JP2005165285A - インプレーンスイッチング方式の液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1及び第2基板と、第1基板上に水平方向に配列された複数のゲートラインと、第1基板上に垂直方向に配列され、ゲートラインと共に画素領域を定義する複数のデータラインと、ゲートライン間に配置され、画素領域を分割して第1領域と第2領域とに分け、2×2配列を有する第1〜第4サブ画素を定義する共通ラインと、第1〜第4サブ画素内に配置された少なくとも一対の共通電極及び画素電極と、第1領域の画素電極と接続され、ゲートライン上に配置された第1ストレージラインと、第2領域の画素電極と接続され、共通ライン上に配置された第2ストレージラインと、ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成されたスイッチング素子と、第1基板と第2基板間に形成された液晶層とを含んで構成される。
【選択図】図5A
Description
Claims (23)
- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上に水平方向に配列された複数のゲートラインと、
前記第1基板上に垂直方向に配列され、前記ゲートラインと共に画素領域を定義する複数のデータラインと、
前記ゲートライン間に配置され、前記画素領域を分割して第1領域と第2領域とに分け、2×2配列を有する第1〜第4サブ画素を定義する共通ラインと、
前記第1〜第4サブ画素内に配置された少なくとも一対の共通電極及び画素電極と、
前記第1領域の画素電極と接続され、前記ゲートライン上に配置された第1ストレージラインと、
前記第2領域の画素電極と接続され、前記共通ライン上に配置された第2ストレージラインと、
前記ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成されたスイッチング素子と、
前記第1基板と第2基板間に形成された液晶層と、
を含んで構成されることを特徴とするインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。 - 前記画素電極及び共通電極は、透明な伝導性物質からなることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記透明な伝導性物質は、ITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)であることを特徴とする請求項2に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記第1〜第4サブ画素は、それぞれR(Red)、G(Green)、B(Blue)、W(White)画素であることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記ゲートライン及び第1ストレージラインは、第1ストレージキャパシタを形成することを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記共通ライン及び第2ストレージラインは、第2ストレージキャパシタを形成することを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を含む基板の全面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたソース/ドレイン電極と、
を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。 - 前記画素電極及び共通電極は、ジグザグ構造であることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記データラインは、ジグザグ構造であることを特徴とする請求項8に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記共通電極及び画素電極は、同一平面上に形成されることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記共通ラインは、第1領域及び第2領域に形成されたサブ画素が共に共有することを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記ゲートライン及び第1ストレージラインと前記共通電極及び第2ストレージライン間に介在したゲート絶縁膜をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上に水平方向に配列された複数のゲートラインと、
前記第1基板上に垂直方向に配列され、前記ゲートラインと共に画素領域を定義する複数のデータラインと、
前記画素領域を第1領域と第2領域とに分け、2×2配列を有するR、G、B、Wサブ画素を定義する共通ラインと、
前記サブ画素内に配置され、水平電界を発生する少なくとも一対の共通電極及び画素電極と、
前記ゲートライン上に配置された第1ストレージラインと、
前記共通ライン上に配置された第2ストレージラインと、
前記共通電極と共通ラインとを電気的に連結する第1コンタクトホールと、
前記第1領域の画素電極と第1ストレージラインとを電気的に連結する第2コンタクトホールと、
前記第2領域の画素電極と第2ストレージラインとを電気的に連結する第3コンタクトホールと、
前記ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成されたスイッチング素子と、
前記第1基板と第2基板間に形成された液晶層と、
を含んで構成されることを特徴とするインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。 - 前記データラインは、ジグザグ構造であることを特徴とする請求項13に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記画素電極及び共通電極は、透明な伝導性物質により形成されることを特徴とする請求項14に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記透明な伝導性物質は、ITOまたはIZOであることを特徴とする請求項15に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 前記画素電極及び共通電極は、ジグザグ構造であることを特徴とする請求項13に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子。
- 第1及び第2基板を用意する段階と、
前記第1基板上に、複数のゲートライン、及び前記ゲートライン間に前記ゲートラインと並んで共通ラインを形成する段階と、
前記ゲートラインに対し垂直に配置され、前記ゲートライン及び共通ラインと共にR、G、B、Wサブ画素を定義する複数のデータライン、前記ゲートラインと重畳して第1ストレージキャパシタを形成する第1ストレージライン、並びに前記共通ラインと重畳して第2ストレージキャパシタを形成する第2ストレージラインを形成する段階と、
前記第1及び第2ストレージラインを含む基板の全面に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に共通電極及び画素電極を形成する段階と、
を含んでなることを特徴とするインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。 - 前記共通電極及び画素電極は、透明な伝導性物質により形成することを特徴とする請求項18に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。
- 前記透明な伝導性物質は、ITOまたはIZOにより形成することを特徴とする請求項19に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。
- 前記保護膜の一部をエッチングして共通ライン及びゲートラインを露出させるコンタクトホールを形成する段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項18に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。
- 前記第2基板を用意する段階は、
透明な第2基板上にブラックマトリックスを形成する段階と、
前記第2基板上にカラーフィルタを形成する段階と、
を含んでなることを特徴とする請求項18に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。 - 前記共通電極及び画素電極は、ジグザグ構造に形成することを特徴とする請求項17に記載のインプレーンスイッチング方式の液晶表示素子の製造方法。
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