偏光板３７，４４は、光源から出射された自然光をある一定の方向（偏光軸方向）に振動する偏光に変換することができる。

実施形態１において液晶分子５１は、電圧無印加状態で基板１１，１２面に対して略垂直の方向を向いている。そのため、ＴＦＴ基板１１の偏光板３７が有する透過軸と、対向基板１２の偏光板４４が有する透過軸とが、互いに交差する（クロスニコル）関係にあることで、電圧無印加状態において液晶層１３を透過した光はこれら偏光板３７，４４によって遮断される。このように、液晶分子５１の初期配向を垂直配向とし、偏光板３７，４４をクロスニコル配置とすることで、コントラスト比の高いノーマリブラックモードの表示モードを得ることができる。

一方、電圧印加状態において液晶分子５１は横電界に沿った配向性を示し、このとき液晶層１３を透過した光の振動方向（偏光軸）の向きは変化する。それゆえ、液晶層１３を透過した後の光は対向基板１２側の偏光板４４を通り抜けることができるので、結果として光は液晶表示パネル１を抜けて表示光として用いられる。

このように、実施形態１−１の液晶表示装置の制御方式は、横電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードであるが、上述したように垂直配向膜を有しており、電圧無印加時において液晶分子５１は、ホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板１１，１２面に対して垂直配向を示すため、電圧無印加時において液晶分子５１がホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板１１，１２面に対して水平配向を示す、いわゆるＩＰＳモードとは異なる。なお、この点は、後述する実施形態１−２〜１−９の液晶表示装置も同様である。

実施形態１の液晶表示装置において断線が行ったときのレーザー照射を用いた修正方法について説明する。図４は、実施形態１−１の液晶表示装置において断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。レーザー修正を行うための装置としては、光学顕微鏡とレーザー発振器とが一体化した装置を用いることが好ましい。

図４に示すように、実施形態１−１の液晶表示装置では、画素電極２１の端部と重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合には、断線が起こった画素電極２１の櫛歯とそれに対向する共通電極２２の櫛歯との間で電界が形成されなくなるため、液晶層１３内の画素と重畳する領域に充分な電圧が印加されない。そうすると、液晶分子５１の配向は垂直配向のままとなるので、表示としては黒表示となってしまう。このような場合、まず、断線が起こった画素電極２１の櫛歯の端部と、断線が起こった画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させ、更に、断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯の端部と、断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させることで、フローティング電極６１を介して画素電極２１全体に信号電圧を供給することができ、画素欠陥が生じることを防ぐことができる。

（実施形態１−２）
図５は、実施形態１−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５に示すように、実施形態１−２の液晶表示装置では、共通電極２２の端部と重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

図６は、実施形態１−２の液晶表示装置において断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。図６に示すように、共通電極２２の櫛歯の一部に断線が生じた場合には、断線が起こった共通電極２２の櫛歯とそれに対向する画素電極２１の櫛歯との間で電界が形成されなくなるため、液晶層１３内の画素と重畳する領域に充分な電圧が印加されない。そうすると、液晶分子５１の配向は垂直配向のままとなるので、表示としては黒表示となってしまう。このような場合、まず、断線が起こった共通電極２２の櫛歯と、断線が起こった共通電極２２の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させ、更に、断線が起こっていない共通電極２２の櫛歯と、断線が起こっていない共通電極２２の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させることで、フローティング電極６１を介して共通電極２２全体に共通電圧を供給することができ、画素欠陥が生じることを防ぐことができる。

（実施形態１−３）
図７は、実施形態１−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図７に示すように、実施形態１−３の液晶表示装置では、画素電極の端部及び共通電極の端部の両方と重畳する領域に修正用電極が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、画素電極２１の端部及び共通電極２２の端部の両方と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに断線が起こったとしてもレーザー照射による修正の対応が可能となる。

（実施形態１−４）
図８は、実施形態１−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図８に示すように、実施形態１−４の液晶表示装置では、画素電極２１の端部及び共通電極２２の端部の両方と重畳する領域に、フローティング電極６１がそれぞれ二つずつ配置されている。これら二つのフローティング電極６１は、同一の層に配置されていても、互いに異なる層に配置されていてもよい。

このように修正用のフローティング電極６１を二重に配置しておくことで、一方のフローティング電極６１に断線が生じたときであっても、もう一方のフローティング電極６１を通して修正を行うことができる。

（実施形態１−５）
図９は、実施形態１−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図１０は、図９のＣ−Ｄ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。図９及び図１０に示すように、実施形態１−５の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の端部のそれぞれと重畳して配置されている。

図１１は、実施形態１−５の液晶表示装置において断線が起こったときの平面模式図である。図１１に示すように、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった画素電極２１の櫛歯と断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯とが接続されており、画素電極２１全体に信号電圧を供給することができるため、画素欠陥が生じない。

架橋電極６３についてはレーザー照射による修正を行わなくてよいので、架橋電極６３の材料としては、透過率を確保するために、ＩＴＯ等の金属酸化膜を用いることが好ましい。また、架橋電極６３の幅と、画素電極２１の櫛歯又は共通電極２２の櫛歯の幅との関係は、特に限定されない。

（実施形態１−６）
図１２は、実施形態１−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図１２に示すように、実施形態１−６の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の端部の両方において先細りになっており、画素電極２１の端部と重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、より断線の起こりやすい画素電極２１の端部の先細りの部分と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１の端部の先細りの部分に断線が起こったとしてもレーザー照射による修正が可能となる。

