JP2004318086A - 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004318086A JP2004318086A JP2004066096A JP2004066096A JP2004318086A JP 2004318086 A JP2004318086 A JP 2004318086A JP 2004066096 A JP2004066096 A JP 2004066096A JP 2004066096 A JP2004066096 A JP 2004066096A JP 2004318086 A JP2004318086 A JP 2004318086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- electrode
- thin film
- film transistor
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Abstract
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、絶縁基板上の画素領域の一部に設けられる薄膜トランジスタと、画素領域内に位置する補助容量電極と、絶縁膜を介して補助容量電極と対向し、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と同じ層に位置する中間電極と、画素領域を覆う画素電極とを備え、前記中間電極は、2以上の部分に分割され、分割された各部分がコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される。
【選択図】 図5
Description
(a)絶縁基板上に、各々が薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極とを有する複数の画素をマトリクス状に形成する工程と、
(b)前記複数画素の中で、点欠陥を生じる画素を検出する工程と、
(c)点欠陥を生じる画素において、前記画素電極を前記薄膜トランジスタから切り離す工程と、
(d)切り離した画素電極を切断して画素領域を2分割する工程と、
(e)前記切断した一方の画素電極部分を、一方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続し、他方の画素電極部分を、他方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続する工程と
を含む。
(1)まず、基板20全面に第1の導電性膜を形成し、レジストマスクを用いて所定の形状にパターニングして、ゲート電極1と補助容量電極2を形成する。上述したように、本実施形態では、第1導電性膜をAl層、MoN層、Mo層の3層構造とするので、これらの層をスパッタリングなどにより順次堆積するが、本発明がこの例に限定されるわけではない。最上層のMo層の上にレジストを形成し、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、3層から成る第1導電性膜をパターニングする。
(2)次に、基板全面にゲート絶縁膜3、半導体膜4、エッチングストッパ膜5を順次成膜し、エッチングストッパ膜5を半導体膜4のチャネル領域上に残るように島状にパターニングする。
(3)次に、基板全面に、n+型半導体層21と第2導電性膜を順次成膜する。本実施形態では、第2導電性膜としてTi膜7a、Al膜7b、Ti膜7cを順次堆積するが、この構成例に限定されず、他の構成の導電性膜としてもよい。第2導電性膜とn+型半導体層21、および先の工程で形成した半導体膜4をパターニングして、ソース電極7、ドレイン電極6、接続配線8、および中間電極9a、9bを形成する。
(4)次に、保護絶縁膜10を形成する。保護絶縁膜10は、たとえばCVD法により窒化シリコン(SiN)や酸化シリコン(SiO2 )などの絶縁膜を堆積するか、あるいは樹脂絶縁膜などにより形成してもよい。また、図6の断面図には図示していないが、保護絶縁膜10の形成に先立ってカラーフィルタ(CF)を形成し、CFonTFT構造としてもよい。
(5)次に、保護絶縁膜10に、分割された中間電極9a、9bに到達する開口を形成する。このとき、TFT基板の端子部分に、外部接続用の開口も同時に形成する。保護絶縁膜に樹脂材料やカラーフィルタを用いる場合は、これらの層のパターニング時に、開口も同時に形成される。
(6)基板全面に透明導電性膜を成膜し、所定の形状にパターニングして画素電極を形成してTFT基板が完成する。
(1)まず、基板80全面に第1の導電膜を形成し、レジストマスクを用いて所定の形状にパターニングし、ゲート電極51、共通配線69、および共通配線69から延びる共通電極70を形成する。図5および図6に示した例と同様に、第1導電性膜をAl層52a、MoN層52b、Mo層52cの3層構造とするが(図11参照)、本発明がこの例に限定されるわけではない。これらの層をスパッタリング等により順次堆積した後、最上層のMo層の上にレジストを形成し、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、3層の第1導電膜をパターニングする。
(2)次に、基板全面にゲート絶縁膜53、半導体膜54、エッチングストッパ膜55を順次成膜し、エッチングストッパ膜55を半導体膜54のチャネル領域上に残るように島状にパターニングする。
(3)次に、基板全面にn+型半導体層71と、第2導電性膜59を順次成膜する。本実施形態では、第2導電膜として、Ti膜58a、Al膜58b、Ti膜58cを順次堆積するが(図11参照)、この構成に限定されず、他の構成の導電性膜としてもよい。第2導電性膜59とn+型半導体層57a、および先の工程で形成した半導体膜54をパターニングして、ソース電極57、ドレイン電極56、および画素電極62を形成する。図10に示す例では、画素電極62はソース電極57と同じ第2導電性膜59で形成される。
(付記1) 絶縁基板と、
前記絶縁基板上の画素領域の一部に設けられる薄膜トランジスタと、
画素領域内に位置する補助容量電極と、
薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と同じ層に位置し、絶縁膜を介して前記補助容量電極と対向する中間電極と、
画素領域を覆う画素電極と
を備え、中間電極は2以上の部分に分割され、分割された各部分がコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
(付記2) 前記分割された中間電極の1の部分と、前記薄膜トランジスタのソース電極とは、中間電極およびソース電極と同じ層に位置する接続配線によって接続されることを特徴とする付記1に記載の薄膜トランジスタ基板。
(付記3) 前記画素電極は、液晶材料の配向方向を決定するパターンを有し、前記接続配線は、液晶配向のドメイン境界に沿って延びることを特徴とする付記1に記載の薄膜トランジスタ基板。
(付記4) 前記画素中間電極の1の部分と、前記ソース電極および前記接続配線とは、同じ材料で一体的に構成されていることを特徴とする付記2に記載の薄膜トランジスタ基板。
(付記5) 前記画素電極は、左右に枝状に拡がるパターン形状を有し、前記接続配線は、前記枝状パターンの中心に沿って延びることを特徴とする付記3に記載の薄膜トランジスタ基板。
