JP6640252B2 - 液晶パネル - Google Patents

Description

本技術は、液晶パネルに関する。

従来、所定の間隔を空けて対向配置されたアレイ基板および対向基板と、これら一対の基板の間に封入された液晶層と、を備える液晶パネルにおいて、基板間の間隔（以下、セルギャップと称することがある）を規定するために、対向基板に柱状スペーサ（突設体）を配設したものが知られている。柱状スペーサは、複数設けられ、対向基板からアレイ基板に向けて突設されて、その突出端がアレイ基板の一部に当接することにより、セルギャップを一定に保つ機能を奏する。

しかし、アレイ基板の内側面（液晶層側の面）には、多様なパターンを有する各種膜構造が積層されることで凹凸構造が形成されており、対向基板に突設された複数の柱状スペーサの突出端がアレイ基板の基準面に当接するように設定した場合であっても、実際には、例えば基準面に対して低くなった凹部に滑り落ちて嵌り込むことがある。両基板の嵌合に多少のズレを生ずることは不可避であり、またパネル面への外圧による基板の撓み・反りによっても、部分的な位置ズレが生じるからである。一部の柱状スペーサの突出端がアレイ基板の凹部に嵌り込むと、セルギャップが不均一となって液晶パネルの面内均一性を維持できず、セル厚ムラの原因となって表示品位の低下を招いていた。
そこで、例えば下記特許文献１には、対向基板の柱状スペーサを、アレイ基板の穴構造（凹部）を挟んだ両側に配置されるパターンをなすように形成し、両基板の嵌合にズレが生じても、一定以上の割合の柱状スペーサが穴構造に嵌入することなく実効的に機能するようにした画像表示装置が提案されている（下記特許文献１）。

特開２００４−２３９９８２号公報

ところで、対向基板には、柱状スペーサとして、セルギャップを規定する上記のようなメインスペーサとは別に、サブスペーサが設けられることがある。サブスペーサは、液晶パネルの画像表示面を押圧する外力が作用した際に、これを受け止めて、液晶パネル内部に形成された構造の保護を図る機能を有する。サブスペーサは、その存在による液晶層の容積量の過剰な低下を抑制し、また突出端によるアレイ基板の内側表面の損傷を抑制するために、その突出長が、メインスペーサの突出長（すなわちセルギャップ）よりも小さく、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配されるように形成される。

メインスペーサおよびサブスペーサは、何れも、液晶層中に含まれる液晶分子の本来あるべき配向を乱す起点となる。このため、液晶パネルの表示品位を確保する観点から、対向基板においてこれらの柱状スペーサに重畳される位置には、光の透過を遮断する遮光層（ブラックマトリクス層、ＢＭ層）を配置することが好ましい。液晶パネル全体における遮光層の配設面積をできるだけ小さくして高い開口率を確保する観点から、柱状スペーサは、液晶パネルを平面に視て、絵素電極の周囲を取り巻くように格子状に配設される遮光層と重畳する位置に配されることが好ましい。柱状スペーサを、その中心が絵素間遮光部の中心線上に位置するように一定間隔で設ければ、これらの遮光を行うためのスペーサ遮光部の一部もしくは全部が絵素間遮光部に包含され、遮光層の配設面積をできるだけ小さく抑えながら、多数の柱状スペーサを液晶パネルの面内において一定の頻度で分布するように配することができる。
しかしながら、アレイ基板において絵素間遮光部と重畳する位置には、通常、信号配線やスイッチング素子等の液晶分子配向の攪乱起点となる構造が配される。さらにはその近傍に、配線の接続や補修のための凹凸構造が設けられることがあり、メインスペーサの突出端の中心が凹凸構造の近傍に当接するように設けられると、セルギャップを安定的に維持できなくなる虞がある。だからといって、上記特許文献１から示唆されるように、突出端の中心が凹凸構造から外れた位置に当接するよう柱状スペーサの全てをシフトさせると、スペーサ遮光部が絵素間遮光部から突出して、液晶分子の配向攪乱起点となる構造を遮光するために必要な遮光層の面積が拡大し、液晶パネルの開口率が大幅に低下してしまう。

本技術は上記事情に基づいて完成されたものであって、高い開口率を維持しながら液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光し、液晶パネル面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネルを得ることを目的とする。

本技術に係る液晶パネルは、
アレイ基板と、
前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
前記アレイ基板には、
行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
前記対向基板には、
光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第１突設体と、
前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第２突設体と、が設けられており、
前記平面に視て、
前記第１突設体および前記第２突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされている。

上記構成によれば、第１突設体によってアレイ基板と対向基板との間隔が規定され、第２突設体によって両基板の板面を押圧する外力に対する基板内構造の保護が図られる。両突設体は液晶分子の配向攪乱の起点となるが、これらを各絵素電極の周りに配される絵素間遮光部と重畳する位置に設けたことで、これらの遮光を行うための突設体遮光部の一部もしくは全部が絵素間遮光部に包含される。よって、液晶パネルの面内において、遮光層の配設面積を大きく増加させることなく表示品位を維持しながら、両突設体を一定の頻度で分布させることができる。なお、各絵素電極を取り囲んで格子状に配設される絵素間遮光部は、各絵素電極の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、表示画像のコントラストを高める機能を有する。対向基板に、特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極と対向する位置に行列状に配される複数の着色部が設けられた構成の液晶パネルでは、絵素間遮光部は、複数の前記着色部の境界に配されて、混色を防ぎ、表示画像のカラーコントラストを高める機能を有する。液晶パネル全体の遮光層の配設面積を抑制する観点から、アレイ基板に設けられて液晶分子の配向攪乱の起点となり得る凹凸構造も、対向基板の絵素間遮光部と重畳する位置に配設することが好ましい。
ここで、第２突設体は、その遮光に必要な遮光幅が比較的小さいため、第２突設体を、その中心が絵素間遮光部の中心線に近くなるように配したことで、この配設部位を遮光する第２突設体遮光部の大部分もしくは全部を絵素間遮光部に包含させることができる。これにより、絵素間遮光部と突設体遮光部とを合わせた遮光層の配設面積を小さく抑えることができる。第２突設体は、セルギャップを規定するものではないため、アレイ基板においてこれと対向する位置に凹凸構造が設けられていても、特に不具合は生じない。
一方で、セルギャップを規定する第１突設体は、元来、その遮光に必要な遮光幅が大きく、第１突設体を、その中心が絵素間遮光部の中心線に近くなるように、例えば中心線上に位置するように配したとしても、この配設部位を遮光する第１突設体遮光部の一部が絵素間遮光部から突出してしまう。このような第１突設体をシフトさせても、第１突設体遮光部の絵素間遮光部からの突出部位が変わるだけで突出面積が大きく変化することはなく、また第１突設体は配設数が比較的少ないため、絵素間遮光部と突設体遮光部とを合わせた遮光層の配設面積の大幅な拡大が必要とされることはない。第１突設体の配設位置をシフトさせて、その突出端の中心がアレイ基板に形成された凹凸構造から外れた位置に当接するように設けることにより、アレイ基板の凹部に嵌り込んだり凸部に引っ掛かったりしてセルギャップが不均一になる事態を抑制することができる。
以上より、絵素間遮光部の延在幅の中心線に対する第１突設体と第２突設体の配設位置をずらし、絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離が、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くなるように配置した結果、高い開口率を維持しながら液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光し、液晶パネル面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネルを得ることができる。

本技術によれば、画像表示品位および耐押圧力に優れた液晶パネルが得られる。

実施形態１に係る液晶表示装置の液晶パネル付近の接続構成を示す概略平面図 液晶セルを構成するＣＦ基板の、表示領域におけるカラーフィルタ、メインスペーサおよびサブスペーサの配置を示す概略平面図 メインスペーサおよびサブスペーサが重畳されたアレイ基板の、表示領域における平面構成と、開口領域を示す概略模式図 図３のＴＦＴ等遮光部近傍の部分拡大図 図４のＡ−Ａ断面図 図４のＢ−Ｂ断面図 図４のＣ−Ｃ断面図 仮にメインスペーサと同様にサブスペーサもシフトさせた場合の、メインスペーサおよびサブスペーサが重畳されたアレイ基板の、表示領域における平面構成と、開口領域を示す概略模式図 実施形態２に係るメインスペーサが重畳されたアレイ基板の、ＴＦＴ等遮光部近傍の構成を示す部分拡大概略平面図 図９のＤ−Ｄ断面図 図９のＥ−Ｅ断面図 図９のＦ−Ｆ断面図

＜実施形態１＞
実施形態１を、図１から図７によって説明する。
本実施形態１では、液晶表示装置１の液晶パネル１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示しており、各軸方向が各において同一方向となるように描かれている。複数の同一部材については、一の部材に符号を付し、他の部材については符号を省略することがある。また、以下の説明では、図５、図６および図７の上側を前側（下側を背面側）とする。

本実施形態１に係る液晶表示装置１は、例えば携帯電話端末（スマートフォン等を含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコン等を含む）、ウェアラブル端末（スマートウォッチ等を含む）、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡ等を含む）、携帯型ゲーム機等の各種電子機器（図示せず）等とすることができ、液晶パネル１０は、画面サイズが、例えば数インチ〜十数インチ程度の、一般的には小型または中小型に分類される大きさとすることができる。しかし、このようなものに限定されることはなく、数十インチ以上の中型または大型（超大型）に分類される画面サイズの表示装置にも、本技術は適用可能である。