画素電極２１の端部の先細りの部分の櫛歯の幅は、画素電極２１の先細りとなっていない部分の櫛歯の幅より１μｍ以上細いことが好ましい。

（実施形態１−７）
図１３は、実施形態１−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図１４は、図１３のＥ−Ｆ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。図１３及び図１４に示すように、実施形態１−７の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部の下層、すなわち、フローティング電極６１の下側のそれぞれに遮光膜２７が配置されている。遮光膜２７の厚みは、０．１μｍ以上であることが好ましい。

レーザー照射を行った部分は絶縁膜、金属とも平坦な形状でなくなるため、液晶分子に配向乱れを生じさせることがある。これに対し、画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する位置に遮光膜２７を配置しておくことで、配向乱れによる表示品位への悪影響を妨げることができる。

（実施形態１−８）
図１５は、実施形態１−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図１５に示すように、実施形態１−８の液晶表示装置では、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。

このように画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅をより広く形成することで、レーザー照射による修正が容易となる。また、レーザー照射の対象とならない画素電極２１の櫛歯の端部と重畳しない部位について、幅を細くすることができるので、これにより透過率が向上する。

（実施形態１−９）
実施形態１−９の液晶表示装置は、画素電極と共通電極とがそれぞれ異なる層に配置されている形態である。そのため、実施形態１−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図１と同様である。一方、図１６は、実施形態１−９の液晶表示装置を表す図１のＡ−Ｂ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図であり、図２とは異なっている。

図１６に示すように、ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に設けられた第一の絶縁膜３２と、第一の絶縁膜３２上に設けられた第二の絶縁膜３３とを有する。第一の絶縁膜３２と第二の絶縁膜３３との間には、ソース配線２４及びフローティング電極６１が設けられている。第二の絶縁膜３３上には画素電極２１が配置されており、画素電極２１上には、第三の絶縁膜３４が設けられている。第三の絶縁膜３４上には共通電極２２が配置されている。共通電極２２の上には液晶分子の初期傾斜を規定する垂直配向膜３６が配置されている。

このように画素電極２１及び共通電極２２が互いに異なる層に配置されていても、一定の間隔を空けて互いの櫛歯が交互にかみ合わさった画素電極２１及び共通電極２２を配置することで、液晶層内に横電界を形成することができ、液晶分子の配向制御が可能となる。画素電極２１及び共通電極２２は、いずれがより液晶層に近い層に配置されていてもよい。なお、このように画素電極２１及び共通電極２２が互いに異なる層に配置される場合、第二の絶縁膜３３の厚みは、０．３〜３．０μｍであり、第三の絶縁膜３４の厚みは、０．３〜３．０μｍであることが好ましい。

（実施形態１−１０）
実施形態１−１０の液晶表示装置は、実施形態１−１〜１−９で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態１−１０の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、ＩＰＳモードである。したがって、実施形態１−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図１と同様である。

実施形態１−１０の液晶表示装置の液晶分子の制御方式について説明する。図１７−１及び図１７−２は、実施形態１−１０の液晶表示装置の断面模式図であり、特に液晶分子の挙動について詳しく示している。図１７−１は液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示し、図１７−２は液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。

図１７−１に示すように、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の液晶層と接する面には、水平配向膜３８，４５が配置されており、電圧無印加時において液晶分子５１は、ホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板１１，１２面に対して水平配向を示している。より具体的には、棒状の液晶分子５１のそれぞれの長軸が基板面に対して略水平な方向であって、液晶分子５１の長軸方向が櫛歯方向と略平行な方向を向いており、かつ液晶分子５１のいずれもが同じ方向を向いて規則的に並んでいる。

図１７−２に示すように、画素電極２１と共通電極２２との間に電圧が印加されると、これらの電極間に形成されたアーチ状の横電界に沿って液晶分子５１の配向性に変化が生じる。そして、このように電界の影響を受ける液晶分子５１はいずれも、基板面に対して略水平な方向のまま横回転を行い、液晶分子５１の長軸方向が櫛歯方向と略直交する方向に配向することになる。

このようなＩＰＳモードの液晶表示装置においても、画素電極２１又は共通電極２２の櫛歯に断線が生じると、画素電極２１と共通電極２２との間に電界が形成されなくなるので、修正用のフローティング電極を形成しておくことで、断線が起こったとしても、レーザー照射により、修正を行うことができる。

以上、実施形態１−１〜１−１０について説明してきたが、例えば、各実施形態において、実施形態１−５のようにフローティング電極の代わりに架橋電極を用いることは可能であり、その他にも実施形態１−１〜１−１０のそれぞれの特徴を互いに組み合わせることが可能である。

実施形態２
以下、実施形態２の液晶表示装置として、実施形態２−１〜２−１１の１１個の形態に分けて述べる。実施形態２の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。

実施形態２−１〜２−１１の液晶表示装置は、いずれも横電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードであるが、実施形態２−１〜２−１０では、電圧無印加時において液晶分子がホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板面に対して垂直配向を示す制御モードであるのに対し、実施形態２−１１では、電圧無印加時において液晶分子がホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板面に対して水平配向を示す、いわゆるＩＰＳモードである点で、これらは異なる。

（実施形態２−１）
図１８は、実施形態２−１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図１９は、図１８のＧ−Ｈ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。

