JP2015225150A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】信号書込み時に電源供給線に瞬時的に流れる電流に起因するクロストークを改善することが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている。本開示の電子機器は、当該表示装置を有する。【選択図】 図７

Description

本開示は、表示装置及び電子機器に関し、特に、平面型（フラットパネル型）表示装置及び当該表示装置を有する電子機器に関する。

平面型表示装置（フラットディスプレイ）として、液晶表示装置（Liquid Cristal Display：ＬＣＤ）や有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等が知られている。また、これら平面型表示装置の駆動方式の一つとして、アクティブマトリクス方式がある。このアクティブマトリクス方式（型）の表示装置において、発光部（発光素子）を含む単位画素（以下、単に「画素」と記述する場合もある）は、少なくとも、信号を書き込む書込みトランジスタを有している（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−３１０３１１号公報

ところで、アクティブマトリクス方式の表示装置において、例えば、グレー地に高輝度のパターンを部分的に表示させる場合、高輝度のパターンを含むライン（画素行）上のグレー画素の輝度は、それ以外（グレー地）のグレー画素の輝度よりも高くなる。これは、同じライン上の画素に高輝度発光の画素が多い場合、画素に電流を供給する電源供給線に信号書込み時に瞬時的に大電流が流れるためである。これにより、高輝度のパターンを含むライン上のグレー画素が、グレー地のグレー画素よりも明るくなるため、クロストークとして視認されることがある。

本開示は、信号書込み時に電源供給線に瞬時的に流れる電流に起因するクロストークを改善することが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている。

上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、
表示装置を有する。

上記の構成の表示装置あるいは電子機器において、１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、ということは、１つの走査線につながる書込みトランジスタのサイズが一様でない、ということである。そして、１つの走査線につながる書込みトランジスタのサイズが一様でないと、一様である場合に比べて、書込みトランジスタによる信号書込み時に電源供給線に瞬時的に流れる電流を減少させることができる。

本開示によれば、信号書込み時に電源供給線に瞬時的に流れる電流を減少させることができるため、当該瞬時電流に起因するクロストークを改善できる。
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。

図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス方式の表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、単位画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。 図３は、本開示の技術が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作を表わすタイミング波形図である。 図４は、クロストークとして視認されるメカニズムについて説明する図であり、図４Ａに表示パターン例を示し、図４Ｂにクロストーク発生のイメージを示している。 図５は、書込みトランジスタによる信号書込み時の駆動波形を示す波形図である。 図６は、クロストーク発生時に駆動トランジスタに流れる電流のイメージを示す図である。 書込みトランジスタの構成の一例を示す平面図であり、図７Ａに基準とするトランジスタの構成を示し、図７ＢにＬ長を変えたトランジスタの構成を示し、図７ＣにＷ長を変えたトランジスタの構成を示し、図７ＤにＬ長及びＷ長を共に変えたトランジスタの構成を示している。 図８Ａは、実施例１に係る副画素の色配列を示す図であり、図８Ｂは、実施例２に係る副画素の色配列を示す図である。 図９は、実施例１の場合の書込みトランジスタによる信号書込み時の駆動波形を示す波形図である。 図１０は、本開示の電子機器の一例であるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。

以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．信号書込み時の瞬時的な電流に起因するクロストークについて
３．実施形態の説明
３−１．実施例１［副画素の色配列がＲＧＢの縦ストライプ配列の例］
３−２．実施例２［副画素の色配列がＲＧＢＷの田の字配列の例］
４．変形例
５．電子機器（テレビジョンセットの例）

＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及び電子機器にあっては、単位画素が複数の色の副画素から構成されている場合において、１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタのサイズについて、副画素の色単位で異なる構成とすることができる。

上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、単位画素が複数の色の副画素から構成されているときに、１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタのサイズについて、副画素の色単位で異なる構成とすることができる。また、単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズについて、信号書込み時に必要な電流値に応じてそれぞれ異なるサイズに設定されている構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズについて、信号書込み時に必要な電流値が小さい順に、サイズが大きくなるように設定される構成とすることができる。また、単位画素が、白色の副画素に加えて、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素を有する場合において、各副画素の書込みトランジスタのサイズについて、白色の副画素、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素の順に、サイズが大きくなるように設定されている構成とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、単位画素が書込みトランジスタによって書き込まれた信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタを有する場合において、駆動トランジスタの特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する補正機能を持つ構成とすることができる。補正機能については、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する構成とすることができる。また、補正機能については、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、単位画素の発光部について、電流駆動型の電気光学素子、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子から成る構成とすることができる。有機ＥＬ素子は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた自発光型の電気光学素子（発光素子）である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。

