JP2016139071A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＲＧＢＷ方式の表示装置に適したマルチドメイン技術を提供することにある。【解決手段】表示装置は、第１の方向に延在する複数の走査線と、第２の方向に延在する複数の信号線と、第１の副画素と第２の副画素と第３の副画素とで構成される複数の第１の画素及び第１副画素と第２の副画素と第４の副画素とで構成される複数の第２の画素とを含む画素と、を備える。第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、第４の副画素は、それぞれ異なる色を表示する。平面視で、第３の副画素及び第４の副画素は、第１の副画素及び第２の副画素より大きい。画素は、第１の方向及び第２の方向に沿って複数設けられている。信号線は、第２の方向に対して一方向に所定の角度傾いた第３の方向に沿った部分及び他方向に所定の角度傾いた第４の方向に沿った部分を含む。【選択図】図４

Description

本開示は表示装置に関し、例えばＲＧＢＷ方式の表示装置に適用可能である。

液晶表示装置における白表示輝度は、バックライトの輝度と液晶の透過率によって決定される。バックライトの輝度を向上することは、消費電力が増加することにつながるために、できれば、液晶の透過率を向上させることが望ましい。液晶の透過率を実質的に向上させて、白輝度を高め、白ピーク表示を実現する方法として、例えば、特開２００７−０１０７５３号公報に記載されているように、赤、緑、青の３原色以外に、白色の画素も用いて、消費電力を増やすことなく、透過率特性の向上を実現しようとしている例がある。すなわち、表示装置は、赤、緑、青及び白の４つの副画素を持つ画素群で構成されている。

特開２００７−０１０７５３号公報

本発明者らは、赤の副画素、緑の副画素、青の副画素のうち、青の副画素の半数を白の副画素に置き換えるＲＧＢＷ方式の表示装置において、視野角依存性の低減を検討した。すなわち、視野角依存性を低減するために同一副画素内又は複数の副画素間で液晶分子を異なる回転方向に制御するマルチドメイン（配向分割）技術を検討した。
本開示の課題は、ＲＧＢＷ方式の表示装置に適したマルチドメイン技術を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、第１の方向に延在する複数の走査線と、第２の方向に延在する複数の信号線と、第１の副画素と第２の副画素と第３の副画素とで構成される複数の第１の画素及び第１副画素と第２の副画素と第４の副画素とで構成される複数の第２の画素とを含む画素と、を備える。前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素、前記第４の副画素は、それぞれ異なる色を表示する。平面視で、前記第３の副画素及び前記第４の副画素は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素より大きい。前記画素は、前記第１の方向及び前記第２の方向に沿って複数設けられている。前記信号線は、前記第２の方向に対して一方向に所定の角度傾いた第３の方向に沿った部分及び他方向に前記所定の角度傾いた第４の方向に沿った部分を含む。

ＲＧＢＷ方式の表示装置を説明するための平面図である。 ＲＧＢＷ方式の表示装置を説明するための断面図である。 ＲＧＢＷ方式の表示装置を説明するための平面図である。 実施形態１に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施形態１に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−１に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−２に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−２に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−３に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−４に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態１−４に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施形態２に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施形態３に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施形態３に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施例３−１に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施例３−１に係る表示装置を説明するための断面図である。 実施例３−１に係る表示装置を説明するための断面図である。 変形形態３−１に係る表示装置を説明するための平面図である。 変形形態３−１に係る表示装置を説明するための平面図である。 実施例３−２に係る表示装置を説明するための平面図である。 ＲＧＢ方式の表示装置における押圧ドメイン対策を説明するための平面図である。 ＲＧＢ方式の表示装置における押圧ドメイン対策を説明するための平面図である。 ＲＧＢ方式の表示装置における押圧ドメイン対策を説明するための平面図である。

以下に、実施形態、変形形態及び実施例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

＜ＲＧＢＷ方式の画素配列＞
まず、本発明者らが検討したＲＧＢＷ方式（以下、単に「ＲＧＢＷ方式」という。）の表示装置について図１から図３を用いて説明する。図１は表示装置の全体の概略を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。図３はＲＧＢＷ方式の表示装置の画素、走査線及び信号線の配列を示す平面図である。
図１及び図２に示すように、表示装置１００Ｓは表示パネル１とドライバＩＣ２とバックライト３とを備える。表示パネル１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される液晶材料（液晶層）３０と、を備える。アレイ基板１０と対向基板２０とは、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材４０で接着されており、液晶層３０は、アレイ基板１０、対向基板２０、及びシール材４０で囲まれた空間に密封されている。また、アレイ基板１０及び対向基板２０の外側を向いた面、すなわち液晶層３０と対向する面の裏面には、それぞれ、下偏光板５０Ａ及び上偏光板５０Ｂが設けられている。
また、表示領域ＤＡには、夫々一方向に沿った複数の走査線、及び夫々他方向に沿った信号線が設けられている。例えば、一方向は、表示領域ＤＡの延在方向であり、他方向は、表示領域ＤＡの短辺方向である。表示領域ＤＡは、例えば、走査線と信号線とに囲まれ、マトリクス状に配置された複数個の画素の集合で構成されている。
アレイ基板１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成される画素トランジスタ、走査線、信号線、画素電極及び図示しないＴＦＴで形成される走査線を駆動する走査回路等を備える。ドライバＩＣ２は、図示しない信号線を駆動する回路を備える。

赤色の色層を有する画素を赤の副画素（Ｒ）、緑色の色層を有する画素を緑の副画素（Ｇ）、青色の色層を有する画素を青の副画素（Ｂ）、白色の色層を有する画素を白の副画素（Ｗ）という。各副画素は開口部と遮光部とで構成される。すなわち、各副画素の開口部間には遮光部が配置され、画素トランジスタ、走査線及び信号線は遮光部に位置する。
図３に示すように、ＲＧＢＷ方式の表示装置１００Ｓは、赤、緑及び白の副画素で構成される第１の画素ＰＸ１と、赤、緑及び青の副画素で構成される第２の画素ＰＸ２と、が存在する。青の副画素数と白の副画素数とは同数である。緑及び赤の副画素のそれぞれの開口面積は、青及び白の副画素のそれぞれの開口面積の約１／２である。第１の画素ＰＸ１はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と白の副画素とが隣接配置されている。第２の画素ＰＸ２はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と青の副画素とが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置されている。赤、緑、青及び白の副画素の開口形状はそれぞれ矩形状であり、Ｙ方向の長さはＸ方向の長さよりも長い。なお、各副画素の開口の４つの角には丸みがあるが矩形状という。Ｘ方向とＹ方向とは直交する方向であるのが好ましい。