図１９に示すように、画素電極２１と共通電極２２とは、それぞれ異なる層に配置されており、画素電極２１がより液晶層に近く、共通電極２２がより液晶層から遠い層に配置されている。また、図１８に示すように、実施形態２−１の液晶表示装置は修正用のフローティング電極６１を有し、フローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部と、共通電極２２の櫛歯の端部との両方と重畳するように配置されている。このように、実施形態２−１の液晶表示装置では、一本のフローティング電極６１により、画素電極２１と共通電極２２とのいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。

図２０は、実施形態２−１の液晶表示装置において画素電極に断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。また、図２１は、実施形態２−１の液晶表示装置において共通電極に断線が起こったときのレーザー照射による修正の様子を示す平面模式図である。

図２０に示すように、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合には、まず、断線が起こった画素電極２１の櫛歯の端部と、断線が起こった画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させ、更に、断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯の端部と、断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させることで、フローティング電極６１を介して画素電極２１全体に信号電圧を行き渡らせることができ、画素欠陥が生じることを防ぐことができる。

また、同様に、図２１に示すように、共通電極２２の櫛歯の一部に断線が生じた場合には、まず、断線が起こった共通電極２２の櫛歯の端部と、断線が起こった共通電極２２の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１の部分とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させ、更に、断線が起こっていない共通電極２２の櫛歯の端部と、断線が起こっていない共通電極２２の櫛歯の端部と重畳するフローティング電極６１とを、レーザー装置６２を用いてレーザーで溶解させてこれらを導通させることで、フローティング電極６１を介して共通電極２２全体に共通電圧を供給することができ、画素欠陥が生じることを防ぐことができる。

（実施形態２−２）
図２２は、実施形態２−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２２に示すように、実施形態２−２の液晶表示装置では、実施形態２−１の液晶表示装置におけるフローティング電極６１の長さよりも短いフローティング電極６１が配置されており、共通電極２２の修正用として用いられる。フローティング電極６１の長さを短くすることで、より透過率が向上する。

（実施形態２−３）
図２３は、実施形態２−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２３に示すように、実施形態２−３の液晶表示装置では、画素電極２１の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部と重畳する領域に加え、共通電極２２の櫛歯のもう一方の端部と重畳する領域にもフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の両方の櫛歯の端部のいずれにも重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のどの部分に断線が起こったとしてもレーザー照射による修正の対応が可能となる。

（実施形態２−４）
図２４は、実施形態２−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２４に示すように、実施形態２−４の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の両方の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極６１がそれぞれ二つずつ配置されている。

このようにフローティング電極６１を二重に配置しておくことで、一方のフローティング電極６１に断線が生じたときであっても、もう一方のフローティング電極６１を通して修正を行うことができる。

（実施形態２−５）
図２５は、実施形態２−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２５に示すように、実施形態２−５の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部のそれぞれと重畳して配置されている。

図２６は、実施形態２−５の液晶表示装置において断線が起こったときの平面模式図である。図２６に示すように、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった画素電極２１の櫛歯と断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯とが接続されており、画素電極２１全体に信号電圧を供給することができるため、画素欠陥が生じない。架橋電極６３の材料としては、実施形態１−５の場合と同様の材料を用いることができる。

（実施形態２−６）
図２７は、実施形態２−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２７に示すように、実施形態２−６の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯及び共通電極２２の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら２つの架橋電極６３は、一方が画素電極２１にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極２２にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されている。

このように、それぞれ別々の電極に接続させた架橋電極６３を二本配置することで、画素電極２１と共通電極２２とのいずれに断線が起こったとしても、架橋電極６３の一方を介して画素電極２１全体に信号電圧を、架橋電極６３の他方を介して共通電極２２全体に共通電圧をそれぞれ供給することができるようになるので、画素欠陥が起こる可能性を低減することができる。

（実施形態２−７）
図２８は、実施形態２−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２８に示すように、実施形態２−７の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の半分及び共通電極２２の一方の櫛歯が細く形成されており、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、より断線の起こりやすい画素電極２１の端部の先細りの部分と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに断線が起こったとしてもレーザー照射による修正の対応が可能となる。

（実施形態２−８）
図２９は、実施形態２−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図２９に示すように、実施形態２−８の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部のそれぞれに遮光膜２７が配置されている。

これにより、実施形態１−７の場合と同様、レーザー照射による修正を行ったとしても配向乱れによる表示品位への悪影響を妨げることができる。

（実施形態２−９）
図３０は、実施形態２−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図３０に示すように、実施形態２−９の液晶表示装置では、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。また、フローティング電極６１の共通電極２２の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の共通電極２２の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。

実施形態１−８の場合と同様、このように画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の端部と重畳する部位の幅をより広く形成することで、レーザー照射による修正が容易となり、かつ画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅を細くすることができる分、透過率が向上する。

（実施形態２−１０）
図３１は、実施形態２−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図３１に示すように、実施形態２−１０の液晶表示装置では、共通電極２２の櫛歯の部分が、画素電極２１と同一の層に配置されており、共通電極２２の柄の部分と櫛歯の部分とはコンタクトホール２３を介して互いに接続されている。そのため、図３１のＩ−Ｊ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図は、図３２のようになる。この場合、共通電極２２の柄の部分が、ガラス基板３１の上に配置され、共通電極２２の櫛歯の部分が、第二の絶縁膜３３の上に配置される。