有機ＥＬ素子は、第１の電極（例えば、陽極）の上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層を順次堆積させて有機層を形成し、この有機層の上に第２の電極（例えば、陰極）を形成した構成となっている。そして、第１の電極と第２の電極との間に直流電圧を印加することで、正孔が第１の電極（陽極）から正孔輸送層を経て、電子が第２の電極（陰極）から電子輸送層を経てそれぞれ発光層内に注入され、発光層において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。

画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。

＜本開示の技術が適用される表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス方式の表示装置（本開示の表示装置）の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。

アクティブマトリクス方式の表示装置は、発光部（発光素子）の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設ける能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。

ここでは、一例として、単位画素（画素回路）の発光部（発光素子）として有機ＥＬ素子を用いるアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。以下では、「単位画素／画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。薄膜トランジスタは、画素の制御用として用いられる他、後述する周辺回路の制御用として用いられる。

図１に示すように、本開示の技術が適用される有機ＥＬ表示装置１０は、複数の単位画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺領域に配置されて画素２０を駆動する駆動部（周辺）とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。

本例では、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０は、画素アレイ部３０と同じ基板上、即ち、表示パネル７０上に搭載されている。但し、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。また、書込み走査部４０及び電源供給走査部５０をそれぞれ、画素アレイ部３０の一方側に配置する構成としているが、画素アレイ部３０を挟んで両側に配置する構成を採ることも可能である。表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。

ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の色の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１₁〜３１_m）と電源供給線３２（３２₁〜３２_m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３₁〜３３_n）が画素列毎に配線されている。

走査線３１₁〜３１_mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２₁〜３２_mは、電源供給走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３₁〜３３_nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。

書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１₁〜３１_m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ₁〜ＷＳ_m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。

電源供給走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１電源電圧Ｖ_ccpと当該第１電源電圧Ｖ_ccpよりも低い第２電源電圧Ｖ_iniとで切り替わることが可能な電源電圧ＤＳ（ＤＳ₁〜ＤＳ_m）を電源供給線３２（３２₁〜３２_m）に供給する。後述するように、電源電圧ＤＳのＶ_ccp／Ｖ_iniの切替えによって、画素２０の発光／非発光（消光）の制御が行われる。

信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖ_sigと基準電圧Ｖ_ofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖ_ofsは、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。

信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖ_sig／基準電圧Ｖ_ofsは、信号線３３（３３₁〜３３_n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖ_sigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

［画素回路］
図２は、単位画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子２１から成る。

図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。

有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５、即ち、２つのトランジスタ（Ｔｒ）と２つの容量素子（Ｃ）を有する、２Ｔｒ２Ｃの回路構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いている。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。

駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２₁〜３２_m）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３₁〜３３_n）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１₁〜３１_m）に接続されている。

駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、一方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、他方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。

保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が有機ＥＬ素子２１のカソード電極にそれぞれ接続されている、即ち、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されている。

上記の構成において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖ_sig又は基準電圧Ｖ_ofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖ_sig又は基準電圧Ｖ_ofsは保持容量２４に保持される。

駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２₁〜３２_m）の電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖ_ccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖ_sigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。

駆動トランジスタ２２は更に、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖ_ccpから第２電源電圧Ｖ_iniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。

この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に、動画の画品位をより優れたものとすることができる。

電源供給走査部５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電圧Ｖ_ccp，Ｖ_iniのうち、第１電源電圧Ｖ_ccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電圧である。また、第２電源電圧Ｖ_iniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電圧である。この第２電源電圧Ｖ_iniは、基準電圧Ｖ_ofsよりも低い電圧、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶ_thとするときＶ_ofs−Ｖ_thよりも低い電圧、好ましくは、Ｖ_ofs−Ｖ_thよりも十分に低い電圧に設定される。

画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。

閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する場合もある）は、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gを基準電圧Ｖ_ofsに初期化することによって行われる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gの初期化電圧（基準電圧Ｖ_ofs）を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに収束する。この閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧は保持容量２４に保持される。そして、保持容量２４に閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖ_sigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉ_dsの閾値電圧Ｖ_thに対する依存性を抑えることができる。

