CN105717719A - 边缘场切换模式液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种边缘场切换模式液晶显示装置，所述边缘场切换模式液晶显示装置包括：基板；选通线和数据线，所述选通线和数据线被布置为在所述基板上彼此交叉并且限定具有不对称面积的白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；第一薄膜晶体管至第四薄膜晶体管，连接到所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素；公共电极，被设置在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中；以及白色像素电极、红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极，被设置为在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素内与所述公共电极重叠。

Description

边缘场切换模式液晶显示装置

技术领域

本申请涉及一种液晶显示装置，并且更具体地说，涉及一种边缘场切换模式液晶显示装置。

背景技术

一般情况下，LCD装置通过使用电场控制具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。这样的LCD装置包括滤色器阵列基板和薄膜晶体管阵列基板，在滤色器阵列基板和薄膜晶体管阵列基板之间组合有液晶层。滤色器阵列基板具有滤色器阵列，并且薄膜晶体管阵列基板具有薄膜晶体管阵列。

为了提高LCD装置的窄视角，正在研究和开发适用于LCD装置的各种新模式。据此，正在使用在面内切换(IPS：in-planeswitching)模式、光学补偿双折射(OCB)模式、边缘场切换(FFS)模式等中的一种中被驱动的LCD装置作为宽视角LCD装置。

在宽视角LCD显示装置当中，IPS模式LCD装置使横向电场能够在被布置在同一基板上的像素电极与公共电极之间生成。这样，液晶分子的长轴沿着与基板平行的横向方向对准。据此，与现有技术的扭曲向列(TN)模式LCD装置相比，IPS模式LCD装置可以提供更宽的视角。

这样的LCD装置包括LCD面板、选通驱动器、数据驱动器等等。LCD面板包括以矩阵形状布置的多个像素。选通驱动器用于驱动LCD面板上的选通线。数据驱动器用于驱动LCD面板上的数据线。

另外，已从于IPS模式LCD装置衍生出FFS模式LCD装置。FFS模式LCD装置允许像素电极和公共电极由透明导电材料形成。这样，FFS模式LCD装置可以使像素区的透射率最优化。

图1A是示出根据现有技术的FFS模式LCD装置的像素结构的平面图。图1B是示出还包括白色子像素且保证透射率的现有技术的像素结构的平面图。

参照如图1A，根据现有技术的FFS模式LCD装置的LCD面板允许单个像素配置有红色(R)子像素SP(以下称为“红色子像素RSP”)、绿色(G)子像素SP(以下称为“绿色子像素GSP”)和蓝色(B)子像素SP(以下称为“蓝色子像素BSP”)。在子像素SP的每一个中设置用作切换元件的薄膜晶体管TFT。

这样的LCD面板通过向红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP施加数据信号来调节被包括在单个像素P的红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的透光率。据此，单个像素可以显示(或实现)期望的颜色。

同时，近年来要求的、具有图1A的像素结构的高清晰度LCD不能保证足够的透射率。为了解决这个问题，提出了进一步包括白色(W)子像素SP(以下称为“白色子像素WSP”)的另一种像素结构，如图1B所示。

实际上，FFS模式LCD装置允许单个像素配置有白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP、蓝色子像素BSP，如图1B所示。子像素SP的透光率在被施加到子像素SP的数据信号的基础上进行调节。这样，FFS模式LCD装置可以显示全色彩图像。

在这种情况下，使用白色子像素WSP来保证透射率而不是增强色彩再现属性。这样，单个像素可以保证充分的亮度。

然而，因为进一步包括白色子像素WSP，所以现有技术的、具有图1B的像素结果的LCD面板必须减少红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积。由此，难以再现期望的颜色。

换句话说，进一步包括白色子像素WSP的像素P可保证足够的透射率，但是由于每个子像素SP区域的减小必然使色彩再现属性劣化。

发明内容

因此，本发明针对一种FFS模式LCD装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。

本发明的目的是提供一种FFS模式LCD装置，所述FFS模式LCD装置配置为通过相对于红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积不对称地形成白色子像素WSP的面积来增强像素区的透射属性。

