JPWO2011001716A1 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011001716A1 JPWO2011001716A1 JP2011520809A JP2011520809A JPWO2011001716A1 JP WO2011001716 A1 JPWO2011001716 A1 JP WO2011001716A1 JP 2011520809 A JP2011520809 A JP 2011520809A JP 2011520809 A JP2011520809 A JP 2011520809A JP WO2011001716 A1 JPWO2011001716 A1 JP WO2011001716A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- crystal display
- display device
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/124—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode interdigital
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
以下、実施形態1の液晶表示装置として、実施形態1−1〜1−10の10個の形態に分けて述べる。実施形態1の各液晶表示装置は、画素電極及び共通電極のいずれもが、一本の柄に対して片側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。
図1は、実施形態1−1の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図2は、図1のA−B線に沿ったTFT基板の断面模式図である。
図5は、実施形態1−2の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図5に示すように、実施形態1−2の液晶表示装置では、共通電極22の端部と重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図7は、実施形態1−3の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図7に示すように、実施形態1−3の液晶表示装置では、画素電極の端部及び共通電極の端部の両方と重畳する領域に修正用電極が配置されている。
図8は、実施形態1−4の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図8に示すように、実施形態1−4の液晶表示装置では、画素電極21の端部及び共通電極22の端部の両方と重畳する領域に、フローティング電極61がそれぞれ二つずつ配置されている。これら二つのフローティング電極61は、同一の層に配置されていても、互いに異なる層に配置されていてもよい。
図9は、実施形態1−5の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図10は、図9のC−D線に沿ったTFT基板の断面模式図である。図9及び図10に示すように、実施形態1−5の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の端部のそれぞれと重畳して配置されている。
図12は、実施形態1−6の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図12に示すように、実施形態1−6の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の端部の両方において先細りになっており、画素電極21の端部と重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図13は、実施形態1−7の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図14は、図13のE−F線に沿ったTFT基板の断面模式図である。図13及び図14に示すように、実施形態1−7の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部の下層、すなわち、フローティング電極61の下側のそれぞれに遮光膜27が配置されている。遮光膜27の厚みは、0.1μm以上であることが好ましい。
図15は、実施形態1−8の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図15に示すように、実施形態1−8の液晶表示装置では、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。
実施形態1−9の液晶表示装置は、画素電極と共通電極とがそれぞれ異なる層に配置されている形態である。そのため、実施形態1−9の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図1と同様である。一方、図16は、実施形態1−9の液晶表示装置を表す図1のA−B線に沿ったTFT基板の断面模式図であり、図2とは異なっている。
実施形態1−10の液晶表示装置は、実施形態1−1〜1−9で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態1−10の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、IPSモードである。したがって、実施形態1−10の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図1と同様である。
以下、実施形態2の液晶表示装置として、実施形態2−1〜2−11の11個の形態に分けて述べる。実施形態2の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。
図18は、実施形態2−1の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図19は、図18のG−H線に沿ったTFT基板の断面模式図である。
図22は、実施形態2−2の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図22に示すように、実施形態2−2の液晶表示装置では、実施形態2−1の液晶表示装置におけるフローティング電極61の長さよりも短いフローティング電極61が配置されており、共通電極22の修正用として用いられる。フローティング電極61の長さを短くすることで、より透過率が向上する。
図23は、実施形態2−3の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図23に示すように、実施形態2−3の液晶表示装置では、画素電極21の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部と重畳する領域に加え、共通電極22の櫛歯のもう一方の端部と重畳する領域にもフローティング電極61が配置されている。
図24は、実施形態2−4の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図24に示すように、実施形態2−4の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の両方の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極61がそれぞれ二つずつ配置されている。
図25は、実施形態2−5の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図25に示すように、実施形態2−5の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部のそれぞれと重畳して配置されている。
図27は、実施形態2−6の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図27に示すように、実施形態2−6の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯及び共通電極22の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら2つの架橋電極63は、一方が画素電極21にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極22にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されている。