一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する場合もある）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖ_sigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２４に流すことによって行われる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉ_dsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２４に負帰還をかけることによって行われる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉ_dsの閾値電圧Ｖ_thに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉ_dsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉ_dsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖ_dsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉ_dsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。

図３は、上記の構成の有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作を表わすタイミング波形図である。図３のタイミング波形図には、走査線３１の電圧（書込み走査信号）ＷＳ、電源供給線３２の電圧（電源電圧）ＤＳ、信号線３３の電圧（Ｖ_sig／Ｖ_ofs）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sのそれぞれの変化を示している。ここでは、信号線３３の電圧の切替え周期、即ち、映像信号の信号電圧Ｖ_sigと基準電圧Ｖ_ofsとの切替え周期が１水平期間（１Ｈ）となっている。

尚、書込みトランジスタ２３がＮチャネル型であるため、書込み走査信号ＷＳの高電圧の状態がアクティブ状態となり、低電圧の状態が非アクティブ状態となる。そして、書込みトランジスタ２３は、書込み走査信号ＷＳのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。

図３のタイミング波形図において、時刻ｔ₁₁よりも前が、前の表示フレームにおける有機ＥＬ素子２１の発光期間となり、時刻ｔ₁₁になると、線順次走査の新しい表示フレーム（現表示フレーム）の非発光期間に入る。そして、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となる時刻ｔ₁₂から時刻ｔ₁₄までの期間が、書込みトランジスタ２３が基準電圧Ｖ_ofsを画素２０内に書き込む書込み期間となり、時刻ｔ₁₃から時刻ｔ₁₄までの期間が、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する閾値補正期間となる。

また、時刻ｔ₁₅から時刻ｔ₁₈までの期間において、信号線３３の電圧が映像信号の信号電圧Ｖ_sigとなる。そして、時刻ｔ₁₆から時刻ｔ₁₇までの期間で、書込み走査信号ＷＳが再びアクティブ状態となることで、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３によって映像信号の信号電圧Ｖ_sigが画素２０内に書き込まれるとともに、駆動トランジスタ２２の移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する移動度補正処理が行われる。すなわち、時刻ｔ₁₆から時刻ｔ₁₇までの期間が、信号電圧Ｖ_sigの書込み＋移動度補正期間となる。そして、時刻ｔ₁₇になると、現表示フレームの発光期間に入る。

［信号書込み時の瞬時的な電流に起因するクロストークについて］
次に、書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込み時に、電源供給線３２に瞬時的に大電流が流れることに起因するクロストークについて説明する。ここでは、図４Ａに示すように、例えば、グレー地に高輝度のパターン（ＷＩＮＤＯＷ）を部分的に表示させる場合を例に挙げて説明する。

グレー地に高輝度のパターンを部分的に表示させる場合、図４Ｂに示すように、高輝度のパターンを含むライン（画素行）上のグレー画素（図中、Ｂ点）の輝度は、それ以外（グレー地）のグレー画素（図中、Ａ点）の輝度よりも高くなる。これにより、高輝度のパターンのＢ点のグレー画素が、グレー地のＡ点のグレー画素よりも明るくなるため、クロストークとして視認されることがある。

ここで、クロストークとして視認されるメカニズムについて、図５の波形図を用いて説明する。図５は、書込みトランジスタ２３による信号書込み時の駆動波形を示す波形図である。図５には、電源電圧ＤＳ、書込み走査信号ＷＳ、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sの信号書込み時の波形をそれぞれ示している。

また、図６に、クロストーク発生時に駆動トランジスタ２２に流れる電流のイメージを示す。図６には、図４Ｂにおいて点線の○（Ｘ）で囲った領域、即ち、グレー地、高輝度のパターン（ＷＩＮＤＯＷ）、及び、クロストーク部分の境界部分についてのイメージを示している。また、図６において、太い矢印は電流が相対的に大きい状態を表わし、細い矢印は電流が相対的に小さい状態を表わしている。ここでは、一例として、赤色（Ｒ）の副画素、緑色（Ｇ）の副画素、及び、青色（Ｂ）の副画素が縦ストライプ配列の場合を示しいる。

