CN105826328A - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决采用梳状电极结构的阵列基板光透过率低的问题。其中所述阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和钝化层薄膜；采用一次构图工艺，去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜，形成钝化层的图形和第一电极的图形；在具有所述钝化层的图形和所述第一电极的图形的衬底基板上形成第二导电薄膜；采用一次构图工艺，去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜，形成第二电极的图形。上述阵列基板的制造方法用于制造阵列基板。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置是目前显示技术领域最为主流的一种显示装置，按照液晶分子排布方式的不同，液晶显示装置可以分为TN(TwistedNematic，扭曲向列)型、IPS(In-PlaneSwitching，平面转换)型、VA(VerticalAlignment，垂直定向)型等多种类型。其中，IPS型液晶显示装置具有宽视角、响应速度快、色彩还原准确等优点，受到领域内的广泛关注。
IPS型液晶显示装置的阵列基板有多种结构，其中一种结构的阵列基板的制造过程需要4次构图工艺：第1次构图工艺用于制备栅极和栅极线，第2次构图工艺用于制备有源层、源极、漏极和数据线，第3次构图工艺用于制备钝化层过孔，第4次构图工艺用于制备像素电极和公共电极。其中，如图1和图2所示，第4次构图工艺所制备的像素电极1和公共电极2均为梳状电极，所述梳状电极的结构为：包括梳齿部分和梳柄部分，梳齿部分包括多个梳齿，梳柄部分的延伸方向与梳齿部分的各梳齿的延伸方向大致地相互垂直，像素电极1的梳齿部分所包括的多个梳齿与公共电极2的梳齿部分所包括的多个梳齿交替排布。但是，上述结构的阵列基板存在光透过率低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以解决的采用梳状电极结构的阵列基板光透过率低的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和钝化层薄膜；采用一次构图工艺，去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜，形成钝化层的图形和第一电极的图形；在具有所述钝化层的图形和所述第一电极的图形的衬底基板上形成第二导电薄膜；采用一次构图工艺，去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜，形成第二电极的图形。
上述阵列基板的制造方法中，由于第一电极与第二电极形成于不同的构图工艺中，因此第一电极与第二电极之间的间隙不受工艺能力的限制，能够设置得较小，同时第一电极与第二电极能够完全隔开，二者之间的信号串扰较小；并且由于第一电极与钝化层形成于同一次构图工艺中，且钝化层位于第一电极的上方，因此后续所形成的第二导电薄膜不会与第一电极发生粘连，从而保证了在第一电极与第二电极之间的间隙较小的情况下，第一电极与第二电极之间电极材料的残留很少，二者之间由电极材料残留所引起的信号串扰在可接受范围之内。可见，上述阵列基板的制造方法能够在保证信号串扰在可接受范围之内的前提下，将第一电极与第二电极之间的间隙设置得较小，从而较大程度地减轻了由第一电极与第二电极之间的间隙较大所引起的光透过率下降问题，提高了阵列基板的光透过率。
此外，上述阵列基板的制造方法中，制备第一电极与钝化层使用了一次构图工艺，制备第二电极使用了一次构图工艺，即制备钝化层、第一电极和第二电极一共使用了两次构图工艺，这与现有技术相比，制备相同膜层所使用的构图工艺次数并没有增加，因此本发明所提供阵列基板的制造方法在带来上述有益效果的同时，不会增加工艺步骤。
本发明的第二方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述阵列基板还包括：设置于所述衬底基板上的第一电极；覆盖所述第一电极且与所述第一电极的形状大致相同的钝化层；设置于所述衬底基板上的第二电极。
上述阵列基板的有益效果与本发明的第一方面所提供的阵列基板的制造方法的有益效果相同，此处不再赘述。
本发明的第三方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括如本发明的第二方面所提供的阵列基板。
上述显示装置的有益效果与本发明的第一方面所提供的阵列基板的制造方法的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中阵列基板的像素电极和公共电极的俯视结构图；
图2为图1沿虚线AA′的截面图；
图3、4a～4e、5、6为本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法的各步骤图。
附图标记说明：
1-像素电极；2-公共电极；
3-衬底基板；4-栅极绝缘层；
5-钝化层；5′-钝化层薄膜；
6-第一电极；6′-第一导电薄膜；