図28は、実施形態2−7の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図28に示すように、実施形態2−7の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の半分及び共通電極22の一方の櫛歯が細く形成されており、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図29は、実施形態2−8の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図29に示すように、実施形態2−8の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部のそれぞれに遮光膜27が配置されている。
図30は、実施形態2−9の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図30に示すように、実施形態2−9の液晶表示装置では、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。また、フローティング電極61の共通電極22の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の共通電極22の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。
図31は、実施形態2−10の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図31に示すように、実施形態2−10の液晶表示装置では、共通電極22の櫛歯の部分が、画素電極21と同一の層に配置されており、共通電極22の柄の部分と櫛歯の部分とはコンタクトホール23を介して互いに接続されている。そのため、図31のI−J線に沿ったTFT基板の断面模式図は、図32のようになる。この場合、共通電極22の柄の部分が、ガラス基板31の上に配置され、共通電極22の櫛歯の部分が、第二の絶縁膜33の上に配置される。
実施形態2−11の液晶表示装置は、実施形態2−1〜2−10で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態2−11の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、IPSモードである。したがって、実施形態2−11の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図18と同様である。
以下、実施形態3の液晶表示装置として、実施形態3−1〜3−10の10個の形態に分けて述べる。実施形態3の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。
図36は、実施形態3−1の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図37は、図36のK−L線に沿ったTFT基板の断面模式図である。
図38は、実施形態3−2の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図38に示すように、実施形態3−2の液晶表示装置では、フローティング電極61は、共通電極22の櫛歯の端部と重畳するように配置されている。
図39は、実施形態3−3の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図39に示すように、実施形態3−3の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の両方の端部と重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図40は、実施形態3−4の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図40に示すように、実施形態3−4の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の両方の端部と重畳する領域に、フローティング電極61がそれぞれ二つずつ配置されている。
図41は、実施形態3−5の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図41に示すように、実施形態3−5の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。架橋電極63の材料としては、実施形態1−5の場合と同様の材料を用いることができる。
図42は、実施形態3−6の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図42に示すように、実施形態3−6の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の一方が、他の一方よりも細く形成されており、画素電極21の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図43は、実施形態3−7の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図43に示すように、実施形態3−7の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域に遮光膜27が配置されている。
図44は、実施形態3−8の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図44に示すように、実施形態3−8の液晶表示装置では、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。
実施形態3−9の液晶表示装置は、画素電極と共通電極とがそれぞれ同一の層に配置されている形態である。そのため、実施形態3−9の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図36と同様である。一方、図45は、実施形態3−9の液晶表示装置を表す図36のK−L線に沿ったTFT基板の断面模式図である。
実施形態3−10の液晶表示装置は、実施形態3−1〜3−9で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態3−10の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、IPSモードである。したがって、実施形態3−10の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図36と同様である。実施形態3−10の液晶表示装置の液晶分子の制御方式については、上述の実施形態1−10と同様である。
以下、実施形態4の液晶表示装置として、実施形態4−1〜4−12の12個の形態に分けて述べる。実施形態4−1〜4−11の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有しており、共通電極は、サブ画素の中央を横切るように延伸されている。一方、実施形態4−12の液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して片側に櫛歯を有しており、共通電極は、サブ画素の間隙を横切るように延伸されている。
図46は、実施形態4−1の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図19は、図46のM−N線に沿ったTFT基板の断面模式図でもある。
図47は、実施形態4−2の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図47に示すように、実施形態4−2の液晶表示装置では、実施形態4−1の液晶表示装置におけるフローティング電極61の長さよりも短いフローティング電極61が配置されており、共通電極22の修正用として用いられる。フローティング電極61の長さを短くすることで、より透過率が向上する。
図48は、実施形態4−3の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図48に示すように、実施形態4−3の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部と重畳する領域に加え、共通電極22のもう一方の櫛歯の端部と重畳する領域にもフローティング電極61が配置されている。
図49は、実施形態4−4の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図49に示すように、実施形態4−4の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の両方の櫛歯の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極61がそれぞれ二つずつ配置されている。
図50は、実施形態4−5の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図50に示すように、実施形態4−5の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の一方の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。架橋電極63の材料としては、実施形態1−5の場合と同様の材料を用いることができる。
