JP2551377B2 - 液晶ディスプレイ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイ装置に
関し、特に画素とスイッチング素子をマトリクス状に配
置したアクティブマトリクス液晶ディスプレイ装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の液晶ディスプレイ装置の
液晶表示パネルとして、図８以下に示すように、スイッ
チング素子として薄膜トランジスタを用いたものがあ
る。図９はその平面構成図、図９はそのＥ−Ｅ線に沿う
概略の断面図、図１０はその等価回路であり、ガラス基
板１１上にゲート電極１２を形成し、これにはゲートラ
イン１３を延設する。このゲート電極１２に対してソー
ス電極１７ｓ及びドレイン電極１７ｄを形成して薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。そして、ソース電極
１７ｓには画素（ドット）として透明導電膜からなる表
示電極１９が接続され、ドレイン電極１７ｄにはドレイ
ンライン１８が一体に形成される。

【０００３】ここで、ドレイン電極１７ｄ及びドレイン
ライン１８は通常では配線抵抗上の制限からクロム（Ｃ
ｒ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属で形成される。ま
た、表示電極１９は透明電極材であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム錫）で形成
されている。

【０００４】この液晶ディスプレイ装置では、ドレイン
ライン１８に駆動信号を供給することでＴＦＴが選択的
に動作され、表示電極１９に所定の電圧が印加されて画
素の表示が行われる。特に、ドレインライン１８にはデ
ィスプレイの走査周波数（ＶＧＡ表示では４０ｋＨｚ）
で反転する信号が加えられる。この場合、ゲートライン
反転と呼ばれてドレインバスラインが全て同極性で反転
する駆動方式と、ドット反転と呼ばれてドラインバスラ
イン毎に極性の異なる信号で駆動する方式とがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のこのような液晶
ディスプレイでは、ドレイン電極１７ｄにつながるドレ
インライン１８を構成する導電部材と、表示電極１９を
構成する導電部材とが異なる材質で形成されるため、ド
レインライン１８と表示電極１９はそれぞれ個別のパタ
ーン形成工程によって形成される。このため、それぞれ
を形成する際のパターン形成工程においてパターン位置
ずれが生じると、ドレインライン１８と表示電極１９と
の間隔寸法（図８の寸法Ｌ１及びＬ２）にバラツキが生
じることになる。ここで、Ｌ１は、各薄膜トランジスタ
用のドレインライン１８及び表示電極１９間の間隔寸法
を表し、Ｌ２は一つの薄膜トランジスタ用の表示電極１
９と隣の薄膜トランジスタ用のドレインライン１８との
間の間隔寸法を表す。前記隣の薄膜トランジスタとは、
前記一つの薄膜トランジスタ用のドレインライン１８よ
りも前記一つの薄膜トランジスタ用の表示電極１９に近
い方の薄膜トランジスタである。これらの間隔寸法Ｌ１
及びＬ２で決定されるドレインライン１８と表示電極１
９との間の容量が、その位置ずれの程度によって変化さ
れる。

【０００６】通常、表示電極１９はドレインライン１８
との間に生じる容量に応じてドレインラインに供給され
る反転信号の影響により変調を受けているが、前記した
ようにドレインライン１８と表示電極１９との間の容量
が変化されると、ドレインライン１８に供給される信号
によって受ける表示電極１９の影響が変化され、特性上
のバラツキが生じることになる。

【０００７】この場合、ゲートライン反転の駆動方式で
は、ドレインライン１８の反転で生じる表示電極１９の
変調分は表示電極１９の左右に配置されるドレインライ
ン１８による影響の和となるため、方向性のある位置ず
れの場合には左右の位置ずれが相殺して影響は小さくさ
れる。ところが、ドット反転の駆動方式では、表示電極
１９の変調分は左右に配置されるドレインライン１８と
の容量の差となるため、方向性のある位置ずれでは両方
の影響が倍化され、影響は極めて大きなものとなる。

【０００８】特に、液晶ディスプレイの画面を複数の領
域に分割して露光を行いながらパターン形成工程を行う
場合には、各領域でのドレインライン１８と表示電極１
９との間の位置ずれ量にバラツキが生じ易いため、これ
らの隣接する領域での表示の特性が境界部においてステ
ップ的に変化されることになり、この境界部が同一画面
での継ぎ目として表示され易く、表示品質の点で重大な
問題となる。

