JP6640252B2 - 液晶パネル - Google Patents

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Description

本技術は、液晶パネルに関する。
従来、所定の間隔を空けて対向配置されたアレイ基板および対向基板と、これら一対の基板の間に封入された液晶層と、を備える液晶パネルにおいて、基板間の間隔(以下、セルギャップと称することがある)を規定するために、対向基板に柱状スペーサ(突設体)を配設したものが知られている。柱状スペーサは、複数設けられ、対向基板からアレイ基板に向けて突設されて、その突出端がアレイ基板の一部に当接することにより、セルギャップを一定に保つ機能を奏する。
しかし、アレイ基板の内側面(液晶層側の面)には、多様なパターンを有する各種膜構造が積層されることで凹凸構造が形成されており、対向基板に突設された複数の柱状スペーサの突出端がアレイ基板の基準面に当接するように設定した場合であっても、実際には、例えば基準面に対して低くなった凹部に滑り落ちて嵌り込むことがある。両基板の嵌合に多少のズレを生ずることは不可避であり、またパネル面への外圧による基板の撓み・反りによっても、部分的な位置ズレが生じるからである。一部の柱状スペーサの突出端がアレイ基板の凹部に嵌り込むと、セルギャップが不均一となって液晶パネルの面内均一性を維持できず、セル厚ムラの原因となって表示品位の低下を招いていた。
そこで、例えば下記特許文献1には、対向基板の柱状スペーサを、アレイ基板の穴構造(凹部)を挟んだ両側に配置されるパターンをなすように形成し、両基板の嵌合にズレが生じても、一定以上の割合の柱状スペーサが穴構造に嵌入することなく実効的に機能するようにした画像表示装置が提案されている(下記特許文献1)。
特開2004−239982号公報
ところで、対向基板には、柱状スペーサとして、セルギャップを規定する上記のようなメインスペーサとは別に、サブスペーサが設けられることがある。サブスペーサは、液晶パネルの画像表示面を押圧する外力が作用した際に、これを受け止めて、液晶パネル内部に形成された構造の保護を図る機能を有する。サブスペーサは、その存在による液晶層の容積量の過剰な低下を抑制し、また突出端によるアレイ基板の内側表面の損傷を抑制するために、その突出長が、メインスペーサの突出長(すなわちセルギャップ)よりも小さく、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配されるように形成される。
メインスペーサおよびサブスペーサは、何れも、液晶層中に含まれる液晶分子の本来あるべき配向を乱す起点となる。このため、液晶パネルの表示品位を確保する観点から、対向基板においてこれらの柱状スペーサに重畳される位置には、光の透過を遮断する遮光層(ブラックマトリクス層、BM層)を配置することが好ましい。液晶パネル全体における遮光層の配設面積をできるだけ小さくして高い開口率を確保する観点から、柱状スペーサは、液晶パネルを平面に視て、絵素電極の周囲を取り巻くように格子状に配設される遮光層と重畳する位置に配されることが好ましい。柱状スペーサを、その中心が絵素間遮光部の中心線上に位置するように一定間隔で設ければ、これらの遮光を行うためのスペーサ遮光部の一部もしくは全部が絵素間遮光部に包含され、遮光層の配設面積をできるだけ小さく抑えながら、多数の柱状スペーサを液晶パネルの面内において一定の頻度で分布するように配することができる。
しかしながら、アレイ基板において絵素間遮光部と重畳する位置には、通常、信号配線やスイッチング素子等の液晶分子配向の攪乱起点となる構造が配される。さらにはその近傍に、配線の接続や補修のための凹凸構造が設けられることがあり、メインスペーサの突出端の中心が凹凸構造の近傍に当接するように設けられると、セルギャップを安定的に維持できなくなる虞がある。だからといって、上記特許文献1から示唆されるように、突出端の中心が凹凸構造から外れた位置に当接するよう柱状スペーサの全てをシフトさせると、スペーサ遮光部が絵素間遮光部から突出して、液晶分子の配向攪乱起点となる構造を遮光するために必要な遮光層の面積が拡大し、液晶パネルの開口率が大幅に低下してしまう。
本技術は上記事情に基づいて完成されたものであって、高い開口率を維持しながら液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光し、液晶パネル面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネルを得ることを目的とする。
本技術に係る液晶パネルは、
アレイ基板と、
前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
前記アレイ基板には、
行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
前記対向基板には、
光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第1突設体と、
前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第2突設体と、が設けられており、
前記平面に視て、
前記第1突設体および前記第2突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされている。
上記構成によれば、第1突設体によってアレイ基板と対向基板との間隔が規定され、第2突設体によって両基板の板面を押圧する外力に対する基板内構造の保護が図られる。両突設体は液晶分子の配向攪乱の起点となるが、これらを各絵素電極の周りに配される絵素間遮光部と重畳する位置に設けたことで、これらの遮光を行うための突設体遮光部の一部もしくは全部が絵素間遮光部に包含される。よって、液晶パネルの面内において、遮光層の配設面積を大きく増加させることなく表示品位を維持しながら、両突設体を一定の頻度で分布させることができる。なお、各絵素電極を取り囲んで格子状に配設される絵素間遮光部は、各絵素電極の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、表示画像のコントラストを高める機能を有する。対向基板に、特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極と対向する位置に行列状に配される複数の着色部が設けられた構成の液晶パネルでは、絵素間遮光部は、複数の前記着色部の境界に配されて、混色を防ぎ、表示画像のカラーコントラストを高める機能を有する。液晶パネル全体の遮光層の配設面積を抑制する観点から、アレイ基板に設けられて液晶分子の配向攪乱の起点となり得る凹凸構造も、対向基板の絵素間遮光部と重畳する位置に配設することが好ましい。
ここで、第2突設体は、その遮光に必要な遮光幅が比較的小さいため、第2突設体を、その中心が絵素間遮光部の中心線に近くなるように配したことで、この配設部位を遮光する第2突設体遮光部の大部分もしくは全部を絵素間遮光部に包含させることができる。これにより、絵素間遮光部と突設体遮光部とを合わせた遮光層の配設面積を小さく抑えることができる。第2突設体は、セルギャップを規定するものではないため、アレイ基板においてこれと対向する位置に凹凸構造が設けられていても、特に不具合は生じない。
一方で、セルギャップを規定する第1突設体は、元来、その遮光に必要な遮光幅が大きく、第1突設体を、その中心が絵素間遮光部の中心線に近くなるように、例えば中心線上に位置するように配したとしても、この配設部位を遮光する第1突設体遮光部の一部が絵素間遮光部から突出してしまう。このような第1突設体をシフトさせても、第1突設体遮光部の絵素間遮光部からの突出部位が変わるだけで突出面積が大きく変化することはなく、また第1突設体は配設数が比較的少ないため、絵素間遮光部と突設体遮光部とを合わせた遮光層の配設面積の大幅な拡大が必要とされることはない。第1突設体の配設位置をシフトさせて、その突出端の中心がアレイ基板に形成された凹凸構造から外れた位置に当接するように設けることにより、アレイ基板の凹部に嵌り込んだり凸部に引っ掛かったりしてセルギャップが不均一になる事態を抑制することができる。
以上より、絵素間遮光部の延在幅の中心線に対する第1突設体と第2突設体の配設位置をずらし、絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離が、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くなるように配置した結果、高い開口率を維持しながら液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光し、液晶パネル面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネルを得ることができる。
本技術によれば、画像表示品位および耐押圧力に優れた液晶パネルが得られる。
実施形態1に係る液晶表示装置の液晶パネル付近の接続構成を示す概略平面図 液晶セルを構成するCF基板の、表示領域におけるカラーフィルタ、メインスペーサおよびサブスペーサの配置を示す概略平面図 メインスペーサおよびサブスペーサが重畳されたアレイ基板の、表示領域における平面構成と、開口領域を示す概略模式図 図3のTFT等遮光部近傍の部分拡大図 図4のA−A断面図 図4のB−B断面図 図4のC−C断面図 仮にメインスペーサと同様にサブスペーサもシフトさせた場合の、メインスペーサおよびサブスペーサが重畳されたアレイ基板の、表示領域における平面構成と、開口領域を示す概略模式図 実施形態2に係るメインスペーサが重畳されたアレイ基板の、TFT等遮光部近傍の構成を示す部分拡大概略平面図 図9のD−D断面図 図9のE−E断面図 図9のF−F断面図
<実施形態1>
実施形態1を、図1から図7によって説明する。
