KR102402717B1 - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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키와무 미우라
나오부미 토요무라
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소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
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Abstract

발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 이루어지는 표시 장치, 또는, 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에 있어서, 복수의 트랜지스터 중, 발광부의 애노드 전극에 접속된 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선을, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성한다.

Description

표시 장치 및 전자 기기
본 개시는, 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에 관한 것이다.
표시 장치의 하나로서, 유기 재료의 일렉트로루미네선스(이하, 「EL」이라고 기술한다)를 이용한 유기 EL 소자를 발광부로서 이용한 유기 EL 표시 장치가 있다. 유기 EL 표시 장치는, 발광부를 구성하는 유기 EL 소자가 자발광 소자이기 때문에, 소비 전력이 낮다는 특성을 갖고 있다. 유기 EL 소자는, 제1의 전극과 제2의 전극의 사이에, 유기 정공 수송층이나 유기 발광층이 적층되어 이루어지는 유기층을 마련한 구조로 되어 있다. 그리고, 유기 EL 표시 장치에서는, 유기 EL 소자에 흘리는 전류치를 컨트롤함에 의해 발색(發色)의 계조를 얻고 있다.
유기 EL 소자를 발광부로서 이용한 유기 EL 표시 장치 중, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치에서는, 화소마다 복수의 트랜지스터나 용량 소자로 이루어지는 구동 회로(화소 회로)가 마련되어 있고, 이 구동 회로에 의해 유기 EL 소자의 구동이 행하여지고 있다.
유기 EL 표시 장치에서는, 프로세스 변동 등에 의해, 유기 EL 소자를 구동하는 구동 트랜지스터의 임계치 전압이나 이동도 등의 특성에 화소마다 편차가 생긴다. 그리고, 구동 트랜지스터의 트랜지스터 특성이 화소마다 다르면, 화소마다 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치에 화소마다 편차가 생기기 때문에, 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 화소 사이에서 같은 전압을 인가하여도, 유기 EL 소자의 발광휘도에 화소 사이에서 편차가 생긴다. 그 결과, 표시 화면의 유니포미티(일양성)가 손상된다. 그 때문에, 유기 EL 표시 장치에서는, 구동 트랜지스터의 특성의 편차를 보정하기 위한 처리(동작)가 행하여지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특개2008-33193호 공보
그런데, 고정밀화에 수반하여 화소 사이의 간격이 좁아지거나, 또는, 마이크로 디스플레이로 호칭되는 초소형의 표시 장치에서는, 인접하는 배선 사이에 생기는 기생 용량이 무시할 수 없게 되어 온다. 즉, 인접하는 배선 사이에 생기는 기생 용량이 원인으로 표시 품질의 저하를 초래하는, 보다 구체적으로는, 기생 용량에 의한 커플링 노이즈 등에 의해 표시 얼룩이 생긴다는 문제가 있다.
그래서, 본 개시는, 인접하는 배선 사이의 기생 용량을 저감함에 의해, 기생 용량에 의한 커플링에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있는 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 표시 장치는,
발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있고,
복수의 트랜지스터 중, 발광부의 애노드 전극에 접속된 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선은, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성되어 있는,
것을 특징으로 한다. 또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 전자 기기는, 상기한 구성의 표시 장치를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성의 표시 장치 또는 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에 있어서, 스위칭 트랜지스터는, 발광부의 애노드 전극에 접속되어 있음으로써, 그 게이트 배선의 전위 변동이 발광부의 발광 동작에 악영향을 미친다. 여기서, 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선이, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성되어 있음으로써, 양(兩) 트랜지스터의 게이트 배선 사이의 배선 간격이, 양 배선이 같은 배선층에 형성되어 있는 경우에 비하여 넓게 된다. 이에 의해, 인접하는 배선 사이에 생기는 기생 용량을, 양 배선이 같은 배선층에 형성되어 있는 경우에 비하여 저감할 수 있기 때문에, 다른 트랜지스터의 게이트 배선으로부터의, 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선에 대한 기생 용량에 의한 커플링의 영향을 억제할 수 있다.
본 개시에 의하면, 인접하는 배선 사이의 기생 용량을 저감할 수 있기 때문에, 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선에 대한 다른 게이트 배선으로부터의 기생 용량에 의한 커플링에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있다.
또한, 여기에 기재된 효과에 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 명세서 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다. 또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 또한 부가적인 효과가 있어도 좋다.
도 1은, 본 개시의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도.
도 2는, 본 개시의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치에서의 화소(화소 회로)의 회로 구성의 한 예를 도시하는 회로도.
도 3은, 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 기본적인 동작의 설명에 제공하는 타이밍 파형도.
도 4A는, 종래례에 관한 게이트 배선 구조를 도시하는 평면도, 도 4B는, 도 4A의 A-A선에 따른 화살표(矢視) 단면도.
도 5A는, 실시례 1에 관한 게이트 배선 구조를 도시하는 평면도, 도 5B는, 도 5A의 B-B선에 따른 화살표 단면도.
도 6A는, 실시례 2에 관한 게이트 배선 구조를 도시하는 평면도, 도 6B는, 도 6A의 C-C선에 따른 화살표 단면도.
도 7A는, 실시례 3에 관한 게이트 배선 구조를 도시하는 평면도, 도 7B는, 도 7A의 D-D선에 따른 화살표 단면도.
도 8A 및 도 8B는, 렌즈 교환식 일안 리플렉스 타입의 디지털 카메라의 정면도 및 배면도.
도 9는, 헤드 마운트 디스플레이의 외관도.