本发明的另一目的是提供一种FFS模式LCD装置，所述FFS模式LCD装置配置为：通过使具有不对称面积的白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP通过存储电容器的补偿具有相同的存储电容来防止由于彼此不同的反冲电压ΔVp引起的图像质量缺陷。

本发明的另一目的是提供一种边缘场切换模式液晶显示装置，所述边缘场切换模式液晶显示装置配置为通过补偿白色子显示区的存储电容来防止图像质量的裂化。

实施方式的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分根据描述是将是显而易见的，或者可以通过本发明的实践而得知。本发明的目的和其它优点将通过尤其是在书面描述和权利要求及其附图中指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其它优点并且根据本发明的密度，如具体实施和广泛描述的，一种边缘场切换模式液晶显示装置包括：基板；选通线和数据线，所述选通线和数据线被布置为在所述基板上彼此交叉并且限定具有不对称面积的白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；第一薄膜晶体管至第四薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管至第四薄膜晶体管被连接到所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素；公共电极，所述公共电极被设置在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中；以及白色像素电极、红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极，所述白色像素电极、红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极被设置为在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素内与所述公共电极重叠。这样，具有不对称面积的白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素通过存储电容器的补偿可以具有相同的存储电容。因此，可以防止由于不同的反冲电压ΔVp导致的图像质量缺陷。

应当理解的是，前述一般描述和下述详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步说明。

附图说明

附图被包括以提供实施方式的进一步理解，附图被合并到本文并且构造本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式并且与说明书一起用来解释本公开。在附图中：

图1A是示出根据现有技术的FFS模式LCD装置的像素结构的平面图；

图1B是示出为了保证透射率还包括白色子像素的现有技术的像素结构的平面图；

图2是示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的像素结构的平面图；

图3是示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的白色子像素结构的平面图；以及

图4是示出沿着图3中的线I-I’和II-II’截取的FFS模式LCD装置的白色子像素的截面图。

具体实施方式

本公开的优点和特征及其实施方法将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明。提供下文中介绍的这些实施方式作为示例，以便于向本领域普通技术人员传达它们的精神。因此，这些实施例可在以不同的形状实施，所以并不限于这里描述的这些实施方式。因此，本公开必须由权利要求的范围来限定。

在下面的描述中，许多具体细节被阐述，诸如特定结构、尺寸、比率、角度、系数等，以便提供对本公开的各种实施方式的理解。然而，本领域普通技术人员将理解的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的各种实施方式。贯穿本公开将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在其他实例中，为了避免使本公开模糊，公知的技术没有详细描述。

将进一步理解，术语“包括”，“包含”，“有”，“具有”，“包括”和/或“包括有”，当本文中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作，元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件，部件和/或它们的组的存在或添加。如本文所使用的，单数形式“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。

在本公开中使用的、无额外的具体细节的元件必须被视为包括公差。

在描述实施方式时，当一个结构被描述为被定位在另一个结构“上或上方”或“下或下方”时，这种描述应被解释为包括结构相互接触的情况以及在所述有个结构与另一个结构之间设置第三结构的情况。

在本公开中使用的、没有指定“立即”或“直接”的时间术语“在…之后”、“随后”、“接下来”、“在…之前”等可以包括其它不连续的时间关系。

此外，虽然一些元件被标明有数字术语(例如，第一、第二、第三等等)，但是应当理解的是，这些名称仅是用来从一组类似的元件中指定一个元件，而并不以任何特定的顺序限制元件。因此，在不脱离示例性实施方式的范围的情况下，被表明为第一元件的元件可被称为第二元件，或者被称为第三元件。

本公开的各种示例性实施方式的特征可以是部分或全部相互结合或组合，并且使用对于本领域技术人员而言显而易见的各种方法在技术上啮合和驱动，并且所述示例性实施方式可以独立地单独或组合实践。

现在将详细地参考本公开的实施方式，在附图中示出了这些实施方式的示例。此外，出于在附图中方面的缘故，可将装置的尺寸和厚度表述为被夸大。只要可能，将在包括附图的整个本公开中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。

