CN111474780B - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板和液晶显示面板，该阵列基板包括衬底；透明公共电极层，形成于衬底上，连接低电位的公共电信号；驱动电路层，形成于透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；像素电极层，形成于驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极。该阵列基板通过在衬底和驱动电路层之间设置透明的公共电极层，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率，促进了高解析度高刷新频率的高阶产品的发展和应用。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，人们对高解析度高刷新频率的高阶产品的需求逐渐增加，随着解析度的不断增加，像素的尺寸不断减小，这严重影响了显示面板的穿透率。显示面板开口率的大小是决定显示面板穿透率的重要因素，因此，提高显示面板的开口率是亟待解决的技术难题。
因此，现有液晶显示面板存在开口率低的问题，需要解决。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，以改进现有液晶显示面板存在开口率低的问题。
为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种阵列基板，其包括：
衬底；
透明公共电极层，形成于所述衬底上，连接低电位的公共电信号；
驱动电路层，形成于所述透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；
像素电极层，形成于所述驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极。
在本发明提供的阵列基板中，所述透明公共电极层为整层设置，形成屏蔽电极，用于屏蔽所述驱动电路层内数据线与所述像素电极之间的电场。
在本发明提供的阵列基板中，所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线和薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板，所述屏蔽电极作为所述电容的第一电极板。
在本发明提供的阵列基板中，所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线、薄膜晶体管的栅极、以及存储电容的第一电极板，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板，所述第一电极板通过过孔与所述屏蔽电极连接。
在本发明提供的阵列基板中，所述透明公共电极层图案化形成屏蔽电极，所述数据线在所述衬底上的投影位于所述屏蔽电极在所述衬底上的投影内；所述屏蔽电极连接低电位的公共电信号，用于屏蔽所述驱动电路层内数据线与所述像素电极之间的电场。
在本发明提供的阵列基板中，所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线和薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板，所述透明公共电极层图案化还形成所述电容的第一电极板，所述第一电极板与所述屏蔽电极连接。
在本发明提供的阵列基板中，所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线、薄膜晶体管的栅极、以及存储电容的第一电极板，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板，所述第一电极板通过过孔与所述屏蔽电极连接。
在本发明提供的阵列基板中，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述数据线与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所述存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述像素电极连接。
在本发明提供的阵列基板中，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述像素区包括主像素区和副像素区，所述像素电极包括位于所述主像素区内的主像素电极和位于所述副像素区内的副像素电极，所述薄膜晶体管包括主薄膜晶体管、副薄膜晶体管、以及分享薄膜晶体管，所述电容包括主存储电容和副存储电容；
所述数据线与所述主薄膜晶体管的漏极、所述副薄膜晶体管的漏极连接，所述主薄膜晶体管的源极与所述主存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述主像素电极连接，所述副薄膜晶体管的源极与所述副存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述副像素电极连接，所述分享薄膜晶体管的漏极与所述主薄膜晶体管的源极连接，所述分享薄膜晶体管的源极通过过孔与所述透明公共电极层连接。