このように共通電極２２の一部のみを画素電極２１と同一の層に配置してもよく、この場合、画素電極２１と共通電極２２の柄の部分とを同じ工程で作製してもよい。

（実施形態２−１１）
実施形態２−１１の液晶表示装置は、実施形態２−１〜２−１０で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態２−１１の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、ＩＰＳモードである。したがって、実施形態２−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図１８と同様である。

実施形態２−１１の液晶表示装置の液晶分子の制御方式については、上述の実施形態１−１０と同様である。

以上、実施形態２−１〜２−１１について説明してきたが、例えば、各実施形態において、実施形態２−５のようにフローティング電極の代わりに架橋電極を用いることは可能であり、その他にも実施形態２−１〜２−１１のそれぞれの特徴を互いに組み合わせることが可能である。図３３〜３５は、フローティング電極の代わりに架橋電極を用いた形態を表す平面模式図であり、図３３が実施形態２−３に、図３４が実施形態２−４に、図３５が実施形態２−７に、それぞれ相当する。

実施形態３
以下、実施形態３の液晶表示装置として、実施形態３−１〜３−１０の１０個の形態に分けて述べる。実施形態３の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。

実施形態３−１〜３−１０の液晶表示装置は、いずれも横電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードであるが、実施形態３−１〜３−９では、電圧無印加時において液晶分子がホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板面に対して垂直配向を示す制御モードであるのに対し、実施形態３−１０では、電圧無印加時において液晶分子がホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板面に対して水平配向を示す、いわゆるＩＰＳモードである点で、これらは異なる。

（実施形態３−１）
図３６は、実施形態３−１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図３７は、図３６のＫ−Ｌ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。

図３７に示すように、画素電極２１と共通電極２２とは、それぞれ異なる層に配置されており、共通電極２２がより液晶層に近く、画素電極２１がより液晶層から遠い層に配置されている。また、図３６に示すように、実施形態３−１の液晶表示装置は修正用のフローティング電極６１を有し、フローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するように配置されている。更に、実施形態３−１においては、共通電極２２は、ゲート配線２５及びソース配線２４と重畳する位置に、これらとは絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されている。ＴＦＴ２６からは、引き出し配線２８によってサブ画素の中央部分までドレイン電極が延伸されており、ドレイン電極内のコンタクトホール２９を介して画素電極２１と接続されている。

（実施形態３−２）
図３８は、実施形態３−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図３８に示すように、実施形態３−２の液晶表示装置では、フローティング電極６１は、共通電極２２の櫛歯の端部と重畳するように配置されている。

（実施形態３−３）
図３９は、実施形態３−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図３９に示すように、実施形態３−３の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の両方の端部と重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、画素電極２１の櫛歯の両方の端部と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のどの部分に断線が起こったとしてもレーザー照射による修正の対応が可能となる。

（実施形態３−４）
図４０は、実施形態３−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４０に示すように、実施形態３−４の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の両方の端部と重畳する領域に、フローティング電極６１がそれぞれ二つずつ配置されている。

このようにフローティング電極６１を二重に配置しておくことで、一方のフローティング電極６１に断線が生じたときであっても、もう一方のフローティング電極６１を通して修正を行うことができる。

（実施形態３−５）
図４１は、実施形態３−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４１に示すように、実施形態３−５の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。架橋電極６３の材料としては、実施形態１−５の場合と同様の材料を用いることができる。

架橋電極６３が設けられることにより、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった画素電極２１の櫛歯と断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯とが接続されており、画素電極２１全体に信号電圧を供給することができるため、画素欠陥が生じない。

（実施形態３−６）
図４２は、実施形態３−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４２に示すように、実施形態３−６の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の一方が、他の一方よりも細く形成されており、画素電極２１の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、より断線の起こりやすい画素電極２１の細い部分と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１に断線が起こったとしてもレーザー照射による修正が可能となる。

（実施形態３−７）
図４３は、実施形態３−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４３に示すように、実施形態３−７の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域に遮光膜２７が配置されている。

これにより、実施形態１−７の場合と同様、レーザー照射による修正を行ったとしても配向乱れによる表示品位への悪影響を妨げることができる。

（実施形態３−８）
図４４は、実施形態３−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４４に示すように、実施形態３−８の液晶表示装置では、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。

実施形態１−８の場合と同様、このように画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅をより広く形成することで、レーザー照射による修正が容易となり、かつ画素電極２１の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅を細くすることができる分、透過率が向上する。

（実施形態３−９）
実施形態３−９の液晶表示装置は、画素電極と共通電極とがそれぞれ同一の層に配置されている形態である。そのため、実施形態３−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図３６と同様である。一方、図４５は、実施形態３−９の液晶表示装置を表す図３６のＫ−Ｌ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。

このように画素電極２１及び共通電極２２を同一の層に配置してもよく、この場合、画素電極２１と共通電極２２とを同じ工程で作製してもよい。

（実施形態３−１０）
実施形態３−１０の液晶表示装置は、実施形態３−１〜３−９で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態３−１０の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、ＩＰＳモードである。したがって、実施形態３−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図３６と同様である。実施形態３−１０の液晶表示装置の液晶分子の制御方式については、上述の実施形態１−１０と同様である。

以上、実施形態３−１〜３−１０について説明してきたが、例えば、各実施形態において、実施形態３−５のようにフローティング電極の代わりに架橋電極を用いることは可能であり、その他にも実施形態３−１〜３−１０のそれぞれの特徴を互いに組み合わせることが可能である。

