CN107578758A - 用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器 - Google Patents
用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种用于提高液晶显示器亮度的方法,所述液晶显示器包括RGBW子像素,其中,W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现。本发明还提供了一种液晶显示器,所述W子像素的亮度采用所述的用于提高液晶显示器亮度的方法实现对W子像素的亮度调节。与现有技术相比,克服了RGBW四色显示系统液晶显示器的缺点,扩大了RGBW四色显示系统液晶显示器的优点,提升了RGBW四色显示系统液晶显示器的应用范围、显示品质和人眼观看舒适性。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板技术,特别是一种用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器。
背景技术
在液晶显示器中有RGB三色显示系统,然而随着分辨率提升需要液晶显示器的光效率提升以达到低功耗、高亮度的目的,特别是4K及其以上分辨率产品,因此RGBW四色显示器系统被提出来。RGBW四色系统不仅具有红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B),其还包括亮度强化子像素(W),从而能够完全实现RGB三色系统所能够实现的全部功能,而且其具有光效高、功耗较低的优点。然而W子像素的加入也会导致液晶显示器色饱和度降低、白点色坐标漂移等光学问题,然而在一些过高PPI(4K分辨率或以上)和适用户外的显示器中W子像素的加入并未完全满足光效率提高的目的。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供一种用于提高液晶显示器亮度的方法及液晶显示器,提升了RGBW四色显示系统液晶显示器的应用范围、显示品质和人眼观看舒适性。
本发明提供了一种用于提高液晶显示器亮度的方法,所述液晶显示器包括RGBW子像素,其中,W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的宽度具体为将W子像素所对应的子像素电极的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的宽度,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的间距具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的液晶盒厚具体为将W子像素所对应的子像素电极所在高度设置为高于或低于RGB子像素所对应的子像素电极的所在高度,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极的分支数量具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支数量设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支数量,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极处的沟道区具体为将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度和/或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。
进一步地,所述调节W子像素所对应的子像素电极处的开口率具体为将W子像素所对应的子像素电极处的开口率设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的开口率,实现W子像素亮度的调节。
本发明还提供了一种液晶显示器,包括彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括RGBW子像素,阵列基板包括与RGBW子像素相对应的子像素电极,所述W子像素的亮度采用所述的用于提高液晶显示器亮度的方法实现对W子像素的亮度调节。
本发明与现有技术相比,采用W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现,克服了RGBW四色显示系统液晶显示器的缺点,扩大了RGBW四色显示系统液晶显示器的优点,提升了RGBW四色显示系统液晶显示器的应用范围、显示品质和人眼观看舒适性。
附图说明
图1-1是本发明实施例1的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图1-2是本发明实施例2的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图2-1是本发明实施例3的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图2-2是本发明实施例4的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图3-1是本发明实施例5的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图3-2是本发明实施例6的W子像素所对应的子像素电极的结构示意图;
图4-1为现有技术中W子像素所对应的子像素电极处的沟道区示意图一;
图4-2为现有技术中W子像素所对应的子像素电极处的沟道区示意图二;
图4-3是本发明实施例7的W子像素所对应的子像素电极处的沟道区结构示意图;
图4-4是本发明实施例8的W子像素所对应的子像素电极处的沟道区结构示意图;
图4-5是本发明实施例9的W子像素所对应的子像素电极处的沟道区结构示意图;
图4-6是本发明实施例10的W子像素所对应的子像素电极处的沟道区结构示意图;
图5-1为现有技术中W子像素面积的示意图;
图5-2是本发明实施例11的W子像素面积的示意图;
图5-3是本发明实施例12的W子像素面积的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
本发明公开了一种用于提高液晶显示器亮度的方法,所述液晶显示器包括RGBW子像素,其中,W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现,其中:
调节W子像素所对应的子像素电极的宽度具体为将W子像素所对应的子像素电极的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的宽度,实现W子像素亮度的调节;
调节W子像素所对应的子像素电极的间距具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距,实现W子像素亮度的调节;
调节W子像素所对应的子像素电极的液晶盒厚具体为将W子像素所对应的子像素电极所在高度设置为高于或低于RGB子像素所对应的子像素电极的所在高度,实现W子像素亮度的调节;
调节W子像素所对应的子像素电极的分支数量具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支数量设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支数量,实现W子像素亮度的调节;
调节W子像素所对应的子像素电极处的沟道区具体为将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度和/或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节;可选地,将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节,所述沟道区的宽度是指TFT(薄膜晶体管)中载流子流过的长度,沟道区的长度指的是TFT(薄膜晶体管)中载流子流过的截面积。
