CN105093750B - Tft阵列基板结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板结构及其制作方法。该TFT阵列基板结构，设置有分别与每行公共电极(15)对应的用于连接该行公共电极(15)的多条横向公共电极线(17)、分别与每列公共电极(15)对应的用于连接该列公共电极(15)的多条纵向公共电极线(43)，所述多条横向公共电极线(17)与多条纵向公共电极线(43)相互交织成网状，能够使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀，提升液晶显示面板的画面显示品质。

Description

TFT阵列基板结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板结构及其制作方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)型。其中IPS型、与FFS液晶显示面板中的液晶分子相对于基板面平行取向，通过对液晶层施加横向电场来控制液晶分子的旋转。
TFT阵列基板是液晶显示器的重要组成部分。TFT阵列基板通常包括数据线、扫描线、公共电极、用于连接公共电极的公共电极线、像素电极和TTF。每个像素电性连接一个TFT，TFT的栅极(Gate)连接至水平的扫描线，TFT的源极(Source)连接至竖直方向的数据线，漏极(Drain)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到显示的效果。
传统TFT阵列基板一般只设置用来连接一行公共电极的横向公共电极线，对于大尺寸和高分比率的液晶显示面板，仅设置横向公共电极线使得公共电极的驱动能力已不足以满足公共电压均匀性的需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板结构，使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀，提升液晶显示面板的画面显示品质。
本发明的目的还在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，能够提高液晶显示面板内公共电压的均匀性，提升液晶显示面板的画面显示品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板结构，包括：
多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线；
多条沿竖直方向间隔设置的数据线，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线与多条沿竖直方向间隔设置的数据线相互绝缘交错，划分出多个子像素区域；
呈矩阵式排列的多个公共电极，每一公共电极对应位于一子像素区域内；
分别与每行公共电极对应的用于连接该行公共电极的多条横向公共电极线；
分别与每列公共电极对应的用于连接该列公共电极的多条纵向公共电极线；所述多条横向公共电极线与多条纵向公共电极线相互交织成网状；
与每一公共电极相对设置的像素电极；以及
对应每一像素电极设置的TFT。
所述横向公共电极线与所述栅极扫描线由同种金属材料经同一制程形成，所述纵向公共电极线与所述数据线由同种金属材料经同一制程形成。
所述TFT阵列基板结构还包括：一栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线、公共电极、TFT的栅极、与横向公共电极线，所述横向公共电极线与所述公共电极重叠或抵接以连通，所述纵向公共电极线经由贯穿该栅极绝缘层的第一过孔连接于公共电极与横向公共电极线；
一绝缘保护层，覆盖所述数据线、纵向公共电极线、与所述TFT的源极及漏极，所述梳形像素电极经由贯穿该绝缘保护层的第二过孔连接于所述TFT的漏极或源极。
所述第一过孔的形状为长条形，所述第二过孔的形状为圆形。
所述公共电极与像素电极的材料均为ITO，厚度均为
所述栅极扫描线、横向公共电极线、数据线、纵向公共电极线、及所述TFT的栅极、源极、与漏极的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，先在所述基板上依次沉积透明电极层、第一金属层，然后涂布光阻，通过灰色调掩膜板进行曝光、显影，先后对所述第一金属层进行第一次湿蚀刻，对所述透明导电层进行湿蚀刻、烧光阻、对所述第一金属层进行第二次湿蚀刻、剥离光阻，形成栅极扫描线、与栅极扫描线一体的栅极、公共电极、及平行于栅极扫描线设于公共电极上的横向公共电极线；
步骤2、在所述公共电极、栅极扫描线、栅极、及横向公共电极线上沉积栅极绝缘层，并对该栅极绝缘层进行图案化处理，形成贯穿该栅极绝缘层的第一过孔，以暴露出所述公共电极的部分表面、及横向公共电极线的部分表面；
步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层；
步骤4、在所述岛状有源层和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线、平行于数据线的纵向公共电极线、与数据线一体并连接所述岛状有源层的源极、及连接所述岛状有源层的漏极，所述纵向公共电极线经由所述第一过孔连接于公共电极与横向公共电极线；