実施形態４
以下、実施形態４の液晶表示装置として、実施形態４−１〜４−１２の１２個の形態に分けて述べる。実施形態４−１〜４−１１の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有しており、共通電極は、サブ画素の中央を横切るように延伸されている。一方、実施形態４−１２の液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して片側に櫛歯を有しており、共通電極は、サブ画素の間隙を横切るように延伸されている。

また、実施形態４の液晶表示装置では、ソース配線、画素電極及び共通電極のそれぞれが横向きのＶ字型（くの字型）になっている。言い換えれば、実施形態４においてサブ画素は、矢印の先端の形状を有している。こうすることで、液晶分子を斜め方向にもバランスよく配向させることができ、視野角特性が向上する。

実施形態４−１〜４−１２の液晶表示装置は、いずれも横電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードであるが、実施形態４−１〜４−１０では、電圧無印加時において液晶分子がホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板面に対して垂直配向を示す制御モードであるのに対し、実施形態４−１１では、電圧無印加時において液晶分子がホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板面に対して水平配向を示す、いわゆるＩＰＳモードである点で、これらは異なる。実施形態４−１２では、いずれのモードも適用しうる。

（実施形態４−１）
図４６は、実施形態４−１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図１９は、図４６のＭ−Ｎ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図でもある。

図１９に示すように、画素電極２１と共通電極２２とは、それぞれ異なる層に配置されており、画素電極２１がより液晶層に近く、共通電極２２がより液晶層から遠い層に配置されている。また、図４６に示すように、実施形態４−１の液晶表示装置は修正用のフローティング電極６１を有し、フローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部と、共通電極２２の櫛歯の端部との両方と重畳するように配置されている。このように、実施形態４−１の液晶表示装置では、一本のフローティング電極６１により、画素電極２１と共通電極２２とのいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。

（実施形態４−２）
図４７は、実施形態４−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４７に示すように、実施形態４−２の液晶表示装置では、実施形態４−１の液晶表示装置におけるフローティング電極６１の長さよりも短いフローティング電極６１が配置されており、共通電極２２の修正用として用いられる。フローティング電極６１の長さを短くすることで、より透過率が向上する。

（実施形態４−３）
図４８は、実施形態４−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４８に示すように、実施形態４−３の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部と重畳する領域に加え、共通電極２２のもう一方の櫛歯の端部と重畳する領域にもフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の両方の端部のいずれにも重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のどの部分に断線が起こったとしてもレーザー照射による修正の対応が可能となる。

（実施形態４−４）
図４９は、実施形態４−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図４９に示すように、実施形態４−４の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の両方の櫛歯の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極６１がそれぞれ二つずつ配置されている。

このようにフローティング電極６１を二重に配置しておくことで、一方のフローティング電極６１に断線が生じたときであっても、もう一方のフローティング電極６１を通して修正を行うことができ、信頼性が向上する。

（実施形態４−５）
図５０は、実施形態４−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５０に示すように、実施形態４−５の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の一方の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。架橋電極６３の材料としては、実施形態１−５の場合と同様の材料を用いることができる。

架橋電極６３が設けられることにより、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった画素電極２１の櫛歯と断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯とが接続されており、画素電極２１全体に信号電圧を行き渡らせることができるため、画素欠陥が生じない。

（実施形態４−６）
図５１は、実施形態４−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５１に示すように、実施形態４−６の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯及び共通電極２２の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら２つの架橋電極６３は、一方が画素電極２１にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極２２にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されている。

このように、それぞれ別々の電極に接続させた架橋電極６３を二本配置することで、画素電極２１と共通電極２２とのいずれに断線が起こったとしても、架橋電極６３の一方を介して画素電極２１全体に信号電圧を、架橋電極６３の他方を介して共通電極２２全体に共通電圧をそれぞれ供給することができるようになるので、画素欠陥が起こる可能性を低減することができる。

（実施形態４−７）
図５２は、実施形態４−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５２に示すように、実施形態４−７の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の半分及び共通電極２２の一方の櫛歯において細く形成されており、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、より断線の起こりやすい画素電極２１の細い部分と重畳するように配置しておくことで、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに断線が起こったとしてもレーザー照射による修正が可能となる。

（実施形態４−８）
図５３は、実施形態４−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５３に示すように、実施形態４−８の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の一方の端部のそれぞれに遮光膜２７が配置されている。

これにより、実施形態１−７の場合と同様、レーザー照射による修正を行ったとしても配向乱れによる表示品位への悪影響を妨げることができる。

（実施形態４−９）
図５４は、実施形態４−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５４に示すように、実施形態４−９の液晶表示装置では、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。

実施形態１−８の場合と同様、このように画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の端部と重畳する部位の幅をより広く形成することで、レーザー照射による修正が容易となり、かつ画素電極２１及び共通電極２２の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅を細くすることができる分、透過率が向上する。

（実施形態４−１０）
図５５は、実施形態４−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５５に示すように、実施形態４−１０の液晶表示装置は、画素電極２１と共通電極２２の櫛歯の部分とが同一の層に配置されている。そのため、図５５のＯ−Ｐ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図は、図３２と同様になる。

このように共通電極２２の一部のみを画素電極２１と同一の層に配置してもよく、この場合、画素電極２１と共通電極２２の柄の部分とを同じ工程で作製してもよい。

（実施形態４−１１）
実施形態４−１１の液晶表示装置は、実施形態４−１〜４−１０で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態４−１１の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、ＩＰＳモードである。したがって、実施形態４−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図４６と同様である。