書込みトランジスタ２３に信号書込み用の書込み走査信号ＷＳが印加された際に、移動度補正が開始されるため、駆動トランジスタ２２に電流が流れる。この電流は、電源供給線３２から供給されるが、この電源供給線３２に駆動トランジスタ２２がつながる全ての画素について書込み走査信号ＷＳが印加されるタイミングが等しいため、各画素に同時に電流が流れる。そして、同じ電源供給線３２につながる画素に高輝度発光の画素が多い場合には、電源供給線３２に瞬時的に大電流が流れ、それに伴って電源供給線３２の電圧、即ち、電源電圧ＤＳに電圧ドロップが生じる。この電圧ドロップは、電源供給線３２に流れる電流と、電源供給線３２の配線抵抗によって決まる。

これにより、図４ＢのＡ点のグレー画素とＢ点のグレー画素とを比較した場合、Ｂ点のグレー画素を含むライン（画素行）上の画素には高輝度で大電流の流れる画素があるため、書込みトランジスタ２３による信号書込み時の電源供給線３２の電圧ドロップがＡ点のグレー画素よりもＢ点のグレー画素の方が大きい。電源供給線３２は電源に接続されているため、この一時的な電圧ドロップは次第に回復し、Ｖ_ccp−（定常発光時に流す電流の分の電圧ドロップ）まで上昇する。

書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態となり、書込みトランジスタ２３が非導通状態になると、駆動トランジスタ２２のゲートノードはフローティングとなる。そのため、駆動トランジスタ２２のドレイン電極がつながる電源供給線３２の電位が上昇すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ドレイン間の容量Ｃ_gdを介して駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gも上昇する。

書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態となってから発光定常状態になるまでに、電源供給線３２の電位がΔＶだけ上昇するとき、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gの変動量ΔＶ_gは、
ΔＶ_g＝ΔＶ×Ｃ_gs／Ｃ_{g_total}
で表わされる。

ここで、Ｃ_{g_total}は、駆動トランジスタ２２のゲートノードに接続されている（ゲートノードから見える）全ての容量の総和である。具体的には、保持容量２４の容量をＣ_sとし、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の容量をＣ_gsとし、有機ＥＬ素子２１の等価容量をＣ_oledとし、補助容量２５の容量をＣ_subとし、書込みトランジスタ２３のゲート−ソース／ドレイン間の容量をＣ_wsとし、駆動トランジスタ２２のゲート−ドレイン間の容量をＣ_gdとすると、
Ｃ_{g_total}＝{(Ｃ_s＋Ｃ_gs)(Ｃ_sub＋Ｃ_oled)/(Ｃ_s＋Ｃ_gs＋Ｃ_oled＋Ｃ_sub)}＋Ｃ_ws＋Ｃ_gd
となる。

駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gがΔＶ_gだけ上昇すると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sも、
ΔＶ_s＝ΔＶ_g（Ｃ_s＋Ｃ_gd）／（Ｃ_s＋Ｃ_gs＋Ｃ_oled＋Ｃ_sub）
だけ上昇する。

駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが上昇し、これに伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sも上昇すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの変動量ΔＶ_gsは、
ΔＶ_gs＝ΔＶ_g−ΔＶ_s
となる。

ここで、Ａ点のグレー画素がつながる電源供給線３２の電位にほぼドロップがないとすれば、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの変動量ΔＶ_gs分だけ駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが大きく、駆動電流Ｉ_dsも多くなる。従って、駆動電流Ｉ_dsが多くなる分だけ輝度が高くなる。よって、Ｂ点のグレー画素はＡ点のグレー画素に比べて輝度が高くなるため、クロストークとして視認され、ユニフォミティ（画面の一様性）を悪化させる要因となる。クロストーク率は、高輝度のパターン（ＷＩＮＤＯＷ）の表示ラインと非表示ラインのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの比率によって決まる。

＜実施形態の説明＞
続いて、本開示の実施形態について説明する。上述したことから明らかなように、ユニフォミティを悪化させる要因となるクロストークは、書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込み時に、電源供給線３２に電流が集中して流れることが原因となって発生する。従って、１つの電源供給線３２に画素２０毎につながる駆動トランジスタ２２に流れる電流のピークを、画素２０間で分散させればよいということになる。この点に鑑みて為されたのが本開示の技術である。

本開示の実施形態では、１つの走査線３１に画素２０毎につながる書込みトランジスタ２３の中に、トランジスタサイズ、即ち、Ｗ（チャネル幅）／Ｌ（チャネル長）が異なるトランジスタを含む構成を採っている。ここで、１つの走査線３１に画素２０毎につながる書込みトランジスタ２３の中にサイズが異なるトランジスタを含む、ということは、１つの走査線３１につながる書込みトランジスタ２３のサイズが一様でない、ということである。