图2是示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的像素结构的平面图。

参照图2，FFS模式LCD装置通过多条选通线(图3中的101)和多条数据线(图3中的103)被限定为多个子像素(SP)区(以下称为“子像素区SP”)。单个像素P配置有白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP。

白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP通过与形成在上基板(未示出)上的白色(W)、红色(R)、绿色(G)和蓝(B)滤色器层(未示出)相对来限定。因此，在与白色子像素WSP相对的上基板上可以不形成任何滤色器层。

为了实现高清晰度LCD装置，本公开不仅允许将白色子像素WSP额外包括在单个像素P中，而且还允许白色子像素WSP的面积相对于红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积不对称。另外，白色子像素WSP的面积与红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积不同。

更具体地说，为了保证足够的透射率而不是提高色彩再现属性，白色子像素WSP具有相对较小的面积。因此，红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP可以按照每一个均具有最大面积的方式限定。

按照这种方式，虽然为了保证足够的透射率而包括白色子像素WSP，但是本发明的LCD装置的红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP与现有技术的LCD装置的像素几乎可以是相同的面积。

另外，本公开的LCD装置允许将分配给白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的薄膜晶体管TFT布置在彼此相对的绿色子像素GSP与白色子像素WSP之间。因此，可以更充分地保证红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积。

详细地说，本公开在与白色子像素WSP的顶部和底部边缘相邻的区域中分布式地布置薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT被分配给白色子像素区WSP、红色子像素区RSP、绿色子像素区GSP和蓝色子像素区BSP。这样，被分配给白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的薄膜晶体管TFT可以沿着垂直方向另选地分配有绿色子像素GSP和白色子像素WSP。

虽然出于保证足够的透射率的目的额外包括白色子像素WSP，但是本公开能够允许红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的面积被充分保证。据此，能够防止在现有技术中由于透射率的增强而导致的色彩再现属性的裂化。

在本申请的LCD装置中，具有相对较小面积的红色子像素RSP和白色子像素WSP彼此相邻地布置。此外，蓝色子像素BSP和绿色子像素GSP在水平方向上彼此相邻地布置。

此外，红色子像素RSP和蓝色子像素BSP在垂直方向上彼此相邻。此外，绿色子像素GSP和白色子像素WSP在垂直方向上彼此相邻。

在被分配给单个像素的子像素SP的薄膜晶体管TFT当中，两个薄膜晶体管TFT被彼此相邻地设置到白色子像素WSP的底部边缘。被彼此相邻地设置到白色子像素WSP的底部边缘的两个薄膜晶体管TFT连接到被设置在白色子像素WSP和与其相邻的红色子像素RSP的像素电极。

另一方面，另外两个薄膜晶体管TFT被彼此相邻地设置到白色子像素WSP的顶部边缘。此外，被彼此相邻地设置到白色子像素WSP的顶部边缘的两个薄膜晶体管TFT连接到被设置在绿色子像素GSP和与其相邻的蓝色子像素BSP的像素电极。

以这种方式，根据本公开的实施方式的FFS模式LCD装置允许白色子像素WSP的面积相对于红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP的面积是不对称的。这样，能够增强像素的透射率属性。

此外，能够充分保证红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP。因此，能够增强FFS模式LCD装置的色彩再现属性。

图3是示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的白色子像素结构的平面图。图4是示出沿着图3中的线I-I’和II-II’截取的FFS模式LCD装置的白色子像素的截面图。

参照图3和图4，根据本公开的实施方式的FFS模式LCD显示装置包括：彼此交叉的选通线101和数据线103。这样，限定了白色子像素区WSP、红色子像素区RSP、绿色子像素区GSP和蓝色子像素区BSP。

绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP在水平方向上彼此相邻。白色子像素WSP和红色子像素RSP在水平方向上彼此相邻。