実施形態４−１１の液晶表示装置の液晶分子の制御方式については、上述の実施形態１−１０と同様である。

（実施形態４−１２）
図５６は、実施形態４−１２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。実施形態４−１〜４−１１の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもち、共通電極はサブ画素の中央を横切るように延伸されている点に特徴を有するが、これとは逆に実施形態４−１２の液晶表示装置では、図５６に示すように、画素電極２１が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極２２が一本の柄に対して片側に櫛歯をもち、共通電極２２はサブ画素の外、すなわち、ゲート配線２５上に延伸されている。なお、この配線形態は、実施形態４−１〜４−１１のいずれに対しても適用することができる。

以上、実施形態４−１〜４−１２について説明してきたが、例えば、各実施形態において、実施形態４−５のようにフローティング電極の代わりに架橋電極を用いることは可能であり、その他にも実施形態４−１〜４−１２のそれぞれの特徴を互いに組み合わせることが可能である。

実施形態５
以下、実施形態５の液晶表示装置として、実施形態５−１〜５−１５の１５個の形態に分けて述べる。実施形態５の各液晶表示装置は、画素電極が十字型の柄に対して両側に櫛歯をもち、かつ共通電極が十字型の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。共通電極は、サブ画素の中央を横切るように延伸されている。こうすることで、液晶分子を斜め方向にもバランスよく配向させることができ、視野角特性が向上する。また、画素電極及び共通電極が複雑かつ対称的な構造を有しているため、液晶分子の高精細な制御が可能となる。

実施形態５−１〜５−１４の液晶表示装置は、いずれも横電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードであるのに対し、実施形態５−１５の液晶表示装置は、縦電界を用いて液晶分子の配向制御を行うモードである。また、実施形態５−１〜５−１３、５−１５では、電圧無印加時において液晶分子がホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板面に対して垂直配向を示す制御モードであるのに対し、実施形態５−１４では、電圧無印加時において液晶分子がホモジニアス配向性、すなわち、一対の基板面に対して水平配向を示す、いわゆるＩＰＳモードである。実施形態５−１５の液晶表示装置は、いわゆるＶＡモードである。

（実施形態５−１）
図５７は、実施形態５−１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。また、図５８は、図５７のＱ−Ｒ線に沿ったＴＦＴ基板の断面模式図である。

図５８に示すように、画素電極２１と共通電極２２とは、それぞれ異なる層に配置されており、画素電極２１がより液晶層に近く、共通電極２２がより液晶層から遠い層に配置されている。また、図５７に示すように、実施形態５−１の液晶表示装置は修正用のフローティング電極６１を有し、フローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部と、共通電極２２の櫛歯の端部との両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極は６１、サブ画素の短辺方向（ゲート配線２５に沿った方向）に線状に延伸されており、共通電極２２の修正用として用いられる。

（実施形態５−２）
図５９は、実施形態５−２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図５９に示すように、実施形態５−２の液晶表示装置では、実施形態５−１の液晶表示装置におけるフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部と、共通電極２２の櫛歯の端部との両方と複数重畳するように配置されている。また、フローティング電極６１は、サブ画素の長辺方向（ソース配線２４に沿った方向）に線状に延伸されており、一本のフローティング電極６１により、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。

（実施形態５−３）
図６０は、実施形態５−３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６０に示すように、実施形態５−３の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部と、共通電極２２の櫛歯の端部との両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極６１は、サブ画素の短辺方向（ゲート配線２５に沿った方向）の上辺及び下辺のいずれに対しても配置されている。これによれば、上辺に沿って配置されたフローティング電極６１は共通電極２２の修正用の電極として用いることができ、下辺に沿って配置されたフローティング電極６１は画素電極２１の修正用の電極として用いることができるため、画素電極２１及び共通電極２２のいずれにも対応可能な形態となる。

（実施形態５−４）
図６１は、実施形態５−４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６１に示すように、実施形態５−４の液晶表示装置においてフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極６１は、サブ画素の短辺方向（ゲート配線２５に沿った方向）に配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。このように配置されたフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と複数重畳して配置されているので、一本のフローティング電極６１により、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。

（実施形態５−５）
図６２は、実施形態５−５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６２に示すように、実施形態５−５の液晶表示装置においてフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極６１は、サブ画素の長辺方向（ソース配線２４に沿った方向）に配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。このように配置されたフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と複数重畳して配置されているので、一本のフローティング電極６１により、画素電極２１及び共通電極２２のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。

（実施形態５−６）
図６３は、実施形態５−６の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６３に示すように、実施形態５−６の液晶表示装置においてフローティング電極６１は、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極６１は、サブ画素の短辺方向（ゲート配線２５に沿った方向）及びサブ画素の長辺方向（ソース配線２４に沿った方向）のいずれの方向にも配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。なお、フローティング電極６１は、ＴＦＴ２６とは重畳しておらず、ＴＦＴ２６の外周に沿って配置されている。言い換えれば、実施形態５−６においては、ソース配線２５、ゲート配線２４、及び、ＴＦＴ２６で囲まれる領域の外周に沿ってフローティング電極６１が配置されており、これにより、画素電極２１及び共通電極２２のいずれの櫛歯に断線が起こったとしても対応可能な修正用の電極として用いることができる。

（実施形態５−７）
図６４は、実施形態５−７の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６４に示すように、実施形態５−７の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯の端部、及び、共通電極２２の両方の櫛歯の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極６１がそれぞれ二つずつ配置されている。