赤、緑、青及び白の副画素は、それぞれ走査線（ゲート線）及び信号線（ソース線）に接続される画素トランジスタＴＲを備えている。走査線は画素トランジスタＴＲのゲート電極に接続され、信号線は画素トランジスタＴＲのソース電極に接続される。

走査線ＧＬ１〜ＧＬ３はＸ方向に沿って設けられる。走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置された第１の画素ＰＸ１の赤の副画素は走査線ＧＬ１に接続され、緑及び白の副画素は走査線ＧＬ２に接続される。また、走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間に配置された第２の画素ＰＸ２の赤の副画素は走査線ＧＬ２に接続され、緑及び青の副画素は走査線ＧＬ３に接続される。すなわち、Ｙ方向に隣接する緑の副画素と赤の副画素とは同一の走査線に接続され、Ｙ方向に隣接する白の副画素と青の副画素とは異なる走査線に接続される。

信号線ＳＬ１〜ＳＬ９はＹ方向に沿って設けられる。信号線ＳＬ１、ＳＬ４、ＳＬ７はそれぞれ緑の副画素に接続され、信号線ＳＬ２、ＳＬ５、ＳＬ８はそれぞれ赤の副画素に接続され、信号線ＳＬ３、ＳＬ６、ＳＬ９はそれぞれ白及び青の副画素に接続される。信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に赤及び緑の副画素が配置され、信号線ＳＬ３と信号線ＳＬ４との間に白及び青の副画素が配置される。なお、信号線ＳＬ２と信号線ＳＬ３との間には副画素は配置されない。表示装置１００Ｓには、画素間には信号線が１本配置されており、副画素の開口部間には２本の信号線が配置されている。

以下に説明する実施形態は上述のＲＧＢＷ方式の表示装置に関するものである。赤、緑、白及び青の副画素はそれぞれ第１、第２、第３及び第４の副画素ともいうが、その色に限定されるものではない。Ｘ方向及びＹ方向はそれぞれ第１の方向及び第２の方向ともいうが、その方向に限定されるものではない。
＜実施形態１＞
実施形態１に係る表示装置について図４及び図５を用いて説明する。図４は実施形態１に係る表示装置の画素配列を示す平面図である。図５は図４の走査線、信号線及び画素電極を示す平面図である。

図４に示すように、表示装置１００の画素、走査線及び信号線の配置並びにそれらの接続関係は、基本的に表示装置１００Ｓと同様である。第１の画素ＰＸ１はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と白の副画素とが隣接配置されている。第２の画素ＰＸ２はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と青の副画素とが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置されている。表示装置１００は図４のＡの部分の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。これにより、Ｘ方向に沿って赤、緑、青及び白の各副画素が等間隔に配置される。さらに、Ｙ方向に沿って赤、緑、青及び白の各副画素が等間隔に配置される。
走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間及び走査線ＧＬ３と走査線ＧＬ４との間に配置された第１及び第２の画素ＰＸ１，ＰＸ２の各副画素の開口形状はそれぞれＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状であり、走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間及び走査線ＧＬ４と走査線ＧＬ５との間に配置された第１及び第２の画素ＰＸ１、ＰＸ２の各副画素の開口形状はそれぞれＹ方向に対して平面視で左回りに傾いた平行四辺形状である。赤、緑、青及び白の各副画素は、信号線に沿った辺の長さはＸ方向の長さよりも長い。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが平行四辺形状という。

図５に示すように、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置される信号線ＳＬ１〜ＳＬ６が延びている方向Ｃ（第３の方向）は、平面視で、Ｙ方向に対して右回りの方向にθ１傾いている。走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間に配置される信号線ＳＬ１〜ＳＬ６が延びている方向Ｄ（第４の方向）は、Ｙ方向に対して、平面視で左回りの方向にθ１傾いている。ここで、θ１は０度より大きく、４５度より小さい角度である。θ１は、例えば、５度から１５度の角度であるのが好ましい。上述のように、走査線は一方向に沿っているが、画素単位で見た場合には屈曲していてもよい。
赤の副画素の画素電極ＰＥＲ、緑の副画素の画素電極ＰＥＧ、白の副画素の画素電極ＰＥＷ及び青の副画素の画素電極ＰＥＢは、それぞれ２本の電極から構成され、２本の電極の延在方向は信号線が延びている方向に平行である。言い換えると、２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向は信号線が延びている方向に平行である。２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向はＹ方向に対して所定の角度傾いている。走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置される電極の延在方向及び開口部の延在方向は方向Ｃと平行である。走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間との間に配置される電極の延在方向及び開口部の延在方向は方向Ｄと平行である。
なお、本実施形態における画素電極ＰＥＲ、ＰＥＧ、ＰＥＷ及びＰＥＢが２本の櫛歯状をなしていることは一例であり、１本の帯状又は平板状をなしていてもよい。
これにより、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間及び走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間に配置される画素（副画素）内で液晶分子の水平回転方向がそれぞれ異なる２つの領域を形成する。すなわち、赤の副画素については、矢印ＡＲ１に示すＹ方向に配置する２画素が対になって疑似デュアルドメイン（２画素疑似デュアルドメイン）を構成する。緑の副画素については、矢印ＡＲ２に示すＹ方向に配置する２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。白の副画素については、矢印ＡＲ３に示す斜向かいの２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。青の副画素については、矢印ＡＲ４に示す斜向かいの２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。これによって、視野角補償が行われる。