本実施形態1では、液晶表示装置1の液晶パネル10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸およびZ軸を示しており、各軸方向が各において同一方向となるように描かれている。複数の同一部材については、一の部材に符号を付し、他の部材については符号を省略することがある。また、以下の説明では、図5、図6および図7の上側を前側(下側を背面側)とする。
本実施形態1に係る液晶表示装置1は、例えば携帯電話端末(スマートフォン等を含む)、ノートパソコン(タブレット型ノートパソコン等を含む)、ウェアラブル端末(スマートウォッチ等を含む)、携帯型情報端末(電子ブックやPDA等を含む)、携帯型ゲーム機等の各種電子機器(図示せず)等とすることができ、液晶パネル10は、画面サイズが、例えば数インチ〜十数インチ程度の、一般的には小型または中小型に分類される大きさとすることができる。しかし、このようなものに限定されることはなく、数十インチ以上の中型または大型(超大型)に分類される画面サイズの表示装置にも、本技術は適用可能である。
液晶表示装置1は、図1に示すように、画像を表示可能な液晶パネル10と、液晶パネル10を駆動するドライバ(パネル駆動部、駆動回路部)12と、ドライバ12に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板(外部の信号供給源)13と、液晶パネル10と制御回路基板13とを電気的に接続するフレキシブル基板(外部接続部品)14と、液晶パネル10に対して背面側に配されて液晶パネル10に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置(図示せず)と、を有する。ドライバ12およびフレキシブル基板14は、液晶パネル10に対してACF(Anisotropic Conductive Film)を介して実装されている。
液晶パネル10は、図1に示すように、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしている。液晶パネル10の板面のうち、中央側には、画像を表示可能な表示領域(アクティブエリア)AAが配される。液晶パネル10の板面のうち、表示領域AAを取り囲む形で外周側には、平面に視て枠状(額縁状)をなす非表示領域(ノンアクティブエリア)NAAが配される。液晶パネル10における短辺方向が各図面のX軸方向と一致し、長辺方向が各図面のY軸方向と一致し、さらには板厚方向がZ軸方向と一致している。なお、図1では、一点鎖線が表示領域AAの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域NAAとなっている。
液晶パネル10は、何れも耐熱性と絶縁性と高い透光性とを備えたガラス板や樹脂板等からなる透明基板21,31を少なくとも有しており、この透明基板21,31上に、後述する各種の層が所定パターンで積層形成されている。透明基板21,31のうち、前側に配される透明基板21がCF基板(対向基板)20を構成し、背面側に配される透明基板31がアレイ基板(薄膜トランジスタ基板、アクティブマトリクス基板、TFT基板)30を構成する。CF基板20およびアレイ基板30からなる一対の基板間には、所定のセルギャップGが維持され、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層40が封入される(図5等参照)。本実施形態1では、FFS(Fringe Field Switching)モードで駆動される液晶パネル10について例示する。なお、両透明基板21,31の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。
図2は、CF基板20の表示領域AAに配されるカラーフィルタ22と、その背面側(内側、液晶層40側)に設けられたメインスペーサ25およびサブスペーサ26の配設状態を表した概略平面模式図である。カラーフィルタ22の前側(外側、透明基板21側)には、所定のパターンで絵素間遮光部(遮光層の一部)50が配設される一方、カラーフィルタ22の背面側には、図示しないオーバーコート層が設けられている。さらに、CF基板20の最も背面側には、図示しない配向膜が液晶層40に接するように設けられている。
カラーフィルタ22は、図2に示すように、マトリクス状に配列された複数の着色部23からなり、各着色部23は、後述するアレイ基板30に設けられた各絵素電極70と対向状をなす位置に形成されて、互いに対向する着色部23と絵素電極70によって各絵素が構成される。各着色部23は、呈する色に応じた顔料を含有しており、その顔料によって非呈色光を吸収することで呈色光(特定の色の光)を選択的に透過するものとされる。本実施形態に係るカラーフィルタ22は、赤色を呈する赤色着色部23Rと、緑色を呈する緑色着色部23Gと、青色を呈する青色着色部23Bと、の三色からなり、各1つずつの赤色絵素、緑色絵素、青色絵素が1セットとなって、各画素が構成される。
各着色部23は、長辺方向をY軸方向に、短辺方向をX軸方向にそれぞれ一致させた縦長(長手)の方形状(矩形状)をなしており、各色で全て面積が同一とされている。言い換えると、表示領域AA内における各着色部23の面積比率は全て等しく、且つ、各絵素の開口比率も全て等しいものとされる。各着色部23は、X軸方向には、隣り合う着色部23が互いに異なる色を呈するように、所定の順で繰り返し並んで配されてなる。一方、Y軸方向には、隣り合う着色部23が同じ色を呈するように、配列されている。すなわち、各着色部23は、Y軸方向には表示領域のほぼ全長にわたって、後述するアレイ基板30のソース配線(信号配線)82および絵素電極70と同じく概ねY軸方向に沿ってジグザグ状に延在し、アレイ基板30においてY軸方向に沿って並ぶ複数の絵素電極70を全て跨ぐ(横切る)形で配されている。
CF基板20のカラーフィルタ22と透明基板21との間には、平面に視て、格子状の絵素間遮光部50が設けられる。絵素間遮光部50は、後述するアレイ基板30に設けられたゲート配線81に概ね沿うようにX軸方向に延在してTFT(薄膜トランジスタ、スイッチング素子の一例)60等を遮光するTFT等遮光部(スイッチング素子遮光部)51と、ソース配線82と重畳するように概ねY軸方向にジグザグ状に延在するソース配線遮光部(信号配線遮光部)52と、からなる。TFT等遮光部51は、Y軸方向に隣り合う絵素の境界に配され、ソース配線遮光部52は、X軸方向に隣り合う絵素の境界、すなわち各着色部23の境界に配される。絵素間遮光部50は、各絵素電極70の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、混色を防いで、表示画像のコントラストを高める機能を有する。
また、カラーフィルタ22の背面側には、その全面に亘って略一定の頻度で分布するように、メインスペーサ(第1突設体)25およびサブスペーサ(第2突設体)26が設けられている。メインスペーサ25およびサブスペーサ26の配設位置の周囲には、これらの配設部位を遮光するためのスペーサ遮光部55(遮光層の一部)が配設される。
ソース配線遮光部52およびTFT等遮光部51からなる絵素間遮光部50等の遮光層の配設状態の詳細、並びに、メインスペーサ25およびサブスペーサ26、スペーサ遮光部55の寸法形状や配設状態の詳細については、後述する。
アレイ基板30の表示領域AAにおける内面側(液晶層側、CF基板20との対向面側)には、図3に示すように、スイッチング素子であるTFT60と、絵素電極70が、複数マトリクス状(行列状)に並んで設けられる。TFT60および絵素電極70の周りには、格子状をなすゲート配線(走査配線)81およびソース配線(信号配線、データ線)82が取り囲むようにして配設される。つまり、TFT60および絵素電極70は、平面に視て、格子状をなすゲート配線81およびソース配線82の各交差部に割り当てられる形となっている。ゲート配線81は、X軸方向に沿って直線状に延在するのに対し、ソース配線82は、概ねY軸方向に沿ってジグザグ状に延在する。
TFT60は、図4に拡大して示すように、ゲート配線81に接続されるゲート電極61と、ソース配線82に接続されるソース電極62と、後述するドレイン配線84を介して絵素電極70に接続されるドレイン電極63と、ソース電極62およびドレイン電極63に接続されるチャネル部64と、を有する。これにより、ソース電極62と、ドレイン電極63とは、チャネル部64を挟んで互いに半導体膜上で間隔を保ちつつ対向した状態となっている。ソース電極62およびドレイン電極63は、それぞれ半導体膜に対して電気的に接続されて、ソース電極62とドレイン電極63との間の電子移動を可能としている。
TFT60がゲート配線81を通じて伝送される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線82に供給される画像信号に係る電位がチャネル部64を介してドレイン電極63に供給され、もって絵素電極70が画像信号に係る電位に充電される。なお、ソース配線82は、表示領域AAをY軸方向に沿って全長にわたって縦断し、両端部が非表示領域NAAに配されているが、このうちの両端部には、非表示領域NAAに引き回された予備配線(図示せず)が、後述するゲート絶縁膜33を介して重畳配置されている。ソース配線82に断線や短絡等の不具合が生じた場合には、ソース配線82を途中で切断するとともに、両端部と予備配線とを短絡させることで、予備配線を経由する形で修理対象のソース配線82に接続された各TFT60に画像信号を供給可能となっている。
