CN113917751B - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板以及液晶显示面板。阵列基板包括：基板；数据布线层，数据布线层设置在基板上，数据布线层包括多条数据线，多条数据线沿着第一方向间隔设置；以及电场屏蔽层，电场屏蔽层设置在基板上，电场屏蔽层与数据布线层位于不同层，电场屏蔽层包括多个屏蔽电极，多个屏蔽电极与多条数据线一一正对设置。本申请提供的阵列基板以及液晶显示面板，通过将屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；另外，由于屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以提高像素开口率。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，相互垂直的栅线和数据线定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极形成在像素区域内，栅线用于向薄膜晶体管提供开启信号，数据线用于向像素电极提供数据信号，通过控制液晶层的偏转程度实现灰度显示。
然而，数据线上的电荷会产生电场，从而对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及液晶显示面板，可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响。
第一方面，本申请提供一种阵列基板，其包括：
基板；
数据布线层，所述数据布线层设置在所述基板上，所述数据布线层包括多条数据线，多条所述数据线沿着第一方向间隔设置；以及
电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置在所述基板上，所述电场屏蔽层包括多个屏蔽电极，所述屏蔽电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影至少部分重合。
在本申请提供的阵列基板中，所述屏蔽电极与所述数据线正对设置。
在本申请提供的阵列基板中，所述电场屏蔽层还包括多条扫描线，多条所述扫描线沿着第二方向间隔设置；
所述屏蔽电极包括多个沿着所述第二方向间隔设置的屏蔽子电极，且相邻两条所述扫描线之间均设置有一所述屏蔽子电极。
在本申请提供的阵列基板中，所述电场屏蔽层还包括多个第一连接电极，多个所述第一连接电极沿着所述第二方向间隔设置；相邻两条所述扫描线之间均设置有一所述第一连接电极，且相邻两条所述扫描线之间的多个所述屏蔽子电极均与所述第一连接电极连接。
在本申请提供的阵列基板中，所述数据布线层还包括至少一第二连接电极，所述第二连接电极与所述数据线错开设置；所述第二连接电极包括多个连接子电极，多个所述连接子电极沿着所述第二方向间隔设置，且所述连接子电极在所述电场屏蔽层上的正投影位于相邻两个所述屏蔽子电极之间，相邻两个所述屏蔽子电极通过所述连接子电极连接。
在本申请提供的阵列基板中，所述屏蔽电极上的信号的电压小于所述数据线上的信号的电压的最小值，或者所述屏蔽电极上的信号的电压大于所述数据线上的信号的电压的最大值。
在本申请提供的阵列基板中，所述屏蔽电极的信号的电压介于-20伏至0伏之间，或者，所述屏蔽电极的信号的电压介于14伏至30伏之间。
在本申请提供的阵列基板中，所述基板、所述电场屏蔽层以及所述数据布线层依次层叠设置。
在本申请提供的阵列基板中，所述基板、所述数据布线层以及所述电场屏蔽层依次层叠设置。
第二方面，本申请还提供一种液晶显示面板，其包括：
以上所述的阵列基板；
对位基板，所述对位基板与所述阵列基板相对设置；以及
液晶层，所述液晶层设置在所述阵列基板与所述对位基板之间。
本申请提供的阵列基板以及液晶显示面板，通过将屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；另外，由于屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以提高像素开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为图1所示的阵列基板沿着A-A’方向的截面示意图；
图3为图1所示的阵列基板沿着B-B’方向的截面示意图；
图4为本申请实施例提供的阵列基板中数据线以及屏蔽电极接入的信号的电压示意图；
图5为本申请实施例提供的阵列基板中数据线以及屏蔽电极接入的信号的另一电压示意图；
图6为本申请实施例提供的阵列基板的另一结构示意图；
图7为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。本申请的权利要求书以及说明书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
本申请实施例提供一种阵列基板，可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，避免对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响。下文进行详细说明，需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1、图2、图3，图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2为图1所示的阵列基板沿着A-A’方向的截面示意图；图3为图1所示的阵列基板沿着B-B’方向的截面示意图。结合图1、图2、图3所示，本申请实施例提供的阵列基板10包括基板101、数据布线层102及电场屏蔽层103。数据布线层102设置在基板101上。电场屏蔽层103设置在基板101上。数据布线层102和电场屏蔽层103位于不同层。数据布线层102包括多条数据线1021。多条数据线1021沿着第一方向间隔设置。电场屏蔽层103包括多个屏蔽电极1031。屏蔽电极1031在基板101上的正投影与数据线1021在基板101上的正投影至少部分重合。