【０００９】表示品質の劣化を防ぐためには、各薄膜ト
ランジスタ用のドレインライン１８及び表示電極１９
間、及び、前記一つの薄膜トランジスタ用の表示電極１
９と前記隣の薄膜トランジスタ用のドレインライン１８
との間の容量の不均一を補償することが要求される。

【００１０】実開平５−８５８６号公報には、液晶ディ
スプレイ装置において、表示電極と同一材料からなる補
助層を、ドレインライン上に、表示電極と同時に形成す
ることが開示されている。しかしながら、各補助層は各
ドレインラインと同一形状（同一幅）であるので、これ
ら補助層では各薄膜トランジスタ用のドレインライン及
び表示電極間、及び、一つの薄膜トランジスタ用の表示
電極と隣の薄膜トランジスタ用のドレインラインとの間
の容量の不均一を補償することは困難である。

【００１１】従って本発明の課題は、ドレインラインと
表示電極との間の位置ずれによっても表示電極における
特性のバラツキを防止することを可能にした液晶ディス
プレイ装置を提供することにある。

【００１２】本発明の別の課題は、各薄膜トランジスタ
用のドレインライン及び表示電極間、及び、一つの薄膜
トランジスタ用の表示電極と隣の薄膜トランジスタ用の
ドレインラインとの間の容量の不均一を補償することが
できる高表示品質の液晶ディスプレイ装置を提供するこ
とにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガラス
基板と、このガラス基板上にマトリクス状に形成された
複数の薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリク
ス型の液晶ディスプレイ装置において、前記複数の薄膜
トランジスタの各々は、半導体膜と；ゲート電極と；前
記半導体膜と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜と；
前記半導体膜に接触して形成された第１の電極と；この
第１の電極から離れた位置に前記半導体膜に形成された
第２の電極と；前記ゲート電極に接触し列方向に配列さ
れた第１のバスラインと；前記第１の電極に接触し行方
向に配列された第２のバスラインと；前記第２の電極に
接触し前記第２のバスラインから離れて前記第２のバス
ラインに沿うように形成された表示電極と；前記第２の
バスライン及び前記表示電極のうちの一方に接触して形
成され、前記第２のバスライン及び前記表示電極のうち
の前記一方から前記第２のバスライン及び前記表示電極
のうちの他方に向って突出する突出部を有する補償導電
膜と；を有し、前記補償導電膜は、前記複数の薄膜トラ
ンジスタにおける、前記補償導電膜の前記突出部と前記
第２のバスライン及び前記表示電極のうちの前記他方と
の間の距離を一定に保つためのものであることを特徴と
する液晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１４】更に本発明によれば、前記補償導電膜は、
前記表示電極と同一の材料からなり、前記第２のバスラ
インに接触して該第２のバスライン上に形成されている
ことを特徴とする液晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１５】また本発明によれば、前記補償導電膜は、
前記第２のバスラインを覆うように該第２のバスライン
上に該第２のバスラインに沿って形成されていることを
特徴とする液晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１６】更に本発明によれば、前記補償導電膜は、
前記第２のバスラインと同一の材料からなり、前記表示
電極に接触して該表示電極下に形成されていることを特
徴とする液晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１７】また本発明によれば、絶縁膜と；この絶縁
膜上に配置され、各々がドレイン電極及びソース電極を