ドレイン配線(絵素電極接続配線)84は、ドレイン電極63からX軸方向に沿ってソース電極62側とは反対側(図4に示す右側)に向けて延出する第1配線部84Aと、第1配線部84Aから屈曲されてY軸方向に沿って絵素電極70側(図4に示す上側)に向けて延出する第2配線部84Bと、第2配線部84Bの延出先端部であって絵素電極70に接続される電極接続部84Cと、を有する。さらには、ドレイン配線84は、第2配線部84Bの電極接続部84Cにて再び屈曲されてX軸方向に沿ってTFT60の接続対象となるソース配線82側(図4に示す左側)に向けて延出する第3配線部84Dを有する。このように、ドレイン配線84は、全体として平面に視て折り返し状をなしている。このドレイン配線84の接続対象である絵素電極70は、既述したスリット70A1が形成される電極本体70Aと、電極本体70AからY軸方向に沿ってTFT60側に向けて突出してドレイン配線84に接続されるドレイン配線接続部(接続箇所)70Bと、を有する。なお、以下の説明および図4では、絵素電極70を挟み込む一対のソース配線82のうち、説明対象とする絵素電極70の右側に位置するものを第1ソース配線として符号に添え字「α」を付すのに対し、左側に位置するものを第2ソース配線として符号に添え字「β」を付している。TFT60の左側に位置するソース配線には、ソース電極62が設けられている。つまり、絵素電極70は、これを挟み込む一対のソース配線82のうちの第2ソース配線82βが上記絵素電極70の接続対象とされており、第1ソース配線82αは上記絵素電極70の接続対象外である。第1ソース配線82αは、上記絵素電極70に対して右側に隣接する絵素電極70の接続対象とされる。
絵素電極70は、図3に示すように、一対ずつのゲート配線81およびソース配線82によって囲まれた縦長の概ね方形の領域に配されており、その長辺部分がソース配線82に並行してジグザグ状をなしている。絵素電極70には、自身の長辺部分に沿って延在する複数(本実施形態1では4本)のスリット70A1が開口形成されている。アレイ基板30の表示領域AAの内面側には、絵素電極70と重畳する形で概ねベタ状の共通電極75が形成されている。互いに重畳する絵素電極70と共通電極75との間に電位差が生じると、後述する液晶層40には、アレイ基板30の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板30の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界(斜め電界)がスリット70A1付近に印加される。
さらに、絵素電極70をY軸方向について両側から挟み込む一対のゲート配線81の間となる位置には、複数ずつの絵素電極70およびソース配線82を横切る形でゲート配線81に並行する容量配線83が設けられている。容量配線83は、絵素電極70およびソース配線82とは異なる層に配されるとともに絵素電極70に接続されたドレイン配線84の第3配線部84Dと重畳しており、静電容量を形成している。この容量配線83により、TFT60の駆動に伴って充電された絵素電極70の電位を一定期間保持することが可能とされる。容量配線83は、ゲート配線81と同層に配されている。好ましくは、容量配線83は、共通電極75と同電位とされるが、必ずしもその限りではない。
なお、本実施形態1では、容量配線83から連なり、ドレイン配線84の第3配線部84Dと重畳するドレイン配線重畳部39が形成されている。ドレイン配線重畳部39は、後述する輝点化するような絵素を黒点化する修理を行うため、レーザー光を照射する部分である。また、ソース配線82と絵素電極70のドレイン配線接続部70Bとの間となる位置に配されて、ソース配線82とドレイン配線接続部70Bと間の電界を遮蔽し、この電界によって生じる寄生容量に起因する表示品位の低下を抑制する機能も有する。
続いて、アレイ基板30の内面側に積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板30には、図5に示すように、透明基板31側から順に、第1金属膜(ゲート金属膜)32A、ゲート絶縁膜33、半導体膜34、第2金属膜(ソース金属膜)32B、第1層間絶縁膜35A、平坦化膜36、第1透明電極膜37A、第2層間絶縁膜35B、第2透明電極膜(図には表されていない)、配向膜38が積層形成されている。各膜は、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術等を利用して形成できる。
第1金属膜32Aは、異なる種類の金属材料を積層してなる積層膜または1種類の金属材料からなる単層膜とされ、図5等に示すように、TFT60のゲート電極61や、ゲート配線81、ドレイン配線重畳部39を有する容量配線83、予備配線等を構成する。ゲート絶縁膜33は、SiNやSiO等の無機絶縁材料(無機材料)からなる。半導体膜34は、材料として例えば酸化物半導体を用いた薄膜からなり、TFT60を構成するチャネル部64等を構成する。第2金属膜32Bは、第1金属膜32Aと同様に、積層膜または単層膜とされ、TFT60のソース電極62およびドレイン電極63や、ソース配線82、ドレイン配線84等を構成する。第1層間絶縁膜35Aは、ゲート絶縁膜33と同様に無機絶縁材料からなる。平坦化膜36は、例えばPMMA(アクリル樹脂)等の有機絶縁材料(有機材料)からなり、その膜厚が無機樹脂材料からなる他の絶縁膜33,35A,35Bよりも大きい。この平坦化膜36によりアレイ基板30の内側表面が平坦化される。第1透明電極膜37Aは、例えばITO等の透明電極材料からなり、共通電極75を構成する。第2層間絶縁膜35Bは、ゲート絶縁膜33等と同様に無機絶縁材料からなる。第2透明電極膜は、第1透明電極膜37Aと同様に透明電極材料からなり、絵素電極70を構成する。配向膜38は、例えばポリイミド等からなり、アレイ基板30の最も内側(液晶層側)に配されて、これに接するように両基板20,30間に封入される液晶層40中の液晶分子を所定の方向に配向させる機能を奏する。必要に応じて、適宜ラビング等の配向処理を施して用いることができる。
図5には表されていないが、第1層間絶縁膜35A、平坦化膜36および第2層間絶縁膜35Bには、第2透明電極膜からなる絵素電極70を第2金属膜32Bからなるドレイン配線84に接続するためのコンタクトホールCHが開口形成されている(図4等参照)。コンタクトホールCHは、絵素電極70のドレイン配線接続部70Bと、ドレイン配線84の電極接続部84Cと、の双方と平面に視て重畳する位置に配される。第1層間絶縁膜35A、平坦化膜36および第2層間絶縁膜35Bは、コンタクトホールCHを除き、少なくとも表示領域AAの全域にわたってベタ状に形成されている。
ところで、図4等に示すように、共通電極75には、少なくともソース配線82と絵素電極70におけるドレイン配線接続部70Bとに跨る範囲の開口部75Aが設けられている。なお、図3および図4では、開口部75Aの形成範囲に網掛けを付して表している。本実施形態1に係る開口部75Aは、ソース配線82および絵素電極70におけるドレイン配線接続部70Bに加えてドレイン配線84に跨る範囲に設けられている。詳しくは、開口部75Aは、図4に示すように、第1ソース配線82αと重畳し且つX軸方向について第1ソース配線82αの両側方領域に広がる範囲の第1開口部75A1と、ドレイン配線84と重畳し且つX軸方向についてドレイン配線84の両側方領域に広がる範囲の第2開口部75A2と、ドレイン配線接続部70B、電極接続部84CおよびコンタクトホールCHと重畳する範囲の第3開口部75A3と、を相互に連ねた構成とされる。このうち、第3開口部75A3は、共通電極75よりも上層側に配された絵素電極70のドレイン配線接続部70Bが、共通電極75よりも下層側に配されたドレイン配線84の電極接続部84Cに達するようコンタクトホールCHに通される途中で共通電極75と短絡するのを防ぐためのものである。第1開口部75A1および第2開口部75A2は、修理に際してソース配線82やドレイン配線84にレーザー光を照射した場合に、ソース配線82やドレイン配線84が共通電極75と短絡するのを防ぐためのものである。
具体的には、例えば第1ソース配線82αがゲート配線81と短絡する不具合が生じた場合には、上記した第1開口部75A1を通して第1ソース配線82αにレーザー光を照射し、第1ソース配線82αを切断するとともに、その第1ソース配線82αを予備配線に接続するようにして修理を行う。この修理により、第1ソース配線82αに接続された各TFT60に、予備配線を経由して画像信号を供給することができる。このとき、第1開口部75A1は、第1ソース配線82αとその両側方領域に広がっているので、第1ソース配線82αにおけるレーザー光の照射箇所が共通電極75と短絡する事態が生じるのが回避される。また、例えばゲート配線81とドレイン配線84とが短絡したり、ゲート電極61とドレイン電極63とが短絡したり、TFT60のオフ状態の抵抗が低くなる不具合が生じた場合には、上記した第2開口部75A2を通してドレイン配線84の第2配線部84Bにレーザー光を照射し、第2配線部84Bを切断するとともに、容量配線83に連なるドレイン配線重畳部39とドレイン配線84の第3配線部84Dとの重畳部にレーザー光を照射して接続することで、容量配線83を絵素電極70に短絡させるようにして修理を行う。この修理により、ゲート配線81(ゲート電極61)とドレイン配線84(ドレイン電極63)との短絡等に起因して輝点化する絵素を黒点化することができる。このとき、第2開口部75A2は、ドレイン配線84とその両側方領域に広がっているので、ドレイン配線84におけるレーザー光の照射箇所が共通電極75と短絡する事態が生じるのが回避される。
さて、液晶パネル10の表示品位を維持し、セルギャップGを安定的に均一に保持するための構成について、以下に詳しく説明する。
まず、絵素間遮光部50の配設状態について説明する。図2について既述したように、CF基板20において、カラーフィルタ22と透明基板21との間には、平面に視て格子状をなす絵素間遮光部50が設けられている。絵素間遮光部50は、既述したように、TFT等遮光部51およびソース配線遮光部52から構成される。なお、図3および図4では、アレイ基板30の内面側(液晶層側)に形成された各構造に重ねて、遮光層が重畳されない開口領域ORに、開口部75Aとは異なる網掛けを付して表している。絵素間遮光部50は、各色の絵素の混色を防いで表示画像のコントラストを高めるのみならず、アレイ基板30の内側面に形成された、液晶分子の配向攪乱起点となりうる凹凸構造の配設部位を遮光して、画像表示品位を維持する機能を奏する。