在一种实施方式中，多个屏蔽电极1031与多条数据线1021一一对应，且每个屏蔽电极1031在基板101上的正投影与相对应的数据线1021在基板101上的正投影至少部分重合。可以理解的，屏蔽电极1031与数据线1021正对设置。
需要说明的是，多个屏蔽电极1031与多条数据线1021一一正对设置；也即，屏蔽电极1031在基板101上的正投影与数据线1021在基板101上的正投影至少部分重合。可以理解的，阵列基板10需要设置数据布线层102用于形成多条数据线1021，本申请实施例通过将屏蔽电极1031与数据线1021正对设置，可以屏蔽数据线1021上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；另外，由于屏蔽电极1031与数据线1021正对设置，从而可以提高像素开口率。
在一种实施方式中，基板101、电场屏蔽层103以及数据布线层102依次层叠设置；也即，电场屏蔽层103设置在数据布线层102下方。在另一种实施方式中，基板101、数据布线层102以及电场屏蔽层103依次层叠设置；也即，电场屏蔽层103设置在数据布线层102上方。也即，本申请可以根据实际工艺设置电场屏蔽层103与数据布线层102的相对位置。
在一种实施方式中，屏蔽电极1031的宽度大于数据线1021的宽度；也即，本申请可以通过设置屏蔽电极1031的宽度大于数据线1021的宽度，从而可以保证屏蔽电极1031不容易断线。在另一种实施方式中，屏蔽电极1031的宽度小于数据线1021的宽度；也即，本申请可以通过设置屏蔽电极1031的宽度小于数据线1021的宽度，从而可以进一步提高像素开口率。在再一种实施方式中，屏蔽电极1031的宽度等于数据线1021的宽度；也即，本申请可以通过设置屏蔽电极1031的宽度等于数据线1021的宽度，从而可以在保证屏蔽电极1031不容易断线的同时，进一步提高像素开口率。
在一种实施方式中，阵列基板10上的像素可以采用4畴像素设计。在另一种实施方式中，阵列基板10上的像素可以采用8畴像素设计。
在一种实施方式中，阵列基板10上的屏蔽电极1031接入的信号可以为直流信号。在另一种实施方式中，阵列基板10上的屏蔽电极1031接入的信号可以为交流信号。
在一种实施方式中，阵列基板10上的屏蔽电极1031的材料可以为金属；比如，阵列基板10上的屏蔽电极1031的材料可以为铜或者铝。在另一种实施方式中，阵列基板10上的屏蔽电极1031的材料可以为氧化铟锡。
请继续参阅图1、图2、图3、在图1、图2、图3中，基板101、电场屏蔽层103以及数据布线层102依次层叠设置，且屏蔽电极1031的宽度大于数据线1021的宽度。下面将以图1、图2、图3所示的阵列基板10为例进行说明。
在本申请实施例中，电场屏蔽层103还包括多条扫描线1032。多条扫描线1032沿着第二方向间隔设置。多条扫描线1032以及多个屏蔽电极1031同层形成。需要说明的是，在阵列基板10上除了需设置数据布线层102来形成多条数据线1021外，在阵列基板10上还需设置扫描布线层来形成多条扫描线1032；本申请实施例通过将多条扫描线1032以及多个屏蔽电极1031同层形成，从而可以降低阵列基板10的整体厚度，且还能简化制作工艺。
可以理解的，本申请实施例中的电场屏蔽层103在形成多条扫描线1032的同时可以形成多个屏蔽电极1031；也即，本申请实施例中的电场屏蔽层103即为扫描布线层，其既可以形成多条扫描线1032，也可以形成多个屏蔽电,1031。
具体的，屏蔽电极1031包括多个屏蔽子电极10311。多个屏蔽子电极10311沿着第二方向间隔设置。需要说明的是，由于电场屏蔽层103包括多条扫描线1032以及多个屏蔽电极1031，为了使得扫描线1032与屏蔽电极1031之间绝缘，需将屏蔽电极1031拆分为多个屏蔽子电极10311。
其中，对于一个屏蔽电极1031而言，屏蔽电极1031包括多个屏蔽子电极10311，多个屏蔽子电极10311沿着第二方向间隔设置，且相邻两条扫描线1032之间均设置有一个屏蔽电极1031对应的一个屏蔽子电极10311。对于多个屏蔽电极1031而言，每个屏蔽电极1031均包括多个屏蔽子电极10311，一个屏蔽电极1031对应的多个屏蔽子电极10311沿着第二方向间隔设置，且相邻两条扫描线1032之间均设置有多个屏蔽电极1031对应的多个屏蔽子电极10311。
在本申请实施例中，电场屏蔽层103还包括多个第一连接电极1033。多个第一连接电极1033沿着第二方向间隔设置。相邻两条扫描线1032之间均设置有一第一连接电极1033，且相邻两条扫描线1032之间的多个屏蔽子电极10311均与相应第一连接电极1033连接。
其中，每一第一连接电极1033均设置信号连接端子，信号连接端子用于接入电信号。在本申请实施例中，相邻两条扫描线1032之间的多个屏蔽子电极103111均是各自通过相应的第一连接电极1033接入电信号。
本申请实施例提供的阵列基板10，通过将屏蔽电极1031与数据线1021正对设置，从而可以屏蔽数据线1021上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；由于屏蔽电极1031与数据线1021正对设置，从而可以提高像素开口率。
在本申请实施例中，屏蔽电极1031上的信号的电压小于数据线1021上的信号的电压的最小值，或者屏蔽电极1031上的信号的电压大于数据线1021上的信号的电压的最大值。比如：接入数据线1021上的信号的电压介于A伏至B伏之间。其中，接入屏蔽电极1031上的信号的电压小于A伏，或者，接入屏蔽电极1031上的信号的电压大于B伏，A小于B。也即，接入屏蔽电极1031上的信号的电压不在接入数据线1021上的信号的电压的可变范围内。
需要说明的是，阵列基板10通过4道掩膜工艺形成时，数据线布线层102下方一般设置有多晶硅层。本申请实施例通过将接入屏蔽电极1031上的信号的电压设置成不在接入数据线1021上的电压的可变范围内，可以避免数据布线层102与电场屏蔽层103之间的多晶硅层随数据线1021上的信号的正负极性切换发生电性变化，导致屏蔽电极1031上的信号的电压波动，发生水平串扰。
