CN108761929B - 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法 - Google Patents

一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108761929B
CN108761929B CN201810479864.4A CN201810479864A CN108761929B CN 108761929 B CN108761929 B CN 108761929B CN 201810479864 A CN201810479864 A CN 201810479864A CN 108761929 B CN108761929 B CN 108761929B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
main body
body part
auxiliary
branch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810479864.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108761929A (zh
Inventor
刘华锋
赵生伟
孙超超
王超
吕景萍
谢霖
周国庆
张盼盼
王腾飞
潘信桦
李乐乐
常志强
党少聪
穆世杰
王振
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810479864.4A priority Critical patent/CN108761929B/zh
Publication of CN108761929A publication Critical patent/CN108761929A/zh
Priority to US16/648,421 priority patent/US11411072B2/en
Priority to PCT/CN2019/084398 priority patent/WO2019218853A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108761929B publication Critical patent/CN108761929B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/60Electrodes
    • H01L28/82Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/86Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
    • H01L28/88Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454Drivers integrated on the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法,以解决现有技术在对电容结构进行维修时,存在容易发生维修失败的问题。所述电容结构包括:位于所述衬底基板之上的第一电极、位于所述第一电极之上且与所述第一电极绝缘的第二电极,其中,所述第一电极包括:条状的第一主体部、由第一主体部的一侧边延伸出的多个条状第一支部、位于所述第一主体部另一侧且与所述第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部;所述第二电极包括:条状的第二主体部、由第二主体部的一侧边延伸出的多个条状第二支部、位于所述第二主体部另一侧且与所述第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部。

Description

一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法。
背景技术
液晶显示器件(TFT-LCD)是一种依靠液态的液晶分子的排列状态在电场中发生改变,进而调制背光源透过的显示器件。目前应用最广泛的液晶显示器件是扭曲向列型LCD,它是将液晶夹在两片玻璃之间并使其分子沿玻璃表面平行排列,液晶分子在两片玻璃之间连续扭曲成一定角度,玻璃外面再配上偏振片。当TFT电路施加上电压后会引起液晶分子排列状态的改变,调制了背光源光线通过CF(彩膜)基板从而达成彩色显示的目的。
驱动显示面板进行显示的驱动电路,例如,栅极驱动电路,一般设置有多个电容结构,参见图1所示,其中,图1为该电容结构的平面俯视示意图,图2为该电容结构发生不良时的剖面示意图,图3为该电容结构发生不良时的剖面修复示意图。现有技术中的电容结构一般包括梳状的第一电极01、位于第一电极之上的介质层03、以及位于介质层03之上梳状的第二电极02,其中,第一电极01包括:第一主体部012、以及与第一主体部连接的多个第一支部(位于第二支部021下方,图1中未示出);第二电极02包括:第二主体部022,以及与第二主体部022连接的多个第二支部021。其中,当中间的介质层03遇到颗粒物时会存在部分膜层缺失的不良。现有技术在维修该种不良时,通常是在不良位置处的两侧采用激光进行切割,参见图2和图3所示,但该种维修方式,由于激光能量较大,在不良区域的两侧进行激光切割时,很容易使电容结构的上、下两个金属电极在重叠区域发生融融,进而导致整个电容结构发生短路。
由上,现有技术在对电容结构进行维修时,存在容易发生维修失败的问题。
发明内容
本发明提供一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法,以解决现有技术在对电容结构进行维修时,存在容易发生维修失败的问题。
本发明实施例提供一种显示基板,包括:衬底基板、设置在所述衬底基板之上的电容结构,所述电容结构包括:位于所述衬底基板之上的第一电极、位于所述第一电极之上且与所述第一电极绝缘的第二电极,其中,
所述第一电极包括:条状的第一主体部、由第一主体部的一侧延伸出的多个条状第一支部、以及位于所述第一主体部另一侧且与所述第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部,所述第一辅助主体部的两端与所述第一主体部的两端对应连接;