図51は、実施形態4−6の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図51に示すように、実施形態4−6の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯及び共通電極22の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら2つの架橋電極63は、一方が画素電極21にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極22にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されている。
図52は、実施形態4−7の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図52に示すように、実施形態4−7の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の半分及び共通電極22の一方の櫛歯において細く形成されており、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図53は、実施形態4−8の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図53に示すように、実施形態4−8の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の一方の端部のそれぞれに遮光膜27が配置されている。
図54は、実施形態4−9の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図54に示すように、実施形態4−9の液晶表示装置では、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の画素電極21及び共通電極22の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。
図55は、実施形態4−10の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図55に示すように、実施形態4−10の液晶表示装置は、画素電極21と共通電極22の櫛歯の部分とが同一の層に配置されている。そのため、図55のO−P線に沿ったTFT基板の断面模式図は、図32と同様になる。
実施形態4−11の液晶表示装置は、実施形態4−1〜4−10で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態4−11の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、IPSモードである。したがって、実施形態4−11の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図46と同様である。
図56は、実施形態4−12の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。実施形態4−1〜4−11の各液晶表示装置は、画素電極が一本の柄に対して片側に櫛歯をもつのに対し、共通電極が一本の柄に対して両側に櫛歯をもち、共通電極はサブ画素の中央を横切るように延伸されている点に特徴を有するが、これとは逆に実施形態4−12の液晶表示装置では、図56に示すように、画素電極21が一本の柄に対して両側に櫛歯をもつのに対し、共通電極22が一本の柄に対して片側に櫛歯をもち、共通電極22はサブ画素の外、すなわち、ゲート配線25上に延伸されている。なお、この配線形態は、実施形態4−1〜4−11のいずれに対しても適用することができる。
以下、実施形態5の液晶表示装置として、実施形態5−1〜5−15の15個の形態に分けて述べる。実施形態5の各液晶表示装置は、画素電極が十字型の柄に対して両側に櫛歯をもち、かつ共通電極が十字型の柄に対して両側に櫛歯をもつ点に特徴を有する。共通電極は、サブ画素の中央を横切るように延伸されている。こうすることで、液晶分子を斜め方向にもバランスよく配向させることができ、視野角特性が向上する。また、画素電極及び共通電極が複雑かつ対称的な構造を有しているため、液晶分子の高精細な制御が可能となる。
図57は、実施形態5−1の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。また、図58は、図57のQ−R線に沿ったTFT基板の断面模式図である。
図59は、実施形態5−2の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図59に示すように、実施形態5−2の液晶表示装置では、実施形態5−1の液晶表示装置におけるフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部と、共通電極22の櫛歯の端部との両方と複数重畳するように配置されている。また、フローティング電極61は、サブ画素の長辺方向(ソース配線24に沿った方向)に線状に延伸されており、一本のフローティング電極61により、画素電極21及び共通電極22のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。
図60は、実施形態5−3の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図60に示すように、実施形態5−3の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部と、共通電極22の櫛歯の端部との両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極61は、サブ画素の短辺方向(ゲート配線25に沿った方向)の上辺及び下辺のいずれに対しても配置されている。これによれば、上辺に沿って配置されたフローティング電極61は共通電極22の修正用の電極として用いることができ、下辺に沿って配置されたフローティング電極61は画素電極21の修正用の電極として用いることができるため、画素電極21及び共通電極22のいずれにも対応可能な形態となる。
図61は、実施形態5−4の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図61に示すように、実施形態5−4の液晶表示装置においてフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極61は、サブ画素の短辺方向(ゲート配線25に沿った方向)に配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。このように配置されたフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の端部の両方と複数重畳して配置されているので、一本のフローティング電極61により、画素電極21及び共通電極22のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。
図62は、実施形態5−5の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図62に示すように、実施形態5−5の液晶表示装置においてフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極61は、サブ画素の長辺方向(ソース配線24に沿った方向)に配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。このように配置されたフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の端部の両方と複数重畳して配置されているので、一本のフローティング電極61により、画素電極21及び共通電極22のいずれに対しても修正用の電極として用いることができる。
図63は、実施形態5−6の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図63に示すように、実施形態5−6の液晶表示装置においてフローティング電極61は、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の櫛歯の端部の両方と重畳するように配置されている。また、フローティング電極61は、サブ画素の短辺方向(ゲート配線25に沿った方向)及びサブ画素の長辺方向(ソース配線24に沿った方向)のいずれの方向にも配置されており、櫛歯の端部のみならず柄の端部に対しても重畳している。なお、フローティング電極61は、TFT26とは重畳しておらず、TFT26の外周に沿って配置されている。言い換えれば、実施形態5−6においては、ソース配線25、ゲート配線24、及び、TFT26で囲まれる領域の外周に沿ってフローティング電極61が配置されており、これにより、画素電極21及び共通電極22のいずれの櫛歯に断線が起こったとしても対応可能な修正用の電極として用いることができる。