同时，本发明提供一种液晶显示面板，其包括本发明提供的任一所述阵列基板、与所述阵列基板对合设置的彩膜基板、以及填充于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶。
本发明提供了一种阵列基板和液晶显示面板，该阵列基板包括衬底；透明公共电极层，形成于衬底上，连接低电位的公共电信号；驱动电路层，形成于透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；像素电极层，形成于驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极。该阵列基板通过在衬底和驱动电路层之间设置透明的公共电极层，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率，促进了高解析度高刷新频率的高阶产品的发展和应用。更进一步的，透明公共电极层包括屏蔽电极，透明的屏蔽电极不受宽度限制，能最大限度的屏蔽数据线和像素电极之间的电场，起到良好的遮光效果，缓解液晶显示面板的漏光问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。
图2为本发明实施例提供的阵列基板的第一种膜层结构拆解示意图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板的第二种膜层结构拆解示意图。
图4为图2或图3中各膜层的叠加结构示意图。
图5为本发明实施例提供的阵列基板的第三种膜层结构拆解示意图。
图6为本发明实施例提供的阵列基板的第四种膜层结构拆解示意图。
图7为图5或图6中各膜层的叠加结构示意图。
图8为本发明实施例提供的阵列基板的第五种平面膜层结构示意图。
图9为图8中各膜层的叠加结构示意图。
图10为本发明实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
图11为现有技术和本发明实施例提供的液晶显示面板的漏光程度的模拟分析图。
图12为本发明实施例提供的液晶显示面板的第一种电路图。
图13为本发明实施例提供的液晶显示面板的第二种电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有液晶显示面板存在开口率低的问题，本发明提供一种阵列基板可以缓解这个问题。
在一种实施例中，请参照图1至图7所示，本发明提供的阵列基板包括：
衬底110；
透明公共电极层120，形成于衬底110上，连接低电位的公共电信号；
驱动电路层130，形成于透明公共电极层120上，形成像素的驱动电路；
像素电极层140，形成于驱动电路层130上，图案化形成像素的像素电极。
本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板通过在衬底和驱动电路层之间设置透明的公共电极层，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率，促进了高解析度高刷新频率的高阶产品的发展和应用。
在一种实施例中，请参照图1，图1位本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。从剖面结构来看，本发明实施例提供的阵列基板具体包括：
衬底110，一般包括刚性玻璃衬底和柔性衬底，柔性衬底一般包括第一有机衬底、第二有机衬底、以及第一柔性衬底和第二柔性衬底之间的无机衬底，第一有机衬底和第二有机衬底的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料；无机衬底的材料一般为氧化硅，用于阻挡外界的杂质粒子进入基板和隔绝水氧。
透明公共电极层120，形成于衬底110上，透明公共电极层120为透明的金属导电薄膜，其材料包括单不限制于氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxide，简称IZO)、氧化铝锡(Aluminum Tin Oxide，简称ATO)、氧化铝锌(AluminumZinc Oxide，简称AZO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
第一绝缘层131，形成于透明公共电极层120上，且覆盖透明公共电极层120，用于隔绝透明公共电极层120。第一绝缘层131的材料一般包括无机绝缘材料、有机绝缘材料、或其它合适的材料，其中无机绝缘材料包括但不限于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；有机绝缘材料包括但不限于聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂或四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。
有源层132，形成于第二绝缘层131上，图案化形成薄膜晶体管的沟道，有源层132的材料可以是氧化物半导体材料，例如氧化铟镓锌、氧化铟锡、氧化铟锌等，也可以是多晶硅材料或单晶硅材料。