比如，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的阵列基板中数据线以及屏蔽电极接入的信号的电压示意图。图5为本申请实施例提供的阵列基板中数据线以及屏蔽电极接入的信号的另一电压示意图。结合图1、图4所示、图5所示，接入数据线1021上的信号的电压D1介于0伏至14伏之间，接入屏蔽电极1031的信号的电压D2可以介于-20伏至0伏之间，或者，接入屏蔽电极1031的信号的电压D2可以介于14伏至30伏之间。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。其中，图6所示的阵列基板20与图1所示的阵列基板10的区别在于：在图5所示的阵列基板20中，数据布线层102还包括至少一第二连接电极1022。
其中，第二连接电极1022与数据线1021错开设置。第二连接电极1022包括多个连接子电极10221，多个连接子电极10221沿着第二方向间隔设置，且连接子电极10221在电场屏蔽层103上的正投影位于相邻两个屏蔽子电极10311之间，相邻两个屏蔽子电极10311通过相应连接子电极10221连接。
需要说明的是，本申请实施例通过在数据布线层102上形成第二连接电极1022，通过第二连接电极1022连通沿着第二方向间隔设置的多个屏蔽子电极10331，从而使得阵列基板10上的所有屏蔽电极1031电性连通。因此，本申请实施例仅需在阵列基板10上设置一个连接端子即可，通过一个连接端子接入电信号。
进一步的，在本申请实施例中，由于屏蔽电极1031的宽度大于数据线1021的宽度，故可以将第二连接电极1022的宽度设置成屏蔽电极1031的宽度与数据线1021的宽度之差，从而可以使得屏蔽电极1031在基板上的正投影与数据线1021在基板上的正投影以及第二连接电极1022在基板101上的正投影重合，进而提高像素开口率。
本申请提供的阵列基板，通过将屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；由于屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以提高像素开口率。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。如图7所示，本身申请实施例提供的液晶显示面板1000包括阵列基板10、对位基板200以及液晶层100。其中，对位基板200与阵列基板10相对设置。液晶层设100置在阵列基板10与对位基板200之间。
在一种实施方式中，对位基板200可以为彩膜基板。也即，液晶显示面板1000没有将色阻层设置在阵列基板10上，而是设置在对位基板200上。在另一种实施方式中，对位基板200上并未设置色阻层，色阻层是设置在阵列基板10上。
在本申请实施例中，阵列基板10具体可参照以上实施例所描述的阵列基板，在此不做赘述。
本申请提供的液晶显示面板，通过将屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以屏蔽数据线上的电荷产生的电场，防止对像素电极产生干扰，造成漏光和串扰等不良影响；由于屏蔽电极与数据线正对设置，从而可以提高像素开口率。
以上对本申请实施例所提供的限流电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
数据布线层，所述数据布线层设置在所述基板上，所述数据布线层包括多条数据线，多条所述数据线沿着第一方向间隔设置；以及
电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置在所述基板上，所述电场屏蔽层包括多个屏蔽电极，所述屏蔽电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影至少部分重合；
所述屏蔽电极上的信号的电压小于所述数据线上的信号的电压的最小值，或者所述屏蔽电极上的信号的电压大于所述数据线上的信号的电压的最大值；所述屏蔽电极的信号的电压介于-20伏至0伏之间，或者，所述屏蔽电极的信号的电压介于14伏至30伏之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极与所述数据线正对设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电场屏蔽层还包括多条扫描线，多条所述扫描线沿着第二方向间隔设置；
所述屏蔽电极包括多个沿着所述第二方向间隔设置的屏蔽子电极，且相邻两条所述扫描线之间均设置有一所述屏蔽子电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述电场屏蔽层还包括多个第一连接电极，多个所述第一连接电极沿着所述第二方向间隔设置；相邻两条所述扫描线之间均设置有一所述第一连接电极，且相邻两条所述扫描线之间的多个所述屏蔽子电极均与所述第一连接电极连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述数据布线层还包括至少一第二连接电极，所述第二连接电极与所述数据线错开设置；所述第二连接电极包括多个连接子电极，多个所述连接子电极沿着所述第二方向间隔设置，且所述连接子电极在所述电场屏蔽层上的正投影位于相邻两个所述屏蔽子电极之间，相邻两个所述屏蔽子电极通过所述连接子电极连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板、所述电场屏蔽层以及所述数据布线层依次层叠设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板、所述数据布线层以及所述电场屏蔽层依次层叠设置。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1-7任一项所述的阵列基板；
对位基板，所述对位基板与所述阵列基板相对设置；以及