7-光刻胶层；8-第二电极；
8′-第二导电薄膜。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
需要说明的是，以下所提及的“多个梳齿在衬底基板上的垂直投影的端部”是指梳状电极在衬底基板上的垂直投影中其梳齿部分所包括的多个梳齿远离相应梳柄部分的一端。
实施例一
正如背景技术所述，现有技术中采用梳状电极结构的阵列基板存在光透过率低的问题。本发明的发明人经研究发现，产生上述问题的原因之一在于：如图1和2所示，由于现有技术中像素电极1与公共电极2形成于同一构图工艺中，因此在刻蚀像素电极1与公共电极2之间的电极材料，以形成像素电极1和公共电极2的图形的过程中，受到工艺能力的限制，像素电极1与公共电极2之间会有电极材料残留，电极材料的残留问题在像素电极1的梳齿部分的端部和公共电极2的梳齿部分的端部，即图1中所示出的X处，尤其严重。如果在X处像素电极1与公共电极2之间的间隙d过小，则在X处二者之间会残留较多的电极材料，导致二者无法完全地隔开，引起像素电极1上的信号与公共电极2上的信号之间串扰。为了避免由电极材料残留所引起的信号串扰，间隙d需要足够大才能使二者完全隔开，通常间隙d应至少为6μm。但是，在X处间隙d的存在会导致液晶分子排列混乱，液晶分子不能偏转到位，即液晶效率低，从而导致光透过率降低，间隙d越大，这种情况越严重。以间隙d为6μm的情况来说，阵列基板的光透过率仅为像素电极与公共电极之间没有间隙的阵列基板的86.3％。
基于上述研究结果，本发明的实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图3、4a～4e、5、6所示，该制造方法包括以下步骤：
步骤S1：如图3所示，在衬底基板3上依次形成第一导电薄膜6′和钝化层薄膜5′。其中，第一导电薄膜6′由透明导电材料形成，透明导电材料例如可为ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)、IZO(IndiumZincOxide，氧化铟锌)等。在本步骤中，改变了第一导电薄膜6′和钝化层薄膜5′的形成顺序，将现有技术中先形成钝化层5再形成像素电极1和公共电极2的顺序改变为先形成第一导电薄膜6′和钝化层薄膜5′，目的是为了在后续步骤中将形成第一电极的步骤和形成钝化层的步骤合并在一次构图工艺中，同时将形成第一电极的步骤和形成第二电极的步骤分开在两次构图工艺中。
需要说明的是，在形成所述第一导电薄膜6′之前，即在步骤S1之前，本实施例所提供的阵列基板的制造方法还可包括在衬底基板3上形成栅极绝缘层4的步骤。此外，在形成栅极绝缘层4之前还可包括形成栅极和栅极线的图形的步骤，形成栅极和栅极线的图形可采用一次构图工艺；在形成栅极绝缘层4之后、形成第一导电薄膜6′之前还可包括形成有源层、源极、漏极和数据线的图形的步骤，形成有源层、源极、漏极和数据线的图形可采用一次构图工艺，该构图工艺中所采用的掩膜版为半灰阶掩膜版。其中，所形成的栅极、有源层、源极和漏极形成了薄膜晶体管。
步骤S2：如图4a～4e所示，采用一次构图工艺，去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜，形成钝化层5的图形和第一电极6的图形。本步骤中，通过一次构图工艺形成了钝化层5和第一电极6，钝化层5覆盖在第一电极6的上方，并且在薄膜晶体管所在的区域，由于第一电极6与薄膜晶体管的源漏金属层之间不存在钝化层，因此第一电极6与薄膜晶体管的源漏金属层直接接触形成电连接。
可选的，步骤S2具体包括以下步骤：
步骤21：如图4a所示，在钝化层薄膜5′上形成具有第一电极图形的光刻胶层7。
步骤22：如图4b所示，以光刻胶层7为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜，剩余的处于待形成第一电极区域内的钝化层薄膜形成钝化层5的图形。
步骤23：如图4c所示，继续以光刻胶层7为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的第一导电薄膜，剩余的处于待形成第一电极区域内的第一导电薄膜形成第一电极6的图形。
步骤24：如图4d所示，继续以光刻胶层7为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的栅极绝缘层，剩余的处于待形成第一电极区域内的栅极绝缘层形成栅极绝缘层4的图形。通过本步骤，第一电极6位于栅极绝缘层4上，而后续形成的第二电极却直接形成在没有栅极绝缘层4覆盖的区域上，从而使第一电极6与后续形成的第二电极之间形成一定的段差。
需要说明的是，本步骤将栅极绝缘层4中处于待形成第一电极区域以外的部分去除，形成了具有一定图形的栅极绝缘层4，但是栅极绝缘层4的形状并不限定于此，在本发明的其它实施例中，也可省略步骤24，保留整层覆盖的栅极绝缘层4。
步骤S25：如图4e所示，去除覆盖在钝化层5上的光刻胶层7。
步骤S3：如图5所示，在具有钝化层5的图形和第一电极6的图形的衬底基板3上形成第二导电薄膜8′。其中，第二导电薄膜8′由透明导电材料形成，透明导电材料例如可为ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)、IZO(IndiumZincOxide，氧化铟锌)等。