第二绝缘层133，形成于有源层132上，且覆盖有源层132和第一绝缘层131，用于隔绝有源层132，其材料于第一绝缘层131相类似。
第一金属层134，形成于第二绝缘层133上，图案化形成栅极线以及薄膜晶体管的栅极。第一金属层134的材料可以是金属钼、铝、铜、钛、铬、银或其混合物，可以是单膜层结构，如单层金属铜、单层金属铝、单层金属铜等；可以是双和膜层结构，如铝/钼叠层结构、铝/钛叠层结构、铜/钛叠层结构；也可以是三膜层结构，如钼/铝/钼叠层结构、钛/铝/钛叠层结构、钛/铜/钛叠层结构等，不做特殊限定。
第三绝缘层135，形成于第一金属层134上，且覆盖第一金属层134和第二绝缘层133，用于隔绝第一金属层134，其材料于第一绝缘层131相类似。
第二金属层136，形成于第三绝缘层135上，图案化形成数据线1361、薄膜晶体管的漏极1361和源极1362、以及电容的第二电极板1364。第二金属层136的材料同第一金属层134的材料相类似。
第四绝缘层137，形成于第二金属层136上，且覆盖第二金属层136和第三绝缘层135，用于隔绝第二金属层136，其材料于第一绝缘层131相类似。
像素电极层140，形成于第四绝缘层137上，图案化形成像素电极。像素电极层140为透明导电膜层，其材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
上述实施例以顶栅结构的阵列基板为例，对本发明实施例提供的阵列基板进行了个膜层的介绍，但本发明实施例提供的阵列基板不限制为顶栅结构，同样可以是底栅结构，即背沟道刻蚀结构。
在第一种实施例中，请参照图2和图4，图2为本发明实施例提供的阵列基板的第一种膜层结构拆解示意图，图4为图2中各膜层的叠加结构示意图。
如图2中(a)所示，透明公共电极层120图案化形成屏蔽电极121和存储电容Cst的第一电极板122，屏蔽电极121和第一电极板122相连接，即第一电极板122同样接入低电位的公共电信号。
如图2中(b)所示，第一金属层134图案化形成栅极线1341，栅极线1341同时作为薄膜晶体管的栅极。
如图2中(c)所示，第二金属层136图案化形成数据线1361、薄膜晶体管T的漏极1361和源极1362、以及存储电容Cst的第二电极板1364，数据线1361与薄膜晶体管T的漏极1361连接，薄膜晶体管T的源极1362与存储电容Cst的第二电极板1364连接。
如图2中(d)所示，像素电极140层图案化形成像素电极141。
如图4所示，数据线1361在衬底110上的投影位于屏蔽电极121在衬底110上的投影内。像素电极140通过第一过孔101与存储电容Cst的第二电极板1364连接，即与薄膜晶体管T的源极1362连接，第一过孔101为贯穿第四绝缘层137的过孔。
在本实施例中，透明公共电极层通过图案化形成屏蔽电极和存储电容的第一电极板，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率；又由于屏蔽电极接低电位的公共电信号，数据线接接高电位的数据电信号，屏蔽电极与数据线之间存在电压差，形成了一个朝向屏蔽电极方向的电场，而数据线与像素电极之间同样存在微小的正向电压差，形成了一个朝向像素电极的电场，屏蔽电极和数据线之间的电场方向与数据线和像素电极之间的电场方向刚好相反，且屏蔽电极和数据线之间的电场大小远大于数据线和像素电极之间的电场大小，屏蔽电极起到了屏蔽数据线和像素电极之间的电场的作用，进而起到了良好的遮光效果，缓解了液晶显示面板的漏光问题。
在第二种实施例中，请参照图3和图4，图3为本发明实施例提供的阵列基板的第二种膜层结构拆解示意图，图4同样为图3中各膜层的叠加结构示意图。区别于第一种实施例，
如图3中(a)所示，透明公共电极层120图案化形成屏蔽电极121。
如图3中(b)所示，第一金属层134图案化形成栅极线1341和存储电容Cst的第一电极板1342，栅极线1341与第一电极板122不连接，栅极线1341同时作为薄膜晶体管的栅极。第一电极板122通过第二过孔102与屏蔽电极121连接，第二过孔102为同时贯穿第一绝缘层131和第二绝缘层133的过孔。
由于平行板电容器的电容C＝εS/d，其中ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。因此，在本实施例中，存储电容Cst的两个电极板之间的距离为第一电极板1342和第二电极板1364之间第三绝缘层135的厚度，在上一实施例中，存储电容Cst的两个电极板之间的距离为第一电极板122和第二电极板1364第一绝缘层131、第二绝缘层133和第三绝缘层135的厚度之和；相较于第一种实施例，在本实施例中存储电容Cst的两个电极板之间的距离d小于上一实施例，存储电容Cst的电容C相同，本实施例中第一电极板1342和第二电极板1364的面积，小于第一种实施例中第二电极板1364的面积，本发明实施例进一步提高了液晶显示面板的开口率。
在第三种实施例中，请参照图5和图7，图7为本发明实施例提供的阵列基板的第三种膜层结构拆解示意图，图7为图5中各膜层的叠加结构示意图。区别于第一种实施例，
如图5中(a)所示，透明公共电极层120整层设置，形成屏蔽电极，屏蔽电极同时还作为存储电容Cst的第一电极板。