此外，绿色子像素GSP和白色子像素WSP在垂直方向上彼此相邻。蓝色子像素BSP和红色子像素RSP在垂直方向上彼此相邻。

LCD装置包括第一薄膜晶体管TFT1第二薄膜晶体管TFT2，在与白色子像素WSP的底部边缘相邻的区域中，所述第一薄膜晶体管TFT1第二薄膜晶体管TFT2与选通线101平行布置。第一薄膜晶体管TFT1连接到白色子像素WSP的白色像素电极WP。第二薄膜晶体管TFT2连接到与白色子像素WSP相邻的红色像素电极RP。

另外，LCD装置还包括第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4，在与白色子像素WSP的顶部边缘相邻的区域中，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4与另一条选通线310平行布置，所述另一条选通线310用于驱动绿色子像素GSP。第三薄膜晶体管TFT3连接到绿色子像素GSP的绿色像素电极GP。第四薄膜晶体管TFT4连接到与绿色子像素GSP相邻的蓝色像素电极BP。

与红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP相比，本公开允许白色子像素WSP以较小面积形成。据此，不仅能够充分保证单个像素(或彩色像素)的透射率，而且还能够充分保证红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的面积。

第一至第四薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4被布置在白色子像素WSP与绿色子像素的GSP之间并且沿着与选通线103平行的方向。详细地说，第一至第四薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4被设置在用于驱动白色子像素WSP的一条选通线101和用于驱动与白色子像素WSP相邻的绿色子像素的GSP的另一条选通线301上。这样，能够使薄膜晶体管TFT1～TFT4所占据的面积最小化。

出于方便说明的目的，本公开将以被分配给白色子像素WSP的第一薄膜晶体管TFT1为中心进行说明。

第一薄膜晶体管TFT1被设置在选通线上。这样，第一薄膜晶体管TFT1使用选通线101作为其栅极。

另外，第一薄膜晶体管的漏极118被设置为与选通线101的一部分重叠。第一薄膜晶体管TFT1的源极117包括第一源极部分117a和第二源极部分117b。这样的第一薄膜晶体管TFT1的源极117以围绕漏极118的半圆形环状形成。

在数据线103的方向上设置第一源极部分117a。在选通线101的方向上设置第二源极部分117b。

这样，能够充分保证源极117与漏极118之间的沟道层114。据此，能够增强第一薄膜晶体管TFT1的响应特性。

同时，按照与第一薄膜晶体管TFT1相同的方式形成第二至第四薄膜晶体管TFT2、TFT3和TFT4。

电连接到第一薄膜晶体管TFT1的白色像素电极WP被设置在白色子像素区WSP中。在白色像素电极WP下方设置公共电极150。

设置在白象素电极150下方的公共电极150形成在基板100的整个表面上。然而，开口OP形成在公共电极150的、与第一薄膜晶体管TFT1至第四薄膜晶体管TFT4相对的区域中。开口OP能够使在第一薄膜晶体管TFT1至第四薄膜晶体管TFT4与公共电极150之间生成的寄生电容减小。

这样的公共电极150可具有板状。这样，公共电极150形成在子像素区SP和位于子像素区SP之间的非显示区域中。公共电极150的、与数据线103重叠的一部分可以被用作公共配线151。

换句话说，公共电极150和公共配线151以单个板状彼此联合(united)。这样，公共电极150和公共配线151能够以单个板状形成，与全部白色子像素区WSP、红色子像素区RSP、绿色子像素区GSP和蓝色子像素区BSP相对。

这样的白色像素电极WP包括与选通线101和301平行的水平条203a和与该水平条203a垂直的多个垂直条203。另外，白像素电极WP还包括第一延伸部分201及第二延伸部分202和连接部分204。第一延伸部分201及第二延伸部分202均从相应的水平条203a朝向与其相邻的选通线101或301延伸。连接部分204经由接触孔C连接到漏极118。

水平条203a与一条选通线101和另一条选通线301平行地设置，所述另一条选通线301在与绿色子像素GSP相邻的区域中设置，具有垂直条203。换句话说，水平条203a被设置在与一条选通线101相邻的白色子像素WSP的底部边缘区域和与另一条选通线301相邻的白色子像素WSP的顶部边缘区域中。