図3および図4に示すように、Y軸方向に延在するソース配線遮光部52は、液晶分子の配向攪乱起点となりうるソース配線82よりも僅かに大きな延在幅を有して、ソース配線82に概ねぴったり重畳するように延在する。これに対し、X軸方向に延在するTFT等遮光部51には、後述するスペーサ遮光部55が、その一部もしくは全部がTFT等遮光部51に包含されるように結合される。すなわち、X軸方向に延在する遮光層は、TFT等遮光層51とスペーサ遮光部55とを合わせた領域に配されている。
TFT等遮光部51は、ゲート配線81と容量配線83の一部に重畳し且つ両配線81,83の間の領域全体を覆うように延在して、この領域に配される凹凸構造、具体的には、TFT60、配線接続のためのコンタクトホールCH、および配線補修のための開口部75Aと重畳するように配される。図3に示すように、TFT等遮光部51において、容量配線83側の外縁は、コンタクトホールCHの遮光に必要な遮光幅DCHにより、ゲート配線81側の外縁は、TFT60の遮光に必要な遮光幅DTFTにより、それぞれ規定され、TFT等遮光部51は比較的大きな延在幅W1を有する。スペーサ遮光部55については後に改めて記載する。
次に、メインスペーサ25およびサブスペーサ26の寸法形状等について説明する。図2について既述したように、CF基板20において、カラーフィルタ22の背面側(液晶層40側)には、アレイ基板30に向けて突出するメインスペーサ25およびサブスペーサ26が設けられる。
図5および図6に示すように、メインスペーサ25は、その突出端がアレイ基板30の一部に当接することにより、両基板20,30間のセルギャップGを一定に保つ機能を奏する。メインスペーサ25の突出長P1は、セルギャップGとほぼ等しくなる。なお、実際には、メインスペーサ25は、アレイ基板30とCF基板20とを貼り合わせる際に係る荷重によって若干圧縮されるため、メインスペーサ25を形成する際には、この圧縮分αを考慮して突出長を規定するとよい。一方、サブスペーサ26は、図5および図7に示すように、その突出長P2が、メインスペーサ25の突出長P1(すなわちセルギャップG)よりも小さくなるように形成され、アレイ基板30の内側面との間にクリアランスが形成された状態で対向配置される。サブスペーサ26は、主として液晶パネル10の画像表示面を押圧する外力が作用した際に、この押圧力を受け止めて液晶パネル10の内部に形成された構造を保護する機能を有する。サブスペーサ26は、アレイ基板30には当接しないように構成することで、その存在による液晶層40の容積量の過剰な低下が抑制され、また突出端によるアレイ基板30の内側表面の損傷が抑制される。本実施形態1では、メインスペーサ25の突出長を3.2μm、サブスペーサ26の突出長を2.6μmとして形成した場合について例示する。アレイ基板30とCF基板20とを貼り合わせる際に係る荷重によってメインスペーサ25が0.2μm程度圧縮され、セルギャップGは3.0μmとなる。
メインスペーサ25およびサブスペーサ26の断面形状については、特に限定されるものではないが、これらの配設面積は、各スペーサ25,26の機能と、各スペーサ25,26の遮光に要する遮光幅D3,D4とのバランスを考慮して設定することが好ましい。後述するように、メインスペーサ25を遮光するメインスペーサ遮光部55Aの遮光幅D3は比較的大きく設定する必要があるため、高い開口率を維持する観点から、メインスペーサ25の配設面積を過度に大きくすることは好ましくない。他方、サブスペーサ26を遮光するサブスペーサ遮光部55Bの遮光幅D4は比較的小さく設定可能であるため、押圧力を確実に受け止める観点から、サブスペーサ26の配設面積を大きくする方が好ましい。以上より、個々のサブスペーサ26の配設面積は、個々のメインスペーサ25の配設面積よりも大きくなるように形成することが好ましい。本実施形態1では、図4等に示したように、メインスペーサ25およびサブスペーサ26を、ともに断面が略正八角形状をなし、アレイ基板30に向けてやや先細りとなる柱状に形成した場合について例示する。メインスペーサ25およびサブスペーサ26は、何れも、その配設領域の中心を通りTFT等遮光部51の中心線CLに平行な直線に対して、線対称となるように設けられている。
次に、液晶パネル10におけるメインスペーサ25およびサブスペーサ26の配設状態について説明する。図2に示すように、本実施形態1において、メインスペーサ25およびサブスペーサ26は、何れも格子状に設けられた絵素間遮光部50の交点に配設される。詳しくは、TFT等遮光部51とソース配線遮光部52との交点のうち、X軸方向およびY軸方向の各1つおきの交点に設けられ、2絵素につき1個の、メインスペーサ25もしくはサブスペーサ26が配設されている。メインスペーサ25もおよびサブスペーサ26の分布頻度等は特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜変更できる。例えば、1絵素もしくは3絵素につき1個のメインスペーサ25もしくはサブスペーサ26を設けてもよい。メインスペーサ25は、液晶パネル10のセルギャップGを均一に保持してセル厚ムラを抑制するために、液晶パネル10の全面に分布させることが好ましい。また、サブスペーサ26は、液晶パネル10の任意の箇所に部分的な押圧力が作用する事態に対応するために、液晶パネル10の全面に亘って一定の頻度で分布するように多数配設することが好ましく、メインスペーサ25よりもサブスペーサ26の方が多数設けられている。本実施形態1では一例として、144画素、432絵素につき、メインスペーサ25を10個、サブスペーサ202個、を配設している。これらメインスペーサ25およびサブスペーサ26の配設比率も、目的に応じて適宜変更できる。
図4等に示すように、メインスペーサ25は、その中心が、TFT等遮光部51の中心線CLから、所定のシフト量Sだけ図4における下方に位置するように配される。これは、アレイ基板30においてTFT等遮光部51と重畳される領域には、既述したように共通電極75の開口部75Aによって内側表面に凹部が形成されているため、メインスペーサ25を、その突出端の中心が開口部75Aの近傍もしくは干渉する位置に当接するように形成された場合には、突出端が凹部に滑り落ちて嵌入する虞があるからである。
他方、サブスペーサ26は、その中心が、TFT等遮光部51の中心線CL上に配される。サブスペーサ26は、そもそもアレイ基板30に当接するものではないため、サブスペーサ26が開口部75Aと平面に視て重畳するような位置に設けられたとしても、セルギャップGの維持には影響しないからである。
次に、メインスペーサ25およびサブスペーサ26の配設部位を遮光するためのスペーサ遮光部55について説明する。図5に示すように、メインスペーサ25およびサブスペーサ26は、CF基板20から液晶層40内に突出するように設けられるため、液晶層40中に含まれる液晶分子の本来あるべき配向を乱す起点となる。このため、図4において太い二点鎖線で示すように、黒表示時の画面の白浮き等を防いで液晶パネルの表示品位を確保する観点から、両スペーサ25,26の配設部位を遮光するスペーサ遮光部55が設けられる。以下、スペーサ遮光部55のうち、メインスペーサ25の配設部位を遮光するためのものをメインスペーサ遮光部(第1突設体遮光部)55A、サブスペーサ26の配設部位を遮光するためのものをサブスペーサ遮光部55B(第2突設体遮光部)とする。特に、メインスペーサ25は、サブスペーサ26よりも突出長P1が大きく、その突出端がアレイ基板30の内側面に直接触れてセルギャップGを維持しているため、液晶パネル10が外圧を受けて反るような場合に、アレイ基板30の最も液晶層40側に形成された配向膜38をメインスペーサ25の突出端が擦り、後述するように削れた配向膜38が原因となって光漏れを招くことがある。このため、メインスペーサ遮光部55Aの遮光幅は、サブスペーサ遮光部55Bの遮光幅よりも大きく設定することが好ましい。
本実施形態1では、図4に示すように、メインスペーサ25の周囲に設けられるメインスペーサ遮光部55Aの遮光幅D3は、サブスペーサ26の周囲に設けられるサブスペーサ遮光部55Bの遮光幅D4よりも大きく、例えば2倍以上となるように設定される。
本実施形態1では、メインスペーサ25の配設幅D1を、TFT等遮光部51の延在幅W1およびメインスペーサ25の周囲に必要とされる遮光幅D3との関係において、D3>(W1−D1)/2となるように設けており、仮にメインスペーサ25の中心が中心線CL上にくるように配設した場合であっても、メインスペーサ遮光部55Aの一部がTFT等遮光部51から突出する。メインスペーサ25をシフトさせたことで、メインスペーサ遮光部55Aも下方にシフトするため、メインスペーサ遮光部55Aは、TFT等遮光部51の上方よりも下方に大きく突出している。
また、サブスペーサ26の配設幅D2は、TFT等遮光部51の延在幅W1およびサブスペーサ26の周囲に必要な遮光幅D4との関係において、D4≦(W1−D2)/2となるように設けられる。サブスペーサ26の中心はTFT等遮光部51の中心線CL上に位置するため、サブスペーサ遮光部55Bは、その全部がTFT等遮光部51内に包含される。本実施形態1では、D4=(W1−D2)/2となるように設定しており、このようにすれば、サブスペーサ遮光部55Bの全部がTFT等遮光部51内に包含される範囲において、サブスペーサ26の配設面積を最大とすることができ、耐押圧力を高める観点から好ましい。
[比較実験1]