図64は、実施形態5−7の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図64に示すように、実施形態5−7の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯の端部、及び、共通電極22の両方の櫛歯の端部のいずれにも重畳する領域に、フローティング電極61がそれぞれ二つずつ配置されている。
図65は、実施形態5−8の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図65に示すように、実施形態5−8の液晶表示装置では、共通電極22の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、共通電極22の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されている。
図66は、実施形態5−9の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図66に示すように、実施形態5−9の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されており、該コンタクトホール64を介して架橋電極63のそれぞれと接続されている。架橋電極63は線状であり、サブ画素の上辺方向(ゲート配線26に沿った方向)に配置されている。また、架橋電極63は、画素電極21の櫛歯の端部のそれぞれと重畳して配置されており、かつ櫛歯の端部のみならず、柄の端部とも重畳して配置されている。更に、コンタクトホール64は、画素電極21の柄の端部にも設けられている。
図67は、実施形態5−10の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図67に示すように、実施形態5−10の液晶表示装置では、画素電極21の櫛歯及び共通電極22の櫛歯並びに画素電極21の柄のそれぞれの端部にコンタクトホール64が形成されている。架橋電極63は線状であり、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯並びに画素電極21の柄のそれぞれに二つずつ重畳して配置されている。また、これら2つの架橋電極63は、一方が画素電極21にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されており、他方が共通電極22にのみコンタクトホール64を介してそれぞれ接続されている。
図68は、実施形態5−11の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図68に示すように、実施形態5−11の液晶表示装置では、画素電極21の中心線を対称として画素電極21及び共通電極22の一方の櫛歯が、他の一方よりも細く形成されており、画素電極21の櫛歯の端部及び共通電極22の櫛歯の端部のそれぞれと重畳する領域にフローティング電極61が配置されている。
図69は、実施形態5−12の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図69に示すように、実施形態5−12の液晶表示装置では、画素電極の櫛歯の端部及び共通電極の一方の櫛歯の端部のそれぞれに遮光膜が配置されている。
図70は、実施形態5−13の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図70に示すように、実施形態5−13の液晶表示装置では、フローティング電極61の画素電極21の櫛歯の端部と重畳する部位の幅は、フローティング電極61の共通電極22の櫛歯の端部と重畳しない部位の幅よりも広く形成されている。
実施形態5−14の液晶表示装置は、実施形態5−1〜5−13で示したような垂直配向膜を用いる形態ではなく、水平配向膜が用いられている。言い換えれば、実施形態5−14の液晶表示装置の液晶分子の制御方式は、IPSモードである。したがって、実施形態5−14の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図は、図57と同様である。
図71は、実施形態5−15の液晶表示装置が備えるTFT基板の1サブ画素単位の平面模式図である。図71に示すように、実施形態5−15の液晶表示装置のTFT基板は、画素電極21のみ有しており、共通電極は有していない。共通電極は、TFT基板と対向するもう一方の基板(対向基板)に配置されている。対向基板において共通電極は、画素電極のような微細なパターン形状は有していない、スリットのない平面形状を有している。
11:TFT基板
12:対向基板
13:液晶層
21:画素電極
22:共通電極
23,29,62,64:コンタクトホール
24:ソース配線(信号配線)
25:ゲート配線(走査配線)
26:TFT(薄膜トランジスタ)
27:遮光膜
28:引き出し配線
31,41:ガラス基板
32:第一の絶縁膜
33:第二の絶縁膜
34:第三の絶縁膜
35:第四の絶縁膜
36,43:垂直配向膜
37,44:偏光板
38,45:水平配向膜
42:カラーフィルタ
51:液晶分子
61:フローティング電極
62:レーザー装置
63:架橋電極
Claims (26)
- 液晶層及び該液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
該一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、
該液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、
該一対の基板のうち、該液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、絶縁膜を挟んで該二以上の線状部の少なくとも二つと重畳するフローティング電極を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記フローティング電極は、線状であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極は、金属単体で構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極は、前記二以上の線状部のそれぞれの端部と重畳していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極の幅は、前記二以上の線状部のそれぞれの幅と略同一であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極の幅は、前記二以上の線状部のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極の前記二以上の線状部と重畳する部位の幅は、前記フローティング電極の前記二以上の線状部と重畳しない部位の幅よりも広いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置は、複数のフローティング電極を有し、
該複数のフローティング電極は、少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳し、他の少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの他方の端部と重畳していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置は、複数のフローティング電極を有し、
該複数のフローティング電極は、少なくとも二つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳していることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記二以上の線状部の端部は、遮光膜と重畳していることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、走査配線と信号配線とを有し、
前記フローティング電極は、走査配線と信号配線とで囲まれる範囲内に配置されている
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記フローティング電極は、前記液晶層に電圧を印加する電極よりも液晶層から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層に電圧を印加する電極は、柄部と該柄部から突出した二以上の櫛歯を有する櫛型電極であり、
前記二以上の線状部は、該二以上の櫛歯である
ことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置は、前記櫛型電極を一対有し、
該一対の櫛型電極は、互いの櫛歯が一定間隔を空けてかみ合わさっている