有する複数の薄膜トランジスタと；前記複数の薄膜トラ
ンジスタの前記ドレイン電極にそれぞれ接続された状態
に前記絶縁膜上に形成され、各々が第１の導電材からな
り第１の所定幅を有する複数のドレインラインと；前記
複数の薄膜トランジスタの前記ソース電極にそれぞれ接
続された状態に前記絶縁膜上に形成され、各々が前記第
１の導電材とは異なる第２の導電材からなる複数の表示
電極と；前記複数の表示電極と同時に、前記複数のドレ
インライン上に形成され、各々が前記第２の導電材から
なり前記第１の所定幅よりも広い第２の所定幅を有する
複数の補償ラインとを；有する液晶パネルを有し、前記
複数の補償ラインは、各補償ラインの両端部が前記絶縁
膜上に形成され、かつ、各薄膜トランジスタ用の前記表
示電極及び前記補償ライン間、及び、一つの薄膜トラン
ジスタ用の前記表示電極とその隣の薄膜トランジスタ用
の前記補償ラインとの間に、所定距離が置かれた状態
に、形成され、前記隣のトランジスタは、前記一つの薄
膜トランジスタ用の前記ドレインラインよりも前記一つ
の薄膜トランジスタ用の前記表示電極に近い方の薄膜ト
ランジスタであり、前記複数の補償ラインは、各薄膜ト
ランジスタ用の前記ドレインライン及び前記表示電極
間、及び、前記一つの薄膜トランジスタ用の前記表示電
極と前記隣の薄膜トランジスタ用の前記ドレインライン
との間の容量の不均一を補償するためのものであること
を特徴とする液晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１８】更に本発明によれば、絶縁膜と；この絶縁
膜上に配置され、各々がドレイン電極及びソース電極を
有する複数の薄膜トランジスタと；前記複数の薄膜トラ
ンジスタの前記ドレイン電極にそれぞれ接続された状態
に前記絶縁膜上に形成され、各々が第１の導電材からな
る複数のドレインラインと；前記複数のドレインライン
と同時に、前記絶縁膜上に形成され、各々が前記第１の
導電材からなる複数の第１の補償ラインと；前記複数の
ドレインライン及び前記複数の第１の補償ラインと同時
に、前記絶縁膜上に、各薄膜トランジスタ用の前記第１
の補償ラインより各薄膜トランジスタ用の前記ドレイン
ラインから遠い位置に形成され、各々が前記第１の導電
材からなる複数の第２の補償ラインと；前記複数の薄膜
トランジスタの前記ソース電極にそれぞれ接続された状
態に前記絶縁膜上に形成され、各々が前記第１の導電材
とは異なる第２の導電材からなる複数の表示電極とを；
有する液晶パネルを有し、前記複数の第１の補償ライン
は、各薄膜トランジスタ用の前記ドレインライン及び前
記第１の補償ライン間に所定距離が置かれた状態に形成
されており、前記複数の第２の補償ラインは、一つの薄
膜トランジスタ用の前記第２の補償ラインとその隣の薄
膜トランジスタ用の前記ドレインラインとの間に、前記
所定距離が置かれた状態に形成されており、前記隣のト
ランジスタは、前記一つの薄膜トランジスタ用の前記ド
レインラインよりも前記一つの薄膜トランジスタ用の前
記第２の補償ラインに近い方の薄膜トランジスタであ
り、各薄膜トランジスタ用の前記表示電極は、各薄膜ト
ランジスタ用の前記表示電極が各薄膜トランジスタ用の
前記第１及び前記第２の補償ライン間に位置するよう
に、前記絶縁膜上に形成されており、各薄膜トランジス
タ用の前記表示電極は、更に、各薄膜トランジスタ用の
前記表示電極の両端部が各薄膜トランジスタ用の前記第
１の補償ライン及び前記第２の補償ラインの内側の端部
上に重なるように、各薄膜トランジスタ用の前記第１及
び前記第２の補償ライン上にも形成されており、前記第
１及び前記第２の補償ラインは、各薄膜トランジスタ用
の前記ドレインライン及び前記表示電極間、及び、前記
一つの薄膜トランジスタ用の前記表示電極と前記隣の薄
膜トランジスタ用の前記ドレインラインとの間の容量の
不均一を補償するためのものであることを特徴とする液
晶ディスプレイ装置が得られる。