ここで、メインスペーサ25およびサブスペーサ26を上記のように配設することによる、各絵素の開口面積への影響に関して知見を得るため、下記の比較実験1を行った。この比較実験1では、本段落以前に説明した本実施形態1に係る液晶パネル10を実施例1(図3等参照)とし、サブスペーサ26の配設位置を変更したサブスペーサ126周囲を適切に遮光するために、X軸方向に延在する遮光層の配設領域を拡大した液晶パネル110を比較例1(図8参照)とする。
実施例1および比較例1では何れも、図4に示すTFT等遮光部51の延在幅W1を40μm、メインスペーサ25基部の配設幅D1を約13μm、サブスペーサ26基部の配設幅D2を約20μmとし、メインスペーサ25周囲の遮光幅D3を21μm、サブスペーサ26周囲の遮光幅D4を10μm、メインスペーサ25の中心のTFT等遮光部51の中心線CLからのシフト量Sを6.5μmとしている。また、メインスペーサ25およびサブスペーサ26の分布頻度や配設比率は同じである。
実施例1では、サブスペーサ26は、その中心がTFT等遮光部51の中心線CL上に配されているのに対し、比較例1では、サブスペーサ126を、メインスペーサ25と同じく、TFT等遮光部51の中心線CLからシフト量Sに相当する6.5μmだけシフトさせた位置にその中心が配されるように設けている。比較例1に係るサブスペーサ遮光部155Bは、サブスペーサ126の配設位置に合わせて設けられる。
なお、図3には、液晶パネル10の開口領域ORに、開口部75Aとは異なる網掛けを付すとともに、液晶パネル110に係るサブスペーサ126と、液晶パネル110の開口領域OR110の外郭OL110を太い二点鎖線によって図示している。また、図8では、液晶パネル110の開口領域OR110に、網掛けを付して表している。
実施例1の液晶パネル10と、比較例1の液晶パネル110において、サブスペーサ26もしくはサブスペーサ126が配された絵素の開口面積と、面積比率の算出結果を表1に示す。
Figure 0006640252
実施例1では、サブスペーサ26を、その中心がTFT等遮光部51の中心線CL上に位置するように配し、メインスペーサ25のみを所定のシフト量Sに相当する6.5μmだけ下方にずらして配置している。これにより、メインスペーサ25を、その突出端の中心が開口部75Aから外れたアレイ基板30のフラットな基準面に当接するように設けることができ、セルギャップGを安定的に均一に維持可能となる。メインスペーサ25をシフトさせるのに伴い、メインスペーサ遮光部55Aもシフトさせる必要があるが、メインスペーサ遮光部55Aに必要な遮光幅D3は元来大きい為、これをシフトさせても、コンタクトホールCHの遮光に必要な遮光幅DCHおよびTFT60の遮光に必要な遮光幅DTFTは維持される。よって、メインスペーサ遮光部55Aの位置をずらすだけで対応でき、液晶パネル10における絵素の開口面積の大幅な減少(開口比率の低下)を招くことはない。
これに対し、比較例1では、メインスペーサ25と同様に、サブスペーサ126も、その中心がTFT等遮光部51の中心線CLから所定のシフト量Sに相当する6.5μmだけ下方にずらして配置している。このため、サブスペーサ遮光部155Bも連動してシフトさせる必要があるが、コンタクトホールCHの遮光に必要な遮光幅DCHおよびTFT60の遮光に必要な遮光幅DTFTを維持しつつ、必要な遮光幅D4を確保しようとすると、サブスペーサ遮光部155Bの一部がTFT等遮光部51から突出してしまう。配設幅D2は、D4=(W1−D2)/2とされているため、サブスペーサ遮光部155Bはシフト量Sに相当する6.5μmだけ、TFT等遮光部51から突出する。ここで、サブスペーサ126は配設数が多いため、図8に示すように、X軸方向に延在する遮光層を延設幅が(W1+S)となるように拡幅して、サブスペーサ遮光部155Bの全部が包含されるように延設すると、絵素の開口面積が大きく減少する。具体的には、表1から分かるように、実施例1と比較例1とを比較すると開口面積が約5.3%低下してしまうことが知られた。
以上説明したように、本実施形態1に係る液晶パネル10は、下記(1)から(3)の構成を有する。
(1) アレイ基板30と、アレイ基板30との間に液晶層40を挟んだ状態で対向配置されるCF基板(対向基板)20と、を含む液晶パネル10であって、
アレイ基板30には、
行列状に配される複数の絵素電極70が設けられ、
CF基板20には、
光の透過を抑制する機能を有し、当該CF基板20の法線方向から平面に視て、絵素電極70の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部50と、
アレイ基板30に向けて突出し、その突出端がアレイ基板30の一部に当接することによってアレイ基板30との間隔(セルギャップG)を規定するメインスペーサ(第1突設体)25と、
アレイ基板30に向けて突出し、その突出端がアレイ基板30との間にクリアランスを維持した状態で配される複数のサブスペーサ(第2突設体)26と、が設けられており、
前記平面に視て、メインスペーサ25およびサブスペーサ26は、絵素間遮光部50と重畳し、
絵素間遮光部50の延在幅の中心線CLからサブスペーサ26の中心までの距離が、絵素間遮光部50の延在幅の中心線CLからメインスペーサ25の中心までの距離よりも短くなるように配されている。
上記(1)の構成によれば、メインスペーサ25によってアレイ基板30とCF基板20との間隔が規定され、サブスペーサ26によって両基板20,30の板面を押圧する外力に対する基板内構造の保護が図られる。両スペーサ25,26は液晶分子の配向攪乱の起点となるが、これらを各絵素電極70の周りに配される絵素間遮光部50と重畳する位置に設けたことで、これらの遮光を行うためのスペーサ遮光部55の一部もしくは全部が絵素間遮光部50に包含される。よって、液晶パネル10の面内において、遮光層の配設面積を大きく増加させることなく表示品位を維持しながら、これらを一定の頻度で分布させることができる。なお、各絵素電極70を取り囲んで格子状に配設される絵素間遮光部50は、各絵素電極70の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、表示画像のコントラストを高める機能を有する。また、本実施形態1では、CF基板20に、特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極70と対向する位置に行列状に配される複数の着色部23が設けられており、絵素間遮光部50は、複数の前記着色部23の境界に配されて、混色を防ぎ、表示画像のカラーコントラストを高める機能を有する。
ここで、サブスペーサ26は、その遮光に必要な遮光幅D4が比較的小さいため、その中心が絵素間遮光部50の中心線CLに近くなるように配したことで、サブスペーサ遮光部55Bの大部分もしくは全部を、絵素間遮光部50に包含させることができる。これにより、絵素間遮光部50とスペーサ遮光部55とを合わせたX軸方向に延在する遮光層の配設面積を抑制できる。サブスペーサ26は、セルギャップGを規定するものではないため、アレイ基板30においてこれと対向する位置に凹凸構造が設けられていても、特に不具合は生じない。
一方で、セルギャップGを規定するメインスペーサ25は、元来、その遮光に必要な遮光幅D3が大きく、メインスペーサ25を、その中心が絵素間遮光部50の中心線CLに近くなるように、例えば中心線CL上に位置するように配したとしても、メインスペーサ遮光部55Aの少なくとも一部は絵素間遮光部50から突出する。このようなメインスペーサ25をシフトさせても、メインスペーサ遮光部55Aの絵素間遮光部50からの突出部位が変わるだけで突出面積が大きく変化することはなく、またメインスペーサ25は配設数が比較的少ないため、絵素間遮光部50とスペーサ遮光部55とを合わせた、X軸方向に延在する遮光層の配設面積の大幅な拡大が必要とされることはない。メインスペーサ25の配設位置をシフトさせることで、メインスペーサ25を、その突出端の中心が開口部75A(凹凸構造の一例)から外れたアレイ基板30のフラットな基準面に当接するように設けることができ、セルギャップGを安定的に均一に維持可能となる。
以上より、絵素間遮光部50の延在幅の中心線CLに対するメインスペーサ25とサブスペーサ26の配設位置をずらし、絵素間遮光部50の中心線CLからサブスペーサ26の中心までの距離(本実施形態1ではゼロ)が、絵素間遮光部50の中心線CLからメインスペーサ25の中心までの距離(本実施形態1ではシフト量S)より短くなるように配置した結果、面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネル10において、高い開口率を維持しながら、液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光することができる。
(2) 上記(1)の液晶パネル10において、
サブスペーサ26の中心は、絵素間遮光部50の中心線CL上に位置している。
上記(2)の構成によれば、サブスペーサ26を、その配設領域の中心を通り絵素間遮光部50の中心線CLに平行な直線に対して線対称となるように設けた場合、サブスペーサ遮光部55Bが絵素間遮光部50から突出しない範囲内において、サブスペーサ26の配設面積を最大とすることができる。これにより、開口率を低下させることなく、耐押圧力を高めることができる。
(3) 上記(1)または(2)の液晶パネル10において、
アレイ基板30には、
行列状に配される複数のTFT(スイッチング素子)60と、
TFT60に走査信号を伝送する複数のゲート配線(走査配線)81と、が設けられ、
絵素間遮光部50は、
概ねゲート配線81に沿って延在してTFT60と重畳するTFT等遮光部(スイッチング素子遮光部)51を含み、
配絵素間遮光部50の延在幅の中心線CLからサブスペーサ26の中心までの距離が、絵素間遮光部50の延在幅の中心線CLからメインスペーサ25の中心までの距離よりも短くされている。
(4) 上記(3)の液晶パネル10において、