従って、１つの走査線３１につながる書込みトランジスタ２３中に、サイズが同じトランジスタと、サイズが異なるトランジスタとが混在することになる。ここで、「サイズが同じ」とは、厳密にサイズが同じ場合の他、実質的にサイズが同じ場合をも含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。すなわち、設計上あるいは製造上、種々のばらつきによって生ずるサイズの違いは、本実施形態における異なるサイズの概念に含まれない。１つの画素行（ライン）における、サイズが異なるトランジスタの配置については規則性を問わないものとする。

書込みトランジスタ２３のサイズを変えるに当たっては、Ｌ長のみ、Ｗ長のみ、あるいは、Ｌ長、Ｗ長の両方を変えるようにすればよい。具体的には、図７Ａに示すように、基準とするトランジスタのＬ長をＬ₀とし、Ｗ長をＷ₀とするとき、図７Ｂに示すように、Ｌ長を基準のＬ₀よりも短いＬ₁とする、あるいは、図７Ｃに示すように、Ｗ長を基準のＷ₀よりも長いＷ₁とする。あるいは又、図７Ｄに示すように、Ｌ長を基準のＬ₀よりも短いＬ₂とするとともに、Ｗ長を基準のＷ₀よりも長いＷ₂とする。

ここで、書込みトランジスタ２３のゲート−ソース間電圧をＶ_{gs_ws}とし、閾値電圧をＶ_{th_ws}とすると、書込みトランジスタ２３のドレイン−ソース間電流Ｉ_{ds_ws}は、
Ｉ_{ds_ws}＝ｋ（Ｖ_{gs_ws}−Ｖ_{th_ws}）²
で表わされる。ｋは、デバイス構造、温度、電圧によって決まる定数であり、（Ｗ／Ｌ）にほぼ比例する値である。従って、バイアス電圧が等しい場合、Ｗ長が長いほど、あるいは、Ｌ長が短いほど、書込みトランジスタ２３のドレイン−ソース間電流Ｉ_{ds_ws}が大きくなるため、トランジスタの駆動能力を上げることができる。

本開示の実施形態において、画素２０については、モノクロ対応の画素であってもよいし、カラー画像を形成する単位となる画素、即ち、複数の色の副画素から構成される単位画素（ピクセル）であってもよい。以下では、画素２０がカラー画像を形成する単位となる画素から成る場合を例に挙げて、具体的な実施例について説明する。

［実施例１］
図８Ａは、実施例１に係る副画素の色配列を示す図である。実施例１の色配列は、画素２０を構成する副画素が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素から成り、これらの副画素が列方向（上下方向）にストライプ状に配列された縦ストライプ配列となっている。そして、実施例１では、画素２０がカラー画像を形成する単位となる画素、即ち、ＲＧＢ３色の副画素から成る場合において、１つの走査線３１に副画素毎につながる書込みトランジスタ２３のサイズ（Ｗ／Ｌ）を色単位で変えるようにする。

書込みトランジスタ２３のサイズ（Ｗ／Ｌ）を変えることで、トランジスタの駆動能力が変わるため、書込みトランジスタ２３の書込みタイミングを副画素の色単位でずらすことが可能になる。実施例１の場合の書込みトランジスタ２３による信号書込み時の駆動波形を図９に示す。実施例１では、一例として、Ｇの副画素の書込みトランジスタ２３のサイズ（Ｗ／Ｌ）を、Ｒの副画素の書込みトランジスタ２３のサイズよりも大きく設定する構成を採っている。

トランジスタのサイズ（Ｗ／Ｌ）が大きいと、トランジスタとしての駆動能力が上がるため、書込みトランジスタ２３の書込み速度が速くなる。よって、Ｇの副画素の電流のピークも、Ｒの副画素の電流のピークよりも速くなる。書込みトランジスタ２３のサイズを色毎に変えない場合は、Ｇの副画素の電流のピーク位置が、図９に点線で示すように、Ｒの副画素の電流のピーク位置と同じであったため、電源供給線３２に瞬時的に大電流が流れてしまう。