所述第二电极包括:条状的第二主体部、由第二主体部的一侧边延伸出的多个条状第二支部、以及位于所述第二主体部另一侧且与所述第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部,所述第二辅助主体部的两端与所述第二主体部的两端对应连接;
所述第一电极具有所述第一支部的一侧与所述第二电极具有所述第二支部的一侧相向设置,以使所述第一电极的每一所述第一支部与所述第二电极的每一对应所述第二支部形成一电容。
可选的,所述第一电极与所述第二电极之间设置有介质层。
可选的,所述显示基板设置有薄膜晶体管,所述第一电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,所述第二电极与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置。
可选的,在垂直于所述第一主体部延伸的方向上,所述第一辅助主体部与所述第一主体部之间间隙的距离为2μm~4μm;在垂直于所述第二主体部延伸的方向上,所述第二辅助主体部与所述第二主体部之间间隙的距离为2μm~4μm。
可选的,在垂直于所述第一辅助主体部延伸的方向上,所述第一辅助主体部的宽度为2μm~5μm;在垂直于所述第二辅助主体部延伸的方向上,所述第二辅助主体部的宽度为2μm~5μm。
可选的,所述电容结构为显示面板栅极驱动电路中的电容结构。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括本发明实施例提供的所述显示基板。
本发明实施例还提供一种制作如本发明实施例提供的所述显示基板的制作方法,所述制作方法包括:
采用光刻工艺,使用图案化的第一掩膜板在衬底基板之上形成图案化的第一电极,其中,所述第一掩膜板的图案与所述第一电极的图案相匹配;
在所述第一电极之上,采用光刻工艺,使用图案化的第二掩膜板形成与所述第一电极绝缘且图案化的第二电极,其中,所述第二掩膜板的图案与所述第二电极的图案相匹配。
可选的,在使用图案化的第二掩膜板形成图案化的第二电极之前,所述制作方法还包括:
采用气相沉积法,在所述第一电极之上形成介质层。
本发明实施例还提供一种修复如本发明实施例提供的所述显示基板的修复方法,所述修复方法包括:
第一电极的第一支部与第二电极的对应第二支部之间发生不良时,切断第一主体部的连接该所述第一支部的两侧;
切断第二主体部的连接该所述第二支部的两侧。
本发明实施例有益效果如下:
本发明实施例提供的电容结构包括:位于所述衬底基板之上的第一电极、位于所述第一电极之上且与所述第一电极绝缘的第二电极,其中,所述第一电极还包括位于所述第一主体部另一侧且与所述第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部,所述第二电极还包括位于所述第二主体部另一侧且与所述第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部,进而在所述第一电极的所述第一支部与所述第二电极的对应所述第二支部之间发生不良时,例如,第一电极和第二电极之间的介质层的部分区域遇到颗粒物导致该区域膜层缺失时,可以通过切断所述第一主体部的连接该所述第一支部的两侧,并切断所述第二主体部的连接该所述第二支部的两侧,由所述第一辅助主体部对剩余所述第一支部提供电信号,所述第二辅助主体部对剩余所述第二支部提供电信号,进而可以避免现有技术中在第一电极和第二电极之间存在不良时,直接在不良处的两端进行切割时,由于激光的能量较大,容易导致电容结构的上下两个电极融融进而发生短路的问题。
附图说明
图1为现有技术的一种电容结构的俯视结构示意图;
图2为现有技术的一种电容结构的剖视结构示意图;
图3为现有技术的一种对电容结构进行维修时的剖视结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种电容结构的立体的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种电容结构的俯视的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种对电容结构进行维修时的俯视的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种对电容结构进行维修时的立体的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的一种电容结构的等效示意图;
图9为本发明实施例提供的一种电容结构的制作流程示意图;
图10为本发明实施例提供的一种具体的电容结构的制作流程示意图;
图11为本发明实施例提供的一种电容结构的维修流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图4-图5所示,本发明实施例提供一种显示基板,包括:衬底基板(图中未示出)、设置在衬底基板之上的电容结构,电容结构包括:位于衬底基板之上的第一电极、位于第一电极之上且与第一电极绝缘的第二电极,其中,
第一电极包括:条状的第一主体部11、由第一主体部11的一侧边延伸出的多个条状第一支部111、以及位于第一主体部11另一侧且与第一主体部11间隔设置的条状第一辅助主体部12,第一辅助主体部12的两端与第一主体部11的两端对应连接,具体实施时,可以将第一辅助主体部12与第一主体部11间隔平行设置,通过第一连接部13将第一辅助主体部12的两端与第一主体部11的两端对应连接,即,第一电极整体为类梳状的结构;
第二电极包括:条状的第二主体部21、由第二主体部21的一侧边延伸出的多个条状第二支部211,以及位于第二主体部21另一侧且与第二主体部21间隔设置的条状第二辅助主体部22,将第二辅助主体部22的两端与第二主体部21的两端对应连接的第二连接部23,具体实施时,可以将第二辅助主体部22与第二主体部21间隔平行设置,通过第二连接部23将第二辅助主体部22的两端与第二主体部21的两端对应连接,即,第二电极整体为类梳状的结构;
第一电极具有第一支部11的一侧与第二电极具有第二支部211的一侧相向设置,以使第一电极的每一第一支部111与第二电极的每一对应第二支部211形成一电容,具体实施时,可以是第一电极的第一支部111在衬底基板上的正投影与第二电极的第二支部211在衬底基板上的正投影一一对应重叠,当然,第一辅助主体部12的延伸长度可以大于第一主体部11的延伸长度,第二辅助主体部22的延伸长度可以大于第一主体部21的延伸长度,以便于通过第一辅助主体部12、第二辅助主体部22进行与外电路的连接;