サブスペーサ26の中心は、TFT等遮光部51の延在幅の中心線CL上に位置している。
TFT60等は、メインスペーサ25およびサブスペーサ26と同じく、液晶分子の配向攪乱の起点となる。上記(3)の構成によれば、CF基板20の絵素間遮光部50が、これらと重畳するように配される。すなわち、セルギャップGを均一に維持可能なメインスペーサ25およびサブスペーサ26が、表示画像のカラーコントラストを高め、配線部等を遮光するために設けられるTFT等遮光部51内に位置するように配される。このようにすれば、遮光層の配設面積の増加を抑制して各絵素の開口比率を高く維持しながら、高い表示品位を安定的に発現できる。
さらに、上記(4)の構成によれば、サブスペーサ26を、その配設領域の中心を通りTFT等遮光部51の中心線CLに平行な直線に対して線対称となるように設けた場合、サブスペーサ遮光部55BがTFT等遮光部51から突出しない範囲内において、サブスペーサ26の配設面積を最大とすることができ、開口率を低下させることなく、耐押圧力を高めることができる。
(5) 上記(3)または(4)の液晶パネル10において、
アレイ基板30には、
絵素電極70に画像信号を伝送する複数のソース配線(信号配線)82と、
ソース配線82に対して間隔を空けた位置に配されて絵素電極70に接続されるドレイン配線(絵素電極接続配線)84と、
絵素電極70、ソース配線82およびドレイン配線84とは異なる層にて、少なくとも絵素電極70と重畳するように配され、開口部75Aを有する共通電極75と、が設けられており、
前記平面に視て、
開口部75Aは、TFT等遮光部51と重畳し、メインスペーサ25とは重畳しない位置に設けられている。
(6) 上記(5)の液晶パネル10において、
開口部75Aは、少なくともソース配線82と絵素電極70におけるドレイン配線接続部(接続箇所)とに跨る範囲において開口している。
上記(5)の構成のアレイ基板30では、TFT等遮光部51と重畳する部分において開口する開口部75Aを共通電極75に設けたことで、例えばソース配線82とゲート配線81とが短絡する不具合や、TFT60が輝点化するような不具合が生じた際に、共通電極75と他の配線等とを短絡させることなく、容易に修理できる。具体的には、開口部75Aを通してレーザー光を照射して、ソース配線82を切断するとともに例えば予備配線に接続することで、ソース配線82に接続されたTFT60に、予備配線を経由して画像信号を供給可能となる。このような修理を行う際に、上記(6)のように、開口部75Aが、少なくともソース配線82と絵素電極70におけるドレイン配線接続部(接続箇所)とに跨る範囲に設けられていれば、ソース配線82におけるレーザー光の照射箇所が共通電極75と短絡する事態が回避されて、表示品位が維持される。上記構成によれば、このような配線補修用の開口部75Aが設けられた構成の液晶パネル10において、メインスペーサ25を、その突出端の中心が開口部75Aから外れた位置に当接するように設けて、アレイ基板30上の共通電極パターンによる凹凸構造の影響を抑制し、セルギャップGを安定的に均一に維持することができる。
<実施形態2>
実施形態2を、図9から図12によって説明する。
本実施形態2では、アレイ基板230において、CF基板220に設けられたメインスペーサ225およびサブスペーサ226と対向する位置に、台座部291,292が設けられた構成の液晶パネル210について記載する。以下、実施形態1と同様の構成のものについては、同じ符号を付して説明を省略する。
本実施形態2に係るCF基板220には、図9に示すように、実施形態1のCF基板20におけるメインスペーサ25およびサブスペーサ26に相当する位置に、メインスペーサ225およびサブスペーサ226が配されている。すなわち、サブスペーサ226は、その中心がTFT等遮光部51の中心線CL上に位置する一方、メインスペーサ225は、その中心が中心線CLから所定のシフト量Sだけ図9における下方に位置するように配される。なお、本実施形態2では、後述するように、アレイ基板230においてメインスペーサ225と対向する位置に開口部75Aの一部を閉塞する当接台座部291が形成される。この当接台座部291の頂面にも、共通電極75の配設パターンによる凹凸構造の影響によって凹凸が形成されうるため、メインスペーサ225をシフトさせているものである。本実施形態2では、図10等に示すように、実施形態1に係るメインスペーサ25およびサブスペーサ26とほぼ同様の略正八角形状の断面を有して先細りとなる柱状に形成したメインスペーサ225およびサブスペーサ226を例示する。メインスペーサ225の突出長P201、並びに、サブスペーサ226の突出長P202は、実施形態1に係るメインスペーサ25の突出長P1並びにサブスペーサ26の突出長P2よりも小さく、突出長P201はセルギャップGよりも小さく設定される。本実施形態2では、メインスペーサ125の突出長を2.0μm、サブスペーサ126の突出長を1.4μmとして形成した場合について例示する。
一方、本実施形態2に係るアレイ基板230には、図9に示すように、ゲート配線81、ソース配線82、容量配線83、ドレイン配線84、TFT60、コンタクトホールCHに加えて、共通電極27に設けられた開口部75Aの一部と重畳する台座部291,292が設けられている。台座部291,292は、液晶パネル210において、CF基板220に設けられたメインスペーサ225およびサブスペーサ226と対向する位置に配される。台座部291,292のうち、メインスペーサ225と対向する位置に設けられてメインスペーサ225の突出端と当接するものを当接台座部291、サブスペーサ226と対向する位置に設けられたものを対向台座部292とする。両スペーサ225,226に合わせて、対向台座部292は、その中心がTFT等遮光部51の中心線CL上に位置する一方、当接台座部291は、その中心が中心線CLから所定のシフト量Sだけ図9における下方に位置するように配される。
両台座部291,292の断面形状や縦横の配設幅の比率は限定されるものではないが、特に当接台座部291の頂面は、メインスペーサ225の突出端がここに直に接することによって液晶パネル210のセルギャップGが維持されるため、メインスペーサ225の突出端より大きな面積を有していることが望ましい。当接台座部291の頂面の面積が大きいほど、アレイ基板230とCF基板220とを貼り合わせる際に、両基板230,220の嵌合ズレの許容範囲を大きく確保することができる。但し、液晶パネル210の製造プロセスにおいては、一般に、アレイ基板230に両台座部291,292を形成した後に配向膜形成樹脂を塗布するが、この際、Y軸方向にはX軸方向に沿って隣接する両台座部291,292の間のみが配向膜形成樹脂の流路となるため、配向膜の塗布性を高める観点からは、両台座部291,292のX軸方向の配設幅は小さい方が好ましい。また、両台座部291,292は、その構造上、両スペーサ225,226と同じく液晶分子の配向攪乱起点となるため、両台座部291,292の周囲にも遮光層を設けることが好ましい。両台座部291,292は、両スペーサ225,226に対向する位置に配されるため、メインスペーサ遮光部255Aおよびサブスペーサ遮光部255Bを利用して遮光することができる。
以上より、両台座部291,292の縦横の配設幅は、メインスペーサ225が当接する受け台座としての機能と、配向膜形成樹脂塗布時の流路の確保と、遮光部の確保と、を勘案し、バランス良く設定することが最も望ましい。
本実施形態2では、図9に示すように、断面が四隅を面取りした正方形状をなし、CF基板220に向けてやや先細りとなるような形状に形成された台座部291,292について例示する。同図に示すように、対向台座部292の頂面のXY方向の配設幅D6が、サブスペーサ226の基部のXY方向の配設幅D2よりも僅かに大きい程度であるのに対し、当接台座部291の頂面のXY方向の配設幅D5は、メインスペーサ225の基部のXY方向の配設幅D1の約2倍と、かなり大きくなるように設定している。なお、製造を容易にする観点から、当接台座部291と対向台座部292は、同じ寸法形状に突出するように設けてもよい。
図9に示すように、原則として、両台座部291,292は、全てのメインスペーサ225およびサブスペーサ226に対して配置する。スペーサが配置されていない絵素がある場合には、このような絵素にも台座部を配置することが好ましい。液晶パネル210において、台座部が配置されている絵素と、配置されていない絵素とが混在した場合、台座部の形成後に塗布される配向膜形成樹脂の塗布状態が、台座部の配置の有無に応じて変化し、配向膜が不均質となって表示ムラを招く懸念があるからである。本実施形態2では、実施形態1と同様、2絵素に対して1個のメインスペーサ225もしくはサブスペーサ226を配しているため、図9の中央に示された絵素にはスペーサが配されていないが、この絵素にも、対向台座部292を配置している。
図10および図11に示すように、当接台座部291の頂面にメインスペーサ225の突出端が当接することによって、液晶パネル210のセルギャップGが維持される。このため、当接台座部291の突出長P91は、メインスペーサ225の突出長P201との和が、セルギャップGとほぼ等しくなるように設定する。なお、当接台座部291およびメインスペーサ225を形成する際には、アレイ基板230とCF基板220とを貼り合わせる際に係る荷重による圧縮分αを考慮して、各突出長を規定するとよい。また、図9から図11では、説明の便宜上、配向膜238の膜厚が比較的厚く表されている。メインスペーサ225の突出長P201と、当接台座部291の突出長P91の配分については、特に限定されることなく任意に設定できる。サブスペーサ226の突出長P202は、メインスペーサ225の突出長P201よりも小さく、対向台座部292の突出長P92との和が、セルギャップGよりも小さくなるように設定する。これにより、サブスペーサ226の突出端と対向台座部292の頂面とが、間にクリアランスが形成された状態で対向配置される。本実施形態2では、図10等に表されているように、当接台座部291の突出長P91および対向台座部292の突出長P92がほぼ等しく、これらに対して両スペーサ225,226の突出長P201,P202が1.0〜2.0倍程度となるように設定している。具体的には、当接台座部291および対向台座部292の突出長を何れも1.2μmとしている。既述したように、メインスペーサ125の突出長を2.0μm、サブスペーサ126の突出長を1.4μmとして形成されているが、アレイ基板30とCF基板20とを貼り合わせる際に係る荷重によって、メインスペーサ125と当接台座部291が合わせて0.2μm程度圧縮され、セルギャップGは3.0μmとなる。