이하, 본 개시의 기술을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시 형태」라고 기술한다)에 관해 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 본 개시의 기술은 실시 형태로 한정되는 것이 아니다. 이하의 설명에서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명
2. 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치
2-1. 시스템 구성
2-2. 화소 회로
2-3. 기본적인 회로 동작
2-4. 배선 사이의 기생 용량
2-4-1. 인접하는 게이트 배선을 같은 배선층에 형성한 예
2-4-2. 실시례 1(스위칭 트랜지스터의 게이트 배선을, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성하는 예)
2-4-3. 실시례 2(실시례 1의 변형례 : 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선의 상층에 전원 배선을 형성하는 예)
2-4-4. 실시례 3(실시례 2의 변형례 : 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선의 하층에 전원 배선을 형성하는 예)
3. 변형례
4. 본 개시의 전자 기기
4-1. 구체례 1(디지털 카메라의 예)
4-2. 구체례 2(헤드 마운트 디스플레이의 예)
5. 본 개시가 취할 수 있는 구성
<본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명>
본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 스위칭 트랜지스터에 관해, 발광부의 애노드 전극의 전위를 제어함에 의해 발광부를 비발광 상태로 하는 구성으로 할 수 있다.
상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선의 상층 또는 하층에는, 고정 전위의 전원 배선이 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 다른 트랜지스터에 관해, 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 대해, 영상 신호를 기록하는 기록 트랜지스터인 구성으로 할 수 있다. 또한, 화소에서는, 스위칭 트랜지스터가 도통 상태가 되는 발광부의 비발광 기간에, 구동 트랜지스터의 특성의 편차를 보정하기 위한 처리가 행하여지는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 화소가 2차원 배치되는 기판에 관해, 반도체 기판인 구성으로 할 수 있다. 또한, 발광부에 관해, 유기 일렉트로루미네선스 소자로 이루어지는 구성으로 할 수 있다.
<액티브 매트릭스형 표시 장치>
본 개시의 표시 장치는, 전기 광학 소자에 흐르는 전류를, 당해 전기 광학 소자와 같은 화소 회로 내에 마련한 능동 소자, 예를 들면 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 의해 제어하는 액티브 매트릭스형 표시 장치이다. 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로서는, 전형적으로는, MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터나 TFT(Thin Film Transistor ; 박막 트랜지스터)를 예시할 수 있다.
여기서는, 한 예로서, 디바이스에 흐르는 전류치에 응하여 발광휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기 광학 소자인 유기 EL 소자를, 화소 회로의 발광부(발광 소자)로서 이용하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 예로 들어 설명하는 것으로 한다. 이하에서는, 「화소 회로」를 단지 「화소」라고 기술하는 경우가 있다.
[시스템 구성]
도 1은, 본 개시의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 개시의 유기 EL 표시 장치(10)는, 유기 EL 소자를 포함하는 복수의 화소(20)가 행렬형상으로 2차원 배치되어 이루어지는 화소 어레이부(30)와, 당해 화소 어레이부(30)의 주변에 배치되는 주변 회로부를 갖는 구성으로 되어 있다. 주변 회로부는, 예를 들면, 화소 어레이부(30)와 같은 표시 패널(70)상에 탑재된 기록 주사부(40), 제1 구동 주사부(50A), 제2 구동 주사부(50B), 및, 신호 출력부(60) 등으로 이루어지고, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 구동한다. 또한, 기록 주사부(40), 제1 구동 주사부(50A), 제2 구동 주사부(50B), 및, 신호 출력부(60)의 몇개, 또는 전부를 표시 패널(70) 밖에 마련하는 구성을 채택할 수 있다.
유기 EL 표시 장치(10)에 관해서는, 모노크롬(흑백) 표시 대응의 구성으로 할 수도 있고, 컬러 표시 대응의 구성으로 할 수 있다. 유기 EL 표시 장치(10)가 컬러 표시 대응인 경우는, 컬러 화상을 형성하는 단위가 되는 하나의 화소(단위 화소/픽셀)는 복수의 부화소(서브픽셀)로 구성된다. 이때, 부화소의 각각이 도 1의 화소(20)에 상당하는 것으로 된다. 보다 구체적으로는, 컬러 표시 대응의 표시 장치에서는, 하나의 화소는, 예를 들면, 적색(Red ; R)광을 발광하는 부화소, 녹색(Green ; G)광을 발광하는 부화소, 청색(Blue ; B)광을 발광하는 부화소의 3개의 부화소로 구성된다.
단, 하나의 화소로서는, RGB의 3원색의 부화소의 조합으로 한정되는 것이 아니고, 3원색의 부화소에 더욱 1색 또는 복수색의 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하는 것도 가능하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 휘도 향상을 위해 백색(White ; W)광을 발광하는 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하거나, 색 재현 범위를 확대하기 위해 보색광을 발광하는 적어도 하나의 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하거나 하는 것도 가능하다.
화소 어레이부(30)에는, m행n열의 화소(20)의 배열에 대해, 행방향(화소행의 화소의 배열 방향)에 따라 주사선(31)(311∼31m), 제1 구동선(32)(321∼32m), 및, 제2 구동선(33)(331∼33m)이 화소행마다 배선되어 있다. 또한, m행n열의 화소(20)의 배열에 대해, 열방향(화소열의 화소의 배열 방향)에 따라 신호선(34)(341∼34n)이 화소열마다 배선되어 있다.
주사선(311∼31m)은, 기록 주사부(40)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 제1 구동선(321∼32m)은, 제1 구동 주사부(50A)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 제2 구동선(331∼33m)은, 제2 구동 주사부(50B)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 신호선(341∼34n)은, 신호 출력부(60)의 대응하는 열의 출력단에 각각 접속되어 있다.
기록 주사부(40)는, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 기록 주사부(40)는, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에의 영상 신호의 신호 전압의 기록에 즈음하여, 주사선(31)(311∼31m)에 대해 기록 주사 신호(WS)(WS1∼WSm)를 순차적으로 공급함에 의해 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 행 단위로 순번대로 주사하는, 이른바, 선순차 주사를 행한다.