【００１９】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００２０】図１は本発明の第１実施例の平面図、図２
はそのＡ−Ａ線に沿う要部の拡大断面図、図３はそのＢ
−Ｂ線に沿う断面図である。

【００２１】図１〜図３を参照して、本発明の第１実施
例による液晶ディスプレイ装置を説明する。この液晶デ
ィスプレイ装置は、図８〜図１０と同一の参照符号で示
した同一の部分を含む。本液晶ディスプレイ装置は、ガ
ラス基板１１を有する液晶パネル４０（図３）を有す
る。このガラス基板１１上には、ゲート層１２´と、こ
のゲート層１２´に接続されるゲート電極１２と、この
ゲート電極１２に接続され列方向に延びるゲートライン
１３が形成される。また、ゲート層１２´、ゲート電極
１２、ゲートライン１３、及びガラス基板１１の残りの
表面上にはゲート絶縁膜１４が形成される。更に、ゲー
ト層１２´の上方に位置するゲート絶縁膜１４上の部分
にはアモルファスシリコン層１５が形成される。

【００２２】このアモルファスシリコン層１５の上には
ソース層１６ｓ及びドレイン層１６ｄが形成され、ソー
ス層１６ｓ及びドレイン層１６ｄ上にはソース電極１７
ｓ及びドレイン電極１７ｄがそれぞれ形成される。この
際、膜厚１４０ｎｍ程度のＣｒ膜をスパッタ成膜し、こ
れをパターニングしてソース層１６ｓ及びドレイン層１
６ｄにつながるソース電極１７ｓ及びドレイン電極１７
ｄを形成する。

【００２３】ゲート絶縁膜１４上には、ドレイン電極１
７ｄに接続されるように、行方向に延びるドレインライ
ン１８がドレイン電極１７ｄと一体に形成される。ドレ
インライン１８はクロム、アルミニウム等の金属からな
る第１の導電膜からなり、第１の所定幅を有する。

【００２４】更に、図１及び図３に示すように、ゲート
絶縁膜１４上には膜厚４０ｎｍの酸化インジウム錫（Ｉ
ＴＯ）をスパッタ成膜し、かつパターニングして、ドレ
インライン１８から離れてドレインライン１８に沿うよ
うに透明導電膜からなる表示電極１９を形成する。この
表示電極１９の一部はソース電極１７ｓに重ねられて電
気的に接続される。このように表示電極１９は、ドレイ
ンライン１８の第１の導電膜とは異なる第２の導電膜
（酸化インジウム錫等の透明導電膜）からなる。

【００２５】このようにして、ガラス基板１１上には、
ドレイン電極１７ｄ及びソース電極１７ｓを有する複数
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成され、ゲート絶縁
膜１４上には、これら複数の薄膜トランジスタ用に、複
数のドレインライン１８及び複数の表示電極１９が形成
される。

【００２６】複数の補償ライン（補償導電膜）１９ａ
は、複数の表示電極１９と同時に、複数のドレインライ
ン１８上に形成される。各補償ライン１９ａは、表示電
極１９と同一材料である第２の導電材からなり、各ドレ
インライン１８の第１の所定幅よりも広い第２の所定幅
を有している。

【００２７】この際、複数の補償ライン１９ａは、各補
償ライン１９ａの両端部がそれぞれ突出部としてゲート
絶縁膜１４上に形成され、かつ、各薄膜トランジスタ用
の表示電極１９及び補償ライン１９ａ間、及び、一つの
薄膜トランジスタ用の表示電極１９とその隣の薄膜トラ
ンジスタ用の補償ライン１９ａとの間に、所定距離Ｌ０
が置かれた状態に、形成される。ここで、隣のトランジ
スタとは、前記一つの薄膜トランジスタ用のドレインラ
イン１８よりも前記一つの薄膜トランジスタ用の表示電
極１９に近い方の薄膜トランジスタをいう。

【００２８】このように、補償ライン１９ａは、ドレイ
ンライン１８よりも大きな幅寸法として形成されてお
り、例えばドレインライン１８の両側からそれぞれ２μ
ｍ程度（図３）の突出部が突出されるような幅寸法に形
成されている。

【００２９】複数の補償ライン１９ａは、各薄膜トラン
ジスタ用のドレインライン１８及び表示電極１９間、及
び、一つの薄膜トランジスタ用の表示電極１９と隣の薄
膜トランジスタ用のドレインライン１８との間の容量の
不均一を補償するためのものである。

【００３０】なお、図３において、補償ライン１９ａ及
びドレインライン１８上には絶縁膜３０が形成され、か
つ所要の寸法で離間してガラス基板２０が配設され、こ
のガラス基板２０の下面に対向電極２１が形成され、か
つ表示電極１９と対向電極２１との間及び絶縁膜３０と
対向電極２１との間に液晶２２が介装される。また、上
下のガラス基板１１及び２０の外面には偏光板２３及び
２４が形成されることも言うまでもなく、これにより液
晶パネル４０が形成される。

【００３１】この構成によれば、補償ライン１９ａは表
示電極１９と同一のパターン形成工程で形成されている
ため、表示電極１９の端部と補償ライン１９ａの端部と
の間隔Ｌ０は常に一定寸法に形成される。したがって、
例えばＣｒ膜で形成されたドレインライン１８と、これ
とは別の工程により例えば酸化インジウム錫膜で形成さ
れた表示電極１９との間に位置ずれが生じていても、補
償ライン１９ａが結合されたドレインライン１８と表示
電極１９との間隔は、補償ライン１９ａと表示電極１９
との間隔となり、この結果、間隔寸法は一定化される。