このようにフローティング電極６１を二重に配置しておくことで、一方のフローティング電極６１に断線が生じたときであっても、もう一方のフローティング電極６１を通して修正を行うことができる。

（実施形態５−８）
図６５は、実施形態５−８の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６５に示すように、実施形態５−８の液晶表示装置では、共通電極２２の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、共通電極２２の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。

架橋電極６３が設けられることにより、共通電極２２の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった共通電極２２の櫛歯と断線が起こっていない共通電極２２の櫛歯とが接続されており、共通電極２２全体に共通電圧を供給することができるため、画素欠陥が生じない。

（実施形態５−９）
図６６は、実施形態５−９の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６６に示すように、実施形態５−９の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されており、該コンタクトホール６４を介して架橋電極６３のそれぞれと接続されている。架橋電極６３は線状であり、サブ画素の上辺方向（ゲート配線２６に沿った方向）に配置されている。また、架橋電極６３は、画素電極２１の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されており、かつ櫛歯の端部のみならず、柄の端部とも重畳して配置されている。更に、コンタクトホール６４は、画素電極２１の柄の端部にも設けられている。

このように架橋電極６３が設けられることにより、画素電極２１の櫛歯の一部に断線が生じた場合であっても、架橋電極６３を介して、断線が起こった画素電極２１の櫛歯と断線が起こっていない画素電極２１の櫛歯又は柄とが接続されており、画素電極２１全体に信号電圧を供給することができるため、画素欠陥が生じない。

（実施形態５−１０）
図６７は、実施形態５−１０の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６７に示すように、実施形態５−１０の液晶表示装置では、画素電極２１の櫛歯及び共通電極２２の櫛歯並びに画素電極２１の柄のそれぞれの端部にコンタクトホール６４が形成されている。架橋電極６３は線状であり、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯並びに画素電極２１の柄のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら２つの架橋電極６３は、一方が画素電極２１にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極２２にのみコンタクトホール６４を介してそれぞれ接続されている。

このように、それぞれ別々の電極に接続させた架橋電極６３を二本配置することで、画素電極２１と共通電極２２とのいずれに断線が起こったとしても、架橋電極６３の一方を介して画素電極２１全体に信号電圧を、架橋電極６３の他方を介して共通電極２２全体に共通電圧をそれぞれ供給することができるようになるので、画素欠陥が起こる可能性を低減することができる。

（実施形態５−１１）
図６８は、実施形態５−１１の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６８に示すように、実施形態５−１１の液晶表示装置では、画素電極２１の中心線を対称として画素電極２１及び共通電極２２の一方の櫛歯が、他の一方よりも細く形成されており、画素電極２１の櫛歯の端部及び共通電極２２の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極６１が配置されている。

このようにフローティング電極６１を、より断線の起こりやすい画素電極２１及び共通電極２２の細く形成された部分と重畳するように配置しておくことで、これら細く形成された部分で断線が起こったとしてもレーザー照射による修正が可能となる。

（実施形態５−１２）
図６９は、実施形態５−１２の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図６９に示すように、実施形態５−１２の液晶表示装置では、画素電極の櫛歯の端部及び共通電極の一方の櫛歯の端部のそれぞれに遮光膜が配置されている。

これにより、実施形態１−７の場合と同様、レーザー照射による修正を行ったとしても配向乱れによる表示品位への悪影響を妨げることができる。

（実施形態５−１３）
図７０は、実施形態５−１３の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図７０に示すように、実施形態５−１３の液晶表示装置では、フローティング電極６１の画素電極２１の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極６１の共通電極２２の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。

実施形態１−８の場合と同様、このように共通電極２２の櫛歯の端部と重畳する部位の幅をより広く形成することで、レーザー照射による修正が容易となり、かつ幅を細くすることができる分、透過率が向上する。

（実施形態５−１４）
実施形態５−１４の液晶表示装置は、実施形態５−１〜５−１３で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態５−１４の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、ＩＰＳモードである。したがって、実施形態５−１４の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図は、図５７と同様である。

実施形態５−１４の液晶表示装置の液晶分子の制御方式については、上述の実施形態１−１０と同様である。

（実施形態５−１５）
図７１は、実施形態５−１５の液晶表示装置が備えるＴＦＴ基板の１サブ画素単位の平面模式図である。図７１に示すように、実施形態５−１５の液晶表示装置のＴＦＴ基板は、画素電極２１のみ有しており、共通電極は有していない。共通電極は、ＴＦＴ基板と対向するもう一方の基板（対向基板）に配置されている。対向基板において共通電極は、画素電極のような微細なパターン形状は有していない、スリットのない平面形状を有している。

実施形態５−１５の液晶表示装置の液晶分子の制御方式について説明する。図７２−１及び図７２−２は、実施形態５−１５の液晶表示装置の断面模式図であり、特に液晶分子の挙動について詳しく示している。図７２−１は液晶層に対して電圧が印加されていない状態を示し、図７２−２は液晶層に対して電圧が印加されている状態を示す。

図７２−１及び図７２−２に示すように、液晶層１３は、画素電極２１と共通電極２２とによって挟持されるため、画素電極２１及び共通電極２２に印加される所定の電圧により、液晶層１３内に電界を形成し、液晶分子５１の配向を制御することができる。液晶層１３内には、負の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられており、かつＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の液晶層１３と接する面には垂直配向膜３６，４３が配置されている。