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置。 - 前記フローティング電極は、上記一対の櫛型電極の両方の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項13又は14記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯の数が多い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項13〜15のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記フローティング電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯が細い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項13〜16のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 液晶層及び該液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
該一対の基板の少なくとも一方は、液晶層に電圧を印加する電極を有し、
該液晶層に電圧を印加する電極は、二以上の線状部を有し、
該一対の基板のうち、該液晶層に電圧を印加する電極を有する基板は、該二以上の線状部の少なくとも二つを架橋する架橋電極を有し、
該架橋電極は、絶縁膜を挟んで該液晶層に電圧を印加する電極と異なる層に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記架橋電極は、線状であることを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記架橋電極は、前記二以上の線状部のそれぞれの端部と重畳していることを特徴とする請求項18又は19記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置は、複数の架橋電極を有し、
該複数の架橋電極は、少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳し、他の少なくとも一つが前記二以上の線状部のそれぞれの他方の端部と重畳していることを特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置は、複数の架橋電極を有し、
該複数の架橋電極は、少なくとも二つが前記二以上の線状部のそれぞれの一方の端部と重畳していることを特徴とする請求項18〜21のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記液晶層に電圧を印加する電極は、柄部と該柄部から突出した二以上の櫛歯を有する櫛型電極であり、
前記二以上の線状部は、該二以上の櫛歯である
ことを特徴とする請求項18〜22のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置は、前記櫛型電極を一対有し、
該一対の櫛型電極は、互いの櫛歯が一定間隔を空けてかみ合わさっている
ことを特徴とする請求項23記載の液晶表示装置。 - 前記架橋電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯の数が多い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項23又は24記載の液晶表示装置。
- 前記架橋電極は、前記一対の櫛型電極のうち、より櫛歯が細い方の櫛型電極の櫛歯と重畳していることを特徴とする請求項23〜25のいずれかに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011520809A JP5469665B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-03-11 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009155457 | 2009-06-30 | ||
JP2009155457 | 2009-06-30 | ||
JP2011520809A JP5469665B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-03-11 | 液晶表示装置 |
PCT/JP2010/054117 WO2011001716A1 (ja) | 2009-06-30 | 2010-03-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011001716A1 true JPWO2011001716A1 (ja) | 2012-12-13 |
JP5469665B2 JP5469665B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=43410800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011520809A Active JP5469665B2 (ja) | 2009-06-30 | 2010-03-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8593584B2 (ja) |
EP (1) | EP2450744A4 (ja) |
JP (1) | JP5469665B2 (ja) |
CN (1) | CN102804047A (ja) |
BR (1) | BRPI1016259A2 (ja) |
RU (1) | RU2511709C2 (ja) |
WO (1) | WO2011001716A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312374B2 (en) * | 2012-10-01 | 2019-06-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit board and display device |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101833498B1 (ko) | 2010-10-29 | 2018-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
TWI483046B (zh) * | 2012-05-09 | 2015-05-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 畫素結構及陣列基板 |
CN102830557A (zh) * | 2012-09-05 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示器件 |
KR101951280B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2019-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2014209213A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及び電子機器 |
CN103399440A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置及驱动方法 |
CN103488002B (zh) | 2013-09-18 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电极、阵列基板和显示装置 |
US9716134B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-07-25 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with bottom shields |
US9337247B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-05-10 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with bottom shields |
US10185188B2 (en) * | 2015-03-12 | 2019-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
CN105161070A (zh) | 2015-10-30 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于显示面板的驱动电路和显示装置 |
CN105278180B (zh) * | 2015-11-05 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制作方法、阵列基板和显示面板 |
CN107247371B (zh) * | 2017-08-04 | 2021-06-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板的像素电极结构及液晶显示面板 |
CN108761929B (zh) * | 2018-05-18 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法 |