液晶表示装置１は、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル１０と、液晶パネル１０を駆動するドライバ（パネル駆動部、駆動回路部）１２と、ドライバ１２に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１３と、液晶パネル１０と制御回路基板１３とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１４と、液晶パネル１０に対して背面側に配されて液晶パネル１０に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置（図示せず）と、を有する。ドライバ１２およびフレキシブル基板１４は、液晶パネル１０に対してＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して実装されている。

液晶パネル１０は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしている。液晶パネル１０の板面のうち、中央側には、画像を表示可能な表示領域（アクティブエリア）ＡＡが配される。液晶パネル１０の板面のうち、表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側には、平面に視て枠状（額縁状）をなす非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡが配される。液晶パネル１０における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致し、さらには板厚方向がＺ軸方向と一致している。なお、図１では、一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。
液晶パネル１０は、何れも耐熱性と絶縁性と高い透光性とを備えたガラス板や樹脂板等からなる透明基板２１，３１を少なくとも有しており、この透明基板２１，３１上に、後述する各種の層が所定パターンで積層形成されている。透明基板２１，３１のうち、前側に配される透明基板２１がＣＦ基板（対向基板）２０を構成し、背面側に配される透明基板３１がアレイ基板（薄膜トランジスタ基板、アクティブマトリクス基板、ＴＦＴ基板）３０を構成する。ＣＦ基板２０およびアレイ基板３０からなる一対の基板間には、所定のセルギャップＧが維持され、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層４０が封入される（図５等参照）。本実施形態１では、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードで駆動される液晶パネル１０について例示する。なお、両透明基板２１，３１の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。

図２は、ＣＦ基板２０の表示領域ＡＡに配されるカラーフィルタ２２と、その背面側（内側、液晶層４０側）に設けられたメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の配設状態を表した概略平面模式図である。カラーフィルタ２２の前側（外側、透明基板２１側）には、所定のパターンで絵素間遮光部（遮光層の一部）５０が配設される一方、カラーフィルタ２２の背面側には、図示しないオーバーコート層が設けられている。さらに、ＣＦ基板２０の最も背面側には、図示しない配向膜が液晶層４０に接するように設けられている。

カラーフィルタ２２は、図２に示すように、マトリクス状に配列された複数の着色部２３からなり、各着色部２３は、後述するアレイ基板３０に設けられた各絵素電極７０と対向状をなす位置に形成されて、互いに対向する着色部２３と絵素電極７０によって各絵素が構成される。各着色部２３は、呈する色に応じた顔料を含有しており、その顔料によって非呈色光を吸収することで呈色光（特定の色の光）を選択的に透過するものとされる。本実施形態に係るカラーフィルタ２２は、赤色を呈する赤色着色部２３Ｒと、緑色を呈する緑色着色部２３Ｇと、青色を呈する青色着色部２３Ｂと、の三色からなり、各１つずつの赤色絵素、緑色絵素、青色絵素が１セットとなって、各画素が構成される。
各着色部２３は、長辺方向をＹ軸方向に、短辺方向をＸ軸方向にそれぞれ一致させた縦長（長手）の方形状（矩形状）をなしており、各色で全て面積が同一とされている。言い換えると、表示領域ＡＡ内における各着色部２３の面積比率は全て等しく、且つ、各絵素の開口比率も全て等しいものとされる。各着色部２３は、Ｘ軸方向には、隣り合う着色部２３が互いに異なる色を呈するように、所定の順で繰り返し並んで配されてなる。一方、Ｙ軸方向には、隣り合う着色部２３が同じ色を呈するように、配列されている。すなわち、各着色部２３は、Ｙ軸方向には表示領域のほぼ全長にわたって、後述するアレイ基板３０のソース配線（信号配線）８２および絵素電極７０と同じく概ねＹ軸方向に沿ってジグザグ状に延在し、アレイ基板３０においてＹ軸方向に沿って並ぶ複数の絵素電極７０を全て跨ぐ（横切る）形で配されている。

ＣＦ基板２０のカラーフィルタ２２と透明基板２１との間には、平面に視て、格子状の絵素間遮光部５０が設けられる。絵素間遮光部５０は、後述するアレイ基板３０に設けられたゲート配線８１に概ね沿うようにＸ軸方向に延在してＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子の一例）６０等を遮光するＴＦＴ等遮光部（スイッチング素子遮光部）５１と、ソース配線８２と重畳するように概ねＹ軸方向にジグザグ状に延在するソース配線遮光部（信号配線遮光部）５２と、からなる。ＴＦＴ等遮光部５１は、Ｙ軸方向に隣り合う絵素の境界に配され、ソース配線遮光部５２は、Ｘ軸方向に隣り合う絵素の境界、すなわち各着色部２３の境界に配される。絵素間遮光部５０は、各絵素電極７０の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、混色を防いで、表示画像のコントラストを高める機能を有する。
また、カラーフィルタ２２の背面側には、その全面に亘って略一定の頻度で分布するように、メインスペーサ（第１突設体）２５およびサブスペーサ（第２突設体）２６が設けられている。メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の配設位置の周囲には、これらの配設部位を遮光するためのスペーサ遮光部５５（遮光層の一部）が配設される。
ソース配線遮光部５２およびＴＦＴ等遮光部５１からなる絵素間遮光部５０等の遮光層の配設状態の詳細、並びに、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６、スペーサ遮光部５５の寸法形状や配設状態の詳細については、後述する。

アレイ基板３０の表示領域ＡＡにおける内面側（液晶層側、ＣＦ基板２０との対向面側）には、図３に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ６０と、絵素電極７０が、複数マトリクス状（行列状）に並んで設けられる。ＴＦＴ６０および絵素電極７０の周りには、格子状をなすゲート配線（走査配線）８１およびソース配線（信号配線、データ線）８２が取り囲むようにして配設される。つまり、ＴＦＴ６０および絵素電極７０は、平面に視て、格子状をなすゲート配線８１およびソース配線８２の各交差部に割り当てられる形となっている。ゲート配線８１は、Ｘ軸方向に沿って直線状に延在するのに対し、ソース配線８２は、概ねＹ軸方向に沿ってジグザグ状に延在する。

ＴＦＴ６０は、図４に拡大して示すように、ゲート配線８１に接続されるゲート電極６１と、ソース配線８２に接続されるソース電極６２と、後述するドレイン配線８４を介して絵素電極７０に接続されるドレイン電極６３と、ソース電極６２およびドレイン電極６３に接続されるチャネル部６４と、を有する。これにより、ソース電極６２と、ドレイン電極６３とは、チャネル部６４を挟んで互いに半導体膜上で間隔を保ちつつ対向した状態となっている。ソース電極６２およびドレイン電極６３は、それぞれ半導体膜に対して電気的に接続されて、ソース電極６２とドレイン電極６３との間の電子移動を可能としている。
ＴＦＴ６０がゲート配線８１を通じて伝送される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線８２に供給される画像信号に係る電位がチャネル部６４を介してドレイン電極６３に供給され、もって絵素電極７０が画像信号に係る電位に充電される。なお、ソース配線８２は、表示領域ＡＡをＹ軸方向に沿って全長にわたって縦断し、両端部が非表示領域ＮＡＡに配されているが、このうちの両端部には、非表示領域ＮＡＡに引き回された予備配線（図示せず）が、後述するゲート絶縁膜３３を介して重畳配置されている。ソース配線８２に断線や短絡等の不具合が生じた場合には、ソース配線８２を途中で切断するとともに、両端部と予備配線とを短絡させることで、予備配線を経由する形で修理対象のソース配線８２に接続された各ＴＦＴ６０に画像信号を供給可能となっている。

ドレイン配線（絵素電極接続配線）８４は、ドレイン電極６３からＸ軸方向に沿ってソース電極６２側とは反対側（図４に示す右側）に向けて延出する第１配線部８４Ａと、第１配線部８４Ａから屈曲されてＹ軸方向に沿って絵素電極７０側（図４に示す上側）に向けて延出する第２配線部８４Ｂと、第２配線部８４Ｂの延出先端部であって絵素電極７０に接続される電極接続部８４Ｃと、を有する。さらには、ドレイン配線８４は、第２配線部８４Ｂの電極接続部８４Ｃにて再び屈曲されてＸ軸方向に沿ってＴＦＴ６０の接続対象となるソース配線８２側（図４に示す左側）に向けて延出する第３配線部８４Ｄを有する。このように、ドレイン配線８４は、全体として平面に視て折り返し状をなしている。このドレイン配線８４の接続対象である絵素電極７０は、既述したスリット７０Ａ１が形成される電極本体７０Ａと、電極本体７０ＡからＹ軸方向に沿ってＴＦＴ６０側に向けて突出してドレイン配線８４に接続されるドレイン配線接続部（接続箇所）７０Ｂと、を有する。なお、以下の説明および図４では、絵素電極７０を挟み込む一対のソース配線８２のうち、説明対象とする絵素電極７０の右側に位置するものを第１ソース配線として符号に添え字「α」を付すのに対し、左側に位置するものを第２ソース配線として符号に添え字「β」を付している。ＴＦＴ６０の左側に位置するソース配線には、ソース電極６２が設けられている。つまり、絵素電極７０は、これを挟み込む一対のソース配線８２のうちの第２ソース配線８２βが上記絵素電極７０の接続対象とされており、第１ソース配線８２αは上記絵素電極７０の接続対象外である。第１ソース配線８２αは、上記絵素電極７０に対して右側に隣接する絵素電極７０の接続対象とされる。