＜変形形態１−１＞
実施形態１の第１の変形形態に係る表示装置について図６を用いて説明する。図６は変形形態１−１に係る表示装置の画素配列を示す平面図である。
変形形態１−１に係る表示装置１００Ａは表示装置１００と基本的に同じであるが、第１の画素と第２の画素の配置が異なる。図６のＡの部分では、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間の左側に第１の画素ＰＸ１が配置され、右側に第２の画素ＰＸ２が配置される。走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間の左側に第２の画素ＰＸ２が配置され、右側に第１の画素ＰＸ１が配置される。走査線ＧＬ３と走査線ＧＬ４との間の左側に第２の画素ＰＸ２が配置され、右側に第１の画素ＰＸ１が配置される。走査線ＧＬ４と走査線ＧＬ５との間の左側に第１の画素ＰＸ１が配置され、右側に第２の画素ＰＸ２が配置される。表示装置１００Ａは図６のＡの部分の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。表示装置１００Ａの信号線や画素電極の傾きは表示装置１００と同様である。これにより、Ｘ方向に沿って赤、緑、青及び白の各副画素が等間隔に配置される。さらに、Ｙ方向に沿って赤、緑、青及び白の各副画素が等間隔に配置される。
図６に示すように、赤の副画素については、矢印ＡＲ１に示すＹ方向に配置される２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。緑の副画素についてはＹ方向に配置するする２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。白の副画素については、矢印ＡＲ３に示すＹ方向に隣接する２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。青の副画素については、矢印ＡＲ４に示すＹ方向に隣接する２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。これによって、視野角補償が行われる。表示装置１００Ａは白及び青の副画素の疑似デュアルドメインを構成する副画素対は、表示装置１００よりも近くに位置するので、より視野角を改善することができる。

＜変形形態１−２＞
実施形態１の第２の変形形態に係る表示装置について図７及び図８を用いて説明する。図７は変形形態１−２に係る表示装置の画素配列を示す平面図である。図８は図７のＡの部分の走査線、信号線及び画素電極を示す平面図である。
変形形態１−２に係る表示装置１００Ｂは、第１の画素ＰＸ１及び第２の画素ＰＸ２の他に、赤の副画素、緑の副画素及び白の副画素で構成される第３の画素ＰＸ３と、赤の副画素、緑の副画素及び青の副画素で構成される第４の画素ＰＸ４を備える。第３の画素ＰＸ３はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と青の副画素とが隣接配置されるのは第１の画素ＰＸ１と同じであるが、赤の副画素と緑の副画素とのＹ方向の配置が第１の画素ＰＸ１と反対である。第４の画素ＰＸ４はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と白の副画素とが隣接配置されるのは第２の画素ＰＸ２と同じであるが、赤の副画素と緑の副画素とのＹ方向の配置が第２の画素ＰＸ２と反対である。図７のＡの部分において、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間及び走査線ＧＬ３と走査線ＧＬ４との間に第１の画素ＰＸ１と第４の画素ＰＸ４が配置され、走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間及び走査線ＧＬ４と走査線ＧＬ５との間に第２の画素ＰＸ２と第３の画素ＰＸ３が配置される。表示装置１００Ｂは図７のＡの部分の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。

図７に示すように、第１及び第２の画素ＰＸ１、ＰＸ２の赤の副画素の開口形状はＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状であり、緑の副画素の開口形状はＹ方向に対して平面視で左回りの方向に傾いた平行四辺形状である。第３及び第４の画素ＰＸ３、ＰＸ４の緑の副画素の開口形状はＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状であり、赤の副画素の開口形状はＹ方向に対して平面視で左回りの方向に傾いた平行四辺形状である。白及び青の副画素の開口形状は屈曲している。第１及び第３の画素ＰＸ１、ＰＸ３の白の副画素の開口形状は上側がＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状と下側がＹ方向に対して平面視で左回りの方向に傾いた平行四辺形状とを合わせた形状である。第２及び第４の画素ＰＸ２、ＰＸ４の青の副画素の開口形状は上側がＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状と下側がＹ方向に対して平面視で左回りの方向に傾いた平行四辺形状とを合わせた形状である。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが平行四辺形状という。

図８に示すように、信号線ＳＬ１〜ＳＬ６は１画素ごとに屈曲して配置されている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６は部分的には隣接する走査線の中間付近及び走査線が配置される位置で屈曲しつつ、信号線全体はＹ方向に沿って設けられている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６が延びている方向は方向Ｃと平行の部分と方向Ｄと平行の部分とがある。信号線は２本の走査線ＧＬ１、ＧＬ２間において、Ｘ方向に対して平面視で線対称の関係にある。
画素電極ＰＥＲ、画素電極ＰＥＧ、画素電極ＰＥＷ及び画素電極ＰＥＢは、それぞれ２本の電極を有し、信号線が延びている方向に沿って配置される。言い換えると、２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向は信号線が延びる方向に平行に配置される。２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向はＹ方向に対して所定の角度傾いている。画素電極ＰＥＲ及び画素電極ＰＥＧの電極及び開口部はそれぞれ直線状であり、画素電極ＰＥＷ及び画素電極ＰＥＢの電極及び開口部はそれぞれ屈曲している。
走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置される第１の画素ＰＸ１の赤の副画素及び第４の画素ＰＸ４の緑の副画素の電極の延在方向及び開口部の延在方向は方向Ｃと平行である。第１の画素ＰＸ１の緑の副画素及び第４の画素ＰＸ４の赤の副画素の電極の延在方向及び開口部の延在方向は方向Ｄと平行である。第１の画素ＰＸ１の白の副画素及び第４の画素ＰＸ４の青の副画素の電極の延在方向及び開口部の延在方向は、方向Ｃと平行な部分と方向Ｄと平行な部分とを有する。走査線ＧＬ２と走査線ＧＬ３との間に配置される第２の画素ＰＸ２の青の副画素及び第３の画素ＰＸ３の白の副画素の電極の延在方向及び開口部の延在方向は、方向Ｃと平行な部分と方向Ｄと平行な部分とを有する。
赤及び緑の副画素については、互いに反対側に傾いた近傍の２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。白及び青の副画素については１つの副画素内でデュアルドメインを構成する。