さて、本実施形態2では、アレイ基板230の最も内側(液晶層40側)の表面に形成される配向膜238のうち、当接台座部291および対向台座部292の頂面に形成された配向膜238αが、他の部分に形成された配向膜238βよりも薄肉となるように形成されている。液晶パネル210の製造プロセスにおいては、通常、両台座部291,292の形成後に、これらを有するアレイ基板230の内側表面に配向膜形成樹脂が塗布される。この際、アレイ基板230のその他の面から突出するように設けられている両台座部291,292の頂面には、配向膜形成樹脂が流れにくいため、配向膜238を、その膜厚が、両台座部291,292の頂面においてごく薄くなるように容易に形成できる。
以上説明したように、本実施形態2に係る液晶パネル210は、実施形態1に係る液晶パネル10について既述した(1)から(6)の構成に加え、下記(7)から(10)の構成を有する。
(7) アレイ基板230においてメインスペーサ225と対向する位置に、当該アレイ基板230からCF基板220に向けて突出してメインスペーサ225に当接する当接台座部291が設けられている。
上記(7)の構成によれば、メインスペーサ225の突出端が、当接台座部291の頂面に当接することによって、セルギャップGが規定される。このような当接台座部291が設けられていることで、アレイ基板230の内側表面に形成された凹凸構造の影響を受けることが少なくなり、セルギャップGを均一に維持し易くなるとともに、アレイ基板230の内側表面に形成された構造を損傷する可能性が低くなる。なお、当接台座部291も液晶分子の配向攪乱の起点となるため、この当接台座部291の配設部位にも遮光層を設けることが好ましい。当接台座部291は、メインスペーサ225と対向する位置に配設され、メインスペーサ遮光部255Aで当接台座部291の周囲を遮光できるため、遮光層の配設面積の拡大が必要となることもなく、液晶パネル210の開口率を高く維持できる。
また、下記(8)に規定するような、液晶層40に当接する表層に配向膜238が形成されたアレイ基板230を製造する際、当接台座部291を形成した後に配向膜形成樹脂を塗布すれば、当接台座部291の頂面における膜厚が台座部を配置していない部分と比べてごく薄くなるように配向膜238を形成できる。よって、(8)に規定する構成を容易に実現して、その効果を得ることができる。
(8) 上記(7)の液晶パネル210において、アレイ基板230におけるCF基板220との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜238が設けられており、
配向膜238は、当接台座部291の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている。
CF基板220に設けられたセルギャップGを規定するメインスペーサ225が、アレイ基板230の配向膜238に当接する構成の液晶パネル210では、主に液晶パネル210の表示面を押圧する外力によって生じるメインスペーサ225と配向膜238との間の摩擦によって配向膜238が削り取られ、配向膜238の欠片が液晶層40内を浮遊してごく細かい輝点となって表れて、表示不良の原因となることがある(このような不具合現象は、浮遊輝点と称される)。上記(8)の構成によれば、メインスペーサ225が当接するのは当接台座部291の頂面に限られ、この頂面では、その他の部分と比較して配向膜238が薄肉となるように形成されているため、外力の影響によって削られる配向膜238の欠片がごく小さくなり、結果として浮遊輝点の不具合が大幅に低減される。
(9) 上記(7)または(8)の液晶パネル210において、当接台座部291の頂面は、メインスペーサ225の突出端よりも大きな面積を有するように形成されている。
上記(9)の構成によれば、アレイ基板230とCF基板220とを貼り合わせる際の多少の篏合ズレを許容しながら、セルギャップGを均一に維持することができる。
(10) 上記の液晶パネル210において、アレイ基板230には、当該アレイ基板230からサブスペーサ226に向けて突出し、その頂面とサブスペーサ226の突出端との間にクリアランスを維持して対向配置される対向台座部292が設けられ、
アレイ基板230におけるCF基板220との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜238が設けられており、
配向膜238は、対向台座部292の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている。
上記(10)の構成によれば、液晶パネル210に外圧が生じた際、サブスペーサ226の突出端と対向台座部292の頂面とが当接することによって、内側、すなわちアレイ基板230およびCF基板220の対向面側(液晶層40側)に形成された構造が着実に保護される。また、配向膜238を設けた構成においては、対向台座部292の頂面に形成される配向膜238αを、その他の部分に形成される配向膜238βよりも薄肉として、浮遊輝点の不具合を低減することができる。
<他の実施形態>
本技術は上記記述および図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本技術の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態では、サブスペーサの突出長がメインスペーサの突出長よりも小さくなるように形成された場合について例示したが、これに限定されない。例えば、サブスペーサの突出長がメインスペーサの突出長以上であっても、メインスペーサの対向位置のみに台座部を配して、メインスペーサの突出端がアレイ基板の一部に当接する一方、サブスペーサの突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配されるように構成すれば、本技術の効果を得ることができる。
(2)上記実施形態では、メインスペーサおよびサブスペーサを、断面が略正八角形をなし突出端に向けて先細りとなる柱状に形成したが、これに限定されるものではない。X軸方向とY軸方向の配設幅が異なるように設けてもよいし、円柱や楕円柱状に設けてもよい。例えば、Y軸方向に長軸を有する楕円柱状に形成すれば、配向膜形成樹脂を容易に均一に塗布できる観点から好ましい。また、両スペーサを、基端から突出端まで同じ断面積を持つように形成してもよい。メインスペーサとサブスペーサとが相似形である必要もなく、互いに異なる形状に形成することができる。
(2)上記実施形態では、絵素間遮光部が互いに直交する複数の帯状の遮光部(ソース配線遮光部およびTFT等遮光部)によって格子状に形成されたものを例示したが、これに限定されない。例えば120度等の一定の角度を有して交差する形状のものであってもよい。
(3)上記実施形態では、液晶パネルのスイッチング素子としてTFTを用いたアレイ基板を例示したが、TFT以外のスイッチング素子(例えば薄膜ダイオード(TFD))を用いたアレイ基板にも、本技術は適用可能である。また、白黒表示する液晶パネルに用いられるアレイ基板にも、本技術は適用可能である。
(4)上記実施形態では、液晶分子に基板面に平行な方向(横方向)に電界を印加する横方向電界方式のFFS(Fringe Field Switching)モードの液晶パネルに用いられるアレイ基板を例示した。そのため、アレイ基板に、一対の電極(絵素電極70および共通電極75)が形成されているが、本技術の適用は、このような構成のものに限定されない。他の動作モード、例えばIPS(In-Plane-Switching)モード、VA(Vertical Alignment)モード、TNモード(Twisted Nematic)等で作動する液晶パネルにも、本技術を適用することができる。さらに、タッチセンサ機能を備える液晶パネルにも、本技術を適用することができる。
10,110,210…液晶パネル、20,220…CF基板(対向基板)、22…カラーフィルタ、23…着色部、25,225…メインスペーサ(第1突設体)、26,126,226…サブスペーサ(第2突設体)、30,230…アレイ基板、38,238…配向膜、40…液晶層、50…絵素間遮光部(遮光層の一部)、51…TFT等遮光部(スイッチング素子遮光部)、52…ソース配線遮光部、55…スペーサ遮光部(突設体遮光部、遮光層の一部)、55A、255A…メインスペーサ遮光部(第1突設体遮光部)、55B,155B、255B…サブスペーサ遮光部(第2突設体遮光部)、60…TFT(スイッチング素子)、70…絵素電極、70B…ドレイン配線接続部(接続箇所)、75,275…共通電極、75A…開口部、81…ゲート配線(走査配線)、82…ソース配線(信号配線、データ線)、83…容量配線、84…ドレイン配線(絵素電極接続配線)、291…当接台座部、292…対向台座部、CH…コンタクトホール、CL…中心線、G…セルギャップ、OR…開口領域(遮光層が重畳されない領域)

Claims (14)

  1. アレイ基板と、
    前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
    前記アレイ基板には、