絵素電極７０は、図３に示すように、一対ずつのゲート配線８１およびソース配線８２によって囲まれた縦長の概ね方形の領域に配されており、その長辺部分がソース配線８２に並行してジグザグ状をなしている。絵素電極７０には、自身の長辺部分に沿って延在する複数（本実施形態１では４本）のスリット７０Ａ１が開口形成されている。アレイ基板３０の表示領域ＡＡの内面側には、絵素電極７０と重畳する形で概ねベタ状の共通電極７５が形成されている。互いに重畳する絵素電極７０と共通電極７５との間に電位差が生じると、後述する液晶層４０には、アレイ基板３０の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板３０の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）がスリット７０Ａ１付近に印加される。
さらに、絵素電極７０をＹ軸方向について両側から挟み込む一対のゲート配線８１の間となる位置には、複数ずつの絵素電極７０およびソース配線８２を横切る形でゲート配線８１に並行する容量配線８３が設けられている。容量配線８３は、絵素電極７０およびソース配線８２とは異なる層に配されるとともに絵素電極７０に接続されたドレイン配線８４の第３配線部８４Ｄと重畳しており、静電容量を形成している。この容量配線８３により、ＴＦＴ６０の駆動に伴って充電された絵素電極７０の電位を一定期間保持することが可能とされる。容量配線８３は、ゲート配線８１と同層に配されている。好ましくは、容量配線８３は、共通電極７５と同電位とされるが、必ずしもその限りではない。
なお、本実施形態１では、容量配線８３から連なり、ドレイン配線８４の第３配線部８４Ｄと重畳するドレイン配線重畳部３９が形成されている。ドレイン配線重畳部３９は、後述する輝点化するような絵素を黒点化する修理を行うため、レーザー光を照射する部分である。また、ソース配線８２と絵素電極７０のドレイン配線接続部７０Ｂとの間となる位置に配されて、ソース配線８２とドレイン配線接続部７０Ｂと間の電界を遮蔽し、この電界によって生じる寄生容量に起因する表示品位の低下を抑制する機能も有する。

続いて、アレイ基板３０の内面側に積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板３０には、図５に示すように、透明基板３１側から順に、第１金属膜（ゲート金属膜）３２Ａ、ゲート絶縁膜３３、半導体膜３４、第２金属膜（ソース金属膜）３２Ｂ、第１層間絶縁膜３５Ａ、平坦化膜３６、第１透明電極膜３７Ａ、第２層間絶縁膜３５Ｂ、第２透明電極膜（図には表されていない）、配向膜３８が積層形成されている。各膜は、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術等を利用して形成できる。

第１金属膜３２Ａは、異なる種類の金属材料を積層してなる積層膜または１種類の金属材料からなる単層膜とされ、図５等に示すように、ＴＦＴ６０のゲート電極６１や、ゲート配線８１、ドレイン配線重畳部３９を有する容量配線８３、予備配線等を構成する。ゲート絶縁膜３３は、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯ_２等の無機絶縁材料（無機材料）からなる。半導体膜３４は、材料として例えば酸化物半導体を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ６０を構成するチャネル部６４等を構成する。第２金属膜３２Ｂは、第１金属膜３２Ａと同様に、積層膜または単層膜とされ、ＴＦＴ６０のソース電極６２およびドレイン電極６３や、ソース配線８２、ドレイン配線８４等を構成する。第１層間絶縁膜３５Ａは、ゲート絶縁膜３３と同様に無機絶縁材料からなる。平坦化膜３６は、例えばＰＭＭＡ（アクリル樹脂）等の有機絶縁材料（有機材料）からなり、その膜厚が無機樹脂材料からなる他の絶縁膜３３，３５Ａ，３５Ｂよりも大きい。この平坦化膜３６によりアレイ基板３０の内側表面が平坦化される。第１透明電極膜３７Ａは、例えばＩＴＯ等の透明電極材料からなり、共通電極７５を構成する。第２層間絶縁膜３５Ｂは、ゲート絶縁膜３３等と同様に無機絶縁材料からなる。第２透明電極膜は、第１透明電極膜３７Ａと同様に透明電極材料からなり、絵素電極７０を構成する。配向膜３８は、例えばポリイミド等からなり、アレイ基板３０の最も内側（液晶層側）に配されて、これに接するように両基板２０，３０間に封入される液晶層４０中の液晶分子を所定の方向に配向させる機能を奏する。必要に応じて、適宜ラビング等の配向処理を施して用いることができる。

図５には表されていないが、第１層間絶縁膜３５Ａ、平坦化膜３６および第２層間絶縁膜３５Ｂには、第２透明電極膜からなる絵素電極７０を第２金属膜３２Ｂからなるドレイン配線８４に接続するためのコンタクトホールＣＨが開口形成されている（図４等参照）。コンタクトホールＣＨは、絵素電極７０のドレイン配線接続部７０Ｂと、ドレイン配線８４の電極接続部８４Ｃと、の双方と平面に視て重畳する位置に配される。第１層間絶縁膜３５Ａ、平坦化膜３６および第２層間絶縁膜３５Ｂは、コンタクトホールＣＨを除き、少なくとも表示領域ＡＡの全域にわたってベタ状に形成されている。

ところで、図４等に示すように、共通電極７５には、少なくともソース配線８２と絵素電極７０におけるドレイン配線接続部７０Ｂとに跨る範囲の開口部７５Ａが設けられている。なお、図３および図４では、開口部７５Ａの形成範囲に網掛けを付して表している。本実施形態１に係る開口部７５Ａは、ソース配線８２および絵素電極７０におけるドレイン配線接続部７０Ｂに加えてドレイン配線８４に跨る範囲に設けられている。詳しくは、開口部７５Ａは、図４に示すように、第１ソース配線８２αと重畳し且つＸ軸方向について第１ソース配線８２αの両側方領域に広がる範囲の第１開口部７５Ａ１と、ドレイン配線８４と重畳し且つＸ軸方向についてドレイン配線８４の両側方領域に広がる範囲の第２開口部７５Ａ２と、ドレイン配線接続部７０Ｂ、電極接続部８４ＣおよびコンタクトホールＣＨと重畳する範囲の第３開口部７５Ａ３と、を相互に連ねた構成とされる。このうち、第３開口部７５Ａ３は、共通電極７５よりも上層側に配された絵素電極７０のドレイン配線接続部７０Ｂが、共通電極７５よりも下層側に配されたドレイン配線８４の電極接続部８４Ｃに達するようコンタクトホールＣＨに通される途中で共通電極７５と短絡するのを防ぐためのものである。第１開口部７５Ａ１および第２開口部７５Ａ２は、修理に際してソース配線８２やドレイン配線８４にレーザー光を照射した場合に、ソース配線８２やドレイン配線８４が共通電極７５と短絡するのを防ぐためのものである。

具体的には、例えば第１ソース配線８２αがゲート配線８１と短絡する不具合が生じた場合には、上記した第１開口部７５Ａ１を通して第１ソース配線８２αにレーザー光を照射し、第１ソース配線８２αを切断するとともに、その第１ソース配線８２αを予備配線に接続するようにして修理を行う。この修理により、第１ソース配線８２αに接続された各ＴＦＴ６０に、予備配線を経由して画像信号を供給することができる。このとき、第１開口部７５Ａ１は、第１ソース配線８２αとその両側方領域に広がっているので、第１ソース配線８２αにおけるレーザー光の照射箇所が共通電極７５と短絡する事態が生じるのが回避される。また、例えばゲート配線８１とドレイン配線８４とが短絡したり、ゲート電極６１とドレイン電極６３とが短絡したり、ＴＦＴ６０のオフ状態の抵抗が低くなる不具合が生じた場合には、上記した第２開口部７５Ａ２を通してドレイン配線８４の第２配線部８４Ｂにレーザー光を照射し、第２配線部８４Ｂを切断するとともに、容量配線８３に連なるドレイン配線重畳部３９とドレイン配線８４の第３配線部８４Ｄとの重畳部にレーザー光を照射して接続することで、容量配線８３を絵素電極７０に短絡させるようにして修理を行う。この修理により、ゲート配線８１（ゲート電極６１）とドレイン配線８４（ドレイン電極６３）との短絡等に起因して輝点化する絵素を黒点化することができる。このとき、第２開口部７５Ａ２は、ドレイン配線８４とその両側方領域に広がっているので、ドレイン配線８４におけるレーザー光の照射箇所が共通電極７５と短絡する事態が生じるのが回避される。