＜変形形態１−３＞
実施形態１の第３の変形形態に係る表示装置について図９を用いて説明する。図９は変形形態１−３に係る表示装置の画素配列を示す平面図である。
変形形態１−３に係る表示装置１００Ｃの信号線、第１、第２、第３及び第４の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４の形状は、表示装置１００Ｂと同様であるが、第１、第２、第３及び第４の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４の配置が異なる。表示装置１００Ｃは図９のＡの部分の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。これにより、Ｘ方向に沿って赤、緑、青及び白の各副画素が等間隔に配置される。また、さらに、Ｙ方向に沿って第１の画素ＰＸ１の赤の副画素と、第４の画素ＰＸ４の緑の副画素とが等間隔になる。
図９に示すように、赤及び緑の副画素については、互いに反対側に傾いた近傍の２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。白及び青の副画素については１つの副画素内でデュアルドメインを構成する。

＜変形形態１−４＞
実施形態１の第４の変形形態に係る表示装置について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は変形形態１−４に係る表示装置の画素配列を示す平面図である。図１１は変形形態１−４に係る表示装置の走査線、信号線及び画素電極を示す平面図である。
変形形態１−４に係る表示装置１００Ｄの画素、走査線及び信号線の配置は、基本的に表示装置１００と同様である。Ｘ方向に連続して第１の画素ＰＸ１又は第２の画素ＰＸ２が配置され、Ｙ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置される。表示装置１００Ｄは図１０のＡの部分の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置される。
図１０に示すように、第１及び第２の画素ＰＸ１、ＰＸ２の赤及び緑の副画素の開口形状はそれぞれ上側が右に傾いた平行四辺形状と下側が左に傾いた平行四辺形状とを合わせた形状である。第１の画素ＰＸ１の白の副画素及び第２の画素ＰＸ２の青の副画素の開口形状はそれぞれ右に傾いた平行四辺形状と左に傾いた平行四辺形状とを交互に４つ合わせた形状である。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが平行四辺形状という。
図１１に示すように、信号線ＳＬ１〜ＳＬ６は１副画素ごとに屈曲して配置されている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６は隣接する走査線の中間付近、その中間付近と走査線との中間付近及び走査線が配置される位置で屈曲している。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６が延びている方向は方向Ｃと平行の部分と方向Ｄと平行の部分とがある。信号線は２本の走査線ＧＬ１、ＧＬ２間において、Ｘ方向に対して平面視で線対称の関係にある。
画素電極ＰＥＲ、画素電極ＰＥＧ、画素電極ＰＥＷ及び画素電極ＰＥＢは、それぞれ２本の電極から構成され、２本の電極は信号線が延びる方向に平行に配置される。言い換えると、２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向は信号線が延びる方向に平行である。２本の電極間のスリット等で構成される開口部の延在方向はＹ方向に対して所定の角度傾いている。画素電極ＰＥＲ及び画素電極ＰＥＧの電極及び開口部はそれぞれ１回屈曲しており、画素電極ＰＥＷ及び画素電極ＰＥＢの電極及び開口部はそれぞれ３回屈曲している。第１の画素ＰＸ１及び第２の画素ＰＸ２の各副画素の画素電極は、方向Ｃと平行な部分と、方向Ｄと平行な部分とを有する。
図１０及び図１１に示すように、第１及び第２の画素ＰＸ１、ＰＸ２の各副画素は１つの副画素内でデュアルドメインを構成する。

＜実施形態２＞
実施形態２に係る表示装置について図１２を用いて説明する。図１２は実施形態２に係る表示装置の画素配列、走査線、信号線及び画素電極を示す平面図である。
実施形態２に係る表示装置１００Ｅは画素の形状、画素電極の形状及び信号線の形状が表示装置１００と異なるが、その他は表示装置１００と同様である。
表示装置１００Ｅの画素、走査線及び信号線の配置並びにそれらの接続関係は、基本的に表示装置１００Ｓと同様である。第１の画素ＰＸ１、ＰＸ１’はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と青の副画素とが隣接配置されている。第２の画素ＰＸ２、ＰＸ２’はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と白の副画素とが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ、ＰＸ２’と、又は第２の画素ＰＸ２と第１の画素ＰＸ１’とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２と、又は第２の画素ＰＸ２’と第１の画素ＰＸ１’とが交互に配置されている。表示装置１００Ｅは図１２の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。
赤及び緑の副画素の開口形状はＹ方向に平行な２辺を有する台形状であり、白及び青の副画素の開口形状はＹ方向に長い矩形状である。走査線ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３はＸ方向に沿って設けられている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６はＹ方向に沿って設けられている。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが台形状又は矩形状という。