调节W子像素所对应的子像素电极处的开口率具体为将W子像素所对应的子像素电极处的开口率设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的开口率,实现W子像素亮度的调节,具体地,通过改变W子像素的面积,从而实现对对W子像素处的开口率进行调整,作为一种实施方式,W子像素的面积可通过增加W子像素区域的黑色矩阵的线宽实现。
本发明中调节W子像素的亮度中,当本发明中W子像素具有比常规的W子像素更高亮度时,可用于第一适用场景,在第一使用场景中,W子像素设计具有更高的光效率,可以更好的实现液晶显示器低功耗、高亮度,可以用于户外显示/文字显示等。当本发明中W子像素具有比常规的W子像素更低亮度时,可用于第二适用场景W子像素设计具有更低的光效率,可以减小W子像素加入导致的色饱和度降低、白点色坐标漂移等光学问题,可以用于室内显示/图片显示/4K以上分辨率液晶显示器等。
实施例1:
如图1-1所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的宽度设置为大于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的宽度,以及调节W子像素101所对应的子像素电极201的分支2011之间的间距设置为大于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的分支2021之间的间距,实现增加W子像素亮度,但本发明不限于此,还可将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的宽度设置为大于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的宽度,而W子像素101所对应的子像素电极201的分支2011之间的间距与RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的分支2021之间的间距相等,实现增加W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更高,本实施例适用于第一使用场景,此处子像素电极图形可采用现有技术的电极图案,在此不做具体限定。
实施例2:
如图1-2所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的宽度设置为小于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的宽度,以及调节W子像素101所对应的子像素电极201的分支2011之间的间距设置为小于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的分支2021之间的间距,实现降低W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低,本实施例适用于第二使用场景,此处子像素电极图形可采用现有技术的电极图案,在此不做具体限定。
实施例3:
如图2-1所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的宽度设置为大于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的宽度,从而实现提高W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更高,本实施例适用于第一使用场景,此处子像素电极图形可采用现有技术的电极图案,在此不做具体限定。
在实施例3中,RGBW子像素所对应的子像素电极的分支数量以及间距相等。
实施例4:
如图2-2所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的宽度设置为小于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的宽度,从而实现降低W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低,本实施例适用于第二使用场景,此处子像素电极图形可采用现有技术的电极图案,在此不做具体限定。但本发明不限于此,还可以结合或直接将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201的分支数量设置为小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支数量,例如,RGB子像素所对应的子像素电极具有2根slit狭缝分支(图中未示出),W子像素所对应的子像素电极具有1根slit狭缝分支,进一步实现W子像素亮度的调节。
实施例5:
如图3-1所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201所在高度设置为低于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的所在高度,实现提高W子像素亮度;具体地,将阵列基板200中与W子像素101所对应位置上的平坦层203进行蚀刻,使此处形成沉孔204,将与W子像素101所对应的子像素电极201设于沉孔204中,从而实现通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201所在高度设置为低于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的所在高度,使得W子像素位置的液晶盒厚要大于RGB子像素位置的液晶盒厚,实现提高W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更亮,;本实施例适用于第一使用场景。
本实施例5中,RGBW子像素所对应的子像素电极的间距、宽度、电极图案均可相同。
实施例6:
如图3-2所示,通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201所在高度设置为高于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的所在高度,实现降低W子像素亮度;具体地,将阵列基板200中与W子像素101所对应位置上的平坦层203进行增厚,使此处形成高台205,将与W子像素101所对应的子像素电极201设于高台205上,从而实现通过将彩膜基板100中W子像素101所对应的阵列基板200上的子像素电极201所在高度设置为高于RGB子像素(102、103、104)所对应的子像素电极202的所在高度,使得W子像素位置的液晶盒厚要小于RGB子像素位置的液晶盒厚,实现降低W子像素亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低;本实施例适用于第二使用场景。
所述高台205可采用对平坦层203进行蚀刻除W子像素101所对应的子像素电极201以外的区域得到,但本发明不限于此,例如通过沉积一层绝缘层并对绝缘层进行蚀刻除W子像素101所对应的子像素电极201以外的区域得到。
本实施例6中,RGBW子像素所对应的子像素电极的间距、宽度、电极图案均可相同。
本发明中,附图4-1至4-6仅示意性的示出了沟道区的宽度D以及长度L的示意图。
实施例7:
如图4-1所示,为现有技术中位于W子像素所对应的子像素电极处的沟道区示意图,常规下,RGBW子像素的子像素电极处的沟道区均相同,如图4-3所示,本实施例7通过调节将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D设置为小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D,使载流子可以更快的通过沟道区,具有更高的充电效率,因此提高了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更高;本实施例适用于第一使用场景。