さて、液晶パネル１０の表示品位を維持し、セルギャップＧを安定的に均一に保持するための構成について、以下に詳しく説明する。
まず、絵素間遮光部５０の配設状態について説明する。図２について既述したように、ＣＦ基板２０において、カラーフィルタ２２と透明基板２１との間には、平面に視て格子状をなす絵素間遮光部５０が設けられている。絵素間遮光部５０は、既述したように、ＴＦＴ等遮光部５１およびソース配線遮光部５２から構成される。なお、図３および図４では、アレイ基板３０の内面側（液晶層側）に形成された各構造に重ねて、遮光層が重畳されない開口領域ＯＲに、開口部７５Ａとは異なる網掛けを付して表している。絵素間遮光部５０は、各色の絵素の混色を防いで表示画像のコントラストを高めるのみならず、アレイ基板３０の内側面に形成された、液晶分子の配向攪乱起点となりうる凹凸構造の配設部位を遮光して、画像表示品位を維持する機能を奏する。
図３および図４に示すように、Ｙ軸方向に延在するソース配線遮光部５２は、液晶分子の配向攪乱起点となりうるソース配線８２よりも僅かに大きな延在幅を有して、ソース配線８２に概ねぴったり重畳するように延在する。これに対し、Ｘ軸方向に延在するＴＦＴ等遮光部５１には、後述するスペーサ遮光部５５が、その一部もしくは全部がＴＦＴ等遮光部５１に包含されるように結合される。すなわち、Ｘ軸方向に延在する遮光層は、ＴＦＴ等遮光層５１とスペーサ遮光部５５とを合わせた領域に配されている。
ＴＦＴ等遮光部５１は、ゲート配線８１と容量配線８３の一部に重畳し且つ両配線８１，８３の間の領域全体を覆うように延在して、この領域に配される凹凸構造、具体的には、ＴＦＴ６０、配線接続のためのコンタクトホールＣＨ、および配線補修のための開口部７５Ａと重畳するように配される。図３に示すように、ＴＦＴ等遮光部５１において、容量配線８３側の外縁は、コンタクトホールＣＨの遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＣＨにより、ゲート配線８１側の外縁は、ＴＦＴ６０の遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＴＦＴにより、それぞれ規定され、ＴＦＴ等遮光部５１は比較的大きな延在幅Ｗ１を有する。スペーサ遮光部５５については後に改めて記載する。

次に、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の寸法形状等について説明する。図２について既述したように、ＣＦ基板２０において、カラーフィルタ２２の背面側（液晶層４０側）には、アレイ基板３０に向けて突出するメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６が設けられる。
図５および図６に示すように、メインスペーサ２５は、その突出端がアレイ基板３０の一部に当接することにより、両基板２０，３０間のセルギャップＧを一定に保つ機能を奏する。メインスペーサ２５の突出長Ｐ１は、セルギャップＧとほぼ等しくなる。なお、実際には、メインスペーサ２５は、アレイ基板３０とＣＦ基板２０とを貼り合わせる際に係る荷重によって若干圧縮されるため、メインスペーサ２５を形成する際には、この圧縮分αを考慮して突出長を規定するとよい。一方、サブスペーサ２６は、図５および図７に示すように、その突出長Ｐ２が、メインスペーサ２５の突出長Ｐ１（すなわちセルギャップＧ）よりも小さくなるように形成され、アレイ基板３０の内側面との間にクリアランスが形成された状態で対向配置される。サブスペーサ２６は、主として液晶パネル１０の画像表示面を押圧する外力が作用した際に、この押圧力を受け止めて液晶パネル１０の内部に形成された構造を保護する機能を有する。サブスペーサ２６は、アレイ基板３０には当接しないように構成することで、その存在による液晶層４０の容積量の過剰な低下が抑制され、また突出端によるアレイ基板３０の内側表面の損傷が抑制される。本実施形態１では、メインスペーサ２５の突出長を３．２μｍ、サブスペーサ２６の突出長を２．６μｍとして形成した場合について例示する。アレイ基板３０とＣＦ基板２０とを貼り合わせる際に係る荷重によってメインスペーサ２５が０．２μｍ程度圧縮され、セルギャップＧは３．０μｍとなる。
メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の断面形状については、特に限定されるものではないが、これらの配設面積は、各スペーサ２５，２６の機能と、各スペーサ２５，２６の遮光に要する遮光幅Ｄ３，Ｄ４とのバランスを考慮して設定することが好ましい。後述するように、メインスペーサ２５を遮光するメインスペーサ遮光部５５Ａの遮光幅Ｄ３は比較的大きく設定する必要があるため、高い開口率を維持する観点から、メインスペーサ２５の配設面積を過度に大きくすることは好ましくない。他方、サブスペーサ２６を遮光するサブスペーサ遮光部５５Ｂの遮光幅Ｄ４は比較的小さく設定可能であるため、押圧力を確実に受け止める観点から、サブスペーサ２６の配設面積を大きくする方が好ましい。以上より、個々のサブスペーサ２６の配設面積は、個々のメインスペーサ２５の配設面積よりも大きくなるように形成することが好ましい。本実施形態１では、図４等に示したように、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６を、ともに断面が略正八角形状をなし、アレイ基板３０に向けてやや先細りとなる柱状に形成した場合について例示する。メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６は、何れも、その配設領域の中心を通りＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬに平行な直線に対して、線対称となるように設けられている。

次に、液晶パネル１０におけるメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の配設状態について説明する。図２に示すように、本実施形態１において、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６は、何れも格子状に設けられた絵素間遮光部５０の交点に配設される。詳しくは、ＴＦＴ等遮光部５１とソース配線遮光部５２との交点のうち、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の各１つおきの交点に設けられ、２絵素につき１個の、メインスペーサ２５もしくはサブスペーサ２６が配設されている。メインスペーサ２５もおよびサブスペーサ２６の分布頻度等は特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜変更できる。例えば、１絵素もしくは３絵素につき１個のメインスペーサ２５もしくはサブスペーサ２６を設けてもよい。メインスペーサ２５は、液晶パネル１０のセルギャップＧを均一に保持してセル厚ムラを抑制するために、液晶パネル１０の全面に分布させることが好ましい。また、サブスペーサ２６は、液晶パネル１０の任意の箇所に部分的な押圧力が作用する事態に対応するために、液晶パネル１０の全面に亘って一定の頻度で分布するように多数配設することが好ましく、メインスペーサ２５よりもサブスペーサ２６の方が多数設けられている。本実施形態１では一例として、１４４画素、４３２絵素につき、メインスペーサ２５を１０個、サブスペーサ２０２個、を配設している。これらメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の配設比率も、目的に応じて適宜変更できる。

図４等に示すように、メインスペーサ２５は、その中心が、ＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬから、所定のシフト量Ｓだけ図４における下方に位置するように配される。これは、アレイ基板３０においてＴＦＴ等遮光部５１と重畳される領域には、既述したように共通電極７５の開口部７５Ａによって内側表面に凹部が形成されているため、メインスペーサ２５を、その突出端の中心が開口部７５Ａの近傍もしくは干渉する位置に当接するように形成された場合には、突出端が凹部に滑り落ちて嵌入する虞があるからである。
他方、サブスペーサ２６は、その中心が、ＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に配される。サブスペーサ２６は、そもそもアレイ基板３０に当接するものではないため、サブスペーサ２６が開口部７５Ａと平面に視て重畳するような位置に設けられたとしても、セルギャップＧの維持には影響しないからである。

次に、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の配設部位を遮光するためのスペーサ遮光部５５について説明する。図５に示すように、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６は、ＣＦ基板２０から液晶層４０内に突出するように設けられるため、液晶層４０中に含まれる液晶分子の本来あるべき配向を乱す起点となる。このため、図４において太い二点鎖線で示すように、黒表示時の画面の白浮き等を防いで液晶パネルの表示品位を確保する観点から、両スペーサ２５，２６の配設部位を遮光するスペーサ遮光部５５が設けられる。以下、スペーサ遮光部５５のうち、メインスペーサ２５の配設部位を遮光するためのものをメインスペーサ遮光部（第１突設体遮光部）５５Ａ、サブスペーサ２６の配設部位を遮光するためのものをサブスペーサ遮光部５５Ｂ（第２突設体遮光部）とする。特に、メインスペーサ２５は、サブスペーサ２６よりも突出長Ｐ１が大きく、その突出端がアレイ基板３０の内側面に直接触れてセルギャップＧを維持しているため、液晶パネル１０が外圧を受けて反るような場合に、アレイ基板３０の最も液晶層４０側に形成された配向膜３８をメインスペーサ２５の突出端が擦り、後述するように削れた配向膜３８が原因となって光漏れを招くことがある。このため、メインスペーサ遮光部５５Ａの遮光幅は、サブスペーサ遮光部５５Ｂの遮光幅よりも大きく設定することが好ましい。