所述栅极、源极、漏极与岛状有源层构成TFT；
步骤5、在所述数据线、纵向公共电极线、源极、及漏极上沉积绝缘保护层，并对该绝缘保护层进行图案化处理，形成第二过孔，以暴露出所述漏极或源极的部分表面；
步骤6、在所述绝缘保护层上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成与公共电极相对设置的像素电极，所述像素电极经由第二过孔连接于所述漏极或源极。
所述第一过孔的形状为长条形，所述第二过孔的形状为圆形。
所述步骤1通过物理气相沉积工艺依次沉积透明电极层、第一金属层；
所述步骤2通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层，对该栅极绝缘层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤3通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤4通过物理气相沉积工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤5通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤6通过物理气相沉积工艺沉积透明电极层，对该透明电极层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述步骤1中的第一金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为所述步骤4中的第二金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤1中的透明电极层的材料为ITO，厚度为所述步骤6中的透明电极层的材料为ITO，厚度为
所述步骤2中的栅极绝缘层的材料为氮化硅，厚度为所述步骤3中的半导体膜的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为所述步骤5中的绝缘保护层的材料为氮化硅，厚度为
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT阵列基板结构，设置多条横向公共电极线与多条纵向公共电极线相互交织成网状，横向公共电极线与栅极扫描线由同种金属材料经同一制程形成，纵向公共电极线与数据线由同种金属材料经同一制程形成，纵向公共电极线经由贯穿栅极绝缘层的第一过孔连接于公共电极与横向公共电极线，能够使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀，提升液晶显示面板的画面显示品质。本发明提供的一种TFT阵列基板的制作方法，采用第一金属层形成栅极扫描线与平行于栅极扫描线的横向公共电极线，采用第二金属层形成数据线与平行于数据线的纵向公共电极线，并通过贯穿栅极绝缘层的第一过孔将纵向公共电极线连接于公共电极与横向公共电极线，多条横向公共电极线与多条纵向公共电极线相互交织成网状，能够提高液晶显示面板内公共电压的均匀性，提升液晶显示面板的画面显示品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的TFT阵列基板结构的俯视示意图；
图2为本发明的TFT阵列基板的制作方法的流程图；
图3为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤2的示意图；
图5为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤3的示意图；
图6为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤4的示意图；
图7为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤5的示意图；
图8为本发明的TFT阵列基板的制作方法的步骤6的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种TFT阵列基板结构，包括：
多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线11；
多条沿竖直方向间隔设置的数据线41，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线11与多条沿竖直方向间隔设置的数据线41相互绝缘交错，划分出多个子像素区域；
呈矩阵式排列的多个公共电极15，每一公共电极15对应位于一子像素区域内，本实施例中的公共电极15呈平板形；
分别与每行公共电极15对应的用于连接该行公共电极15的多条横向公共电极线17，且所述横向公共电极线17与栅极扫描线11由同种金属材料经同一制程形成，以节省制程；
分别与每列公共电极15对应的用于连接该列公共电极15的多条纵向公共电极线43，且所述纵向公共电极线43与数据线41由同种金属材料经同一制程形成，以节省制程；所述多条横向公共电极线17与多条纵向公共电极线43相互交织成网状；