(付記6) 絶縁基板上に、各々が薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極とを有する複数の画素をマトリクス状に形成する工程と、
前記複数画素の中で、点欠陥を生じる画素を検出する工程と、
前記点欠陥を生じる画素において、前記画素電極を薄膜トランジスタから切り離す工程と、
前記切り離した画素電極を切断して、画素領域を2分割する工程と、
前記切断した一方の画素電極部分を、一方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続し、他方の画素電極部分を、他方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続する工程と
を含む薄膜トランジスタ基板のリペア方法。
(付記7) 前記画素電極部分は、レーザCVDによるメタル成膜により、対応する隣接画素の画素電極と接続されることを特徴とする付記6に記載の薄膜トランジスタ基板のリペア方法。
(付記8) 前記画素形成工程は、画素電極を液晶の配向を決定する形状に形成する工程を含み、前記画素電極の切断工程は、液晶配向のドメイン境界に沿って切断する工程を含むことを特徴とする付記6に記載の薄膜トランジスタ基板のリペア方法。
(付記9) 前記点欠陥画素の検出は、前記各画素で形成される補助容量の変化を調べることによって行うことを特徴とする付記6に記載のリペア方法。
(付記10) 前記薄膜トランジスタ基板は、垂直配向方式の液晶ディスプレイに使用されることを特徴とする付記6に記載のリペア方法。
(付記11) 前記薄膜トランジスタ基板は、水平配向方式の影響ディスプレイに使用されることを特徴とする付記6に記載のリペア方法。
2 補助容量電極
3、53 ゲート絶縁膜
4、54 半導体層
5、55 エッチングストッパ
6、56 ドレイン電極
7、57 ソース電極
8 接続配線
9、9a、9b 中間電極
10 保護絶縁膜
11、11a、11b コンタクトホール
12、62 画素電極
13、63 動作不良TFT
14a、14b、64a、64b 画素接続用メタル
15、65a 動作不良トランジスタと画素電極とを切り離す切断部
16、66 点欠陥画素
17、17a、17b、67a、67b 正常画素
18、18a、18b、68a、68b リペアにより1画素となった領域
19a、19b、65b、65c 画素電極の切断箇所
20、80 絶縁基板
21、71 n型半導体膜
69 共通配線
70 共通電極
Claims (5)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上の画素領域の一部に設けられる薄膜トランジスタと、
前記画素領域内に位置する補助容量電極と、
前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と同じ層に位置し、絶縁膜を介して前記補助容量電極と対向する中間電極と、
前記画素領域を覆う画素電極と
を備え、前記中間電極は2以上の部分に分割され、分割された各部分がコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記分割された中間電極の1の部分と、前記薄膜トランジスタのソース電極は、前記中間電極およびソース電極と同じ層に位置する接続配線によって接続されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記画素電極は、液晶材料の配向方向を決定するパターンを有し、前記接続配線は、液晶配向のドメイン境界に沿って延びることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板上に、各々が薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極とを有する複数の画素をマトリクス状に形成する工程と、
前記複数画素の中で、点欠陥を生じる画素を検出する工程と、
前記点欠陥を生じる画素において、前記画素電極を薄膜トランジスタから切り離す工程と、
前記切り離した画素電極を切断して、画素領域を2分割する工程と、
前記切断した一方の画素電極部分を、一方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続し、他方の画素電極部分を、他方の側で隣接する正常画素の画素電極と接続する工程と
を含む薄膜トランジスタ基板のリペア方法。 - 前記画素電極部分は、レーザCVDによるメタル成膜により対応する隣接画素の画素電極と接続されることを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板のリペア方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004066096A JP2004318086A (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-09 | 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 |
US10/811,769 US7110056B2 (en) | 2003-03-31 | 2004-03-29 | Thin film transistor array substrate and method for repairing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003097104 | 2003-03-31 | ||
JP2004066096A JP2004318086A (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-09 | 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004318086A true JP2004318086A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33422013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004066096A Pending JP2004318086A (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-09 | 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7110056B2 (ja) |
JP (1) | JP2004318086A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114471A1 (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
WO2008007583A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP2008083718A (ja) * | 2004-01-28 | 2008-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