本実施形態１では、図４に示すように、メインスペーサ２５の周囲に設けられるメインスペーサ遮光部５５Ａの遮光幅Ｄ３は、サブスペーサ２６の周囲に設けられるサブスペーサ遮光部５５Ｂの遮光幅Ｄ４よりも大きく、例えば２倍以上となるように設定される。
本実施形態１では、メインスペーサ２５の配設幅Ｄ１を、ＴＦＴ等遮光部５１の延在幅Ｗ１およびメインスペーサ２５の周囲に必要とされる遮光幅Ｄ３との関係において、Ｄ３＞（Ｗ１−Ｄ１）／２となるように設けており、仮にメインスペーサ２５の中心が中心線ＣＬ上にくるように配設した場合であっても、メインスペーサ遮光部５５Ａの一部がＴＦＴ等遮光部５１から突出する。メインスペーサ２５をシフトさせたことで、メインスペーサ遮光部５５Ａも下方にシフトするため、メインスペーサ遮光部５５Ａは、ＴＦＴ等遮光部５１の上方よりも下方に大きく突出している。
また、サブスペーサ２６の配設幅Ｄ２は、ＴＦＴ等遮光部５１の延在幅Ｗ１およびサブスペーサ２６の周囲に必要な遮光幅Ｄ４との関係において、Ｄ４≦（Ｗ１−Ｄ２）／２となるように設けられる。サブスペーサ２６の中心はＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に位置するため、サブスペーサ遮光部５５Ｂは、その全部がＴＦＴ等遮光部５１内に包含される。本実施形態１では、Ｄ４＝（Ｗ１−Ｄ２）／２となるように設定しており、このようにすれば、サブスペーサ遮光部５５Ｂの全部がＴＦＴ等遮光部５１内に包含される範囲において、サブスペーサ２６の配設面積を最大とすることができ、耐押圧力を高める観点から好ましい。

［比較実験１］
ここで、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６を上記のように配設することによる、各絵素の開口面積への影響に関して知見を得るため、下記の比較実験１を行った。この比較実験１では、本段落以前に説明した本実施形態１に係る液晶パネル１０を実施例１（図３等参照）とし、サブスペーサ２６の配設位置を変更したサブスペーサ１２６周囲を適切に遮光するために、Ｘ軸方向に延在する遮光層の配設領域を拡大した液晶パネル１１０を比較例１（図８参照）とする。
実施例１および比較例１では何れも、図４に示すＴＦＴ等遮光部５１の延在幅Ｗ１を４０μｍ、メインスペーサ２５基部の配設幅Ｄ１を約１３μｍ、サブスペーサ２６基部の配設幅Ｄ２を約２０μｍとし、メインスペーサ２５周囲の遮光幅Ｄ３を２１μｍ、サブスペーサ２６周囲の遮光幅Ｄ４を１０μｍ、メインスペーサ２５の中心のＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬからのシフト量Ｓを６．５μｍとしている。また、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６の分布頻度や配設比率は同じである。
実施例１では、サブスペーサ２６は、その中心がＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に配されているのに対し、比較例１では、サブスペーサ１２６を、メインスペーサ２５と同じく、ＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬからシフト量Ｓに相当する６．５μｍだけシフトさせた位置にその中心が配されるように設けている。比較例１に係るサブスペーサ遮光部１５５Ｂは、サブスペーサ１２６の配設位置に合わせて設けられる。
なお、図３には、液晶パネル１０の開口領域ＯＲに、開口部７５Ａとは異なる網掛けを付すとともに、液晶パネル１１０に係るサブスペーサ１２６と、液晶パネル１１０の開口領域ＯＲ_１１０の外郭ＯＬ_１１０を太い二点鎖線によって図示している。また、図８では、液晶パネル１１０の開口領域ＯＲ_１１０に、網掛けを付して表している。

実施例１の液晶パネル１０と、比較例１の液晶パネル１１０において、サブスペーサ２６もしくはサブスペーサ１２６が配された絵素の開口面積と、面積比率の算出結果を表１に示す。

実施例１では、サブスペーサ２６を、その中心がＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に位置するように配し、メインスペーサ２５のみを所定のシフト量Ｓに相当する６．５μｍだけ下方にずらして配置している。これにより、メインスペーサ２５を、その突出端の中心が開口部７５Ａから外れたアレイ基板３０のフラットな基準面に当接するように設けることができ、セルギャップＧを安定的に均一に維持可能となる。メインスペーサ２５をシフトさせるのに伴い、メインスペーサ遮光部５５Ａもシフトさせる必要があるが、メインスペーサ遮光部５５Ａに必要な遮光幅Ｄ３は元来大きい為、これをシフトさせても、コンタクトホールＣＨの遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＣＨおよびＴＦＴ６０の遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＴＦＴは維持される。よって、メインスペーサ遮光部５５Ａの位置をずらすだけで対応でき、液晶パネル１０における絵素の開口面積の大幅な減少（開口比率の低下）を招くことはない。
これに対し、比較例１では、メインスペーサ２５と同様に、サブスペーサ１２６も、その中心がＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬから所定のシフト量Ｓに相当する６．５μｍだけ下方にずらして配置している。このため、サブスペーサ遮光部１５５Ｂも連動してシフトさせる必要があるが、コンタクトホールＣＨの遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＣＨおよびＴＦＴ６０の遮光に必要な遮光幅Ｄ_ＴＦＴを維持しつつ、必要な遮光幅Ｄ４を確保しようとすると、サブスペーサ遮光部１５５Ｂの一部がＴＦＴ等遮光部５１から突出してしまう。配設幅Ｄ２は、Ｄ４＝（Ｗ１−Ｄ２）／２とされているため、サブスペーサ遮光部１５５Ｂはシフト量Ｓに相当する６．５μｍだけ、ＴＦＴ等遮光部５１から突出する。ここで、サブスペーサ１２６は配設数が多いため、図８に示すように、Ｘ軸方向に延在する遮光層を延設幅が（Ｗ１＋Ｓ）となるように拡幅して、サブスペーサ遮光部１５５Ｂの全部が包含されるように延設すると、絵素の開口面積が大きく減少する。具体的には、表１から分かるように、実施例１と比較例１とを比較すると開口面積が約５．３％低下してしまうことが知られた。

以上説明したように、本実施形態１に係る液晶パネル１０は、下記（１）から（３）の構成を有する。
（１） アレイ基板３０と、アレイ基板３０との間に液晶層４０を挟んだ状態で対向配置されるＣＦ基板（対向基板）２０と、を含む液晶パネル１０であって、
アレイ基板３０には、
行列状に配される複数の絵素電極７０が設けられ、
ＣＦ基板２０には、
光の透過を抑制する機能を有し、当該ＣＦ基板２０の法線方向から平面に視て、絵素電極７０の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部５０と、
アレイ基板３０に向けて突出し、その突出端がアレイ基板３０の一部に当接することによってアレイ基板３０との間隔（セルギャップＧ）を規定するメインスペーサ（第１突設体）２５と、
アレイ基板３０に向けて突出し、その突出端がアレイ基板３０との間にクリアランスを維持した状態で配される複数のサブスペーサ（第２突設体）２６と、が設けられており、
前記平面に視て、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６は、絵素間遮光部５０と重畳し、
絵素間遮光部５０の延在幅の中心線ＣＬからサブスペーサ２６の中心までの距離が、絵素間遮光部５０の延在幅の中心線ＣＬからメインスペーサ２５の中心までの距離よりも短くなるように配されている。

上記（１）の構成によれば、メインスペーサ２５によってアレイ基板３０とＣＦ基板２０との間隔が規定され、サブスペーサ２６によって両基板２０，３０の板面を押圧する外力に対する基板内構造の保護が図られる。両スペーサ２５，２６は液晶分子の配向攪乱の起点となるが、これらを各絵素電極７０の周りに配される絵素間遮光部５０と重畳する位置に設けたことで、これらの遮光を行うためのスペーサ遮光部５５の一部もしくは全部が絵素間遮光部５０に包含される。よって、液晶パネル１０の面内において、遮光層の配設面積を大きく増加させることなく表示品位を維持しながら、これらを一定の頻度で分布させることができる。なお、各絵素電極７０を取り囲んで格子状に配設される絵素間遮光部５０は、各絵素電極７０の駆動によって透過がオンオフされる光の境界を際立たせ、表示画像のコントラストを高める機能を有する。また、本実施形態１では、ＣＦ基板２０に、特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極７０と対向する位置に行列状に配される複数の着色部２３が設けられており、絵素間遮光部５０は、複数の前記着色部２３の境界に配されて、混色を防ぎ、表示画像のカラーコントラストを高める機能を有する。
ここで、サブスペーサ２６は、その遮光に必要な遮光幅Ｄ４が比較的小さいため、その中心が絵素間遮光部５０の中心線ＣＬに近くなるように配したことで、サブスペーサ遮光部５５Ｂの大部分もしくは全部を、絵素間遮光部５０に包含させることができる。これにより、絵素間遮光部５０とスペーサ遮光部５５とを合わせたＸ軸方向に延在する遮光層の配設面積を抑制できる。サブスペーサ２６は、セルギャップＧを規定するものではないため、アレイ基板３０においてこれと対向する位置に凹凸構造が設けられていても、特に不具合は生じない。
一方で、セルギャップＧを規定するメインスペーサ２５は、元来、その遮光に必要な遮光幅Ｄ３が大きく、メインスペーサ２５を、その中心が絵素間遮光部５０の中心線ＣＬに近くなるように、例えば中心線ＣＬ上に位置するように配したとしても、メインスペーサ遮光部５５Ａの少なくとも一部は絵素間遮光部５０から突出する。このようなメインスペーサ２５をシフトさせても、メインスペーサ遮光部５５Ａの絵素間遮光部５０からの突出部位が変わるだけで突出面積が大きく変化することはなく、またメインスペーサ２５は配設数が比較的少ないため、絵素間遮光部５０とスペーサ遮光部５５とを合わせた、Ｘ軸方向に延在する遮光層の配設面積の大幅な拡大が必要とされることはない。メインスペーサ２５の配設位置をシフトさせることで、メインスペーサ２５を、その突出端の中心が開口部７５Ａ（凹凸構造の一例）から外れたアレイ基板３０のフラットな基準面に当接するように設けることができ、セルギャップＧを安定的に均一に維持可能となる。
以上より、絵素間遮光部５０の延在幅の中心線ＣＬに対するメインスペーサ２５とサブスペーサ２６の配設位置をずらし、絵素間遮光部５０の中心線ＣＬからサブスペーサ２６の中心までの距離（本実施形態１ではゼロ）が、絵素間遮光部５０の中心線ＣＬからメインスペーサ２５の中心までの距離（本実施形態１ではシフト量Ｓ）より短くなるように配置した結果、面内におけるセル厚ムラが抑制され、耐押圧力にも優れた液晶パネル１０において、高い開口率を維持しながら、液晶分子の配向攪乱部位を適切に遮光することができる。

