CN100340912C - 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种IPS模式LCD器件及其制造方法。该IPS模式LCD器件包括：第一和第二基板；在所述第一基板上面水平和垂直设置的多条栅线和数据线；由所述栅线和数据线限定的多个子像素；将所述子像素分隔为上面区域，即第一区域和下区域，即第二区域并限定以2×2矩阵形式设置的第一到第四子像素的公共线；设置在每一第一到第四子像素内并产生共平面电场的至少一对公共电极和像素电极；连接到所述第一区域的像素电极并设置在所述栅线上面的第一存储线；连接到所述第二区域的像素电极并设置在所述公共线上面的第二存储线；形成在所述栅线和数据线交叉点处的开关元件；以及形成在所述第一和第二基板之间的液晶层。

Description

共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种共平面开关模式液晶显示器件，具体涉及一种能够提高孔径比的四子像素型共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
扭曲向列(TN)模式液晶显示器件(LCD)通常用作平板显示器件，可以获得高的图像质量并且功耗比较低，但是由于液晶分子的折射各向异性，却具有视角窄的问题。这是因为在没有电压施加时液晶分子平行于基板排列，而当有电压施加时液晶分子几乎垂直于基板排列。
为了克服这一缺陷，在解决视角问题方面，研究者们通过沿几乎平行于基板排列液晶分子，已经对共平面开关(IPS)模式LCD进行了积极的研究。
图1示出了现有技术的IPS模式LCD器件的单位像素的示意图，其中图1A示出了一平面图，图1B示出了沿图1A的I-I’线截取的截面图。
如图1A和1B所示，红(R)、绿(G)和蓝(B)子像素组成一单位像素，每一子像素由在透明的第一基板10上面水平和垂直设置的栅线1和数据线3限定。这里所指的水平方向对应于栅线的方向，而垂直于水平方向的垂直方向对应于数据线的方向。所述垂直方向和水平方向都平行于基板的表面。尽管在LCD器件中，n×m个子像素由“n”条栅线1和“m”条数据线3限定，这里只示出了一个R、G和B子像素。这里所述的R、G和B子像素共同形成一个单位像素。
现有技术的薄膜晶体管9设置在限定子像素的栅线1和数据线3的交叉点处。薄膜晶体管9包括栅极1a、半导体层5和源极/漏极2a、2b。
在现有技术的子像素中，公共线4平行于栅线1设置，至少一对电极，公共电极6和像素电极7平行于数据线3设置。所述电极用于切换液晶分子。这里，公共电极6和像素电极7分别连接到公共线4和漏极2b。在具有源极2a和漏极2b的第一基板10上面还包括钝化层11和第一定向膜12a。
另外，与公共线4重叠并连接到像素电极7的像素电极线14与公共线4形成存储电容，其中在像素电极线14和公共线4之间设有栅极绝缘层。
防止光泄漏的黑矩阵21以及分别对应于子像素的R、G和B滤色片23a-23c形成在第二基板20上面。而且，连同第一定向膜12a一起决定液晶的初始排列状态的第二定向膜12b形成在第二基板20上面。
按照现有技术IPS的像素结构，形成在第一基板10和第二基板20之间的液晶层13根据施加在公共电极6和像素电极7之间的电压传输光。
具有上述结构的现有技术IPS模式LCD器件，由于公共电极和像素电极设置在同一平面内，从而产生共平面电场，所以具有能够提高视角的优点。然而，现有技术IPS模式LCD器件具有孔径比低的缺点，而且，公共电极6和像素电极7设置在传输光以形成图像的像素区域，其亮度降低。
发明内容
因此，本发明在于提供一种共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法，基本上克服了由于现有技术的局限和缺点而产生的一个或多个问题。
本发明的一个优点在于提供一种IPS模式LCD器件，其通过将红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)子像素结合为一个像素能够提高屏幕的亮度。
本发明的另一优点在于提供一种IPS模式LCD器件，其通过以四方形(2×2的结构)设置四个子像素R、G、B和W能够提高屏幕的亮度。
本发明的再一优点在于提供一种IPS模式LCD器件及其制造方法，其通过在垂直设置的子像素之间设置公共线，使两个子像素共用该公共线，能够容易地控制子像素区域。
为了实现这些和其它优点，一种共平面开关模式液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；在所述第一基板上面水平设置的多条栅线；在所述第一基板上面垂直设置的多条数据线，所述栅线和数据线限定像素区域；在所述栅线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管；位于所述栅线之间的公共线，该公共线将像素区分隔为第一区域和第二区域，并且在像素区内限定以2×2矩阵形式设置的第一到第四子像素；设置在每一子像素内的至少一对公共电极和像素电极，在所述第一区域中的像素电极与前级像素区域中的薄膜晶体管连接，并且在所述第二区域中的像素电极与第二区域中的薄膜晶体管连接；与所述第一区域的像素电极连接并设置在所述栅线上面的第一存储线；与所述第二区域的像素电极连接并设置在所述公共线上面的第二存储线；以及形成在所述第一和第二基板之间的液晶层。