第一延伸部分201在与相应的水平条203a联合的单体中形成。另外，第一延伸的部分201被设置成跨过选通线101。类似地，第二延伸部分202在与相应的水平条203a联合的单体203中形成。此外，第二延伸部分203被设置成在与绿色子像素GSP相邻的区域内跨过选通线301。

换句话说，第一延伸部分201和第二延伸部分202从水平条203a的外部边缘朝向子像素WSP平行于数据线103的向下和向上方向延伸。

这样，第一延伸部分201和第二延伸部分202与对应于选通线101和301的区域的公共电极150部分地重叠。这样，能够额外地保证白色子像素WSP的存储电容。

这将导致以下事实：由于白色子像素WSP的面积小于其它子像素的面积，本公开必须使白色子像素WSP的区域中的存储电容小于其它子像素区中的存储电容。

一般情况下，每个子像素SP中的反冲电压ΔVp由下面的等式1来确定。

[等式1]

${\mathrm{\ΔV}}_p=\frac{Cgs}{(Cgs+Cst+Clc)}\mathrm{\Δ}Vg$

在等式1中，‘Clc’是液晶单元的电容，‘Cst’是存储电容，‘Cgs’是寄生电容，并且‘ΔVg’是选通电压差。

反冲电压ΔVp随着子像素SP的存储电容Cst变化。这样，施加到子像素SP的数据电压必须随着反冲电压ΔVp变化。由此，LCD装置的图像质量必须裂化。

实际上，本公开允许白色子像素WSP形成在与其它子像素SP相比较小的区域中。这样，在白色子像素WSP、红色子像素RSP，绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP中生成的反冲电压ΔVp不能具有相同的值。

换句话说，因为白色子像素的WSP形成在比、红色子像素RSP，绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP更小的面积中，因此在白色子像素WSP中生成的反冲电压ΔVp发展为比在红色子像素RSP，绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP中生成的反冲电压ΔVp大。这样，施加到子像素SP的数据电压的偏差可变得更大。由于这个原因，可产生图像质量缺陷。

以这种方式，本公开的LCD装置不仅增强透射率和色彩再现属性，而且具有不对称地形成的面积的子像素区以确保附加存储电容。这样，在白色子像素WSP、红色子像素RSP、绿色子像素PSP和蓝色子像素BSP中生成的反冲电压ΔV_P可以具有相同的值。换句话说，在子像素SP中生成的反冲电压ΔV_P可以具有彼此相同的值或相似的值。据此，图像质量缺陷可以防止或减少。

现在将描述根据本公开的实施方式制造FFS模式LCD装置的方法。

首先，在基板100上形成选通线，基板100被限定为白色子像素区WSP、红色子像素区RSP、绿色子像素区GSP和蓝色子像素区BSP并且由透明绝缘材料形成。通过在基板100上形成栅极金属膜并且通过光刻过程对栅极金属膜进行图案化来制备。

在本公开的LCD装置中，在选通线101上形成第一薄膜晶体管TFT1至第四薄膜晶体管TFT4栅极。这样，对于任何单独的栅极图案来说是没有必要的。换句话说，可以使用选通线101作为薄膜晶体管的栅极。

栅极金属膜可以以不透明的低电阻导体材料的单个金属膜和双模结构中的一个形成。双膜结构可以包括由不透明低电阻导体材料膜形成的第一金属膜和由不透明低电阻导体材料的合金形成的第二金属膜。不透明低电阻导体材料可以是铝Al、铝合金、钨W、铜Cu，镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt、钽或其它金属中的一种。另选地，可以以包括至少两层堆叠金属膜的多层结构形成栅极金属膜。

当选通线101形成在基板100上时，在基板100的整个表面上形成栅极绝缘膜102。可以以单层硅氧化物SiOx形成栅极绝缘膜102。另选地，栅极绝缘膜102可通过交替地沉积硅氮化物SiNx和硅氧化物SiOx形成。