제1 구동 주사부(50A)는, 기록 주사부(40)와 마찬가지로, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 제1 구동 주사부(50A)는, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제1 구동선(32)(321∼32m)에 대해 발광 제어 신호(DS)(DS1∼DSm)를 공급함에 의해 화소(20)의 발광/비발광(소광)의 제어를 행한다.
제2 구동 주사부(50B)는, 기록 주사부(40)와 마찬가지로, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 제2 구동 주사부(50B)는, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제2 구동선(33)(331∼33m)에 대해 구동 신호(AZ)(AZ1∼AZm)를 공급함에 의해 비발광 기간에서 화소(20)를 발광하지 않도록 하는 제어를 행한다.
신호 출력부(60)는, 신호 공급원(도시 생략)으로부터 공급되는 휘도 정보에 응한 영상 신호의 신호 전압(이하, 단지 「신호 전압」이라고 기술하는 경우도 있다)(Vsig)과 기준 전압(Vofs)을 선택적으로 출력한다. 여기서, 기준 전압(Vofs)은, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기준이 되는 전압(예를 들면, 영상 신호의 흑레벨에 상당하는 전압)에 상당하는 전압, 또는, 그 부근의 전압이다. 기준 전압(Vofs)은, 후술한 보정 동작을 행할 때에, 초기화 전압으로서 사용된다.
신호 출력부(60)로부터 택일적으로 출력되는 신호 전압(Vsig)/기준 전압(Vofs)은, 신호선(34)(341∼34n)을 통하여 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에 대해, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 의해 선택된 화소행의 단위로 기록된다. 즉, 신호 출력부(60)는, 신호 전압(Vsig)을 화소행(라인) 단위로 기록하는 선순차 기록의 구동 형태를 채택하고 있다.
[화소 회로]
도 2는, 본 개시의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치(10)에서의 화소(화소 회로)의 회로 구성의 한 예를 도시하는 회로도이다. 화소(20)의 발광부는, 유기 EL 소자(21)로 이루어진다. 유기 EL 소자(21)는, 디바이스에 흐르는 전류치에 응하여 발광휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기 광학 소자의 한 예이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 화소(20)는, 유기 EL 소자(21)와, 유기 EL 소자(21)에 전류를 흘림에 의해 당해 유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로에 의해 구성되어 있다. 유기 EL 소자(21)는, 모든 화소(20)에 대해 공통으로 배선된 공통 전원선(35)에 캐소드 전극이 접속되어 있다.
유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로는, 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(샘플링 트랜지스터)(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 스위칭 트랜지스터(25), 유지 용량(26), 및, 보조 용량(27)을 갖는, 4Tr(트랜지스터)/2C(용량 소자)의 구성으로 되어 있다. 또한, 본 예에서는, 화소(화소 회로)(20)는, 유리 기판과 같은 절연체상에 아니라, 실리콘과 같은 반도체상에 형성된다. 즉, 화소(20)가 2차원 배치되는 기판은, 반도체 기판이다. 그리고, 구동 트랜지스터(22)는, p채널형의 트랜지스터로 이루어진다.
또한, 본 예에서는, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)에 대해서도, 구동 트랜지스터(22)와 마찬가지로, p채널형의 트랜지스터를 사용하는 구성을 채택하고 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)는, 소스/게이트/드레인의 3단자의 구성이 아니라, 소스/게이트/드레인/백게이트의 4단자의 구성으로 되어 있다. 각 트랜지스터의 백게이트에는, 고전위측의 전원 전압(Vccp)이 인가된다.
기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 각 게이트 전극은, 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있는 주사선(31), 제1 구동선(32), 및, 제2 구동선(33)에 화소행 단위로 접속되어 있다. 따라서, 주사선(31), 제1 구동선(32), 및, 제2 구동선(33)은, 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 각 게이트 배선이라고 할 수 있다.
상기한 구성의 화소(20)에서, 기록 트랜지스터(23)는, 신호 출력부(60)로부터 신호선(34)을 통하여 공급되는 신호 전압(Vsig)을 샘플링함에 의해 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 기록한다. 발광 제어 트랜지스터(24)는, 전원 전압(Vccp)의 노드와 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극의 사이에 접속되어 있고, 발광 제어 신호(DS)에 의한 구동하에, 유기 EL 소자(21)의 발광/비발광을 제어한다.
스위칭 트랜지스터(25)는, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극과 저전위측의 전원 전압(Vss)(예를 들면, 접지 전위)과의 사이에 접속되어 있고, 구동 신호(AZ)에 의한 구동하에, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극의 전위를 제어함에 의해 유기 EL 소자(21)를 비발광 상태에 한다. 보다 구체적으로는, 스위칭 트랜지스터(25)는, 구동 신호(AZ)에 응답하여 도통 상태가 됨에 의해, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에 저전위측의 전원 전압(Vss)을 인가하여, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에 유기 EL 소자(21)가 발광하지 않도록 제어한다.
유지 용량(26)은, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극과 소스 전극의 사이에 접속되어 있고, 기록 트랜지스터(23)에 의한 샘플링에 의해 기록된 신호 전압(Vsig)을 유지한다. 구동 트랜지스터(22)는, 유지 용량(26)의 유지 전압에 응한 구동 전류를 유기 EL 소자(21)에 흘림에 의해 유기 EL 소자(21)를 구동한다. 보조 용량(27)은, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극과, 고정 전위의 노드와의 사이(예를 들면, 고전위측의 전원 전압(Vccp)의 노드)에 접속되어 있다. 이 보조 용량(27)은, 신호 전압(Vsig)을 기록한 때에 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압의 변동을 억제하는 작용, 및, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)으로 하는 작용을 한다.