在本实施例中，透明公共电极层为整层设置，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率；透明公共电极层形成整层设置的屏蔽电极，整层设置的屏蔽电极可以和数据线之间形成各个方向各个角度最大强度的电场，最大限度的屏蔽数据线和像素电极之间的电场，达到最优的屏蔽效果，起到了良好的遮光效果，缓解液晶显示面板的漏光问题；另一方面，透明公共电极层整层设置，省去了一道光罩工序，简化了制备流程，同时整层设置为后续驱动电路层的制备提供更为平坦的基底。
在第四种实施例中，请参照图6和图7，图6为本发明实施例提供的阵列基板的第四种膜层结构拆解示意图，图7同样为图6中各膜层的叠加结构示意图。区别于第三种实施例，
如图6中(a)所示，透明公共电极层120整层设置，形成屏蔽电极。
如图6中(b)所示，第一金属层134图案化形成栅极线1341和存储电容Cst的第一电极板1342，栅极线1341与第一电极板122不连接，栅极线1341同时作为薄膜晶体管的栅极。第一电极板122通过第二过孔102与透明公共电极层120连接，第二过孔102为同时贯穿第一绝缘层131和第二绝缘层133的过孔。
本实施例相比于第三种实施例，进一步提高了液晶显示面板的开口率。
上述四种实施例均为四畴像素设计的阵列基板，但本发明提供的阵列基板不限于四畴像素设计，还适用于八畴或其他像素结构设计。
在第五种实施例中，请参照图8和图9，图8为本发明实施例提供的阵列基板的第五种膜层结构拆解示意图，图9同样为图8中各膜层的叠加结构示意图。本实施例提供的阵列基板为八畴像素设计的阵列基板。阵列基板包括栅极线和数据线，栅极线和数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，像素区包括位于上方的主像素区和位于下方的副像素区。
如图8中(a)所示，透明公共电极层120整层设置，形成屏蔽电极，屏蔽电极同时还作为主存储电容Cst1的第一电极板、以及副存储电容Cst2的第一电极板。
如图8中(b)所示，第一金属层134图案化形成，栅极线1341同时作为薄膜晶体管的栅极。
如图8中(c)所示，第二金属层136图案化形成数据线1361、主薄膜晶体管T1的漏极和源极、副薄膜晶体管T2的漏极和源极、分享薄膜晶体管T3的漏极和源极、以及主存储电容Cst1的第二电极板、副存储电容Cst2的第二电极板。
数据线1361与主薄膜晶体管T1的漏极、副薄膜晶体管T2的漏极连接，主薄膜晶体管T1的源极与主存储电容Cst1的第二电极板连接，副薄膜晶体管T2的源极与副存储电容Cst2的第二电极板、分享薄膜晶体管T3的漏极连接，分享薄膜晶体管T3的源极通过第三过孔103与透明公共电极层120连接，第三过孔103为同时贯穿第一绝缘层131、第二绝缘层133和第三绝缘层135的过孔。
如图8中(d)所示，像素电极140层图案化形成主像素电极141和副像素电极142，主像素电极141和副像素电极142相互独立。主像素电极141通过第一过孔与主存储电容Cst1的第二电极板连接，即与主薄膜晶体管T1的源极连接；副像素电极142通过第一过孔与副存储电容Cst2的第二电极板连接，即与副薄膜晶体管T2的源极连接；第一过孔为贯穿第四绝缘层137的过孔。
在本实施例中，透明公共电极层为整层设置，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率；透明公共电极层形成整层设置的屏蔽电极，整层设置的屏蔽电极可以和数据线之间形成各个方向各个角度最大强度的电场，最大限度的屏蔽数据线和像素电极之间的电场，起到了良好的遮光效果，缓解液晶显示面板的漏光问题；另一方面，透明公共电极层整层设置，省去了一道光罩工序，简化了制备流程，同时整层设置为后续驱动电路层的制备提供更为平坦的基底。
同时，本发明实施例还提供一种液晶显示面板，请参照图10，图10位本发明实施例提供的液晶显示面板的结构示意图，该液晶显示面板包括本发明实施例提供的阵列基板100、与阵列基板对合设置的彩膜基板200、以及填充于阵列基板和彩膜基板之间的液晶300，该阵列基板100包括：
衬底；
透明公共电极层，形成于衬底上，连接低电位的公共电信号；
驱动电路层，形成于透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；
像素电极层，形成于驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极。
本发明实施例提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括阵列基板，该阵列基板通过在衬底和驱动电路层之间设置透明的公共电极层，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率，促进了高解析度高刷新频率的高阶产品的发展和应用。
由于发明实施例还提供的液晶显示面板包括本发明实施例提供的阵列基板，因此具备本发明实施例提供的阵列基板所具有的有益效果，有益效果的具体的实现方式和原理请参考上述阵列基板的具体实施例，在此不再赘述。