本実施形態の画素電極について説明する。
第１の画素ＰＸ１の画素電極ＰＥＷ及び第２の画素ＰＸ２’の画素電極ＰＥＢは、Ｘ方向に沿って設けられた帯状の第１の電極Ｈと、Ｙ方向に沿って設けられた帯状の第２の電極Ｖと、Ｙ方向に対して平面視で右回りにθ１の角度をなす方向に沿って設けられた帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を備える。第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は、所定の間隔を置いて設けられている。第１の画素電極Ｅ１の一端は第２の電極Ｖと接続している。第２及び第３の画素電極Ｅ２、Ｅ３の一端は第１の電極Ｈと接続している。
なお、帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は、３本に限られない。帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のうち少なくとも１本が帯状の第１の電極Ｈと接続し、他の帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のうち少なくとも１本が帯状の第２の電極Ｖと接続していることが望ましい。これにより、画素電極は、画素内の広い範囲に配置される。また、帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の他端と接続する電極が設けられていてもよい。画素電極は、１副画素あたりＥ１、Ｅ２、Ｅ３の３本に限られず、２本以上であればよい。
第２の画素ＰＸ２の画素電極ＰＥＢ及び第１の画素ＰＸ１’の画素電極ＰＥＷは、Ｘ方向に沿って設けられた帯状の第１の電極Ｈと、Ｙ方向に沿って設けられた帯状の第２の電極Ｖと、Ｙ方向に対して平面視で左回りにθ１の角度をなす方向に沿って設けられた帯状の第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を備える。第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は、所定の間隔を置いて設けられている。第１の画素電極Ｅ１の一端は第２の電極Ｖと接続している。第２及び第３の画素電極Ｅ２、Ｅ３の一端は第１の電極Ｈと接続している。また、第１の電極Ｈ及び第２の電極Ｖは、１副画素あたり１本の帯状であることが望ましい。さらに、第１の画素電極Ｅ１の他端は第１の電極Ｈと間隔を置いて設けられている。第３の画素電極Ｅ３の他端は第２の電極Ｖと間隔を置いて設けられている。
第１の画素ＰＸ１の画素電極ＰＥＧ、ＰＥＲは、Ｘ方向に沿って設けられた第１の電極Ｈと、Ｙ方向に対して平面視で右回りにθ１の角度をなす方向に沿って設けられた第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を備える。
第２の画素ＰＸ２の画素電極ＰＥＧ、ＰＥＲは、第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３が、Ｙ方向に対して平面視で左回りにθ１の角度をなす方向に沿って設けられている。
第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の他端は、平面視で、各副画素の開口部内に設けられていることが望ましい。第１及び第２の電極Ｈ、Ｖは平面視で遮光部と重なっており、遮光部内に設けられていることが望ましい。第２の電極Ｖの長さはＹ方向における開口部の長さの３分の１以上３分の２以下であることが望ましい。これにより、画素電極Ｅ１が、平面視で開口部と重複することができ、かつ、第２の電極Ｖが、他の部位の妨げとならない長さとなる。第１、第２及び第３の画素電極Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の形状は、直線状に限らず、屈曲又は湾曲していても良い。

これにより、赤及び緑の副画素についてはＹ方向に隣接する２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成し、白及び青の副画素については近傍の２画素が対になって疑似デュアルドメインを構成する。信号線を直線状にし、画素電極を傾斜させることで、画素電極を屈曲させる必要がなく、屈曲部の光漏れを抑制することができる。よって、左右方向の視野角を拡大することができ、またコントラスト低下を抑制することができる。
第２の極Ｖは信号線ＳＬ３、ＳＬ６に近接して配置される。すなわち、第２の電極Ｖは信号線を２本隣接配置する側に配置され、隣接副画素との距離が遠いので、隣の副画素に漏れ電界が発生することを抑制することができる。

＜実施形態３＞
まず、ＲＧＢ方式の表示装置における押圧ドメイン対策について図２１から図２３を用いて説明する。図２１は画素電極の先端を屈曲させていない場合のネガ液晶の液晶分子の配向を示す図である。図２２は画素電極の先端を少し屈曲させた場合のネガ液晶の液晶分子の配向を示す図である。図２３は画素電極の先端を大きく屈曲させた場合のネガ液晶の液晶分子の配向を示す図である。
櫛歯電極の両先端を屈曲させている理由について図２１から図２３を用いて説明する。実線の楕円は液晶分子の初期配向、破線の楕円は液晶分子の電圧印加後の配向を示している。液晶分子は、初期配向時、方向Ｅに向いており、−Ｘ方向に対し右にθ６傾いている。このように液晶分子が、X方向及びＹ方向のいずれとも異なる、即ち、画素電極が沿った方向に平行でも垂直でもない方向に沿って設けられる。このように、画素電極に電圧が印加された場合は、画素電極が沿った方向に平行又は垂直な方向に液晶分子が配置された場合と比較して、液晶分子が回転しやすくなる。
画素電極に電圧が印加された場合に液晶分子が平面視で右回りに回る力をＲＲ、左回りに回る力をＲＬとする。即ちＲＲがＲＬより大きい場合、液晶分子は右回りに回り、ＲＬがＲRより大きい場合、液晶分子は左回りに回る。
図２１に示すように、画素電極ＰＥ１におけるＹ方向の中央付近の直線部Ｐ１ではＲＲがＲＬより大きく、電圧印加後液晶分子は右回りになる。この自由エネルギーをΔ１とする。また、画素電極ＰＥ１の右上端部ＰＲでは、ＲＲはＲＬより非常に大きく、電圧印加後液晶分子は右回りに回転しやすい状態にある。
一方、画素電極ＰＥ１の左上端部ＰＬではＲＲがＲＬとほぼ等しくなり、電圧印加後液晶分子が右回りか左回りか定まらない箇所がある。ここで、液晶分子に押圧が行われた場合、ＲＬ＝ＲRである境界は矢印Ｈの方向へ移動することが知られており、直線の場合は右回りか左回りか定まらない領域が広がりやすく、表示に悪影響を及ぼす。
図２２に示すように、画素電極ＰＥ２の屈曲部Ｐ２は方向Ｆに向かって延在しており、Ｙ方向に対し左にθ７傾いている。画素電極ＰＥ２のＹ方向の直線部Ｐ１では、図２２と同様に右回り方向のエネルギーＲＲが左回り方向のエネルギーＲＬより大きく、電圧印加後液晶分子は右回りになる。また、図２１の画素電極と同様に、画素電極ＰＥ２の左上端部ＰＬではＲＲ＝ＲＬであり、電圧印加後液晶分子は右回りか左回りか決まらない。
しかし、画素電極ＰＥ２の屈曲部Ｐ２ではＲＲはＲＬより大きく、電圧印加後液晶分子は右回りになる。この自由エネルギーをΔ２とすると、Δ１＞Δ２である。
図２１における画素電極の形状と比較して、図２２の画素電極は、Ｐ２の境界でＲＲとＲＬとの差が大きいので、右回りか左回りか決まらない範囲が図２２と比較して狭い。
図２３に示すように、画素電極ＰＥ３は屈曲部Ｐ３から方向Ｇに向かって延在しており、Ｙ方向に対し左にθ８傾いている。ここで、θ８＞θ７である。また、Δ２＞Δ３である。即ち、屈曲部の角度を大きくした場合、屈曲部におけるＲＲとＲＬとの差は大きくなる。従って、画素電極の屈曲部の角度を大きくすることにより、右回りか左回りか決まらない範囲を狭くし、押圧が行われた場合であっても液晶分子が適切に回転する範囲を広く保つことができる。