[기본적인 회로 동작]
여기서, 상기한 구성의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치(10)의 기본적인 회로 동작에 관해, 도 3의 타이밍 파형도를 이용하여 설명한다.
도 3의 타이밍 파형도에는, 발광 제어 신호(DS), 기록 주사 신호(WS), 구동 신호(AZ), 신호선(34)의 전위(Vofs/Vsig), 및, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs), 게이트 전압(Vg)의 각각의 변화의 양상을 나타내고 있다.
또한, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)가 p채널형의 트랜지스터이기 때문에, 기록 주사 신호(WS), 발광 제어 신호(DS), 및, 구동 신호(AZ)의 저레벨의 상태가 액티브 상태가 되고, 고레벨의 상태가 비액티브 상태가 된다. 그리고, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)는, 기록 주사 신호(WS), 발광 제어 신호(DS), 및, 구동 신호(AZ)의 액티브 상태에서 도통 상태가 되고, 비액티브 상태에서 비도통 상태가 된다.
시각(t1)에서, 기록 주사 신호(WS)가 고레벨로부터 저레벨로 천이함으로써, 기록 트랜지스터(23)가 도통 상태가 된다. 이때, 신호 출력부(60)로부터 신호선(34)에 대해, 기준 전압(Vofs)이 출력되어 있는 상태에 있다. 따라서, 기준 전압(Vofs)이 기록 트랜지스터(23)에 의한 샘플링에 의해 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 기록되기 때문에, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 기준 전압(Vofs)이 된다.
또한, 시각(t1)에서는, 발광 제어 신호(DS)가 저레벨의 상태에 있기 때문에, 발광 제어 트랜지스터(24)가 도통 상태에 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은, 고전위측의 전원 전압(Vccp)으로 되어 있다. 이때, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은, Vgs=Vofs-Vccp가 된다.
여기서, 임계치 보정 동작(임계치 보정 처리)을 행하려면, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을, 당해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)보다도 크게 하여 둘 필요가 있다. 그 때문에, |Vgs|=|Vofs-Vccp|>|Vth|가 되도록 각 전압치가 설정되게 된다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)을 기준 전압(Vofs)으로 설정하고, 또한, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)을 전원 전압(Vccp)으로 설정하는 초기화 동작이, 다음의 임계치 보정 동작을 행하기 전의 준비(임계치 보정 준비)의 동작이다. 따라서, 기준 전압(Vofs) 및 전원 전압(Vccp)이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg) 및 소스 전압(Vs)의 각 초기화 전압이라고 하게 된다.
다음에, 시각(t2)에서, 발광 제어 신호(DS)가 저레벨로부터 고레벨로 천이하고, 발광 제어 트랜지스터(24)가 비도통 상태가 되면, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극이 플로팅 상태가 되고, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 기준 전압(Vofs)으로 유지된 상태에서 임계치 보정 동작이 시작된다. 즉, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)에서 임계치 전압(Vth)을 감(減)한 전압(Vg-Vth)을 향하여, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)이 하강(저하)을 시작한다.
기본적인 동작에서는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)의 초기화 전압(Vofs)을 기준으로 하여, 당해 초기화 전압(Vofs)에서 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)을 감한 전압(Vg-Vth)을 향하여 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)을 변화시키는 동작이 임계치 보정 동작이 된다. 이 임계치 보정 동작이 진행되면, 이윽고, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)에 수속(收束)한다. 이 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압은 유지 용량(26)에 유지된다.
그리고, 시각(t3)에서, 기록 주사 신호(WS)가 저레벨로부터 고레벨로 천이하고, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태가 되면, 임계치 보정 기간이 종료된다. 그 후, 시각(t4)에서, 신호 출력부(60)로부터 신호선(34)에 영상 신호의 신호 전압(Vsig)이 출력되고, 신호선(34)의 전위가 기준 전압(Vofs)부터 신호 전압(Vsig)으로 전환된다.
다음에, 시각(t5)에서, 기록 주사 신호(WS)가 고레벨로부터 저레벨로 천이함으로써, 기록 트랜지스터(23)가 도통 상태가 되고, 신호 전압(Vsig)을 샘플링하여 화소(20) 내에 기록한다. 이 기록 트랜지스터(23)에 의한 신호 전압(Vsig)의 기록 동작에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 신호 전압(Vsig)이 된다.
이 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기록할 때에, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극과 전원 전압(Vccp)의 노드와의 사이에 접속되어 있는 보조 용량(27)은, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 변동을 억제하는 작용을 한다. 그리고, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)에 의한 구동 트랜지스터(22)의 구동할 때에, 당해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)이 유지 용량(25)에 유지된 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압과 상쇄된다.
이때, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이, 신호 전압(Vsig)에 응하여 열리지만(커지지만), 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은 여전히 플로팅 상태에 있다. 그 때문에, 유지 용량(26)의 충전 전하는, 구동 트랜지스터(22)의 특성에 응하여 방전된다. 그리고, 이때 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류에 의해 유기 EL 소자(21)의 등가 용량(Cel)의 충전이 시작된다.
유기 EL 소자(21)의 등가 용량(Cel)이 충전됨에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)이 시간이 경과함에 따라 서서히 하강하여 간다. 이때 이미, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)의 화소마다의 편차가 캔슬되어 있고, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)는 당해 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)에 의존한 것으로 된다. 또한, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)는, 당해 구동 트랜지스터(22)의 채널을 구성하는 반도체 박막의 이동도이다.