步骤S4：如图6所示，采用一次构图工艺，去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜，形成第二电极8的图形。本步骤中，通过一次构图工艺形成了第二电极8，从而第一电极6和第二电极8分别在不同的构图工艺中形成。
通过采用步骤S1～S4所述的阵列基板的制造方法，由于第一电极6在先形成于一次构图工艺中，第二电极8在后形成于另外一次构图工艺中，因此在实现二者电性绝缘的过程中，仅需将第二导电薄膜8′中覆盖在待形成第二电极的区域以外的部分全部去除，就能够在形成第二电极8的图形的同时，实现第一电极6与第二电极8的电性绝缘，从而第一电极6与第二电极8之间是否完全隔开并不像现有技术中受到工艺能力的限制，且并不取决于二者之间的间隙大小。也就是说，采用本实施例所提供的方法，能够保证在第一电极6与第二电极8完全隔开，二者之间的信号串扰在可接受范围以内的前提下，二者之间的间隙能够设置得较小。由于第一电极6与第二电极8之间的间隙能够设置得较小，因此就消除了由于间隙过大所引起的液晶分子排列混乱进而导致光透过率降低的问题，从而有效地提高了阵列基板的光透过率。
进一步的，如果在形成第一电极6之后，如步骤24所述刻蚀栅极绝缘层4，形成栅极绝缘层4的图形，使第一电极6与第二电极8之间形成段差，则能够提高第一电极6与第二电极8之间的电绝缘效果，从而使得二者之间的间隙能够设置的更小，进一步改善间隙存在所引起的光透过率下降问题，进而进一步提高阵列基板的光透过率。
并且，在本实施例所提供的阵列基板的制造方法中，制备第一电极6与钝化层5使用了一次构图工艺，制备第二电极8使用了一次构图工艺，即制备钝化层5、第一电极6和第二电极8一共使用了两次构图工艺，这与现有技术相比，制备相同膜层所使用的构图工艺次数并没有增加，因此本实施例所提供阵列基板的制造方法在带来上述有益效果的同时，不会导致工艺步骤的增加。
此外，需要说明的是，在上述制造方法中，由于第一电极6与钝化层5形成于同一次构图工艺中，且钝化层5位于第一电极6的上方，因此后续所形成的第二导电薄膜8′不会或很少与第一电极6发生粘连，从而保证了在第一电极6与第二电极8之间的间隙较小的情况下，第一电极6与第二电极8之间电极材料的残留很少，二者之间由电极材料残留所引起的信号串扰在可接受范围之内。
在第一电极6和第二电极8均为梳状电极，且第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影与第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影交替排布的情况下，上述制造方法中所述的“间隙”具体可指：第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙，和/或第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙。优选的，第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙小于6μm，且第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙小于6μm。更为优选的是，第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影交叠；或者，第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板上的垂直投影交叠；或者，第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影交叠，且第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影交叠。
上述制造方法中，第一电极6具体可为像素电极，第二电极8具体可为公共电极；或者，第一电极6具体可为公共电极，第二电极8具体可为像素电极。
实施例二
本实施例提供了一种阵列基板，如图6所示，该阵列基板包括：衬底基板3，设置于衬底基板3上的第一电极6，覆盖第一电极6且与第一电极6的形状大致相同的钝化层5，设置于衬底基板3上的第二电极8。其中，第一电极6与第二电极8之间能够形成电场，该电场可包括平行于衬底基板3的水平电场，用于驱动液晶分子偏转。
在上述阵列基板中，由于钝化层5与第一电极6的形状大致相同，因此钝化层5能够与第一电极6形成于同一次构图工艺下，并且由于钝化层5覆盖在第一电极6上，因此第一电极6能够与第二电极8形成于不同的构图工艺中，且第一电极6和钝化层5在先形成，第二电极8在后形成。由于第一电极6能够与第二电极8形成于不同的构图工艺，因此第一电极6与第二电极8之间的间隙不受工艺能力的限制，二者之间的间隙能够设置得较小，同时能够保证二者完全隔开，二者之间的信号串扰在可接受范围以内。由于第一电极6与第二电极8之间的间隙能够设置得较小，因此消除了由于间隙过大所导致的光透过率降低的问题，从而有效地提高了阵列基板的光透过率。
并且，由于第一电极6与钝化层5使用一次构图工艺制备，第二电极8使用一次构图工艺制备，因此本实施例所提供的阵列基板的结构并没有造成构图工艺次数的增加。