与每一公共电极15相对设置的像素电极60，本实施例中的像素电极60呈梳形，能够与公共电极15之间形成横向电场；以及
对应每一像素电极60设置的TFTT；
一栅极绝缘层(未图示)覆盖所述栅极扫描线11、公共电极15、TFT T的栅极13、与横向公共电极线17，所述纵向公共电极线43经由贯穿该栅极绝缘层的第一过孔21连接于公共电极15与横向公共电极线17；
一绝缘保护层(未图示)覆盖所述数据线41、纵向公共电极线43、与所述TFT T的源极45及漏极47，所述梳形像素电极60经由贯穿该绝缘保护层的第二过孔51连接于所述TFTT的漏极47或源极45。
在本实施例中，横向公共电极线17与公共电极15是通过上下重叠来实现相互连通的；可以理解的是，本实施例只是提供一种优选实施方式，并不用于限定本发明，横向公共电极线17与公共电极15还可以通过同一平面内的相互抵接连通、或通过过孔连通，具体的连通方式在此不作具体限定。
优选的，横向公共电极线17与栅极扫描线11平行设置，数据线41与纵向公共电极线43平行设置。
可以理解的是，像素电极60不限于本实施例中的梳形，还可以是平板形等其它常见的像素形状；公共电极15同样不限于本实施例中的平板形，也可以是梳形等其它常见的像素形状。
优选的，每一子像素区域内的第一过孔21的形状均为长条形，其面积略小于或等于公共电极线43与该子像素区域内公共电极15的重叠面积，且第一过孔21位于公共电极线43与该子像素区域内公共电极15的重叠范围以内，以使得纵向公共电极线43与公共电极15之间的接触面积较大，阻抗较小；所述第二过孔51的形状为圆形。
所述公共电极15与像素电极60的材料均为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，厚度均为所述栅极扫描线11、横向公共电极线17、数据线41、纵向公共电极线43、及所述TFT T的栅极13、源极45、与漏极47的材料均为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的组合，厚度均为
由于多条横向公共电极线17与多条纵向公共电极线43相互交织成网状，纵向公共电极线43经由贯穿栅极绝缘层的第一过孔21连接于公共电极15与横向公共电极线17，能够使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀，提升液晶显示面板的画面显示品质；而横向公共电极线17与纵向公共电极线43的形成不用增加额外的工序和制程，从而不会造成生产成本和生产时间的增加。
请参阅图2，本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3所示(仅示意出一个子像素区域为例)，提供一基板，先在所述基板上依次沉积透明电极层、第一金属层，然后涂布光阻，通过灰色调掩膜板进行曝光、显影，先后对所述第一金属层进行第一次湿蚀刻，对所述透明导电层进行湿蚀刻、烧光阻、对所述第一金属层进行第二次湿蚀刻、剥离光阻，形成栅极扫描线11、与栅极扫描线11一体的栅极13、公共电极15、及平行于栅极扫描线11设于公共电极15上的横向公共电极线17。
具体地，该步骤1通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺依次沉积透明电极层、第一金属层。
所述第一金属层的材料为Mo、Al、Cu中的一种或多种的组合，厚度为
所述透明电极层的材料为ITO，厚度为
步骤2、如图4所示(仅示意出一个子像素区域为例)，在所述公共电极15、栅极扫描线11、栅极13、及横向公共电极线17上沉积栅极绝缘层(未图示)，并对该栅极绝缘层进行图案化处理，形成贯穿该栅极绝缘层的第一过孔21，以暴露出所述公共电极15的部分表面、及横向公共电极线17的部分表面，优选的，所述第一过孔21的形状为长条形。
具体地，该步骤2通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)工艺沉积栅极绝缘层，对该栅极绝缘层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻。
所述栅极绝缘层的材料为氮化硅(SiNx)，厚度为
步骤3、如图5所示(仅示意出一个子像素区域为例)，在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层30。
具体地，该步骤3通过PECVD工艺沉积半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻。
所述半导体膜的材料为非晶硅(a-Si)与n型重掺杂(n+)非晶硅，厚度为
步骤4、如图6所示(仅示意出一个子像素区域为例)，在所述岛状有源层30和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线41、平行于数据线41的纵向公共电极线43、与数据线41一体并连接所述岛状有源层30的源极45、及连接所述岛状有源层30的漏极47，所述纵向公共电极线43经由所述第一过孔21连接于公共电极15与横向公共电极线17。所述栅极13、源极45、漏极47与岛状有源层30构成TFT T。