请参照图11，图11为现有技术和本发明实施例提供的液晶显示面板的漏光程度的模拟分析图。图中横坐标80um处为数据线的中心位置，小于80um的位置为数据线左侧的区域，大于80um的位置为数据线右侧的区域；纵坐标代表亮度，纵坐标越大表示漏光程度越大。图中虚线为现有技术采用非透明金属作为公共电极的液晶显示面板，图中实线为本发明实施例提供的液晶显示面板，该液晶显示面板包括第三种实施例提供的阵列基板的。由图中数据可以看出，本发明实施例提供的液晶显示面板极为有效的改善了液晶显示面板漏光的问题。
从另一个角度分析，在现有技术中，采用非透明的公共电极作为屏蔽电极，对数据线的电场进行屏蔽，改善液晶显示面板的漏光问题。当屏蔽电极宽度太小时，无法起到良好的屏蔽作用，需要借助彩膜基板上的黑矩阵进行遮光，黑矩阵的宽度要求增大，限制了液晶显示面板的开口率；当屏蔽电极宽度太大时，屏蔽电极限制了液晶显示面板的开口率。
本发明实施例以透明金属作为公共电极层，透明的屏蔽电极无需受限于宽度影响，能够最大限度的屏蔽数据线和像素电极之间的电场，起到了良好的遮光效果，缓解液晶显示面板的漏光问题，同时提高液晶显示面板的开口率。
在一种实施例中，请参照图12，图12为本发明实施例提供的液晶显示面板的第一种电路图，即四畴像素设计的液晶显示面板的电路图。结合上述四畴像素设计的阵列基板，电路包括薄膜晶体管T、存储电容Cst、以及液晶电容Clc，液晶电容Clc是像素电极、彩膜基板上的公共电极、以及液晶层构成的电容。薄膜晶体管T的栅极与栅极线1341连接，漏极与数据线1361连接，源极与存储电容Cst的第二电极板、像素电极连接；存储电容Cst的第一电极板与透明公共电极层连接。
栅极线1341向薄膜晶体管T的栅极输入扫描信号，促使薄膜晶体管T导通，数据线1361向薄膜晶体管T的漏极输入数据电信号，从而使存储电容Cst的第二电极板位于高电位，存储电容Cst的第一电极板通过透明公共电极层接入低电位的公共电信号，存储电容Cst的两个极板之间存在电压差，存储电容Cst存储电荷；液晶电容Clc中，像素电极位于高电位，公共电极接入低电位的公共电信号，液晶电容Clc的两个极板之间存在电压差，促使液晶发生偏转。
在一种实施例中，请参照图13，图13为本发明实施例提供的液晶显示面板的第二种电路图，即八畴像素设计的液晶显示面板的电路图。结合上述八畴像素设计的阵列基板，电路包括主薄膜晶体管T1、副薄膜晶体管T2、分享薄膜晶体管T3、以及主存储电容Cst1、主液晶电容Clc1、主存储电容Cst2、副液晶电容Clc2，主液晶电容Clc1是主像素电极、彩膜基板上的公共电极、以及液晶层构成的电容，副液晶电容Clc2是副像素电极、彩膜基板上的公共电极、以及液晶层构成的电容。
主薄膜晶体管T1的栅极、副薄膜晶体管T2的栅极与栅极线1341连接，主薄膜晶体管T1的漏极、副薄膜晶体管T2的漏极与数据线1361连接，主薄膜晶体管T1的源极与主存储电容Cst1的第二电极板、主像素电极连接，副薄膜晶体管T2的源极与副存储电容Cst2的第二电极板、副像素电极、以及分享薄膜晶体管T3的漏极连接；主存储电容Cst1的第一电极板、副存储电容Cst2的第一电极板、分享薄膜晶体管T3的源极与透明公共电极层连接。
栅极线1341向主薄膜晶体管T1的栅极、副薄膜晶体管T2、分享薄膜晶体管T3的栅极输入扫描信号，促使主薄膜晶体管T1、副薄膜晶体管T2和分享薄膜晶体管T3导通，数据线1361向主薄膜晶体管T1的漏极、副薄膜晶体管T2的漏极输入数据电信号，从而使主存储电容Cst1的第二电极板、副存储电容Cst2的第二电极板位于高电位，主存储电容Cst1的第一电极板、副存储电容Cst2的第一电极板通过透明公共电极层接入低电位的公共电信号，主存储电容Cst1的两个极板之间存在电压差，存储电容Cst存储电荷，副存储电容Cst2的两个极板之间存在电压差，存储电容Cst存储电荷。
在主液晶电容Clc1，主像素电极位于高电位，公共电极接入低电位的公共电信号，主液晶电容Clc1的两个极板之间存在电压差，促使主像素区内的液晶发生偏转；在副液晶电容Clc2中，副像素电极位于高电位，公共电极接入低电位的公共电信号，副液晶电容Clc2的两个极板之间存在电压差，促使副像素区内的液晶发生偏转；分享薄膜晶体管T3的漏极接副薄膜晶体管T2的源极，源极连接低电位的公共电信号，分享薄膜晶体管T3的分走副薄膜晶体管T2的部分电压，使得副液晶电容Clc2两极板之间的电压差小于主液晶电容Clc1的两个极板之间的电压差，从而使得副像素区内液晶的偏转角度小于主像素区内液晶的偏转角度。
根据上述实施例可知：
本发明实施例提供了一种阵列基板和液晶显示面板，该阵列基板包括衬底；透明公共电极层，形成于衬底上，连接低电位的公共电信号；驱动电路层，形成于透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；像素电极层，形成于驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极。该阵列基板通过在衬底和驱动电路层之间设置透明的公共电极层，提高了液晶显示面板的开口率，进而提高了液晶显示面板的穿透率，促进了高解析度高刷新频率的高阶产品的发展和应用。更进一步的，透明公共电极层包括屏蔽电极，透明的屏蔽电极不受宽度限制，能最大限度的屏蔽数据线和像素电极之间的电场，起到良好的遮光效果，缓解液晶显示面板的漏光问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