これに対して、書込みトランジスタ２３のサイズを色毎に変える実施例１では、１つの電源供給線３２に副画素毎につながる駆動トランジスタ２２に流れる電流のピーク位置を、各色の副画素間で分散させることができる。これにより、電源供給線３２に瞬時的に流れる電流の絶対値を減少させることができるため、電源供給線３２の電圧ドロップを緩和することができる。そして、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態となってから発光定常状態になるまでの電源供給線３２の電位の上昇量ΔＶ’が、書込みトランジスタ２３のサイズを色毎に変えない場合の上昇量ΔＶよりも小さくなる。結果として、書込みトランジスタ２３による信号書込み時に、電源供給線３２に瞬時的に流れる電流に起因するクロストークを改善できる。

尚、実施例１では、Ｇの副画素及びＲの副画素の書込みトランジスタ２３のサイズを変える構成としたが、ＲＧＢ３色の副画素の縦ストライプ配列の場合において、１色のみのサイズを変える、あるいは、３色共に、即ち、色毎に書込みトランジスタ２３のサイズを変えるようにすることもできる。

［実施例２］
図８Ｂは、実施例２に係る副画素の色配列を示す図である。実施例２の色配列は、画素２０を構成する副画素が、ＲＧＢの副画素に加えて、白色（Ｗ）の副画素を含む４色の副画素から成り、これらの副画素が田の字状に配列された田の字配列となっている。そして、実施例２においても、実施例１と同様に、１つの走査線３１に画素２０毎につながる書込みトランジスタ２３のサイズ（Ｗ／Ｌ）を色単位で変えるようにする。これにより、実施例２にあっても、実施例１と同様の作用、効果を得ることができる、即ち、書込みトランジスタ２３による信号書込み時に、電源供給線３２に瞬時的に流れる電流を減少させることができるため、当該瞬時電流に起因するクロストークを改善できる。

書込みトランジスタ２３のサイズを色単位で変えるに当たっては、ＲＧＢＷの４色の副画素全てについて、即ち、各色毎に書込みトランジスタ２３のサイズを異なるようにすることが最も効果的であるが、これに限られるものではない。例えば、２色毎にペアにして書込みトランジスタ２３のサイズを変えるようにしてもよいし、あるいは、１色のみの副画素の書込みトランジスタ２３のサイズを変えるようにしてもよい。一例として、Ｗの副画素の書込みトランジスタ２３のサイズを、他の少なくとも一色の副画素の書込みトランジスタのサイズよりも小さく設定するようにする。尚、図７Ｂに示す色配列は一例であって、これに限られるものではなく、ＲＧＢＷ４色の副画素の縦ストライプ配列であってもよい。

書込みトランジスタ２３のサイズについては、書込みトランジスタ２３による信号書込み時に必要な電流値に応じてそれぞれ異なるサイズに設定するようにする。その際、各色の副画素の書込みトランジスタ２３のサイズについて、書込みトランジスタ２３による信号書込み時に必要な電流値が小さい順に、サイズが大きくなるように設定するのが好ましい。一例として、ＲＧＢＷ４色の副画素の縦ストライプ配列の場合には、ＲＧＢＷの各副画素の書込みトランジスタ２３のサイズ（Ｗ／Ｌ）について、Ｗの副画素、Ｒの副画素、Ｇの副画素、Ｂの副画素の順に、サイズが大きくなるように設定するようにする。

＜変形例＞
上記の実施形態では、単位画素２０の発光部が有機ＥＬ素子２１から成る有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、有機ＥＬ表示装置への適用に限られるものではない。すなわち、本開示の技術は、単位画素２０の発光部が、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など電流駆動型の電気光学素子から成る表示装置や、液晶表示装置など、単位画素２０が信号を書き込む書込みトランジスタを有する構成の表示装置全般に対して適用可能である。

また、上記の実施形態では、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路として、２Ｔｒ２Ｃの回路構成を例示したが、２Ｔｒ２Ｃの回路構成に限られるものではない。例えば、補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１の等価容量を補助するためのものであり、必須の構成要素ではない。従って、有機ＥＬ素子２１の等価容量を十分に確保できる場合には、当該補助容量２５を除いた２Ｔｒ１Ｃの回路構成を採ることも可能である。

更には、必要に応じて、トランジスタの数を増やすことも可能である。一例として、基準電圧Ｖ_ofsを書込みトランジスタ２３によって信号線３３から取り込む構成ではなく、専用のスイッチングトランジスタを設けて、当該スイッチングトランジスタによって基準電圧Ｖ_ofsを取り込む構成とすることも可能である。また、駆動トランジスタ２２に対して直列にスイッチングトランジスタを接続し、当該スイッチングトランジスタによって有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する構成とすることも可能である。

＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォンや携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ等の電子機器の表示部として用いることができる。

このように、あらゆる分野の電子機器の表示部として本開示の表示装置を用いることにより、各種の電子機器の表示品位を高めることができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本開示の表示装置によれば、書込みトランジスタによる信号書込み時に、電源供給線に瞬時的に流れる電流に起因するクロストークを改善できる。従って、各種の電子機器において、本開示の表示装置を用いることにより、画質の向上に貢献できる。

本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、テレビジョンセットを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例）
図１０は、本開示の電子機器の一例であるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本具体例に係るテレビジョンセット１００は、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を有している。このテレビジョンセット１００において、その映像表示画面部１０１として本開示の表示装置を用いることができる。

すなわち、本具体例に係るテレビジョンセット１００は、その映像表示画面部１０１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。このように、テレビジョンセット１００において、その映像表示画面部１０１として、本開示の表示装置を用いることにより、信号書込み時に電源供給線に瞬時的に流れる電流に起因するクロストークを改善できるため、画質の向上に貢献できる。

尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、
表示装置。
［２］単位画素は、複数の色の副画素から構成されており、
１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタのサイズは、副画素の色単位で異なる、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］単位画素は、白色の副画素を有しており、
白色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、他の少なくとも一色の副画素の書込みトランジスタのサイズよりも小さく設定されている、
上記［２］に記載の表示装置。
［４］単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、信号書込み時に必要な電流値に応じてそれぞれ異なるサイズに設定されている、
上記［２］又は上記［３］に記載の表示装置。
［５］単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、信号書込み時に必要な電流値が小さい順に大きくなるように設定されている、
上記［４］に記載の表示装置。
［６］単位画素は、白色の副画素に加えて、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素を有しており、
各副画素の書込みトランジスタのサイズは、白色の副画素、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素の順に大きくなるように設定されている、
上記［５］に記載の表示装置。
［７］単位画素は、書込みトランジスタによって書き込まれた信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタを有し、
駆動トランジスタの特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する補正機能を持つ、
上記［１］から上記［７］のいずれかに記載の表示装置。
［８］補正機能は、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能である、
上記［７］に記載の表示装置。
［９］補正機能は、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能である、
上記［７］又は上記［８］に記載の表示装置。
［１０］単位画素の発光部は、電流駆動型の電気光学素子から成る、
上記［１］から上記［９］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１１］電流駆動型の電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、
上記［１０］に記載の表示装置。
［１２］発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
１つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、
表示装置を有する電子機器。

１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・単位画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４・・・保持容量、２５・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１₁〜３１_m）・・・走査線、３２（３２₁〜３２_m）・・・電源供給線、３３（３３₁〜３３_n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・電源供給走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル

Claims (12)

1. 発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
   単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
   １つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、
   表示装置。
2. 単位画素は、複数の色の副画素から構成されており、
   １つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタのサイズは、副画素の色単位で異なる、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 単位画素は、白色の副画素を有しており、
   白色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、他の少なくとも一色の副画素の書込みトランジスタのサイズよりも小さく設定されている、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、信号書込み時に必要な電流値に応じてそれぞれ異なるサイズに設定されている、
   請求項２に記載の表示装置。
5. 単位画素を構成する各色の副画素の書込みトランジスタのサイズは、信号書込み時に必要な電流値が小さい順に大きくなるように設定されている、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 単位画素は、白色の副画素に加えて、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素を有しており、
   各副画素の書込みトランジスタのサイズは、白色の副画素、赤色の副画素、緑色の副画素、及び、青色の副画素の順に大きくなるように設定されている、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 単位画素は、書込みトランジスタによって書き込まれた信号に基づいて発光部を駆動する駆動トランジスタを有し、
   駆動トランジスタの特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する補正機能を持つ、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 補正機能は、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能である、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 補正機能は、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能である、
   請求項７に記載の表示装置。
10. 単位画素の発光部は、電流駆動型の電気光学素子から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
11. 電流駆動型の電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 発光部を含む単位画素が行列状に配置されて成り、
    単位画素は、画素行毎に配された走査線を通して供給される走査信号に応答して信号を書き込む書込みトランジスタを有し、
    １つの走査線に単位画素毎につながる書込みトランジスタの中に、サイズが異なるトランジスタが含まれている、
    表示装置を有する電子機器。