具体地，该步骤4通过PVD工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述第二金属层的材料为Mo、Al、Cu中的一种或多种的组合，厚度为
步骤5、如图7所示(仅示意出一个子像素区域为例)，在所述数据线41、纵向公共电极线43、源极45、及漏极47上沉积绝缘保护层(未图示)，并对该绝缘保护层进行图案化处理，形成第二过孔51，以暴露出所述漏极47或源极45的部分表面，优选的，所述第二过孔51的形状为圆形。
具体地，该步骤5通过PECVD沉积工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻。
所述绝缘保护层的材料为SiNx，厚度为
步骤6、如图8所示(仅示意出一个子像素区域为例)在所述绝缘保护层上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成与公共电极15相对设置的像素电极60，所述像素电极60经由第二过孔51连接于所述漏极47或源极45。
具体地，该步骤6通过PVD工艺沉积透明电极层，对该透明电极层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
所述透明电极层的材料为ITO，厚度为
上述TFT阵列基板的制作方法，采用第一金属层形成栅极扫描线11与平行于栅极扫描线11的横向公共电极线17，采用第二金属层形成数据线41与平行于数据线41的纵向公共电极线43，并通过贯穿栅极绝缘层的第一过孔21将纵向公共电极线43连接于公共电极15与横向公共电极线17，多条横向公共电极线17与多条纵向公共电极线43相互交织成网状，能够提高液晶显示面板内公共电压的均匀性，提升液晶显示面板的画面显示品质。
综上所述，本发明的TFT阵列基板结构，设置多条横向公共电极线与多条纵向公共电极线相互交织成网状，横向公共电极线与栅极扫描线由同种金属材料经同一制程形成，纵向公共电极线与数据线由同种金属材料经同一制程形成，纵向公共电极线经由贯穿栅极绝缘层的第一过孔连接于公共电极与横向公共电极线，能够使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀，提升液晶显示面板的画面显示品质。本发明的TFT阵列基板的制作方法，采用第一金属层形成栅极扫描线与平行于栅极扫描线的横向公共电极线，采用第二金属层形成数据线与平行于数据线的纵向公共电极线，并通过贯穿栅极绝缘层的第一过孔将纵向公共电极线连接于公共电极与横向公共电极线，多条横向公共电极线与多条纵向公共电极线相互交织成网状，能够提高液晶显示面板内公共电压的均匀性，提升液晶显示面板的画面显示品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种TFT阵列基板结构，其特征在于，包括：
多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)；
多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)相互绝缘交错，划分出多个子像素区域；
呈矩阵式排列的多个公共电极(15)，每一公共电极(15)对应位于一子像素区域内；
分别与每行公共电极(15)对应的用于连接该行公共电极(15)的多条横向公共电极线(17)；
分别与每列公共电极(15)对应的用于连接该列公共电极(15)的多条纵向公共电极线(43)；所述多条横向公共电极线(17)与多条纵向公共电极线(43)相互交织成网状；
与每一公共电极(15)相对设置的像素电极(60)；以及
对应每一像素电极(60)设置的TFT(T)；
所述横向公共电极线(17)与所述栅极扫描线(11)由同种金属材料经同一制程形成，所述纵向公共电极线(43)与所述数据线(41)由同种金属材料经同一制程形成；
还包括：
一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线(11)、公共电极(15)、TFT(T)的栅极(13)、与横向公共电极线(17)，所述横向公共电极线(17)与所述公共电极(15)重叠或抵接以连通，所述纵向公共电极线(43)经由贯穿该栅极绝缘层的第一过孔(21)连接于公共电极(15)和/或横向公共电极线(17)；
一绝缘保护层，覆盖所述数据线(41)、纵向公共电极线(43)、与所述TFT(T)的源极(45)及漏极(47)，所述像素电极(60)经由贯穿该绝缘保护层的第二过孔(51)连接于所述TFT(T)的漏极(47)或源极(45)；
所述第一过孔(21)的形状为长条形，所述第二过孔(51)的形状为圆形；
所述第一过孔(21)的面积小于或等于公共电极线(43)与该子像素区域内公共电极(15)的重叠面积，且第一过孔(21)位于公共电极线(43)与该子像素区域内公共电极(15)的重叠范围以内。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述公共电极(15)与所述像素电极(60)的材料均为ITO，厚度均为