为了实现这些和其它优点，一种共平面开关模式液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；在所述第一基板上面水平设置的多条栅线；在所述第一基板上面垂直设置的多条数据线，所述栅线和数据线限定像素区；将所述像素区分隔为第一区域和第二区域并限定以2×2矩阵形式设置的红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)子像素的公共线；在每一子像素内设置的至少一对公共电极和像素电极；设置在所述栅线上面的第一存储线；设置在所述公共线上面的第二存储线；将所述公共电极电连接到所述公共线的第一接触孔；将所述第一区域的像素电极电连接到所述第一存储线的第二接触孔；将所述第二区域的像素电极电连接到所述第二存储线的第三接触孔；形成在所述栅线和数据线的交叉点处的开关元件；以及形成在所述第一和第二基板之间的液晶层。
为了实现这些和其它优点，一种共平面开关模式液晶显示器件的制造方法包括：提供第一基板和第二基板；形成多条栅线以及位于该栅线之间并平行于这些栅线的公共线；形成垂直于所述栅线设置并连同所述栅线和公共线一起限定像素区域和所述像素区域内的R、G、B和W子像素的多条数据线，所述R、G、B和W子像素以2×2矩阵形式设置，并且所述公共线将所述像素区分隔为第一区域和第二区域；在所述像素区域中的薄膜晶体管；形成与所述多条栅线中的一条栅线重叠并形成第一存储电容的第一存储线，所述第一存储线与前级像素区域中的薄膜晶体管连接；形成与所述公共线重叠并形成第二存储电容的第二存储线，所述第二存储线与第二区域中的薄膜晶体管连接；在包括第一和第二存储线的基板的整个表面上面形成钝化层；以及在所述钝化层上面形成公共电极和像素电极。
应该理解，上面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，意欲对所要保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
所包括的用于进一步理解本发明并且作为说明书一部分的附图表示了本发明的实施例，并且连同说明书一起解释本发明的原理。
图1A和图1B示出了现有技术IPS模式LCD器件的结构；
图2示出了按照本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的示意图；
图3示出了按照本发明第二实施例的IPS模式LCD器件的示意图；
图4示出了按照本发明第三实施例的IPS模式LCD器件的示意图；
图5示出了按照本发明第四实施例的IPS模式LCD器件的示意图；
图6A和6B示出了按照本发明第五实施例的IPS模式LCD器件的示意图；
图7A到7C示出了按照本发明的IPS模式LCD器件的示意图。
具体实施方式
下面参照附图详细描述本发明的实施例。
图2示出了本发明的第一实施例：一种共平面开关(IPS)模式液晶显示器件(LCD)具有四个子像素，其中每一子像素具有四个透射区域。该实施例的IPS模式LCD器件除了具有红(R)子像素100a、绿(G)子像素100b和蓝(B)子像素100c外，还具有白(W)子像素100d。这里，W子像素100d可以通过减小每一子像素的宽度并保持每一子像素的区域而设置。
子像素100a、100b、100c和100d由水平和垂直设置的栅线101和数据线103限定。在每一子像素100a、100b、100c和100d中，像素电极107基本上垂直连接到像素电极线114，并且公共电极106基本上垂直连接到公共线104。交替设置的像素电极107和公共电极106，当有电压施加在二者之间时会产生共平面电场。公共线104和像素电极线114彼此重叠形成存储电容(Cst)，并且在二者之间设有栅极绝缘层(未示出)。
另外，作为开关元件，薄膜晶体管109设置在栅线101和数据线103的交叉点处。薄膜晶体管109通常包括形成在栅极101a上面的半导体层105；形成在半导体层105上面的源极102a以及与源极102a相对并电连接到像素电极线114的漏极102b。而且，尽管图中没有示出，在其上面已经形成栅线101的基板的整个表面上面形成栅极绝缘层。栅极绝缘层使公共电极106和像素电极107彼此电绝缘。