（２） 上記（１）の液晶パネル１０において、
サブスペーサ２６の中心は、絵素間遮光部５０の中心線ＣＬ上に位置している。

上記（２）の構成によれば、サブスペーサ２６を、その配設領域の中心を通り絵素間遮光部５０の中心線ＣＬに平行な直線に対して線対称となるように設けた場合、サブスペーサ遮光部５５Ｂが絵素間遮光部５０から突出しない範囲内において、サブスペーサ２６の配設面積を最大とすることができる。これにより、開口率を低下させることなく、耐押圧力を高めることができる。

（３） 上記（１）または（２）の液晶パネル１０において、
アレイ基板３０には、
行列状に配される複数のＴＦＴ（スイッチング素子）６０と、
ＴＦＴ６０に走査信号を伝送する複数のゲート配線（走査配線）８１と、が設けられ、
絵素間遮光部５０は、
概ねゲート配線８１に沿って延在してＴＦＴ６０と重畳するＴＦＴ等遮光部（スイッチング素子遮光部）５１を含み、
配絵素間遮光部５０の延在幅の中心線ＣＬからサブスペーサ２６の中心までの距離が、絵素間遮光部５０の延在幅の中心線ＣＬからメインスペーサ２５の中心までの距離よりも短くされている。

（４） 上記（３）の液晶パネル１０において、
サブスペーサ２６の中心は、ＴＦＴ等遮光部５１の延在幅の中心線ＣＬ上に位置している。

ＴＦＴ６０等は、メインスペーサ２５およびサブスペーサ２６と同じく、液晶分子の配向攪乱の起点となる。上記（３）の構成によれば、ＣＦ基板２０の絵素間遮光部５０が、これらと重畳するように配される。すなわち、セルギャップＧを均一に維持可能なメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６が、表示画像のカラーコントラストを高め、配線部等を遮光するために設けられるＴＦＴ等遮光部５１内に位置するように配される。このようにすれば、遮光層の配設面積の増加を抑制して各絵素の開口比率を高く維持しながら、高い表示品位を安定的に発現できる。
さらに、上記（４）の構成によれば、サブスペーサ２６を、その配設領域の中心を通りＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬに平行な直線に対して線対称となるように設けた場合、サブスペーサ遮光部５５ＢがＴＦＴ等遮光部５１から突出しない範囲内において、サブスペーサ２６の配設面積を最大とすることができ、開口率を低下させることなく、耐押圧力を高めることができる。

（５） 上記（３）または（４）の液晶パネル１０において、
アレイ基板３０には、
絵素電極７０に画像信号を伝送する複数のソース配線（信号配線）８２と、
ソース配線８２に対して間隔を空けた位置に配されて絵素電極７０に接続されるドレイン配線（絵素電極接続配線）８４と、
絵素電極７０、ソース配線８２およびドレイン配線８４とは異なる層にて、少なくとも絵素電極７０と重畳するように配され、開口部７５Ａを有する共通電極７５と、が設けられており、
前記平面に視て、
開口部７５Ａは、ＴＦＴ等遮光部５１と重畳し、メインスペーサ２５とは重畳しない位置に設けられている。

（６） 上記（５）の液晶パネル１０において、
開口部７５Ａは、少なくともソース配線８２と絵素電極７０におけるドレイン配線接続部（接続箇所）とに跨る範囲において開口している。

上記（５）の構成のアレイ基板３０では、ＴＦＴ等遮光部５１と重畳する部分において開口する開口部７５Ａを共通電極７５に設けたことで、例えばソース配線８２とゲート配線８１とが短絡する不具合や、ＴＦＴ６０が輝点化するような不具合が生じた際に、共通電極７５と他の配線等とを短絡させることなく、容易に修理できる。具体的には、開口部７５Ａを通してレーザー光を照射して、ソース配線８２を切断するとともに例えば予備配線に接続することで、ソース配線８２に接続されたＴＦＴ６０に、予備配線を経由して画像信号を供給可能となる。このような修理を行う際に、上記（６）のように、開口部７５Ａが、少なくともソース配線８２と絵素電極７０におけるドレイン配線接続部（接続箇所）とに跨る範囲に設けられていれば、ソース配線８２におけるレーザー光の照射箇所が共通電極７５と短絡する事態が回避されて、表示品位が維持される。上記構成によれば、このような配線補修用の開口部７５Ａが設けられた構成の液晶パネル１０において、メインスペーサ２５を、その突出端の中心が開口部７５Ａから外れた位置に当接するように設けて、アレイ基板３０上の共通電極パターンによる凹凸構造の影響を抑制し、セルギャップＧを安定的に均一に維持することができる。

＜実施形態２＞
実施形態２を、図９から図１２によって説明する。
本実施形態２では、アレイ基板２３０において、ＣＦ基板２２０に設けられたメインスペーサ２２５およびサブスペーサ２２６と対向する位置に、台座部２９１，２９２が設けられた構成の液晶パネル２１０について記載する。以下、実施形態１と同様の構成のものについては、同じ符号を付して説明を省略する。

本実施形態２に係るＣＦ基板２２０には、図９に示すように、実施形態１のＣＦ基板２０におけるメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６に相当する位置に、メインスペーサ２２５およびサブスペーサ２２６が配されている。すなわち、サブスペーサ２２６は、その中心がＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に位置する一方、メインスペーサ２２５は、その中心が中心線ＣＬから所定のシフト量Ｓだけ図９における下方に位置するように配される。なお、本実施形態２では、後述するように、アレイ基板２３０においてメインスペーサ２２５と対向する位置に開口部７５Ａの一部を閉塞する当接台座部２９１が形成される。この当接台座部２９１の頂面にも、共通電極７５の配設パターンによる凹凸構造の影響によって凹凸が形成されうるため、メインスペーサ２２５をシフトさせているものである。本実施形態２では、図１０等に示すように、実施形態１に係るメインスペーサ２５およびサブスペーサ２６とほぼ同様の略正八角形状の断面を有して先細りとなる柱状に形成したメインスペーサ２２５およびサブスペーサ２２６を例示する。メインスペーサ２２５の突出長Ｐ２０１、並びに、サブスペーサ２２６の突出長Ｐ２０２は、実施形態１に係るメインスペーサ２５の突出長Ｐ１並びにサブスペーサ２６の突出長Ｐ２よりも小さく、突出長Ｐ２０１はセルギャップＧよりも小さく設定される。本実施形態２では、メインスペーサ１２５の突出長を２．０μｍ、サブスペーサ１２６の突出長を１．４μｍとして形成した場合について例示する。

一方、本実施形態２に係るアレイ基板２３０には、図９に示すように、ゲート配線８１、ソース配線８２、容量配線８３、ドレイン配線８４、ＴＦＴ６０、コンタクトホールＣＨに加えて、共通電極２７に設けられた開口部７５Ａの一部と重畳する台座部２９１，２９２が設けられている。台座部２９１，２９２は、液晶パネル２１０において、ＣＦ基板２２０に設けられたメインスペーサ２２５およびサブスペーサ２２６と対向する位置に配される。台座部２９１，２９２のうち、メインスペーサ２２５と対向する位置に設けられてメインスペーサ２２５の突出端と当接するものを当接台座部２９１、サブスペーサ２２６と対向する位置に設けられたものを対向台座部２９２とする。両スペーサ２２５，２２６に合わせて、対向台座部２９２は、その中心がＴＦＴ等遮光部５１の中心線ＣＬ上に位置する一方、当接台座部２９１は、その中心が中心線ＣＬから所定のシフト量Ｓだけ図９における下方に位置するように配される。