KR100820624B1 (ko) | 2006-03-20 | 2008-04-11 | 우 옵트로닉스 코포레이션 | 픽셀 구조체 및 액정 디스플레이 패널 |
JP2009104179A (ja) * | 2004-12-16 | 2009-05-14 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置、液晶表示装置およびテレビジョン装置 |
US7830467B2 (en) | 2004-01-28 | 2010-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrodes located at storage capacitor wiring in active matrix substrate |
CN102804047A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-11-28 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI273331B (en) * | 2004-07-15 | 2007-02-11 | Au Optronics Corp | Thin film transistor array substrate and repairing method thereof |
TWI298866B (en) * | 2005-01-06 | 2008-07-11 | Au Optronics Corp | Thin film transistor array substrate and repairing method thereof |
JP4837942B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-12-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4723915B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 液晶パネルのリペア方法及びリペア装置 |
TWI405013B (zh) * | 2005-06-09 | 2013-08-11 | Sharp Kk | 液晶顯示裝置 |
JP4820866B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-11-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US8592262B2 (en) * | 2006-11-16 | 2013-11-26 | Au Optronics Corporation | Residue isolation process in TFT LCD fabrication |
CN101568875B (zh) | 2006-12-05 | 2014-10-08 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
JP5251034B2 (ja) | 2007-08-15 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
WO2012090879A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JP6124668B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
KR102076758B1 (ko) | 2013-08-12 | 2020-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102503705B1 (ko) * | 2016-05-19 | 2023-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
KR20200093100A (ko) | 2019-01-25 | 2020-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 도전선, 이를 포함하는 표시 장치, 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0438138B1 (en) | 1990-01-17 | 1995-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid-crystal display device of active matrix type |
JPH03212620A (ja) | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH05165055A (ja) | 1991-12-13 | 1993-06-29 | Hosiden Corp | 画素分割液晶表示素子 |
JPH10161156A (ja) | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Sony Corp | 表示用半導体装置 |
JPH117046A (ja) | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US6346730B1 (en) * | 1999-04-06 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate |
US6448579B1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-09-10 | L.G.Philips Lcd Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and a method for fabricating the same |
GB9929615D0 (en) * | 1999-12-15 | 2000-02-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an active matrix device |
JP2002278476A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-27 | Display Technologies Inc | 点欠陥を矯正したアレイ基板、及び、その製造方法 |
-
2004
- 2004-03-09 JP JP2004066096A patent/JP2004318086A/ja active Pending
- 2004-03-29 US US10/811,769 patent/US7110056B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7830467B2 (en) | 2004-01-28 | 2010-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrodes located at storage capacitor wiring in active matrix substrate |
JP4627081B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
JP2008083718A (ja) * | 2004-01-28 | 2008-04-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
JP4713646B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、表示装置、液晶表示装置およびテレビジョン装置 |
JP2009104179A (ja) * | 2004-12-16 | 2009-05-14 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置、液晶表示装置およびテレビジョン装置 |
US7714948B2 (en) | 2004-12-16 | 2010-05-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for fabricating active matrix substrate, display device, liquid crystal display device, and television device |
US7768584B2 (en) | 2004-12-16 | 2010-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for fabricating active matrix substrate, display device, liquid crystal display device, and television device |
US8089571B2 (en) | 2004-12-16 | 2012-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for fabricating active matrix substrate, display device, liquid crystal display device, and television device |
KR100820624B1 (ko) | 2006-03-20 | 2008-04-11 | 우 옵트로닉스 코포레이션 | 픽셀 구조체 및 액정 디스플레이 패널 |
WO2007114471A1 (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
CN102116965A (zh) * | 2006-04-04 | 2011-07-06 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
WO2008007583A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP4979701B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-07-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN102804047A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-11-28 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040222419A1 (en) | 2004-11-11 |
US7110056B2 (en) | 2006-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004318086A (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびそのリペア方法 | |
US7724314B2 (en) | Method for repairing a short in a substrate for a display and display repaired according to that method | |
US7330222B2 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
TWI398712B (zh) | 具通至測試線之改良式連接結構的薄膜電晶體陣列面板 | |
US8279151B2 (en) | Display device | |
US7649580B2 (en) | Liquid crystal display panel and repairing method thereof | |
US9136279B2 (en) | Display panel | |
US20070002255A1 (en) | Image display and manufacturing method thereof | |
JP2008003134A (ja) | 配線構造、及び表示装置 | |
KR100525859B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자기기 | |
WO2006126460A1 (ja) | アクティブマトリクス基板、表示装置および画素欠陥修正方法 | |
JP2010102237A (ja) | 表示装置 | |
JP3339190B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US10168581B2 (en) | Display device | |
JPH09325363A (ja) | 液晶表示装置の修復方法 | |
JP3335567B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 | |
US20050140865A1 (en) | Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same | |
JP2008089646A (ja) | 表示装置 | |
JPH10161156A (ja) | 表示用半導体装置 | |
JPH02264224A (ja) | 点欠陥の検出および補修の可能なアクティブマトリクス基板の製造法 | |
JP2002090775A (ja) | マトリクスアレイ基板 | |
US20220004067A1 (en) | Display device | |
JPH1172801A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2022076989A (ja) | 配線基板、表示パネル、および配線基板の欠陥修理方法 | |
JPH10186402A (ja) | アクティブマトリクス基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050712 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050713 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050722 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070726 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080108 |