実施形態３に係る表示装置について図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は実施形態３に係る表示装置の画素配列及び画素電極のパターンを示す平面図である。図１４は実施形態３に係る表示装置の画素電極のパターンを詳細に示す平面図である。
実施形態３に係る表示装置１００Ｆの画素、走査線及び信号線の配置並びにそれらの接続関係は、基本的に表示装置１００Ｓと同様である。第１の画素ＰＸ１はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と青の副画素とが隣接配置されている。第２の画素ＰＸ２はＹ方向に赤の副画素と緑の副画素とが隣接配置され、Ｘ方向に赤及び緑の副画素と白の副画素とが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２とが交互に配置されている。表示装置１００Ｆは図１３の画素がＸ方向及びＹ方向に繰り返して配置されている。
図１３に示すように、赤及び緑の副画素の開口形状はＹ方向に平行な２辺を有する台形状であり、Ｙ方向の短辺の長さはＸ方向の長さよりも長い。白及び青の副画素の開口形状はＹ方向に長い矩形状である。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが台形状又は矩形状という。走査線ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３はＸ方向に沿って設けられる。信号線ＳＬ１〜ＳＬ６はＹ方向に沿って設けられる。
図１４に示すように、赤の副画素の画素電極ＰＥＲはメイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２と第１から第４の電極部ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４とで構成される。メイン電極部ＲＭ１及びメイン電極部ＲＭ２とは第１の電極部ＲＥ１と接続している。メイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２はＹ方向に沿って設けられ、第３及び第４の電極部ＲＥ３、ＲＥ４は、平面視で、Ｙ方向に対し左回りの方向にθ３屈曲している。θ３は５°〜４５°の範囲で設定されており、２５°〜４５°であればさらに望ましい。第１の電極部ＲＥ１は、平面視で、−Ｙ方向に対し左回りの方向にθ４屈曲している。θ４はθ３より大きく、２０°〜７５°の範囲で設定されており、４５°〜７５°であればさらに望ましい。第２の電極部ＲＥ２は、平面視で、−Ｙ方向に対し左回りの方向にθ５屈曲している。θ５はθ３より大きく、θ４より小さい。液晶分子がＸ方向に沿っている場合は、θ５＜θ４である方が、液晶分子と画素電極とのなす角度が大きくなるため、液晶分子が回転しやすい。
また、メイン電極部ＲＭ１を長くするため、θ３＜θ４であることが望ましい。
本実施形態における赤の副画素の画素電極ＰＥＲは、メイン電極部ＲＭ１並びに該メイン電極部ＲＭ１の両端に夫々接続した第１の電極部ＲＥ１及び第３の電極部ＲＥ３を含む。また、メイン電極部ＲＭ２並びに該メイン電極部ＲＭ２の両端に夫々接続した第２の電極部ＲＥ２及び第４の電極部ＲＥ４を含む。
このように画素電極が直線部分の両端が屈折していることにより、上述した押圧による表示の悪影響を低減することができる。
また、第１の電極部ＲＥ１と第２の電極部ＲＥ２とが接続している。
緑の副画素の画素電極ＰＥＧはメイン電極部ＧＭ１、ＧＭ２と第１から第４の電極部ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３、ＧＥ４とで構成される。メイン電極部ＧＭ１及びメイン電極部ＧＭ２と第１の電極部ＧＥ１とは接続している。第１の電極部ＧＥ１と第１の電極部ＲＥ１とは間隔を置いて設けられており、平面視において互いに平行であることが望ましい。メイン電極部ＧＭ１、ＧＭ２はＹ方向に沿って設けられ、第３及び第４の部ＧＥ３、ＧＥ４は、平面視で、−Ｙ方向に対し左回りの方向にθ３’屈曲している。θ３’は５°〜４５°の範囲で設定される。第１の電極部ＧＥ１は、平面視で、Ｙ方向に対し左回りの方向にθ４’屈曲している。θ４’はθ３’より大きく、２０°〜７５°の範囲で設定される。第２の電極部ＧＥ２は、平面視で、Ｙ方向に対し左回りの方向にθ５’屈曲している。θ５’はθ３’より大きく、θ４’より小さい。
θ３及びθ３’、θ４及びθ４’、θ５及びθ５’はそれぞれ等しいことが望ましい。この場合に、赤の副画素の開口部と緑の副画素の開口部との間の遮光部はＹ方向に対してθ４（Ｘ方向に対して９０°−θ４）傾いて設けられている。赤の副画素と緑の副画素との間は走査線が延びる方向に対して平行でない方向に分割される構成であるので、有効画素を最大限に活かした櫛歯電極の配置により、透過率低下を抑制することができる。
なお、白及び青の画素電極ＰＥＷ、ＰＥＢのメイン電極は、平面視において赤及び緑のメイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２、ＧＭ１、ＧＭ２と互いに平行である。また、白及び青の画素電極ＰＥＷ、ＰＥＢの両端の電極は、平面視において赤及び緑の電極部ＲＥ３、ＲＥ４、ＧＥ３、ＧＥ４と互いに平行である。