【００３２】この位置ずれ量と、表示電極１９及びドレ
インライン１８の間隔寸法の左右の差との関係を図４に
示す。同図において、例えば、ドレインライン１８と表
示電極１９との間に１μｍの位置ずれが生じた場合を考
えると、従来構成のものでは同図に破線で示すように、
表示電極１９の左右におけるドレインライン１８との間
隔差の変動が２μｍになるのに対し、この構成では前記
したように補償ライン１９ａをドレインライン１８の両
側に２μｍ程度突出させることにより、同図に実線で示
すように、位置ずれが２μｍまでは表示電極１９とドレ
インライン１８との間隔寸法の変動は０となる。

【００３３】したがって、ドレインライン１８と表示電
極１９との位置ずれ量が２μｍまでは、表示電極１９と
ドレインライン１８との間に生じる容量を一定なものに
でき、これによりドレインライン１８に供給される信号
によって受ける表示電極１９の影響を安定化させ、特性
上のバラツキを解消することができる。特に、ドット反
転の駆動方式において、表示電極１９の変調分は左右に
配置されるドレインライン１８との容量の差となるが、
ここでは位置ずれが実質的に０となるため、影響は殆ど
ない。これにより、液晶ディスプレイの画面を複数の領
域に分割して露光を行いながらパターン形成工程を行う
場合でも、これらの隣接する領域での表示の特性が境界
部においてステップ的に変化されることはなく、この境
界部が同一画面での継ぎ目として表示されることもな
い。

【００３４】なお、ここではドレインライン１８に対し
て補償ライン１９ａの突出量を２μｍに設定した例を示
しているが、ドレインライン１８と表示電極１９とにお
ける露光精度に応じて、適宜変更できることは言うまで
もない。

【００３５】また、補償ライン１９ａはドレインライン
１８の端部にのみ重ねるようにしてもよい。

【００３６】次に、図５を参照して本発明の第２実施例
による液晶ディスプレイ装置を説明する。この液晶ディ
スプレイ装置は、以下に述べる点を除けば、図１の液晶
ディスプレイ装置と同じである。即ち、図１の液晶ディ
スプレイ装置においては、補償ライン（補償導電膜）１
９ａの形成される領域が、ドレインライン１８の表面上
のうち表示電極１９に対応した部分上にのみに限定され
ていたのに対して、図５の液晶ディスプレイ装置におい
ては、補償ライン（補償導電膜）１９ａは、ドレインラ
イン１８の全表面上に形成される。

【００３７】次に、図６及び図７を参照して本発明の第
３実施例による液晶ディスプレイ装置を説明する。図６
は本発明の第３実施例の平面図、図７はそのＤ−Ｄ線に
沿う断面図である。この液晶ディスプレイ装置は、図８
〜図１０及び図１〜図３と同一の参照符号で示した同一
の部分を含む。

【００３８】この液晶ディスプレイ装置において、複数
のドレインライン１８は、図１の液晶ディスプレイ装置
の場合と同様に、複数の薄膜トランジスタのドレイン電
極１７ｄにそれぞれ接続された状態にゲート絶縁膜１４
上に形成され、各ドレインライン１８は前述の第１の導
電材からなる。

【００３９】複数の第１の補償ライン（第１の補償導電
膜）１８ａは、各々、ドレインライン１８と同じく前述
の第１の導電材からなり、ドレインライン１８と同時
に、ゲート絶縁膜１４上に形成される。

【００４０】複数の第２の補償ライン（第２の補償導電
膜）１８ａ´も、各々、前述の第１の導電材からなり、
ドレインライン１８及び第１の補償ライン１８ａと同時
に、ゲート絶縁膜１４上に、各薄膜トランジスタ用の第
１の補償ライン１８ａより各薄膜トランジスタ用のドレ
インライン１８から遠い位置に形成される。

【００４１】複数の表示電極１９は、複数の薄膜トラン
ジスタのソース電極１７ｓにそれぞれ接続された状態に
ゲート絶縁膜１４上に形成され、各々が前記第１の導電
材とは異なる前述の第２の導電材からなる。

【００４２】詳細には、複数の第１の補償ライン１８ａ
は、各薄膜トランジスタ用のドレインライン１８及び第
１の補償ライン１８ａ間に所定距離Ｌ０が置かれた状態
に形成されており、複数の第２の補償ライン１８ａ´
は、一つの薄膜トランジスタ用の第２の補償ライン１８
ａ´とその隣の薄膜トランジスタ用のドレインライン１
８との間に、前記所定距離Ｌ０が置かれた状態に形成さ
れている。この場合、隣のトランジスタとは、前述の一
つの薄膜トランジスタ用のドレインライン１８よりも前
記一つの薄膜トランジスタ用の第２の補償ライン１８ａ
´に近い方の薄膜トランジスタをいう。