结合图6和图7所示,第一电极的第一支部111与第二电极的对应第二支部211之间发生不良时,例如,第一电极与第二电极之间设置有介质层,该介质层在图6和图7中由上往下的第三个电容之间发生不良,由于存在颗粒物4,使第一电极的第三个第一支部111和第二电极的第三个第二支部211发生短路,此时,可以切断第一主体部11的连接该第一支部111的两侧(如图7中左侧的两个箭头所示),并切断第二主体部21的连接该第二支部211的两侧(如图7中右侧的两个箭头所示),由第一辅助主体部12对剩余第一支部111提供电信号,由第二辅助主体部22对剩余第二支部211提供电信号。
本发明实施例提供的电容结构包括:位于衬底基板之上的梳状第一电极、位于第一电极之上且与第一电极绝缘的第二电极,其中,第一电极还包括位于第一主体部另一侧且与第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部,第二电极还包括位于第二主体部另一侧且与第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部,进而在第一电极的第一支部与第二电极的对应第二支部之间发生不良时,例如,第一电极和第二电极之间的介质层的部分区域遇到颗粒物导致该区域膜层缺失时,可以通过切断第一主体部的连接该第一支部的两侧,并切断第二主体部的连接该第二支部的两侧,由第一辅助主体部对剩余第一支部提供电信号,第二辅助主体部对剩余第二支部提供电信号,即,参见图8所示,通过将电容结构分割多个子电容(C1、C2、C3)的并联设计,当发生介质层发生部分缺失的情况时,只需在单层金属线上使用激光就可以隔离不良区,进而可以避免现有技术中在对第一电极和第二电极之间存在不良时,直接在不良处的两端进行切割时,容易导致电容结构的上下两个电极融融进而导致整个电容结构发生短路的问题。
在具体实施时,考虑设备激光切割精度,为保证激光切割时,不伤及相邻图案,同时又可以有效地利用面板的空间,参见图6所示,在垂直于第一主体部11延伸的方向上,第一辅助主体部12与第一主体部11之间间隙的距离d1为2μm~4μm。在垂直于第二主体部21延伸的方向上,第二辅助主体部22与第二主体部21之间间隙的距离d3为2μm~4μm。
在具体实施时,考虑到工艺曝光能力对最小线宽的限制,以及为了有效地利用面板的空间,参见图6所示,在垂直于第一辅助主体部12延伸的方向上,第一辅助主体部12的宽度d2为2μm~5μm。在垂直于第二辅助主体部22延伸的方向上,第二辅助主体部22的宽度d4为2μm~5μm。
在具体实施时,第一电极与第二电极之间还设置有介质层。具体的介质层具体可以为氮化硅和/或氧化硅。
在具体实施时,显示基板还设置有薄膜晶体管,第一电极与薄膜晶体管的栅极同层设置,第二电极与薄膜晶体管的源漏极层同层设置。
可选的,电容结构为显示面板栅极驱动电路中的电容结构。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括本发明实施例提供的显示基板。
基于同一发明构思,参见图9所示,本发明实施例还提供一种制作如本发明实施例提供的显示基板的制作方法,制作方法包括:
步骤S101、采用光刻工艺,使用图案化的第一掩膜板在衬底基板之上形成图案化的第一电极,其中,第一掩膜板的图案与第一电极的图案相匹配;
步骤S102、在第一电极之上,采用光刻工艺,使用图案化的第二掩膜板形成与第一电极绝缘且图案化的第二电极,其中,第二掩膜板的图案与第二电极的图案相匹配。
在具体实施时,参见图10所示,在使用图案化的第二掩膜板形成图案化的第二电极之前,制作方法还包括:
步骤S103、采用气相沉积法,在第一电极之上形成介质层。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种修复如本发明实施例提供的显示基板的修复方法,参见图11所示,修复方法包括:
步骤S201、第一电极的第一支部与第二电极的对应第二支部之间发生不良时,切断第一主体部的连接该第一支部的两侧。具体可以采用激光切割技术,切断第一主体部的连接该第一支部的两侧。
步骤S202、切断第二主体部的连接该第二支部的两侧。具体可以采用激光切割技术,切断第二主体部的连接该第二支部的两侧。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的电容结构包括:位于衬底基板之上的梳状第一电极、位于第一电极之上且与第一电极绝缘的梳状第二电极,其中,第一电极还包括位于第一主体部另一侧且与第一主体部间隔平行设置的条状第一辅助主体部,第二电极还包括位于第二主体部另一侧且与第二主体部间隔平行设置的条状第二辅助主体部,进而在第一电极的第一支部与第二电极的对应第二支部之间发生不良时,例如,第一电极和第二电极之间的介质层的部分区域遇到颗粒物导致存在该区域膜层缺失时,可以通过切断第一主体部的连接该第一支部的两侧,并切断第二主体部的连接该第二支部的两侧,由第一辅助主体部对剩余第一支部提供电信号,第二辅助主体部对剩余第二支部提供电信号,进而可以避免现有技术中在对第一电极和第二电极之间存在不良时,直接在不良处的两端进行切割时,由于激光的能量较大,容易导致电容结构的上下两个电极融融进而发生短路的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板、设置在所述衬底基板之上的电容结构,所述电容结构包括:位于所述衬底基板之上的第一电极、位于所述第一电极之上且与所述第一电极绝缘的第二电极,其中,
所述第一电极包括:条状的第一主体部、由第一主体部的一侧延伸出的多个条状第一支部、以及位于所述第一主体部另一侧且与所述第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部,所述第一辅助主体部的两端与所述第一主体部的两端对应连接;
所述第二电极包括:条状的第二主体部、由第二主体部的一侧边延伸出的多个条状第二支部、以及位于所述第二主体部另一侧且与所述第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部,所述第二辅助主体部的两端与所述第二主体部的两端对应连接;