本实施例中，第一电极6可为梳状电极，其结构可参见图1中的像素电极1的结构，具体而言，第一电极6的结构包括：梳齿部分，梳齿部分包括多个相互平行且间隔设置的梳齿；设置于梳齿部分一侧且与梳齿部分相连的梳柄部分，梳柄部分与梳齿部分的各梳齿大致地相互垂直。第二电极8也可为梳状电极，其结构可参见图1中的公共电极2的结构，具体而言，第二电极8的结构与第一电极6的结构基本相同，也包括梳齿部分和梳柄部分。第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影与第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影交替排列；第一电极6和第二电极8在衬底基板3上的垂直投影中，第一电极6和第二电极8各自的梳齿部分均处于第一电极6的梳柄部分与第二电极8梳柄部分之间。
由于第一电极6和第二电极8之中的一者会被施加公共电压信号，数据线会被施加像素电压信号，如果第一电极6和第二电极8各自的梳齿的延伸方向与数据线的延伸方向大致相同，被施加像素电压信号的数据线会与第一电极6和第二电极8之中被施加公共电压信号的一方之间产生电场，造成像素边缘(该像素边缘靠近数据线)处的液晶分子的偏转情况与理想情况偏差较大，引起像素边缘漏光。为了避免上述漏光问题，本实施例中第一电极6和第二电极8各自的梳齿的延伸方向优选的与数据线的延伸方向大致地相垂直，从而极大地减小了数据线与电极(第一电极6或第二电极8)之间由于所施加的电压信号不同而形成的电场，有效地改善了由此引起的漏光问题。
本实施例中，第一电极6与第二电极8之间的间隙可设置的较小，优选的，第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙可小于6μm，且第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影之间的间隙也可小于6μm，从而有效地消除了间隙存在所引起的光透过率下降的问题。
更为优选的是，由于第一电极6的上方有钝化层5覆盖，且第一电极6和钝化层5先于第二电极8形成，因此第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影可以与第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部交叠；或者，第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影交叠；或者，第二电极8的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影可以与第一电极6的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部交叠，且第二电极8的梳齿部分所包括的多个梳齿在衬底基板3上的垂直投影的端部与第一电极6的梳柄部分在衬底基板3上的垂直投影交叠。通过上述结构，可以彻底消除第一电极6和第二电极8中一方的梳齿部分所包括的多个梳齿的端部与另一方的梳柄部分之间的间隙，从而最大程度地消除间隙存在所引起的光透过率下降的问题。
需要说明的是，由于第一电极6与钝化层5的形状大致相同，第一电极6的侧面并未被钝化层5覆盖，因此若第一电极6和后续形成的第二电极8在衬底基板3上的垂直投影交叠，第二电极8可能会与第一电极6的侧面发生电接触。为了防止上述问题发生，可以在刻蚀钝化层5与第一电极6的过程中分别调整二者的刻蚀速率或其它刻蚀工艺参数，使最终刻蚀得到的钝化层5的宽度略大于第一电极6的宽度，这样后续形成的第二电极8会与第一电极6的侧面之间存在一定的间隙，从而第二电极8会与第一电极6的侧面不会发生电接触。
如图6所示，本实施例所提供的阵列基板还可包括：设置于第一电极6下方且与第一电极6的形状大致相同的栅极绝缘层4，这种结构使得第一电极6的下方具有栅极绝缘层4，而第二电极8的下方却没有栅极绝缘层4，从而第一电极6与第二电极8之间形成段差，提高了第一电极6与第二电极8之间的电绝缘效果，使得二者之间的间隙能够设置的更小，进一步提高了阵列基板的光透过率。并且，由于栅极绝缘层4与第一电极6的形状大致相同，因此栅极绝缘层4能够与第一电极6形成于同一构图工艺下，也就是说，钝化层5、第一电极6和栅极绝缘层4能够形成于同一构图工艺下，从而不会增加构图次数。
上述阵列基板中，第一电极6可为像素电极，第二电极8可为公共电极；或者，第一电极2为公共电极，第二电极8为像素电极。
实施例三
本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如实施例二所述的阵列基板。由于实施例二所述的阵列基板中第一电极与第二电极之间的间隙可以设置的较小，光透过率较高，并且第一电极与第二电极之间的信号串扰在可接受范围之内，因此包括该阵列基板的显示装置也具有光透过率高和信号串扰在可接受范围之内的优点。
需要说明的是，本实施例所提供的显示装置优选为液晶显示装置，具体可为液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：