【００４３】各薄膜トランジスタ用の表示電極１９は、
各薄膜トランジスタ用の表示電極１９が各薄膜トランジ
スタ用の第１及び第２の補償ライン１８ａ及び１８ａ´
間に位置するように、ゲート絶縁膜１４上に形成されて
おり、各薄膜トランジスタ用の表示電極１９は、更に、
各薄膜トランジスタ用の表示電極１９の両端部が各薄膜
トランジスタ用の第１の補償ライン１８ａ及び第２の補
償ライン１８ａ´の内側の端部上に重なるように、各薄
膜トランジスタ用の第１及び第２の補償ライン１８ａ及
び１８ａ´上にも形成されている。

【００４４】このようにして、各薄膜トランジスタ用の
表示電極１９の両端部下には各薄膜トランジスタ用の第
１の補償ライン１８ａ及び第２の補償ライン１８ａ´の
内側の端部が形成され、各薄膜トランジスタ用の第１の
補償ライン１８ａ及び第２の補償ライン１８ａ´の外側
の端部はそれぞれ突出部として表示電極１９から突出さ
れている。

【００４５】第１及び第２の補償ライン１８ａ及び１８
ａ´は、各薄膜トランジスタ用のドレインライン１８及
び表示電極１９間、及び、前記一つの薄膜トランジスタ
用の表示電極１９と前記隣の薄膜トランジスタ用のドレ
インライン１８との間の容量の不均一を補償するための
ものである。

【００４６】この実施例では、ドレインライン１８を形
成する例えばＣｒ膜をパターン形成する際に、Ｃｒ膜の
一部１８ａ及び１８ａ´を利用して表示電極１９の両側
部（第１及び第２の補償ライン１８ａ及び１８ａ´）を
同時に形成したものである。そして、この両側部のＣｒ
膜１８ａ及び１８ａ´に重なるように例えば酸化インジ
ウム錫等の透明導電膜で表示電極１９を形成している。

【００４７】この構成においては、ドレインライン１８
と両側部Ｃｒ膜１８ａ及び１８ａ´とが同時に形成され
てその間隔寸法が一定であるため、両側部のＣｒ膜１８
ａ及び１８ａ´の幅寸法を例えば２μｍに設定しておけ
ば、酸化インジウム錫膜等の透明導電膜とＣｒ膜との間
に最大で２μｍの位置ずれが生じても、表示電極１９の
両側部においてドレインライン１８との間隔寸法に変動
が生じることはなく、ドレインライン１８と表示電極１
９との間に生じる容量を一定なものとし、表示電極の特
性の安定化を図ることができる。

【００４８】一般に酸化インジウム錫膜はパターニング
の精度がＣｒ等の金属よりも劣るため、この実施例では
エッチング精度を含めてドレインライン１８と表示電極
１９との間隔寸法を第１実施例のものよりも一定化する
上で有効である。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、各薄膜ト
ランジスタ用のドレインライン及び表示電極間、及び、
一つの薄膜トランジスタ用の表示電極と隣の薄膜トラン
ジスタ用のドレインラインとの間の容量の不均一を補償
することができる高表示品質の液晶ディスプレイ装置を
得ることができる。

【００５０】また、薄膜トランジスタに接続されるドレ
インラインを第１の導電膜で形成し、表示電極を第２の
導電膜で形成し、ドレインラインには表示電極と同時に
パターン形成される第２の導電膜からなる補償ライン
（補償導電膜）を補償ラインの両端がドレインラインの
両端から突出部として突出するように重ねて形成するこ
とで、ドレインラインと表示電極との間に位置ずれが生
じても、突出部寸法の範囲内でドレインラインと表示電
極の端部間の間隔を一定化し、両者間での容量を一定な
ものにすることができる。