所述第一电极具有所述第一支部的一侧与所述第二电极具有所述第二支部的一侧相向设置,以使所述第一电极的每一所述第一支部与所述第二电极的每一对应所述第二支部形成一电容。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极与所述第二电极之间设置有介质层。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板设置有薄膜晶体管,所述第一电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,所述第二电极与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述第一主体部延伸的方向上,所述第一辅助主体部与所述第一主体部之间间隙的距离为2μm~4μm;在垂直于所述第二主体部延伸的方向上,所述第二辅助主体部与所述第二主体部之间间隙的距离为2μm~4μm。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述第一辅助主体部延伸的方向上,所述第一辅助主体部的宽度为2μm~5μm;在垂直于所述第二辅助主体部延伸的方向上,所述第二辅助主体部的宽度为2μm~5μm。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述电容结构为显示面板栅极驱动电路中的电容结构。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种制作如权利要求1-6任一项所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
采用光刻工艺,使用图案化的第一掩膜板在衬底基板之上形成图案化的第一电极,其中,所述第一掩膜板的图案与所述第一电极的图案相匹配;
在所述第一电极之上,采用光刻工艺,使用图案化的第二掩膜板形成与所述第一电极绝缘且图案化的第二电极,其中,所述第二掩膜板的图案与所述第二电极的图案相匹配。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,在使用图案化的第二掩膜板形成图案化的第二电极之前,所述制作方法还包括:
采用气相沉积法,在所述第一电极之上形成介质层。
10.一种修复如权利要求1-6任一项所述的显示基板的修复方法,其特征在于,所述修复方法包括:
第一电极的第一支部与第二电极的对应第二支部之间发生不良时,切断第一主体部的连接该所述第一支部的两侧;
切断第二主体部的连接该所述第二支部的两侧。
CN201810479864.4A 2018-05-18 2018-05-18 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法 Active CN108761929B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810479864.4A CN108761929B (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法
US16/648,421 US11411072B2 (en) 2018-05-18 2019-04-25 Display substrate, display device, manufacturing method, and repair method for display substrate
PCT/CN2019/084398 WO2019218853A1 (zh) 2018-05-18 2019-04-25 显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810479864.4A CN108761929B (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108761929A CN108761929A (zh) 2018-11-06
CN108761929B true CN108761929B (zh) 2020-05-19

Family

ID=64007900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810479864.4A Active CN108761929B (zh) 2018-05-18 2018-05-18 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11411072B2 (zh)
CN (1) CN108761929B (zh)
WO (1) WO2019218853A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108761929B (zh) 2018-05-18 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法
CN110071163B (zh) * 2019-05-06 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板
TWI722734B (zh) * 2019-12-24 2021-03-21 財團法人工業技術研究院 畫素結構
CN111403422B (zh) * 2020-03-25 2023-04-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板
CN113867062B (zh) * 2021-12-02 2022-04-01 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120055123A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치
CN102959604A (zh) * 2011-06-27 2013-03-06 松下电器产业株式会社 显示装置及其制造方法
CN103309093A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 Nlt科技股份有限公司 液晶显示装置
CN105244354A (zh) * 2015-09-15 2016-01-13 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN105319782A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 群创光电股份有限公司 显示面板与显示装置