여기서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 하강분(下降分)은, 유지 용량(26)의 충전 전하를 방전하도록 작용한다. 환언하면, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 하강분(변화량)은, 유지 용량(26)에 대해 부귀환이 걸린 것으로 된다. 따라서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 하강분은 부귀환의 귀환량이 된다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 드레인-소스 사이 전류(Ids)에 응한 귀환량으로 유지 용량(26)에 대해 부귀환을 걸음에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)의 이동도(μ)에 대한 의존성을 지울 수 있다. 이 지우는 동작(지우는 처리)이, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)의 화소마다의 편차를 보정하는 이동도 보정 동작(이동도 보정 처리)이다.
보다 구체적으로는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 기록되는 영상 신호의 신호 진폭(Vin)(=Vsig-Vofs)이 클수록 드레인-소스 사이 전류(Ids)가 커지기 때문에, 부귀환의 귀환량의 절대치도 커진다. 따라서, 영상 신호의 신호 진폭(Vin), 즉, 발광휘도 레벨에 응한 이동도 보정 처리가 행하여진다. 또한, 영상 신호의 신호 진폭(Vin)을 일정하게 한 경우, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)가 클수록 부귀환의 귀환량의 절대치도 커지기 때문에, 화소마다의 이동도(μ)의 편차를 제거할 수 있다.
시각(t6)에서, 기록 주사 신호(WS)가 저레벨로부터 고레벨로 천이하고, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태가 됨으로써, 신호 기록 & 이동도 보정 기간이 종료된다. 이동도 보정을 행한 후, 시각(t7)에서, 발광 제어 신호(DS)가 고레벨로부터 저레벨로 천이함으로써, 발광 제어 트랜지스터(24)가 도통 상태가 된다. 이에 의해, 전원 전압(Vccp)의 노드로부터 발광 제어 트랜지스터(24)를 통하여 구동 트랜지스터(22)에 전류가 공급된다.
이때, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태에 있음으로써, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극은 신호선(34)으로부터 전기적으로 절리되어 플로팅 상태에 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극이 플로팅 상태에 있을 때는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이에 유지 용량(26)이 접속되어 있음에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 변동에 연동하여 게이트 전압(Vg)도 변동한다.
즉, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs) 및 게이트 전압(Vg)은, 유지 용량(26)에 유지되어 있는 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을 유지한 채로 상승한다. 그리고, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은, 트랜지스터의 포화 전류에 응한 유기 EL 소자(21)의 발광 전압(Voled)까지 상승한다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 소스 전압(Vs)의 변동에 연동하여 변동하는 동작이 부트스트랩 동작이다. 환언하면, 부트스트랩 동작은, 유지 용량(26)에 유지된 게이트-소스 사이 전압(Vgs), 즉, 유지 용량(26)의 양단 사이 전압을 유지한 채로, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg) 및 소스 전압(Vs)이 변동하는 동작이다.
그리고, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)가 유기 EL 소자(21)에 흐르기 시작함에 의해, 당해 전류(Ids)에 응하여 유기 EL 소자(21)의 애노드 전압(Vano)이 상승한다. 이윽고, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전압(Vano)이 유기 EL 소자(21)의 임계치 전압(Vthel)을 초과하면, 유기 EL 소자(21)에 구동 전류가 흐르기 시작하기 때문에, 유기 EL 소자(21)가 발광을 시작한다.
한편, 제2 구동 주사부(50B)는, 시각(t1)보다도 전의 시각(t0)부터, 시각(t7)보다도 후의 시각(t8)까지의 기간에서 구동 신호(AZ)를 액티브 상태(저레벨의 상태)로 한다. 시각(t0)-시각(t8)의 기간은, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간이다. 이 비발광 기간에 구동 신호(AZ)가 액티브 상태가 됨으로써, 이에 응답하여 스위칭 트랜지스터(25)가 도통 상태가 된다.
스위칭 트랜지스터(25)가 도통 상태가 됨으로써, 당해 스위칭 트랜지스터(25)를 통하여, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극(구동 트랜지스터(22)의 드레인 전극)에 저전위측의 전원 전압(Vss)이 인가된다. 이에 의해, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에서, 스위칭 트랜지스터(25)는, 유기 EL 소자(21)가 발광하지 않도록 제어할 수 있다. 그와 관련하여, 임계치 보정 및 신호 기록이 행하여지는 1수평 기간(1H)에서는 구동 신호(AZ)가 액티브 상태가 되지만, 이후의 발광 기간 중에서는 구동 신호(AZ)가 비액티브 상태가 된다.
여기서, 스위칭 트랜지스터(25)를 갖지 않는 화소 구성에서의, 임계치 보정 준비 기간부터 임계치 보정 기간(시각(t1)∼시각(t3))에 걸친 동작점에 주목한다. 선술한 동작 설명으로부터 분명한 바와 같이, 임계치 보정 동작을 행하려면, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을, 당해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)보다도 크게 하여 둘 필요가 있다.
게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 임계치 전압(Vth)보다도 크면, 구동 트랜지스터(22)에 전류가 흐른다. 그러면, 임계치 보정 준비 기간부터 임계치 보정 기간의 일부에 걸처서, 일시적으로 유기 EL 소자(21)의 애노드 전압(Vano)이 당해 유기 EL 소자(21)의 임계치 전압(Vthel)을 초과한다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(22)로부터 유기 EL 소자(21)에 전류가 유입되기 때문에, 비발광 기간임에도 불구하고, 신호 전압(Vsig)의 계조에 의하지 않고서 매프레임, 일정휘도로 유기 EL 소자(21)가 발광한다. 그 결과, 표시 패널(70)의 콘트라스트의 저하를 초래하게 된다.