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述栅极扫描线(11)、横向公共电极线(17)、数据线(41)、纵向公共电极线(43)、及所述TFT(T)的栅极(13)、源极(45)、与漏极(47)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为
4.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，先在所述基板上依次沉积透明电极层、第一金属层，然后涂布光阻，通过灰色调掩膜板进行曝光、显影，先后对所述第一金属层进行第一次湿蚀刻，对所述透明导电层进行湿蚀刻、烧光阻、对所述第一金属层进行第二次湿蚀刻、剥离光阻，形成栅极扫描线(11)、与栅极扫描线(11)一体的栅极(13)、公共电极(15)、及平行于栅极扫描线(11)设于公共电极(15)上的横向公共电极线(17)；
步骤2、在所述公共电极(15)、栅极扫描线(11)、栅极(13)、及横向公共电极线(17)上沉积栅极绝缘层，并对该栅极绝缘层进行图案化处理，形成贯穿该栅极绝缘层的第一过孔(21)，以暴露出所述公共电极(15)的部分表面、及横向公共电极线(17)的部分表面；
步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层(30)；
步骤4、在所述岛状有源层(30)和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线(41)、平行于数据线(41)的纵向公共电极线(43)、与数据线(41)一体并连接所述岛状有源层(30)的源极(45)、及连接所述岛状有源层(30)的漏极(47)，所述纵向公共电极线(43)经由所述第一过孔(21)连接于公共电极(15)与横向公共电极线(17)；
所述栅极(13)、源极(45)、漏极(47)与岛状有源层(30)构成TFT(T)；
步骤5、在所述数据线(41)、纵向公共电极线(43)、源极(45)、及漏极(47)上沉积绝缘保护层，并对该绝缘保护层进行图案化处理，形成第二过孔(51)，以暴露出所述漏极(47)或源极(45)的部分表面；
步骤6、在所述绝缘保护层上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处理，形成与公共电极(15)相对设置的像素电极(60)，所述像素电极(60)经由第二过孔(51)连接于所述漏极(47)或源极(45)；
所述第一过孔(21)的形状为长条形，所述第二过孔(51)的形状为圆形；
所述第一过孔(21)的面积小于或等于公共电极线(43)与一子像素区域内公共电极(15)的重叠面积，且第一过孔(21)位于公共电极线(43)与一子像素区域内公共电极(15)的重叠范围以内。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1通过物理气相沉积工艺依次沉积透明电极层、第一金属层；
所述步骤2通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层，对该栅极绝缘层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤3通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积半导体膜，对该半导体膜进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤4通过物理气相沉积工艺沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理包括曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤5通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积绝缘保护层，对该绝缘保护层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、及剥离光阻；
所述步骤6通过物理气相沉积工艺沉积透明电极层，对该透明电极层进行图案化处理包括涂光阻、通过掩膜板进行曝光、显影、湿蚀刻、及剥离光阻。
6.如权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的第一金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为 所述步骤4中的第二金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为
所述步骤1中的透明电极层的材料为ITO，厚度为所述步骤6中的透明电极层的材料为ITO，厚度为
所述步骤2中的栅极绝缘层的材料为氮化硅，厚度为所述步骤3中的半导体膜的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为所述步骤5中的绝缘保护层的材料为氮化硅，厚度为
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