＜実施例３−１＞
実施形態３の第１の実施例に係る表示装置について図１５から図１７を用いて説明する。図１５は実施例３−１に係る表示装置の走査線、信号線、画素電極及び遮光部のパターンを示す平面図である。図１６はＡ−Ａ’線における断面図である。図１７はＢ−Ｂ’線における断面図である。
実施例３−１に係る表示装置１００Ｇの画素、走査線及び信号線の配置並びにそれらの接続関係は、基本的に表示装置１００Ｓと同様である。
アレイ基板１０は下記の構成をしている。ガラス基板１１の上に半導体層ＰＳが形成され、図１７には図示されないが半導体層ＰＳの上にゲート絶縁膜１２を介して走査線ＧＬが形成される。半導体層ＰＳは、ポリシリコン製であることが望ましいが、他の半導体製であってもよい。ゲート絶縁膜１２及び走査線ＧＬの上に層間絶縁膜１３を介して信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥが形成される。信号線ＳＬはゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１３に開けられたコンタクトホールを介して半導体層ＰＳの一端と接続される。ドレイン電極ＤＥはゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１３に開けられたコンタクトホールを介して半導体層ＰＳの他端と接続される。層間絶縁膜１３、信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥの上に有機絶縁層（平坦化膜）１４を介して共通電極ＣＥが形成される。共通電極ＣＥの上に層間絶縁層１５を介して画素電極ＰＥが形成される。画素電極ＰＥは有機絶縁膜１４及び層間絶縁膜１５に開けられたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥと接続される。層間絶縁膜１５及び画素電極ＰＥの上に配向膜１６が形成される。
対向基板２０は、ガラス基板２１と、ガラス基板２１の下に形成された遮光部ＢＭと、ガラス基板２１及び遮光部ＢＭの下に形成されたカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３の下に形成されたオーバコート膜（平坦化膜）２４と、オーバコート膜２４の下に形成された配向膜２５と、を備える。
図１５に示すように、画素電極ＰＥＲの電極部ＲＥ３と電極ＲＥ４とを接続する接続部ＲＥ５は、ドレイン電極ＤＥを介して半導体層ＰＳＲと接続される。ソース配線層ＳＬ２は半導体層ＰＳＲに接続される。半導体層ＰＳＲはゲート配線層ＧＬ１の下を横切る。電極部ＧＥ３と電極部ＧＥ４と接続する接続部ＧＥ５は、ドレイン電極ＤＥを介して半導体層ＰＳＧと接続される。信号線ＳＬ２は半導体層ＰＳＧに接続される。半導体層ＰＳＧは走査線ＧＬ２の下を横切る。平面視において、画素電極ＰＥＲと画素電極ＰＥＧとが対向する部分は遮光部ＢＭで覆われる。走査線ＧＬ１、ＧＬ２、接続部ＲＥ５、ＧＥ５及び信号線ＳＬ１〜ＳＬ６も遮光部ＢＭで覆われる。

＜変形形態３−１＞
実施形態３の第１の変形形態に係る表示装置について図１８及び図１９を用いて説明する。図１８は変形形態３−１に係る表示装置の画素配列及び画素電極のパターンを示す平面図である。図１９は変形例３−１に係る表示装置の画素電極のパターンを詳細に示す平面図である。
変形形態３−１に係る表示装置１００Ｈの画素、走査線及び信号線の配置は、基本的に表示装置１００Ｃと同様である。しかし、表示装置１００Ｈと表示装置１００Ｃとは副画素及び画素電極の形状が異なる。

図１８に示すように、赤の副画素及び緑の副画素の開口部の形状は信号線が延びる方向に平行な２辺を有する台形状であり、他の１辺はＸ方向に沿って設けられ、他の１辺はＸ方向に対し所定の角度傾いている。白の副画素及び青の副画素の開口部は屈曲しており、上側がＹ方向に対して平面視で右回りの方向に傾いた平行四辺形状と下側がＹ方向に対して平面視で左回りの方向に傾いた平行四辺形状とを合わせた形状である。なお、各副画素の開口の４つの角には図示しない丸みがあるが台形状又は平行四辺形状という。走査線ＧＬ１〜ＧＬ３はＸ方向に沿って設けられる。信号線ＳＬ１〜ＳＬ４は１画素ごとに屈曲して配置されている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ４は隣接する走査線の中間付近及び走査線が配置される位置で屈曲している。信号線ＳＬ１〜ＳＬ４の延びる方向は方向Ｃと平行の部分があり、Ｙ方向に対して右回りの方向にθ１傾いている。信号線ＳＬ１〜ＳＬ４の延びるは方向Ｄと平行の部分があり、Ｙ方向に対して左回りの方向にθ１傾いている。

図１９に示すように、画素電極ＰＥＲはメイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２と第１から第４の電極部ＲＥ１〜ＲＥ４とで構成される。メイン電極部ＲＭ１及びメイン電極部ＲＭ２と第１の電極部ＲＥ１と接続している。メイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２は、平面視で、Ｙ方向に対し右回りの方向にθ１傾いたＣ方向に延びており、第３及び第４の電極部ＲＥ３、ＲＥ４は、平面視で、Ｃ方向に対し左回りの方向にθ３屈曲している。θ３は５°〜４５°の範囲で設定される。第１の電極部ＲＥ１は、平面視で、Ｃ方向に対し左回りの方向にθ４屈曲している。θ４はθ３より大きく、２０°〜７５°の範囲で設定される。第２の電極部ＲＥ２は、平面視で、Ｃ方向に対し左回りの方向にθ５屈曲している。θ５はθ３以上であり、θ４より小さい。
画素電極ＰＥＧはメインの画素電極部ＧＭ１，ＧＭ２と第１から第４の電極部ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３、ＧＥ４とで構成される。メイン電極部ＧＭ１及びメイン電極部ＧＭ２と第１の電極部ＧＥ１とで接続されている。第１の電極部ＧＥ１は第１の電極部ＲＥ１と対向する。メイン電極部ＧＭ１、ＧＭ２は、平面視で、−Ｙ方向に対し左回り方向にθ２傾いたＤ方向に延びており、屈曲端部ＧＥ３、ＧＥ４は、平面視で、Ｄ方向に対し左回り方向にθ３屈曲している。θ３は５°〜４５°の範囲で設定される。第１の電極部ＧＥ１は、平面視で、Ｄ方向に対し左回り方向にθ４屈曲している。θ４はθ３より大きく、２０°〜７５°の範囲で設定される。第２の電極部ＧＥ２は、平面視で、Ｄ方向に対し左回り方向にθ５屈曲している。θ５はθ３以上であり、θ４より小さい。
赤の副画素の開口部と緑の副画素の開口部との間の遮光部はＹ方向に対してθ４−θ１（Ｘ方向に対して９０°−θ４＋θ１）傾いて延びている。赤の副画素と緑の副画素との間は走査線が延びる方向に対して平行でない方向に分割される構成であるので、有効画素を最大限に活かした櫛歯電極の配置により、透過率低下を抑制することができる。
なお、白及び青の画素電極ＰＥＷ、ＰＥＢのメイン電極は、平面視において赤及び緑のメイン電極部ＲＭ１、ＲＭ２、ＧＭ１、ＧＭ２と互いに平行である。また、白及び青の画素電極ＰＥＷ、ＰＥＢの両端の電極は、平面視において赤及び緑の電極部ＲＥ３、ＲＥ４、ＧＥ３、ＧＥ４と互いに平行である。