이에 대해, 스위칭 트랜지스터(25)를 갖는 화소 구성에서는, 상술한 스위칭 트랜지스터(25)의 작용에 의해, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에서, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류가 유기 EL 소자(21)에 유입되지 않도록 할 수 있다. 이에 의해, 비발광 기간에서, 유기 EL 소자(21)가 발광하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 스위칭 트랜지스터(25)를 갖지 않는 화소 구성에 비하여 표시 패널(70)의 고콘트라스트화를 도모할 수 있다.
이상 설명한 일련의 기본적인 회로 동작에서는, 임계치 보정, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기록(신호 기록), 및, 이동도 보정의 각 동작(처리)은, 예를 들면 1수평 기간(1H)에서 실행된다. 보다 구체적으로는, 1수평 기간에서, 구동 신호(AZ)가 액티브 상태(저레벨 상태)가 되고, 스위칭 트랜지스터(25)가 도통 상태가 되는 기간(t0-t8), 즉, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에 실행된다.
[배선 사이의 기생 용량]
상술한 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치(10)에서, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 각 게이트 배선, 즉, 주사선(31), 제1 구동선(32), 및, 제2 구동선(33)은, 선술한 바와 같이, 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있다.
여기서, 고정밀화에 수반하여 다화소화가 진행되면, 화소(20) 사이의 간격이 좁아진다. 또한, 마이크로 디스플레이(초소형의 표시 장치)에서는, 당연한 일이지만, 모니터 용도가 일반적인 디스플레이에 비하여 화소(20) 사이의 간격이 좁다. 이와 같이, 화소(20) 사이의 간격이 좁아지면, 화소 배열의 행방향에 따라 형성되고, 서로 인접하는 게이트 배선 사이에 생기는 기생 용량이 무시할 수 없게 되어 온다.
(인접하는 게이트 배선을 같은 배선층에 형성한 예)
여기서, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 각 게이트 배선을 같은 배선층에 형성하는 경우를 종래례로서 생각한다. 종래례에 관한 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선 구조의 평면도를 도 4A에 도시하고, 도 4A의 A-A선에 따른 화살표(矢視) 단면도를 도 4B에 도시한다.
구동 트랜지스터(22)에 관해, 그 일방측에 발광 제어 트랜지스터(24)의 게이트 배선인 제1 구동선(32)이, 그 타방측에 기록 트랜지스터(23)의 게이트 배선인 주사선(31) 및 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)이, 행방향에 따라 형성되어 있다. 제1 구동선(32), 주사선(31), 및, 제2 구동선(33)은 모두 제1 배선층, 즉, 같은 배선층에 형성되어 있다.
제1 구동선(32)에는, 발광 제어 트랜지스터(24)의 게이트 전극(24G)이 콘택트(24C)에 의해 접속되어 있다. 주사선(31)에는, 기록 트랜지스터(23)의 게이트 전극(23G)이 콘택트(23C)에 의해 접속되어 있다. 제2 구동선(33)에는, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 전극(25G)이 콘택트(25C)에 의해 접속되어 있다.
상기한 게이트 배선 구조에서, 주사선(31)과 제2 구동선(33)이, 서로 인접하여 행방향에 따라 평행하게 형성되어 있기 때문에, 화소(20) 사이의 간격이 좁아지면, 양 게이트 배선 사이의 기생 용량(C1)의 용량치가 커진다. 여기서, 제2 구동선(33)을 게이트 배선으로 하는 스위칭 트랜지스터(25)는, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에 접속되어 있다(도 2 참조). 따라서, 제2 구동선(33)의 전위가, 인접하는 게이트 배선인 주사선(31)의 전위 변동일 때에, 기생 용량(C1)에 의한 커플링에 의해 변동하면, 제2 구동선(33)의 전위 변동이 유기 EL 소자(21)의 발광 동작에 악영향을 미쳐서, 표시 얼룩이 생길 우려가 있다.
(실시례 1)
실시례 1은, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선을, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성하는 예이다. 실시례 1에 관한 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선 구조의 평면도를 도 5A에 도시하고, 도 5A의 B-B선에 따른 화살표 단면도를 도 5B에 도시한다.
실시례 1에 관한 게이트 배선 구조는, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)을 제1 배선층에 형성하고, 기록 트랜지스터(23) 및 발광 제어 트랜지스터(24)의 각 게이트 배선인 주사선(31) 및 제1 구동선(32)을 제2 배선층에 형성한 구성으로 되어 있다.
그리고, 제2 배선층에 형성된 제1 구동선(32)에는, 발광 제어 트랜지스터(24)의 게이트 전극(24G)이, 제1 배선층에 형성된 섬형상(島狀)의 중계 전극(41)을 통하여 콘택트(24C)에 의해 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 배선층에 형성된 주사선(31)에는, 기록 트랜지스터(23)의 게이트 전극(23G)이, 제1 배선층에 형성된 섬형상의 중계 전극(4142)을 통하여 콘택트(23C)에 의해 접속되어 있다.
또한, 여기서는, 주사선(31) 및 제1 구동선(32)을 함께 제2 배선층에 형성하는 게이트 배선 구조를 예시하였지만, 적어도 제2 구동선(33)에 인접하는 주사선(31)을 제2 배선층에 형성하는 게이트 배선 구조라면 좋다. 또한, 제2 구동선(33)을 제2 배선층에 형성하고, 주사선(31), 또는, 주사선(31) 및 제1 구동선(32)을 제1 배선층에 형성하는 게이트 배선 구조라도 좋다.
이와 같이, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)을, 인접하는 주사선(31)과 다른 배선층에 형성함으로써, 제2 구동선(33)과 주사선(31) 사이의 배선 간격이, 양 게이트 배선이 같은 배선층에 형성하는 경우에 비하여 넓게 된다. 따라서, 제2 구동선(33)과 주사선(31)의 사이에 생기는 기생 용량(C2)을, 양 게이트 배선이 같은 배선층에 형성하는 경우의 기생 용량(C1)에 비하여 저감할 수 있다. 이에 의해, 주사선(31)의 전위 변동일 때에, 주사선(31)으로부터의 제2 구동선(33)에 대한 기생 용량(C2)에 의한 커플링의 영향을 억제할 수 있기 때문에, 커플링 노이즈 등에 의해 생기는 제2 구동선(33)의 전위의 흔들림에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있다.