【００５１】また、表示電極の端部には第１の導電膜か
らなるドレインラインと同時にパターン形成される第１
の導電膜からなる第１及び第２の補償ライン（第１及び
第２の補償導電膜）を形成し、こらら第１及び第２の補
償ラインに両端部が重なるように第２の導電膜からなる
表示電極を形成することで、同様にドレインラインと表
示電極の端部間の間隔を一定のものにすることができ
る。この場合、第１の導電膜にＣｒ等の金属膜を用い、
第２の導電膜に酸化インジウム錫膜を用いれば、Ｃｒ膜
のパターンニング精度が高いことを利用して間隔寸法を
高精度に管理することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による液晶ディスプレイ装
置の平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う一部の拡大断面図であ
る。

【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図４】本発明と従来における位置ずれ量と、ドレイン
ライン−表示電極の間隔寸法の変動を示す図である。

【図５】本発明の第２実施例による液晶ディスプレイ装
置の平面図である。

【図６】本発明の第３実施例による液晶ディスプレイ装
置の平面図である。

【図７】図５のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

【図８】従来の液晶ディスプレイ装置の平面図である。

【図９】図８のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【図１０】図８の等価回路図である。

【符号の説明】

１１ ガラス基板 １２ ゲート電極 １２´ ゲート層 １３ ゲートライン １４ ゲート絶縁膜 １５ アモルファスシリコン層 １６ｓ ソース層 １６ｄ ドレイン層 １７ｓ ソース電極 １７ｄ ドレイン電極 １８ ドレインライン １８ａ 第１の補償ライン（第１の補償導電膜） １８ａ´ 第２の補償ライン（第２の補償導電膜） １９ 表示電極 １９ａ 補償ライン（補償導電膜）