＜実施例３−２＞
変形形態３−１の実施例（実施例３−２）に係る表示装置について図２０を用いて説明する。図２０は実施例３−２に係る表示装置の走査線、信号線、画素電極及び遮光部のパターンを示す平面図である。
実施例３−２に係る表示装置１００Ｉの画素、走査線及び信号線の配置並びにそれらの接続関係は、基本的に表示装置１００Ｓと同様である。
図２０に示すように、表示装置１００Ｉは信号線及び画素電極が屈曲していること以外は基本的に表示装置１００Ｇと同様である。

各実施形態、各変形形態、各実施例及び各変形例について説明したが、それらは適宜組み合わせることができる。例えば、実施形態１及び変形形態１−１のいずれかと変形形態３−１及び実施例３−２のいずれかと組み合わせてもよい。
なお、画素電極ＰＥ、ＰＥＢ、ＰＥＧ、ＰＥＲ、ＰＥＷは共通電極として機能してもよく、この場合、共通電極ＣＥが画素電極として機能する。

１・・・表示パネル ２・・・ドライバＩＣ ３・・・バックライト
１０・・・アレイ基板 １５・・・配向膜 ２０・・・対向基板
２１・・・ガラス基板 ＢＭ・・・遮光部 ２３・・・カラーフィルタ
２４・・・オーバコート膜 ２５・・・配向膜 ３０・・・液晶層
４０・・・シール材 ５０Ａ、５０Ｂ・・・偏光板
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ、１００Ｒ１、１００Ｒ２、１００Ｓ、１００Ｔ・・・表示装置 ＣＥ・・・共通電極
ＧＬ、ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３、ＧＬ４、ＧＬ５・・・走査線
ＰＥ、ＰＥＢ、ＰＥＧ、ＰＥＲ、ＰＥＷ・・・画素電極
ＰＳ、ＰＳＢ、ＰＳＲ・・・半導体層
ＳＬ、ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６・・・信号線

Claims (10)

1. 第１の方向に延在する複数の走査線と、
   第２の方向に延在する複数の信号線と、
   第１の副画素と第２の副画素と第３の副画素とで構成される複数の第１の画素及び第１副画素と第２の副画素と第４の副画素とで構成される複数の第２の画素とを含む画素と、
   を備え、
   前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素、前記第４の副画素は、それぞれ異なる色を表示し、
   平面視で、前記第３の副画素及び前記第４の副画素は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素より大きく、
   前記画素は、前記第１の方向及び前記第２の方向に沿って複数設けられており、
   前記信号線は、前記第２の方向に対して一方向に所定の角度傾いた第３の方向に沿った部分及び他方向に前記所定の角度傾いた第４の方向に沿った部分を含む
   表示装置。
2. 請求項１の表示装置において、
   前記第３の方向に沿った部分及び前記第４の方向に沿った部分は、２本の前記走査線の間において対称な形状である。
3. 請求項１又は２の表示装置において、
   前記第１の画素における第１の副画素及び第２の副画素は前記第２の方向に沿って配置され、第３の副画素は第１の副画素及び第２の副画素と前記第１の方向に隣接して配置され、
   前記第２の画素における第１の副画素及び第２の副画素は前記第２の方向に沿って配置され、前記第２の画素にて第４の副画素は前記第１の副画素及び前記第２の副画素と前記第１の方向に隣接して配置される。
4. 請求項３の表示装置において、
   前記第１の画素及び前記第２の画素は交互に配置され、
   前記第１の画素における第１の副画素と前記第２の画素における第１の副画素とは、前記第２の方向に沿って等間隔に配置されている。
5. 請求項３の表示装置において、
   前記第１の画素及び前記第２の画素は交互に配置され、
   前記第１の画素における第１の副画素と前記第２の画素における第２の副画素とは、前記第２の方向に沿って等間隔に配置されている。
6. 請求項５の表示装置において、
   前記第１の画素及び前記第２の画素における前記第１の副画素の画素電極は前記第３の方向に沿っており、
   前記第１の画素及び前記第２の画素における第２の副画素の画素電極は前記第４の方向に沿っており、
   前記第３の副画素及び前記第４の副画素の画素電極は、前記第３の方向に沿った部分と前記第４の方向に沿った部分と、を有する。
7. 請求項６の表示装置において、
   前記第１の画素の第３の副画素の画素電極及び前記第２の画素の第４の副画素の画素電極は、前記第３の方向に沿った部分及び前記第４の方向に沿った部分を２箇所ずつ含む。
8. 請求項７の表示装置において、
   前記信号線は、隣接する２本の前記走査線の間において、前記第３の方向に沿った部分及び前記第４の方向に沿った部分を２箇所ずつ含む。
9. 請求項８の表示装置において、
   前記第１の画素及び前記第２の画素における第１の副画素の画素電極は、前記第３の方向に沿った部分と、前記第４の方向に沿った部分と、を有し、
   前記第１の画素及び前記第２の画素における第２の副画素の画素電極は、前記第３の方向に沿った部分と、前記第４の方向に沿った部分と、を有する。
10. 請求項１から９までのいずれか１つの表示装置において、
    アレイ基板と、
    対向基板と、
    前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層と、
    を備え、
    前記アレイ基板は前記走査線と前記信号線とを備える。

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