    行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
    前記対向基板には、
    光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
    特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極と対向する位置に行列状に配される複数の着色部と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第1突設体と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第2突設体と、が設けられており、
    前記平面に視て、
    前記第1突設体および前記第2突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
    前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされ
    前記第1突設体に最も近接する前記着色部と同じ色光を透過する前記着色部に最も近接する突設体が、前記第2突設体とされている液晶パネル。
  2. 前記第2突設体の前記中心は、前記絵素間遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する請求項1に記載の液晶パネル。
  3. アレイ基板と、
    前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
    前記アレイ基板には、
    行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
    前記対向基板には、
    光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第1突設体と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第2突設体と、が設けられており、
    前記平面に視て、
    前記第1突設体および前記第2突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
    前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされ
    前記第2突設体の前記中心は、前記絵素間遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する液晶パネル。
  4. 前記第2突設体は、前記絵素間遮光部の延在方向に前記第1突設体と並ぶように配されており、
    前記第2突設体の中心までの距離を規定する前記中心線は、
    前記第2突設体が近接する2つの前記絵素電極の間における前記絵素間遮光部の延在幅の中心線であって、
    前記第1突設体の中心までの距離を規定する前記中心線である請求項1から請求項3の何れか一項に記載の液晶パネル。
  5. 前記アレイ基板には、
    行列状に配される複数のスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、が設けられ、
    前記絵素間遮光部は、
    前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
    前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされている請求項1から請求項4の何れか一項に記載の液晶パネル。
  6. アレイ基板と、
    前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
    前記アレイ基板には、
    行列状に配される複数の絵素電極と、
    行列状に配される複数のスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、
    が設けられ、
    前記対向基板には、
    光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第1突設体と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第2突設体と、が設けられており、
    前記絵素間遮光部は、
    前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
    前記平面に視て、
    前記第1突設体および前記第2突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し
    前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされ、
    前記第2突設体の前記中心は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する液晶パネル。
  7. アレイ基板と、
    前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
    前記アレイ基板には、
    行列状に配される複数の絵素電極と、
    行列状に配される複数のスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、
    前記絵素電極に画像信号を伝送する複数の信号配線と、
    前記信号配線に対して間隔を空けた位置に配されて前記絵素電極に接続される絵素電極接続配線と、
    前記絵素電極、前記信号配線および前記絵素電極接続配線とは異なる層にて、少なくとも前記絵素電極と重畳するように配され、開口部を有する共通電極と、
    が設けられ、
    前記対向基板には、
    光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第1突設体と、
    前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第2突設体と、が設けられており、
    前記絵素間遮光部は、
    前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
    前記平面に視て、
    前記第1突設体および前記第2突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し
    前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第2突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第1突設体の中心までの距離より短くされ、
    前記開口部は、前記スイッチング素子遮光部と重畳し、前記第1突設体とは重畳しない位置に設けられている液晶パネル。
  8. 前記第2突設体は、前記絵素間遮光部の延在方向に前記第1突設体と並ぶように配されており、
    前記第2突設体の中心までの距離を規定する前記中心線は、
    前記第2突設体が近接する2つの前記絵素電極の間における前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線であって、
    前記第1突設体の中心までの距離を規定する前記中心線である請求項5から請求項7の何れか一項に記載の液晶パネル。
  9. 前記アレイ基板には、
    前記絵素電極に画像信号を伝送する複数の信号配線と、
    前記信号配線に対して間隔を空けた位置に配されて前記絵素電極に接続される絵素電極接続配線と、
    前記絵素電極、前記信号配線および前記絵素電極接続配線とは異なる層にて、少なくとも前記絵素電極と重畳するように配され、開口部を有する共通電極と、が設けられており、
    前記平面に視て、
    前記開口部は、前記スイッチング素子遮光部と重畳し、前記第1突設体とは重畳しない位置に設けられている請求項5または請求項6に記載の液晶パネル。
  10. 前記開口部は、少なくとも前記信号配線と、前記絵素電極における接続箇所とに跨る範囲を含む請求項7または請求項9に記載の液晶パネル。
  11. 前記アレイ基板において前記第1突設体と対向する位置に、当該アレイ基板から前記対向基板に向けて突出して前記第1突設体に当接する当接台座部が設けられている請求項1から請求項10の何れか一項に記載の液晶パネル。
  12. 前記アレイ基板における前記対向基板との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜が設けられており、
    前記配向膜は、前記当接台座部の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている請求項11に記載の液晶パネル。
  13. 前記当接台座部の頂面は、前記第1突設体の突出端よりも大きな面積を有するように形成されている請求項11または請求項12に記載の液晶パネル。
  14. 前記アレイ基板には、当該アレイ基板から前記第2突設体に向けて突出し、その頂面と前記第2突設体の突出端との間にクリアランスを維持して対向配置される対向台座部が設けられ、
    前記アレイ基板における前記対向基板との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜が設けられており、
    前記配向膜は、前記当接台座部および前記対向台座部の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている請求項12に記載の液晶パネル。
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