図７２−１に示すように、電圧無印加時において液晶分子５１は、ホメオトロピック配向性、すなわち、一対の基板１１，１２面に対して垂直配向を示している。より具体的には、棒状の液晶分子５１のそれぞれの長軸が基板面に対して略垂直な方向を向いており、液晶分子５１のいずれもが同じ方向を向いて規則的に並んでいる。

図７２−２に示すように、画素電極２１と共通電極２２との間に電圧が印加されると、一対の基板１１，１２面に対して略水平な方向に、かつ液晶分子５１は画素電極の櫛歯の長さ方向に略平行な方向に長軸が傾くように変化する。

このようなＶＡモードの液晶表示装置においても、画素電極２１の櫛歯に断線が生じると、画素電極２１と共通電極２２との間に電界が形成されなくなり、かつ液晶分子に配向乱れが生じることがあり、画素欠陥として認識されることがある。したがって、画素電極２１の櫛歯の端部と重畳するように修正用のフローティング電極６１を形成しておくことで、断線が起こったとしても、レーザー照射により、修正を行うことができ、画素電極２１全体に信号電圧を供給することが可能となる。

なお、実施形態５−１〜５−１４の場合、画素電極２１の櫛歯の幅及び共通電極２２の櫛歯の幅は、極力細いことが好ましく、例えば、画素電極２１の櫛歯の幅は２〜８μｍで形成し、共通電極２２の櫛歯の幅は２〜１０μｍで形成する。一方、実施形態５−１５の場合もまた、画素電極２１の櫛歯の幅は、極力細いことが好ましく、例えば、画素電極２１の櫛歯の幅は２〜８μｍで形成する。

以上、実施形態５−１〜５−１５について説明してきたが、例えば、各実施形態において、実施形態５−５のようにフローティング電極の代わりに架橋電極を用いることは可能であり、その他にも実施形態５−１〜５−１５のそれぞれの特徴を互いに組み合わせることが可能である。

なお、本願は、２００９年６月３０日に出願された日本国特許出願２００９−１５５４５７号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

１：液晶表示パネル
１１：ＴＦＴ基板
１２：対向基板
１３：液晶層
２１：画素電極
２２：共通電極
２３，２９，６２，６４：コンタクトホール
２４：ソース配線（信号配線）
２５：ゲート配線（走査配線）
２６：ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２７：遮光膜
２８：引き出し配線
３１，４１：ガラス基板
３２：第一の絶縁膜
３３：第二の絶縁膜
３４：第三の絶縁膜
３５：第四の絶縁膜
３６，４３：垂直配向膜
３７，４４：偏光板
３８，４５：水平配向膜
４２：カラーフィルタ
５１：液晶分子
６１：フローティング電極
６２：レーザー装置
６３：架橋電極

Claims (19)

1. 液晶層及び該液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
   該一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、
   該液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、
   該一対の基板のうち、該液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、絶縁膜を挟んで該二以上の線状部の少なくとも二つと重畳するフローティング電極を有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記フローティング電極は、線状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記フローティング電極は、金属単体で構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
4. 前記フローティング電極は、前記二以上の線状部のそれぞれの端部と重畳していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記フローティング電極の幅は、前記二以上の線状部のそれぞれの幅と略同一であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記フローティング電極の幅は、前記二以上の線状部のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 前記フローティング電極の前記二以上の線状部と重畳する部位の幅は、前記フローティング電極の前記二以上の線状部と重畳しない部位の幅よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記液晶表示装置は、複数のフローティング電極を有し、
   該複数のフローティング電極は、少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳し、他の少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの他方の端部と重畳していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 前記液晶表示装置は、複数のフローティング電極を有し、
   該複数のフローティング電極は、少なくとも二つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳していることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記二以上の線状部の端部は、遮光膜と重畳していることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. 前記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、走査配線と信号配線とを有し、
    前記フローティング電極は、走査配線と信号配線とで囲まれる範囲内に配置されている
    ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記フローティング電極は、前記液晶層に電圧を印加する電極よりも液晶層から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
13. 前記液晶層に電圧を印加する電極は、柄部と該柄部から突出した二以上の櫛歯を有する櫛型電極であり、
    前記二以上の線状部は、該二以上の櫛歯である
    ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
14. 前記液晶表示装置は、前記櫛型電極を一対有し、
    該一対の櫛型電極は、互いの櫛歯が一定間隔を空けてかみ合わさっている
    ことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
15. 前記フローティング電極は、上記一対の櫛型電極の両方の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項１３又は１４記載の液晶表示装置。
16. 前記フローティング電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯の数が多い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
17. 前記フローティング電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯が細い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
18. 液晶層及び該液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
    該一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、
    該液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、
    該一対の基板のうち、該液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、該二以上の線状部の少なくとも二つを架橋する架橋電極を複数有し、
    該複数の架橋電極は、絶縁膜を挟んで該液晶層に電圧を印加する電極と異なる層に配置されており、かつ少なくとも一つが該二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳し、他の少なくとも一つが該二以上の線状部のそれぞれの他方の端部と重畳している
    ことを特徴とする液晶表示装置。
19. 液晶層及び該液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
    該一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、
    該液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、
    該一対の基板のうち、該液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、該二以上の線状部の少なくとも二つを架橋する架橋電極を複数有し、
    該複数の架橋電極は、絶縁膜を挟んで該液晶層に電圧を印加する電極と異なる層に配置されており、かつ少なくとも二つが該二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳している
    ことを特徴とする液晶表示装置。

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