下面对本发明第一实施例与现有技术进行比较。如图1A所示，像素电极7和公共电极6之间的间距设为d1。如图2所示，本发明第二实施例的像素电极107和公共电极106之间的间距设为d2。由于在该实施例中W子像素100d的加入，d2大约等于0.5d1。即，如果加入W子像素100d，可以将亮度提高一定程度，却减少了光透射区域(像素区域内没有被像素电极或公共电极遮蔽的透射区域)。这是因为该实施例的单位像素具有四个子像素。R、G、B和W基本上与现有技术的单位像素具有相同的区域。附加的W子像素的电极结构减少了单位像素的透射区域，这会降低由增加的W子像素产生的增加的亮度。
图3示出了本发明的第二示例性实施例。在该第二实施例中，子像素R、G、B和W以2×2矩阵形式设置，并且每一子像素在电极206和207之间具有六个透射区域，其中每一透射区域具有一宽度D1，其与现有技术的对应宽度基本相同。该子像素的结构以及透射区域的宽度D1与现有技术相比，提高了亮度和孔径比。
如图3所示，按照第二实施例的IPS模式LCD器件具有R、G、B和W子像素200a-200d，每一子像素具有六个透射区域，其中这些子像素以2×2矩阵形式设置，形成单位像素(P)。子像素200a-200d由栅线201和数据线203限定，并且分别水平和垂直排列。在每一子像素200a-200d中具有至少一对电极，该对电极包括连接到像素电极线214的像素电极207和连接到公共线204的公共电极206。像素电极207相对于像素电极线214基本垂直，公共电极206相对于公共线204基本垂直。像素电极207和公共电极206交替设置，并在有电压施加时产生共平面电场。另外，像素电极线214可以与公共线204重叠以形成存储电容(Cst)。
薄膜晶体管209作为开关元件设置在栅线201上面。薄膜晶体管209包括形成在栅线201上面的半导体层205；形成在半导体层205上面的源极202a；以及与源极202a相对并且电连接到像素电极线214的漏极202b。另外，尽管图中没有示出，在其上面已经形成栅线201的基板的整个表面上面淀积栅极绝缘层(未示出)。栅极绝缘层使像素电极207和公共电极206彼此电绝缘。
在该实施例的IPS模式LCD器件中，像素电极207和公共电极206之间的间距D1可以与图1A所示的现有技术的四区域LCD器件的间距d1相同。按照该实施例的子像素200a-200d以2×2矩阵形式设置，栅线和公共线增加在垂直设置的子像素之间，这会产生垂直方向的孔径比“H”。这里，“H”的值比图1A所示的垂直长度“h”小大约15％。然而，由于两个子像素沿水平方向设置，通过增加D1或进一步增加公共电极和像素电极，可以增加光透射区域。
通过增加D1，沿水平方向增加的孔径比大于沿垂直方向减少的孔径比，从而提高了亮度和孔径比。
图4示出了本发明的第三示例性实施例，其中通过使垂直设置的子像素共用公共线提高了孔径比。该第三实施例除了公共线设置的区别之外，基本上与第二实施例(图3)相同。下面描述二者的不同之处。
如图4所示，在按照第三实施例的IPS模式LCD器件中，单位像素通过贯穿像素(P)中间并平行于栅线301的公共线304被分为多个子像素，并且R、G、B和W子像素300a-300d以2×2矩阵形式设置。位于公共线304上面面的区域称为第一区域，位于公共线304下面的区域称为第二区域。如图4所示，G和B子像素300b和300c设置在第一区域内，R和W子像素300a和300d设置在第二区域内。
公共线304电连接到设置在每一子像素内的至少一公共电极306，并且和与公共线304重叠的像素电极线314一起形成存储电容(Cst)。如图4所示，与公共线304重叠的像素电极线314包括电连接到形成在第一区域的像素电极307的第一像素电极线314a以及电连接到形成在第二区域的像素电极307的第二像素电极线314b。
具有上述结构的IPS模式LCD器件，由于设置在像素上下两部分的子像素共用一条公共线，可以提高孔径比。公共线设置在第一和第二区域的边界处，并且垂直设置的子像素共用该公共线，从而减少了线形成区域。
公共电极和像素电极由透明导电材料形成，可以进一步提高孔径比。
图5示出了另一示例性实施例，其中公共电极306’和像素电极307’由透明导电材料形成。例如是ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)等材料可以用作透明导电材料。公共电极306’和像素电极307’与公共线304和像素电极线314形成在不同的层上面，这样需要电连接它们的接触孔。因此，形成用于连接公共电极306’和公共线304的第一接触孔306a，并形成用于连接像素电极307’和像素电极线314的第二接触孔307a。这里，像素电极线314连接到漏极302b，并且漏极302b通过第二接触孔307a连接到像素电极307’，使得像素电极线314连接到像素电极307’(像素电极线单独形成以形成存储电容，并且以下叫做“存储线”)。
在按照该示例性实施例的IPS模式LCD器件中，与第一区域的第一存储线314a重叠的公共线304形成第一存储电容(Cst1)，并且与第二区域的第二存储线314b重叠的公共线304形成第二存储电容(Cst2)。
按照该示例性实施例的结构，由于形成在第一和第二区域的子像素共用公共线304，具有提高的孔径比。然而，一起形成在公共线处的第一和第二存储电容(Cst1和Cst2)限制了减少的宽度的程度。