CN105826328A (zh) * 2016-05-03 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497652B1 (ko) * 2000-02-15 2005-07-01 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 액정 표시장치, 그 화소 수정방법 및 그 구동방법
BRPI1016259A2 (pt) * 2009-06-30 2016-05-03 Sharp Kk dispositivo de exibição de cristal líquido
CN108761929B (zh) * 2018-05-18 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120055123A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치
CN102959604A (zh) * 2011-06-27 2013-03-06 松下电器产业株式会社 显示装置及其制造方法
CN103309093A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 Nlt科技股份有限公司 液晶显示装置
CN105319782A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 群创光电股份有限公司 显示面板与显示装置
CN105244354A (zh) * 2015-09-15 2016-01-13 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN105826328A (zh) * 2016-05-03 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210376057A1 (en) 2021-12-02
WO2019218853A1 (zh) 2019-11-21
CN108761929A (zh) 2018-11-06
US11411072B2 (en) 2022-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108761929B (zh) 一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法
JP3418653B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
US8077269B2 (en) Array substrate and display panel having the same
US7505106B2 (en) Substrate for a display device, a method for repairing the same, a method for repairing a display device and a liquid-crystal display device
US8274621B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP2005316489A (ja) 表示装置とそれに生じる欠陥の修復方法
WO2006054386A1 (ja) アクティブマトリクス基板及び表示装置
US20040263724A1 (en) Thin film transistor array panel and method for repairing liquid crystal display including the same
WO2017170099A1 (ja) 液晶パネルの製造方法
JPH10123563A (ja) 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
JPH10232412A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置および画素欠陥修正方法
KR20050070366A (ko) 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판의 불량 화소암점화 방법
JP5302101B2 (ja) 表示装置
WO2020192422A1 (zh) 显示面板、显示面板的修复方法以及显示装置
JP4173332B2 (ja) 表示装置、表示装置の画素修復方法及び表示装置の製造方法
JP4238469B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR100686235B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판
RU2441263C1 (ru) Подложка активной матрицы, панель жидкокристаллического дисплея, оборудованная ею, и способ производства подложки активной матрицы
JP3752824B2 (ja) アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル
JPH0317614A (ja) アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JP2000155532A (ja) 表示装置および液晶表示装置
KR100529572B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정 표시 장치
US8792063B2 (en) Array substrate, liquid crystal display device and methods for manufacturing and repairing the array substrate
JP6234232B2 (ja) 液晶表示パネルおよびそのリペア方法
KR100719916B1 (ko) 라인 오픈 및 층간 쇼트 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant