JP4837942B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置について図1及び図2を用いて説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の1画素の概略構成及びその製造方法について図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態による液晶表示装置の1画素の平面レイアウトを示している。
本実施の形態の実施例1による液晶表示装置及びその製造方法について再び図6を用いて説明する。まず、ガラス基板上の全面にAl、MoN、Moの積層膜を形成してパターニングし、ウェットエッチングにより、Al、MoN、Moの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。次に、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8上の基板全面に、ゲート絶縁膜SiN膜(不図示)、動作半導体層a−Si膜(不図示)及びチャネル保護膜SiN膜(不図示)の積層膜を成膜し、ゲートバスライン6上にチャネル保護膜10をパターニングする。このときゲート絶縁膜SiN膜及び動作半導体層a−Si膜は基板上の全面に形成されている。
次に、本実施の形態の実施例2による液晶表示装置について図7を用いて説明する。上記実施例1では、画素電極18の両側にそれぞれ形成された補償電極24はほぼ同じ長さに形成されている。これに対し、本実施例では、画素電極18の両側に長さの異なる補償電極24a、24bが形成されている点に特徴を有している。図7に示すように、補償電極24aの長さと補償電極24bの長さとが同じでない場合も、画素電極18と補償電極24a、24bとの間に寄生容量Cdsがそれぞれ発生する。しかし、寄生容量Cdsは表示部領域においてほぼ一定であるため、表示ムラは発生しない。
本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置について図3を用いて説明する。上記実施の形態の液晶表示装置は、補償電極24、24a、24bがコンタクトホール26を介して画素電極18と接続されることで、補償電極24、24a、24bと画素電位18とが同電位になる。これに対し、本実施の形態の液晶表示装置は、ソース電極と補償電極とを連続するパターンに形成することで、両電極が同電位となる点に特徴を有している。
本発明の第3の実施の形態による液晶表示装置について図4を用いて説明する。上記実施の形態の液晶表示装置は、補償電極24、24a、24bがコンタクトホール26を介して画素電極18と接続されることで、補償電極24、24a、24bと画素電位18とが同電位になる。これに対し、本実施の形態の液晶表示装置は、蓄積容量電極と補償電極とを連続するパターンに形成することで、補償電極と画素電極とが同電位となる点に特徴を有している。
本発明の第4の実施の形態による液晶表示装置について図5を用いて説明する。上記第1乃至第3の実施形態の液晶表示装置では、補償電極24は画素電極18によって完全には覆われないようにデータバスライン14から所定距離離して配置されている。ところが、画素電極18と補償電極24とがオーバラップしていないと、画素電極18と補償電極24との間で光漏れが発生したり、液晶の配向が安定しないなどの問題が発生する。そこで、本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極が画素電極と所定距離離してオーバラップされるように配置されている点に特徴を有している。
本発明の第5の実施の形態による液晶表示装置について図6を用いて説明する。上記第4の実施の形態の液晶表示装置は、補償電極24a、24bがデータバスライン14と同時に同材料で形成されている。このため、補償電極24a、24bと画素電極18とのオーバラップ領域は遮光領域となり、画素の開口率低下の一因となる。これに対し、本実施の形態の液晶表示装置は、透明材料で形成された補償電極を備えて画素の開口率低下が防止されている点に特徴を有している。
本発明の第6の実施の形態による液晶表示装置について説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極の形成材料が上記第5の実施の形態の液晶表示装置と異なる点に特徴を有している。本実施の形態の液晶表示装置は、上記第5の実施の形態の液晶表示装置と同様の画素構造を有しているので、以下では、図6を参照しつつ、1画素の概略構成及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板上の全面にAl、Tiの積層膜(不図示)を形成してパターニングし、ドライエッチングにより、Al、Tiの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。
本発明の第7の実施の形態による液晶表示装置について説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極の形成材料が上記第5及び第6の実施の形態の液晶表示装置と異なる点に特徴を有している。本実施の形態の液晶表示装置は、上記第5の実施の形態の液晶表示装置と同様の画素構造を有しているので、以下では、図6を参照しつつ、1画素の概略構成及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板上の全面にAl、Tiの積層膜を形成してパターニングし、ドライエッチングにより、Al、Tiの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。
本発明の第8の実施の形態による液晶表示装置について説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極の形成材料が上記第5乃至第7の実施の形態の液晶表示装置と異なる点に特徴を有している。本実施の形態の液晶表示装置は、上記第5の実施の形態の液晶表示装置と同様の画素構造を有しているので、以下では、図6を参照しつつ、1画素の概略構成及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板上の全面にAl、Tiの積層膜(不図示)を形成してパターニングし、ドライエッチングにより、Al、Tiの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。
本発明の第9の実施の形態による液晶表示装置について説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極の形成材料が上記第5乃至第8の実施の形態の液晶表示装置と異なる点に特徴を有している。本実施の形態の液晶表示装置は、上記第5の実施の形態の液晶表示装置と同様の画素構造を有しているので、以下では、図6を参照しつつ、1画素の概略構成及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板上の全面にAl、Tiの積層膜(不図示)を形成してパターニングし、ドライエッチングにより、Al、Tiの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。
本発明の第10の実施の形態による液晶表示装置について図7を用いて説明する。本実施の形態の液晶表示装置は、補償電極の形成材料が上記第5乃至第9の実施の形態の液晶表示装置と異なる点に特徴を有している。図7は、本実施の形態による液晶表示装置の1画素の平面レイアウトを示している。まず、ガラス基板上の全面にAl、MoN、Moの積層膜を形成してパターニングし、ウェットエッチングにより、Al、MoN、Moの積層膜をエッチングし、ゲートバスライン6及び蓄積容量バスライン8を形成する。
8、108 蓄積容量バスライン
10、110 チャネル保護膜
12、120 蓄積容量電極
14、14a、14b、114 データバスライン
16、22、26、26a、26b、26c、116、122 コンタクトホール
18、118 画素電極
20、120 TFT
24、24a、24b、24c 補償電極
28 動作半導体層及びn+半導体層パターン
Claims (13)
- 基板上に互いに並列して形成された複数の第1のバスラインと、
前記複数の第1のバスラインに絶縁膜を介して交差して互いに並列して形成された複数の第2のバスラインと、
前記第1及び第2のバスラインによって画定される領域に形成された画素領域と、
前記第2のバスラインと同時に露光されて形成されるソース電極を備えて前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記第2のバスラインと異なる露光マスクにより露光されて形成されて前記ソース電極と接続された画素電極と、
前記第2のバスラインと同時に露光されて形成されて前記画素電極と接続された蓄積容量上部電極と、
前記第2のバスラインと同時に露光されて前記蓄積容量上部電極と連続するとともに前記ソース電極と分離したパターンに形成され、前記第2のバスラインと前記画素電極とが対向する間隙上に配置された補償電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、前記第2のバスラインと前記画素電極とが対向する間隙上で前記画素電極と所定距離離れてオーバラップされるように配置されており、かつ前記画素電極と同電位にあり、かつ前記蓄積容量上部電極と連続するパターンに形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、前記第2のバスラインと同一材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、前記第2のバスラインを構成する材料のうちの一部の材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、前記第2のバスラインを構成する透明材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、a−Si、n+a−Si及びTiの積層膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、Ti膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、a−Si及びn+a−Siの積層膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、a−Si、n+a−Si及びITO膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、ITO膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、a−Si、n+a−Si及びZnO膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記補償電極は、ZnO膜で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の液晶表示装置において、
隣接する2本の前記第2のバスラインには、互いに逆極性の信号電圧が印加されること
を特徴とする液表示装置。
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