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板と、このガラス基板上にマト
   リクス状に形成された複数の薄膜トランジスタとを有す
   るアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ装置にお
   いて、 前記複数の薄膜トランジスタの各々は、半導体膜と；ゲ
   ート電極と；前記半導体膜と前記ゲート電極との間のゲ
   ート絶縁膜と；前記半導体膜に接触して形成された第１
   の電極と；この第１の電極から離れた位置に前記半導体
   膜に形成された第２の電極と；前記ゲート電極に接触し
   列方向に配列された第１のバスラインと；前記第１の電
   極に接触し行方向に配列された第２のバスラインと；前
   記第２の電極に接触し前記第２のバスラインから離れて
   前記第２のバスラインに沿うように形成された表示電極
   と；前記第２のバスライン及び前記表示電極のうちの一
   方に接触して形成され、前記第２のバスライン及び前記
   表示電極のうちの前記一方から前記第２のバスライン及
   び前記表示電極のうちの他方に向って突出する突出部を
   有する補償導電膜と；を有し、前記補償導電膜は、前記
   複数の薄膜トランジスタにおける、前記補償導電膜の前
   記突出部と前記第２のバスライン及び前記表示電極のう
   ちの前記他方との間の距離を一定に保つためのものであ
   ることを特徴とする液晶ディスプレイ装置。
2. 【請求項２】 前記補償導電膜は、前記表示電極と同一
   の材料からなり、前記第２のバスラインに接触して該第
   ２のバスライン上に形成されていることを特徴とする請
   求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
3. 【請求項３】 前記補償導電膜は、前記第２のバスライ
   ンを覆うように該第２のバスライン上に該第２のバスラ
   インに沿って形成されていることを特徴とする請求項１
   及び２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ装置。
4. 【請求項４】 前記補償導電膜は、前記第２のバスライ
   ンと同一の材料からなり、前記表示電極に接触して該表
   示電極下に形成されていることを特徴とする請求項１に
   記載の液晶ディスプレイ装置。
5. 【請求項５】 絶縁膜と；この絶縁膜上に配置され、各
   々がドレイン電極及びソース電極を有する複数の薄膜ト
   ランジスタと；前記複数の薄膜トランジスタの前記ドレ
   イン電極にそれぞれ接続された状態に前記絶縁膜上に形
   成され、各々が第１の導電材からなり第１の所定幅を有
   する複数のドレインラインと；前記複数の薄膜トランジ
   スタの前記ソース電極にそれぞれ接続された状態に前記
   絶縁膜上に形成され、各々が前記第１の導電材とは異な
   る第２の導電材からなる複数の表示電極と；前記複数の
   表示電極と同時に、前記複数のドレインライン上に形成
   され、各々が前記第２の導電材からなり前記第１の所定
   幅よりも広い第２の所定幅を有する複数の補償ラインと
   を；有する液晶パネルを有し、 前記複数の補償ラインは、各補償ラインの両端部が前記
   絶縁膜上に形成され、かつ、各薄膜トランジスタ用の前
   記表示電極及び前記補償ライン間、及び、一つの薄膜ト
   ランジスタ用の前記表示電極とその隣の薄膜トランジス
   タ用の前記補償ラインとの間に、所定距離が置かれた状
   態に、形成され、前記隣のトランジスタは、前記一つの
   薄膜トランジスタ用の前記ドレインラインよりも前記一
   つの薄膜トランジスタ用の前記表示電極に近い方の薄膜
   トランジスタであり、 前記複数の補償ラインは、各薄膜トランジスタ用の前記
   ドレインライン及び前記表示電極間、及び、前記一つの
   薄膜トランジスタ用の前記表示電極と前記隣の薄膜トラ
   ンジスタ用の前記ドレインラインとの間の容量の不均一
   を補償するためのものであることを特徴とする液晶ディ
   スプレイ装置。
6. 【請求項６】 前記複数の表示電極の各々は、透明導電
   膜からなることを特徴とする請求項５に記載の液晶ディ
   スプレイ装置。
7. 【請求項７】 前記第１の導電材がクロム及びアルミニ
   ウムの内の一つであり、前記第２の導電材が酸化インジ
   ウム錫であることを特徴とする請求項５及び６のいずれ
   かに記載の液晶ディスプレイ装置。
8. 【請求項８】 絶縁膜と；この絶縁膜上に配置され、各
   々がドレイン電極及びソース電極を有する複数の薄膜ト
   ランジスタと；前記複数の薄膜トランジスタの前記ドレ
   イン電極にそれぞれ接続された状態に前記絶縁膜上に形
   成され、各々が第１の導電材からなる複数のドレインラ
   インと；前記複数のドレインラインと同時に、前記絶縁
   膜上に形成され、各々が前記第１の導電材からなる複数
   の第１の補償ラインと；前記複数のドレインライン及び
   前記複数の第１の補償ラインと同時に、前記絶縁膜上
   に、各薄膜トランジスタ用の前記第１の補償ラインより
   各薄膜トランジスタ用の前記ドレインラインから遠い位
   置に形成され、各々が前記第１の導電材からなる複数の
   第２の補償ラインと；前記複数の薄膜トランジスタの前
   記ソース電極にそれぞれ接続された状態に前記絶縁膜上
   に形成され、各々が前記第１の導電材とは異なる第２の
   導電材からなる複数の表示電極とを；有する液晶パネル
   を有し、 前記複数の第１の補償ラインは、各薄膜トランジスタ用
   の前記ドレインライン及び前記第１の補償ライン間に所
   定距離が置かれた状態に形成されており、 前記複数の第２の補償ラインは、一つの薄膜トランジス
   タ用の前記第２の補償ラインとその隣の薄膜トランジス
   タ用の前記ドレインラインとの間に、前記所定距離が置
   かれた状態に形成されており、前記隣のトランジスタ
   は、前記一つの薄膜トランジスタ用の前記ドレインライ
   ンよりも前記一つの薄膜トランジスタ用の前記第２の補
   償ラインに近い方の薄膜トランジスタであり、 各薄膜トランジスタ用の前記表示電極は、各薄膜トラン
   ジスタ用の前記表示電極が各薄膜トランジスタ用の前記
   第１及び前記第２の補償ライン間に位置するように、前
   記絶縁膜上に形成されており、各薄膜トランジスタ用の
   前記表示電極は、更に、各薄膜トランジスタ用の前記表
   示電極の両端部が各薄膜トランジスタ用の前記第１の補
   償ライン及び前記第２の補償ラインの内側の端部上に重
   なるように、各薄膜トランジスタ用の前記第１及び前記
   第２の補償ライン上にも形成されており、 前記第１及び前記第２の補償ラインは、各薄膜トランジ
   スタ用の前記ドレインライン及び前記表示電極間、及
   び、前記一つの薄膜トランジスタ用の前記表示電極と前
   記隣の薄膜トランジスタ用の前記ドレインラインとの間
   の容量の不均一を補償するためのものであることを特徴
   とする液晶ディスプレイ装置。
9. 【請求項９】 前記複数の表示電極の各々は、透明導電
   膜からなることを特徴とする請求項８に記載の液晶ディ
   スプレイ装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の導電材がクロム及びアルミ
    ニウムの内の一つであり、前記第２の導電材が酸化イン
    ジウム錫であることを特徴とする請求項８及び９のいず
    れかに記載の液晶ディスプレイ装置。