CN110764307B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3481074B2 (ja) | 1997-04-25 | 2003-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示素子 |
JP2000035590A (ja) | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3712899B2 (ja) | 1999-09-21 | 2005-11-02 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP4584387B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
TWI282457B (en) * | 2000-04-06 | 2007-06-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect |
JP2003295207A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP2004226549A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004318086A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-11-11 | Fujitsu Display Technologies Corp | 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 |
JP4293867B2 (ja) | 2003-09-05 | 2009-07-08 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画素の大型化に対応したips液晶ディスプレイ |
JP4638280B2 (ja) | 2005-05-25 | 2011-02-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
TWI284762B (en) * | 2005-10-03 | 2007-08-01 | Au Optronics Corp | A liquid crystal display panel |
JP4952063B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-06-13 | 日本電気株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
CN101484847A (zh) * | 2006-07-07 | 2009-07-15 | 夏普株式会社 | 阵列基板、阵列基板的修正方法和液晶显示装置 |
KR101306239B1 (ko) | 2006-11-03 | 2013-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법 |
JP5224237B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-07-03 | Nltテクノロジー株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置 |
-
2010
- 2010-03-11 BR BRPI1016259A patent/BRPI1016259A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-03-11 RU RU2012103010/28A patent/RU2511709C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-03-11 JP JP2011520809A patent/JP5469665B2/ja active Active
- 2010-03-11 CN CN2010800281240A patent/CN102804047A/zh active Pending
- 2010-03-11 US US13/377,686 patent/US8593584B2/en active Active
- 2010-03-11 WO PCT/JP2010/054117 patent/WO2011001716A1/ja active Application Filing
- 2010-03-11 EP EP10793887A patent/EP2450744A4/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312374B2 (en) * | 2012-10-01 | 2019-06-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit board and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120081626A1 (en) | 2012-04-05 |
BRPI1016259A2 (pt) | 2016-05-03 |
EP2450744A4 (en) | 2013-02-06 |
RU2012103010A (ru) | 2013-08-10 |
JP5469665B2 (ja) | 2014-04-16 |
US8593584B2 (en) | 2013-11-26 |
RU2511709C2 (ru) | 2014-04-10 |
WO2011001716A1 (ja) | 2011-01-06 |
EP2450744A1 (en) | 2012-05-09 |
CN102804047A (zh) | 2012-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5469665B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5677580B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
US9274384B2 (en) | Liquid-crystal display device | |
US7453086B2 (en) | Thin film transistor panel | |
KR100587217B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법 | |
JP5935394B2 (ja) | 横電界方式の液晶表示装置 | |
TW200807088A (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP5791593B2 (ja) | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 | |
CN109154750B (zh) | 液晶显示装置 | |
JPH095793A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2018131533A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2011024495A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP6640252B2 (ja) | 液晶パネル | |
JP2011158690A (ja) | 液晶表示パネル及び電子機器 | |
JP2009181092A (ja) | 液晶表示パネル | |
US8605244B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2021018261A (ja) | 光学素子および液晶表示装置 | |
TW202121034A (zh) | 液晶顯示裝置 | |
KR102334394B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
WO2013122187A1 (ja) | 液晶表示パネル | |
WO2012050053A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5244634B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2021067808A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2013068848A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2013047597A1 (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5469665 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |