CN1991541A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶显示器件利用RGBW－4个子像素中的白色子像素作为视角控制部件，在边缘场转换模式下实现窄视角或宽视角。所述LCD器件包括设在第一基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线相互交叉以确定RGBW子像素；形成在栅线和数据线每个交叉点上的薄膜晶体管；形成在RGBW子像素的每个区域上的第一公共电极；与薄膜晶体管相连并与第一公共电极绝缘的像素电极，所述像素电极具有至少一个狭缝；粘接到第一基板上的第二基板，其中第一和第二基板彼此相对，两基板之间设有液晶层；和设在第二基板上并与每个W子像素相对应的第二公共电极。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求2005年12月28日申请的第10-2005-0131564号韩国专利申请的权益，该申请的全部内容被引入在此作参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，和制造这种液晶显示器件的方法。更确切地说，本发明涉及一种液晶显示器件，其利用RGBW-4个子像素中的白色子像素作为视域控制部件在边缘场转换模式下实现窄视角及宽视角，本发明还涉及这种液晶显示器件的制造方法。
背景技术
近年来，由于有源矩阵液晶显示(“LCD”)器件的研发工作迅速推进，出现了大量诸如平板TV显示屏，和便携式计算机监视器等LCD器件的申请。
在有源矩阵LCD器件中，扭曲向列(TN)型LCD器件得到广泛应用。TN型LCD器件属于这样一种LCD器件，其中将液晶布置成使液晶指向矢在两个基板之间扭转90度，每个基板都带有电极，通过向电极施加电压来驱动液晶指向矢。
尽管TN型LCD器件因其极佳的对比度和彩色再现性而受到关注，但它存在的突出问题是窄视角。
为了解决TN型LCD器件窄视角的问题，引入了边缘场转换(“FFS”)模式型LCD器件，其中用透明导体形成配对电极和像素电极，并使配对电极和像素电极相隔窄小的距离以便通过在配对电极和像素电极之间建立的边缘场来控制液晶分子。
下面将详细描述FFS模式型LCD器件。
图1是表示现有技术中FFS模式型液晶显示器件的平面图，图2是沿图1中线I-I’的截面图。
在图1和图2中，现有技术的FFS模式型LCD器件包括：TFT阵列基板11，基板上形成用金属制成的栅线12和数据线15，栅线和数据线彼此交叉来确定子像素；平行于栅线12设置的公共线25；在栅线和数据线每个交叉部分上形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管作为开关元件来进行电压的接通/断开转换；在每个子像素中用透明金属制成的配对电极24和像素电极17，所述电极通过电介质层彼此绝缘，各层相互重叠。在此，配对电极24与公共线25相接触。
更确切地说，在每个子像素内形成板形配对电极24，并且沿数据线的方向将像素电极17分成多个子像素电极从而在子像素电极之间形成狭缝60。在此，当通过薄膜晶体管将Vcom信号施加到配对电极24上，和将像素信号施加到像素电极17上时，便在配对电极24和像素电极17之间产生边缘场。
每个狭缝60的宽度约为2-6μm，并且通过配对电极24和像素电极17之间产生的边缘场来驱动液晶。换句话说，当不施加电压时，在通过摩擦产生的边缘场E的作用下使液晶转离原始方向，并允许光透过。
同时，将滤色片阵列基板21和TFT阵列基板11相对安装并且在两基板之间设置液晶层31，其中滤色片阵列基板21包括为实现红、绿和蓝色而按预定图形布置的RGB-滤色片层23，和将RGB滤色片层彼此分隔并且同时可屏蔽光的黑矩阵22。
形成的滤色片层23应使得各子像素具有它们自己单独的颜料而且可独立地驱动这些子像素以便通过它们的组合来展现一个像素的颜色。
按照层的设置方式，可以将LCD器件中的RGB-滤色片层23设置成条型、马赛克型、三角型、方型等，而且按照液晶显示板的尺寸、滤色片的形状和颜色布局将RGB-滤色片层23布置成各种不同阵列。
这种现有技术的液晶显示器件存在以下问题。
对于现有技术中FFS模式型LCD器件而言，为了防止用户的私人信息被用户附近的其他人看到，要求所述器件能容易地在窄视角和宽视角之间转换。为此，为了控制视角，需要在器件中另外形成视域控制层，或在整个上板上另外形成视域控制电极。然而，这些技术存在以下问题。首先，视域控制效果不明显。第二，为提高视域控制效果而扩大改变或添加电极结构范围的做法从孔径比的角度看是极不利的。第三，在窄视角下会明显降低正面对比度(CR)。
这些技术中最重要的问题是由于插入另外的电极层和施加信号而导致的复杂驱动方法。
发明内容
因此，本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法，所述器件和方法充分地克服了因现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供一种液晶显示器件，所述器件能在边缘场转换(FFS)模式下，除了实现宽视角外，同时实现窄视角，其采用的方式是，以与在驱动宽视角相邻RGB子像素时相同的FFS模式来驱动RGBW-4个子像素中的白色子像素，以便形成与仅在窄视角相邻RGB子像素电场不同的垂直电场，本发明还提供一种制造这种液晶显示器的方法。
在以下的说明中将部分地述及本发明的其它优点和特征，而这些特征和优点中的另一部分将能够从这些说明中明显得到，或是通过本发明的实践而获得。通过文字说明和权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的这些和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，从概括的和广义上描述，本发明提供一种液晶显示器件，包括：设在第一基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线相互交叉以确定RGBW子像素；薄膜晶体管，其形成在栅线和数据线的每个交叉点上；第一公共电极，其形成在RGBW子像素的每个区域上；像素电极，其与薄膜晶体管相连并与第一公共电极绝缘，所述像素电极具有至少一个附接在第一基板上的狭缝，其中第一和第二基板彼此相对并在其间设有液晶层；以及第二公共电极，其形成在第二基板上并与每个W子像素相对应。
按照本发明的另一方面，本发明提供一种制造液晶显示器件的方法，包括：在第一基板上形成第一公共电极；在第一基板上形成栅线和数据线，栅线和数据线相互交叉以确定RGBW子像素；在栅线和数据线的每个交叉点上形成薄膜晶体管；在包含薄膜晶体管的第一基板的整个表面上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极，每个像素电极具有至少一条狭缝；将第二基板粘接到第一基板上，其中第一基板和第二基板彼此相对，第二基板上具有仅仅对应于每个W子像素形成的第二公共电极；以及在第一及第二基板之间形成液晶层。
按照这种方式，本发明的特征在于可以借助RGBW-4个子像素中的白色子像素来控制宽视角和窄视角，其中利用第二基板(滤色片阵列基板)上每个W子像素中所置入的第二公共电极，用下述方式施加电压，即，在宽视角的情况下，向第二基板的第二公共电极施加与第一基板(薄膜晶体管阵列基板)的第一公共电极相同电平的电压，或是不施加任何电压而使它处于悬置状态，在窄视角的情况下，在第二基板的第二公共电极和第一基板的第一公共电极之间感应产生约1～4V或约-4～-1V电场差。
也就是说，在其中一个像素是由RGBW四个子像素构成的LCD器件中，尽管对于宽视角而言，要用FFS模式驱动W子像素，由此来增大视角，但始终用FFS模式驱动RGB子像素，和产生适用于窄视角的垂直电场，因此可减小视角。
很显然，以上对本发明进行的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对要求保护的发明提供进一步解释。
附图说明
附图表示的是本发明的实施例，它们与说明书一起用于解释本发明的原理，所述附图有助于进一步理解本发明，而且与说明书相结合并构成说明书一部分。在附图中：
图1是表示现有技术中FFS模式类型液晶显示器件的平面图；
图2是沿图1中线I-I’的截面图；
图3是表示按照本发明所述FFS模式类型液晶显示器件的平面图；
图4是沿图3中线II-II’的截面图；
图5是表示按照本发明所述滤色片阵列基板上图案的视图；
图6A和6B是表示按照本发明所述LCD器件宽视角模式的截面图；
图7A和图7B是表示按照本发明所述LCD器件窄视角模式的截面图；和
图8A-8D是沿图3中线III-III’的制造步骤的截面图。
具体实施方式
下面将对本发明的实施例进行详细说明，所述实施例的实例示于附图中。在所有附图中将尽可能地用相同的参考标记表示相同或类似的部件。
图3是表示按照本发明所述FFS模式类型LCD器件的平面图，图4是沿图3中线II-II’的截面图，图5是表示按照本发明所述滤色片阵列基板上图案的视图。
此外，图6A和6B是表示按照本发明所述LCD器件宽视角模式的截面图。图7A和图7B是表示按照本发明所述LCD器件窄视角模式的截面图。和图8A-8D是沿图3中线III-III’的制造步骤的截面图。
在图3和图4中，按照本发明所述的LCD器件由TFT阵列基板111和滤色片阵列基板121构成，两基板彼此相互面对地组装到一起，而且在两基板间夹入液晶层131。TFT阵列基板111由设置在每个RGBW子像素中的薄膜晶体管组成以用作为开关元件，TFT阵列基板111上还设有用于形成边缘场的第一公共电极124和像素电极117。滤色片阵列基板121上形成仅适用每个W子像素用以控制视角的第二公共电极126。
换句话说，RGB子像素适合于产生边缘场，而且不管是宽视角还是窄视角都可用FFS模式驱动RGB，每个W子像素都能起控制宽视角和窄视角的视角控制子像素的作用。在宽视角模式的情况下，用与RGB子像素相同的FFS模式驱动每个W子像素，由此增大视角，而在窄视角模式的情况下，在每个W子像素中产生垂直电场，由此减小对比度和视角。
在此，按照RGBW子像素的设置方式，可以将LCD器件分成四方型LCD器件，和条型LCD器件，其中四方型LCD器件中的RGBW子像素设置成方形从而形成一个具有2×2子像素结构的像素，而条型LCD器件中的RGBW子像素按序设置以形成一个具有四个子像素的像素。
更具体地说，在TFT阵列基板111上，由栅线112和数据线115构成RGBW子像素，所述栅线和数据线通过栅绝缘膜113彼此绝缘，同时彼此垂直交叉从而在交叉点上形成薄膜晶体管。由已形成的第一板形公共电极124和像素电极117构成每个子像素，所述板形公共电极上可施加Vcom信号，而像素电极117具有多个与第一公共电极124绝缘并与薄膜晶体管的漏极115b接触的狭缝160，由此可将像素信号施加到像素电极117上。通过狭缝160在第一公共电极和像素电极之间形成边缘场，并由边缘场驱动液晶层131。
通过沉积例如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等透明导电材料和将其制成一定图案来形成第一公共电极124和像素电极117。在此，第一公共电极124可以形成于栅线或数据线下方。如果第一公共电极124形成在数据线上，则需通过绝缘膜将它们与像素电极彼此绝缘。
形成每个像素电极的狭缝160，狭缝的纵轴沿栅线或数据线的方向设置。为了使左、右视角变窄，可以沿数据线的方向设置像素电极的狭缝160。为此，需要沿着与所有RGBW子像素相同的方向设置像素电极的狭缝。
为了接收Vcom信号，应使得每个第一公共电极124与第一公共线125相接触，其中为了从有源区之外的区域接收Vcom信号，将第一公共线125设置成与栅线平行。
通过钝化层116使每个像素电极117与薄膜晶体管的漏极115b相接触，并且该像素电极117接收像素信号。
同时，每个薄膜晶体管起开关元件的作用，用于控制电压的接通/断开。为了作为开关元件控制电压的接通/断开，每个薄膜晶体管包括从相关栅线112上分支出的栅极112a，在包括栅线112的整个表面上形成的栅绝缘膜113，通过在栅极上方的栅绝缘膜上沉积非晶硅(a-Si)来形成的半导体层114，以及从相关数据线115上分支出并且形成在半导体层上的源/漏极115a和115b以作为用于控制电压的接通/断开开关元件。
将TFT阵列基板111面对面地粘接到滤色片阵列基板121上，在两基板之间设置液晶层131。滤色片阵列基板121包括将R、G、和B层彼此分割并且遮光的黑矩阵122，为实现红、绿、蓝和白而以预定图案设置的红、绿、蓝和白滤色片层123，和为了控制W子像素视角而仅对每个W子像素设置的第二公共电极126。用透明材料形成板形第二公共电极126，并且所形成的第二公共电极126仅对应于每个W子像素。
在此，要求第二公共电极126与TFT阵列基板上的第一公共电极124接收不同的Vcom信号。为此，如图5所示，再添加一条第二公共线127，所述第二公共线127与和W子像素彼此对应的第二公共电极126连成一体。第二公共线127延伸到有源区之外的区域。第二公共线127沿像素区的边缘形成，这样就不会遮挡显示图像的区域，形成的第二公共线与栅线平行。为了向第二公共线127施加Vcom信号，第二公共线127必须与第一基板的外部驱动电路相连。第二公共线127和第一基板之间通过设在板角的银点191实现连接，并与上、下基板电性连接。
同时，独立地驱动包括RGBW颜色的滤色片层以便通过将它们组合来显现一种像素的颜色。在此，每个W子像素都能在不形成W滤色片层光阻的情况下实现W颜色。此外，用光阻形成W子像素的W滤色层，在形成RGB滤色层的过程中，所述光阻不与RGB颜料混合，而是与RGB子像素共存。
如果形成滤色片层的工序没有针对W子像素进行，则每个W子像素都具有与RGB子像素不同的阶梯。在这种情况下，需在包含滤色片层的整个表面上均匀地形成涂覆层128以解决基板上方不均匀阶梯的问题。此时，在每个W子像素的涂覆层128上形成第二公共电极126。
这样以来，按照本发明所述的LCD器件包括与不含颜料的白色图案相适应的W子像素，以及RGB子像素，由此用RGBW子像素构成一个像素。在此，形成这样的滤色片层，使得RGB子像素含有颜料，从而降低透光率，并且使得W子像素不含颜料，从而提高整个像素的透光率。
同时，LCD器件进一步包括取向膜，取向膜设置在TFT阵列基板和滤色片阵列基板的内表面上，以便沿所需的方向设置处于初始状态的液晶分子；以及分别固定到滤色片阵列基板以及TFT阵列基板外表面上的上、下偏振板，以便使光产生偏振。将下偏振板粘接到TFT阵列基板的外表面上，而将上偏振板粘接到滤色片阵列基板的外表面上，使得下偏振板的偏振轴与上偏振板的偏振轴相互垂直，并将取向膜设置为基本上与上、下偏振板之一的偏振轴相平行。
在附图中，将设在TFT阵列基板内侧的取向膜设置成基本上平行于上偏振板的偏振轴，由此可以沿着像素电极狭缝的纵向设置初始状态的液晶。
按照本发明的LCD器件，其特征在于，不管是宽视角还是窄视角，都是通过向RGB子像素施加相同的电压(FFS模式驱动电压)，使它们表现出相同的透光率，而且通过向W子像素分别施加适合宽视角和窄视角的不同电压来控制视角。
首先，当以宽视角模式驱动LCD器件时，用FFS模式驱动所有RGBW子像素。在这种情况下，如图6A所示，当不向第一公共电极124和像素电极117施加电压时，液晶分子131a保持初始设置状态，由此使得经垂直于液晶分子初始设置方向的下偏振板偏振轴而进入的入射光并不穿过液晶层131，从而实现黑态。
接着，如图6B所示，如果在第一公共电极124上施加Vcom电压并在像素电极117上施加像素电压，就会在第一公共电极124和像素电极117之间形成边缘场，从而使液晶分子131a在边缘场的作用下沿水平方向运动。因此，经下偏振板偏振轴而进入的光将通过液晶层穿过上偏振板的偏振轴，从而实现白态。
这时，为了防止每个W子像素的第二公共电极126参与边缘场的形成，需要使第二公共电极126在没有施加电压或着施加了与第一公共电极124相同的电压时处于悬置状态，这样可基本上防止在第二公共电极中出现垂直电场。
用这种方式，当以适合宽视角的模式驱动LCD器件时，W子像素与RGB子像素一样也可在FFS模式下工作，从而可在实现宽视角的同时满足白色亮度的补偿效应。
当以窄视角模式驱动LCD器件时，RGB子像素在FFS模式下工作，W子像素单纯地起控制视角的作用，并不起亮度补偿像素的作用。在这种情况下，与宽视角模式的情况不同，第二公共电极126参与电场的形成。
首先，如图7A所示，在不向RGB子像素的像素电极117和第一公共电极124施加任何电压的情况下，当将预定电压施加到每个W子像素的第二公共电极126上并在W子像素的第二公共电极126和第一公共电极124之间形成垂直电场时，RGB子像素中的液晶分子131a保持初始设置状态，从而使得垂直于液晶分子初始设置方向经下偏振板偏振轴而进入的入射光不穿过液晶层131，由此实现黑态。
此外，W子像素中的液晶分子131a在形成于第一公共电极124和第二公共电极126之间的垂直电场的作用下相对于垂直方向产生倾斜，从而不能观察到穿过那里的光。换句话说，不管是白态或黑态，在W子像素的前面都看不到光，这是由于在W子像素的左、右视角上产生光漏。也就是说，由于仅在W子像素中形成垂直电场并由此在左、右视角产生光漏，所以实现了黑态的窄视角。
最后，在黑态下，沿左、右视角的方向可以看到大量的漏光。按照四个子像素构成一个像素的事实，当使用者沿左右视角的方向观察显示板时，黑色亮度迅速增强，从而使对比度降低。因此器件的视角变窄。
同时，如果在RGB子像素的第一公共电极124上施加Vcom电压，并在向W子像素的第二公共电极126上施加预定电压时在其像素电极117上施加像素电压，从而在第二公共电极126和第一公共电极124之间形成垂直电场，如图7B所示，将在RGB子像素的第一公共电极124和像素电极117之间形成边缘场。
因此，RGB子像素中的液晶分子131a在边缘场的作用下沿水平方向运动。所以通过下偏振板的偏振轴进入的光穿过液晶层131，由此实现白态。此外，第一公共电极124和第二公共电极126之间所形成垂直电场使得W子像素中的液晶分子131a相对于垂直方向产生倾斜，并且阻止光穿过其中。在这种情况下，尽管在W子像素的前面看不到光，但是在从W子像素的左、右视角方向上还是出现光漏，因此减小了视角。也就是说，在形成适合W子像素垂直电场的同时，通过形成适合RGB子像素的水平电场，可以在白光状态下实现窄视角。
此时，为了实现窄视角，向W子像素的像素电极117施加像素电压，施加的像素电压与施加到第一公共电极124的Vcom电压相同或是小于阈值电压。此外，在第一公共电极124上施加与宽视角模式下相同的电压，并在第二公共电极126上施加某一电压，使得在第二公共电极126和第一公共电极124之间感应产生约1～4V或约-4～-1V的电场差。施加到第二公共电极126上的电压可以是DC或AC电压。
用这种方式，在按照本发明所述的LCD器件中，当实现宽视角时，所有RGBW子像素都在FFS模式下工作。相反，当实现窄视角时，RGB子像素在FFS模式下工作，而W子像素的工作应是在第一和第二基板之间形成垂直电场使得其中的液晶分子倾斜而不是扭曲，由此防止光透过W子像素。
下面将详细描述制造液晶显示器件的方法。
首先，在图8A中，在电介质基板111上沉积例如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等透明导电材料，将透明导电材料制成保留在W子像素中的一定图案，由此形成第一板形共用电极124。
然后，通过在包含第一公共电极124的整个表面上沉积例如铜(Cu)、铝(AL)、铝合金(AlNd)、钼(Mo)、钼钨合金(MoW)等低电阻率金属，随后进行构图来形成第一公共线125(见图3)。
此时，形成与栅线112平行并且同时与第一公共电极124接触的第一公共线125。第一公共线延伸到有源区之外的区域，并且与TFT阵列基板的外部驱动电路相连。
尽管以上描述的是在形成栅线112之前形成第一公共电极124，但是本发明并不限于此工序，也可以在形成栅线112之后或是在形成数据线115之后，形成第一公共电极124。
接着，用等离子增强的化学汽相沉积(PECVD)法，通过在包含栅极112a的整个表面上沉积例如氧化硅(SiO)或氮化硅(SiN)等无机绝缘材料形成栅绝缘膜113之后，将非晶硅沉积在包含栅绝缘膜113的整个表面上，随后通过用光刻工艺进行构图在栅极112a上形成半导体层114。
接着，如图8B所示，通过沉积例如铜(Cu)、铝(AL)、铝合金(AlNd)、钼(Mo)、钼钨合金(MoW)等低电阻率金属，随后进行构图，在包含半导体层114的整个表面上形成数据线115和源/漏极115a、115b。
此时，数据线115与栅线112相交叉以确定RGBW子像素，而形成的源/漏极115a和115b与半导体层114的两端重叠，由此制成薄膜晶体管。
然后，通过在包含数据线115的整个表面上沉积例如氧化硅、氮化硅等无机材料或是通过在所述表面上应用例如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸树脂等有机材料来形成钝化层116。接着，通过有选择地除去钝化层116形成用于暴露每个薄膜晶体管漏极的接触孔200。
接着，如图8C所示，通过在包含钝化层116的整个表面上沉积例如ITO或IZO等透明导电材料。然后进行构图。此时，将各子像素中形成的像素电极117彼此连成一体，并通过接触孔200使所述像素电极117与漏极115b相接触(见图8B)。
接下来，如图80D所示，按以下方式在滤色片阵列基板121上形成黑矩阵122，滤色片层123，涂覆层128，和第二公用电极126。首先，通过在滤色片阵列基板121上沉积例如Cr等高反射性材料并对所述材料进行构图来形成黑矩阵122，所述图案应保持在发生光漏的地方，例如，在每个子像素的边缘处和在每个薄膜晶体管的地方。
随后，在包含黑矩阵122的整个表面上施加包含颜料的彩色光阻，并对其进行构图以形成滤色片层123。通常，在R子像素中通过对红色光阻进行沉积和构图来形成R滤色片层，在G子像素中通过对绿色光阻进行沉积和构图来形成G滤色片层，然后，在B子像素中通过对蓝色光阻进行沉积和构图来形成B滤色片层。
接着，通过在包含RGB滤色片层123的整个表面上平整地涂敷例如丙烯酸树脂等有机材料形成涂覆层128。由于涂覆层128并不包含颜料，所以在W子像素中显现白色。尽管在形成滤色片层的过程中通过对白色光阻进行涂敷和构图可形成独立的W滤色片层，但是也可以用形成在W子像素中的涂覆层128来代替W滤色片层。
之后，在包含涂覆层128的整个表面上沉积例如ITO或IZO等透明导电材料，并对其进行构图，从而仅在每个W子像素中形成第二公共电极126。设置第二公共电极126是为了控制视角，所述第二公共电极126具有与W子像素基本相同的尺寸。
同时，将第二公共线127(见图5)与第二公共电极126彼此整体相连。在此，第二公共线127延伸到有源区之外的区域，并且通过在后序工艺中设置到板角处的银点191(见图5)与TFT阵列基板的外部驱动电路电性连接。
最后，在沿着薄膜晶体管阵列基板的边缘施加密封材料之后，在有源区上散布衬垫料，将滤色片阵列基板121面对面地装到TFF阵列基板111上，在两基板之间形成液晶层131，便完成了本发明所述的LCD器件。
正如从以上描述中可明显看出的那样，按照本发明所述的液晶显示器件及其制造方法具有以下优越效果。
首先，可以用与适合宽视角模式的相邻RGB子像素同样的FFS模式驱动RGBW-4个子像素中的白色子像素，因此在补偿白色亮度的同时拓宽了视角，还可以用与相邻RGB子像素不同的模式驱动上述白色子像素，形成适合窄视角模式的垂直电场，从而减小视角，达到保护私人信息的目的。
其次，按照本发明，由于仅在每个W子像素的上板上添加公共电极，降低了额外的制造成本，并且与现有技术中控制视角的工艺相比，简化了工艺。
此外，添加到上板上的公共电极是不固定的或者在该电极上施加与宽视角模式下添加到下板上的另一公共电极相同的电压，驱动所述上板上的公共电极，使得在窄视角模式下，在上、下板之间具有预定的电压差。
对于本领域的普通技术人员来说，很显然，可以在不脱离本发明构思和范围的情况下，对本发明做出各种改进和变化。因此，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等同物范围内的那些本发明的改进和变化。

Claims (30)

1.一种液晶显示器件，包括：
栅线和数据线，所述栅线和数据线在第一基板上相互交叉以确定RGBW子像素；
薄膜晶体管，其形成在栅线和数据线的每个交叉点上；
第一公共电极，其形成在RGBW子像素的每个区域上；
像素电极，其与薄膜晶体管相连并与第一公共电极绝缘，所述像素电极具有至少一个狭缝，
粘接到第一基板上的第二基板，其中第一和第二基板彼此相对，两基板之间夹有液晶层；和
第二公共电极，其形成在第二基板上并与每个W子像素相对应。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括：
设在第二基板上且与RGB子像素分别对应的RGB滤色片层。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括：
设在包含RGB滤色片层的第二基板整个表面上的涂覆层，所述涂覆层处于第二公共电极和RGB滤色片层之间。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，其中W子像素能够在宽视角模式和窄角模式之间进行转换操作。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，其中，在宽视角模式下，在RGBW子像素的像素电极和第一公共电极之间形成边缘场。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器件，其特征在于，其中不向第二公共电极施加电压，或是对其施加与第一公共电极相同的电压。
7.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，其中在宽视角模式下，用边缘场转换模式驱动RGBW子像素中的液晶层。
8.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，其中，在窄视角模式下，在W子像素的第一公共电极和第二公共电极之间形成垂直电场，并且所述垂直电场阻止光穿过W子像素。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器件，其特征在于，其中，在窄视角模式下，在RGB子像素的像素电极和第一公共电极之间形成边缘场。
10.根据权利要求8所述的液晶显示器件，其特征在于，其中施加到W子像素中像素电极上的电压与加到第一公共电极上的电压相同，或是施加的电压小于阈值电压。
11.根据权利要求8所述的液晶显示器件，其特征在于，其中在W子像素的第二公共电极上施加恒定电压以便在第一公共电极和第二公共电极之间产生电压差。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，其中W子像素的第一公共电极和第二公共电极之间的电压差约为1～4V或-4～-1V，从而在它们之间形成垂直电场。
13.根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，其中施加到第二公共电极上的电压是DC或AC电压。
14.根据权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，其中在窄视角模式下，用边缘场转换模式驱动RGB子像素中的液晶层，而W子像素中的液晶层相对于垂直方向产生倾斜。
15.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括：处于第一和第二基板内侧的取向膜；和
安装到第一和第二基板外表面上的上、下偏振板。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器件，其特征在于，其中取向膜的取向与上、下偏振板之一的偏振轴方向相同。
17.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，其中RGBW子像素设置成方形或条形结构。
18.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，其中像素电极的至少一条狭缝设置在与栅线或数据线相同的方向上。
19.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，其中像素电极、第一公共电极和第二公共电极是透明导电层。
20.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，其中第二公共电极彼此相连并且通过银点将来自第一基板的电压施加到第二公共电极上。
21.一种制造液晶显示器件的方法，包括：
在第一基板上形成第一公共电极；
在第一基板上形成栅线和数据线，所述栅线和数据线相互交叉以确定RGBW子像素；
在栅线和数据线的每个交叉点上形成薄膜晶体管；
在包含薄膜晶体管的第一基板的整个表面上形成钝化层；
在钝化层上形成像素电极，每个像素电极具有至少一条狭缝；
将第二基板粘接到第一基板上，其中第一基板和第二基板彼此相对，第二基板上具有仅对应于每个W子像素形成的第二公共电极；和
在第一及第二基板之间形成液晶层。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在第二基板上形成黑矩阵；
在黑矩阵上方对应于各RGBW子像素形成RGBW滤色片层；和
在第二基板上形成第二公共电极之前，在包含滤色片层的第二基板的整个表面上形成涂覆层。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，其中在形成涂覆层的同时形成每个W滤色片层。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，其中用相同的材料形成W滤色片层和涂覆层。
25.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，其中用透明导电层形成第二公共电极。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，其中用氧化铟锡或氧化铟锌形成第二公共电极。
27.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，其中每个第二公共电极与W子像素具有基本上相同的尺寸。
28.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在形成第二公共电极时形成与第二公共电极相连的第二公共线，其中第二公共线延伸到有源区之外的区域。
29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，进一步包括：
将第二公共线布置成与板角上形成的银点相接触并且与第一基板的驱动电路电性连接。
30.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在形成栅线时形成与第一公共电极接触的第一公共线。
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