在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和钝化层薄膜；
采用一次构图工艺，去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜，形成钝化层的图形和第一电极的图形；
在具有所述钝化层的图形和所述第一电极的图形的衬底基板上形成第二导电薄膜；
采用一次构图工艺，去除待形成第二电极区域以外的第二导电薄膜，形成第二电极的图形。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺，去除待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜和第一导电薄膜，形成钝化层的图形和第一电极的图形包括：
在所述钝化层薄膜上形成具有第一电极图形的光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的钝化层薄膜，形成钝化层的图形；
继续以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的第一导电薄膜，形成第一电极的图形。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：
在形成所述第一导电薄膜之前，在衬底基板上形成栅极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：
在形成所述第一电极的图形之后，且在形成所述第二导电薄膜之前，继续以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀待形成第一电极区域以外的栅极绝缘层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为梳状电极，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影交替排布，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm，且所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠；或者，
所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠；或者，
所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠，且所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠。
7.根据权利要求1～6任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：
在形成所述第一导电薄膜之前，采用一次构图工艺，在衬底基板上形成栅极和栅极线的图形；
采用一次构图工艺，在具有所述栅极的图形的衬底基板上形成有源层、源极、漏极和数据线的图形。
8.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
设置于所述衬底基板上的第一电极；
覆盖所述第一电极且与所述第一电极的形状大致相同的钝化层；
设置于所述衬底基板上的第二电极；
其中，所述第一电极与所述第二电极之间能够形成电场。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为梳状电极，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影交替排布，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm，且所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影之间的间隙小于6μm。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠；或者，
所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠；或者，
所述第一电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第二电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠，且所述第二电极的多个梳齿在所述衬底基板上的垂直投影的端部与所述第一电极的梳柄部分在所述衬底基板上的垂直投影交叠。
11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置于所述第一电极下方且与所述第一电极的形状大致相同的栅极绝缘层。
12.根据权利要求8～11任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；或者，
所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8～12任一项所述的阵列基板。
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