然后，在与选通线101的一部分相对的栅极绝缘膜102上形成沟道104。沟道104可以通过在栅极绝缘膜102上形成半导体层并且使用掩模过程对该半导体层进行图案化来制备。

半导体层可以包括晶体和非晶硅膜中的一种以及欧姆接触层。另选地，半导体层可以是氧化物半导体层。

氧化物半导体层可以由包括铟In、锌Zn、镓Ga和铪Hf中的至少一种的非晶氧化物形成。例如，如果氧化物半导体层由Ga-In-Zn-O的氧化物半导体通过溅射工艺形成，则可以在溅射工艺中使用由In₂O₃、Ga₂O₃和ZnO形成的3个目标或由Ga-In-Zn氧化物形成的单个目标。另选地，可以通过使用由HfO₂、In₂O₃和ZnO形成的3个目标或由Hf-In-Zn氧化物形成的单个目标的溅射工艺形成氧化物半导体层。

当沟道层104形成在如上所述的基板100上，形成部分地接触通道104和数据线103的源极117和漏极118。源极117和漏极118以及数据线103可以通过在上述基板100的整个表面上形成源/漏金属膜上并且随后针对源/漏金属膜执行光刻过程来制备。

源/漏金属膜可以由不透明的低电阻导体材料形成。例如，源极/漏极金属膜可以由铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr，钼钼Mo、钛Ti、铂Pt、钽Ta等等中的一种形成。另选地，源极/漏极金属膜可以以双层结构形成，所述双层结构包括堆叠的透明导电材料层和不透明的导电材料层。透明导电材料层可以由铟锡氧化物ITO和铟锌氧化物IZO中的一种形成。

之后，在上述基板100的整个表面上形成平坦化膜106。此外，在平坦化膜106上形成透明导电膜。透明导电膜可以由铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和铟锡锌氧化物ITZO中的一种形成。

在透明导电膜形成在基板100上之后，针对所述透明导电膜执行光刻过程。然后，在彼此联合的单体中公共电极150和公共配线151形成。如上所述，公共电极150以板状在基板100的整个表面上形成。在这种情况下，可以使用公共电极150的、与数据线103相对的一部分作为公共配线151。这样，彼此联合的公共电极150和公共配线151可以具有板状。

当公共电极150在如上所述的基板100上形成时，在基板100的整个表面上形成保护膜109。随后，通过接触孔形成工艺形成接触孔C，该接触孔C暴露漏极118的一部分。

在形成接触孔C之后，在上述基板100的整个表面上形成另一透明导电膜。，然后，针对另一透明导电膜执行光刻过程，由此在子像素区SP中形成白色像素电极WP、红色像素电极RP、绿色像素电极GP和蓝色像素电极BP。

如上所述，白色像素电极WP包括水平条203a、垂直条203、第一延伸部分201与第二延伸部分202以及连接部分204。连接部分204通过接触孔C连接到漏极118。

如图4中沿着线I-I'截取的截面结构所示，在白色子像素区WSP中布置的垂直条203与公共电极150重叠，在垂直条203与公共电极150之间具有保护膜109。

另外，白像素电极WP的第一延伸部分201与用于驱动白色子像素WSP的选通线101重叠，如图4中沿着线I-I'截取的截面结构所示。这样，第一延伸部分201连同被设置在白像素电极WP下方的公共电极150可以形成附加存储电容器Cst。

同样地，白像素电极WP的第二延伸部分202以与用于驱动相邻的绿色子像素区GSP的另一选通先301重叠的方式设置。这样，第二延伸部分202连同被设置在白像素电极WP下方的公共电极150可以形成另一附加存储电容器Cst。

换句话说，本公开允许白像素电极WP的第一延伸部分201和第二延伸部分202、垂直条203和水平条203a连同被设置在白像素电极WP下方的公共电极150形成存储电容器Cst。这样，白色子像素区域WSP可以具有与红色子像素区RSP、绿色子像素区RSP和蓝色子像素区GSP相同的存储电容。据此，能够防止图像质量缺陷。