(실시례 2)
실시례 2는, 실시례 1의 변형례이고, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)의 상층에 고정 전위의 전원 배선을 형성하는 예이다. 실시례 2에 관한 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선 구조의 평면도를 도 6A에 도시하고, 도 6A의 C-C선에 따른 화살표 단면도를 도 6B에 도시한다.
실시례 2에 관한 게이트 배선 구조는, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)을, 인접하는 주사선(31)과 다른 배선층에 형성한 다음, 제2 구동선(33)의 상층(본 예에서는, 제2 배선층)에 전원 전압(Vccp)의 전원 배선(36)을 형성한 구성으로 되어 있다. 이에 의해, 제2 구동선(33)과 그 상층의 전원 배선(36)의 사이에 기생 용량(C3)이 형성되게 된다.
이 실시례 2에 관한 게이트 배선 구조에 의하면, 실시례 1의 경우와 마찬가지로, 주사선(31)으로부터의 제2 구동선(33)에 대한 기생 용량(C2)에 의한 커플링의 영향을 억제할 수 있음에 더하여, 기생 용량(C3)의 작용에 의해 제2 구동선(33)의 전위를 보다 안정화할 수 있다. 그 결과, 제2 구동선(33)의 전위가, 다른 게이트 배선으로부터의 영향을 받기 어렵게 할 수 있기 때문에, 제2 구동선(33)의 전위의 흔들림에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있다.
(실시례 3)
실시례 3은, 실시례 3의 변형례이고, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)의 하층에 고정 전위의 전원 배선을 형성하는 예이다. 실시례 3에 관한 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선 구조의 평면도를 도 7A에 도시하고, 도 7A의 D-D선에 따른 화살표 단면도를 도 7B에 도시한다.
실시례 3에 관한 게이트 배선 구조는, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선인 제2 구동선(33)을, 인접하는 주사선(31)과 다른 배선층에 형성한 다음, 제2 구동선(33)의 하층(본 예에서는, 제1 배선층)에 전원 전압(Vccp)의 전원 배선(36)을 형성한 구성으로 되어 있다. 이에 의해, 제2 구동선(33)과 그 하층의 전원 배선(36)의 사이에 기생 용량(C3)이 형성되게 된다.
이 실시례 3에 관한 게이트 배선 구조에 의해서도, 실시례 2의 경우와 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다. 즉, 실시례 1의 경우와 마찬가지로, 주사선(31)으로부터의 제2 구동선(33)에 대한 기생 용량(C2)에 의한 커플링의 영향을 억제할 수 있음에 더하여, 기생 용량(C3)의 작용에 의해 제2 구동선(33)의 전위를 보다 안정화할 수 있다. 그 결과, 제2 구동선(33)의 전위가, 다른 게이트 배선으로부터의 영향을 받기 어렵게 할 수 있기 때문에, 제2 구동선(33)의 전위의 흔들림에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있다.
<변형례>
이상, 본 개시의 기술에 관해, 바람직한 실시례에 의거하여 설명하였지만, 본 개시의 기술은 당해 실시례로 한정되는 것이 아니다. 상기한 각 실시례에서 설명한 표시 장치의 구성, 구조는 예시이고, 적절히, 변경할 수 있다. 예를 들면, 상기한 각 실시례에서는, 다른 트랜지스터의 게이트 배선으로서 기록 트랜지스터(23)의 게이트 배선(주사선(31))을 예시하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 도 2에 도시하는 화소 회로에서는, 발광 제어 트랜지스터(24)의 게이트 배선(제1의 구동선(32))을, 다른 트랜지스터의 게이트 배선으로 할 수 있다.
<본 개시의 전자 기기>
이상 설명한 본 개시의 표시 장치는, 전자 기기에 입력된 영상 신호, 또는, 전자 기기 내에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는, 모든 분야의 전자 기기의 표시부(표시 장치)로서 이용할 수 있다. 전자 기기로서는, 텔레비전 세트, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 휴대 전화기 등의 휴대 단말 장치, 헤드 마운트 디스플레이 등을 예시할 수 있다. 단, 이들로 한정되는 것이 아니다.
이와 같이, 모든 분야의 전자 기기에서, 그 표시부로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 개시의 표시 장치에 의하면, 스위칭 트랜지스터(25)의 게이트 배선의 전위의 흔들림에 기인하는 표시 얼룩을 억제할 수 있다. 따라서, 본 개시의 표시 장치를, 전자 기기의 표시부(표시 장치)로서 이용함에 의해, 표시 화상의 표시 품질을 향상할 수 있다.
본 개시의 표시 장치는, 봉지(封止)된 구성의 모듈 형상의 것도 포함한다. 한 예로서, 화소 어레이부에 투명한 유리 등의 대향부가 부착되어 형성된 표시 모듈이 해당한다. 또한, 표시 모듈에는, 외부로부터 화소 어레이부에의 신호 등을 입출력하기 위한 회로부나 플렉시블 프린트 서킷(FPC) 등이 마련되어 있어도 좋다. 이하에, 본 개시의 표시 장치를 이용하는 전자 기기의 구체례로서, 디지털 스틸 카메라 및 헤드 마운트 디스플레이를 예시한다. 단, 여기서 예시하는 구체례는 한 예에 지나지 않고, 이들로 한정되는 것이 아니다.