両台座部２９１，２９２の断面形状や縦横の配設幅の比率は限定されるものではないが、特に当接台座部２９１の頂面は、メインスペーサ２２５の突出端がここに直に接することによって液晶パネル２１０のセルギャップＧが維持されるため、メインスペーサ２２５の突出端より大きな面積を有していることが望ましい。当接台座部２９１の頂面の面積が大きいほど、アレイ基板２３０とＣＦ基板２２０とを貼り合わせる際に、両基板２３０，２２０の嵌合ズレの許容範囲を大きく確保することができる。但し、液晶パネル２１０の製造プロセスにおいては、一般に、アレイ基板２３０に両台座部２９１，２９２を形成した後に配向膜形成樹脂を塗布するが、この際、Ｙ軸方向にはＸ軸方向に沿って隣接する両台座部２９１，２９２の間のみが配向膜形成樹脂の流路となるため、配向膜の塗布性を高める観点からは、両台座部２９１，２９２のＸ軸方向の配設幅は小さい方が好ましい。また、両台座部２９１，２９２は、その構造上、両スペーサ２２５，２２６と同じく液晶分子の配向攪乱起点となるため、両台座部２９１，２９２の周囲にも遮光層を設けることが好ましい。両台座部２９１，２９２は、両スペーサ２２５，２２６に対向する位置に配されるため、メインスペーサ遮光部２５５Ａおよびサブスペーサ遮光部２５５Ｂを利用して遮光することができる。
以上より、両台座部２９１，２９２の縦横の配設幅は、メインスペーサ２２５が当接する受け台座としての機能と、配向膜形成樹脂塗布時の流路の確保と、遮光部の確保と、を勘案し、バランス良く設定することが最も望ましい。
本実施形態２では、図９に示すように、断面が四隅を面取りした正方形状をなし、ＣＦ基板２２０に向けてやや先細りとなるような形状に形成された台座部２９１，２９２について例示する。同図に示すように、対向台座部２９２の頂面のＸＹ方向の配設幅Ｄ６が、サブスペーサ２２６の基部のＸＹ方向の配設幅Ｄ２よりも僅かに大きい程度であるのに対し、当接台座部２９１の頂面のＸＹ方向の配設幅Ｄ５は、メインスペーサ２２５の基部のＸＹ方向の配設幅Ｄ１の約２倍と、かなり大きくなるように設定している。なお、製造を容易にする観点から、当接台座部２９１と対向台座部２９２は、同じ寸法形状に突出するように設けてもよい。

図９に示すように、原則として、両台座部２９１，２９２は、全てのメインスペーサ２２５およびサブスペーサ２２６に対して配置する。スペーサが配置されていない絵素がある場合には、このような絵素にも台座部を配置することが好ましい。液晶パネル２１０において、台座部が配置されている絵素と、配置されていない絵素とが混在した場合、台座部の形成後に塗布される配向膜形成樹脂の塗布状態が、台座部の配置の有無に応じて変化し、配向膜が不均質となって表示ムラを招く懸念があるからである。本実施形態２では、実施形態１と同様、２絵素に対して１個のメインスペーサ２２５もしくはサブスペーサ２２６を配しているため、図９の中央に示された絵素にはスペーサが配されていないが、この絵素にも、対向台座部２９２を配置している。

図１０および図１１に示すように、当接台座部２９１の頂面にメインスペーサ２２５の突出端が当接することによって、液晶パネル２１０のセルギャップＧが維持される。このため、当接台座部２９１の突出長Ｐ９１は、メインスペーサ２２５の突出長Ｐ２０１との和が、セルギャップＧとほぼ等しくなるように設定する。なお、当接台座部２９１およびメインスペーサ２２５を形成する際には、アレイ基板２３０とＣＦ基板２２０とを貼り合わせる際に係る荷重による圧縮分αを考慮して、各突出長を規定するとよい。また、図９から図１１では、説明の便宜上、配向膜２３８の膜厚が比較的厚く表されている。メインスペーサ２２５の突出長Ｐ２０１と、当接台座部２９１の突出長Ｐ９１の配分については、特に限定されることなく任意に設定できる。サブスペーサ２２６の突出長Ｐ２０２は、メインスペーサ２２５の突出長Ｐ２０１よりも小さく、対向台座部２９２の突出長Ｐ９２との和が、セルギャップＧよりも小さくなるように設定する。これにより、サブスペーサ２２６の突出端と対向台座部２９２の頂面とが、間にクリアランスが形成された状態で対向配置される。本実施形態２では、図１０等に表されているように、当接台座部２９１の突出長Ｐ９１および対向台座部２９２の突出長Ｐ９２がほぼ等しく、これらに対して両スペーサ２２５，２２６の突出長Ｐ２０１，Ｐ２０２が１．０〜２．０倍程度となるように設定している。具体的には、当接台座部２９１および対向台座部２９２の突出長を何れも１．２μｍとしている。既述したように、メインスペーサ１２５の突出長を２．０μｍ、サブスペーサ１２６の突出長を１．４μｍとして形成されているが、アレイ基板３０とＣＦ基板２０とを貼り合わせる際に係る荷重によって、メインスペーサ１２５と当接台座部２９１が合わせて０．２μｍ程度圧縮され、セルギャップＧは３．０μｍとなる。

さて、本実施形態２では、アレイ基板２３０の最も内側（液晶層４０側）の表面に形成される配向膜２３８のうち、当接台座部２９１および対向台座部２９２の頂面に形成された配向膜２３８αが、他の部分に形成された配向膜２３８βよりも薄肉となるように形成されている。液晶パネル２１０の製造プロセスにおいては、通常、両台座部２９１，２９２の形成後に、これらを有するアレイ基板２３０の内側表面に配向膜形成樹脂が塗布される。この際、アレイ基板２３０のその他の面から突出するように設けられている両台座部２９１，２９２の頂面には、配向膜形成樹脂が流れにくいため、配向膜２３８を、その膜厚が、両台座部２９１，２９２の頂面においてごく薄くなるように容易に形成できる。

以上説明したように、本実施形態２に係る液晶パネル２１０は、実施形態１に係る液晶パネル１０について既述した（１）から（６）の構成に加え、下記（７）から（１０）の構成を有する。
（７） アレイ基板２３０においてメインスペーサ２２５と対向する位置に、当該アレイ基板２３０からＣＦ基板２２０に向けて突出してメインスペーサ２２５に当接する当接台座部２９１が設けられている。

上記（７）の構成によれば、メインスペーサ２２５の突出端が、当接台座部２９１の頂面に当接することによって、セルギャップＧが規定される。このような当接台座部２９１が設けられていることで、アレイ基板２３０の内側表面に形成された凹凸構造の影響を受けることが少なくなり、セルギャップＧを均一に維持し易くなるとともに、アレイ基板２３０の内側表面に形成された構造を損傷する可能性が低くなる。なお、当接台座部２９１も液晶分子の配向攪乱の起点となるため、この当接台座部２９１の配設部位にも遮光層を設けることが好ましい。当接台座部２９１は、メインスペーサ２２５と対向する位置に配設され、メインスペーサ遮光部２５５Ａで当接台座部２９１の周囲を遮光できるため、遮光層の配設面積の拡大が必要となることもなく、液晶パネル２１０の開口率を高く維持できる。
また、下記（８）に規定するような、液晶層４０に当接する表層に配向膜２３８が形成されたアレイ基板２３０を製造する際、当接台座部２９１を形成した後に配向膜形成樹脂を塗布すれば、当接台座部２９１の頂面における膜厚が台座部を配置していない部分と比べてごく薄くなるように配向膜２３８を形成できる。よって、（８）に規定する構成を容易に実現して、その効果を得ることができる。

（８） 上記（７）の液晶パネル２１０において、アレイ基板２３０におけるＣＦ基板２２０との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜２３８が設けられており、
配向膜２３８は、当接台座部２９１の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている。

ＣＦ基板２２０に設けられたセルギャップＧを規定するメインスペーサ２２５が、アレイ基板２３０の配向膜２３８に当接する構成の液晶パネル２１０では、主に液晶パネル２１０の表示面を押圧する外力によって生じるメインスペーサ２２５と配向膜２３８との間の摩擦によって配向膜２３８が削り取られ、配向膜２３８の欠片が液晶層４０内を浮遊してごく細かい輝点となって表れて、表示不良の原因となることがある（このような不具合現象は、浮遊輝点と称される）。上記（８）の構成によれば、メインスペーサ２２５が当接するのは当接台座部２９１の頂面に限られ、この頂面では、その他の部分と比較して配向膜２３８が薄肉となるように形成されているため、外力の影響によって削られる配向膜２３８の欠片がごく小さくなり、結果として浮遊輝点の不具合が大幅に低減される。

（９） 上記（７）または（８）の液晶パネル２１０において、当接台座部２９１の頂面は、メインスペーサ２２５の突出端よりも大きな面積を有するように形成されている。

上記（９）の構成によれば、アレイ基板２３０とＣＦ基板２２０とを貼り合わせる際の多少の篏合ズレを許容しながら、セルギャップＧを均一に維持することができる。

（１０） 上記の液晶パネル２１０において、アレイ基板２３０には、当該アレイ基板２３０からサブスペーサ２２６に向けて突出し、その頂面とサブスペーサ２２６の突出端との間にクリアランスを維持して対向配置される対向台座部２９２が設けられ、
アレイ基板２３０におけるＣＦ基板２２０との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜２３８が設けられており、
配向膜２３８は、対向台座部２９２の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている。

上記（１０）の構成によれば、液晶パネル２１０に外圧が生じた際、サブスペーサ２２６の突出端と対向台座部２９２の頂面とが当接することによって、内側、すなわちアレイ基板２３０およびＣＦ基板２２０の対向面側（液晶層４０側）に形成された構造が着実に保護される。また、配向膜２３８を設けた構成においては、対向台座部２９２の頂面に形成される配向膜２３８αを、その他の部分に形成される配向膜２３８βよりも薄肉として、浮遊輝点の不具合を低減することができる。