实施例8:
如图4-5所示,通过调节将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D设置为大于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D,使载流子会更慢的通过沟道区,具有更低的充电效率,因此降低了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低;本实施例适用于第二使用场景。
实施例9:
如图4-2所示,为现有技术中位于W子像素所对应的子像素电极处的沟道区示意图,常规下,RGBW子像素的子像素电极处的沟道区均相同,如图4-4所示,本实施例9通过调节将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度L设置为大于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度L,以及W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度与RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度保持不变,即宽度相等,具有更高的充电效率,因此提高了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更高;本实施例适用于第一使用场景。
实施例10:
如图4-6所示,通过调节将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度L设置为小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度L,以及W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D与RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度D保持不变,即宽度相等,具有更低的充电效率,因此降低了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低;本实施例适用于第二使用场景。
实施例11:
如图5-1所示,现有技术中,RGBW子像素的面积相等,因此,开口率相同;如图5-2所示,本实施例11通过增加W子像素的面积,即使W子像素的面积大于RGB子像素(101、102、103)的面积,从而实现对W子像素处的开口率进行调整,具体地,将W子像素101区域的黑色矩阵300的线宽设置为小于RGB子像素(101、102、103)区域的黑色矩阵300的线宽实现,使W子像素开口率增加,光效率增加,W子像素具有更高的透过率,提高了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更高;本实施例适用于第一使用场景。
实施例12:
如图5-3所示,通过减小W子像素的面积,即使W子像素的面积小于RGB子像素的面积,从而实现对W子像素处的开口率进行调整,具体地,将W子像素101区域的黑色矩阵300的线宽设置为小于RGB子像素(101、102、103)区域的黑色矩阵300的线宽实现,使W子像素开口率减小,光效率降低,W子像素具有更低的透过率,降低了W子像素的亮度,即W子像素的亮度相对于常规的W子像素的亮度更低;本实施例适用于第二使用场景。
本还可采用将实施例1-12中的两种或以上进行结合,从而进一步地满足W子像素亮度的要求,在此不做具体赘述。
在上述实施例1-12中,液晶显示器为FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关技术)模式液晶显示器,在其他模式的液晶显示器中也可以通过实施例1-12的方式来实现W子像素相比常规设计中W子像素更亮或更暗的设计。例如还可以在VA(VerticalAlignment,垂直配向型)模式的液晶显示器中W子像素所对应的子像素电极具有更小面积。本提案对液晶显示器的显示模式不做限定。
如图1-1所示,本发明还公开了一种液晶显示器,包括彩膜基板100和阵列基板200,所述彩膜基板包括RGBW子像素102、103、104、101,阵列基板包括与RGBW子像素相对应的子像素电极202、201,所述W子像素101的亮度采用上述的用于提高液晶显示器亮度的方法中的一种或一种以上实现对W子像素的亮度调节,由于前面已对用于提高液晶显示器亮度的方法做了详细的说明,在此不在赘述。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (9)
1.一种用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述液晶显示器包括RGBW子像素,其中,W子像素的亮度通过调节W子像素所对应的子像素电极的宽度、间距、液晶盒厚、分支数量、W子像素所对应的子像素电极处的沟道区、W子像素所对应的子像素电极处的开口率中的一种或一种以上方式实现。
2.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极的宽度具体为将W子像素所对应的子像素电极的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的宽度,实现W子像素亮度的调节。
3.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极的间距具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支之间的间距,实现W子像素亮度的调节。
4.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极的液晶盒厚具体为将W子像素所对应的子像素电极所在高度设置为高于或低于RGB子像素所对应的子像素电极的所在高度,实现W子像素亮度的调节。
5.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极的分支数量具体为将W子像素所对应的子像素电极的分支数量设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极的分支数量,实现W子像素亮度的调节。
6.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极处的沟道区具体为将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度和/或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。
7.根据权利要求6所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的宽度或将W子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的沟道区的长度,实现W子像素亮度的调节。
8.根据权利要求1所述的用于提高液晶显示器亮度的方法,其特征在于:所述调节W子像素所对应的子像素电极处的开口率具体为将W子像素所对应的子像素电极处的开口率设置为大于或小于RGB子像素所对应的子像素电极处的开口率,实现W子像素亮度的调节。
9.一种液晶显示器,包括彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括RGBW子像素,阵列基板包括与RGBW子像素相对应的子像素电极,其特征在于:所述W子像素的亮度采用如权利要求1-8任意一项所述的用于提高液晶显示器亮度的方法实现对W子像素的亮度调节。
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