通过减少公共线的宽度可以提高孔径比。在本发明的第五示例性实施例中，第二区域的第一存储电容(Cst1)形成在栅线401上面，并且第一区域的第二存储电容(Cst2)形成在公共线404上面，使得公共线404的宽度减少并且在保持整个存储电容的情况下提高孔径比。
图6A和6B示出了本发明的第五实施例。图6A示出了垂直设置的两个像素(P1，P2)的平面图，图6B示出了沿II-II’线截取的截面图。在本发明的第五示例性实施例中，设置在上下区域的子像素共用公共线404，位于第二区域内的子像素的存储电容(Cst1)形成在前级栅线401上面，位于第一区域内的子像素的存储电容形成在公共线404上面，使得公共线的宽度减少，从而提高了孔径比。除了公共线404的位置和第二存储电容(Cst2)，第五示例性实施例的构成与第四实施例的相似。
例如，如图6A所示，像素(P1和P2)由分别水平和垂直设置的栅线401和数据线403限定。四个子像素400a-400d由垂直贯穿数据线403中间的公共线404限定。因此，四个子像素组成一个像素。
在该示例性实施例中，用于在像素内产生共平面电场的公共电极406和像素电极407设置在每一像素内。公共电极406连接到公共线404，并且像素电极407连接到存储线(414a，414b)。这里，存储线(414a，414b)分为与第一区域的像素电极407连接的第一存储线414a以及与第二区域的像素电极407连接到第二存储线414b。第一存储线414a设置在前级栅线401上面，第二存储线414b设置在公共线404上面。因此，第一存储线414a和栅线401形成第一存储电容(Cst1)，在其间设有栅极绝缘层408，并且第二存储线414b和公共线404形成第二存储电容(Cst2)，在其间设有栅极绝缘层408。
而且，在第五示例性实施例中，公共线404通过第一接触孔406a连接到公共电极406，并且第一存储线414a通过形成在前级栅线401上面的第二接触孔407a连接到第一区域的像素电极407。第二存储线414b连接到漏极402b，并且漏极402b通过第三接触孔407b连接到第二区域的像素电极407。
按照该示例性实施例的LCD器件，由于第一存储电容形成在前级栅线401上面并且二存储电容形成在公共线404上面，可以将公共线的宽度减少一半。因此，本发明的LCD器件可以具有与减少的公共线的宽度成比例的孔径比。
而且，通过以锯齿形结构设置公共电极和像素电极，可以形成提供基本上是对称的视角特性的多区域结构。这种多区域结构可以去除光透射上的不规则性，并且最小化色移(color shift)。数据线403也可以具有与公共电极406和像素电极407相似的锯齿形结构。
如图6B所示，按照第五示例性实施例，栅线401形成在透明的第一基板410上面，并在其上形成栅极绝缘层408。数据线403和第一存储线414a形成在栅极绝缘层408上面。钝化层411淀积在其上面，在该钝化层411上面形成用于产生共平面电场的公共电极406和像素电极407，并且在其上面形成第一定向膜412a。
如上面所述，由于公共电极406和像素电极407形成在同一平面上面，位于该两个电极之间的电场变得很强，通过这样强电场的作用，液晶层中的液晶分子可以以更高的速度开关。
本发明并不限制公共电极406和像素电极407的位置。公共电极406和像素电极407可以形成在不同的平面上面。例如，公共电极406可以连同公共线404一起形成在基板上面，并且像素电极407可以连同第一存储线414a一起形成在栅极绝缘层408上面。
而且，在该示例性实施例中，防止光泄漏的黑矩阵421以及实现色彩的R、G、B和W滤色片423形成在透明的第二基板420上面，并且在其上面形成第二定向膜412b。另外，由产生在像素电极407和公共电极406之间的共平面电场驱动的液晶层413设置在第一和第二基板410和420之间。
本发明包括限定子像素的第一和第二区域的公共线404，其中子像素在区域中不同。第一区域包括G和B子像素400b和400c，并且第二区域包括R和W子像素400a和400d。第一区域的G子像素400b和第二区域的R子像素400a由公共线404限定。设定公共线404的位置和形状，R子像素400a和G子像素400b具有基本上相同的区域，从而子像素区域比(R/G)大约等于1。设计公共线404，使得第一区域的B子像素400c和第二区域的W子像素400d具有不同的区域。即，B子像素400c的区域大于W子像素400d，从而子像素区域比(B/W)大于1。这种区域上的差别可以通过在B子像素400c和W子像素400d之间将公共线404设置得更靠近第二区域获得。换句话说，公共线404基本上设置在R子像素400a和G子像素400b的中间，而设置在B子像素400c和W子像素400d之间时更靠近W子像素400d。
B子像素400c和W子像素400d在区域上面的不同可以使得R、G和B子像素400a-400c的亮度之和基本上与W子像素400d的亮度相同。为此，减少W子像素400d的区域。
而且，随着W子像素400d的减少，B子像素400c的区域成比例地增加。这种增加会很少影响R、G和B子像素(400a-400c)的亮度之和。即，R、G和B子像素400a-400c对总亮度的贡献比例分别大约为35％、55％和10％。这样，B子像素对总亮度的贡献相对很小。因此，尽管B子像素400c的区域增加，R、G和B子像素的亮度之和变化很小，并且W子像素400d的亮度减少。因此，可以最小化R、G和B子像素400a-400c的亮度之和以及W子像素400d的亮度之间的差别。
下面描述第五实施例(图6A和图6B)中所述的IPS模式LCD器件的示例性制造工序。图7A到7C示出了第五实施例中的LCD器件的制造方法平面图。
首先，如图7A所示，准备例如是玻璃的透明绝缘基板410，在该基板410上面通过例如是溅射的方法淀积例如是Cu、Ti、Cr、Al、Mo、Ta以及Al合金等金属。对所述金属构图以形成栅线401和用于将位于栅线401之间的区域分隔为第一区域和第二区域的公共线404，公共线404基本上平行于栅线401形成。
然后，通过等离子体CVD方法或者相似的氧化物淀积工序，在包括栅线401和公共线404的基板410的整个表面上面淀积SiNx、SiOx或相似的绝缘材料，从而形成栅极绝缘层(未示出)。
如图7B所示，在栅极绝缘层(未示出)上面形成非晶硅和n+非晶硅并对其构图，以在栅线401上面形成半导体层405。接着，通过溅射方法在半导体层405和栅极绝缘层(未示出)上面淀积例如是Cu、Mo、Ta、Al、Cr、Ti以及Al合金等金属，并对其构图以形成：基本上垂直于栅线401和公共线404设置的数据线403；形成在半导体层405上面并彼此分隔开预定距离的源极/漏极402a/402b；与前级栅线401重叠并形成第一存储电容(Cst1)的第一存储线414a；以及与公共线404重叠、连接到漏极402b并形成第二存储电容(Cst2)的第二存储线414b。
接着，在已经形成薄膜晶体管409的基板上面形成例如是SiNx或SiOx的无机材料或者例如是苯并环丁烯和丙烯酸的有机材料。然后，通过去除分别设置在公共线404、栅线401和漏极402b上面的部分钝化层形成接触孔406a、407a和407b。
如图7C所示，在钝化层411上面淀积例如是ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)的透明导电材料并对其构图以形成公共电极406和像素电极407，公共电极406通过第一接触孔406a连接到公共线404，并且像素电极407分别通过第二和第三接触孔407a和407b连接到第一存储线414a和漏极402b。
接着，通过该示例性工序制造的第一基板与其上面形成有滤色片的第二基板粘接在一起。公共电极406和像素电极407可以形成在不同的层上面，而且两电极可以由不透明金属和透明金属形成。
如上所述，在按照本发明的四子像素类型IPS模式LCD器件中，垂直设置的子像素共用公共线，上子像素的存储电容(Cst1)形成在前级栅线401上面，并且下子像素的存储电容(Cst2)形成在公共线404上面，从而尽可能地减少了公共线的宽度。因此，在像素中由公共线占据的区域减少了，从而提高了孔径比。
如上面所述，在按照本发明的IPS模式LCD器件中，通过以2×2矩阵形式设置R、G、B和W子像素可以提高亮度。而且，在本发明中，由于垂直设置的子像素共用一条公共线，可以提高孔径比。另外，按照本发明，垂直设置的子像素共用一条公共线，上子像素的存储电容形成在前级栅线上面，并且下子像素的存储电容形成在公共线上面，从而有效地减少了公共线的宽度并进一步提供孔径比。
本领域的技术人员应了解，在不脱离本发明的精神或范围的前提下，本发明还有各种改进和变化。因此，本发明的各种改进和变化包括在由所附权利要求书及其等同物限定的本发明的范围内。

Claims (23)

1、一种共平面开关模式液晶显示器件，包括：
第一基板和第二基板；
在所述第一基板上面水平设置的多条栅线；
在所述第一基板上面垂直设置的多条数据线，所述栅线和数据线限定像素区；
在所述栅线和数据线的交叉点处的薄膜晶体管；
位于所述栅线之间的公共线，该公共线将所述像素区分隔为第一区域和第二区域，并且在像素区域内限定以2×2矩阵形式设置的第一到第四子像素；
设置在每一子像素内的至少一对公共电极和像素电极，在所述第一区域中的像素电极与前级像素区域中的薄膜晶体管连接，并且在所述第二区域中的像素电极与第二区域中的薄膜晶体管连接；
与第一区域的像素电极连接并设置在所述栅线上面的第一存储线；
与第二区域的像素电极连接并设置在所述公共线上面的第二存储线；以及
形成在所述第一和第二基板之间的液晶层。
2、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极和公共电极包括透明材料。
3、按照权利要求2所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述透明材料包括铟锡氧化物。