＜他の実施形態＞
本技術は上記記述および図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本技術の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態では、サブスペーサの突出長がメインスペーサの突出長よりも小さくなるように形成された場合について例示したが、これに限定されない。例えば、サブスペーサの突出長がメインスペーサの突出長以上であっても、メインスペーサの対向位置のみに台座部を配して、メインスペーサの突出端がアレイ基板の一部に当接する一方、サブスペーサの突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配されるように構成すれば、本技術の効果を得ることができる。
（２）上記実施形態では、メインスペーサおよびサブスペーサを、断面が略正八角形をなし突出端に向けて先細りとなる柱状に形成したが、これに限定されるものではない。Ｘ軸方向とＹ軸方向の配設幅が異なるように設けてもよいし、円柱や楕円柱状に設けてもよい。例えば、Ｙ軸方向に長軸を有する楕円柱状に形成すれば、配向膜形成樹脂を容易に均一に塗布できる観点から好ましい。また、両スペーサを、基端から突出端まで同じ断面積を持つように形成してもよい。メインスペーサとサブスペーサとが相似形である必要もなく、互いに異なる形状に形成することができる。
（２）上記実施形態では、絵素間遮光部が互いに直交する複数の帯状の遮光部（ソース配線遮光部およびＴＦＴ等遮光部）によって格子状に形成されたものを例示したが、これに限定されない。例えば１２０度等の一定の角度を有して交差する形状のものであってもよい。
（３）上記実施形態では、液晶パネルのスイッチング素子としてＴＦＴを用いたアレイ基板を例示したが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いたアレイ基板にも、本技術は適用可能である。また、白黒表示する液晶パネルに用いられるアレイ基板にも、本技術は適用可能である。
（４）上記実施形態では、液晶分子に基板面に平行な方向（横方向）に電界を印加する横方向電界方式のＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶パネルに用いられるアレイ基板を例示した。そのため、アレイ基板に、一対の電極（絵素電極７０および共通電極７５）が形成されているが、本技術の適用は、このような構成のものに限定されない。他の動作モード、例えばＩＰＳ（In-Plane-Switching）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＴＮモード（Twisted Nematic）等で作動する液晶パネルにも、本技術を適用することができる。さらに、タッチセンサ機能を備える液晶パネルにも、本技術を適用することができる。

１０，１１０，２１０…液晶パネル、２０，２２０…ＣＦ基板（対向基板）、２２…カラーフィルタ、２３…着色部、２５，２２５…メインスペーサ（第１突設体）、２６，１２６，２２６…サブスペーサ（第２突設体）、３０，２３０…アレイ基板、３８，２３８…配向膜、４０…液晶層、５０…絵素間遮光部（遮光層の一部）、５１…ＴＦＴ等遮光部（スイッチング素子遮光部）、５２…ソース配線遮光部、５５…スペーサ遮光部（突設体遮光部、遮光層の一部）、５５Ａ、２５５Ａ…メインスペーサ遮光部（第１突設体遮光部）、５５Ｂ，１５５Ｂ、２５５Ｂ…サブスペーサ遮光部（第２突設体遮光部）、６０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、７０…絵素電極、７０Ｂ…ドレイン配線接続部（接続箇所）、７５，２７５…共通電極、７５Ａ…開口部、８１…ゲート配線（走査配線）、８２…ソース配線（信号配線、データ線）、８３…容量配線、８４…ドレイン配線（絵素電極接続配線）、２９１…当接台座部、２９２…対向台座部、ＣＨ…コンタクトホール、ＣＬ…中心線、Ｇ…セルギャップ、ＯＲ…開口領域（遮光層が重畳されない領域）

Claims (14)

1. アレイ基板と、
   前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
   前記アレイ基板には、
   行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
   前記対向基板には、
   光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
   特定の色の光を選択的に透過する機能を有し各々が前記絵素電極と対向する位置に行列状に配される複数の着色部と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第１突設体と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第２突設体と、が設けられており、
   前記平面に視て、
   前記第１突設体および前記第２突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
   前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされ、
   前記第１突設体に最も近接する前記着色部と同じ色光を透過する前記着色部に最も近接する突設体が、前記第２突設体とされている液晶パネル。
2. 前記第２突設体の前記中心は、前記絵素間遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する請求項１に記載の液晶パネル。
3. アレイ基板と、
   前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
   前記アレイ基板には、
   行列状に配される複数の絵素電極が設けられ、
   前記対向基板には、
   光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第１突設体と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第２突設体と、が設けられており、
   前記平面に視て、
   前記第１突設体および前記第２突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
   前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記絵素間遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされ、
   前記第２突設体の前記中心は、前記絵素間遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する液晶パネル。
4. 前記第２突設体は、前記絵素間遮光部の延在方向に前記第１突設体と並ぶように配されており、
   前記第２突設体の中心までの距離を規定する前記中心線は、
   前記第２突設体が近接する２つの前記絵素電極の間における前記絵素間遮光部の延在幅の中心線であって、
   前記第１突設体の中心までの距離を規定する前記中心線である請求項１から請求項３の何れか一項に記載の液晶パネル。
5. 前記アレイ基板には、
   行列状に配される複数のスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、が設けられ、
   前記絵素間遮光部は、
   前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
   前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされている請求項１から請求項４の何れか一項に記載の液晶パネル。
6. アレイ基板と、
   前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
   前記アレイ基板には、
   行列状に配される複数の絵素電極と、
   行列状に配される複数のスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、
   が設けられ、
   前記対向基板には、
   光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第１突設体と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第２突設体と、が設けられており、
   前記絵素間遮光部は、
   前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
   前記平面に視て、
   前記第１突設体および前記第２突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
   前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされ、
   前記第２突設体の前記中心は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の前記中心線上に位置する液晶パネル。
7. アレイ基板と、
   前記アレイ基板との間に液晶層を挟んだ状態で対向配置される対向基板と、を含む液晶パネルであって、
   前記アレイ基板には、
   行列状に配される複数の絵素電極と、
   行列状に配される複数のスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を伝送する複数の走査配線と、
   前記絵素電極に画像信号を伝送する複数の信号配線と、
   前記信号配線に対して間隔を空けた位置に配されて前記絵素電極に接続される絵素電極接続配線と、
   前記絵素電極、前記信号配線および前記絵素電極接続配線とは異なる層にて、少なくとも前記絵素電極と重畳するように配され、開口部を有する共通電極と、
   が設けられ、
   前記対向基板には、
   光の透過を抑制する機能を有し、当該対向基板の法線方向から平面に視て、前記絵素電極の周りを取り囲んで格子状に延在する絵素間遮光部と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板の一部に当接することによって前記アレイ基板との間隔を規定する第１突設体と、
   前記アレイ基板に向けて突出し、その突出端がアレイ基板との間にクリアランスを維持した状態で配される複数の第２突設体と、が設けられており、
   前記絵素間遮光部は、
   前記走査配線に沿って延在して前記スイッチング素子と重畳するスイッチング素子遮光部を含み、
   前記平面に視て、
   前記第１突設体および前記第２突設体は、前記絵素間遮光部と重畳し、
   前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第２突設体の中心までの距離は、前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線から前記第１突設体の中心までの距離より短くされ、
   前記開口部は、前記スイッチング素子遮光部と重畳し、前記第１突設体とは重畳しない位置に設けられている液晶パネル。
8. 前記第２突設体は、前記絵素間遮光部の延在方向に前記第１突設体と並ぶように配されており、
   前記第２突設体の中心までの距離を規定する前記中心線は、
   前記第２突設体が近接する２つの前記絵素電極の間における前記スイッチング素子遮光部の延在幅の中心線であって、
   前記第１突設体の中心までの距離を規定する前記中心線である請求項５から請求項７の何れか一項に記載の液晶パネル。
9. 前記アレイ基板には、
   前記絵素電極に画像信号を伝送する複数の信号配線と、
   前記信号配線に対して間隔を空けた位置に配されて前記絵素電極に接続される絵素電極接続配線と、
   前記絵素電極、前記信号配線および前記絵素電極接続配線とは異なる層にて、少なくとも前記絵素電極と重畳するように配され、開口部を有する共通電極と、が設けられており、
   前記平面に視て、
   前記開口部は、前記スイッチング素子遮光部と重畳し、前記第１突設体とは重畳しない位置に設けられている請求項５または請求項６に記載の液晶パネル。
10. 前記開口部は、少なくとも前記信号配線と、前記絵素電極における接続箇所とに跨る範囲を含む請求項７または請求項９に記載の液晶パネル。
11. 前記アレイ基板において前記第１突設体と対向する位置に、当該アレイ基板から前記対向基板に向けて突出して前記第１突設体に当接する当接台座部が設けられている請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の液晶パネル。
12. 前記アレイ基板における前記対向基板との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜が設けられており、
    前記配向膜は、前記当接台座部の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている請求項１１に記載の液晶パネル。
13. 前記当接台座部の頂面は、前記第１突設体の突出端よりも大きな面積を有するように形成されている請求項１１または請求項１２に記載の液晶パネル。
14. 前記アレイ基板には、当該アレイ基板から前記第２突設体に向けて突出し、その頂面と前記第２突設体の突出端との間にクリアランスを維持して対向配置される対向台座部が設けられ、
    前記アレイ基板における前記対向基板との対向面の最も表層には、液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜が設けられており、
    前記配向膜は、前記当接台座部および前記対向台座部の頂面において、その他の領域よりも薄肉となるように形成されている請求項１２に記載の液晶パネル。

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