[구체례 1]
도 8은, 렌즈 교환식 일안(一眼) 리플렉스 타입의 디지털 카메라의 외관도로서, 도 8A에 그 정면도를 도시하고, 도 8B에 그 배면도를 도시한다. 렌즈 교환식 일안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 예를 들면, 카메라 본체부(카메라 바디)(111)의 정면 우측에 교환식의 촬영 렌즈 유닛(교환 렌즈)(112)을 가지며, 정면 좌측에 촬영자가 파지하기 위한 그립부(113)를 갖고 있다.
그리고, 카메라 본체부(111)의 배면 개략 중앙에는 모니터(114)가 마련되어 있다. 모니터(114)의 상부에는, 전자 뷰 파인더(접안창)(115)가 마련되어 있다. 촬영자는, 전자 뷰 파인더(115)를 엿봄에 의해, 촬영 렌즈 유닛(112)으로부터 유도된 피사체의 광상을 시인(視認)하여 구도 결정을 행하는 것이 가능하다.
상기한 구성의 렌즈 교환식 일안 리플렉스 타입의 디지털 카메라에서, 그 전자 뷰 파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 렌즈 교환식 일안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 그 전자 뷰 파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
[구체례 2]
도 9는, 헤드 마운트 디스플레이의 외관도이다. 헤드 마운트 디스플레이는, 예를 들면, 안경형의 표시부(211)의 양측에, 사용자의 두부에 장착하기 위한 귀걸이부(212)를 갖고 있다. 이 헤드 마운트 디스플레이에서, 그 표시부(211)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 헤드 마운트 디스플레이는, 그 표시부(211)으로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
<본 개시가 취할 수 있는 구성>
또한, 본 개시는, 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[1] 발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있고,
복수의 트랜지스터 중, 발광부의 애노드 전극에 접속된 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선은, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성되어 있는, 표시 장치.
[2] 스위칭 트랜지스터는, 발광부의 애노드 전극의 전위를 제어함에 의해 발광부를 비발광 상태로 하는, 상기 [1]에 기재된 표시 장치.
[3] 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선의 상층 또는 하층에는, 고정 전위의 전원 배선이 형성되어 있는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 표시 장치.
[4] 다른 트랜지스터는, 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 대해, 영상 신호를 기록하는 기록 트랜지스터인, 상기 [1] 내지 [3]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[5] 화소에서는, 스위칭 트랜지스터가 도통 상태가 되는 발광부의 비발광 기간에, 구동 트랜지스터의 특성의 편차를 보정하기 위한 처리가 행하여지는, 상기 [4]에 기재된 표시 장치.
[6] 화소가 2차원 배치되는 기판은, 반도체 기판인, 상기 [1] 내지 [5]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[7] 발광부는, 유기 일렉트로루미네선스 소자로 구성되어 있는, 상기 [1] 내지 [6]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[8] 발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있고,
복수의 트랜지스터 중, 발광부의 애노드 전극에 접속된 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선은, 다른 트랜지스터의 게이트 배선과 다른 배선층에 형성되어 있는, 표시 장치를 갖는 전자 기기.
10 : 유기 EL 표시 장치
20 : 화소(화소 회로)
21 : 유기 EL 소자
22 : 구동 트랜지스터
23 : 기록 트랜지스터
24 : 발광 제어 트랜지스터
25 : 스위칭 트랜지스터
26 : 유지 용량
27 : 보조 용량
30 : 화소 어레이부
31(311∼31m) : 주사선
32(321∼32m) : 제1 구동선
33(331∼33m) : 제2 구동선
34(341∼34n) : 신호선
35 : 공통 전원선
36 : 전원 배선
40 : 기록 주사부
50A : 제1 구동 주사부
50B : 제2 구동 주사부
60 : 신호 출력부
70 : 표시 패널

Claims (8)

  1. 발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있고,
    복수의 트랜지스터는, 발광부의 애노드 전극에 접속되고, 애노드 전극의 전위를 제어함에 의해 발광부를 비발광 상태로 하는 스위칭 트랜지스터, 및 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 대해 영상 신호를 기록하는 기록 트랜지스터를 포함하고 있고,
    스위칭 트랜지스터의 게이트 배선은, 기록 트랜지스터의 게이트 배선이 접속된 주사선과 상이한 배선층에 형성되어 있고,
    주사선의 전위 변동 때에, 주사선으로부터의 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선에 대한 기생 용량에 의한 커플링의 영향을 억제하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    스위칭 트랜지스터의 게이트 배선의 상층 또는 하층에는, 고정 전위의 전원 배선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    화소에서는, 스위칭 트랜지스터가 도통 상태가 되는 발광부의 비발광 기간에, 구동 트랜지스터의 특성의 편차를 보정하기 위한 처리가 행하여지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    화소가 2차원 배치되는 기판은, 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    발광부는, 유기 일렉트로루미네선스 소자로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 발광부 및 복수의 트랜지스터를 포함하는 화소가 행렬형상으로 2차원 배치되고, 복수의 트랜지스터의 게이트 배선이 화소 배열의 행방향에 따라 형성되어 있고,
    복수의 트랜지스터는, 발광부의 애노드 전극에 접속되고, 애노드 전극의 전위를 제어함에 의해 발광부를 비발광 상태로 하는 스위칭 트랜지스터, 및 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 대해 영상 신호를 기록하는 기록 트랜지스터를 포함하고 있고,
    스위칭 트랜지스터의 게이트 배선은, 기록 트랜지스터의 게이트 배선이 접속된 주사선과 상이한 배선층에 형성되어 있고,
    주사선의 전위 변동 때에, 주사선으로부터의 스위칭 트랜지스터의 게이트 배선에 대한 기생 용량에 의한 커플링의 영향을 억제하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  7. 삭제
  8. 삭제
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