4、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述第一到第四子像素分别是红、绿、蓝和白像素。
5、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述栅线和第一存储线形成第一存储电容。
6、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线和第二存储线形成第二存储电容。
7、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极；
形成在包括所述栅极的基板的整个表面上面的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层上面的半导体层；以及
形成在所述半导体层上面的源极和漏极。
8、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和像素电极分别具有锯齿形结构。
9、按照权利要求8所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述数据线具有锯齿形结构。
10、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和像素电极形成在相同的平面上面。
11、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线由形成在所述第一区域和第二区域的子像素共用。
12、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，还进一步包括设置在所述栅线和第一存储线之间以及所述公共线和第二存储线之间的栅极绝缘层。
13、按照权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，
所述第一到第四子像素分别是红、绿、蓝和白像素；
所述共平面开关模式液晶显示器件还包括：
将所述公共电极电连接到所述公共线的第一接触孔；
将所述第一区域的像素电极电连接到所述第一存储线的第二接触孔；以及
将所述第二区域的像素电极电连接到所述第二存储线的第三接触孔。
14、按照权利要求13所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述数据线具有锯齿形结构。
15、按照权利要求13所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极和公共电极由透明导电材料形成。
16、按照权利要求15所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述透明导电材料是铟锡氧化物或者铟锌氧化物。
17、按照权利要求13所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和像素电极分别具有锯齿形结构。
18、一种共平面开关模式液晶显示器件的制造方法，包括：
提供第一基板和第二基板；
形成多条栅线以及位于该栅线之间并平行于这些栅线的公共线；
形成垂直于所述栅线设置并连同所述栅线和公共线一起限定像素区域和所述像素区域内的R、G、B和W子像素的多条数据线，所述R、G、B和W子像素以2×2矩阵形式设置，并且所述公共线将所述像素区分隔为第一区域和第二区域；
在所述像素区域中的薄膜晶体管；
形成与所述多条栅线中的一条栅线重叠并形成第一存储电容的第一存储线，所述第一存储线与前级像素区域中的薄膜晶体管连接；
形成与所述公共线重叠并形成第二存储电容的第二存储线，所述第二存储线与第二区域中的薄膜晶体管连接；
在包括第一和第二存储线的基板的整个表面上面形成钝化层；以及
在所述钝化层上面形成公共电极和像素电极。
19、按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述公共电极和像素电极由透明导电材料形成。
20、按照权利要求19所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料包括铟锡氧化物。
21、按照权利要求18所述的方法，还进一步包括通过蚀刻部分钝化层形成暴露出所述公共线和栅线的接触孔。
22、按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述提供第二基板包括：
在透明的第二基板上面形成黑矩阵；以及
在所述第二基板上面形成滤色片。
23、按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述公共电极和像素电极分别具有锯齿形结构。
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