液晶层，所述液晶层设置在所述阵列基板与所述对位基板之间。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102736332A (zh) * 2012-02-22 2012-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
CN103913910A (zh) * 2013-12-31 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 一种像素单元结构、阵列基板结构及液晶显示装置
CN109946891A (zh) * 2017-12-07 2019-06-28 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2815264B2 (ja) * 1992-06-25 1998-10-27 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100330363B1 (ko) * 1999-03-18 2002-04-01 니시무로 타이죠 액티브 매트릭스형 액정표시장치
JP2004325953A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
TWI247943B (en) * 2004-10-15 2006-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Multi-domain vertical alignment (MVA) liquid crystal panel, thin film transistor array substrate and pixel structure thereof
KR20070016567A (ko) * 2005-08-04 2007-02-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101266273B1 (ko) * 2006-06-30 2013-05-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법
JP4479755B2 (ja) * 2007-07-03 2010-06-09 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101441387B1 (ko) * 2007-12-27 2014-09-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널과 이의 제조방법 및 이를 이용한 리페어 방법
CN102681278B (zh) * 2012-05-11 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR101980757B1 (ko) * 2012-12-13 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2015121583A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
CN104597643A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN105445993B (zh) * 2015-12-08 2018-09-14 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种曲面液晶面板
KR102587647B1 (ko) * 2016-05-04 2023-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN106019750A (zh) * 2016-08-10 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
JP2019148621A (ja) * 2018-02-26 2019-09-05 三菱電機株式会社 表示装置、および、表示装置の駆動方法
CN110824795A (zh) * 2019-10-18 2020-02-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基板及液晶显示面板
CN110928090B (zh) * 2019-12-11 2021-01-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
CN111474780B (zh) * 2020-05-25 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN213878094U (zh) * 2021-01-15 2021-08-03 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
CN112764284A (zh) * 2021-02-07 2021-05-07 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102736332A (zh) * 2012-02-22 2012-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
CN103913910A (zh) * 2013-12-31 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 一种像素单元结构、阵列基板结构及液晶显示装置
CN109946891A (zh) * 2017-12-07 2019-06-28 三星显示有限公司 显示装置

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