透明公共电极层，形成于所述衬底上，连接低电位的公共电信号；
驱动电路层，形成于所述透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；
像素电极层，形成于所述驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极；
所述透明公共电极层为整层设置，形成屏蔽电极，用于屏蔽所述驱动电路层内数据线与所述像素电极之间的电场；
所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线、薄膜晶体管的栅极、以及存储电容的第一电极板，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板，所述第一电极板通过过孔与所述屏蔽电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述数据线与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所述存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述像素电极连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述像素区包括主像素区和副像素区，所述像素电极包括位于所述主像素区内的主像素电极和位于所述副像素区内的副像素电极，所述薄膜晶体管包括主薄膜晶体管、副薄膜晶体管、以及分享薄膜晶体管，所述电容包括主存储电容和副存储电容；
所述数据线与所述主薄膜晶体管的漏极、所述副薄膜晶体管的漏极连接，所述主薄膜晶体管的源极与所述主存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述主像素电极连接，所述副薄膜晶体管的源极与所述副存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述副像素电极连接，所述分享薄膜晶体管的漏极与所述主薄膜晶体管的源极连接，所述分享薄膜晶体管的源极通过过孔与所述透明公共电极层连接。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
透明公共电极层，形成于所述衬底上，连接低电位的公共电信号；
驱动电路层，形成于所述透明公共电极层上，形成像素的驱动电路；
像素电极层，形成于所述驱动电路层上，图案化形成像素的像素电极；
所述透明公共电极层图案化形成屏蔽电极；
所述驱动电路层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层图案化形成栅极线、薄膜晶体管的栅极、以及存储电容的第一电极板，所述第二金属层图案化形成数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及存储电容的第二电极板；
所述数据线在所述衬底上的投影位于所述屏蔽电极在所述衬底上的投影内；所述屏蔽电极连接低电位的公共电信号，用于屏蔽所述驱动电路层内数据线与所述像素电极之间的电场；
所述第一电极板通过过孔与所述屏蔽电极连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述数据线与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所述存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述像素电极连接。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线和所述数据线在空间内垂直交叉围成阵列分布的像素区，所述像素区包括主像素区和副像素区，所述像素电极包括位于所述主像素区内的主像素电极和位于所述副像素区内的副像素电极，所述薄膜晶体管包括主薄膜晶体管、副薄膜晶体管、以及分享薄膜晶体管，所述电容包括主存储电容和副存储电容；
所述数据线与所述主薄膜晶体管的漏极、所述副薄膜晶体管的漏极连接，所述主薄膜晶体管的源极与所述主存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述主像素电极连接，所述副薄膜晶体管的源极与所述副存储电容的第二电极板连接，且通过过孔与所述副像素电极连接，所述分享薄膜晶体管的漏极与所述主薄膜晶体管的源极连接，所述分享薄膜晶体管的源极通过过孔与所述透明公共电极层连接。
7.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至6任一所述的阵列基板、与所述阵列基板对合设置的彩膜基板、以及填充于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶。
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