以这种方式，根据本公开的实施方式的FFS模式LCD装置允许白色子像素WSP的面积相对于红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP是不对称的。这样，能够增强像素区的透射率属性。

在根据本公开的实施方式的FFS模式LCD装置中，通过存储电容器的补偿，具有不对称面积的红色子像素RSP、绿色子像素GSP和蓝色子像素BSP可具有相同的存储电容。因此，能够防止由于不同的反冲电压ΔVp导致的图像质量缺陷。

对于本领域技术人员而言将显而易见的是，可以在不脱离本发明的范围的精神下在本发明的FFS模式LCD装置中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落在本发明所附权利要求极其等同物的范围内的对于本发明的各种修改和变型。

本申请要求在2014年12月17日提交的韩国专利申请第10-2014-0182059号的优先权，通过引用将该韩国专利申请的全部内容合并到本文中。

Claims (16)

1.一种边缘场切换模式液晶显示装置，所述边缘场切换模式液晶显示装置包括：

基板；

选通线和数据线，所述选通线和数据线被布置为在所述基板上彼此交叉并且限定具有不对称面积的白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；

第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管连接到所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素；

公共电极，所述公共电极被设置在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中；以及

白色像素电极、红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极，所述白色像素电极、所述红色像素电极、所述绿色像素电极和所述蓝色像素电极被设置为在所述白色子像素、所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素内与所述公共电极重叠。

2.根据权利要求1所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素的面积大于所述白色子像素的面积。

3.根据权利要求2所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述白色子像素和所述绿色子像素在垂直方向上彼此交替设置。

4.根据权利要求3所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管至所述第四薄膜晶体管在所述白色子像素与所述绿色子像素之间布置。

5.根据权利要求1所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述白色像素电极包括：

水平条，所述水平条与所述选通线平行地设置；

垂直条，所述垂直条与所述数据线平行地设置在所述水平条之间；以及

第一延伸部分与第二延伸部分，所述第一延伸部分与所述第二延伸部分被配置为从所述水平条沿着所述白色像素的与所述数据线平行的向上和向下方向延伸。

6.根据权利要求5所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述白色子像素包括形成在所述白色像素电极与所述公共电极之间的存储电容器，所述白色像素电极包括所述水平条、所述垂直条以及所述第一延伸部分与所述第二延伸部分，所述公共电极被设置在所述白色像素电极下方。

7.根据权利要求5所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一延伸部分与用于驱动所述白色子像素的所述选通线重叠，并且

所述第二延伸部分与用于驱动所述绿色子像素的所述选通线重叠。

8.根据权利要求5所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被设置在与所述白色子像素的底部边缘相邻的区域中，并且

所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管被设置在与所述白色子像素的顶部边缘相邻的另一区域中。

9.根据权利要求8所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管以与用于驱动所述白色子像素的所述选通线重叠的方式设置，并且

所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管以与用于驱动所述绿色子像素的所述选通线重叠的方式设置。

10.根据权利要求8所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管连接到所述白色像素电极，

所述第二薄膜晶体管连接到所述红色像素电极，

所述第三薄膜晶体管连接到所述绿色像素电极，并且

所述第四薄膜晶体管连接到所述蓝色像素电极。

11.根据权利要求10所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

使用所述选通线作为所述第一薄膜晶体管至所述第四薄膜晶体管的栅极。

12.根据权利要求1所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管至所述第四薄膜晶体管中的每一个包括以半圆形环状形成的源极。

13.根据权利要求12所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，

所述第一薄膜晶体管至所述第四薄膜晶体管的源极中的每一个包括第一源极部分和第二源极部分并且被设置为围绕相应的薄膜晶体管的漏极，所述第一源极部分与所述选通线平行，所述第二源极部分与所述数据线平行。

14.根据权利要求1所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述公共电极以单体形状形成。

15.根据权利要求14所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述单体形状的公共电极以板状形成。

16.根据权利要求15所述的边缘场切换模式液晶显示装置，其中，所述具有板状的所述公共电极形成为具有开口，所述开口与所述第一薄膜晶体管至所述第四薄膜晶体管中的每一个相对。